CN103081139A - 发光二极管 - Google Patents

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Abstract

公开了一种发光二极管(LED)，该LED包括发光堆叠结构以及在发光堆叠结构上形成为具有图案的电极结构。该LED的电极结构包括：反射体的集群，在发光堆叠结构上沿所述图案设置；以及焊盘材料层，形成为完全地覆盖反射体。

Description

发光二极管
技术领域
本发明涉及一种发光二极管(LED)，更具体地讲，涉及一种能够通过减少因形成在LED上部的电极结构造成的光损失来提高光提取效率的LED。
背景技术
目前在诸如全色LED显示装置、LED交通灯和白色LED的各种应用中使用GaN基发光二极管(LED)。近来，已经预期高效白色LED将取代荧光灯。具体地讲，白色LED的效率已达到与典型荧光灯的效率水平相似的水平。
通常通过在诸如蓝宝石的基底上生长外延层来形成GaN基LED，GaN基LED包括N型半导体层、P型半导体层以及设置在N型半导体层和P型半导体层之间的活性层。同时，N电极焊盘形成在N型半导体层上，而P电极焊盘形成在P型半导体层上。LED通过电极焊盘电连接到外部电源而被驱动。
通常在诸如蓝宝石的单晶基底上生长GaN基半导体层，并通过芯片分割工艺最终完成单个LED。此时，由于沿单晶基底的晶面分割单晶基底，所以其通常具有矩形形状。通常，最终的LED中的基底的形状限定了发光结构的形状，例如，台面(mesa)的形状、电极焊盘的形状和从电极焊盘延伸出的延伸部分的形状。例如，在第6650018号美国专利中已经公开了为了增强电流扩散而从电极接触部分延伸出的延伸部分，这些延伸部分典型地沿着矩形形状的矩形边缘呈直线延伸。
通过使用从电极焊盘延伸出的延伸部分，能够改善LED中的电流扩散的效果，从而提高LED的效率。然而，由于将例如Cr的反射性能差的材料用作电极焊盘和从其延伸出的延伸部分的下部结构，所以因在延伸部分和/或电极焊盘的下部处的光吸收而存在大量的光损失。所述光损失是阻碍LED的光提取效率提高的主要因素。虽然已进行了许多研究来通过减小具有延伸部分的电极图案的总面积来减少光损失，但减小电极图案的总面积会对LED的电流扩散效果产生负面影响。具体地讲，其会难以实现大面积LED芯片。
发明内容
技术问题
本发明的目的在于提供一种发光二极管(LED)，通过将因在LED的上部处的电极结构和/或其材料造成的光损失最小化，该LED不仅能够提高电流扩散特性而且能够提高LED的光提取效率。
技术方案
根据本发明的一方面，提供一种发光二极管(LED)，该LED包括发光堆叠结构以及在发光堆叠结构上形成为具有图案的电极结构。电极结构包括：反射体的集群，在发光堆叠结构上沿所述图案设置；以及焊盘材料层，形成为完全地覆盖反射体。
在一个实施例中，电极结构可以包括延伸部分和电极焊盘，延伸部分和电极焊盘包括焊盘材料层；延伸部分可以以线状图案从电极焊盘延伸出；反射体的集群可以具有沿延伸部分的线状图案形成的点图案反射体。此外，反射体的集群还可以具有形成在电极焊盘下面的焊盘型反射体。
在一个实施例中，焊盘材料层可以具有直接覆盖反射体的接触材料层以及位于焊盘材料层的最上部的键合材料层。此时，接触材料层优选地可以包括Cr，而键合材料层优选地可以包括Au。这里，优选的是，反射体由反射率比接触材料层的反射率高的材料形成。更优选地，反射体由反射率比接触材料层的反射率高且绝缘性比接触材料层的绝缘性高的材料形成。反射体可以由分布式布拉格反射器(DBR)形成。
在一个实施例中，发光堆叠结构可以包括p型区域，在p型区域中，透明电极层向p型区域的上部暴露，电极结构可以被构造成使得反射体邻近透明电极层的顶表面。
