CN103280499B - 发光二极管芯片及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种发光二极管芯片及其制造方法，该方法首先将基板制备到Mesa刻蚀，然后沉积光反射层，并对所述光反射层进行刻蚀，在所述P型半导体层上形成P电极区光反射层及P电极引线区光反射层、在所述凹陷区域的N型半导体层上形成N电极区光反射层及N电极引线区光反射层，然后进行退火处理；最后制作透明电极、P电极、N电极、P电极引线及N电极引线。本发明的发光二极管芯片及其制造方法在P电极、N电极、P电极引线及N电极引线底部区域设有光反射层，该光反射层可以将发光层到达电极区域的光反射回去，再传导到其它区域发射出去，防止发射到电极区域的光被电极及电极引线吸收掉，从而提高了发光二极管的出光效率，提高芯片的亮度。

Description

发光二极管芯片及其制造方法

技术领域

本发明属于半导体发光器件领域，涉及一种发光二极管芯片及其制造方法。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，LED)是一种将电能转化为光能的电子器件，可以通过采用不同的化合物半导体材料使其波长可以覆盖整个可视光区及部分红外和紫外波段。LED具有节能、绿色环保、寿命长、重量轻、体积小、效率高、耐振动、响应时间快、色彩鲜明和辨识性优等优点，在交通指示、户外全色显示等领域有着广泛的应用。尤其是利用大功率发光二极管可能实现半导体固态照明，引起人类照明史的革命,从而逐渐成为目前电子学领域的研究热点。为了获得高亮度的LED，关键要提高器件的内量子效率和外量子效率。目前，芯片光提取效率是限制器件外量子效率的主要因素，其主要原因是外延材料、衬底材料以及空气之间的折射率差别较大，导致有源区产生的光在不同折射率材料界面发生全反射而不能导出芯片。

目前已经提出了几种提高芯片光提取效率的方法,主要包括：改变芯片的几何外形，减少光在芯片内部的传播路程，降低光的吸收损耗，如采用倒金字塔结构；控制和改变自发辐射，通常采用谐振腔或光子晶体等结构；采用表面粗糙方法，使光在粗糙的半导体和空气界面发生漫射，增加其投射的机会等。随着亮度要求不断的提高，现有技术已不能满足要求。

鉴于此，实有必要提供一种提高芯片亮度的方法，以制备出一种高效出光发光二极管芯片。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种发光二极管芯片及其制造方法，用于解决现有技术中发光二极管芯片亮度不高的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种发光二极管芯片的制造方法，所述发光二极管芯片的制造方法至少包括以下步骤：

1)提供一基板，所述基板自下而上依次包括衬底、N型半导体层、发光层及P型半导体层；

2)对所述基板进行部分刻蚀，在所述基板中形成一凹陷区域，所述凹陷区域底部到达所述N型半导体层中；

3)在步骤2)形成的结构上沉积光反射层，并对所述光反射层进行刻蚀，在所述P型半导体层上形成P电极区光反射层、在所述凹陷区域的N型半导体层上形成N电极区光反射层，然后进行退火处理；

4)在其余P型半导体层及所述P电极区光反射层上形成透明导电层，所述透明导电层覆盖所述P电极区光反射层；

5)在所述透明导电层上制作P电极及P电极引线，在所述凹陷区域的N型半导体层上制作N电极及N电极引线；所述P电极与所述P电极区光反射层相对，所述N电极覆盖所述N电极区光反射层并与N型半导体层接触。

可选地，所述P电极与所述P电极区光反射层在水平面上的投影面积百分比为x₁，其中80％≤x₁≤190％，所述N电极区光反射层与所述N电极在水平面上的投影面积百分比为y₂，其中50％≤y₂≤80％。

可选地，于所述步骤3)中沉积光反射层之后、进行退火处理之前，还包括在所述P型半导体层上形成P电极引线区光反射层、在所述凹陷区域的N型半导体层上形成N电极引线区光反射层的步骤；于所述步骤5)中，所述P电极引线与所述P电极区光反射层相对，所述N电极引线与所述N电极连接的前段部分形成于所述N电极区光反射层上，后段部分形成于所述N型半导体层上。

