CN104465895B - Led芯片及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种LED芯片及其制作方法，所述LED芯片的制作方法至少包括以下步骤：1）提供一透光衬底，在所述透光衬底上自下而上依次形成缓冲层、N型半导体层、发光层及P型半导体层；2）对步骤1）获得的结构周围进行刻蚀，形成第一台阶，所述第一台阶底面到达所述N型半导体层中；3）在所述P型半导体层上形成一反射层；4）在所述反射层上形成P电极层，在所述第一台阶底面上形成N电极层，得到LED芯片。本发明中N电极层形成于LED芯片外围一周，P电极层形成于LED芯片中间并被所述N电极层所环绕，此种结构更有利于电流的均匀扩散，提高发光效率；且LED芯片可直接封装在支架上，制备简单，更有利于芯片的散热，提高芯片的寿命。
Description
技术领域
本发明属于半导体发光器件领域，涉及一种LED芯片及其制作方法。
背景技术
发光二极管（Light Emitting Diode，简称LED）是一种半导体发光器件，利用半导体P-N结电致发光原理制成。氮化镓(GaN)基化合物为直接带隙宽禁带半导体，其带隙从1.8-6.2eV连续可调，并且具有很高的击穿电压，因而被广泛应用于高亮度蓝绿光发光二极管、蓝紫光激光二极管(LD，Laser Diode)和高电子迁移率场效应晶体管(HEMT，HighElectron Mobility Transistor)。近年来，高亮度蓝绿光LED发展迅速，已成为全彩色高亮度大型户外显示屏、交通信号灯等必需的发光器件，同时，由蓝光LED激发黄色荧光粉制作的白光LED已大量应用于背光源、汽车照明等领域，并在固体照明光源领域显示了巨大的应用潜力。LED由于能耗低，体积小、寿命长，稳定性好，响应快，发光波长稳定等好的光电性能，目前已经在照明、家电、显示屏、指示灯等领域有很好的应用。
传统的LED器件制备工艺已经日渐成熟，热阻高、光效低、封装后电极引线阻挡发光、抗静电能力差成为了行业内的四大难题。倒装焊技术是把一个LED芯片和一个基片结合在一起，芯片的电极引线做在芯片下面与基片连在一起，封装过程中基片连接支架（或者导电基板），LED发出的光线从正面发出，电极引线不阻挡光线，量子阱层（MQW）更贴近基板有利于散热，可以缓解上述的难点。传统的倒装焊LED芯片与基板连接的方式为：LED芯片的P电极与N电极通过导电胶如银胶等分别与基板上隔断的导电层连接，封装时再将该结构连接在支架上。由于传统倒装焊技术需要芯片和封装支架之间添加一个基板，基板的添加制备复杂，技术难点多，具有吸收光线、散热不理想等缺点。并且传统LED芯片由于结构的限制，电流扩散均匀度不能达到理想效果。
因此，提供一种新型LED芯片及其制备方法以解决LED芯片电流扩散不均匀性问题及正装LED芯片衬底散热差且电极引线阻挡光线、传统覆晶LED芯片工艺复杂且散热不理想的问题实属必要。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一LED芯片及其制作方法，用于解决现有技术中LED芯片电流扩散均匀度达不到理想效果、正装LED芯片衬底散热差且电极引线阻挡光线、传统覆晶LED芯片工艺复杂且散热不理想的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种LED芯片的制作方法，所述LED芯片的制作方法至少包括以下步骤：
1）提供一透光衬底，在所述透光衬底上自下而上依次形成缓冲层、N型半导体层、发光层及P型半导体层；
