CN115632013A - 晶圆加热装置 - Google Patents

Abstract

本发明的实施例公开了一种晶圆加热装置，其包括：基板，基板包括第一表面，第一表面上包括放置晶圆的晶圆承载区域；加热组件，加热组件包括感应线圈，感应线圈至少包括：环形分布的第一线圈及与第一线圈电性相连并位于第一线圈内侧的第二线圈，第二线圈包括复数匝；以感应线圈在第一表面的正投影为参照，第一线圈至少包括复数匝且复数匝的正投影覆盖晶圆承载区，第一线圈相邻匝的距离小于第二线圈中的相邻匝的距离，以使得第一线圈产生的热量更为均匀。根据本发明，其提高了晶圆处理流程中的生产质量。

Description

晶圆加热装置

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，特别涉及一种晶圆加热装置。

背景技术

对晶圆进行加热处理是制造半导体或半导体芯片中不可或缺的步骤。目前大多是采用感应线圈对基板上的晶圆进行加热。由于在半导体的处理工序中，在温度合适的前提下，晶圆温度的均匀性会直接决定晶圆处理的速度和处理的质量，而晶圆中心与晶圆边缘之间的温度不均匀将会使得在对晶圆处理时晶圆的一致性变差、缺陷变多、良率变差，进而导致使用该晶圆制造的半导体或半导体芯片质量不高，因此感应线圈在加热时需要确保晶圆上的温度分布的均匀性。

发明内容

本发明的实施例提供一种晶圆加热装置，以提高对晶圆的加热均匀度，从而提升晶圆处理工序中的晶圆处理质量。

为了解决上述技术问题，本发明的实施例公开了如下技术方案：

一方面，提供了一种晶圆加热装置，包括：

反应器，所述反应器内至少设有一个基板，所述基板包括第一表面，所述第一表面上包括放置晶圆的晶圆承载区；

加热组件，包括至少一个感应线圈，所述感应线圈正对所述基板并自所述感应线圈的中心向外呈螺旋状排布；所述感应线圈至少包括：环形分布的第一线圈及与所述第一线圈电性相连并位于所述第一线圈内侧的第二线圈，所述第二线圈包括复数匝；以所述感应线圈在所述第一表面的正投影为参照，所述第一线圈至少包括复数匝且所述复数匝的所述正投影覆盖所述晶圆承载区，所述第一线圈相邻匝的距离小于所述第二线圈中的相邻匝的距离。

除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，所述感应线圈包括自其中心向外延伸并平行于所述第一表面的径向；

所述第一线圈的相邻匝在所述径向上的距离小于所述第二线圈的相邻匝在所述径向上的距离。

除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，所述第一线圈相邻匝的相邻位置到所述第一表面的距离差小于所述第二线圈的相邻匝的相邻位置到所述第一表面的距离差。

除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，所述感应线圈还包括垂直于所述第一表面的第二方向；

所述第一线圈的相邻匝在所述第二方向上的距离小于所述第二线圈的相邻匝在所述第二方向上的距离。

除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，所述第一线圈在所述径向上的排布参数由感应线圈外侧向感应线圈内侧减小。

除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，所述感应线圈包括自其中心向外延伸并平行于所述第一表面的径向，所述感应线圈距离所述第一表面的距离由感应线圈径向外侧向感应线圈径向内侧逐步增大，且所述第一线圈到所述第一表面的距离的变化幅度从所述径向外侧向所述径向内侧逐步增大。

除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，所述加热组件还包括与所述感应线圈对应的感应加热板，所述感应线圈感应加热所述感应加热板，所述加热组件通过所述感应加热板向晶圆提供热量，其中，所述感应加热板配置为所述基板，所述感应线圈的所述正投影覆盖所述基板的外缘。

除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，所述加热组件还包括与所述感应线圈对应的感应加热板，所述感应线圈感应加热所述感应加热板，所述加热组件通过所述感应加热板向晶圆提供热量，其中，所述感应加热板配置为平行于所述基板并位于所述基板上方和/或下方的板状结构。