可选地，所述P电极引线与所述P电极引线区光反射层在水平面上的投影面积百分比为x₂，其中80％≤x₂≤190％；位于所述N电极引线区光反射层上的N电极引线与所述N电极引线区光反射层在水平面上的投影面积百分比为y₁，其中50％≤y₁≤80％。

可选地，所述光反射层的厚度范围是600～8000埃。

可选地，所述退火处理的温度范围是300～600℃，时间范围是5～30min，气氛为氮气或氧气。

可选地，所述光反射层的材料为SiO₂或Si₃N₄。

本发明还提供一种发光二极管芯片，所述发光二极管芯片至少包括基板，所述基板自下而上依次包括衬底、N型半导体层、发光层及P型半导体层；所述基板上形成有一底部到达所述N型半导体层中的凹陷区域；所述P型半导体层上形成有P电极区光反射层；所述凹陷区域内的N型半导体层上形成有N电极区光反射层；所述P电极区光反射层以及其余P型半导体层上覆盖有透明导电层；所述透明导电层上形成有P电极及P电极引线；所述P电极与所述P电极区光反射层相对；所述N电极区光反射层上设有N电极，所述N电极覆盖所述N电极区光反射层并与所述N型半导体层接触，所述N电极连接有N电极引线。

可选地，所述透明导电层内还形成有P电极引线区光反射层，所述P电极引线区光反射层与所述P型半导体层接触；所述P电极引线区光反射层与所述P电极引线相对；所述N电极引线与所述N电极接触的前段部分下方形成有N电极引线区光反射层，所述N电极引线区光反射层与所述N型半导体层接触。

可选地，所述P电极与所述P电极区光反射层在水平面上的投影面积百分比为x₁，其中80％≤x₁≤190％，所述N电极区光反射层与所述N电极在水平面上的投影面积百分比为y₂，其中50％≤y₂≤80％。

如上所述，本发明的发光二极管芯片及其制造方法，具有以下有益效果：P电极、N电极、P电极引线及N电极引线底部区域设有光反射层，该光反射层可以将发光层到达电极区域的光反射回去，再传导到其它区域发射出去，防止发射到电极区域的光被电极及电极引线吸收掉，从而提高了发光二极管的出光效率，提高芯片的亮度。

附图说明

图1显示为本发明的发光二极管芯片的制造方法中基板的剖面示意图。

图2显示为本发明的发光二极管芯片的制造方法中在基板中形成凹陷区域的示意图。

图3显示为本发明的发光二极管芯片的制造方法中沉积光反射层的示意图。

图4显示为本发明的发光二极管芯片的制造方法中对光反射层进行刻蚀形成P电极区光反射层及N电极区光反射层的示意图。

图5显示为本发明的发光二极管芯片的制造方法中形成透明导电层的示意图。

图6显示为本发明的发光二极管芯片的剖面示意图。

图7显示为本发明的发光二极管芯片在实施例一中的俯视图。

图8显示为本发明的发光二极管芯片在实施例二中的俯视图。

元件标号说明

1 基板

11 衬底

12 N型半导体层

13 发光层

14 P型半导体层

15 凹陷区域

2 光反射层

21 P电极区光反射层

22 N电极区光反射层

23 P电极引线区光反射层

24 N电极引线区光反射层

3 透明导电层

4 P电极

5 N电极

6 P电极引线

7 N电极引线

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。

实施例一

请参阅图1至图8。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。

本发明提供一种发光二极管芯片的制造方法，所述发光二极管芯片的制造方法至少包括以下步骤：

步骤1)，请参阅图1，提供一基板1，所述基板自下而上依次包括衬底11、N型半导体层12、发光层13及P型半导体层14；

具体的，所述衬底11可以是蓝宝石衬底，也可以是其它半导体衬底。所述N型半导体层12为N-GaN层，所述发光层13为多重量子阱，其材料可为In掺杂的GaN，所述P型半导体层14为P-GaN层。

步骤2)，请参阅图2，对所述基板1进行部分刻蚀，在所述基板1中形成一凹陷区域15，所述凹陷区域15底部到达所述N型半导体层12中；

具体的，采用常规的MESA(平台)刻蚀在所述基板1中形成所述凹陷区域15，所述N型半导体层12部分被刻蚀掉。

步骤3)，先请参阅图3，在步骤2)形成的结构上沉积光反射层2，再请参阅图4，对所述光反射层2进行刻蚀，在所述P型半导体层14上形成P电极区光反射层21、在所述凹陷区域15的N型半导体层12上形成N电极区光反射层22，然后进行退火处理；

