CN103094115A - 制作双层栅沟槽mos的工艺方法 - Google Patents
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Cited By (2)
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101315895A (zh) * | 2007-05-30 | 2008-12-03 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 双层栅功率mos结构实现方法 |
CN101542731A (zh) * | 2005-05-26 | 2009-09-23 | 飞兆半导体公司 | 沟槽栅场效应晶体管及其制造方法 |
CN102097354A (zh) * | 2009-12-15 | 2011-06-15 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 功率器件耐压区的形成方法 |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101542731A (zh) * | 2005-05-26 | 2009-09-23 | 飞兆半导体公司 | 沟槽栅场效应晶体管及其制造方法 |
CN101315895A (zh) * | 2007-05-30 | 2008-12-03 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 双层栅功率mos结构实现方法 |
CN102097354A (zh) * | 2009-12-15 | 2011-06-15 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 功率器件耐压区的形成方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110137242A (zh) * | 2019-04-03 | 2019-08-16 | 杭州士兰微电子股份有限公司 | 双向功率器件及其制造方法 |
CN110137242B (zh) * | 2019-04-03 | 2024-02-23 | 杭州士兰微电子股份有限公司 | 双向功率器件及其制造方法 |
CN111599685A (zh) * | 2020-06-28 | 2020-08-28 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 一种功率半导体器件及其制作方法 |
CN111599685B (zh) * | 2020-06-28 | 2023-08-11 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 一种功率半导体器件及其制作方法 |
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