除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，所述加热组件包括：两组所述感应线圈，所述两组感应线圈分别设于所述第一表面的上方及下方；两组与所述两组感应线圈对应的感应加热板，一个所述感应加热板配置为所述基板，另一个所述感应加热板配置为平行于所述基板并位于所述基板上方的板状结构

除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，所述第一线圈中任意相邻两匝与所述第一表面的距离差小于预设值，所述预设值不大于60mm。

除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，所述晶圆加热装置还包括：

转动轴，所述转动轴位于所述基板远离所述第一表面的一侧，并用于带动所述基板以所述转动轴为轴线相对于所述感应线圈进行旋转。

上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点或有益效果：将基板的第一表面的晶圆承载区域所正对的感应线圈部分和其余的感应线圈部分的结构参数区别设计，即将感应线圈对应于晶圆承载区域划分为第一线圈和位于晶圆承载区域之外的第二线圈，并调整第一线圈和第二线圈的设计参数，使得该晶圆承载区位于该感应线圈整体加热效果一致性最佳的区段，使得该感应线圈在该晶圆承载区直接或间接产生的热量更为均匀，进而可以使得晶圆承载区域内待处理的晶圆受热均匀，提升了对晶圆的加热效果，改善了在晶圆进行处理时的晶圆表现的一致性和处理质量。

附图说明

下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。

图1根据本发明实施例提供的一种晶圆加热装置的局部的俯视示意图；

图2根据本发明实施例提供的一种晶圆加热装置的整体结构示意图；

图3根据本发明实施例提供的晶圆加热装置的局部结构示意图；

图4根据本发明实施例提供的晶圆加热装置的剖面示意图；

图5示出了现有技术中晶圆加热装置的一个实施方式的剖面示意图；

图6示出了现有技术中晶圆加热装置的另一个实施方式的剖面示意图；

图7根据本发明实施例提供的另一种晶圆加热装置的剖面示意图；

图8根据本发明实施例提供的第一表面的局部温度分布示意图；

图9示出了现有技术中晶圆加热装置的一个实施方式的第一表面的局部温度分布示意图；

图10示出了现有技术中晶圆加热装置的另一个实施方式的第一表面的局部温度分布示意图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案和有益效果更加清晰明白，以下结合附图和具体实施方式，对本发明进行进一步详细说明。应当理解的是，本说明书中描述的具体实施方式仅仅是为了解释本发明，并不是为了限定本发明。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是指两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

利用感应线圈对晶圆间接进行加热的原理是通过感应线圈内的交变电流产生一个方向往复变化的磁场，进而该磁场会在感应加热板表面形成一个变化的电场，该电场会在感应加热板内形成涡流，从而使得感应加热板发热，感应加热板将产生的热量通过热传导、热辐射或热对流的方式传递出去，从而实现对半导体处理设备内的部件（晶圆）进行加热。感应加热板处的磁场分布特征最终决定感应加热板的发热的均匀性。因感应线圈是螺旋状排布的，左半部分感应线圈和右半部分感应线圈中的电流方向相反，感应线圈如果相对于感应加热板表面为螺旋状均匀分布的话，考虑不同方向磁场叠加的复杂性，实质上会导致对应于感应线圈的中心处的位置磁场较弱，对应于感应线圈的半径的1/2偏外处磁场较大，对应于感应线圈外缘处的磁场位于前述两者之间，并且整体上磁场向上述半径的1/2偏外处集中，感应加热板产生的热量与磁场强度成正相关，这就导致了加热板产生的热量集中在很小的区域，导致加热板在对应的感应线圈的半径方向上，热量分布均匀性差并且在该半径对应的线性区域上不论整体热量分布还是局部热量分布均会产生较大落差（可以参考图9及图10），进而导致向晶圆传递的热量不均匀，导致晶圆在处理流程中的质量表现差。为了使得对晶圆的表面加热均匀，目前常用的方法是采用多组分区设置的感应线圈，使得不同位置对应的感应线圈不同，感应线圈内的功率不同，从而对感应加热板产生的热量进行控制，以使得晶圆表面受热均匀。然而这种方法生产成本较高，且控制流程复杂。

