CN103124174B - Ic电路 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种IC电路。在一个实施方式中，提供一种IC电路，包括：RT端子，连接至外部电阻器或其他系统；电流镜单元，用于在内部电压电源和RT端子之间传导沟道电流并产生与沟道电流镜像的内部参考电流；负反馈单元，用于接收内部参考电流；使电流镜单元的RT端子连接端的电压和内部参考电流输出端的电压相等以使内部参考电流保持恒定；以及在IC电路内部提供内部参考电流；以及包括晶体管的IC状态指示单元，该晶体管根据驱动信号与电流镜单元进行互补操作并且连接在RT端子和地之间并通过与电流镜单元的互补操作关联来向RT端子提供IC或系统的状态。

Description

IC电路

相关申请的交叉引用

本申请要求于2011年11月17日提交的第10-2011-0120270号的韩国专利申请的优先权，通过引证将其全部内容结合于本申请中。

技术领域

本发明涉及一种IC电路，更具体地，涉及一种能够通过一个RT端子产生内部参考电流并通过该一个RT端子显示IC的状态的IC电路。

背景技术

近来，各种电子器件的最为重要的因素是功率效率。高效率开关式电源（SMPS）主要用作电源端以建立高功率效率的电子器件。用于实施SMPS的多个IC被释放，并且具有集成功能的IC被释放以降低制造成本。降低制造成本最有效的方法是通过一个引脚实现多个功能，且本发明涉及一种将提供准确参考电流的功能以及通知诸如IC或SMPS的系统的操作状态的数据通信功能集成于一体的技术。

首先，将描述典型IC中产生内部参考电流的方法。图3示出了典型的电流源产生器。IC内使用的参考电流Iref可通过连接至RT引脚10的电阻器1R1来改变。由放大器14A1、晶体管13M3及电阻器1R1组成的负反馈回路将RT引脚10的电压设定为等于预设参考电压Vref，且Vref/R1的电流Ich流入外部电阻器1R1中。此时，所产生的Ich电流利用由晶体管11及12M1及M2组成的电流镜来产生内部参考电流Iref。此时，所产生的Iref电流根据镜像晶体管11及12M1及M2的尺寸比而变化。

接下来，将描述示出典型IC中的IC状态的方法。图4示出了用于通知IC或与IC连接的系统的状态的引脚的构造示例。图4是通过IC内的晶体管16M4以及连接在电源电压VCC和状态信息引脚15STATE之间的电阻器2R2以通知IC或系统的状态来实现的。如果晶体管16M4的驱动信号Ф为高，则晶体管16M4被接通，使得状态信息引脚15STATE的电压几乎为0V。当驱动信号Φ为低时，晶体管16M4被断开，使得状态信息引脚15STATE具有电源电压VCC。因此，可根据状态信息引脚15STATE的电压通知IC或系统的状态，并且可由连接在IC之前或之后的另一个块接收该信息。

在现有技术中，如图3中所示，用于产生内部参考电流的引脚以及用于通知IC或系统的状态的引脚是分离使用的。也就是说，在现有技术中，实施具有两个独立引脚的IC来利用上述两种功能。

发明内容

创作本发明以克服上述问题，因此，本发明的目的是提供一种能够通过一个引脚来实现两个功能的IC电路，该IC电路通过一个引脚产生内部参考电流并通过该相同的引脚通知IC或与IC连接的系统的状态。

根据用以实现该目的的本发明的第一实施方式，提供一种IC电路，其包括：RT端子，连接至外部电阻器或其他系统；电流镜单元，用于在内部电压电源和RT端子之间传导沟道电流并产生与沟道电流镜像的内部参考电流；负反馈单元，用于从电流镜单元接收内部参考电流；使电流镜单元的RT端子连接端的电压和内部参考电流输出端的电压相等以使内部参考电流保持恒定；以及在IC电路内部提供内部参考电流；以及包括晶体管的IC状态指示单元，该晶体管根据驱动信号与电流镜单元进行互补操作并且连接在RT端子和地之间并通过与电流镜单元的互补操作关联来向RT端子提供IC或系统的状态，并且特征在于，通过RT端子产生内部参考电流并通过RT端子将IC或系统的状态通知给其他系统。

在本发明的另一个示例中，电流镜单元可包括第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管，第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管的源极连接至内部电压电源，其中第一PMOS晶体管的漏极可以连接至RT端子，且第二PMOS晶体管的漏极可以向负反馈单元提供所述内部参考电流。