2）对步骤1）获得的结构周围进行刻蚀，形成第一台阶，所述第一台阶底面到达所述N型半导体层中；
3）在所述P型半导体层上形成一反射层；
4）在所述反射层上形成P电极层，在所述第一台阶底面上形成N电极层，得到LED芯片；所述N电极层环绕所述P电极层一圈形成闭合图形。
可选地，于所述步骤3）中，首先在所述P型半导体层上形成一透明导电层，再在所述透明导电层上形成所述反射层。
可选地，所述反射层的材料包括Ag或Al中的至少一种。
可选地，形成所述反射层之后，在所述反射层中形成至少一个通孔，形成所述P电极层时，所述通孔被所述P电极层填充满。
可选地，所述反射层的材料包括SiO2、Al2O3、Ag或Al中的至少一种。
可选地，所述透明导电薄膜的材料包括ITO或AZO。
可选地，所述P电极层和N电极层的材料包括Cr、Pt、Au、Ti、Al、或Sn中的至少一种。
可选地，该方法还包括提供一支架，将所述LED芯片倒装焊接在该支架上的步骤；所述倒装焊接采用共晶焊。
本发明还提供一种LED芯片，所述LED芯片至少包括一透光衬底，所述透光衬底上自下而上依次形成有缓冲层、N型半导体层、发光层及P型半导体层；所述P型半导体层周围向下凹陷形成第一台阶，所述第一台阶底面到达所述N型半导体层中；所述P型半导体层上形成有一反射层；所述反射层上形成有P电极层，所述第一台阶底面上形成有N电极层；所述N电极层环绕所述P电极层一圈形成闭合图形。
可选地，所述P型半导体层与所述反射层之间形成有透明导电层。
可选地，所述反射层中设有至少一个通孔，所述通孔被所述P电极层填满。
如上所述，本发明的LED芯片及其制作方法，具有以下有益效果：通过优化倒装薄膜芯片（Thin-Film Flip-Chip）的设计，使得芯片中电流扩散更均匀，提高发光效率；LED芯片与封装支架之间可以无需额外使用基板连接，LED芯片可直接封装在支架上，制备简单；同时将LED芯片直接封装，芯片发光层更接近封装支架的良导热层，更有利于芯片的散热，提高芯片的寿命；电极及电极引线不会阻挡或吸收LED芯片发出的光，且LED芯片中采用的反射层对各个波长、入射角度的光具有高反射率，可以极大提高LED芯片的发光效率。
附图说明
图1显示为本发明的LED芯片的制作方法中在透光衬底上依次形成缓冲层、N型半导体层、发光层及P型半导体层后的剖面结构示意图。
图2显示为本发明LED芯片的制作方法中形成第一台阶后的剖面结构示意图。
图3显示为图2所示结构的俯视示意图。
图4显示为本发明LED芯片的制作方法中在P型半导体层上形成反射层后的剖面结构示意图。
图5显示为本发明LED芯片的制作方法中形成P电极层及N电极层后的剖面结构示意图。
图6显示为图5所示结构的俯视示意图。
图7显示为本发明LED芯片的制作方法中将透光衬底剥离后的剖面结构示意图。
图8显示为本发明LED芯片的制作方法中将透光衬底减薄后的剖面结构示意图。
图9显示为本发明的LED芯片在实施例一中倒装时的剖面结构示意图。
图10显示为本发明LED芯片的制作方法中将透光衬底图形化后剖面结构示意图。
图11显示为支架的剖面结构示意图。
图12显示为本发明的LED芯片在实施例一中倒装焊接在支架上时的剖面结构示意图。
图13显示为本发明LED芯片的制作方法中首先在P型半导体层上形成透明导电层，再在透明导电层上形成反射层的剖面结构示意图。
图14显示为本发明LED芯片在实施例二中倒装时的结构示意图。
图15显示为本发明的LED芯片在实施例二中倒装焊接在支架上时的剖面结构示意图。
图16显示为本发明LED芯片的制作方法中在反射层中形成至少一个通孔后的剖面结构示意图。
