CN103069488A - 光记录介质和光记录介质的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及光记录介质和光记录介质的制造方法，其能使合适的回放信号从光记录介质中属于条码形记录区域（BCA）的区域获取。从轨迹线方向看交替的高反射率区域和低反射率区域分别以连续状态在轨迹节距方向形成条码形反射图案，由此提供利用反射图案记录信息的记录区域（BCA）。在BCA中，低反射率区域由多行凹坑构成。另外，高反射率区域和低反射率区域形成为满足公式S+M/2≤0.6H，其中，从高反射率区域的反射束获取的回放信号的信号电平表示为“H”，从低反射率区域的反射束获取的回放信号的信号电平表示为“S”，从低反射率区域的反射束获取的回放信号的调制度表示为“M”。

Description

光记录介质和光记录介质的制造方法

技术领域

本发明涉及诸如光盘的光记录介质及其制造方法。更特别地，本发明涉及一种光记录介质上的条码形图案中记录有信息的区域。

引用列表

专利文献

专利文献1：日本专利申请公开号2005-518055

背景技术

已知诸如蓝光光盘（注册商标）和DVD（数字通用光盘）的光盘在光盘内周侧的预定区域内设有条码形记录区域。其称为BCA（Burst CuttingArea，二进制位组截断区）。

该BCA具有形成具有不同反射率的区域的径向图案，使BCA成为不需要跟踪便可读取信息的区域。另外，特别地，在制造成大体积的光盘中，BCA用作可附着有光盘的特有信息，例如，关于序列号的信息的区域。

在常规BCA中，光盘在制造步骤之后完整，随后，由BCA记录装置将每个光盘的序列号、光盘信息等脱机写入信号区域的进一步内周（例如，半径为21至22mm的区域），从而对其进行管理。

BCA为高反射率区域和低反射率区域在从轨迹线方向扫描时交替出现的图案，信息可根据每个区域的反射光的级别读取。为了形成低反射率区域，BCA记录装置输出高功率激光，以通过烧去反射膜而形成该区域。

发明内容

本发明要解决的问题

如上所述，BCA记录每个光盘的独有信息，由此，信息被写入制造的每个光盘内，因此，要求每条生产线上有昂贵的专用BCA记录装置，存在增加制造成本的问题。

另一方面，可能期望将相同的信息而不是每个光盘的独有信息记录到稍微复杂的光盘组的BCA中。例如，记录生产线的独有信息便是这种情况。

本发明的一个目的在于提供一种适用于这种情况的BCA模式和光记录介质的制造方法。

问题解决方案

根据本发明的光记录介质，通过形成高反射率区域和低反射率区域而形成有条码形反射图案，从轨迹线方向看交替出现的高反射率区域和低反射率区域以分别在轨迹节距方向连续的状态形成，所述光记录介质包括利用反射图案记录信息的记录区域，其中，低反射率区域由凹坑列形成，高反射率区域和低反射率区域被形成为满足：S+M/2≤0.6H，其中，从高反射率区域的反射光获取的再现信号的信号电平表示为“H”，从低反射率区域的反射光获取的再现信号的信号电平表示为“S”，且从低反射率区域的反射光获取的再现信号的调制度表示为“M”。

根据本发明的光记录介质通过形成高反射率区域和低反射率区域而形成有条码形反射图案，从轨迹线方向看交替出现的高反射率区域和低反射率区域以分别在轨迹节距方向连续的状态形成，所述光记录介质包括利用反射图案记录信息的记录区域，其中，记录区域利用NA为0.85的光学系统发射的波长为405nm的激光进行再现，并且，在低反射率区域中，轨迹线方向的空间频率由1667条/mm或以上的凹坑列形成。