此外，在示例中，负反馈单元可包括放大器和第三PMOS晶体管，其中放大器的正输入端子和负输入端子可以分别连接至电流镜单元的RT端子连接端和内部参考电流输出端，以保持RT端子连接端和内部参考电流输出端处于相同的电压下，第三PMOS晶体管可以在IC电路内部提供由内部参考电流输出端提供的内部参考电流，同时通过接收放大器的输出作为栅极驱动信号并通过反馈源极至放大器的负输入端子来保持内部参考电流恒定。

此时，在另一示例中，电流镜单元可包括第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管，第一PMOS晶体管用于在内部电压电源和RT端子之间传导沟道电流，第二PMOS晶体管用于从内部电压电源产生与沟道电流镜像的内部参考电流以向第三PMOS晶体管提供内部参考电流。

此外，根据本发明的另一个示例，IC状态指示单元可以在晶体管接通期间根据电流镜单元的断开操作向RT端子提供0V的电压，并在晶体管断开期间根据电流镜单元的接通操作向RT端子提供与内部电压电源一致的电压。

根据另一示例，IC状态指示单元的晶体管可为NMOS晶体管。

接下来，根据实现该目的的本发明的第二实施方式，提供一种IC电路，其包括：RT端子，连接至外部电阻器或其他系统；电流镜单元，用于在内部电压电源和RT端子之间传导沟道电流，并产生与沟道电流镜像的内部参考电流；负反馈单元，用于从电流镜单元接收内部参考电流；使电流镜单元的RT端子连接端的电压和内部参考电流输出端的电压相等以使内部参考电流保持恒定，并在IC电路内部提供内部参考电流；以及包括晶体管的IC状态指示单元，晶体管连接在RT端子和地之间，IC状态指示单元提供用于使电流镜单元与晶体管的驱动互补操作的镜像驱动信号，并晶体管通过根据晶体管驱动信号与电流镜单元的互补操作关联，来是否向RT端子提供预设参考电压以显示IC或系统的状态，并且特征在于，通过RT端子产生内部参考电流并通过RT端子向其他系统通知IC或系统的状态。

在本发明的另一个示例中，电流镜单元可包括第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管，第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管的源极连接至内部电压电源，其中第一PMOS晶体管的漏极可以连接至RT端子，且第二PMOS晶体管的漏极可以向负反馈单元提供所述内部参考电流。

此外，根据示例，电流镜单元还可包括电压电源施加开关，电压电源施加开关根据晶体管驱动信号进行切换以向第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管的栅极施加内部电压电源。

根据另一个示例，负反馈单元可包括第一放大器及第三PMOS晶体管，其中第一放大器的正输入端子和负输入端子可以分别连接至电流镜单元的RT端子连接端和内部参考电流输出端，以保持RT端子连接端和内部参考电流输出端处于相同的电压下，第三PMOS晶体管可以在IC电路内部提供由内部参考电流输出端提供的内部参考电流，同时通过接收第一放大器的输出作为栅极驱动信号并通过反馈源极至第一放大器的负输入端子来保持内部参考电流恒定。

此时，在另一个示例中，电流镜单元可包括第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管，第一PMOS晶体管用于在内部电压电源和RT端子之间传导沟道电流，第二PMOS晶体管用于从内部电压电源产生与沟道电流镜像的内部参考电流以向第三PMOS晶体管提供内部参考电流。

此外，在本发明的另一个示例中，IC状态指示单元可包括：晶体管，连接在RT端子和地之间以根据晶体管驱动信号被驱动；以及镜像驱动信号施加单元，用于提供镜像驱动信号以使电流镜单元与晶体管的驱动互补操作。

此时，在另一个示例中，镜像驱动信号施加单元可包括：第二放大器，具有施加有预设参考电压的负输入端子以及从电流镜单元的RT端子连接端反馈的正输入端子；反相器，用于使晶体管驱动信号反相以输出反相信号；以及反相输出开关，用于根据反相器的输出信号进行切换，以将第二放大器的输出信号作为电流镜单元的驱动信号进行施加。

而且，此时，在另一个示例中，IC状态指示单元在晶体管接通期间根据电流镜单元的断开操作向RT端子提供0V的电压，并在晶体管断开期间根据电流镜单元的接通操作，基于至所述第二放大器的反馈向RT端子提供预设参考电压。