在一个实施例中，发光堆叠结构可以包括n型区域，在n型区域中，n型半导体层向n型区域的上部暴露，电极结构可以被构造成使得反射体邻近n型半导体层的暴露的顶表面。
发光堆叠结构可以包括p型区域和n型区域，在p型区域中，透明电极层向p型区域的上部暴露，在n型区域中，n型半导体层向n型区域的上部暴露；电极结构可以分别形成在p型区域和n型区域中。在p型区域中，电极结构可以被构造成使得反射体邻近透明电极层的顶表面。在n型区域中，电极结构可以被构造成使得反射体邻近n型半导体层的暴露的顶表面。
发光堆叠结构可以包括III族氮化物基半导体层，并且还可以包括透明电极层。
根据本发明的另一方面，提供了一种LED，该LED包括：发光堆叠结构，包括下接触层和位于下接触层上的台面结构；第一电极结构，位于下接触层上；以及第二电极结构，位于台面结构上，其中，第一电极结构和第二电极结构中的至少一个包括形成在其下部并沿图案布置的反射体的集群。
在一个实施例中，第一电极结构可以包括第一电极焊盘和从第一电极焊盘延伸出的一个或多个延伸部分；第二电极结构可以包括第二电极焊盘和从第二电极焊盘延伸出的一个或多个延伸部分；反射体的集群可以包括形成在第一电极焊盘或第二电极焊盘下面的焊盘型反射体以及形成在第一电极结构或第二电极结构的延伸部分下面的点图案反射体。
在一个实施例中，下接触层可以具有第一边缘、与第一边缘相对的第二边缘、将第一边缘和第二边缘相互连接的第三边缘以及与第三边缘相对的第四边缘；第一电极焊盘可以设置在第一边缘的附近，第二电极焊盘可以设置在第二边缘的附近。
这里，术语“第一边缘的附近”表示与第二边缘相比更接近第一边缘，术语“第二边缘的附近”表示与第一边缘相比接近第二边缘。术语“向第一(或第二)边缘延伸”表示延伸部分的每个点延伸以接近第一(或第二)边缘。
在一个实施例中，第一电极结构可以具有第一下延伸部分和第二下延伸部分，第一下延伸部分和第二下延伸部分从第一电极焊盘向第二边缘延伸，且第一下延伸部分和第二下延伸部分的端部比邻近第一电极焊盘的开始部分彼此间分得更开；第二电极结构可以包括从第二电极焊盘延伸出的第一上延伸部分、第二上延伸部分和第三上延伸部分；第一上延伸部分和第二上延伸部分可以形成为分别围绕第一下延伸部分和第二下延伸部分，第三上延伸部分可以向第一下延伸部分和第二下延伸部分之间的区域延伸。
在一个实施例中，下接触层可以是n型半导体，台面结构的最上层可以是形成在p型半导体层上的透明电极层；第一电极结构中的反射体可以形成为与n型半导体层的暴露的上部邻近；第二电极结构中的反射体可以形成为与透明电极层的上部邻近。
在一个实施例中，第一电极结构可以包括构成第一电极焊盘和从第一电极焊盘延伸出的延伸部分的焊盘材料层，第二电极结构可以包括构成第二电极焊盘和从第二电极焊盘延伸出的延伸部分的焊盘材料层，每个焊盘材料层在与反射体邻近的部分处的材料的反射率可低于反射体的反射率。
有益效果
根据本发明，具有反射体的集群的发光二极管(LED)的电极结构可以使得因在LED的上部的电极焊盘和电极焊盘的延伸部分的光吸收造成的光损失减少，从而非常有助于提高光提取效率。具体地讲，当将光吸收率较低的诸如Cr的材料插在电极焊盘或电极焊盘的延伸部分的下面时，本发明非常有效。此外，将绝缘材料，具体地，绝缘的分布式布拉格反射器(DBR)用作根据本发明的反射体，从而能够防止电流拥挤效应并能够在LED的整个区域均匀地扩散电流。
附图说明
图1是示出根据本发明实施例的发光二极管(LED)的平面图。
图2是沿图1中的线A-A截取的剖视图。
图3是沿图1中的线B-B截取的剖视图。
图4是示出根据本发明实施例的LED执行发光操作的状态的照片。
图5是示出作为图4中示出的LED的对比示例提供的LED执行发光操作的状态的照片。
具体实施方式