光记录介质为盘形光记录介质，高反射率区域和低反射率区域分别在径向方向上呈放射状连续，并由此形成条码形反射图案，其中，径向方向为轨迹节距方向。

在低反射率区域的凹坑列中，凹坑部分与平面部分的比例为50±5%。

在低反射率区域的凹坑列中，轨迹节距方向上的相邻凹坑列互相重叠。

高反射率区域为未形成凹坑列的镜面部分。

高反射率区域由凹坑列或组形成，从凹坑列或组获得的再现信号电平高于低反射率区域中的凹坑列。

本发明的制造方法为光记录介质的制造方法，光记录介质形成有具有高反射率区域和低反射率区域的记录区域，该制造方法包括：原始盘制造步骤，基于记录信息制造具有不平坦图案的原始盘；压模制作步骤，制作转印有原始盘的不平坦图案的压模；衬底模制作步骤，制作转印有压模的不平坦图案的衬底；以及，光记录介质形成步骤，通过在衬底上形成预定层状结构而形成光记录介质。在原始盘制造步骤中，在原始盘上形成相当于包括高反射率区域和低反射率区域的记录区域的不平坦图案，以在光记录介质形成步骤中形成的光记录介质上形成记录区域。

本发明的上述技术采用（例如）这种思想：在诸如BCA的条码形记录区域中，低反射率区域由凹坑列形成。高反射率区域可以具有比低反射率区域中的凹坑列高的反射率。

例如，低反射率区域由凹坑列形成时，凹坑列基于空间频率限制形成，以及基于高反射率区域和低反射率区域的每个再现信号电平与调制度之间的关系形成。由此，当低反射率区域由凹坑列形成时，可形成适当的记录区域（BCA）。

发明效果

根据本发明，低反射率区域并非通过烧去反射膜而形成，而是通过形成凹坑列而形成，因此，条码形记录区域可在（例如）母盘制造步骤的阶段形成。因此，其适于提高光记录介质的制造步骤的效率，并降低成本。进一步，根据高反射率区域和低反射率区域的每个再现信号电平、调制度以及空间频率限制，在低反射率区域中形成凹坑列时，可从记录区域获取高质量再现信号，可获得适当条码形记录区域。

附图说明

图1为示出根据本发明实施方式的BCA的说明图。

图2为说明根据第一实施方式的BCA的低反射率区域和高反射率区域的说明图。

图3为根据第一实施方式的BCA的示意性说明图。

图4为示出常规BCA的示意性说明图。

图5为常规BCA和本实施方式的再现信号波形的说明图。

图6为示出信号的定义的说明图，用于解释第二实施方式。

图7为示出空间频率为600,800的情况下的低反射率区域的再现电平和调制度的说明图。

图8为示出空间频率为1000,1300的情况下的低反射率区域的再现电平和调制度的说明图。

图9为示出空间频率为1667的情况下的低反射率区域的再现电平和调制度的说明图。

图10为示出空间频率为2500,3000的情况下的低反射率区域的再现电平和调制度的说明图。

图11为示出空间频率为3500,4000的情况下的低反射率区域的再现电平和调制度的说明图。

图12为示出第三实施方式的BCA的示意性说明图。

图13为示出根据第四实施方式的低反射率区域和高反射率区域的说明图。

图14为示出根据第四实施方式的BCA的示意性说明图。

图15为示出第四实施方式的BCA中的再现信号波形的说明图。

图16为示出根据第四实施方式的表面密度的说明图。

图17为示出第四实施方式的改型的说明图。

图18为示出该实施方式的光盘制造步骤的流程图。

图19为示出该实施方式的光盘制造步骤的说明图。

图20为示出该实施方式的光盘制造步骤的说明图。

图21为根据该实施方式的原始盘制作装置的框图。

具体实施方式

在下文中，本发明的实施方式将按以下顺序说明。

<1.实施方式概述>

<2.第一实施方式>

<3.第二实施方式>

<4.第三实施方式>

<5.第四实施方式>

<6.光盘制造步骤>

<1.实施方式概述>

下文将对该实施方式的光盘进行说明。

该实施方式的光盘可实施为，例如，高密度光盘压片法的范围内的ROM型光盘，称为蓝光光盘，进一步，可实施为一次写入型光盘（BD-R）或可重写型光盘（BD-RE）。

下文将对根据该实施方式的高密度光盘的物理参数的实例进行解释。

该实例的光盘具有直径为120mm光盘厚度为1.2mm的光盘尺寸。在外观方面，这些特征与CD（压缩光盘）压片法的光盘和DVD（数字多用光盘）压片法的光盘相同。

用于记录和再现的激光器采用所谓的蓝色激光（例如，波长λ=405nm），光学系统具有高NA（例如，NA=0.85）。进一步，还达到窄轨迹节距（例如，轨迹节距=0.32μm）和高线密度（例如，记录线密度0.112μm/bit）。由此，直径为12cm的光盘的用户数据容量达到约23G至25GB（千兆字节）。另外，用仍然较高的密度进行记录时，容量可达到约30GB。