图17显示为图16所示结构的俯视示意图。
图18显示为本发明的LED芯片的制作方法中形成P电极层及N电极层，且P电极层填充满通孔的剖面结构示意图。
图19显示为本发明的LED芯片在实施例三中倒装时的结构示意图。
图20显示为本发明的LED芯片在实施例三中倒装焊接在支架上时的剖面结构示意图。
元件标号说明
1 透光衬底
2 缓冲层
3 N型半导体层
4 发光层
5 P型半导体层
6 第一台阶
7 反射层
8 P电极层
9 N电极层
10 支架侧边
11 P电极导电层
12 N电极导电层
13 引出端
14 引线
15 透明导电层
16 通孔
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅图1至图20。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
实施例一
本发明提供一种LED芯片的制作方法，所述LED芯片的制作方法至少包括以下步骤：
1）提供一透光衬底，在所述透光衬底上自下而上依次形成缓冲层、N型半导体层、发光层及P型半导体层；
2）对步骤1）获得的结构周围进行刻蚀，形成第一台阶，所述第一台阶底面到达所述N型半导体层中；
3）在所述P型半导体层上形成一反射层；
4）在所述反射层上形成P电极层，在所述第一台阶底面上形成N电极层，得到LED芯片；所述N电极层环绕所述P电极层一圈形成闭合图形。
图1至图12为本发明一个实施例的LED芯片及其制作方法，所述示意图只是实例，在此不应过度限制本发明保护的范围。
请参阅图1，执行步骤1），提供一透光衬底1，在所述透光衬底1上自下而上依次形成缓冲层2、N型半导体层3、发光层4及P型半导体层5。
具体的，所述透光衬底1为正反两个表面透光的双抛衬底、单抛衬底、图形化衬底或平板衬底，所述透光衬底1的材料可以是蓝宝石或其它半导体材料，例如硅或SOI。所述缓冲层2为GaN材料，所述N型半导体层3为N型GaN层，所述发光层4为多重量子阱，其材料可为In掺杂的GaN，所述P型半导体层5为P型GaN层。
请参阅图2及图3，执行步骤2），对步骤1）获得的结构周围进行刻蚀，形成第一台阶6，所述第一台阶6底面到达所述N型半导体层2中。如图2所示，显示为刻蚀后的剖面结构示意图，图3显示为该结构的俯视示意图，所述台阶上表面为所述P型半导体层5表面，所述台阶下表面环绕一圈形成闭合图形。与传统的LED芯片只在芯片一角形成台阶不同，本发明的台阶环绕一圈形成闭合图形更有利于电流的均匀扩散，提高发光效率。
请参阅图4，执行步骤3），采用蒸镀等方法在所述P型半导体层5上形成一反射层7。
具体的，所述反射层7的材料包括但不限于Ag或Al中的至少一种，还可以是其他具有高反射性的导电金属。本实施例中，由于所述反射层7为Ag或Al等导电金属，其本身具有良好的电流扩散能力，因此可直接在所述P型半导体层5上形成所述反射层7，而不用在所述P型半导体层5上形成透明导电层如ITO等。所述反射层7可以使所述P型导电层5中注入均匀分布的电流，且对各个波长及入射角度皆可形成高反射率的全向反射镜（ODR），将入射到芯片底部的光线尽可能全部反射回去，从芯片表面出光，极大的提高器件的出光效率。所述反射层7的厚度范围是0.5～2微米，本实施例中，所述反射层7的厚度优选为0.9微米，薄的反射层更有利于器件的散热。
请参阅图5及图6，执行步骤4），利用光刻、蒸镀、剥离或者压印等方法，在所述反射层7上形成P电极层8，在所述第一台阶底面上形成N电极层9，得到LED芯片；所述N电极层9环绕所述P电极层8一圈形成闭合图形。