此外，根据示例，IC状态指示单元的晶体管可为NMOS晶体管。

附图说明

从以下结合附图对实施方式的描述中，本申请的总发明构思的这些和/或其他方面及优点将变得显而易见且更容易理解，附图中：

图1为根据本发明第一实施方式的IC电路的示意性电路图；

图2为根据本发明第二实施方式的IC电路的示意性电路图；

图3为示意性示出了典型IC电路的参考电压产生电路的电路图；

图4为示意性示出了典型IC电路的IC状态指示电路的电路图。

具体实施方式

将参照附图描述用于实现上述目的的本发明的实施方式。在该描述中，相同的元件用相同的参考标号表示，且可以将重复的额外描述或本发明涵义的限制性解释省略。

在本说明书中，当一个元件被提及为“连接至或耦接至”另一个元件或“设置在另一元件中”时，其可以“直接”连接至或耦接至另一元件或“直接”设置在另一元件中，或以其他元件介于其间的方式连接至或耦接至另一元件或设置在另一元件中，除非其被提及为“直接耦接至或连接至”另一元件或“直接设置”在另一元件中。此外，应理解，当一个元件被提及为“在另一元件上”、“在另一元件上方”、“在另一元件下”或“在另一元件下方”时，其可与另一元件“直接”接触或以其间介入有其他元件的方式与另一元件接触，除非其被提及为与另一元件直接接触。当参考元件的方向被反转或改变时，其可以用作包括根据对应的相对关系术语的方向的概念的含义。

虽然在本说明书中使用单数形式，但应注意的是，单数形式可以用作表示复数形式的概念，除非与本发明的思想相悖或以其他方式明确阐释。应理解，本文所使用的诸如“具有”、“包含”以及“包括”术语并不排除一个或多个其他元件或其组合的存在或添加。

首先，将参照附图对根据本发明第一实施方式的IC电路进行详细描述。图1为根据第一实施方式的IC电路的示意图。

参照图1，根据第一实施方式的IC电路包括RT端子10、电流镜单元30、负反馈单元50及IC状态指示单元70。此时，根据该实施方式的IC电路产生内部参考电流Iref并通过一个RT端子10通知其他系统该IC或系统的状态。

首先，参照图1，该实施方式中的RT端子10为与外部电阻器1或其他系统连接的端子。此时，可以产生内部参考电流Iref并通过一个RT端子10通知其他系统该IC或该系统的状态。

继续参照图1，电流镜单元30设置在内部电压电源VDD和RT端子10之间，并将作为镜像电流的参考值的沟道电流Ich从内部电压电源VDD传导至RT端子10。此时，电流镜单元30产生与沟道电流镜像的内部参考电流Iref，并通过不与RT端子连接的另一个输出端子（即，内部参考电流输出端）提供内部参考电流Iref。此时，沟道电流Ich与内部参考电流Iref的镜像比可由镜像晶体管的尺寸（size，参数大小）比确定。

例如，对电流镜像来说，可以使彼此对应的这两个镜像晶体管的栅极电压相等，并使影响镜像漏电流或源电流大小的栅源电压或源栅电压相等。

此时，在示例中，电流镜单元30可包括源极与内部电压电源VDD连接的第一PMOS晶体管31和第二PMOS晶体管32。第一PMOS晶体管31的漏极与RT端子10连接，第二PMOS晶体管32的漏极可向负反馈单元50提供内部参考电流Iref。此时，第一PMOS晶体管31和第二PMOS晶体管32的源极与内部电压电源VDD连接。

此时，沟道电流Ich与内部参考电流Iref的镜像比可由第一PMOS晶体管31与第二PMOS晶体管32的尺寸比确定。

在示例中，参照图1，RT端子连接端和内部参考电流输出端分别与负反馈单元50的放大器51的同相和反相输入端子连接，并可保持相同的电压，该RT端子连接端和该内部参考电流输出端为第一PMOS晶体管31的漏极和第二PMOS晶体管32的漏极。此时，流过作为第二PMOS晶体管32的漏极的内部参考电流输出端并与沟道电流Ich镜像的内部参考电流Iref，通过负反馈单元50的第三PMOS晶体管53在IC电路内部提供。

继续参照图1，将描述负反馈单元50。

负反馈单元50从电流镜单元30接收内部参考电流Iref。此时，负反馈单元50使电流镜单元30的RT端子连接端的电压和内部参考电流输出端的电压相等，以使内部参考电流Iref保持恒定。负反馈单元50在IC电路内部提供内部参考电流Iref。

参照图1，通过利用负反馈单元50使电流镜单元30的RT端子连接端的电压和内部参考电流输出端的电压保持相等，可以使从电流镜单元30产生的内部参考电流Iref保持恒定。

此外，在示例中，参照图1，负反馈单元50包括放大器51及第三PMOS晶体管53。此时，放大器51的正负输入端子分别与电流镜单元30的RT端子连接端和内部参考电流输出端连接，以保持RT端子连接端和内部参考电流输出端具有相同的电压。

