CN103682022B - Led器件结构 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种所述LED器件结构，从下至上依次包括：半导体衬底、P型半导体层、发光层和N型半导体材料层，且暴露出部分N型半导体材料层。P型半导体材料层和N型半导体材料层上分别形成有互相分离的P‑电极和N‑电极，P‑电极和N‑电极且均分别包括绝缘层、透明导电层和金属层，所述金属层互相连接的P‑块形金属电极部和P‑线形金属电极部与互相连接的N‑块形金属电极部和N‑线形金属电极部；所述N‑块形金属电极部自所述N‑线形金属电极部起朝所述P‑块形金属电极部的方向延伸，所述N‑电极的绝缘层位于所述N‑线性金属电极部的正下方。本发明通过在所述N‑线性金属电极部的正下方设置绝缘层，增加N型GaN层中电流分布均匀性，进而提高LED器件的亮度。

Description

LED器件结构
技术领域
本发明涉及一种半导体技术领域，特别是涉及一种LED器件结构。
背景技术
发光二极管(Light Emitting Diode,缩写为LED)具有寿命长、耐冲击、抗震、高效节能等优异特征，在图像显示、信号指示、照明以及基础研究等方面有着极为广泛的应用前景。GaN基发光二极管近年来发展迅猛，LED芯片工艺日渐成熟，提高LED芯片的亮度和良率是现阶段最重要的工作。
现有的LED器件结构如图1至图2所示，其中图1所示为LED的横截面的结构，图2所示为LED器件的电极结构的俯视图。
如图1中所示，所述LED器件结构包括半导体衬底100、形成在半导体衬底100上的N型GaN层240，形成在N型GaN层240上的P型GaN层270，以及N型GaN层240和P型GaN层270之间的发光层220，所述发光层为量子阱层。在所述P型GaN层270和发光层220中还形成有开口，以暴露出部分所述N型GaN层240。
在所述P型GaN层270和暴露出来的所述N型GaN层240上分别形成有P-电极和N-电极，所述P-电极和N-电极互相分离。
其中，所述P-电极包括形成在所述P型GaN层270上的绝缘层370，形成在所述绝缘层370和所述P型GaN层270上的透明导电层570，以及形成在所述透明导电层570上的P-电极的金属层700。所述绝缘层370位于所述金属层700的下方，并且略超过所述金属层700覆盖区域。所述绝缘层370可以阻止不透明的金属层700与所述P型GaN层270接触，避免电流流到金属层700的正下方处的P型GaN层270，引起金属层700的正下方处的发光层220发光，却被不透明的金属层700的挡住，即所述绝缘层370能调节电流的分布，避免造成发光效能的浪费。所述透明导电层570的上下表面分别与所述P型GaN层270和所述金属层700接触，使得电流可以传导在绝缘层370没有覆盖到的P型GaN层270中，即没有被透明的金属层700的挡住的P型GaN层270中。即所述透明导电层570能够调节电流的分布，增加器件的电流分布均匀性。
所述N-电极包括形成在所述开口暴露出来的所述N型GaN层240上的透明导电层540，形成在所述透明导电层540上的N-电极的金属层400。
另外，在所述LED器件结构的表面还形成有钝化层900作为器件保护层和隔离层，所述钝化层900暴露出P-电极的金属层700和N-电极的金属层400以适于和外界连接。
上述LED器件结构应用于中大功率LED芯片时，器件尺寸较大，为了扩展电流的效能，会在电极的金属层中增加较多线形电极，以增加器件的电流分布均匀性。如图2所示，为现有技术中LED器件的电极结构的示意图。图中可见，所述P-电极的金属层700包括互相连接的P-块形金属电极部760和P-线形金属电极部710；所述N-电极的金属层400包括互相连接的N-块形金属电极部460和N-线形金属电极部410。所述P-电极中所述绝缘层370位于所述金属层700的下方，并且略超过所述金属层700覆盖区域。
一所述P-块形金属电极部760连接有至少两条所述P-线形金属电极部710，一所述N-块形金属电极部460连接一所述N-线形金属电极部410，所述P-块形金属电极部760自所述P-线形金属电极部710起朝所述N-块形金属电极部410的方向延伸，所述N-块形金属电极部460自所述N-线形金属电极部410起朝所述P-块形金属电极部710的方向延伸。
