CN103149753A - 阵列基板及其扇出线结构 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种阵列基板及其扇出线结构，所述扇出线用于连接信号线以及焊脚，包括：多条布置在阵列基板扇出区的扇出线，所述扇出线具有多个不同的长度；至少一条扇出线包括有第一分段以及第二分段，所述第二分段的材料电阻率大于所述第一分段的电阻率，所述长度较短的扇出线的第二分段的长度大于长度较长的扇出线的第二分段的长度。通过调整扇出线的第二分段的长度大于较长的扇出线的第二分段的长度，这样就使得长度较短的扇出线与长度较长的扇出线的阻抗差异减小。由于不需要绕线，中间区域的扇出线的铺设面积就减小，扇出区高度则减小，有利于增大液晶面板的显示区域而减小非显示区域的宽度，这样就可以减使得液晶显示装置的边框变得更窄。
Description
技术领域
本发明涉及液晶显示领域，更具体的说，涉及一种阵列基板及其扇出线结构。
背景技术
液晶面板是液晶显示装置的重要组件，在背光模组的配合以及驱动电路的驱动下下，液晶面板能够显示出图像。
液晶面板包括阵列基板以及彩膜基板，如图1所示，在液晶面板1上设置有TFT阵列区域2，TFT阵列区域内布满了信号线以及TFT以及，驱动电路板3通过扇出线4（fanout line）将阵列基板的信号线与驱动电路板的焊脚连接，而扇出线4的设置区域则称为扇出区（fanout area）。
由于焊脚紧密排列而信号线分散排列，也就是说焊脚到信号线的距离各不相同，这样就造成了阻抗不均的情况，从而会影响业绩显示装置的显示质量。如图2所示，目前常规的阵列基板扇出区线阻抗均一化都是通过绕线设计完成，扇出线的架构如图3所示，包括：第一金属层410、绝缘层420、第二金属层430以及钝化层，主要work layer（工作层）为metal AL（金属层），由于中间的焊脚到信号线的距离最短，为了达到与两侧扇出线的阻抗差异最小而保证良好的显示品质，扇出区设计往往会尽量增加中间区域扇出线的绕线长度而降低扇出区中间区域的线与两侧的扇出线的阻抗差异，这样就导致扇出区高度增加（绕线长度增加需要增加用于绕线的区域）。
如图2所示，以中间的最短距离以及两侧最长距离的需要布置的扇出线线为例，扇出区中间的中间扇出线200通过绕线增加长度进行增加阻抗，使其与两侧的左侧扇出线100、右侧扇出线300阻抗差异变小，扇出线100由于处于最中间，其绕线的长度也最长，这样就增加了最中间的高度。在玻璃基板大小一定的情况，扇出区高度增加，对阵列基板设计排版是一种限制，也影响产品技术开发，例如：窄边框设计，扇出区高度的增加无疑是减小了液晶显示面板的显示区域，反过来则增大了液晶显示装置的边框宽度。
虽然目前也可以通过增加驱动IC的数量来减小扇出线的绕线长度进而减小扇出区的高度，实现窄边框设计，但这样却增加了液晶显示装置的生产成本，不利于成本控制。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种减小扇出线阻抗差异、且扇出区高度小的阵列基板及显示面板；本发明所提供的阵列基板以及显示面板同时可以更进一步减小液晶显示装置的边框，使得液晶显示装置的边框变得更窄。
本发明的目的是通过以下技术方案来实现的：一种阵列基板的扇出线结构，所述扇出线用于连接信号线以及焊脚，包括：多条布置在阵列基板扇出区的扇出线，所述扇出线具有多个不同的长度；至少一条扇出线包括有第一分段以及第二分段，所述第二分段的材料电阻率大于所述第一分段的电阻率，所述长度较短的扇出线的第二分段的长度大于长度较长的扇出线的第二分段的长度。
优选的，所述各长度不同扇出线的第一分段与第二分段的长度各不相同，所述各扇出线的阻值相等。长度较短的扇出线的第二分段的长度大于长度较长的扇出线的第二分段，从而使得长度不同的两条扇出线之间阻抗差异减小甚至相同。
优选的，所述第一分段为布置在所述阵列基板上的金属导电薄膜，所述第二分段为氧化铟锡导电薄膜。两个分段分别使用不同的导电材料，并且两个分段的导电材料的电阻率不同，从而可以调节两个分段的长度以使得该扇出线的阻抗与其它扇出线的阻抗差异减小。
优选的，所述第一分段是双导电层结构，为依次布置在所述阵列基板上的第一金属导电膜、绝缘层以及第二金属导电膜；所述第二分段为氧化铟锡导电薄膜。双层金属导电膜可以有效的保证扇出线的稳定工作。