参照图1，负反馈单元50的第三PMOS晶体管53接收放大器51的输出作为栅极驱动信号。此外，第三PMOS晶体管53的源极被反馈回至放大器51的负输入端子。因此，第三PMOS晶体管53可恒定地保持从电流镜单元30的内部参考电流输出端提供的内部参考电流Iref，并通过漏极在IC电路内部提供该内部参考电流Iref，内部参考电流Iref被保持恒定而不受与漏极连接的内部系统的电压的影响。也就是说，在图1中，由放大器51A1、第一PMOS晶体管31M1、第二PMOS晶体管32M2及第三PMOS晶体管53M3组成的负反馈系统使第一PMOS晶体管31M1和第二PMOS晶体管32M2的漏极节点的电压相等。最后，由于第一PMOS晶体管31M1和第二PMOS晶体管32M2的漏极/栅极/源极或漏极/栅极/源极/本体的电压全部相同，因此通过电流镜像，沟道电流Ich与镜像电流Iref的比等于第一PMOS晶体管31M1与第二PMOS晶体管32M2的尺寸比。

此时，参照图1，在示例中，第三PMOS晶体管53M3的源极与电流镜单元30的第二PMOS晶体管32的漏极（即，内部参考电流输出端）连接。因此，通过第三PMOS晶体管53，可以在IC电路内部提供内部参考电流Iref（即，流过镜像的第二PMOS晶体管32的镜像电流）。

接下来，将参照图1描述IC状态指示单元70。IC状态指示单元70包括连接在RT端子10和地之间的晶体管71。IC状态指示单元70提供用于使电流镜单元30以与IC状态指示单元70的晶体管71的驱动互补的方式操作的驱动信号。在IC状态指示单元70中，晶体管71根据驱动信号以与电流镜单元30互补的方式操作。此时，晶体管71的操作与电流镜单元30的互补操作关联，且IC状态指示单元70为RT端子10提供IC或系统的状态。

此外，根据示例，在IC状态指示单元70的晶体管71接通期间，根据IC状态指示单元70提供的信号断开电流镜单元30。因此，IC状态指示单元70允许根据电流镜单元30的断开操作以及晶体管71的接通操作向RT端子10提供0V电压。此外，在晶体管71断开期间，IC状态指示单元70允许根据电流镜单元30的接通操作向RT端子10提供与内部电压电源一致（according to）的电压。此时，向RT端子10提供的与内部电压电源一致的电压具有的值基本上与内部电压电源相同。因此，通过利用IC状态指示单元70的操作而施加给RT端子10的电压可以获知IC或系统的状态。

此外，参照图1，在示例中，IC状态指示单元70的晶体管可以为NMOS晶体管71。此时，当输入用于驱动IC状态指示单元70的NMOS晶体管71的信号时，IC状态指示单元70向电流镜单元30施加相同的信号以互补操作电流镜单元30。

参照图1，此时，由于电流镜单元30由第一PMOS晶体管31和第二PMOS晶体管32组成，当向第一PMOS晶体管31和第二PMOS晶体管32的栅极施加与用于驱动IC状态指示单元70的NMOS晶体管71的信号相同的信号时，第一PMOS晶体管31及第二PMOS晶体管32被断开，另一方面，NMOS晶体管71被接通，以使得向RT端子10施加基本上为0V的电压（即，地电压）。也就是说，在图1中，当NMOS晶体管驱动信号Φ为高时，NMOS晶体管71M4被接通并且形成电流镜单元30的第一PMOS晶体管31M1及第二PMOS晶体管32M2被断开。因此，由于RT引脚10的电压基本上为0V且沟道电流Ich基本上为0，因此镜像内部参考电流Iref也变为0。

相反的是，当向NMOS晶体管71施加关断驱动信号时，第一PMOS晶体管31和第二PMOS晶体管32被接通，且沟道电流Ich从内部电压电源流向RT端子10。另一方面，由于NMOS晶体管71处于断开状态，因此向RT端子10施加的电压与内部电压电源基本上相同。在图1中，当NMOS晶体管驱动信号Φ为较低时，NMOS晶体管71M4被断开并且形成电流镜单元30的第一PMOS晶体管31M1和第二PMOS晶体管32M2被接通。此时，由于第一PMOS晶体管31M1和第二PMOS晶体管32M2工作在线性区域中，因此RT端子10的电压具有几乎与内部电压电源VDD相同的值，且流过与RT端子10连接的外部电阻器R1的沟道电流Ich与VDD/R1相同。