具体的，所述P电极层8和N电极层9的材料包括Cr、Pt、Au、Ti、Al、或Sn中的至少一种，本实施例中，所述P电极层8和N电极层9优选为Cr/Pt/Au叠层结构或Au/Sn叠层结构。所述N电极层9形成于LED芯片外围一周（如图6所示），所述发光层4、P型半导体层5、反射层7及P电极层9形成于LED芯片中部，更有利于电流的扩散，提高LED芯片的亮度。
形成LED芯片后，可采用激光剥离所述透光衬底1，或者采用物理研磨所述透光衬底1到一定的厚度从而减薄衬底，使产品出光光程尽可能短。请参阅图7及图8，其中图7显示为所述透光衬底1被剥离后的剖面结构示意图，图8显示为所述透光衬底1被减薄后的剖面结构示意图。
在后续的封装过程中，将LED芯片倒装，LED芯片发出的光不会被电极或电极引线阻挡。请参阅图9，显示为LED芯片倒装时的剖面结构示意图。
除了上述将所述透光衬底剥离或者减薄，后续还可以将所述透光衬底表面进行粗化或图形化，以提高芯片的亮度。请参阅图10，显示为将所述透光衬底1表面进行一种图形化后的剖面结构示意图，图形化后可使因逃逸锥的存在导致湮灭在芯片内部的光线更多的经过反射、折射发射出来，提高产品的出光效率。
在LED芯片封装时，提供一支架，将所述LED芯片倒装焊接在所述支架上。请参阅图11，显示为所述支架的剖面示意图，所述支架包括一对支架侧边10及连接一对所述支架侧边10的P电极导电层11，所述支架侧边10靠上的外置向外设置有N电极导电层12，可将所述P电极层8和N电极层9分别与支架的P电极导电层11及N电极导电层12通过共晶焊的方式焊接在一起，所述P电极导电层11及N电极导电层12的材料可为Cu等导电金属。所述反射层7通过若干微米的P电极层8与封装的导电基座相通，可以极大的提高芯片的散热效率，有效的改善大功率器件的热特性，从而有效提高LED器件的散热能力、发光效率与寿命。
本发明还提供一种LED芯片，请参阅图5及图6，所述LED芯片至少包括一透光衬底1，所述透光衬底1上自下而上依次形成有缓冲层2、N型半导体层3、发光层4及P型半导体层5；所述P型半导体层周围向下凹陷形成第一台阶，所述第一台阶底面到达所述N型半导体层中；所述P型半导体层5上形成有一反射层7；所述反射层7上形成有P电极层8，所述第一台阶底面上形成有N电极层9；所述N电极层9环绕所述P电极层8一圈形成闭合图形。
本发明的LED芯片相对于常规LED芯片热阻降低一半，由10K/W降到5K/W，芯片结晶温度由120℃降到100℃，芯片的亮度由100Lm/W(流明/瓦)提升到130Lm/W。
本发明的LED芯片中，所述N电极层形成于LED芯片外围一周，所述发光层、P型半导体层、反射层及P电极层形成于LED芯片中部，这种结构更有利于电流的均匀扩散，提高LED芯片的亮度。所述LED芯片可通过共晶焊的方法倒装焊接在支架上，LED芯片与封装支架之间可以无需额外使用基板连接，制备简单；同时将LED芯片直接封装，芯片发光层更接近封装支架的良导热层，更有利于芯片的散热，提高芯片的寿命；且LED芯片中采用的反射层对各个波长、入射角度的光具有高反射率，可以极大提高LED芯片的发光效率。
实施例二
本实施例与实施例一采用基本相同的方案，不同之处在于，实施例一中，直接在所述P型半导体层上形成反射层，而在本实施例中，首先在所述P型半导体层上形成一透明导电层，再在所述透明导电层上形成所述反射层。
本发明提供一种LED芯片的制作方法，所述LED芯片的制作方法至少包括以下步骤：
1）提供一透光衬底，在所述透光衬底上自下而上依次形成缓冲层、N型半导体层、发光层及P型半导体层；