为了解决感应线圈产生的热量不能均匀分布到晶圆的问题。本发明实施例提供一种晶圆加热装置。其中，图1示出了根据本发明实施例提供的一种晶圆加热装置的局部的俯视示意图，图2示出了根据本发明提供的一种晶圆加热装置的整体结构示意图，图3示出了本发明实施例提供的晶圆加热装置的局部结构示意图，图4示出了根据图2提供的晶圆加热装置的剖面示意图。

在本发明提供的实施例中，一种晶圆加热装置，用于半导体处理设备，包括：反应器，所述反应器内至少设有一个基板11，所述基板11包括第一表面11a。第一表面11a上包括放置晶圆20的晶圆承载部。在本实施例中，将晶圆承载部所在的环状区域作为晶圆承载区域111，在其他实施例中，晶圆承载区域111可设定为覆盖晶圆承载部所在的环状区域并向内和/或向外超出该环状区域一定距离的第二环状区域，该一定距离小于晶圆承载部的直径尺寸的1/4。将基板11除去晶圆承载区域111的其他区域作为剩余区域112。在本实施例中，所述晶圆承载区域111呈环形围绕所述基板11中心排布，晶圆承载区域111位于基板11的第一表面11a的外侧部分，剩余区域112位于基板11的第一表面11a中的中心部分。需要说明的是，在本实施例中，该反应器虽然是作为晶圆加热处理的容器，但是并不意味着该反应器仅能用于加热，在其他的半导体加工流程中，该反应器还可以作为类如外延、刻蚀、清洁等处理工序的容器。

加热组件，所述加热组件可对晶圆加热装置内的部件进行加热，包括至少一个感应线圈121，所述感应线圈121正对所述基板11并自所述感应线圈121的中心向外呈螺旋状排布。在本实施例中，感应线圈121正对于基板11设置。本实施例中，基板11设为带有表面涂层的石墨板，在其他实施例中，也可以为其他不导电的平板，比如SiC板。所述感应线圈121至少包括：环形分布的第一线圈1211及与所述第一线圈1211电性相连并位于所述第一线圈1211内侧的第二线圈1212，所述第二线圈1212包括复数匝；以所述感应线圈121在所述第一表面11a的正投影为参照，所述晶圆承载区111与所述第一线圈1211对应设置，所述第一线圈1211至少包括复数匝且所述复数匝第一线圈1211的所述正投影覆盖所述晶圆承载区111，所述第一线圈1211相邻匝的距离小于所述第二线圈1212中的相邻匝的距离。

感应线圈121产生的热能通过热传导和/或热辐射的方式传递至反应器的内部的晶圆20表面。第一线圈1211的相邻匝的距离小于所述第二线圈1212中的相邻匝的距离，可以是第一线圈1211的相邻匝的距离小于所述第二线圈1212中的至少一个相邻匝的距离，使得感应线圈121在整体上的表现为，第一线圈1211的排布较第二线圈1212的排布更密集，并且位于整个感应线圈121内侧的第二线圈1212至少部分匝明显比第一线圈1211稀疏，进而使晶圆承载区域111接收的热量高于剩余区域112接收的热量，同时结合根据前述环形线圈的磁场分布特点，该排布方式虽然不能使待加热区域在线圈半径对应的线性区域整体上的热量分布均匀，但是有助于在第一线圈1211对应的局部线性区域上的热量分布落差减小，进而使得晶圆承载区域111接收到的热量变得均匀，使得晶圆承载区域111内的晶圆20整体受热变得均匀。

