CN103137144A - 磁记录介质用基板、磁记录介质、磁记录介质用基板的制造方法及表面检查方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供表面平滑性优异的磁记录介质用基板、磁记录介质、磁记录介质用基板的制造方法及表面检查方法。是具有中心孔的圆盘状的磁记录介质用基板，其主面的表面粗糙度以周向的起伏空间周期(L)为10~1000μm的范围的均方根粗糙度(Rq)计为

以下，并且对于表面粗糙度进行光谱分析，在以其空间周期(L)为横轴[μm]、以其功率谱密度(PSD)为纵轴

(k为常数)的双对数图上示出的曲线S上，在将连接空间周期(L)为10μm的点A和空间周期(L)为1000μm的点B的线段Z的纵轴方向的分量设为H、且将曲线S的纵轴方向的分量相对于该线段Z变为最大时的位移设为ΔH时，用ΔH/H×100[%]表示的值(P)为15%以下。

Description

磁记录介质用基板、磁记录介质、磁记录介质用基板的制造方法及表面检查方法

技术领域

本发明涉及磁记录介质用基板、磁记录介质、磁记录介质用基板的制造方法及表面检查方法。 

背景技术

近年来，硬盘驱动器(HDD)的需求不断提高，内置于HDD的磁记录介质制造兴旺。在此，作为磁记录介质用基板，广泛使用铝基板和玻璃基板。其中，铝基板在可加工性高、价格便宜方面有优势。另一方面，玻璃基板在强度优异方面有优势。特别是最近磁记录介质的小型化和高密度化的要求显著变高，在制造磁记录介质用基板时，要求降低基板的表面粗糙和起伏。 

研磨这样的磁记录介质用基板的表面时，使用例如行星齿轮方式的研磨装置，该研磨装置具有夹持基板(被研磨物)的上平台和下平台、支持下平台的下平台支持部、和向上平台与下平台之间供给研磨液的研磨液供给部，太阳齿轮从形成于下平台中央的孔突出(参照专利文献1)。再者，在该专利文献1中公开了下述结构，为了谋求被研磨物的表面粗糙度的降低，设置将滞留在下平台的中心侧和太阳齿轮的上面的至少一方的研磨液向外部排出的排出单元。 

另外，对于磁记录介质的表面粗糙度，提出了在采用原子力显微镜(AFM)测定的表面粗糙度的光谱中，将波长1～5μm的粗糙度强度PSD(Power Spectral Density；功率谱密度)设为0.5nm²以下，将波长0.5μm以上且低于1μm的PSD设为0.02~0.5nm²的方案(参照专利文献2)。在该专利文献2中，公开了通过满足上述数值范围，能够使磁记录介质的行走 耐久性良好。 

再者，功率谱密度(PSD)是将基板的表面结构分解为每一空间频率f(起伏空间周期L的倒数)的成分，作为各成分的密度示出的值(参照专利文献3、4)。 

另外，对于作为基板的表面结构的PSD和均方根粗糙度(Rq、旧称RMS)的关系，可以用下述式(1)表示。 

$\mathrm{Rq}=\sqrt{\∫\mathrm{PSD}\left(f\right)\mathrm{df}}...\left(1\right)$

另外，作为磁记录介质的突起检查方法，提出了下述方法：在旋转的磁记录介质上突起检查用磁头浮起的状态下，根据温度变化改变该检查用磁头的浮起量，检测由设置在突起检查用磁头上的检测元件和突起的接触而产生的信号(参照专利文献5)。 

现有技术文献 

专利文献1：日本特开2009-6423号公报 

专利文献2：日本特开2001-067650号公报 

专利文献3：日本特开H09-152324号公报 

专利文献4：日本特开2006-194764号公报 

专利文献5：日本特开2004-185783号公报 

发明内容

在上述HDD等所使用的磁记录介质中，针对来自市场的提高记录密度的要求，需要将磁记录介质的表面和磁头的距离拉近至比现有水平更近。 

但是，尽管为了使磁记录介质的表面和磁头的距离接近，需要提高磁记录介质所使用的基板的表面平滑性，但在提高上述研磨平台的面精度，使研磨磨粒的粒度分布更尖锐，增加研磨工序中的研磨的阶段数，并且增加研磨时间的情况下，基板的制造成本会显著增加。 

本发明是鉴于这样的现有状况提出的，其目的是提供一种表面平滑性优异的磁记录介质用基板、磁记录介质以及用于制造这样的表面平滑性优 异的磁记录介质用基板的制造方法、和用于得到这样的表面平滑性优异的磁记录介质用基板的表面检查方法。 

本发明提供以下的手段。 

（1）、一种磁记录介质用基板，其特征在于，是具有中心孔的圆盘状的磁记录介质用基板， 

其主面的表面粗糙度，以周向的起伏空间周期L在10~1000μm范围时的均方根粗糙度Rq计为

以下， 

并且，对上述表面粗糙度进行光谱分析，在以其空间周期L为横轴、以其功率谱密度PSD为纵轴的双对数图上示出的曲线S上，在将连接空间周期L为10μm的点A和空间周期L为1000μm的点B的线段Z的纵轴方向的分量设为H、且将曲线S的纵轴方向的分量相对于该线段Z变为最大时的位移设为ΔH时，用ΔH/H×100[%]表示的值P为15%以下， 

在所述双对数图上，横轴单位为μm，纵轴单位为

其中，k为常数。 

（2）、一种磁记录介质，在上述（1）所述的磁记录介质用基板的面上至少具有磁性层。 

（3）、一种磁记录介质用基板的制造方法，是具有中心孔的圆盘状的磁记录介质用基板的制造方法， 

所述制造方法特征在于，包括对上述磁记录介质用基板的主面实施磨削加工和研磨加工的工序， 

通过上述工序使得： 

上述磁记录介质用基板的主面的表面粗糙度以周向的起伏空间周期L在10~1000μm范围时的均方根粗糙度Rq计为

以下， 

并且，对上述表面粗糙度进行光谱分析，在以其空间周期L为横轴、以其功率谱密度PSD为纵轴的双对数图上示出的曲线S上，在将连接空间周期L为10μm的点A和空间周期L为1000μm的点B的线段Z的纵轴方向的分量设为H、且将曲线S的纵轴方向的分量相对于该线段Z变为最大时的位移设为ΔH时，用ΔH/H×100[%]表示的值P变为15%以下， 