在下文中，将参照附图详细地描述本发明的优选实施例。提供以下实施例仅用于说明性的目的，使得本领域技术人员能够充分地理解本发明的精神。因此，本发明不限于以下实施例，而是可以以其他形式实施。在附图中，为了便于说明，夸大了元件的宽度、长度和厚度等。在整个说明书和附图中，相同的标号表示相同的元件。
图1是示出根据本发明实施例的发光二极管(LED)的平面图，图2是沿图1中的线A-A截取的剖视图，图3是沿图1中的线B-B截取的剖视图。
参照图1，根据本发明实施例的LED包括发光堆叠结构S以及形成在发光堆叠结构S上部上的第一电极结构P1和第二电极结构P2。
在本实施例中，发光堆叠结构S包括下接触层53和位于下接触层53的部分区域上的台面结构M。第一电极结构P1形成在下接触层53的其上不具有台面结构M的部分上，第二电极结构P2形成在台面结构M上。在本实施例中，下接触层53是n型半导体层，它的上部暴露区域限定n型区域。在本实施例中，台面结构M包括位于下接触层53上的活性层、作为上接触层的p型半导体层以及透明电极层。在本实施例中，透明电极层存在于发光堆叠结构S的上部。透明电极层构成台面结构M的最上层。然而，可以考虑以下情况，即，由半导体制成的上接触层构成台面结构的最上层，而没有透明电极层。
根据本实施例，第一电极结构P1可以包括反射体611和612的集群，第二电极结构P2可以包括在发光堆叠结构S的上部的反射体631和632的集群。根据第一电极结构P1的图案来布置一个集群，即反射体611和612的集群，并根据第二电极结构P2的图案来布置另一集群，即反射体631和632的集群。
第一电极结构P1的反射体包括形成在第一电极焊盘61下面的焊盘型反射体611以及以点图案布置在延伸部分61a和61b下面的多个点图案反射体612，延伸部分61a和61b以预定的线状图案从第一电极焊盘61延伸出，第二电极结构P2的反射体包括形成在第二电极焊盘63下面的焊盘型反射体631以及以点图案布置在延伸部分63a、63b和63c下面的多个点图案反射体632，延伸部分63a、63b和63c以预定的线状图案从第二电极焊盘63延伸出。反射体611布置在第一电极焊盘61下面，反射体612沿着延伸部分61a和61b的图案布置在连接到第一电极焊盘61的延伸部分61a和61b下面，反射体631布置在第二电极焊盘63下面，反射体632沿着延伸部分63a、63b和63c的图案布置在连接到第二电极焊盘63的延伸部分63a、63b和63c下面。光从反射性相对低的延伸部分61a、61b、63a、63b和63c以及第一电极焊盘61和第二电极焊盘63的下部反射，使得光损失可显著减少。由于第一电极焊盘61与延伸部分61a和61b相互一体连接以覆盖反射体611和612，并且第二电极焊盘63与延伸部分63a、63b和63c相互一体连接以覆盖反射体631和632，所以即使反射体611和612以及631和632具有更高的绝缘性或更低的导电性，电流也可以适当地流动。相反，如果反射体611和612以及631和632具有更大的绝缘性，则可以因此而提高电流扩散效果。
发光堆叠结构S和其中包括的台面结构M中的每个成形为与基底的形状对应的近似矩形或正方形，并且包括第一边缘E1、与第一边缘相对的第二边缘E2、将第一边缘和第二边缘相互连接的第三边缘E3以及与第三边缘相对的第四边缘E4。