优选的，所述第一分段与所述第二分段的连接处，所述第一金属导电膜以及所述第二金属导电膜设置有裸露部，所述氧化铟锡导电膜覆盖所述裸露部。通过设置裸露部，并在氧化铟锡制作工艺中使其覆盖于裸露部上，使得两个分段之间的接触面积增大，从而提高两个分段之间的电连接稳定性。
优选的，，所述扇出线还包括第三分段，所述第三分段也是双导电层结构，所述第三分段包括依次布置在所述阵列基板上的第一金属导电膜、绝缘层以及第二金属导电膜，所述扇出线的阻抗大小根据所述第二分段的长短进行调整，所述较短的扇出线的第二分段的长度大于较长的扇出线的第二分段的长度。按照现有工艺，只需在扇出线中间隔断，在隔断处设置第二分段即可，工艺简单，而调整扇出线的阻抗只需调整隔断处的长度即可。
一种阵列基板，包括：玻璃基板，所述玻璃基板上设置有多条信号线、多条扇出线以及焊脚，所述扇出线设置在所述玻璃基板的扇出线布置区域，所述扇出线将所述信号线与所述焊脚进行连接；所述多条扇出线具有多个不同的长度；至少一条扇出线包括有第一分段以及第二分段，所述第二分段的材料电阻率大于所述第一分段的电阻率，所述长度较短的扇出线的第二分段的长度大于长度较长的扇出线的第二分段的长度。
优选的，所述各长度不同扇出线的第一分段与第二分段的长度各不相同，所述各扇出线的阻值相等。长度较短的扇出线的第二分段的长度大于长度较长的扇出线的第二分段，从而使得长度不同的两条扇出线之间阻抗差异减小甚至相同。
优选的，，所述第一分段为布置在所述阵列基板上的金属导电薄膜，所述第一分段是双导电层结构，为依次布置在所述阵列基板上的第一金属导电膜、绝缘层以及第二金属导电膜；所述第二分段为氧化铟锡导电薄膜；所述第一分段与所述第二分段的连接处，所述第一金属导电膜以及所述第二金属导电膜设置有裸露部，所述氧化铟锡导电膜覆盖所述裸露部。两个分段分别使用不同的导电材料，并且两个分段的导电材料的电阻率不同，从而可以调节两个分段的长度以使得该扇出线的阻抗与其它扇出线的阻抗差异减小；双层金属导电膜可以有效的保证扇出线的稳定工作；通过设置裸露部，并在氧化铟锡制作工艺中使其覆盖于裸露部上，使得两个分段之间的接触面积增大，从而提高两个分段之间的电连接稳定性。
优选的，所述扇出线还包括第三分段，所述第三分段也是双导电层结构，所述第三分段包括依次布置在所述阵列基板上的第一金属导电膜、绝缘层以及第二金属导电膜，所述扇出线的阻抗大小根据所述第二分段的长短进行调整，所述较短的扇出线的第二分段的长度大于较长的扇出线的第二分段的长度。按照现有工艺，只需在扇出线中间隔断，在隔断处设置第二分段即可，工艺简单，而调整扇出线的阻抗只需调整隔断处的长度即可。
本发明由于阵列基板扇出区的至少一条扇出线包括有第一分段以及第二分段，而所述第二分段的材料电阻率大于所述第一分段的电阻率，所述扇出线的第一分段以及第二分段的长度根据该扇出线与其它扇出线的阻抗设置，通过调整所述第一分段以及所述第二分段的长度使较短的扇出线的第二分段的长度大于较长的扇出线的第二分段的长度，这样就使得长度较短的扇出线与长度较长的扇出线的阻抗差异减小。这样，在不需要绕线的情况下，即可达到了各扇出线之间阻抗减小的效果，同时，由于不需要绕线，中间区域的扇出线铺设宽度一定的情况下其铺设面积就相应的减小，扇出区的高度也相应的降了下来，有利于增大液晶面板的显示区域而减小非显示区域的宽度，在不需要增加IC数量即可以更进一步减小液晶显示装置的边框，使得液晶显示装置的边框变得更窄，同时还降低了液晶显示装置的生产成本（IC数量不增加）。
附图说明
图1是现有液晶面板的结构简图，
图2是现有液晶面板的扇出区的扇出线布置示意图，
图3是图2中D-D剖面图，
图4是本发明实施例一的液晶面板扇出线布置示意图，
图5是图4中A-A剖面图，
图6是图4中B-B剖面图，
图7是图4中C-C剖面图，
图8是本发明实施例二的液晶面板扇出线布置示意图。
标号说明：
图1：1、液晶面板，2、TFT阵列区域，3、驱动电路板，4、扇出线；
图2-图8：100、左侧扇出线、200、中间扇出线，300、右侧扇出线，210、第一分段，220、第二分段，230、第三分段，410、第一金属导电膜，420、绝缘层，430、第二金属导电膜，440、钝化膜，450、氧化铟锡导电膜。