在所述双对数图上，横轴单位为μm，纵轴单位为

其中，k为常数。 

（4）、一种磁记录介质用基板的表面检查方法，是具有中心孔的圆盘状的磁记录介质用基板的表面检查方法， 

所述表面检查方法的特征在于，包括以下步骤： 

作为上述磁记录介质用基板的主面的表面粗糙度，求出周向的起伏空间周期L为10~1000μm范围时的均方根粗糙度Rq的步骤； 

对上述表面粗糙度进行光谱分析，在以其空间周期L为横轴、以其功率谱密度PSD为纵轴的双对数图上示出的曲线S上，在将连接空间周期L为10μm的点A和空间周期L为1000μm的点B的线段Z的纵轴方向的分量设为H、且将曲线S的纵轴方向的分量相对于该线段Z变为最大时的位移设为ΔH时，求出用ΔH/H×100[%]表示的值P的步骤， 

在所述双对数图上，横轴单位为μm，纵轴单位为

其中，k为常数； 

以及 

将上述Rq值为

以下、并且上述P值为15%以下的磁记录介质用基板评定为良好品的步骤。 

（5）、一种磁记录介质用基板的制造方法，包括采用了上述（4）所述的表面检查方法的检查工序。 

附图说明

图1是表示试样1~3的磁记录介质的、投入磁头滑块的电力和从磁头输出的信号能量之间的关系的图。 

图2是表示试样1~3的磁记录介质的、起伏和PSD之间的关系的图。 

图3用于说明表面粗糙度Rq和PSD之间的关系的图。 

图4是用于求出曲线S的纵轴方向的分量相对于线段Z变为最大时的位移ΔH的图。 

图5是用于说明应用了本发明的磁记录介质用基板的制造工序的图， 是表示一次主面磨削工序的立体图。 

图6是用于说明应用了本发明的磁记录介质用基板的制造工序的图，是表示内外周端面磨削工序的立体图。 

图7是用于说明应用了本发明的磁记录介质用基板的制造工序的图，是表示内周端面研磨工序的立体图。 

图8是用于说明应用了本发明的磁记录介质用基板的制造工序的图，是表示外周端面研磨工序的立体图。 

图9是用于说明应用了本发明的磁记录介质用基板的制造工序的图，是表示主面研磨工序的立体图。 

图10是表示在本发明中使用的磨削机或抛光机的其他构成例的立体图。 

图11是表示应用了本发明的磁记录介质的一例的截面图。 

图12是表示磁记录再生装置的一例的立体图。 

图13是对于实施例1、2和比较例1的磁记录介质用基板，测定了表面粗糙度Rq、起伏和PSD之间的关系的图。 

图14是对于实施例1、2和比较例1的磁记录介质，测定了投入磁头滑块的电力、和从磁头输出的信号能量之间的关系的图。 

具体实施方式

以下，参照附图对于应用了本发明的磁记录介质用基板、磁记录介质、磁记录介质用基板的制造方法进行详细地说明。 

再者，在以下的说明中使用的附图，为易于明白其特征，方便起见有时将成为特征的部分放大进行显示，各构成要素的尺寸比率等不限于与实际相同。另外，在以下的说明中例示的材料、尺寸等是例子，本发明未必限定于此，在不变更其要旨的范围可以适当变更来实施。 

本发明者为了解决上述课题，首先，对于磁记录介质的表面粗糙度和磁头的浮起高度以及从磁头输出的信号强度的关系进行了研讨。具体而言，如下述表1所示，制作具有大致同等的均方根粗糙度(表面粗糙度)Rq的磁 记录介质(试样1~3)，对于这些试样1~3的磁记录介质进行使用磁头的读写检查。将其评价结果示于图1。 

表1 

再者，该读写检查中，使用与上述专利文献5中记载的磁头同样的磁头，即是具有滑块且能够在旋转的磁记录介质上以浮起的状态对磁记录介质进行检查的磁头，是根据温度变化改变磁头的浮起量的热式浮起量可变元件形成于磁头的滑块上的磁头。 

另外，在图1所示的图中，横轴表示投入磁头滑块的电力、纵轴表示从磁头输出的信号能量。再者，在本图中，对磁头滑块投入的投入电力10mW相当于约1nm的位移。 

从图1所示的图可知，对投入磁头滑块投入的电力越大，磁头滑块发生热膨胀就越大，磁记录介质的表面和磁头的距离就越接近，进而如果磁头接近磁记录介质的表面，则由于其接触时产生的摩擦热而输出强的噪声信号(参照图1中所示的区域A)。 

另外，本发明者对于上述试样1~3的磁记录介质，调查了其表面粗糙度Rq和改变对磁头滑块投入的电力时的信号能量之间的关系。 

其结果，如图1所示，可知在表面粗糙度Rq大致相同的试样1~3的磁记录介质中，尽管区域A的投入电力量大致相等，但在区域B的信号水平产生了明显的差异。再者，图1中所示的区域B，相当于磁记录介质在HDD内实际使用的条件及其附近。 

此外，本发明者对于其原因进行了研讨，明确了这是磁头滑块和支持该磁头滑块的悬臂的共振所造成的。 

即，在图1所示的区域B中，磁记录介质的表面和磁头处于非接触的状态，由此在表面粗糙度Rq相等的磁记录介质中，从磁头输出的信号能 量也应该相等。另一方面，磁头由于共振等而略微地振动时，磁记录介质的表面和磁头的距离略微地变化。其结果，从磁头输出的信号能量产生变动，磁记录介质的表面和磁头的距离越接近，该变动就越显著。 

接着，本发明者基于上述见解，对于能够防止磁头滑块和支持该滑块的悬臂的共振的磁记录介质用基板的表面粗糙度和起伏进行了研讨。 

图2是对于上述表1所示的试样1~3的磁记录介质的表面粗糙度进行光谱分析，将其起伏空间周期L[μm]和的关系示于双对数图的图。再者，k为常数，根据测定PSD时的装置因素确定，但理想情况为1。 

该图2所示的图可以通过例如对磁记录介质的表面入射激光，进行其反射光的光谱分析来求出。即，即使是平滑地研磨加工出的基板的表面，也具有轻微的起伏(空间周期1μm~1mm的结构)和粗糙(空间周期低于1μm的结构)。对该表面入射激光的情况下，其反射光由于表面的轻微起伏等而散射。并且，这些大量的散射光重叠，产生散射光彼此的相位移引起的缓冲。 

另外，反映基板的表面结构的表面粗糙度Rq和PSD的关系可以用下述式(2)和图3表示。 

${\mathrm{Rq}}^2={\∫}_{f1}^{f2}\mathrm{PSD}\left(f\right)\mathrm{df}...\left(2\right)$