第一电极结构P1包括n型第一电极焊盘61，第一电极焊盘61位于n型暴露区域，即，下接触层53上。第一电极焊盘61设置在下接触层53的第一边缘E1的中心附近，并形成在台面结构M的凹口部分中。第一电极焊盘61是引线可以键合到以将LED连接到外部电源的部分。第一下延伸部分61a和第二下延伸部分61b从第一电极焊盘61向第二边缘E2延伸。如该附图中所示，第一下延伸部分61a和第二下延伸部分61b可以延伸为具有相互对称的结构。下延伸部分61a和61b直接从第一电极焊盘61向第二边缘E2延伸，从而省略了用于将下延伸部分61a和61b连接到第一电极焊盘61的单独的延伸部分。同时，第一下延伸部分61a和第二下延伸部分61b的端部比邻近第一电极焊盘61的开始部分彼此间分得更开。下延伸部分61a和61b可以成形为直线，但是优选地，它们成形为分别向第三边缘E3和第四边缘E4凸出地弯曲。即，第一下延伸部分61a成形为向第三边缘E3凸出地弯曲，而第二下延伸部分61b成形为向第四边缘E4凸出地弯曲。第一下延伸部分61a和第二下延伸部分61b可以成形为整体弯曲，但是某些部分，例如，第一下延伸部分61a和第二下延伸部分61b的端部可以成形为直线。与第一电极焊盘61的中心相比，第一下延伸部分61a和第二下延伸部分61b的开始部分可以与第一边缘E1隔得更开。
同时，第二电极焊盘63位于台面结构M上方，并设置在下接触层53的第二边缘E2的中心附近。第二电极焊盘63可以形成在构成台面结构M的最上层的透明电极层上。可选择地，第二电极焊盘可以穿透透明电极层而与位于透明电极层下面的上接触层(例如，p型半导体层)接触。
第一上延伸部分63a、第二上延伸部分63b和第三上延伸部分63c从第二电极焊盘63延伸出。第一上延伸部分63a和第二上延伸部分63b可以延伸成具有关于直线对称的结构，通过将第一电极焊盘61与第二电极焊盘63相互连接而得到该直线。第一上延伸部分63a和第二上延伸部分63b从第二电极焊盘63延伸出，以围绕第一下延伸部分61a和第二下延伸部分61b。即，第一上延伸部分63a位于比第一下延伸部分61a更接近第三边缘E3的位置，第二上延伸部分63b位于比第二下延伸部分61b更接近第四边缘E4的位置。
此外，第一上延伸部分63a可以成形为向第三边缘E3凸出地弯曲，第二上延伸部分63b可以成形为向第四边缘E4凸出地弯曲。第一上延伸部分63a和第二上延伸部分63b中的每个可以首先从第二电极焊盘63向第二边缘E2延伸，然后向第一边缘E1延伸。因此，能够控制从第一下延伸部分61a的端部向第一上延伸部分63a行进的距离以及从第二下延伸部分61b的端部向第二上延伸部分63b行进的距离。
第一上延伸部分63a的端部可以比第一下延伸部分61a的开始部分更接近第一边缘E1，第二上延伸部分63b的端部可以比第二下延伸部分61b的开始部分更接近第一边缘E1。例如，第一上延伸部分63a和第二上延伸部分63b的端部可以位于经过第一电极焊盘61的中心而与第一边缘E1平行的直线上。即，从第一边缘E1到第一电极焊盘61的中心的最短距离可以等于从第一边缘E1到第一上延伸部分63a和第二上延伸部分63b的端部的最短距离。可选择地，从第一边缘E1到第一上延伸部分63a和第二上延伸部分63b的端部的最短距离可以比从第一边缘E1到第一电极焊盘61的中心的最短距离短。
同时，第一上延伸部分63a可以首先接近第三边缘E3延伸，然后远离第三边缘E3，第二上延伸部分63b可以首先接近第四边缘E4延伸，然后远离第四边缘E4。如上所述的延伸部分的构造可以允许第一上延伸部分63a与第一下延伸部分61a之间的距离以及第二上延伸部分63b与第二下延伸部分61b之间的距离大致恒定，从而能够在台面结构M的大部分区域实现均匀的电流扩散。此外，第一上延伸部分63a和第二上延伸部分63b的开始部分可以比第二电极焊盘63的中心更接近第二边缘E2。结果，能够防止第二边缘E2与第一上延伸部分63a和第二上延伸部分63b之间的距离变得更远。
第二电极焊盘63位于台面结构M上方以及第二边缘E2附近。为了在更宽的区域均匀地扩散电流，优选地将第二电极焊盘63设置为尽可能地接近第二边缘E2。此外，第二边缘E2与第一上延伸部分63a和第二上延伸部分63b之间的最短距离可以等于第二电极焊盘63与第二边缘E2之间的最短距离。因此，可以将第一上延伸部分63a和第二上延伸部分63b设置成大体上位于在第二边缘E2的附近与第二边缘E2接近的位置。