上述LED器件中，主要通过增加线形电极来扩展电流的效能，增加器件的电流分布均匀性，但是这样的方式中，增加的线形电极会占用发光面积，在一定程度上会降低LED器件的发光亮度。另外，如上所示，现有技术中，所述绝缘层的应用主要局限在LED器件中的P型GaN层上，调节和扩展P型GaN层中的电流分布，却缺乏有效的进行N层GaN电流扩展的技术。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种LED器件结构，用于解决现有技术中需要扩展电流的效能，增加器件的电流分布均匀性的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种LED器件结构，所述LED器件结构至少包括：
半导体衬底，从下至上依次形成在半导体衬底上的N型半导体材料层、发光层和P型半导体材料层，所述P型半导体材料层和所述发光层中形成有开口以暴露出部分所述N型半导体材料层，所述P型半导体材料层上形成有P-电极，所述N型半导体材料层上形成有N-电极；
所述P-电极和所述N-电极互相分离，且均分别包括绝缘层、透明导电层和金属层，所述绝缘层位于所述P型半导体材料层和所述N型半导体材料层上，所述透明导电层位于所述绝缘层和所述P型半导体材料层和所述N型半导体材料层上，所述金属层位于透明导电层上，包括互相连接的P-块形金属电极部和P-线形金属电极部与互相连接的N-块形金属电极部和N-线形金属电极部；
所述N-线形金属电极部自所述N-块形金属电极部起朝所述P-块形金属电极部的方向延伸，所述N-电极的绝缘层位于所述N-线性金属电极部的正下方。
优选地，所述P型半导体材料层为P型GaN层，所述N型半导体材料层为N型GaN层，所述发光层为P型GaN层和N型GaN层之间的量子阱。
优选地，所述N-电极的绝缘层为至少两个分离的子绝缘层，所述N-线形金属电极部正下方包括2～5段互相分离的子绝缘层。
优选地，所述子绝缘层的长度为100μm～150μm。
优选地，相邻两所述子绝缘层的间距为10μm～100μm。
优选地，所述P-线形金属电极部自所述P-块形金属电极部起朝所述N-块形金属电极部的方向延伸。
优选地，所述绝缘层的材质为氧化硅或氮化硅。
优选地，所述绝缘层的厚度为
优选地，所述透明导电层的材质为氧化铟锡。
优选地，一所述P-块形金属电极部连接有至少两条所述P-线形金属电极部，一所述N-块形金属电极部连接一所述N-线形金属电极部。
如上所述，本发明的LED器件结构，具有以下有益效果：
通过在所述N-线性金属电极部的正下方设置所述N-电极的绝缘层，避免N-电极上的电流集中在靠近N-块形金属电极部的区域，从而起到调节N型GaN层中电流分布，增加N型GaN层中电流分布均匀性的作用，进而能起到增加电流的效能，从而增加LED器件的发光效能和提高LED器件的亮度。
附图说明
图1至图2显示为现有技术中的LED器件结构的示意图。
图3至图4显示为本发明的实施例中提供的LED器件结构的示意图。
图5显示为传统技术提供的LED器件的电极结构的示意图。
图6显示为本发明的实施例中提供的所述LED器件的电极结构的示意图。
图7显示为具有图5中示意的电极结构的LED器件的发光效果图。
图8显示为具有图6中示意的电极结构的LED器件的发光效果图。
元件标号说明
100 半导体衬底
240 N型GaN层
270 P型GaN层
220 发光层
370 绝缘层
340 绝缘层
570 透明导电层
540 透明导电层
700 金属层
400 金属层
900 钝化层
760 P-块形金属电极部
710 P-线形金属电极部
460 N-块形金属电极部
410 N-线形金属电极部
W 间距
L 长度
具体实施方式
传统技术中，LED器件结构一般都是以蓝宝石衬底上从下至上依次为N型GaN层和P型GaN层，以及N型GaN层和P型GaN层之间形成的量子阱层为基础形成。由于P型GaN层更靠近表面，并且所述量子阱层为LED器件的主要发光面，所以，一般主要在P型GaN层上增加电极中的金属层下的绝缘层，以调节和扩展P型GaN层中的电流分布。而N型GaN层只能暴露出来一部分，并且位于量子阱层下面，所以提高LED器件的发光亮度方面，人们对于N型GaN层的关注不是很多。
在对如图2中所示的电极结构施加电压时，提供电压信号至P-块形金属电极部760和N-块形金属电极部460，电流会沿着P-线形金属电极部710和N-线形金属电极部410分布，从而分别流入到P型GaN层和N型GaN层中，激发电子复合，从而使得量子阱层发光。