在本发明的进一步的实施例中，所述感应线圈121包括自其中心向外延伸并平行于所述第一表面11a的径向；第一线圈1211的相邻匝在所述径向上的距离小于第二线圈1212的相邻匝在所述径向上的距离，可以是第一线圈1211的相邻匝在所述径向上的距离小于第二线圈1212的至少一个相邻匝在所述径向上的距离。在其他条件一致的情况下，线圈在径向上的距离适当变大，其产生磁场的磁场线在径向上就不会过度集中，对应的该径向上的单位长度的磁场梯度变小，根据上述一般情况下的螺旋线圈对应的磁场分布的描述，通常情况下，在径向上，磁场集中分布在第一线圈1211偏向于第二线圈1212的一侧，即该处的磁场线会相对集中，同时该处的单位距离的磁场梯度较大，通过调节使第二线圈1212的径向距离变大，可以使得该处磁场线变得分散，也就是说，该处的单位距离的磁场梯度变小，对应的热量集中区会被延长，感应线圈121产生的热量的高温区将被“拉长”，使得能够以相对均匀分布的高温区实现对晶圆承载区域111的覆盖，使得晶圆承载区域111内的晶圆20整体受热均匀，有助于提升放置于晶圆承载区域111的晶圆20的质量，并尽量提高加热效率。其中，第一线圈1211相邻匝之间的间距随着与感应线圈121中心的距离的增大而减小，以进一步增强上述效果。

在本发明实施例中，所述感应线圈121还包括垂直于所述第一表面11a的第二方向；所述第一线圈1211的相邻匝在所述第二方向上的距离小于所述第二线圈1212的相邻匝在所述第二方向上的距离，可以是所述第一线圈1211的相邻匝在所述第二方向上的距离小于所述第二线圈1212的至少一个相邻匝在所述第二方向上的距离。这样，第一线圈1211在第二方向排布更为密集，同样能使得晶圆承载区域111的晶圆20受到的加热效果更好，质量更高。进一步，在本发明实施例中，第一线圈1211外侧的匝圈到第一表面11a的距离小于第一线圈1211内侧的匝圈到第一表面11a的距离。更进一步地，感应线圈121距离第一表面11a的距离由感应线圈121外侧向感应线圈121内侧逐步增大。实际使用中，因为可被所述感应线圈121加热的感应加热板122排布于感应线圈121和第一表面11a之间，所以第一线圈1211乃至于整个感应线圈121到感应加热板122也会呈由外到内的距离递增的排布形式，根据感应加热的基本原理，距离越远其加热效率会产生一定的下降，所以对应于该种线圈排布方式，同样有助于使得感应加热板122的发热的高温区将集中在第一线圈1211对应的区域，以尽量提高该感应线圈121的加热效率。

在本发明的进一步实施例中，以相邻两匝线圈在同一个径向上的位置为相邻两匝线圈的相邻位置，所述第一线圈1211的相邻匝的相邻位置到所述第一表面11a的距离差小于所述第二线圈1212的至少部分相邻匝的相邻位置到所述第一表面11a的距离差。进一步，至少部分第二线圈1212至少包括第二线圈1212接近第一线圈1211的第1匝或前两匝或前三匝。也即是说，至少部分第二线圈1212与第一表面11a的距离变化趋势大于第一线圈1211相对于第一表面11a的距离变化趋势，以使得该部分第二线圈1212的磁场线相对显得分散，感应加热板122对应的局部的磁场梯度变小，进而有助于感应线圈121产生的热量的高温区变得更长，进一步使得能够以相对均匀分布的高温区实现晶圆承载区域111的覆盖，有助于提升放置于晶圆承载区域111的晶圆20的加热效果。

进一步地，所述第一线圈1211到所述第一表面11a的距离的变化幅度从所述径向外侧向径向内侧逐步增大，以进一步增强上述效果。

在本发明实施例中，第一线圈1211和第二线圈1212还包括耦合距离的不同。第一线圈1211的耦合距离大于第二线圈1212的耦合距离，使得感应线圈121生成的热量集中于晶圆承载区域111，能促使温度峰值位于晶圆承载区域111的中心区域。