还开发了具有多个记录层的多层光盘。在使用多层光盘的情况下，用户数据容量增加的量基本为层的数量。

图1示意性示出了整个光盘的布局（区域配置）。

光盘的主要区域包括从内周侧设置的导入区LI、数据区DA和导出区LO。

导入区记录光盘的物理特性、用于记录和再现的管理信息等。数据区用于主要数据，例如，诸如视频和音乐的内容数据；计算机专用数据，例如，应用程序，等等。导出区LO可为缓冲区域，或可记录管理信息。

这些区域用于正常记录和再现，但是，特别地，内周侧设有BCA（BurstCutting Area，二进制位组截断区），与导入区LI相对，用于进行单独光盘管理等。

如图所示，该BCA由径向形成的条码形图案构成。该BCA包括在轨迹线方向交替出现的高反射率区域和低反射率区域，高反射率区域和低反射率区域分别在轨迹节距方向（径向方向）连续形成，使BCA构成条码形反射图案。例如，高反射率区域和低反射率区域在遍布21.0mm至22.2mm的半径范围内连续形成，使高反射率区域和低反射率区域构成条码形状。

这种情况下，通过条码形图案，可从该BCA范围内读取信息，不需要进行任何跟踪。

在过去，例如，根据烧去记录层的反射膜的记录方法，将光盘记录介质独有的唯一ID等记录到BCA中。

如下文所述，在本实施方式中，BCA根据与此不同的方法形成。

在该实施方式中，在BCA中，相同信息记录到特定批次（lot）中，而不是每个光盘中。

进一步，如下文所述，由于这个原因，与BCA对应的不平坦图案在原始盘制作步骤中形成于原始盘上。更特别地，BCA的低反射率区域并非根据烧去反射膜的方法形成。由于这个原因，在制造光盘后，省去了用BCA记录装置在每个光盘上形成BCA的步骤。

随后，BCA的模式与常规BCA不同，形成该实例的BCA的实施方式中的光盘可在使用常规再现装置不会造成任何问题的情况下进行再现。

下文将对这种情况下开发该实施方式的光盘上的BCA的基本思想进行说明。

图4（a）示例性示出常规BCA。

与图1相同，在外观方面，常规光盘中的BCA也以放射状构成条码图案。

如图4（a）所示，BCA的低反射率区域和高反射率区域在轨迹线方向交替出现。高反射率区域为包括凹坑列（pit string）P和平面L的凹坑列部分。例如，与导入区LI和数据区DA中形成的凹坑列相同，高反射率区域中的凹坑列由RLL（1-7）进行调制（modulate）。

另一方面，低反射率区域为通过使BCA记录装置烧去反射膜而形成的区域。

更特别地，在常规光盘的情况下，BCA区域（半径范围为21.0mm至22.2mm）为在批量生产中制造每个光盘的步骤中由标准凹坑列形成的区域。在光盘中，反射膜以与BCA记录装置的光盘转动同步的预定时间（根据要记录的唯一数据确定的时间）烧去。

由此，低反射率区域在径向方向连续。结果，形成条码形反射图案，其中，在轨迹线方向交替出现的高反射率区域和低反射率区域以分别在径向方向连续。

再现装置再现BCA时，获取的RF信号（再现信号）的波形如图4（b）所示。更特别地，在由凹坑列形成的高反射率区域中，根据凹坑列获取特定级别的反射光，因此，虽然由于凹坑列/平面的原因而有些变化，但是RF信号波形平均处于特定级别。