具体的，所述光反射层2的材料为SiO₂或Si₃N₄，本实施例中，所述光反射层2的材料优选为SiO₂，所述光反射层2的厚度范围是600～8000埃。采用BOE(Buffered Oxide Etch)腐蚀工艺，将P电极区域及N电极区域的SiO₂保留下来。

具体的，所述退火处理的温度范围是300～600℃，时间范围是5～30min，气氛为氮气或氧气。退火处理的目的是为了提高P电极区光反射层21及N电极区光反射层22的粘附性，并改变其折射率，使得光更容易被反射回来。

步骤4)，请参阅图5，在其余P型半导体层14及所述P电极区光反射层21上形成透明导电层3，所述透明导电层3覆盖所述P电极区光反射层21；

具体的，所述透明导电层3的材料可为常规的ITO(Indium Tin Oxide(In₂O₃+SnO₂))，所述透明导电层3作为透明电极。在沉积所述透明导电层3之后通常还包括常规的透明电极刻蚀，此为本领域的公知常识，此处不再赘述。

步骤5)，请参阅图6，在所述透明导电层3上制作P电极4及P电极引线(未图示，可参见后续俯视图)，在所述凹陷区域15的N型半导体层12上制作N电极5及N电极引线(未图示，可参见后续俯视图)；所述P电极4与所述P电极区光反射层21相对，所述N电极5覆盖所述N电极区光反射层22并与N型半导体层12接触。

具体的，所述P电极4及N电极5为金属电极，本实施例中，所述为P电极4及N电极5均为Cr/Pt/Au三层结构。所述P电极引线及N电极引线的材料亦为金属。

具体的，所述P电极4与所述P电极区光反射层21在水平面上的投影面积百分比为x₁，其中80％≤x₁≤190％，所述N电极区光反射层22与所述N电极5在水平面上的投影面积百分比为y₂，其中50％≤y₂≤80％。即所述P电极区光反射层21面积既可大于也可小于所述P电极4的面积(相对面)，本实施例中，所述P电极区光反射层21的面积优选为大于所述P电极4的面积，更有利于电流扩散。而所述N电极区光反射层22的面积要小于所述N电极的面积，所述N电极5覆盖所述N电极区光反射层22的同时还有部分与N型半导体层12接触，从而保证导电性。

请参阅图7，显示为利用本发明的发光二极管芯片的制作方法制作出的发光二极管芯片的俯视图。本实施例中，所述P电极引线6为一根，所述N电极引线7为两根。需要指出的是，图7侧重显示了P电极4、P电极区光反射层21、N电极5及N电极区光反射层22的相对位置，而对于其余部分的细节并没有详细展示，所述P电极引线6及N电极引线7的数量根据器件大小等因素可有所调整，此处特别说明，不应过分限制本专利的保护范围。

本发明还提供一种发光二极管芯片，请参阅图6，显示为本发明的发光二极管芯片的剖面示意图，所述发光二极管芯片至少包括基板，所述基板自下而上依次包括衬底11、N型半导体层12、发光层13及P型半导体层14；所述基板上形成有一底部到达所述N型半导体层12中的凹陷区域；所述P型半导体层14上形成有P电极区光反射层21；所述凹陷区域内的N型半导体层12上形成有N电极区光反射层22；所述P电极区光反射层21以及其余P型半导体层14上覆盖有透明导电层3；所述透明导电层3上形成有P电极4及P电极引线(图6中未显示)；所述P电极4与所述P电极区光反射层21相对；所述N电极区光反射层22上设有N电极5，所述N电极5覆盖所述N电极区光反射层22并与所述N型半导体层12接触，所述N电极5连接有N电极引线(图6中未显示)。

具体的，所述光反射层2的材料为SiO₂或Si₃N₄，所述光反射层2的厚度范围是600～8000埃。所述P电极与所述P电极区光反射层在水平面上的投影面积百分比为x₁，其中80％≤x₁≤190％，所述N电极区光反射层与所述N电极在水平面上的投影面积百分比为y₂，其中50％≤y₂≤80％。请参阅图7，显示为本发明的发光二极管芯片的俯视图。