在本发明进一步实施例中，第一线圈1211中任意相邻两匝与第一表面11a的距离差小于预设值，例如预设值不大于60mm。在更佳的实施方式中，该第一线圈1211中任意相邻两匝的与第一表面11a的距离差不大于单匝线圈的高度的两倍，即相邻两匝线圈的间隙高度不大于单匝线圈的高度，以使的与第一线圈1211不同匝对应的感应加热板122处的磁通量平稳变化，不至于出现较大变化，避免加热温度分布产生局部波动。

在本发明实施例中，所述加热组件还包括与所述感应线圈121对应的感应加热板122，所述感应线圈121感应加热所述感应加热板122，所述加热组件通过所述感应加热板122向待处理晶圆20提供热量，其中，所述感应加热板122配置为所述基板11，所述感应线圈121的所述正投影覆盖所述基板11的外缘。该感应加热板122优选为设有保护涂层的石墨板。在本发明其他的实施例中，所述加热组件还包括与所述感应线圈121对应的感应加热板122，所述感应线圈121感应加热所述感应加热板122，所述加热组件通过所述感应加热板122向待处理晶圆20提供热量，其中，所述感应加热板122配置为平行于所述基板11并位于所述基板11上方和/或下方的板状结构。所述感应加热板122优选为镀覆碳化硅涂层的石墨板，在其他实施例中，也可以为其他导电的平板。

其中，感应线圈121和感应加热板122之间还设置有第一石英板15。

本发明提供另一种晶圆加热装置。如图7所示，加热组件包括两组所述感应线圈121，所述两组感应线圈121分别设于所述第一表面11a的上方及下方；两组与所述两组感应线圈121对应的感应加热板122，一个所述感应加热板122配置为所述基板11，另一个所述感应加热板122配置为平行于所述基板11并位于所述基板11上方的板状结构。通过设置多个感应线圈121，以提高对待处理晶圆20的加热速度及上下方向上的温度的均匀性。

在本发明实施例中，晶圆加热装置还包括转动轴13，转动轴13位于基板11远离第一表面11a的一侧，并用于带动基板11以转动轴13为轴线相对于感应线圈121进行旋转。在本实施例中，基板11与转动轴13转动连接；从而第一表面11a上的待处理晶圆20会更均匀的受热，加热效果更好。其中，基板11还与第二石英板14连接。

在其他实施例中，转动轴13可以设置于加热组件上，使得加热组件旋转，而基板11不旋转，同样可以起到对待处理晶圆20均匀加热的效果。

图5-图6展示了现有技术中两种线圈排布方式，并且在图8-图10展示出了本发明第一表面11a的局部温度分布示意图，对应于图5的图9为现有技术中晶圆加热装置的一个实施方式的第一表面11a的局部温度分布示意图，对应于图6的图10的现有技术中晶圆加热装置的另一个实施方式的第一表面11a的局部温度分布示意图。需要特别注意的是，图8-图10为图4-图6中所示基板11及对应感应线圈121在同等情况下（功率、频率等）模拟升温下得到的稳态温度曲线，图9对应的感应线圈121中相邻匝的密度是均匀分布的，图10对应的感应线圈121中的各匝是平铺设置的。结合图9-图10可知，本发明的技术方案相较于现有技术不仅可以将热量集中于晶圆承载区域111，也可以使得温度差异（图中△T）更小，热量更均匀，加热效果好，从而使晶圆20的质量更好。

以上步骤所提供的介绍，只是用于帮助理解本发明的方法、结构及核心思想。对于本技术领域内的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也同样属于本发明权利要求保护范围之内。

Claims (10)