具体实施方式
下面结合附图和较佳的实施例对本发明作进一步说明。
实施例一
如图4所示为本发明一种阵列基板的扇出线结构的具体实施例，所述扇出线用于连接信号线以及焊脚，包括：多条布置在阵列基板扇出区的扇出线，所述多条扇出线的具有多个不同的长度等级；至少一条扇出线包括有第一分段以及第二分段，所述第二分段的材料电阻率大于所述第一分段的电阻率，所述长度较短的扇出线的第二分段的长度大于长度较长的扇出线的第二分段的长度，扇出线的第一分段以及第二分段的长度根据该扇出线与其它扇出线的阻抗差异设置，通过调整所述第一分段以及所述第二分段的长度使较短的扇出线的第二分段的长度大于较长的扇出线的第二分段的长度，这样就使得长度较短的扇出线与长度较长的扇出线的阻抗差异减小，甚至使两条不同长度的扇出线的阻抗相等。
为了方便说明，本实施例以最中间的中间扇出线200，以及两侧最长的左侧扇出线100、右侧扇出线300作为说明，最中间的中间扇出线200包括有：第一分段210、第二分段220以及第三分段230，第一分段210以及第三分段230分别与驱动电路板以及阵列基板上的信号线连接，第一分段210以及第三分段230通过第二分段220实现电连接。
由于最长的左侧扇出线100以及右侧扇出线200的阻抗最大，因此本实施例中左侧扇出线100以及右侧扇出线200不需要再设置第二分段，而对于中间扇出线200与左侧扇出线100以及右侧扇出线200之间的扇出线，则还是需要设置第二分段。这些扇出线由中间扇出线100的位置开始依次向两侧排布，其长度依次增大，其阻抗也增大，因此，这些扇出线的第二分段的长度需要设置成依次减小，而各扇出线的第一分段与第三分段的长度之和也是保持依次增大，这样才能平衡各扇出线之间的阻抗，使各扇出线的阻抗差异减小甚至相等。
如图5-图7所示，中间扇出线200的第一分段210以及第三分段230为相同的双导电层结构，包括：第一金属导电膜410、绝缘层420、第二金属导电膜430以及钝化膜，中间扇出线200的主要工作层（work layer）为金属导电薄膜，即所述第一金属导电膜410以及第二金属导电膜430；所述金属导电薄膜可选用钼、铝、铜等其它导电性能优越的金属材料制作。所述第二分段220采用氧化铟锡导电膜，氧化铟锡材料的电阻率大于金属导电膜的电阻率，这样，通过调整第二分段220的长度，进而改变整条扇出线的阻抗，所述较短的扇出线的第二分段的长度大于较长的扇出线的第二分段的长度，在本实施例的说明中，由于左右两侧的最长扇出线不设置第二分段，因此，我们可以认为左侧扇出线100、右侧扇出线300的第二分段的长度为零，而只要中间扇出线200的第二分段220的长度不为零，则其与左侧扇出线100、右侧扇出线300的阻抗差异就会减小，但本实施例为了达到更优的效果，需要根据左侧扇出线100、右侧扇出线300的实际阻抗来调整中间扇出线200的第二分段220的长度，使其与两侧的左侧扇出线100、右侧扇出线300的阻抗差异做到最小，甚至相等。
本实施例中，如图5-8中所示，所述第一分段210与所述第二分段220的连接处，所述第一金属导电膜410以及所述第二金属导电膜430分别设置有裸露部411、431，所述氧化铟锡导电膜450覆盖所述裸露部411、431；氧化铟锡导电膜450在第一分段210以及第三分段230的断裂处形成第二分段220。通过设置裸露部411、431，同时在氧化铟锡导电膜450制作工艺中使其覆盖于裸露部上，使得两个分段之间的接触面积增大，从而提高两个分段之间的电连接稳定性。
本实施例中，如图5所示，所述第三分段230的结构与所述第一分段210的结构相同，包括依次布置在所述阵列基板上的第一金属导电膜、绝缘层以及第二金属导电膜。同样的，其与所述第二分段220的电连接方式也与所述第一分段210的相同。根据现有工艺，只需在扇出线中间隔断，在隔断处设置第二分段即可，工艺简单，而调整扇出线的阻抗只需调整隔断处的长度即可。
根据本实施例提供的扇出线结构，本实施例同时提供一种阵列基板，包括：玻璃基板（图中未显示），所述玻璃基板上设置有多条信号线、多条扇出线以及焊脚，所述扇出线设置在所述玻璃基板的扇出线布置区域，所述扇出线的设置方式按上述的结构进行布置。
实施例二