再者，f为空间频率，相当于起伏等的空间周期L的倒数(1/L)。 

PSD是将基板的表面结构分解为每一空间频率的成分，求出各成分的密度的值。此外，通过将上述式(2)的空间频率f置换成空间周期L，可以得到上述图2所述的图。 

利用上述激光的散射测定上述图2所示的起伏和PSD的关系时，在完全不产生散射光的情况下(例如，没有基板的情况)，可得到图2中所示的直线X。 

另一方面，在产生了一些散射光的情况下，根据检测器具有的噪底(noise floor)，得到图2中所示的曲线Y。即，在理想的平滑表面上的散射光谱无限接近该曲线Y。 

与此相对，本发明的特征在于，没有将基板的表面粗糙度和起伏降低到极限以接近理想的平滑表面，而是容许一定程度的表面粗糙度和起伏，并尽量接近图2所示的线段Z。 

即，在本发明中，将基板的表面粗糙度和起伏在宽的波长范围设为均一。由此，在高速旋转的磁记录介质的面上浮起行走的磁头中产生的各种频率的振动被相互抵消。作为其结果，发现了能够降低在上述图1所示的区域A的信号能量的变化率。 

本发明是基于以上那样的见解完成的。即，本发明的特征在于，是具有中心孔的圆盘状的磁记录介质用基板，其主面的表面粗糙度以周向的起伏空间周期(L)为10~1000μm的范围的均方根粗糙度(Rq)计为

以下，并且，对表面粗糙度进行光谱分析，在以其空间周期(L)为横轴[μm]、以其功率谱密度(PSD)为纵轴

(k为常数)的双对数图上示出的曲线S上，在将连接空间周期(L)为10μm的点A和空间周期(L)为1000μm的点B的线段Z的纵轴方向的分量设为H、且将曲线S的纵轴方向的分量相对于该线段Z变为最大时的位移设为ΔH时，用ΔH/H×100[%]表示的值(P)为15%以下。 

具体而言，在本发明中，磁记录介质用基板的主面的表面粗糙度Rq为

以下，更优选为

以下。如果该表面粗糙度Rq高于

则上述图1所示的区域A所示的信号能量的上升向左侧转移，变得难以确保磁记录介质的表面和磁头之间的物理间隔。另外，磁头容易与磁记录介质的表面接触，难以应对磁记录介质的高密度化。 

另外，在本发明中，如图4所示，在表示起伏和PSD之间的关系的图中，划出连接曲线S的起伏空间周期L为10μm时的点A和为1000μm时的点B的线段Z，求出曲线S的纵轴方向的分量相对于该线段Z变为最大时的位移ΔH。 

再者，ΔH存在曲线S相对于线段Z向上凸的情况、向下凸的情况和向上凸与向下凸混杂的情况，但只要计算出曲线S的位移的绝对值相对于该线段Z变为最大时的值即可。 

并且，在本发明中，基于上述计算结果，使ΔH相对于线段Z的纵轴方向的分量H的比率、即ΔH/H×100[%]的值P为15%以下、更优选为10%以下、最优选为0%，即与线段Z一致。 

由此，能够降低在以7000转/分钟以上的高速旋转的磁记录介质的面上浮起行走的磁头的振动。并且，能够降低上述图1所示的区域B的能量的上升率。由此，能够在磁记录介质的SN比提高的同时，使磁记录介质的表面和磁头之间的物理上的间隙变窄。 

此外，本发明提供一种在满足上述本发明的数值范围的磁记录介质用基板的面上，至少具有磁性层的磁记录介质。该磁记录介质是在满足上述本发明的数值范围的磁记录介质用基板的面上，形成有磁性层等的多层膜的磁记录介质。另外，这多层膜尽管主要采用溅射法形成，但其膜厚均一，因此磁记录介质的表面原样地反映上述磁记录介质用基板的表面形状。 

因此，应用了本发明的磁记录介质，能够使该介质表面和磁头之间的距离靠近，作为其结果，能够降低上述图1所示的区域A的信号能量的变化率，因此能够应对更进一步的高记录密度化。(磁记录介质用基板的制造方法) 

接着，对于应用了本发明的磁记录介质用基板的制造方法详细地说明。 

应用本发明制造的磁记录介质用基板，是具有中心孔的圆盘状的基板，磁记录介质由在该基板的面上依次层叠了磁性层、保护层和润滑膜等而成的磁盘构成。另外，在HDD(磁记录再生装置)中，将该磁记录介质的中心部安装在主轴电动机的旋转轴上，磁头一边在由主轴电动机旋转驱动的磁记录介质的面上浮起行走，一边对磁记录介质进行信息的写入或读取。 

再者，作为上述磁记录介质用基板，主要可列举铝基板和玻璃基板等的非磁性基板，在本实施方式的例子中，列举使用玻璃基板的情况进行说明。 

制造上述磁记录介质用基板时，首先，从大的板状的玻璃板切取玻璃基板，或者使用成型模具从熔融玻璃直接压制成型玻璃基板，由此得到具有中心孔的圆盘状的玻璃基板。 

接着，对得到的玻璃基板的除了端面以外的表面(主面)实施磨削(lap)加工和研磨(抛光)加工。再者，在本发明中，也可以与上述磨削加工在同一工序中进行对玻璃基板的内外周端面的倒角加工。另外，对玻璃基板的内外周端面的磨削加工不限于一阶段还可以是两阶段(一次和二次磨削加工)。 

在本实施方式的例子中，按顺序进行一次主面磨削工序、内外周端面磨削工序、内周端面研磨工序、二次主面磨削工序、外周端面研磨工序、一次主面研磨工序和二次主面研磨工序。 

(一次主面磨削工序) 

其中，在一次主面磨削工序中，使用如图5所示的磨削机10，对玻璃基板W的两主面(最终成为磁记录介质的记录面的面)实施磨削加工。 

即，该磨削机10具备上下一对的平台11、12，一边在相互反向地旋转的平台11、12之间夹住多枚玻璃基板W，一边利用设置在平台11、12的磨削垫平滑地磨削这些玻璃基板W的两主面。 

另外，磨削垫可以使用磨削磨石。并且，作为该磨削磨石中所含有的磨削材料，虽然不特别限定，但可以使用例如氧化铝、氧化铈(Ceria)、二氧化硅、金刚石或它们的混合物。 

(内外周磨削工序) 