2）对步骤1）获得的结构周围进行刻蚀，形成第一台阶，所述第一台阶底面到达所述N型半导体层中；
3）在所述P型半导体层上形成一透明导电层，再在所述透明导电层上形成一反射层；
4）在所述反射层上形成P电极层，在所述第一台阶底面上形成N电极层，得到LED芯片。
图13至图15为本发明一个实施例的LED芯片及其制作方法，所述示意图只是实例，在此不应过度限制本发明保护的范围。
首先执行步骤1）和步骤2），具体过程与实施例一中的步骤1）和步骤2）相类似，请参见相关部分阐述，此处不再赘述。
请参阅图13，然后执行步骤3)及步骤4），采用真空电子蒸镀法或溅射法等方法在所述P型半导体层5上形成一透明导电层15，再在所述透明导电层15上采用蒸镀等方法形成一反射层7，最后利用光刻、蒸镀、剥离或者压印等方法在所述反射层7上形成P电极层8，在所述第一台阶底面上形成N电极层9，得到LED芯片。
具体的，所述反射层7的材料包括Ag或Al中的至少一种，所述透明导电层15的材料包括ITO（Indium Tin Oxides，铟锡金属氧化物）或AZO（aluminum-doped zinc oxide，掺铝氧化锌）。所述透明导电层可以进一步提高电流的扩散能力。
请参阅图14，显示为所述LED芯片倒装时的剖面结构示意图，其中，所述透光衬底1通过机械研磨等方法进行过减薄，当然也可通过激光将所述透光衬底1完全剥离，还可以将所述透光衬底表面进行粗化或者图形化，与实施例一类似，此处不一一图示。
请参阅图15，显示为所述LED芯片倒装焊接在支架上的示意图，所述倒装焊接采用共晶焊。
本发明还提供一种LED芯片，请参阅图13，所述LED芯片至少包括一透光衬底1，所述透光衬底1上自下而上依次形成有缓冲层2、N型半导体层3、发光层4及P型半导体层5；所述P型半导体层周围向下凹陷形成第一台阶，所述第一台阶底面到达所述N型半导体层中；所述P型半导体层5上自下而上依次形成有一透明导电层15及一反射层7；所述反射层7上形成有P电极层8，所述第一台阶底面上形成有N电极层8；所述N电极层9环绕所述P电极层8一圈形成闭合图形。
本发明的LED芯片中，所述N电极层形成于LED芯片外围一周，所述发光层、P型半导体层、透明导电层、反射层及P电极层形成于LED芯片中部，这种结构更有利于电流的均匀扩散；所述透明导电层及所述反射层共同扩散电流，电流扩散能力进一步提高，能够提高LED芯片的亮度。所述LED芯片可通过共晶焊的方法倒装焊接在支架上，LED芯片与封装支架之间可以无需额外使用基板连接，制备简单；同时将LED芯片直接封装，芯片发光层更接近封装支架的良导热层，更有利于芯片的散热，提高芯片的寿命；且LED芯片中采用的反射层对各个波长、入射角度的光具有高反射率，可以极大提高LED芯片的发光效率。
实施例三
本实施例与实施例一采用基本相同的方案，不同之处在于，实施例一中，直接在所述P型半导体层上形成反射层，而在本实施例中，首先在所述P型半导体层上形成一透明导电层，然后在所述透明导电层上形成所述反射层，再在所述反射层层中形成至少一个通孔。
本发明提供一种LED芯片的制作方法，所述LED芯片的制作方法至少包括以下步骤：
1）提供一透光衬底，在所述透光衬底上自下而上依次形成缓冲层、N型半导体层、发光层及P型半导体层；
2）对步骤1）获得的结构周围进行刻蚀，形成第一台阶，所述第一台阶底面到达所述N型半导体层中；
3）在所述P型半导体层上形成一透明导电层，然后在所述透明导电层上形成反射层，再在所述反射层中形成至少一个通孔；