本发明的发明人发现，由于N型GaN层的电阻比较大，一般远大于P型GaN层，N-线形金属电极部410中的电场强度会沿着从N-块形金属电极部460朝向P-块形金属电极部760的方向降低，从而使得N-线形金属电极部410中的电流强度也沿着从N-块形金属电极部460朝向P-块形金属电极部760的方向降低。这样会导致靠近P-块形金属电极部760的电子复合率不是很高，即靠近P-块形金属电极部760处的发光亮度没有靠近N-块形金属电极部460处的发光亮度大。这样，在靠近P-块形金属电极部760处区域可产生的发光效能没有被充分的发挥出来。尤其在器件尺寸较大的中大功率LED器件中，这样的问题表现非常明显。
由于这样的原因，本发明的发明人提供一种LED器件结构，所述LED器件结构在传统技术中的LED器件结构的基础上，在所述N-电极中增加了绝缘层，以调节N型GaN层中的电流分布，增加电流的效能，从而增加LED器件的发光效能和提高LED器件的亮度，所述N-电极的绝缘层位于所述N-线性金属电极部的正下方。
以下由特定的具体实施例说明本发明的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点及功效。
请参阅图3至图8。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本发明可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本发明所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本发明可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，当亦视为本发明可实施的范畴。
如图3所示，为本发明提供一种LED器件结构，所述LED器件结构包括：
包括半导体衬底100、形成在半导体衬底100上的N型GaN层240，形成在N型GaN层240上的P型GaN层270，以及N型GaN层240和P型GaN层270之间的发光层220，所述发光层为量子阱层。在所述P型GaN层270和发光层220中还形成有开口，以暴露出部分所述N型GaN层240。
其中，本实施例中，所述半导体衬底100为2～6寸的平片或PSS蓝宝石衬底。所述N型GaN层240和P型GaN层270为利用有机金属气相沉积技术生长出GaN半导体层。在其它实施例中，所述N型GaN层240和P型GaN层270也可以为其它材质的P型半导体材料层和N型半导体材料层。
在所述P型GaN层270和暴露出来的所述N型GaN层240上分别形成有P-电极和N-电极，所述P-电极和N-电极互相分离。
其中，所述P-电极包括形成在所述P型GaN层270上的绝缘层370，形成在所述绝缘层370和所述P型GaN层270上的透明导电层570，以及形成在所述透明导电层570上的P-电极的金属层700。所述绝缘层370位于所述金属层700的下方，并且略超过所述金属层700覆盖区域。所述绝缘层370可以阻止不透明的金属层700与所述P型GaN层270接触，避免电流流到金属层700的正下方处的P型GaN层270，引起金属层700的正下方处的发光层220发光，却被不透明的金属层700的挡住，即所述绝缘层370能调节电流的分布，避免造成发光效能的浪费。所述透明导电层570的上下表面分别与所述P型GaN层270和所述金属层700接触，使得电流可以传导在绝缘层370没有覆盖到的P型GaN层270中，即没有被透明的金属层700的挡住的P型GaN层270中。即所述透明导电层570能够调节电流的分布，增加器件的电流分布均匀性。
所述N-电极包括形成在所述开口暴露出来的所述N型GaN层240上的绝缘层340，形成在所述绝缘层340和所述N型GaN层240上的透明导电层540，形成在所述透明导电层540上的N-电极的金属层400。所述绝缘层340为分段的绝缘层，具体在下文结合图4进行详细阐述。
其中，本实施例中，所述绝缘层370和绝缘层340为SiO2，所述透明导电层570和透明导电层540为ITO(氧化铟锡)，所述金属层700和金属层400为主要成分为金或者铝的复合金属层。
另外，在所述LED器件结构的表面还形成有钝化层900作为器件保护层和隔离层，所述钝化层900暴露出P-电极的金属层700和N-电极的金属层400以适于和外界连接。
其中，本实施例中，所述钝化层900为钝化SiO2。
如图4所示，为本实施例中提供LED器件的电极结构的结构示意图。图中可见，所述P-电极的金属层700包括互相连接的P-块形金属电极部760和P-线形金属电极部710；所述N-电极的金属层400包括互相连接的N-块形金属电极部和N-线形金属电极部。