在内外周端面磨削工序中，使用如图6所示的磨削加工装置30，对玻璃基板W的中心孔的内周端面和玻璃基板W的外周端面实施磨削加工。即，该磨削加工装置30具备内周磨石31和外周磨石32，一边在使多枚玻璃基板W以相互的中心孔一致的状态夹持隔离件层叠而成的叠层体绕轴旋转，一边利用插入到各玻璃基板W的中心孔的内周磨石31和配置在各玻璃基板W的外周的外周磨石32径向地夹住各玻璃基板W，使这些内周磨石31和外周磨石32与叠层体反向地旋转。由此，确保玻璃基板W的内径和外径的同心度，并且，在利用内周磨石31磨削各玻璃基板W的内周端面的同时，利用外周磨石32磨削各玻璃基板W的外周端面。 

另外，内周磨石31和外周磨石32的表面具有在轴向上凸部和凹部交 替地排列的波形形状，因此能够在磨削各玻璃基板W的内周端面和外周端面的同时，对各玻璃基板W的两主面与内周端面以及外周端面之间的边缘部分(倒棱面)实施倒角加工。 

内周磨石31和外周磨石32可以使用例如用粘结剂固定了金刚石磨粒的磨石。另外，作为粘结剂，可以列举例如铜、铜合金、镍、镍合金、钴、碳化钨等的金属。 

(内周研磨工序) 

在内周端面研磨工序中，使用如图7所示的抛光机40，对玻璃基板W的中心孔的内周端面实施研磨加工。即，该抛光机40具备内周研磨刷41，在使上述叠层体绕轴旋转的同时，使插入到各玻璃基板W的中心孔的内周研磨刷41一边与玻璃基板W反向地旋转，一边沿上下方向进行移动操作。此时，对内周研磨刷41滴加研磨液。然后，利用该内周研磨刷41研磨各玻璃基板W的内周端面。同时，也研磨在上述内外周端面磨削工序中实施了倒角加工的内周端面的边缘部分(倒棱面)。再者，对于研磨液，可以使用例如将氧化硅(胶体二氧化硅)磨粒和/或氧化铈磨粒分散于水而浆液化了的研磨液等。 

(二次主面磨削工序) 

在二次主面磨削工序中，与上述一次主面磨削工序同样地使用如上述图5所示的磨削机10和磨削垫，对玻璃基板W的两主面实施磨削加工。即，一边在相互反向地旋转的上下一对的平台11、12之间夹住多枚玻璃基板W，一边利用设置在平台11、12的磨削垫平滑地磨削这些玻璃基板W的两主面。 

再者，在本发明中，不限于上述一次和二次主面磨削工序构成的两阶段的主面磨削工序，从生产率的观点来看，还可以将它们合在一起形成为一阶段的主面磨削工序。 

(外周研磨工序) 

在外周端面研磨工序中，使用如上述图8所示的抛光机50，对玻璃基板W的外周端面实施研磨加工。即，该抛光机50具备旋转轴51和外周研 磨刷52，使多枚玻璃基板W以相互的中心孔一致的状态夹持隔离件层叠而成的叠层体通过插入到各玻璃基板W的中心孔的旋转轴51绕轴旋转，同时使接触各玻璃基板W的外周端面的外周研磨刷52一边与叠层体反向地旋转，一边沿上下方向进行移动操作。此时，对外周研磨刷52滴加研磨液。然后，利用该外周研磨刷52研磨各玻璃基板W的外周端面。同时，也研磨在上述内外周端面磨削工序中实施了倒角加工的外周端面的边缘部分(倒棱面)。 

再者，对于研磨液，可以使用将例如氧化铈磨粒分散于水而浆液化了的研磨液等。 

(一次主面研磨工序) 

在一次主面研磨工序中，使用如图9所示的抛光机60，对玻璃基板W的两主面实施研磨加工。即，该抛光机60具备上下一对的平台61、62，一边在相互反向地旋转的平台61、62之间夹住多枚玻璃基板W，一边利用设置在平台61、62上的研磨垫研磨这些玻璃基板W的两主面，进一步提高平滑度。 

另外，研磨垫可以使用例如由氨基甲酸酯形成的硬质研磨布。另外，利用该研磨垫研磨玻璃基板W的两主面时，对玻璃基板W滴加研磨液。对于研磨液，可以使用将例如氧化铈、二氧化硅、金刚石或它们的混合物的磨粒等分散于水而浆液化了的研磨液等。 

(二次主面研磨工序) 

在二次主面研磨工序中，与一次主面研磨工序同样地使用如上述图9所示的抛光机60，对玻璃基板W的两主面实施研磨加工。即，一边在相互反向地旋转的平台61、62之间夹住多枚玻璃基板W，一边利用设置在平台61、62上的研磨垫研磨这些玻璃基板W的两主面，进行表面的最终加工。 

另外，研磨垫可以使用例如绒面革状的软质研磨布。另外，利用该研磨垫研磨玻璃基板W的两主面时，使用将例如氧化铈、胶体二氧化硅、金刚石或它们的混合物分散于水等的分散剂中而浆液化了的研磨液进行。 

再者，在本发明中，不限于上述一次和二次主面研磨工序构成的两阶段的主面研磨工序，从生产率的观点来看，还可以将它们合并起来、形成为一阶段的主面研磨工序。 

另外，对于在上述图5所示的磨削机10和图9所示的抛光机60，例如也可以如图10所示地形成为下述结构：具备上下一对的下平台71以及上平台72、和在下平台71的与上平台72相对的面上配置的多个托板(托架，carrier)73，在设置于各托板73上的多个(在本实施方式中为35个)的开口部74安置玻璃基板(未图示出)，将这多个玻璃基板的两主面利用设置在下平台71和上平台72上的磨削垫磨削或利用研磨垫研磨。 

具体而言，下平台71和上平台72通过利用驱动电动机(未图示出)将设置在各自的中心部的旋转轴71a、72a旋转驱动，能够在相互的中心轴一致的状态下相互反向地旋转。另外，在下平台71的与上平台72相对的面上设置有用于配置多个(在本实施方式中为5个)托板73的凹部75。 

多个托板73由将通过混入例如芳族聚酰胺(aramid)纤维、玻璃纤维等从而强化了的环氧树脂等形成为圆盘状的材料构成。并且，这多个托板73在凹部75的内侧在旋转轴71a的周围排列配置。另外，在各托板73的外周部，遍布全周地设置有行星齿轮部76。另一方面，在凹部75的内周部，以与各托板73的行星齿轮部76啮合的状态设置有与旋转轴71a一同旋转的太阳齿轮部77，并在凹部75的外周部设置有与各托板73的行星齿轮部76啮合的固定齿轮部78。 

由此，在太阳齿轮部77与旋转轴71a一起旋转时，通过太阳齿轮部77以及固定齿轮部78与行星齿轮部76的啮合，多个托板73一边在凹部75内在旋转轴71a的周围与该旋转轴71a同向地旋转(公转)，一边绕相互的中心轴与旋转轴71a反向地旋转(自转)，进行所谓的行星运动。 