利用施加给RT端子10的电压是基本上为0V还是几乎与内部电压电源VDD的值相同，可以知道IC或系统的状态。也就是说，当施加给RT端子10的电压基本上等于或几乎类似于VDD时，第一PMOS晶体管31和第二PMOS晶体管32被驱动，另一方面，NMOS晶体管71被断开，即，IC或系统处于接通状态。当施加给RT端子10的电压基本上为0V（即，地电压）时，NMOS晶体管71被驱动，另一方面，第一PMOS晶体管31和第二PMOS晶体管32被断开，即，IC或系统处于断开状态。例如，NMOS晶体管驱动信号Ф可以是在IC被接通的状态下提供的驱动信号的反相信号。此时，当断开IC时，尽可能高地施加NMOS晶体管驱动信号Ф，以使得驱动NMOS晶体管71，使第一PMOS晶体管31和第二PMOS晶体管32断开，且施加给RT端子10的电压基本上为地电压或几乎为0V。换句话说，当驱动信号Ф为较高时，RT端子10的电压几乎为0V且Iref为0。当驱动信号Ф为较低时，由于RT端子10的值基本上与VDD值相同且沟道电流的值为Ich=VDD/R1，因此可以根据驱动信号将IC的状态或包括IC的系统的状态传输至其他系统，且可以通过RT引脚10的电压产生内部参考电流Iref。

接下来，将参照附图详细描述根据本发明第二实施方式的IC电路。图2为根据本发明第二实施方式的IC电路的示意性电路图。

参照图2，类似于第一实施方式，根据本发明第二实施方式的IC电路包括RT端子10、电流镜单元130、负反馈单元150及IC状态指示单元170。此时，根据该实施方式的IC电路产生内部参考电流Iref并通过一个RT端子10通知其他系统该IC或系统的状态。

首先，RT端子10为与外部电阻器1R1或其他系统连接的端子。此时，可以产生内部参考电流Iref并通过一个RT端子10通知其他系统该IC或该系统的状态。

当参照图2描述电流镜单元130时，电流镜单元130设置在内部电压电源VDD和RT端子10之间并将作为镜像电流的参考值的沟道电流Ich从内部电压电源VDD传导至RT端子10。此时，电流镜单元130产生与沟道电流Ich镜像的内部参考电流Iref，并通过不与RT端子10连接的另一个输出端子（即，内部参考电流输出端）提供内部参考电流Iref。此时，沟道电流Ich与内部参考电流Iref的镜像比可由镜像晶体管的尺寸比确定。

此时，参照图2，在示例中，电流镜单元130可包括其源极与内部电压电源VDD连接的第一PMOS晶体管131和第二PMOS晶体管132。第一PMOS晶体管131的漏极与RT端子10连接，第二PMOS晶体管132的漏极可向负反馈单元150提供内部参考电流Iref。此时，第一PMOS晶体管131和第二PMOS晶体管132的源极可与内部电压电源VDD连接。此时，沟道电流Ich与内部参考电流Iref的镜像比可由第一PMOS晶体管131与第二PMOS晶体管132的尺寸比确定。

在示例中，参照图2，RT端子连接端和内部参考电流输出端分别与负反馈单元150的放大器151的同相和反相输入端子连接，并可以保持相同的电压，该RT端子连接端和该内部参考电流输出端为第一PMOS晶体管131的漏极和第二PMOS晶体管132的漏极。此时，流过作为第二PMOS晶体管132的漏极的内部参考电流输出端并且与沟道电流Ich镜像的内部参考电流Iref，可通过负反馈单元150的第三PMOS晶体管153在IC电路内部提供。

此外，当参照图2描述另一示例时，电流镜单元130可以进一步包括电压电源施加开关133，该电压电源施加开关根据之后的IC状态指示单元170的晶体管驱动信号Ф进行切换以向第一PMOS晶体管131和第二PMOS晶体管132的栅极施加内部电压电源。此时，电压电源施加开关133允许第一PMOS晶体管131和第二PMOS晶体管132与例如IC状态指示单元170的NMOS晶体管171的驱动互补操作。因此，IC状态指示单元170可通过RT端子10指示IC或系统的状态。

将继续参照图2描述负反馈单元150。参照图2，负反馈单元150从电流镜单元130接收内部参考电流Iref。此时，负反馈单元150使电流镜单元130的RT端子连接端的电压和内部参考电流输出端的电压相等，以使内部参考电流Iref保持恒定。负反馈单元150在IC电路内部提供内部参考电流Iref。参照图2，通过利用负反馈单元150使电流镜单元130的RT端子连接端的电压和内部参考电流输出端的电压相等，使由电流镜单元130产生的内部参考电流Iref保持恒定。