其中，一所述P-块形金属电极部760连接有至少两条所述P-线形金属电极部710，一所述N-块形金属电极部460连接一所述N-线形金属电极部410，所述P-线形金属电极部710自所述P-块形金属电极部760起朝所述N-块形金属电极部460的方向延伸，所述N-线形金属电极部410自所述N-块形金属电极部460起朝所述P-块形金属电极部760的方向延伸。
所述P-线形金属电极部710能够将施加于P-块形金属电极部760的电压产生的电流引入到除了P-块形金属电极部760的区域，尤其是接近所述N-块形金属电极部410的区域。
所述N-线形金属电极部410能够将施加于N-块形金属电极部410的电压产生的电流引入到除了N-块形金属电极部460的区域，尤其是接近所述P-线形金属电极部710的区域。
其中，在所述P-电极的金属层700的正下方的区域，设置有绝缘层370，所述绝缘层370略超过所述金属层700覆盖区域。
在所述N-线形金属电极部410正下方的区域中，还设置有若干个分段的子绝缘层340。再结合图3可见，所述子绝缘层340位于N-线形金属电极部410的正下方。并且位于所述N型GaN层240表面，所述子绝缘层340上还覆盖有透明导电层540，所述透明导电层540同时还覆盖所述子绝缘层340没有覆盖到的所述N型GaN层240的表面。
所述子绝缘层340能够阻挡电流流到子绝缘层340下方的N型GaN层240，而把电流引导到所述N-线形金属电极部的正下方，所述410子绝缘层340之外的N型GaN层240中。通过设置所述子绝缘层340的位置，能够避免N-电极上的电流自发的集中在靠近N-块形金属电极部460的区域，从而起到调节N型GaN层中电流分布，增加N型GaN层中电流分布均匀性的作用，进而能起到增加电流的效能，从而增加LED器件的发光效能和提高LED器件的亮度。
其中，所述子绝缘层340的位置，长度等与所述LED器件的大小，N型GaN层的电阻，N-电极的金属层400的电阻等有关。经过发明人的多次试验，优选的，所述N-线形金属电极部410的正下方设置有2～5段互相分离所述子绝缘层340，其中，所述子绝缘层340的长度L为100μm～150μm，相邻两所述子绝缘层的间距W为10μm～100μm。
其中，图5和图6分别为传统技术提供的所述LED器件的电极结构的示意图和本实施例提供的所述LED器件的电极结构的示意图。图7和图8分别为具有图5和图6中示意的电极结构的LED器件封装后，在施加100mA电流的条件下发光效果图。其中，具体如下表一所示。
LED器件 亮度(450-460nm) 增加幅度
传统技术 20.52-21.71lm 0﹪
本实施例 21.60-22.50 3-5﹪
表一：现有技术中的LED器件和本实施例提供LED器件在100mA电流下的发光亮度比较。
由图7和图8，以及表一中可见，本实施例提供LED器件中，通过在N-电极中增加互相分离的子绝缘层，达到了控制LED器件中电流分布，提高LED器件发光亮度的目的。
另外，本实施例还提供了上述LED器件的制作工艺，包括：
步骤一：提供平片或PSS蓝宝石衬底(2～6寸)作为半导体衬底。
步骤二，利用有机金属气相沉积技术在衬底上生长出GaN层，该层包括N-GaN层、量子阱层及P-GaN层；
步骤三，利用光刻及刻蚀技术进行局部刻蚀，使部分N-GaN层露出；
步骤四，利用等离子体化学气相沉积技术在GaN层上沉积绝缘层，该绝缘层可在激光划片、腐蚀时保护GaN，以及在后续形成的器件中起到阻挡电流的作用。其材质可以为二氧化硅、氮化硅，厚度为另外，本步骤还包括在表面旋涂一层保护液，以在激光划片时能吸收一部分激光的能量，使划片时激光对GaN层的损伤减少到最低；
步骤五，利用激光划片技术进行划片，划片完后去除表面保护液；
步骤六，利用酸腐蚀工艺将划片槽内脏污去除；
步骤七，利用黄光工艺，按照特制的掩膜，制作出黄光图形，然后进行腐蚀，去除光阻，制备P-电极下的绝缘层或N-电极下分段的子绝缘层，或两者的组合。其中，N-电极下分段的子绝缘层的分段数可按照不同的版型及需求合理安排，优选的，分段数2-5段。
步骤八，利用镀膜技术上蒸镀一层透明导电层，该蒸镀厚度d为形成透明导电层；
步骤九，利用光刻及蒸镀技术分别在P-GaN层上和N-GaN层上蒸镀金属电极；
步骤十，利用等离子体化学气相沉积技术在透明导电层上沉积保护膜；
步骤十一，利用研磨抛光技术将晶片减薄到70-200um之间；
步骤十二，背面蒸镀DBR或DBR+金属；
步骤十三，裂片、测试、分选等。
综上所述，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (10)

1.一种LED器件结构，其特征在于：所述LED器件结构包括：