因此，通过采用上述结构，可以一边使保持在各托板73的开口部74上的多个玻璃基板W进行行星运动，一边将其两主面利用设置在下平台71和上平台72上的磨削垫进行磨削或利用研磨垫进行研磨。 

另外，在为该结构的情况下，能够精度更加良好、并且迅速地进行对 玻璃基板W的磨削或研磨。 

(最终洗涤和检查工序) 

实施了如上的磨削加工和研磨加工的玻璃基板W被送至最终洗涤工序和检查工序。然后，在最终洗涤工序中，采用例如并用超声波的使用洗涤剂(药品)的化学洗涤等的方法，洗涤玻璃基板W，进行在上述工序中使用的研磨剂等的除去。 

另外，在检查工序中，通过使用例如激光的光学式检查器，进行玻璃基板W的表面(主面、端面和倒棱面)有无损伤和变形等的检查。 

本发明在该检查工序中，将成为上述本发明的数值范围、即上述Rq值为以下、且上述P值为15%以下的磁记录介质用基板评定为良好品。另一方面，在检查结果从本发明的数值范围脱离的情况下，立即反馈到制造工序，进行用于满足上述本发明的数值范围的调整。 

另外，本检查工序除了检查制造出的玻璃基板的全部以外，还可以进行按一定枚数的抽样检查。该情况下，优选使上述本发明的数值范围更窄从而增加安全率。 

再者，在本发明中，所谓反馈上述检查结果的制造工序，具体而言，是对上述玻璃基板W的主面实施磨削和研磨的一次和二次主面磨削工序以及一次和二次主面研磨工序。特别是本发明中，极微小的表面形态是重要的，因此二次主面磨削工序和二次主面研磨工序的影响大，其中影响最大的是二次主面研磨工序。另外，在各工序中被管理的涉及平台的面精度、研磨垫的面精度、磨损状况、研磨材料的品质、研磨材料的供给量、对研磨盘施加的载荷、研磨盘的旋转速度、研磨时间、研磨温度等多方面。 

(磁记录介质) 

接着，作为本发明的实施方式对于图11所示的磁记录介质进行说明。 

再者，图11是表示应用了本发明的磁记录介质的一例的截面图。 

该磁记录介质如图11所示，具有下述结构：在满足上述本发明的数值范围的磁记录介质用基板(非磁性基板)1上依次层叠软磁性基底层2、第1取向控制层3、第2取向控制层8、垂直磁性层4和保护层5，在其上设置 有润滑膜6。 

另外，垂直磁性层4具有下述结构：从非磁性基板1侧开始依次含有下层的磁性层4a、中层的磁性层4b和上层的磁性层4c三层，在磁性层4a和磁性层4b之间含有非磁性层7a、在磁性层4b和磁性层4c之间含有非磁性层7b，由此这些磁性层4a~4c和非磁性层7a、7b交替地层叠。 

此外，虽然省略图示，但构成各磁性层4a~4c和非磁性层7a、7b的晶粒，与构成第1取向控制层3的晶粒一同形成沿厚度方向连续的柱状晶。 

另外，非磁性基板1与Co或Fe为主成分的软磁性基底层2接触，由此由于表面的吸附气体、水分的影响、基板成分的扩散等，有可能发生腐蚀。该情况下，优选在非磁性基板1和软磁性基底层2之间设置密合层，由此，能够抑制这些情况。再者，作为密合层的材料，可以适当选择例如Cr、Cr合金、Ti、Ti合金等。另外，密合层的厚度优选为以上。 

软磁性基底层2是为了增大从磁头产生的磁通在垂直基板面的方向上的分量，另外，是为了将记录信息的垂直磁性层4的磁化方向更牢固地固定为与非磁性基板1垂直的方向而设置的。其作用，尤其是作为记录再生用的磁头使用垂直记录用的单磁极磁头的情况下，变得更加显著。 

作为软磁性基底层2，可以使用包含例如Fe、Ni、Co等的软磁性材料。作为具体的软磁性材料，可以列举例如CoFe系合金(CoFeTaZr、CoFeZrNb等)、FeCo系合金(FeCo、FeCoV等)、FeNi系合金(FeNi、FeNiMo、FeNiCr、FeNiSi等)、FeAl系合金(FeAl、FeAlSi、FeAlSiCr、FeAlSiTiRu、FeAlO等)、FeCr系合金(FeCr、FeCrTi、FeCrCu等)、FeTa系合金(FeTa、FeTaC、FeTaN等)、FeMg系合金(FeMgO等)、FeZr系合金(FeZrN等)、FeC系合金、FeN系合金、FeSi系合金、FeP系合金、FeNb系合金、FeHf系合金、FeB系合金等。 

软磁性基底层2由两层软磁性膜构成，优选在两层软磁性膜之间设置Ru膜。通过在0.4~1.0nm、或1.6~2.6nm的范围调整Ru膜的膜厚，两层软磁性膜成为AFC结构，通过采用这样的AFC结构，能够抑制所谓的尖峰噪声。 

另外，优选在第1取向控制层3和垂直磁性层4之间设置第2取向控 制层8。该情况下，位于第1取向控制层3的正上方的垂直磁性层4的初期部容易发生结晶生长的紊乱，这成为噪声的原因。通过将该初期部的紊乱的部分用第2取向控制层8置换，能够抑制噪声的发生。 

这样的第2取向控制层8，虽然对于其材料没有特别限定，但优选使用具有hcp结构、fcc结构、无定形结构的材料。特别优选使用Ru系合金、Ni系合金、Co系合金、Pt系合金、Cu系合金，特别优选使用Ru或以Ru为主成分的合金。另外，第2取向控制层8的厚度优选为5nm~30nm。 

构成垂直磁性层4的层之中的下层和中层的磁性层4a、4b，由以Co为主成分、而且含有氧化物41的材料构成，作为该氧化物41，优选使用例如Cr、Si、Ta、Al、Ti、Mg、Co等的氧化物。其中可以特别优选地使用TiO₂、Cr₂O₃、SiO₂等。另外，上层的磁性层4a优选由添加了两种以上的氧化物的复合氧化物构成。其中可以特别优选地使用Cr₂O₃-SiO₂、Cr₂O₃-TiO₂、Cr₂O₃-SiO₂-TiO₂等。 