此外，参照图2，在另一示例中，负反馈单元150可包括放大器151及第三PMOS晶体管153。此时，放大器151的正负输入端子分别与电流镜单元130的RT端子连接端和内部参考电流输出端连接，以保持RT端子连接端和内部参考电流输出端处于相同的电压。

继续在图2中，负反馈单元150的第三PMOS晶体管153接收放大器151的输出作为栅极驱动信号。在图2中，第三PMOS晶体管153的源极被反馈回到放大器151的负输入端子。因此，第三PMOS晶体管153可恒定地保持从电流镜单元130的内部参考电流输出端提供的内部参考电流Iref，并通过漏极在IC电路内部提供内部参考电流Iref，内部参考电流Iref被保持为恒定而不受与漏极连接的内部系统的电压的影响。

此时，参照图2，在示例中，第三PMOS晶体管153的源极与电流镜单元130的第二PMOS晶体管132的漏极（即，内部参考电流输出端）连接。因此，通过第三PMOS晶体管153，可以在IC电路内部提供内部参考电流Iref（即，流过镜像的第二PMOS晶体管132的镜像电流）。

在图2中，由放大器151A2、第一PMOS晶体管131M1、第二PMOS晶体管132M2及第三PMOS晶体管153M3组成的负反馈系统使第一PMOS晶体管131M1和第二PMOS晶体管132M2的漏极节点的电压相等。最后，由于第一PMOS晶体管131M1和第二PMOS晶体管132M2的漏极/栅极/源极或漏极/栅极/源极/本体的电压全部相同，因此沟道电流Ich与镜像电流Iref的比等于第一PMOS晶体管131M1与第二PMOS晶体管132M2的尺寸比。

将继续参照图2描述IC状态指示单元170。在图2中，IC状态指示单元170包括连接在RT端子10和地之间的晶体管171。IC状态指示单元170提供镜像驱动信号，以使电流镜单元130与IC状态指示单元170的晶体管171的驱动互补操作。此时，镜像驱动信号可以是与用于驱动晶体管171的晶体管驱动信号Ф互补的信号。根据晶体管驱动信号Ф进行驱动的晶体管71以与电流镜单元130的操作互补的方式操作。此时，通过使晶体管171根据晶体管驱动信号Ф进行的操作与电流镜单元130的互补操作关联，IC状态指示单元170为RT端子10提供IC或系统的状态。

此外，参照图2，在本发明的另一示例中，IC状态指示单元170可包括连接在RT端子10和地之间的晶体管171以及用于提供镜像驱动信号的镜像驱动信号施加单元173。根据晶体管驱动信号Ф来驱动晶体管171。此时，镜像驱动信号施加单元173向电流镜单元130提供镜像驱动信号作为与用于驱动晶体管171的晶体管驱动信号Ф互补的信号，以使电流镜单元130与晶体管171的驱动互补操作。

将更详细地描述图2。参照图2，在另一示例中，镜像驱动信号施加单元173可包括第二放大器1173、反相器3173及反相输出开关2173。

此时，在图2中，向第二放大器1173的负输入端子施加预设参考电压。此时，预设参考电压αVDD可以是比内部电压电源VDD低的电压。此外，第二放大器1173的正输入端子从电流镜单元130的RT端子连接端反馈并与RT端子10连接。在该实施方式中，IC状态指示单元170允许输入至第二放大器1173的负输入端子的预设参考电压被相等的施加给第二放大器1173的正输入端子并允许通过反馈连接的RT端子10显示，以通知IC或系统的状态。

此外，将描述图2的反相器3173和反相输出开关2173。反相器3173使晶体管驱动信号反相以输出反相信号。此时，反相输出开关2173根据反相器3173的输出信号进行切换。反相输出开关2173可通过根据反相器3173的输出信号切换操作，将第二放大器1173的输出信号作为电流镜像单元驱动信号来施加。根据反相输出开关2173的操作将镜像驱动信号从第二放大器1173施加给电流镜单元130，以使得电流镜单元130可以在内部电压电源和RT端子10之间传导沟道电流Ich，并产生与沟道电流Ich镜像的内部参考电流Iref。