同时，第三上延伸部分63c向第一下延伸部分61a与第二下延伸部分61b之间的区域延伸。第三上延伸部分63c沿直线向第一电极焊盘61延伸并经过台面结构M的中心。
通常，电流会容易集中在电极焊盘61与63之间的直线上。因此，从第一下延伸部分61a的每个点至第一上延伸部分63a的最短距离优选地比从第一下延伸部分61a的每个点至第三上延伸部分63c的最短距离更近。因此，能够在台面结构的更宽区域扩散电流。
从第一下延伸部分61a的端部至第一上延伸部分63a的最短距离可以比从第一下延伸部分61a的其他点至第一上延伸部分63a的最短距离更近。即，第一下延伸部分61a与第一上延伸部分63a之间的距离在第一下延伸部分61a的端部处最近。此外，从第三上延伸部分63c的端部至第一下延伸部分61a的最短距离优选地比从第三上延伸部分63c的端部至第一电极焊盘61的距离更近。
参照图2和图3，发光堆叠结构S包括顺序地形成在透明基底51上的下接触层53、活性层55、上接触层57和透明电极层59。基底51优选地是适合于生长III族氮化物半导体层的蓝宝石基底。由例如金属材料制成的反射层500形成在基底51的底表面上。在本实施例中，上述的台面结构M(见图1)包括活性层55、上接触层57和透明电极层59，并可以包括下接触层53的一部分，如图2中所示。在本实施例中，下接触层53可以是n型半导体层，而上接触层57可以是p型半导体层。然而，本发明不限于此，从而可以颠倒下接触层53和上接触层57的导电类型。例如，下接触层可以是p型半导体层，而上接触层可以是n型半导体层。活性层55设置在下接触层53和上接触层57之间。
下接触层53、活性层55和上接触层57可以由GaN基化合物半导体材料，即，(Al，In，Ga)N形成。确定活性层55的组成元素和活性层55的组成范围以发射期望波长的光，例如，紫外光或蓝光。下接触层53和上接触层57中的每个由带隙比活性层55的带隙宽的材料形成。
下接触层53和/或上接触层57可以形成为如图2中所示的单层结构，但可以形成为多层结构。活性层55可以具有单量子阱结构或多量子阱结构。缓冲层(未示出)可以设置在基底51和下接触层53之间。
可以使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)或分子束外延(MBE)技术生长半导体层53、55和57，并可使用光刻工艺进行图案化，使得下接触层53的区域被暴露，从而形成台面结构M。此时，可以使用光致抗蚀剂的回流工艺将台面结构M的侧面形成为斜面。台面结构M的侧面可以是具有单一斜率的斜面，但本发明不限于此。例如，台面结构的侧面可以是斜率改变的双斜面或弯曲的斜面。透明电极层59与上接触层57欧姆接触，并且可以由氧化铟锡(ITO)或Ni/Au形成。由于透明电极层59的比电阻小于上接触层的比电阻，所以透明电极层59有助于扩散电流。
正如图2中所示，例如，第二电极结构P2形成在诸如ITO层的透明电极层59上。虽然未在该附图中示出，但第二电极结构P2可以形成为穿透透明电极层，或者第二电极结构P2可以直接形成在上接触层57，即，p型半导体层上，而省略透明电极层。此时，第二电极结构P2包括焊盘型反射体631、多个点图案反射体632以及覆盖反射体631和632的焊盘材料层630a和630b。进一步，焊盘材料层包括形成在透明电极层59上以直接覆盖反射体631和632的接触材料层630a以及适合于引线键合的键合材料层630b。如图1中所示，焊盘材料层630a和630b构成第二电极焊盘63以及第一上延伸部分63a、第二上延伸部分63b和第三上延伸部分63c。键合材料层630b优选地由Au形成，而接触材料层630b可以由Cr形成。