本发明的发光二极管芯片及其制作方法在P电极及N电极底部区域设有光反射层，该光反射层可以将发光层发射的到达电极区域的光反射回去，再传导到其它区域发射出去，防止发射到电极区域的光被电极吸收掉，从而提高了发光二极管的出光效率，提高芯片的亮度。

实施例二

请参阅图8，本实施例采用与实施例一基本相同的方案，不同之处在于光反射层的设置不同。在实施例一中，只有P电极及N电极底部区域设有光反射层，而本实施例中，P电极、N电极、P电极引线及N电极引线底部区域均设有光反射层，可以进一步提高芯片的出光效率。

本发明提供一种发光二极管芯片的制造方法，所述发光二极管芯片的制造方法至少包括以下步骤：

步骤1)，提供一基板1，所述基板自下而上依次包括衬底11、N型半导体层12、发光层13及P型半导体层14；

具体的，所述衬底11可以是蓝宝石衬底，也可以是其它半导体衬底。所述N型半导体层12为N-GaN层，所述发光层13为多重量子阱，其材料可为In掺杂的GaN。所述P型半导体层14为P-GaN层。

步骤2)，对所述基板1进行部分刻蚀，在所述基板1中形成一凹陷区域15，所述凹陷区域15底部到达所述N型半导体层12中；

具体的，采用常规的MESA(平台)刻蚀在所述基板1中形成所述凹陷区域15，所述N型半导体层12部分被刻蚀掉。

步骤3)，在步骤2)形成的结构上沉积光反射层2，然后对所述光反射层2进行刻蚀，在所述P型半导体层14上形成P电极区光反射层21及P电极引线区光反射层23、在所述凹陷区域15的N型半导体层12上形成N电极区光反射层22及N电极引线区光反射层24，再进行退火处理；

具体的，所述光反射层2的材料为SiO₂或Si₃N₄，本实施例中，所述光反射层2的材料优选为SiO₂，所述光反射层2的厚度范围是600～8000埃。采用BOE(Buffered Oxide Etch)腐蚀工艺，将P电极区域及N电极区域的SiO₂保留下来。

具体的，所述退火处理的温度范围是300～600℃，时间范围是5～30min，气氛为氮气或氧气。退火处理的目的是为了提高P电极区光反射层21、N电极区光反射层22、P电极引线区光反射层23及N电极引线区光反射层24的粘附性，并改变其折射率，使得光更容易被反射回来。

步骤4)，请参阅图5，在其余P型半导体层14及所述P电极区光反射层21上形成透明导电层3，所述透明导电层3覆盖所述P电极区光反射层21；

具体的，所述透明导电层3的材料可为常规的ITO(Indium Tin Oxide(In₂O₃+SnO₂))，所述透明导电层3作为透明电极。在沉积所述透明导电层3之后通常还包括常规的透明电极刻蚀，此为本领域的公知常识，此处不再赘述。

步骤5)，在所述透明导电层3上制作P电极4及P电极引线6，所述P电极引线6连接于所述P电极4，在所述凹陷区域15的N型半导体层12上制作N电极5及N电极引线7，所述N电极引线7连接于所述N电极5；所述P电极4与所述P电极区光反射层21相对，所述N电极5覆盖所述N电极区光反射层22并与N型半导体层12接触，所述P电极引线6与所述P电极区光反射层23相对，所述N电极引线7与所述N电极连接的前段部分形成于所述N电极区光反射层24上，后段部分形成于所述N型半导体层12上。

具体的，所述P电极4及N电极5为金属电极，本实施例中，所述为P电极4及N电极5均为Cr/Pt/Au三层结构。所述P电极引线及N电极引线的材料亦为金属。

具体的，所述P电极4与所述P电极区光反射层21在水平面上的投影面积百分比为x₁，其中80％≤x₁≤190％，所述N电极区光反射层22与所述N电极5在水平面上的投影面积百分比为y₂，其中50％≤y₂≤80％。即所述P电极区光反射层21面积既可大于也可小于所述P电极4的面积(相对面)，本实施例中，所述P电极区光反射层21面积优选为大于所述P电极4的面积，更有利于电流扩散。而所述N电极区光反射层22的面积要小于所述N电极的面积，所述N电极5覆盖所述N电极区光反射层22的同时还有部分与N型半导体层12接触，从而保证导电性。