此时，参照图2，IC状态指示单元170向电流镜单元130提供与晶体管接通期间的晶体管驱动信号Ф互补操作的镜像驱动信号，以断开电流镜单元130。因此，IC状态指示单元170允许根据电流镜单元130的断开操作以及晶体管的接通操作向RT端子10提供实际上为地电压或0V的电压。此外，在晶体管71的断开操作期间，IC状态指示单元170允许根据电流镜单元130的接通操作向RT端子10提供预设参考电压。参照图2，当晶体管驱动信号Ф处于低状态时（即，晶体管被断开时），根据反相输出开关2173的操作将第二放大器1173的输出作为镜像驱动信号施加至电流镜单元130，以使得电流镜单元130被接通。此时，由于电流镜单元130的RT端子连接端被反馈连接至第二放大器1173的正端子，因此可以向RT端子10提供施加给第二放大器1173的负端子的预设参考电压αVDD。因此，通过操作IC状态指示单元170，可以通过施加给RT端子10的电压知道IC或系统的状态。

此外，参照图2，在示例中，IC状态指示单元170的晶体管可以为NMOS晶体管171。此时，当输入用于驱动IC状态指示单元170的NMOS晶体管171的信号时，IC状态指示单元170向电流镜单元130施加镜像驱动信号（互补信号）以互补操作电流镜单元130。参照图2，此时，由于电流镜单元130由第一PMOS晶体管131和第二PMOS晶体管132组成，所以当向第一PMOS晶体管131和第二PMOS晶体管132的栅极施加与用于驱动IC状态指示单元170的NMOS晶体管171的信号互补的镜像驱动信号时，第一PMOS晶体管131和第二PMOS晶体管132被断开，另一方面，NMOS晶体管171被接通，并向RT端子10施加基本上为0V的地电压。更详细地，当向NMOS晶体管171施加晶体管驱动信号Ф时，向反相输出开关2173施加被反相器3173反相的晶体管驱动信号Ф的反相信号以断开反相输出开关2173。因此，第一PMOS晶体管131和第二PMOS晶体管132被断开。相反的是，当向NMOS晶体管171施加低信号或关断信号作为晶体管驱动信号Ф时，反相器3173使信号反相，以使得反相输出开关2173被接通，并根据反相输出开关2173的接通操作向第一PMOS晶体管131和第二PMOS晶体管132施加第二放大器1173的输出信号作为镜像驱动信号，以使得第一PMOS晶体管131和第二PMOS晶体管132被接通。此时，由于第一PMOS晶体管131的RT端子连接端被反馈至第二放大器173的正端子且NMOS晶体管171处于断开状态，因此可以通过反馈连接向RT端子10提供第二放大器1173的负端子的预设参考电压αVDD。

当再次参照图2进行描述时，当晶体管驱动信号Ф为高时，NMOS晶体管171M4及电压电源施加开关133S2被接通，并且反相输出开关2173S1被断开。因此，由于RT端子10的电压基本上为0V且沟道电流Ich基本上为0，因此内部参考电流Iref（镜像电流）也基本上为0。相反的是，当晶体管驱动信号Ф为低时，NMOS晶体管171M4及电压电源施加开关133S2被断开并且反相输出开关2173S1被接通。此时，利用由第二放大器1173A1、第一PMOS晶体管M1及RT端子10组成的负反馈系统，RT端子10的电压的值基本上为αVDD，且流过外部电阻器R1的沟道电流Ich基本上与αVDD的值相同。

此时，通过是预设参考电压αVDD还是基本上为0V的电压施加至RT端子10，可以知道IC或系统的状态。也就是说，当施加给RT端子10的电压基本上等于或几乎类似于预设参考电压αVDD时，驱动第一PMOS晶体管131和第二PMOS晶体管132，另一方面，NMOS晶体管171被断开，即，IC或系统处于接通状态。当施加给RT端子10的电压基本上为地电压（即，0V）时，驱动NMOS晶体管171，另一方面，第一PMOS晶体管131和第二PMOS晶体管132被断开，即，IC或系统被断开。换句话说，当驱动信号Ф为高时，RT端子10的电压几乎为0V且Iref为0。当驱动信号Ф为低时，RT端子10的值基本上与αVDD相同，且沟道电流的值为Ich=αVDD/R1。因此可以根据驱动信号Φ将IC或包括IC的系统的状态发送至其他系统，且可以通过RT引脚10的电压产生内部参考电流Iref。

在本发明的第一和第二实施方式中，可以产生内部参考电流且可以通过一个RT引脚10通知IC的状态或与该IC连接的系统的状态。因此，可以通过一个端子实现两种功能并因此降低制造成本。