作为适合于各磁性层4a、4b的材料，可以列举例如90(Co14Cr18Pt)-10(SiO₂){将Cr含量14原子%、Pt含量18原子%、余量为Co的磁性粒子作为一个化合物计算出的摩尔浓度为90摩尔%、由SiO₂构成的氧化物组成为10摩尔%，以下相同}、92(Co10Cr16Pt)-8(SiO₂)、94(Co8Cr14Pt4Nb)-6(Cr₂O₃)，此外可列举(CoCrPt)-(Ta₂O₅)、(CoCrPt)-(Cr₂O₃)-(TiO₂)、(CoCrPt)-(Cr₂O₃)-(SiO₂)、(CoCrPt)-(Cr₂O₃)-(SiO₂)-(TiO₂)、(CoCrPtMo)-(TiO)、(CoCrPtW)-(TiO₂)、(CoCrPtB)-(Al₂O₃)、(CoCrPtTaNd)-(MgO)、(CoCrPtBCu)-(Y₂O₃)、(CoCrPtRu)-(SiO₂)等的合金体系。 

上层的磁性层4c优选由以Co为主成分并且不含氧化物的材料构成，优选层中的磁性粒子是从磁性层4a中的磁性粒子外延生长为柱状的结构。该情况下，优选各磁性层4a~4c的磁性粒子在各层中一对一地对应，外延生长成柱状。另外，通过中层的磁性层4b的磁性粒子从下层的磁性层4a中的磁性粒子外延生长，中层的磁性层4b的磁性粒子被微细化，进而结晶性和取向性更加提高。 

作为适合于磁性层4c的材料，特别地，可以列举CoCrPt系、CoCrPtB系。在CoCrPtB系的情况下，Cr和B的合计含量优选为18原子%~28原子%。 

垂直磁性层4的厚度优选为5~20nm。如果垂直磁性层4的厚度低于上述范围，则得不到充分的再生输出，热扰动特性也降低。另外，在垂直磁性层4的厚度超过上述范围的情况下，发生垂直磁性层4中的磁性粒子的肥大化，记录再生时的噪声增大，信号/噪声比(S/N比)、记录特性(OW)所代表的记录再生特性恶化，因此不优选。 

另外，作为在构成垂直磁性层4的磁性层4a~4c间设置的非磁性层7a、7b，优选使用结构为上述合金的金属粒子分散于氧化物、金属氮化物、或金属碳化物中的层。此外，更优选具有该金属粒子上下贯通非磁性层7a、7b的柱状结构。为了形成为这样的结构，优选使用含有氧化物、金属氮化物、或金属碳化物的合金材料。具体而言，作为氧化物，可以使用例如SiO₂、Al₂O₃、Ta₂O₅、Cr₂O₃、MgO、Y₂O₃、TiO₂等，作为金属氮化物，可以使用例如AlN、Si₃N₄、TaN、CrN等，金属碳化物可以使用例如TaC、BC、SiC等。此外，可以使用例如CoCr-SiO₂、CoCr-TiO₂、CoCr-Cr₂O₃、CoCrPt-Ta₂O₅、Ru-SiO₂、Ru-Si₃N₄、Pd-TaC等。 

保护层5是用于防止垂直磁性层4的腐蚀，并且在磁头与磁记录介质接触时防止介质表面的损伤的层，可以使用以往公知的材料，可以使用例如含有C、SiO₂、ZrO₂的层。保护层5的厚度设为1~10nm能够减小磁头与磁记录介质的距离因此从高记录密度的观点来看优选。 

润滑膜6优选使用全氟聚醚、氟化醇、氟化羧酸等的润滑剂。 

(磁记录再生装置) 

图12表示使用了上述本发明的磁记录介质的HDD(磁记录再生装置)的一例。 

该HDD具有：上述图11所示的本发明的磁记录介质80；用于旋转驱动磁记录介质80的介质驱动部81；对磁记录介质80记录再生信息的磁头82；使磁头82对于磁记录介质80作相对运动的磁头驱动部83；和记录再 生信号处理系统84。 

另外，记录再生信号处理系统84能够处理从外部输入的数据并将记录信号送至磁头82，处理来自磁头82的再生信号并将数据送至外部。 

另外，磁头82可以使用作为再生元件具有利用了巨磁阻效应(GMR)的GMR元件等的适合于更高记录密度的磁头。 

实施例 

以下，通过实施例进一步明确本发明的效果。此外，本发明不限于以下的实施例，可以在不变更其主旨的范围适当变更来实施。 

(实施例1) 

在实施例1中，首先使用外径65mm、中央孔20mm、厚度0.80mm的圆盘状玻璃基板(オハラ公司制、TS-10SX)。 

然后，对于该圆盘状玻璃基板，按顺序进行一次主面磨削工序、内外周端面磨削工序、内周端面研磨工序、二次主面磨削工序、外周端面研磨工序、一次主面研磨工序、二次主面研磨工序。 

具体而言，在一次主面磨削工序中，使用具备上下一对的平台的磨削机，一边在相互反向地旋转的平台之间夹住多枚圆盘状玻璃基板，一边将这些圆盘状玻璃基板的两主面利用设置在平台上的磨削垫进行磨削。 

此时，磨削垫使用金刚石垫(住友3M公司制的トライザクト(商品名))。该金刚石垫，其凸部的外形尺寸为2.6mm见方、高度为2mm、相邻的凸部之间的间隔为1mm、金刚石磨粒的平均粒径为9μm，凸部的金刚石磨粒的含量约为20体积%，作为粘结剂使用丙烯酸系树脂。另外，磨削机使用四道型双面研磨机(浜井产业株式会社制16B型)，平台的转速设为25rpm、加工压力设为120g/cm²，进行15分钟的磨削。磨削液是将COOLANTD3(ネオス公司制)用水稀释到10倍来使用，圆盘状玻璃基板的每一面的磨削量设为约100μm。 

在内外周端面磨削工序中，使用具备内周磨石和外周磨石的磨削加工装置，一边使多枚圆盘状玻璃基板以相互的中心孔一致的状态夹持隔离件层叠而成的叠层体绕轴旋转，一边利用插入到各圆盘状玻璃基板的中心孔 的内周磨石和配置在各圆盘状玻璃基板W的外周的外周磨石径向地夹住各圆盘状玻璃基板，一边使这些内周磨石和外周磨石与叠层体反向地旋转，一边在利用内周磨石磨削各圆盘状玻璃基板的内周端面的同时，利用外周磨石磨削各圆盘状玻璃基板的外周端面。此时，内周磨石和外周磨石使用含有80体积%的平均粒径10μm的金刚石磨粒、并使用镍合金作为粘结剂的磨石。然后，将内周磨石的转速设为1200rpm、外周磨石的转速设为600rpm，进行30秒钟的磨削。 