另一方面，在低反射率区域中，烧去了反射膜，因此，难以获取反射光，RF信号波形处于非常低的级别。

在再现装置中，可根据高反射率区域和低反射率区域中的RF信号的振幅差获取信息"1""0"，因此，可读取BCA中记录的信息。

但是，如上所述，在该方法中，BCA记录装置将BCA记录到制造的每个光盘中，因此，该方法在效率和制造成本方面非常不利。

另外，要求包括以区域（lot）为单位的单独信息，而不是每个光盘的单独信息。

在这种情况下，与BCA对应的不平坦图案可在上述原始盘制作步骤中形成，使用压模形成光盘衬底时，变成BCA的条码形图案可形成于光盘衬底上。这种情况下，可解决BCA记录造成的效率降低和成本增加的问题。

因此，在该实施方式中，为了不用烧去而形成BCA，低反射率区域由凹坑列形成。高反射率区域为反射率高于凹坑列的区域。例如，其为镜面部分。

这种情况下，当低反射率区域由凹坑列形成时，需要考虑以下问题。

图5（b）示出常规BCA的再现波形。

获取如该图的垂直轴所表示的中心为“1”至“1.5”的范围内的振幅，作为来自凹坑列部分的RF信号电平。

如图4（a）和4（b）中所说明的，在常规BCA中，凹坑列部分为高反射率区域，烧去部分为低反射率区域。在低反射率区域（烧去部分）中，RF信号电平接近“0”，如图5（b）所示。

由于高反射率区域受到凹坑列调制的影响，RF信号电平约为“1”至“1.5”，如图5（b）所示。

当振幅由于凹坑列调制而大幅变化时，难以进行适当的二值化。但是，在常规BCA中，首先，烧去部分中的电平基本为“零”，即使来自凹坑列部分的RF信号电平在某种程度上受到调制，也不会使二值化出现缺陷。例如，该图中的电平“0.5”为限制电平（slice level）时，毫无疑问，可进行二值化。

另一方面，在该实施方式中，低反射率区域形成为凹坑列。例如，考虑高反射率区域为镜面部分。在镜面部分中，没有形成凹坑列P，平面L在该部分连续。更特别地，该部分为具有高反射率，不会受到凹坑列P的衍射的影响的部分。

这种情况下的RF信号必行作为比较示例，如图5（a）所示。由于低反射率区域为凹坑列部分，RF信号电平为约“1”至“1.5”。另外，其受到凹坑列调制的影响，可观测到相对较大的电平变化。

高反射率区域的电平高于低反射率区域。

更特别地，与图5（b）的情况相比，高反射率区域和低反射率区域均具有较高RF信号电平，低反射率区域中的RF信号中生成调制分量。

这种情况下，高反射率区域的RF信号电平与低反射率区域的RF信号电平之间存在相对较小的差，其振幅由于调制而大幅变化。随后，根据情况的不同，低反射率区域中的相对较大的振幅使限制电平上下起伏，这很可能造成错误二值化。

因此，再现装置无法适当地读出BCA信息，并重复重试BCA再现，最后，所述再现装置会由于光盘错误而弹出光盘，或在再现装置仍然无法进行再现时停止运行，不进行内容再现。

在蓝光光盘标准中，相对于高反射率区域中的再现信号电平，低反射率区域中的再现信号电平限定为0.549或以下。总体来说，记录再现装置设计有约10%的容限，因此，只要低反射率区域中包括调制的再现信号电平为0.6或以下（0.603或以下），再现中不会出现任何问题。

因此，在该实施方式中，当低反射率区域由凹坑列形成时，要考虑这一点，并且，需要尽可能降低低反射率区域中包括调制的再现信号电平，以满足上述标准：再现信号电平为0.6或以下。

具体如下文所述。

从高反射率区域的反射光获取的再现信号的信号电平定义为"H"，从低反射率区域的反射光获取的再现信号的信号电平定义为"S"。从低反射率区域（即，该实施方式中的凹坑列部分）的反射光获取的再现信号的调制度定义为“M”。

在该实施方式中，这种情况下，高反射率区域和低反射率区域被形成为满足以下表达式S+M/2≤0.6H。

<2.第一实施方式>

下文将参考图2（a）至2（c）以及3（a）和3（b）对BCA作为第一实施方式进行说明。

图2（a）示例性示出如图1所示的光盘的BCA部分中径向设置的条码图案的部分。

这种情况下，在条码形图案中，用黑带表示的部分定义为低反射率区域LA，黑带之间的白色部分定义为高反射率区域HA。

黑带所示的其中一个低反射率区域LA在图2（b）中放大和图示。

如图2（b）所示，凹坑列P和平面L构成的窄带形状内形成一条带。图2（b）的带状部分进一步如图2（c）所示，但细带状部分由在径向方向（轨迹节距方向）重叠的平面L和凹坑列P构成。