根据本发明的实施方式，可以通过一个引脚产生内部参考电流且可以通过该引脚通知IC的状态或与该IC连接的系统的状态。

也就是说，在本发明的实施方式中，可以实现两种功能，例如通过一个RT引脚产生内部参考电流以及显示关于IC或系统的状态的信息。因此，可以降低IC的制造成本。

显而易见的是，本领域的技术人员可以从根据本发明的实施方式的各种结构中获得根据本发明的各个实施方式尚未直接提到的各种效果。

提供上述实施方式以及附图作为示例以帮助本领域的技术人员进行理解，而不是限制本发明的范围。此外，本领域的技术人员根据前述具体描述显而易见地实施根据上述组件的各种组合的实施方式。因此，在不背离本发明的实质思想的范围内，本发明的各个实施方式可以以不同形式来实现，且本发明的范围应根据权利要求中所述的本发明进行解释。要理解的是，本发明包括本领域的技术人员能够根据本发明作出的各种修改、替代及等同物。

Claims (9)

1.一种IC电路，包括：

RT端子，连接至外部电阻器或其他系统；

电流镜单元，用于在内部电压电源和所述RT端子之间传导沟道电流，并产生与所述沟道电流镜像的内部参考电流；

负反馈单元，用于从所述电流镜单元接收所述内部参考电流；使所述电流镜单元的RT端子连接端的电压和内部参考电流输出端的电压相等以使所述内部参考电流保持恒定，并在所述IC电路内部提供所述内部参考电流；以及

包括晶体管的IC状态指示单元，所述晶体管连接在所述RT端子和地之间，所述IC状态指示单元提供用于使所述电流镜单元与所述晶体管的驱动互补操作的镜像驱动信号，并且所述晶体管通过根据晶体管驱动信号与所述电流镜单元的互补操作关联，来是否向所述RT端子提供预设参考电压以显示IC或系统的状态，并且

特征在于，通过所述RT端子产生所述内部参考电流并通过所述RT端子向其他系统通知所述IC或所述系统的状态，

其中，所述IC状态指示单元包括：

晶体管，连接在所述RT端子和地之间以根据所述晶体管驱动信号被驱动；以及

镜像驱动信号施加单元，用于提供镜像驱动信号以使所述电流镜单元与所述晶体管的驱动互补操作，

其中，所述镜像驱动信号施加单元包括：

第二放大器，具有施加有预设参考电压的负输入端子以及从所述电流镜单元的所述RT端子连接端反馈的正输入端子；

反相器，用于使所述晶体管驱动信号反相以输出反相信号；以及

反相输出开关，用于根据所述反相器的输出信号进行切换，以将所述第二放大器的输出信号作为所述电流镜单元的驱动信号进行施加。

2.根据权利要求1所述的IC电路，其中，所述电流镜单元包括第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管，所述第一PMOS晶体管和所述第二PMOS晶体管的源极连接至所述内部电压电源，其中所述第一PMOS晶体管的漏极连接至所述RT端子，且所述第二PMOS晶体管的漏极向所述负反馈单元提供所述内部参考电流。

3.根据权利要求2所述的IC电路，其中，所述电流镜单元还包括电压电源施加开关，所述电压电源施加开关根据所述晶体管驱动信号进行切换以向所述第一PMOS晶体管和所述第二PMOS晶体管的栅极施加所述内部电压电源。

4.根据权利要求1所述的IC电路，其中，所述负反馈单元包括第一放大器及第三PMOS晶体管，其中所述第一放大器的正输入端子和负输入端子分别连接至所述电流镜单元的所述RT端子连接端和所述内部参考电流输出端，以保持所述RT端子连接端和所述内部参考电流输出端处于相同的电压下，所述第三PMOS晶体管在所述IC电路内部提供由所述内部参考电流输出端提供的所述内部参考电流，同时通过接收所述第一放大器的输出作为栅极驱动信号并通过反馈源极至所述第一放大器的所述负输入端子来保持所述内部参考电流恒定。

5.根据权利要求4所述的IC电路，其中，所述电流镜单元包括第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管，所述第一PMOS晶体管用于在所述内部电压电源和所述RT端子之间传导所述沟道电流，所述第二PMOS晶体管用于从所述内部电压电源产生与所述沟道电流镜像的所述内部参考电流以向所述第三PMOS晶体管提供所述内部参考电流。

6.根据权利要求1所述的IC电路，其中，所述IC状态指示单元在所述晶体管接通期间根据所述电流镜单元的断开操作向所述RT端子提供0V的电压，并在所述晶体管断开期间根据所述电流镜单元的接通操作，基于至所述第二放大器的反馈向所述RT端子提供所述预设参考电压。

7.根据权利要求1所述的IC电路，其中，所述IC状态指示单元的晶体管为NMOS晶体管。

8.根据权利要求2所述的IC电路，其中，所述IC状态指示单元的晶体管为NMOS晶体管。

9.根据权利要求4所述的IC电路，其中，所述IC状态指示单元的晶体管为NMOS晶体管。