在内周端面研磨工序中，使用具备内周研磨刷的抛光机，一边对内周研磨刷滴加研磨液，一边使上述叠层体绕轴旋转，同时使插入到各圆盘状玻璃基板的中心孔的内周研磨刷一边与圆盘状玻璃基板反向地旋转，一边沿上下方向进行移动操作，由此研磨各圆盘状玻璃基板的内周端面。此时，内周研磨刷使用尼龙刷，作为研磨液，将固体成分含有率40质量%的氧化铈研磨材料溶液(平均粒径0.5μm、昭和电工制)加入水中进行调制、使得氧化铈含有率成为1质量%来使用。然后，将内周研磨刷的转速设为300rpm，进行10分钟的研磨。 

在二次主面磨削工序中，使用具备上下一对的平台的磨削机，一边在相互反向地旋转的平台之间夹住多枚圆盘状玻璃基板，一边将这些圆盘状玻璃基板的两主面利用设置在平台的磨削垫进行磨削。此时，磨削垫使用金刚石垫(住友3M公司制トライザクト(商品名))。该金刚石垫，其凸部的外形尺寸为2.6mm见方，高度为2mm，相邻的凸部之间的间隔为1mm，金刚石磨粒的平均粒径为0.5μm，凸部的金刚石磨粒的含量约为60体积%，作为粘结剂使用丙烯酸系树脂。另外，磨削机使用四道型双面研磨机(浜井产业株式会社制16B型)，平台的转速设为30rpm、加工压力设为100g/cm²，进行10分钟的磨削。磨削液是将COOLANT D3(ネオス公司制)用水稀释到10倍来使用，圆盘状玻璃基板的每一面的磨削量设为约9μm。 

在外周端面研磨工序中，使用具备外周研磨刷的抛光机，一边对外周研磨刷滴加研磨液，一边再次将在使相互的中心孔一致的状态下夹持隔离件层叠多枚圆盘状玻璃基板而成的叠层体，通过插入到各圆盘状玻璃基板 的中心孔的旋转轴绕轴旋转，同时一边使接触各圆盘状玻璃基板的外周端面的外周研磨刷与叠层体反向地旋转，一边沿上下方向进行移动操作，由此研磨了各圆盘状玻璃基板的外周端面。此时，外周研磨刷使用尼龙刷，作为研磨液，将固体成分含有率40质量%的氧化铈研磨材料溶液(平均粒径0.5μm、昭和电工制)加入水中进行调制、使得氧化铈含有率成为1质量%来使用。然后，将研磨刷的转速设为300rpm，进行10分钟的研磨。 

在第1主面研磨工序中，使用具备上下一对的平台的抛光机，一边在相互反向地旋转的平台之间夹住多枚圆盘状玻璃基板，并对圆盘状玻璃基板滴加研磨液，一边利用设置在平台的研磨垫研磨这些圆盘状玻璃基板的两主面。此时，研磨垫使用绒面革型(Filwel制)，作为研磨液，将固体成分含有率40质量%的氧化铈研磨材料溶液(平均粒径0.2μm、昭和电工制)加入水中进行调制、使得氧化铈含有率成为0.5质量%来使用。 

另外，抛光机使用四道型双面研磨机(浜井产业株式会社制16B型)，一边以7升/分供给研磨液，一边将平台的转速设为25rpm、加工压力设为110g/cm²，进行20分钟的研磨。圆盘状玻璃基板的每一面的研磨量设为约3μm。 

在第2主面研磨工序中，使用具备上下一对的平台的抛光机，一边在相互反向地旋转的平台之间夹住多枚圆盘状玻璃基板，并对圆盘状玻璃基板滴加研磨液，一边利用设置在平台的研磨垫研磨这些圆盘状玻璃基板的两主面。此时，研磨垫使用绒面革型(Filwel制)，作为研磨液，使用将固体成分含有率40质量%的氧化铈研磨材料溶液(平均粒径0.08μm、昭和电工制)加入水中进行调制、使得氧化铈含有率成为0.5质量%的研磨浆液。另外，抛光机使用四道型双面研磨机(浜井产业株式会社制16B型)，一边以7升/分供给研磨液，一边将平台的转速设为27rpm、加工压力设为100g/cm²，进行30分钟的研磨。圆盘状玻璃基板的每一面的研磨量设为约2μm。 

然后，对得到的圆盘状玻璃基板进行并用超声波的采用阴离子性表面活性剂的化学洗涤、和采用纯水的洗涤，制造出实施例1的圆盘状玻璃基板。 

(实施例2) 

在实施例2中，在上述第2主面磨削工序中，将平台的转速设为27rpm、加工压力设为90g/cm²进行30分钟研磨，圆盘状玻璃基板的每一面的研磨量约为1.5μm。除此以外，在与上述实施例1同样的条件下制造出实施例2的圆盘状玻璃基板。 

(比较例1) 

在比较例1中，在上述二次主面磨削工序中，将平台的转速设为25rpm、加工压力设为120g/cm²进行10分钟磨削，圆盘状玻璃基板的每一面的磨削量约为10μm。并且，在上述第2主面研磨工序中，将平台的转速设为25rpm、加工压力设为110g/cm²。除此以外，在与上述实施例1同样的条件下制造出比较例1的圆盘状玻璃基板。 

(基板表面的评价) 

然后，对于这些在实施例1、2和比较例1中制造出的圆盘状玻璃基板的表面，测定表面粗糙度Rq以及起伏和PSD的关系。另外，测定使用Candela OSA6300(美国、KLA-Tencor公司制)，测定条件如下。将其测定结果示于表2和图13。 

基板转速：10000转/分钟 

测定范围：半径19~25mm、旋转角0~360° 

测定步幅：4μm 

取样频率：5.46° 

激光扫描方法：螺旋型 

表2 

(磁记录介质的制造) 

接着，使用实施例1、2和比较例1的各圆盘状玻璃基板制造磁记录介质。 

具体而言，首先，将各圆盘状玻璃基板收纳到DC磁控溅射装置(アネルバ公司制C-3040)的成膜室内，将成膜室内排气直到到达真空度变为1×10^-5Pa，其后在该玻璃基板上，使用Cr靶材形成层厚10nm的密合层。并且，在该密合层上使用Co-20Fe-5Zr-5Ta{Fe含量20原子%、Zr含量5原子%、Ta含量5原子%、其余量Co}的靶材，在100℃以下的基板温度下，形成层厚25nm的软磁性层，在其上形成层厚0.7nm的Ru层，其后再于其上形成层厚25nm的由Co-20Fe-5Zr-5Ta构成的软磁性层，以其作为软磁性基底层。 