具体的，所述P电极引线与所述P电极引线区光反射层在水平面上的投影面积百分比为x₂，其中80％≤x₂≤190％；位于所述N电极引线区光反射层上的N电极引线与所述N电极引线区光反射层在水平面上的投影面积百分比为y₁，其中50％≤y₁≤80％。

所述N电极引线7与所述N电极5连接的前段部分形成于所述N电极区光反射层24上，后段部分形成于所述N型半导体层12上的目的是为了将电流引导到N电极引线7的顶端(前段部分)，更有利于电流的扩散，使得电流分布更均匀。

请参阅图8，显示为利用本发明的发光二极管芯片的制作方法制作出的发光二极管芯片的俯视图。本实施例中，所述P电极引线6为一根，所述N电极引线7为两根。需要指出的是，图8侧重显示了P电极4、P电极引线6、P电极区光反射层21、P电极引线区光反射层23、N电极5、N电极引线7、N电极区光反射层22、N电极引线区光反射层24的相对位置，而对于其余部分的细节并没有详细展示，所述P电极引线6及N电极引线7的数量根据器件大小等因素可有所调整，此处特别说明，不应过分限制本专利的保护范围。对于一个电极连接多根电极引线的情况，可在其中至少一根电极引线底部区域设置光反射层，本实施例中，所述N电极引线7为两根，本实施例中在其中较长的一根底部区域设置了光反射层，在其它实施例中，也可以在每根电极引线底部区域均设置光反射层。

本发明还提供一种发光二极管芯片，所述发光二极管芯片至少包括基板，所述基板自下而上依次包括衬底11、N型半导体层12、发光层13及P型半导体层14；所述基板上形成有一底部到达所述N型半导体层12中的凹陷区域；所述P型半导体层14上形成有P电极区光反射层21及P电极引线区光反射层23；所述凹陷区域内的N型半导体层12上形成有N电极区光反射层22及N电极引线区光反射层24；所述P电极区光反射层21、P电极引线区光反射层23以及其余P型半导体层14上覆盖有透明导电层3，即所述透明导电层内还形成有P电极引线区光反射层，所述P电极引线区光反射层与所述P型半导体层接触；所述透明导电层3上形成有P电极4及P电极引线；所述P电极4与所述P电极区光反射层21相对，所述P电极引线区光反射层与所述P电极引线相对；所述N电极区光反射层22上设有N电极5，所述N电极5覆盖所述N电极区光反射层22并与所述N型半导体层12接触，所述N电极5连接有N电极引线，所述N电极引线与所述N电极接触的前段部分形成于所述N电极引线区光反射层上，后段部分与所述N型半导体层接触。

具体的，所述光反射层2的材料为SiO₂或Si₃N₄，所述光反射层2的厚度范围是600～8000埃。所述P电极与所述P电极区光反射层在水平面上的投影面积百分比为x₁，其中80％≤x₁≤190％，所述N电极区光反射层与所述N电极在水平面上的投影面积百分比为y₂，其中50％≤y₂≤80％。请参阅图7，示为本发明的发光二极管芯片的俯视图。

请参阅表1，显示为本发明的发光二极管芯片样品与常规样品(P、N电极及引线底部区域无光反射层)的性能对比。可见，本发明的发光二极管芯片能够提高6.46％的亮度

表1

本发明的发光二极管芯片及其制作方法在P电极、N电极、P电极引线及N电极引线底部区域均设有光反射层，该光反射层可以将发光层发射的到达电极区域的光反射回去，再传导到其它区域发射出去，防止发射到电极区域的光被电极及电极引线吸收掉，从而提高了发光二极管的出光效率，提高芯片的亮度。

综上所述，本发明的发光二极管芯片及其制作方法采取在P电极、N电极、P电极引线及N电极引线底部区域设置光反射层的技术手段，将原本会被P、N电极及P、N电极引线吸收的光开发出来，达到提高芯片亮度的目的，并且本发明的发光二极管芯片及其制作方法中，所述N电极引线只有前段部分形成于所述N电极区光反射层上，N电极区光反射层不导电，有利于将电流引导到N电极引线的顶端(前段部分)，更有利于电流的扩散，使得芯片电流分布更均匀，提升芯片性能。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。