然而，在Cr的情况下，它的光反射率为大约40％，它的光透射率为大约0％。因此，由于大约60％的光在由Cr制成的接触材料层630a中被吸收，所以光提取效率降低。根据本实施例，由于沿第一电极结构P1的整个图案形成的反射体631和632的集群显著地减小了接触材料层630a的光暴露区域，所以可以显著地减少光损失。反射体631和632可以由绝缘反射材料形成。在这种情况下，反射体631和632可以用作电流屏蔽层，从而显著地限制电流拥挤效应。因此，能够提高电流扩散效果。像分布式布拉格反射器(DBR)那样，第二电极结构P2的反射体优选地由焊盘材料层形成，具体地，由不仅反射率比Cr高而且绝缘性也比Cr高的材料形成。
正如图3中所示，第一电极结构P1形成在作为下接触层的n型半导体层53上。像第二电极结构P2那样，第一电极结构P1包括焊盘型反射体611、多个点图案反射体612以及覆盖反射体611和612的焊盘材料层610a和610b。焊盘材料层包括接触材料层610a和适合于引线键合的键合材料层610b，接触材料层610a形成在下接触层，即，n型半导体层53上以直接覆盖反射体611和612。如图1中所示，焊盘材料层610a和610b构成第一电极焊盘61以及第一下延伸部分61a和第二下延伸部分61b。像第二电极结构P2的键合材料层那样，第一电极结构P1的键合材料层610b优选地由Au形成。像第二电极结构P2的接触材料层那样，第一电极结构P1的接触材料层610a可以由Cr形成。像DBR那样，第一电极结构P1的反射体优选地由焊盘材料层形成，具体地，由不仅反射率比Cr高而且绝缘性也比Cr高的材料形成。
图4是示出根据本发明实施例的LED执行发光操作的状态的照片，图5是示出根据对比示例的不包括反射体的集群(具体地，点图案反射体的集群)的传统LED执行发光操作的状态的照片。本实施例的LED和对比示例的LED分别都包括在蓝宝石基底的底表面上的反射金属。图4和图5中的黑暗区域对应于光的强度实际上大的区域，即，比其他区域相对更亮的区域。
在图4中示出的本实施例的LED中，点图案反射体形成在电极焊盘的延伸部分的下面，而焊盘型反射体形成在电极焊盘的下面。如在图4中可以看到的，可以认识到，在本实施例的LED中的相对亮的区域的数量大于在对比示例的LED中的相对亮的区域的数量。
如上所述，已经主要说明了这样的LED，其中，台面结构使得p型区域和n型区域被包括在发光堆叠结构上，从而第一电极结构和第二电极结构都可以设置在发光堆叠结构上。然而，应该注意的是，在发光堆叠结构上仅具有一个电极结构的垂直LED也在本发明的范围内。
虽然已结合优选实施例描述了本发明，但本领域技术人员将理解的是，在不脱离由所附权利要求书限定的本发明的精神和范围的情况下，可以对本发明做各种修改和改变。
产业上的可利用性
如上所述，已经主要说明了这样的LED，其中，台面结构使得p型区域和n型区域被包括在发光堆叠结构上，从而第一电极结构和第二电极结构都可以设置在发光堆叠结构上。然而，应该注意的是，在发光堆叠结构上仅具有一个电极结构的垂直LED也在本发明的范围内。

Claims (18)

1.一种发光二极管，所述发光二极管包括发光堆叠结构以及在发光堆叠结构上形成为具有图案的电极结构，
其中，电极结构包括：
反射体的集群，在发光堆叠结构上沿所述图案设置；以及
焊盘材料层，形成为完全地覆盖反射体。
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，电极结构包括延伸部分和电极焊盘，延伸部分和电极焊盘包括焊盘材料层；延伸部分以线状图案从电极焊盘延伸出；反射体的集群具有沿延伸部分的线状图案形成的点图案反射体。
3.根据权利要求2所述的发光二极管，其中，反射体的集群还具有形成在电极焊盘下面的焊盘型反射体。