接着，在软磁性基底层上，使用Ni-6W{W含量6原子%、其余量Ni}靶材，形成层厚5nm的种晶层后，在该种晶层上作为第1取向控制层，将溅射压力设为0.8Pa形成层厚10nm的Ru层。 

接着，作为第2取向控制层，将溅射压力设为1.5Pa形成层厚10nm的Ru层。然后，在该第2取向控制层上，将溅射压力设为2Pa形成层厚9nm的由91(Co15Cr16Pt)-6(SiO₂)-3(TiO₂){Cr含量15原子%、Pt含量16原子%、其余量Co的合金为91摩尔%、由SiO₂构成的氧化物为6摩尔%、由TiO₂构成的氧化物为3摩尔%}构成的磁性层。 

接着，在磁性层上形成层厚0.3nm的由88(Co30Cr)-12(TiO₂){Cr含量30原子%、其余量Co的合金为88摩尔%、由TiO₂构成的氧化物为12摩尔%}构成的非磁性层，其后，将溅射压力设为2Pa，在其上形成层厚6nm 的由92(Co11Cr18Pt)-5(SiO₂)-3(TiO₂){Cr含量11原子%、Pt含量18原子%、其余量Co的合金为92摩尔%、由SiO₂构成的氧化物为5摩尔%、由TiO₂构成的氧化物为3摩尔%}构成的磁性层。其后，在磁性层上形成层厚0.3nm的由Ru构成的非磁性层，在其上使用由Co-20Cr-14Pt-3B{Cr含量20原子%、Pt含量14原子%、B含量3原子%、其余量Co}构成的靶材，将溅射压力设为0.6Pa形成层厚7nm的磁性层。 

接着，采用CVD法形成层厚3nm的保护层，最后，采用浸渍法形成由全氟聚醚构成的润滑膜，由此制作出磁记录介质。 

(磁记录介质的评价) 

然后，对于制作出的实施例1、2和比较例1的磁记录介质，使用热式浮起量可变元件形成于磁头的滑块上的磁头，进行信号能量强度的评价。评价条件如下。将其评价结果示于图14。再者，实施例2中，对于在同一条件下制造出的2枚磁记录介质进行评价。 

基板转速：7200转/分钟 

测定位置：半径22.4mm 

评价磁头：热式浮起量可变元件内置型MR磁头 

磁头浮起高度的可变量：1nm/10mW 

如图14所示，可知实施例1、2的磁记录介质，直到磁头即将接触磁记录介质的表面之前来自磁头的信号能量都低、S/N比高、电磁转换特性优异。另一方面，在比较例1的磁记录介质，在磁头即将接触磁记录介质表面之前，信号能量强度提高到2倍以上，电磁转换特性差。 

附图标记说明 

1...非磁性基板；2...软磁性基底层；3...第1取向控制层；4...垂直磁性层；4a...下层的磁性层；4b...中层的磁性层；4c...上层的磁性层；5...保护层；6...润滑膜；7...非磁性层；7a...下层的非磁性层；7b...上层的非磁性层；8...第2取向控制层；10...磨削机；11、12...平台；20A、20B...金刚石垫；20a...磨削面；21...凸部；22...基材；30...磨削加工装置；31...内周磨石；32...外 周磨石；40...抛光机；41...内周研磨刷；50...抛光机；51...旋转轴；52...外周研磨刷；60...抛光机；61、62...平台；71...下平台；72...上平台；73...托板；74...开口部；75...凹部；76...行星齿轮部；77...太阳齿轮部；78...固定齿轮部；W...玻璃基板；80...磁记录介质；81...介质驱动部；82...磁头；83...磁头驱动部；84...记录再生信号处理系统 

Claims (5)

1.一种磁记录介质用基板，其特征在于，是具有中心孔的圆盘状的磁记录介质用基板，

其主面的表面粗糙度，以周向的起伏空间周期L在10~1000μm范围时的均方根粗糙度Rq计为

以下，

并且，对上述表面粗糙度进行光谱分析，在以其空间周期L为横轴、以其功率谱密度PSD为纵轴的双对数图上示出的曲线S上，在将连接空间周期L为10μm的点A和空间周期L为1000μm的点B的线段Z的纵轴方向的分量设为H、且将曲线S的纵轴方向的分量相对于该线段Z变为最大时的位移设为ΔH时，用ΔH/H×100[%]表示的值P为15%以下，

所述双对数图，其横轴单位为μm，纵轴单位为

其中，k为常数。

2.一种磁记录介质，在权利要求1所述的磁记录介质用基板的面上至少具有磁性层。

3.一种磁记录介质用基板的制造方法，是具有中心孔的圆盘状的磁记录介质用基板的制造方法，

所述制造方法特征在于，包括对上述磁记录介质用基板的主面实施磨削加工和研磨加工的工序，

通过上述工序使得：

上述磁记录介质用基板的主面的表面粗糙度以周向的起伏空间周期L在10~1000μm范围时的均方根粗糙度Rq计为

以下，

并且，对上述表面粗糙度进行光谱分析，在以其空间周期L为横轴、以其功率谱密度PSD为纵轴的双对数图上示出的曲线S上，在将连接空间周期L为10μm的点A和空间周期L为1000μm的点B的线段Z的纵轴方向的分量设为H、且将曲线S的纵轴方向的分量相对于该线段Z变为最大时的位移设为ΔH时，用ΔH/H×100[%]表示的值P变为15%以下，

所述双对数图，其横轴单位为μm，纵轴单位为

其中，k为常数。

4.一种磁记录介质用基板的表面检查方法，是具有中心孔的圆盘状的磁记录介质用基板的表面检查方法，

所述表面检查方法的特征在于，包括以下步骤：

作为上述磁记录介质用基板的主面的表面粗糙度，求出周向的起伏空间周期L为10~1000μm范围时的均方根粗糙度Rq的步骤；

对上述表面粗糙度进行光谱分析，在以其空间周期L为横轴、以其功率谱密度PSD为纵轴的双对数图上示出的曲线S上，在将连接空间周期L为10μm的点A和空间周期L为1000μm的点B的线段Z的纵轴方向的分量设为H、且将曲线S的纵轴方向的分量相对于该线段Z变为最大时的位移设为ΔH时，求出用ΔH/H×100[%]表示的值P的步骤，

所述双对数图，其横轴单位为μm，纵轴单位为

其中，k为常数；

以及

将上述Rq值为以下、并且上述P值为15%以下的磁记录介质用基板评定为良好品的步骤。

5.一种磁记录介质用基板的制造方法，包括采用了权利要求4所述的表面检查方法的检查工序。

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