上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (8)

1.一种发光二极管芯片的制造方法，其特征在于，所述发光二极管芯片的制造方法至少包括以下步骤：

1)提供一基板，所述基板自下而上依次包括衬底、N型半导体层、发光层及P型半导体层；

2)对所述基板进行部分刻蚀，在所述基板中形成一凹陷区域，所述凹陷区域底部到达所述N型半导体层中；

3)在步骤2)形成的结构上沉积光反射层，并对所述光反射层进行刻蚀，在所述P型半导体层上形成P电极区光反射层及P电极引线区光反射层、在所述凹陷区域的N型半导体层上形成N电极区光反射层及N电极引线区光反射层，然后进行退火处理；

4)在其余P型半导体层、所述P电极区光反射层及所述P电极引线区光反射层上形成透明导电层，所述透明导电层覆盖所述P电极区光反射层及所述P电极引线区光反射层；

5)在所述透明导电层上制作P电极及P电极引线，在所述凹陷区域的N型半导体层上制作N电极及N电极引线；所述P电极与所述P电极区光反射层相对，所述P电极引线与所述P电极引线区光反射层相对；所述N电极覆盖所述N电极区光反射层并与N型半导体层接触，所述N电极引线与所述N电极连接的前段部分形成于所述N电极引线区光反射层上，后段部分形成于所述N型半导体层上；位于所述N电极引线区光反射层上的N电极引线与所述N电极引线区光反射层在水平面上的投影面积百分比为y₁，其中50％≤y₁≤80％。

2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片的制造方法，其特征在于：所述P电极与所述P电极区光反射层在水平面上的投影面积百分比为x₁，其中80％≤x₁≤190％，所述N电极区光反射层与所述N电极在水平面上的投影面积百分比为y₂，其中50％≤y₂≤80％。

3.根据权利要求1所述的发光二极管芯片的制造方法，其特征在于：所述P电极引线与所述P电极引线区光反射层在水平面上的投影面积百分比为x₂，其中80％≤x₂≤190％。

4.根据权利要求1至3任意一项所述的发光二极管芯片的制造方法，其特征在于：所述光反射层的厚度范围是600～8000埃。

5.根据权利要求1至3任意一项所述的发光二极管芯片的制造方法，其特征在于：所述退火处理的温度范围是300～600℃，时间范围是5～30min，气氛为氮气或氧气。

6.根据权利要求1至3任意一项所述的发光二极管芯片的制造方法，其特征在于：所述光反射层的材料为SiO₂或Si₃N₄。

7.一种发光二极管芯片，其特征在于：所述发光二极管芯片至少包括基板，所述基板自下而上依次包括衬底、N型半导体层、发光层及P型半导体层；所述基板上形成有一底部到达所述N型半导体层中的凹陷区域；所述P型半导体层上形成有P电极区光反射层及P电极引线区光反射层；所述凹陷区域内的N型半导体层上形成有N电极区光反射层及N电极引线区光反射层；所述P电极区光反射层、P电极引线区光反射层以及其余P型半导体层上覆盖有透明导电层；所述透明导电层上形成有P电极及P电极引线；所述P电极与所述P电极区光反射层相对，所述P电极引线与所述P电极引线区光反射层相对；所述N电极区光反射层上设有N电极，所述N电极覆盖所述N电极区光反射层并与所述N型半导体层接触，所述N电极连接有N电极引线，所述N电极引线与所述N电极接触的前段部分形成于所述N电极引线区光反射层上，后段部分形成于所述N型半导体层上；位于所述N电极引线区光反射层上的N电极引线与所述N电极引线区光反射层在水平面上的投影面积百分比为y₁，其中50％≤y₁≤80％。

8.根据权利要求7所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述P电极与所述P电极区光反射层在水平面上的投影面积百分比为x₁，其中80％≤x₁≤190％，所述N电极区光反射层与所述N电极在水平面上的投影面积百分比为y₂，其中50％≤y₂≤80％。