图3（a）和3（b）示例性示出以与上述图4相同的格式形成的BCA。

如图3（a）所示，BCA的低反射率区域LA和高反射率区域HA在轨迹线方向交替出现。与图4的情况相反，低反射率区域LA为包括凹坑列P和平面L的凹坑列部分。

高反射率区域HA为镜面部分。

更特别地，在本实施方式的情况下，制造光盘原始盘时，与低反射率区域LA的凹坑列对应的不平坦图案已经作为BCA形成于光盘原始盘上（半径范围为21.0mm至22.2mm）。高反射率区域HA为具有不包括凹坑列的连续平面L的对应突起部分。

下文将对光盘制造步骤进行说明，压模从光盘原始盘中生成，光盘利用压模进一步批量生产，但制造批量生产的光盘时，BCA已经形成。

再现装置再现BCA时，获取的RF信号（再现信号）的波形如图5（b）所示。更特别地，在属于镜面部分的高反射率区域HA中，获取高反射光，因此，RF信号电平较高。

低反射率区域LA为凹坑列部分，但在低反射率区域LA中，反射光的量小于镜面部分，因此，RF信号电平较低。

在再现装置中，可由高反射率区域HA和低反射率区域LA中的RF信号的振幅差获取信息“1”“"0”，因此，可读取BCA中记录的信息。

这种情况下，如图5（a）所示，当RF信号波形受到凹坑列部分的调制的影响时，该示例中的低反射率区域LA中的振幅大幅变化。

相反，在本实施方式中，RF信号的调制分量和信号电平在低反射率区域LA中受到抑制，如下文所述。

在使用蓝光光盘的情况下，波长λ为405nm，NA为0.85。因此，由于空间频率特性的原理，截止频率为2NA/λ，即，4197条/mm或以上时，所述再现装置无法进行分辨过程。

该数值的空间频率长度为0.24μm，例如，当长度为0.12μm的凹坑列和长度为0.12μm的平面重复时，无法获取调制度。

这种情况下，无论占空比（即，凹坑列P与平面L之间的比）如和，都无法获取调制度。因此，例如，凹坑列长度可为0.20μm，平面长度可为0.04μm。更特别地，在0.24μm的部分内，可形成凹坑列P和平面L。

因此，如图2（b）和2（c）所示，最有可能使低反射率区域LA中的RF信号的调制观测不到的BCA图案为凹坑列P和平面L的组合的长度为0.24μm或以下的直线图案。

更特别地，生成方法包括：以CAV旋转光盘，使光学调制信号与光盘原始盘曝光（多重曝光（cut））时转台的旋转同步。

例如，以2174rpm（与半径为21.6mm的线速度4.917m/s对应）的速度旋转光盘，用激光器以48.8nsec的周期驱动曝光激光时，形成时间长度为24.4nsec的凹坑列。例如，用50个脉冲记录时，满足线方向上的长度为12μm的标准的BCA内形成数据。

该记录在径向方向进行，例如，采用间隔为0.2μm的恒定速度，形成在径向方向呈放射状的图案。

如上所述，在根据本实施方式的BCA中，低反射率区域LA由凹坑列形成，但在所述凹坑列中，再现信号中由于空间频率的原因无法获取调制度。因此，低反射率区域LA中的RF信号波形中的调制分量可降低。

例如，可使BCA提供RF信号，低反射率区域LA中RF信号的调制分量受到抑制，如图5（c）所示。

因此，在BCA再现期间的RF信号波形中，防止低反射率区域LA中的信号电平由于调制分量的原因而使限制电平上下起伏，可实现适当BCA再现。

<3.第二实施方式>

在上述第一实施方式中，低反射率区域LA由以线方向上的空间频率为4197条/mm、轨迹节距为0.2μm的图案的凹坑列形成，但也存在其他情况：现有装置可无误地进行再现，在这种情况下，可增加光盘的生产利润。