如图8所示为根据本发明的技术方案所提供的另一种实施例，本实施例与实施例一不同在于，本实施例的中间扇出线200仅设置两个分段：第一分段210以及第二分段220，所述第一分段210采用金属导电膜结构，所述第二分段220采用氧化铟锡导电膜结构。所述第一分段210以及第二分段220的长度根据左侧扇出线100、右侧扇出线300的阻抗进行设置，通过调整第一分段210以及第二分段220之间的长度比例，可使其与所述左侧扇出线100、右侧扇出线300的阻抗差异缩小甚至相等。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。比如，本发明中的扇出线的分段并不限于两端或者是三段，在本发明的构思下，本领域普通技术人员很容易能够联想到使用更多分段的方式；另外，不同分段之间的材料使用也不仅限于金属导电膜以及氧化铟锡导电膜，对于本普通技术人员来说也很容易联想到其它的替代材料。因此，对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种阵列基板的扇出线结构，所述扇出线用于连接信号线以及焊脚，其特征在于，包括：
多条布置在阵列基板扇出区的扇出线，所述扇出线具有多个不同的长度；
至少一条扇出线包括有第一分段以及第二分段，所述第二分段的材料电阻率大于所述第一分段的电阻率，所述长度较短的扇出线的第二分段的长度大于长度较长的扇出线的第二分段的长度。
2.如权利要求1所述的扇出线结构，其特征在于，所述各长度不同扇出线的第一分段与第二分段的长度各不相同，所述各扇出线的阻值相等。
3.如权利要求1所述的扇出线结构，其特征在于，所述第一分段为布置在所述阵列基板上的金属导电薄膜，所述第二分段为氧化铟锡导电薄膜。
4.如权利要求1所述的扇出线结构，其特征在于，所述第一分段是双导电层结构，为依次布置在所述阵列基板上的第一金属导电膜、绝缘层以及第二金属导电膜；所述第二分段为氧化铟锡导电薄膜。
5.如权利要求4所述的扇出线结构，其特征在于，所述第一分段与所述第二分段的连接处，所述第一金属导电膜以及所述第二金属导电膜设置有裸露部，所述氧化铟锡导电膜覆盖所述裸露部。
6.如权利要求4所述的扇出线结构，其特征在于，所述扇出线还包括第三分段，所述第三分段也是双导电层结构，所述第三分段包括依次布置在所述阵列基板上的第一金属导电膜、绝缘层以及第二金属导电膜，所述扇出线的阻抗大小根据所述第二分段的长短进行调整，所述较短的扇出线的第二分段的长度大于较长的扇出线的第二分段的长度。
7.一种阵列基板，其特征在于，包括：
玻璃基板，所述玻璃基板上设置有多条信号线、多条扇出线以及焊脚，所述扇出线设置在所述玻璃基板的扇出线布置区域，所述扇出线将所述信号线与所述焊脚进行连接；
所述多条扇出线具有多个不同的长度；至少一条扇出线包括有第一分段以及第二分段，所述第二分段的材料电阻率大于所述第一分段的电阻率，所述长度较短的扇出线的第二分段的长度大于长度较长的扇出线的第二分段的长度。
8.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述各长度不同扇出线的第一分段与第二分段的长度各不相同，所述各扇出线的阻值相等。
9.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第一分段为布置在所述阵列基板上的金属导电薄膜，所述第一分段是双导电层结构，为依次布置在所述阵列基板上的第一金属导电膜、绝缘层以及第二金属导电膜；所述第二分段为氧化铟锡导电薄膜；所述第一分段与所述第二分段的连接处，所述第一金属导电膜以及所述第二金属导电膜设置有裸露部，所述氧化铟锡导电膜覆盖所述裸露部。
10.如权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述扇出线还包括第三分段，所述第三分段也是双导电层结构，所述第三分段包括依次布置在所述阵列基板上的第一金属导电膜、绝缘层以及第二金属导电膜，所述扇出线的阻抗大小根据所述第二分段的长短进行调整，所述较短的扇出线的第二分段的长度大于较长的扇出线的第二分段的长度。
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