4）在所述反射层上形成P电极层，所述通孔被所述P电极层填充满；在所述第一台阶底面上形成N电极层，得到LED芯片。
图16至图20为本发明一个实施例的LED芯片及其制作方法，所述示意图只是实例，在此不应过度限制本发明保护的范围。
首先执行步骤1）和步骤2），具体过程与实施例一中的步骤1）和步骤2）相类似，请参见相关部分阐述，此处不再赘述。
请参阅图16及图17，然后执行步骤3)，采用真空电子蒸镀法或溅射法等方法在所述P型半导体层5上形成一透明导电层15，然后在所述透明导电层15上采用蒸镀等方法形成一反射层7，再采用刻蚀等方法在所述反射层7中形成至少一个通孔16。如图16所示，显示为形成所述通孔16后的剖面结构示意图，图17显示为该结构的俯视图。本实施例中，所述通孔16的个数以9个为例进行说明，当然也可以为其它数目。
请参阅图18，执行步骤4），利用光刻、蒸镀、剥离或者压印等方法，在所述反射层上形成P电极层8，所述通孔被所述P电极层8填充满；在所述第一台阶底面上形成N电极9层，得到LED芯片。
具体的，所述P电极层8和N电极层9的材料包括Cr、Pt、Au、Ti、Al、或Sn中的至少一种。所述透明导电层15的材料包括ITO（Indium Tin Oxides，铟锡金属氧化物）或AZO（aluminum-doped zinc oxide，掺铝氧化锌）；所述反射层7的材料包括SiO2、Al2O3、Ag或Al中的至少一种。
需要指出的是，对于所述反射层7为Ag或Al等导电金属，所述通孔16可有可无；而对于所述反射层7为SiO2或Al2O3等绝缘材料的情况，所述通孔16的存在是必要的，所述P电极层8通过所述通孔16与所述透明导电层15接触，使电流在所述透明导电层15中扩散并注入所述P型半导体层5中。所述通孔16的数目越多，电流在所述透明导电层15中扩散得更均匀。
请参阅图19，显示为所述LED芯片倒装时的剖面结构示意图，其中，所述透光衬底1通过机械研磨等方法进行过减薄，当然也可通过激光将所述透光衬底1完全剥离，还可以将所述透光衬底表面进行粗化或者图形化，与实施例一类似，此处不一一图示。
请参阅图20，显示为所述LED芯片倒装焊接在支架上的示意图，所述倒装焊接采用共晶焊。
本发明还提供一种LED芯片，请参阅图18，所述LED芯片至少包括一透光衬底1，所述透光衬底1上自下而上依次形成有缓冲层2、N型半导体层3、发光层4及P型半导体层5；所述P型半导体层周围向下凹陷形成第一台阶，所述第一台阶底面到达所述N型半导体层中；所述P型半导体层5上自下而上依次形成有一透明导电层15及一反射层7；所述反射层7中形成有至少一个通孔，所述反射层上形成有P电极层8，所述通孔被所述P电极层8填满；所述第一台阶底面上形成有N电极层9；所述N电极层9环绕所述P电极层8一圈形成闭合图形。
本发明的LED芯片中，所述N电极层形成于LED芯片外围一周，所述发光层、P型半导体层、透明导电层、反射层及P电极层形成于LED芯片中部，这种结构更有利于电流的均匀扩散，提高LED芯片的亮度。所述反射层可为导电材料或绝缘材料，所述P电极层通过所述反射层中的通孔与所述透明导电层接触，使电流在所述透明导电层中扩散。所述LED芯片可通过共晶焊的方法倒装焊接在支架上，LED芯片与封装支架之间可以无需额外使用基板连接，制备简单；同时将LED芯片直接封装，芯片发光层更接近封装支架的良导热层，更有利于芯片的散热，提高芯片的寿命；且LED芯片中采用的反射层对各个波长、入射角度的光具有高反射率，可以极大提高LED芯片的发光效率。