本申请的发明者等人曾将深度和占空比作为参数模拟调制度M和信号电平S，而线方向上的空间频率不仅设为如第一实施方式中的4197条，而且还以九种方式设置，例如，4000、3500、3000、2500、1667、1300、1000、800、600条。

应注意的是，模拟中信号的定义（如下文所述）如图6所示。

在图6中，“H电平”为从高反射率区域HA获取的再现信号电平。高反射率区域为镜面部分，如图3（a）和3（b）所示，镜面部分中的再现信号电平为“1”。

“S电平”为从充当凹坑列部分的低反射率区域LA获取的再现信号电平。“S电平”还被称为凹坑列再现电平。其由镜面部分中的再现信号电平（H电平）为“1”时的值表示。

调制度“Mod.”为从低反射率区域LA中获取的再现信号电平的峰值与底值之间的振幅电平。

“深度”为凹坑列深度，是从平面L到凹坑列P的深度。

“占空比”为凹坑列部分与平面部分之间的比。

图7、8、9、10和11示出了空间频率为600条至4000条的情况下从低反射率区域LA获取的再现信号电平“S电平”和调制度（Mod.），其由凹坑列深度（深度）与凹坑列/平面比（占空比）之间的关系表示。

例如，图7示出空间频率为600条和800条的情况，并示出了调制度用每个等高线划分的每个区域的等级（gradation）表示，其值为右侧的指标。

S电平（凹坑列再现电平）也用每个等高线划分的每个区域的等级表示，电平值为右侧的指标。

在基于凸起凹坑列的ROM型光盘的情况下，最易于获取调制度的深度为λ/（4N）：（N为覆盖层的折射率），在蓝光管盘的情况下，深度为：0.405/4/1.55=0.065μm。

因此，总体来说，生成的凹坑列P的深度为0.045至0.07μm。

这种情况下，将考虑图9中的1667条的空间频率。

当凹坑列深度为0.06μm，形成的凹坑列的占空比=50±5%时，调制度（Mod.）为0.2以下。更特别地，作为低反射率区域LA的再现信号的调制度可较小。

S电平为0.5以下。更特别地，其作为低反射率区域LA的再现信号电平可以为足够低的电平。

由于这个原因，凹坑列部分中的信号电平的最大值为0.5+0.2/2=0.6，可处于从实际角度来说不会造成任何问题的范围内。

更特别地，当如上所述的S+M/2≤0.6H成立时，则以下表达式成立：

S=S电平=0.5

M=Mod.=0.2

H=H电平=1，因此，满足S+M/2≤0.6H。

当空间频率为1667条时，周期为0.6μm，因此，凹坑列长度为0.27至0.33μm。

考虑空间频率的方法还适用于径向方向。因此，范围可为：调制度无法获取，或从实际角度来说不会造成任何问题，例如，当蓝光光盘的轨迹节距为0.32μm，空间频率为约3000条时，即使计算结果中的占空比以35至65%的幅度变化，调制度仍为0.1以下，信号电平为0.25以下，从而提供不会产生任何问题的信号。

图10和11示出了空间频率仍然较高的情况，但是，例如，当空间频率为2500条，凹坑列深度为0.06μm时，在占空比为约0.4至0.6的较大范围内，调制度（Mod.）为0.2或以下。S电平为0.35以下。即使在这种情况下，如上所说明的，也可满足上述S+M/2≤0.6H，从实际角度来说该范围不会产生任何问题。即使在空间频率为3000条、3500条和4000条时，也不会出现问题。

另外，凹坑列深度适当时，应理解的是，即使上述第一实施方式的空间频率为4197条，也可满足以下表达式：S+M/2≤0.6H。

另一方面，将考虑图8中的1300条的情况。

当凹坑列深度为0.06μm时，即使占空比为50，调制度（Mod.）仍为约0.35（相对较大）。

S电平为约0.55。

则S+M/2为约0.725，不满足以下表达式：S+M/2≤0.6H。因此，BCA再现中会出现问题。

同一图中1000条的情况与图7中600条和800条的情况并不适合。

因此，当BCA的低反射率区域LA由凹坑列形成时，作为第二实施方式的蓝光光盘压片法的光盘时，低反射率区域LA由在轨迹线方向的空间频率为1667条/mm以上凹坑列的凹坑列适当地形成。