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，焊盘材料层具有直接覆盖反射体的接触材料层以及位于焊盘材料层的最上部的键合材料层。
5.根据权利要求4所述的发光二极管，其中，接触材料层包括Cr。
6.根据权利要求4所述的发光二极管，其中，键合材料层包括Au。
7.根据权利要求4所述的发光二极管，其中，反射体由反射率比接触材料层的反射率高的材料形成。
8.根据权利要求4所述的发光二极管，其中，反射体由反射率比接触材料层的反射率高且绝缘性比接触材料层的绝缘性高的材料形成。
9.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，反射体由分布式布拉格反射器形成。
10.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，发光堆叠结构包括p型区域，在p型区域中，透明电极层向p型区域的上部暴露，电极结构被构造成使得反射体邻近透明电极层的顶表面。
11.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，发光堆叠结构包括n型区域，在n型区域中，n型半导体层向n型区域的上部暴露，电极结构被构造成使得反射体邻近n型半导体层的暴露的顶表面。
12.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，发光堆叠结构包括III族氮化物基半导体层。
13.一种发光二极管，所述发光二极管包括：
发光堆叠结构，包括下接触层和位于下接触层上的台面结构；
第一电极结构，位于下接触层上；以及
第二电极结构，位于台面结构上，
其中，第一电极结构和第二电极结构中的至少一个包括形成在其下部的反射体的集群，反射体的集群沿图案布置。
14.根据权利要求13所述的发光二极管，其中，第一电极结构包括第一电极焊盘和从第一电极焊盘延伸出的一个或多个延伸部分；第二电极结构包括第二电极焊盘和从第二电极焊盘延伸出的一个或多个延伸部分；反射体的集群包括形成在第一电极焊盘或第二电极焊盘下面的焊盘型反射体以及形成在第一电极结构或第二电极结构的延伸部分下面的点图案反射体。
15.根据权利要求14所述的发光二极管，其中，下接触层具有第一边缘、与第一边缘相对的第二边缘、将第一边缘和第二边缘相互连接的第三边缘以及与第三边缘相对的第四边缘；第一电极焊盘设置在第一边缘的附近，第二电极焊盘设置在第二边缘的附近。
16.根据权利要求15所述的发光二极管，其中，第一电极结构具有第一下延伸部分和第二下延伸部分，第一下延伸部分和第二下延伸部分从第一电极焊盘向第二边缘延伸，且第一下延伸部分和第二下延伸部分的端部比邻近第一电极焊盘的开始部分彼此间分得更开；第二电极结构包括从第二电极焊盘延伸出的第一上延伸部分、第二上延伸部分和第三上延伸部分；第一上延伸部分和第二上延伸部分形成为分别围绕第一下延伸部分和第二下延伸部分，第三上延伸部分向第一下延伸部分和第二下延伸部分之间的区域延伸。
17.根据权利要求13所述的发光二极管，其中，下接触层是n型半导体，台面结构的最上层是形成在p型半导体层上的透明电极层；第一电极结构中的反射体形成为与n型半导体层的暴露的上部邻近；第二电极结构中的反射体形成为与透明电极层的上部邻近。
18.根据权利要求17所述的发光二极管，其中，第一电极结构包括构成第一电极焊盘和从第一电极焊盘延伸出的延伸部分的焊盘材料层，第二电极结构包括构成第二电极焊盘和从第二电极焊盘延伸出的延伸部分的焊盘材料层，每个焊盘材料层在与反射体邻近的部分处的材料的反射率低于反射体的反射率。
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