1.一种晶圆加热装置，包括：

反应器，所述反应器内至少设有一个基板（11），所述基板（11）包括第一表面（11a），所述第一表面（11a）上包括放置晶圆（20）的晶圆承载区（111）；

加热组件，包括至少一个感应线圈（121），所述感应线圈（121）正对所述基板（11）并自所述感应线圈（121）的中心向外呈螺旋状排布；

其特征在于，所述感应线圈（121）至少包括：环形分布的第一线圈（1211）及与所述第一线圈（1211）电性相连并位于所述第一线圈（1211）内侧的第二线圈（1212），所述第二线圈（1212）包括复数匝；以所述感应线圈（121）在所述第一表面（11a）的正投影为参照，所述晶圆承载区（111）与所述第一线圈（1211）对应设置，所述第一线圈（1211）至少包括复数匝且所述复数匝第一线圈（1211）的所述正投影覆盖所述晶圆承载区（111），所述第一线圈（1211）相邻匝的距离小于所述第二线圈（1212）中的相邻匝的距离。

2.根据权利要求1所述的晶圆加热装置，其特征在于，所述感应线圈（121）包括自其中心向外延伸并平行于所述第一表面（11a）的径向；

所述第一线圈（1211）的相邻匝在所述径向上的距离小于所述第二线圈（1212）的相邻匝在所述径向上的距离。

3.根据权利要求2所述的晶圆加热装置，其特征在于，所述第一线圈（1211）相邻匝的相邻位置到所述第一表面（11a）的距离差小于所述第二线圈（1212）的相邻匝的相邻位置到所述第一表面（11a）的距离差。

4.根据权利要求1所述的晶圆加热装置，其特征在于，所述感应线圈（121）还包括垂直于所述第一表面（11a）的第二方向；

所述第一线圈（1211）的相邻匝在所述第二方向上的距离小于所述第二线圈（1212）的相邻匝在所述第二方向上的距离。

5.根据权利要求1所述的晶圆加热装置，其特征在于，所述感应线圈（121）包括自其中心向外延伸并平行于所述第一表面（11a）的径向，所述感应线圈（121）到所述第一表面（11a）的距离由感应线圈（121）径向外侧向感应线圈（121）径向内侧逐步增大，且所述第一线圈（1211）到所述第一表面（11a）的距离的变化幅度从所述径向外侧向所述径向内侧逐步增大。

6.根据权利要求1所述的晶圆加热装置，其特征在于，所述加热组件还包括与所述感应线圈（121）对应的感应加热板（122），所述感应线圈（121）感应加热所述感应加热板（122），所述加热组件通过所述感应加热板（122）向晶圆（20）提供热量，其中，所述感应加热板（122）配置为所述基板（11），所述感应线圈（121）的所述正投影覆盖所述基板（11）的外缘。

7.根据权利要求1所述的晶圆加热装置，其特征在于，所述加热组件还包括与所述感应线圈（121）对应的感应加热板（122），所述感应线圈（121）感应加热所述感应加热板（122），所述加热组件通过所述感应加热板（122）向晶圆（20）提供热量，其中，所述感应加热板（122）配置为平行于所述基板（11）并位于所述基板（11）上方和/或下方的板状结构。

8.根据权利要求1所述的晶圆加热装置，其特征在于，所述加热组件包括：两组所述感应线圈（121），所述两组感应线圈（121）分别设于所述第一表面（11a）的上方及下方；两组与所述两组感应线圈（121）对应的感应加热板（122），一个所述感应加热板（122）配置为所述基板（11），另一个所述感应加热板（122）配置为平行于所述基板（11）并位于所述基板（11）上方的板状结构。

9.根据权利要求1所述的晶圆加热装置，其特征在于，所述第一线圈（1211）中任意相邻两匝与所述第一表面（11a）的距离差小于预设值，所述预设值不大于60mm。

10.根据权利要求1所述的晶圆加热装置，其特征在于，所述晶圆加热装置还包括：

转动轴（13），所述转动轴（13）位于所述基板（11）远离所述第一表面（11a）的一侧，并用于带动所述基板（11）以所述转动轴（13）为轴线相对于所述感应线圈（121）进行旋转。

Images