<4.第三实施方式>

第三实施方式如图12（a）和12（b）所示。

在上述第一和第二实施方式中，低反射率区域LA为凹坑列，高反射率区域HA为镜面部分。

第三实施方式与其相同之处在于，低反射率区域LA为凹坑列，第三实施方式的不同之处在于，高反射率区域HA也为凹坑列。

但是，由于考虑到上述空间频率，所述低反射率区域LA为再现信号的调制度小且信号电平也小的凹坑列。

另一方面，高反射率区域HA为可获取稍高再现信号电平的凹坑列。

图12（a）示例性示出了根据第三实施方式的BCA。

在低反射率区域LA中，形成与第一实施方式的那些相同的凹坑列（第一凹坑列部分）。在高反射率区域HA中，形成与第一凹坑列部分不同的凹坑列（第二凹坑列部分）。

例如，所述第二凹坑列部分被配置为通过空间频率、凹坑列深度、占空比等的设置可获取高RF信号电平，例如，约0.7。

如图12（b）所示，确保第一凹坑列部分与第二凹坑列部分之间RF信号电平的足够差别。

如上所述，即使低反射率区域LA和高反射率区域HA都由凹坑列形成，如果确保第一凹坑列部分与第二凹坑列部分之间RF信号电平的足够差别，仍可获得适当的BCA。

在第三实施方式中，高反射率区域HA为凹坑列，因此，与第一实施方式中的镜面部分的情况相比，高反射率区域HA的RF信号电平较低。

其优点在于，可避免再现装置的聚焦伺服机构由于RF信号电平过高而变得不稳定的情况。更特别地，当RF信号电平高时，可能无法依靠再现装置适当地获得聚焦错误信号。要避免这种情况，有效的方法是，稍微降低RF信号电平，将高反射率区域HA作为与当前示例相同的第二凹坑列部分。

也可设置凹槽代替第二凹坑列部分。

<5.第四实施方式>

下文将对第四实施方式进行说明。在第四实施方式中，低反射率区域LA的凹坑列P以凹坑列P处于不具有任何直角的三角形的每个顶点位置的彼此之间的位置关系设置。

图13（a）示出与图2（a）相同的BCA部分中呈放射状的条码图案。黑带表示的部分为低反射率区域LA，其在图13（b）中被放大和示出。

如图13（b）所示，在低反射率区域LA中，例如，不具有直角的三角形，凹坑列P以由虚线表示的等边三角形的每个顶点位置（用黑色圆圈表示）基本位于中心的方式形成。更特别地，如图所示，在低反射率区域LA的表面上实际画出构成多个连续等边三角形的线条时，每个凹坑列P被形成为包括实际画出的等边三角形的线条的每个顶点位置。

因此，凹坑列的总体设置为凹坑列以所谓的交错方式布置和设置在每条轨迹上。

图14（a）和14（b）示出格式与上述图3（a）和3（b）相同的BCA。

如图14（a）所示，BCA的低反射率区域LA和高反射率区域HA在轨迹线方向交替出现。低反射率区域LA为包括凹坑列P和平面L的凹坑列部分，高反射率区域HA为镜面部分。

在低反射率区域LA的凹坑列中，凹坑列P以基于等边三角形的每个顶点位置的位置关系形成。

与上述第一实施方式的情况相同，在制造光盘原始盘时，与低反射率区域LA的凹坑列对应的不平坦图案已经作为BCA形成于光盘原始盘上（半径范围为21.0mm至22.2mm）。高反射率区域HA为具有不包括凹坑列的连续平面L的对应突起部分。压模从光盘原始盘中生成，光盘利用压模进一步批量生产，但此时BCA已经形成。

图15示出了该第四实施方式的BCA的再现信号波形。

再现激光具有波长λ=405nm，光学系统NA=0.85。凹坑列P由2T个凹坑列（其中，T表示沟槽时钟周期）形成，2T个凹坑列是蓝光光盘系统中最短的凹坑列，凹坑列P的中心位置之间的节距PP（见图13（b））为315nm。每个凹坑列P的中心是等边三角形的顶点位置，由此，以交错方式形成的所有凹坑列P的节距PP为315nm。