半导体衬底，从下至上依次形成在半导体衬底上的N型半导体材料层、发光层和P型半导体材料层，所述P型半导体材料层和所述发光层中形成有开口以暴露出部分所述N型半导体材料层，所述P型半导体材料层上形成有P-电极，所述N型半导体材料层上形成有N-电极；
所述P-电极和所述N-电极互相分离，且均分别包括绝缘层、透明导电层和金属层，所述绝缘层位于所述P型半导体材料层和所述N型半导体材料层上，所述透明导电层位于所述绝缘层、所述P型半导体材料层和所述N型半导体材料层上，所述金属层位于所述透明导电层上，所述金属层包括互相连接的P-块形金属电极部和P-线形金属电极部与互相连接的N-块形金属电极部和N-线形金属电极部；
所述N-线形金属电极部自所述N-块形金属电极部起朝所述P-块形金属电极部的方向延伸，所述N-电极的绝缘层位于所述N-线形金属电极部的正下方；
所述N-电极的绝缘层为至少两个分离的子绝缘层，且所述N-线形金属电极部正下方的子绝缘层的宽度大于所述N-线形金属电极部的宽度；所述N-线形金属电极部将施加于N-块形金属电极部的电压产生的电流引入到接近所述P-线形金属电极部的区域。
2.根据权利要求1所述的LED器件结构，其特征在于：所述P型半导体材料层为P型GaN层，所述N型半导体材料层为N型GaN层，所述发光层为P型GaN层和N型GaN层之间的量子阱。
3.根据权利要求1所述的LED器件结构，其特征在于：所述N-线形金属电极部正下方包括2～5段互相分离的子绝缘层。
4.根据权利要求1所述的LED器件结构，其特征在于：所述子绝缘层的长度为100μm～150μm。
5.根据权利要求1所述的LED器件结构，其特征在于：相邻两所述子绝缘层的间距为10μm～100μm。
6.根据权利要求1所述的LED器件结构，其特征在于：所述P-线形金属电极部自所述P-块形金属电极部起朝所述N-块形金属电极部的方向延伸。
7.根据权利要求1所述的LED器件结构，其特征在于：所述绝缘层的材质为氧化硅或氮化硅。
8.根据权利要求7所述的LED器件结构，其特征在于：所述绝缘层的厚度为
9.根据权利要求1所述的LED器件结构，其特征在于：所述透明导电层的材质为氧化铟锡。
10.根据权利要求1所述的LED器件结构，其特征在于：一所述P-块形金属电极部连接有至少两条所述P-线形金属电极部，一所述N-块形金属电极部连接一所述N-线形金属电极部。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6380011B2 (ja) * 2014-10-31 2018-08-29 日亜化学工業株式会社 発光素子及びその製造方法
JP6928575B2 (ja) * 2016-04-18 2021-09-01 ソウル バイオシス カンパニー リミテッドＳｅｏｕｌ Ｖｉｏｓｙｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 高効率発光ダイオード
CN109545934B (zh) * 2018-12-20 2020-05-19 湘能华磊光电股份有限公司 微孔型led电极结构及其制备方法
CN110112274B (zh) * 2019-05-22 2020-07-28 厦门乾照光电股份有限公司 垂直结构芯片及制作方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101237013A (zh) * 2007-02-01 2008-08-06 日亚化学工业株式会社 半导体发光元件
CN103081139A (zh) * 2010-08-23 2013-05-01 首尔Opto仪器股份有限公司 发光二极管

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3675003B2 (ja) * 1995-10-27 2005-07-27 昭和電工株式会社 半導体発光素子
JP2014500624A (ja) * 2010-11-18 2014-01-09 ソウル バイオシス カンパニー リミテッド 電極パッドを有する発光ダイオードチップ

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101237013A (zh) * 2007-02-01 2008-08-06 日亚化学工业株式会社 半导体发光元件
CN103081139A (zh) * 2010-08-23 2013-05-01 首尔Opto仪器股份有限公司 发光二极管

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