综上所述，本发明的LED芯片及其制作方法中，所述N电极层形成于LED芯片外围一周，所述发光层、P型半导体层、透明导电层、反射层及P电极层形成于LED芯片中部，这种结构更有利于电流的均匀扩散，提高LED芯片的亮度。所述LED芯片可通过共晶焊的方法倒装焊接在支架上，LED芯片与封装支架之间可以无需额外使用基板连接，制备简单；同时将LED芯片直接封装，芯片发光层更接近封装支架的良导热层，更有利于芯片的散热，提高芯片的寿命；且LED芯片中采用的反射层对各个波长、入射角度的光具有高反射率，可以极大提高LED芯片的发光效率。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。
Claims (11)
1.一种LED芯片的制作方法，其特征在于，所述LED芯片的制作方法至少包括以下步骤：
1)提供一透光衬底，在所述透光衬底上自下而上依次形成缓冲层、N型半导体层、发光层及P型半导体层；
2)对步骤1)获得的结构周围进行刻蚀，形成第一台阶，所述第一台阶底面到达所述N型半导体层中；
3)在所述P型半导体层上形成一反射层；
4)在所述反射层上形成P电极层，在所述第一台阶底面上形成N电极层，得到LED芯片；所述N电极层环绕所述P电极层一圈形成闭合图形；
5)提供一支架，将所述LED芯片倒装焊接在该支架上，其中，所述支架包括一对支架侧边及连接一对所述支架侧边的P电极导电层，所述支架侧边靠上的位置向外设置有N电极导电层；所述P电极层和N电极层分别与支架的P电极导电层及N电极导电层焊接在一起。
2.根据权利要求1所述的LED芯片的制作方法，其特征在于：于所述步骤3)中，首先在所述P型半导体层上形成一透明导电层，再在所述透明导电层上形成所述反射层。
3.根据权利要求1或2所述的LED芯片的制作方法，其特征在于：所述反射层的材料包括Ag或Al中的至少一种。
4.根据权利要求2所述的LED芯片的制作方法，其特征在于：形成所述反射层之后，在所述反射层中形成至少一个通孔，形成所述P电极层时，所述通孔被所述P电极层填充满。
5.根据权利要求4所述的LED芯片的制作方法，其特征在于：所述反射层的材料包括SiO2、Al2O3、Ag或Al中的至少一种。
6.根据权利要求2所述的LED芯片的制作方法，其特征在于：所述透明导电层的材料包括ITO或AZO。
7.根据权利要求1、2或4所述的LED芯片的制作方法，其特征在于：所述P电极层和N电极层的材料包括Cr、Pt、Au、Ti、Al、或Sn中的至少一种。
8.根据权利要求1、2或4所述的LED芯片的制作方法，其特征在于：所述倒装焊接采用共晶焊。
9.一种LED芯片，其特征在于：所述LED芯片至少包括一透光衬底，所述透光衬底上自下而上依次形成有缓冲层、N型半导体层、发光层及P型半导体层；所述P型半导体层周围向下凹陷形成第一台阶，所述第一台阶底面到达所述N型半导体层中；所述P型半导体层上形成有一反射层；所述反射层上形成有P电极层，所述第一台阶底面上形成有N电极层；所述N电极层环绕所述P电极层一圈形成闭合图形；所述LED芯片倒装焊接在一支架上，其中，所述支架包括一对支架侧边及连接一对所述支架侧边的P电极导电层，所述支架侧边靠上的位置向外设置有N电极导电层；所述P电极层和N电极层分别与支架的P电极导电层及N电极导电层焊接在一起。
10.根据权利要求9所述的LED芯片，其特征在于：所述P型半导体层与所述反射层之间形成有透明导电层。
11.根据权利要求10所述的LED芯片，其特征在于：所述反射层中设有至少一个通孔，所述通孔被所述P电极层填满。
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