如图15所示，高反射率区域HA的再现信号电平为约1300mV，低反射率区域LA的再现信号电平为约524mV。低反射率区域LA的调制度为约80至90mV的电平振幅。

这种情况下，从高反射率区域的反射光获取的再现信号的信号电平定义为“H”，从低反射率区域的反射光获取的再现信号的信号电平定义为“S”，H为1时，S=0.40成立。调制度M为0.06。

更特别地，满足上文所述的S+M/2≤0.6H，从实际角度来说BCA不会产生任何问题。

当考虑利用NA为0.85的光学系统发射的波长为405nm的激光进行再现的系统时，如果考虑上述考虑的第二实施方式，低反射率区域LA优选地由在轨迹线方向上的空间频率为1667条/mm以上凹坑列的凹坑列形成。

低反射率区域LA中的凹坑列优选为凹坑列P与平面L之间的比为50±5%。

在低反射率区域LA中的凹坑列中，轨迹节距优选为0.32μm以下。

在第四实施方式中，低反射率区域LA的凹坑列P之间的位置关系基于不具有任何直角的三角形的每个顶点位置，并以交错方式设置，但在这种情况下，可考虑以下优点。

例如，图16（a）示出了凹坑列P在径向方向连续设置的情况，与第一实施方式相同。由于BCA免跟踪，激光点没有必要在如箭头DR1所示的轨迹线方向前进，正常的方法是，如相对于凹坑列的箭头DR2、DR3所示，相对于轨迹线方向对角线前进。

激光点SP根据箭头DR2、DR3前进时，凹坑列P的间隔与激光点SP根据箭头DR1前进的情况相比较长。在这个意义上，其缺点在于，增加了调制分量。当然，当轨迹线方向上的空间频率如上所述适当设置时，从实际角度来看不会产生任何问题，但由于需要而考虑轨迹线方向上的凹坑列之间的间隔时，需要考虑激光点前进（如箭头DR2、DR3所示）的情况。

另一方面，图16（b）示出了凹坑列P以交错方式设置的情况，与第四实施方式所示的相同。这种情况下，也考虑激光点SP在各种方向前进，如箭头DR1、DR2、DR3所示，但在任何方向，激光点SP照射的凹坑列P之间的间隔的差别并不大。更特别地，其为二维靠拢（close）状态。在这方面，无论激光点前进方向如何，都具有调制分量不会大幅增加的优点。

根据以交错方式设置的凹坑列，即使当根据箭头DR1正常前进时，调制度也可由于右轨迹和左轨迹的凹坑列的影响而下降，在这方面上，更有利的是，降低低反射率区域LA的调制度。

然而，在图13（b）中，凹坑列在等边三角形的顶点位置形成，但其设置并不一定限于等边三角形。更特别地，不具有任何直角的三角形可为例如凹坑列P被形成为包括等腰三角形的顶点位置，（例如）如图17所示。

然而，等边三角形的顶点位置的设置优选考虑将凹坑列P靠近包括轨迹线方向和径向方向的表面设置（增加表面密度），并抑制低反射率区域LA的调制度。

所述第四实施方式可与第三实施方式相结合。更特别地，低反射率区域LA由以交错方式设置的凹坑列P形成，而高反射率区域HA可由可获取比低反射率区域LA的凹坑列的再现信号电平高的凹坑列或凹坑列组形成。

<6.光盘制造步骤>

下文将对根据实施方式的光盘的制造步骤进行说明。更特别地，制造步骤为：在BCA中，低反射率区域LA由凹坑列形成，或高反射率区域LA形成镜面部分（或第二凹坑列部分）。

图18（a）示出了光盘的整个制造步骤。下文将参照图19（a）至19（d）和图20（a）至20（d）对其进行说明。

首先，在图18（a）的步骤F101中进行原始盘制作，以生成原始盘。

例如，如图19（a）所示，曝光头46将根据记录信息调制的激光发射到光盘原始盘100上，光盘原始盘100上涂敷有诸如无机光刻胶等的光刻胶（resist，光阻），并根据凹坑列图案进行曝光。因此，如图19（b）所示，形成曝光部分R。

随后，在步骤F102中，形成原始盘。

例如，对如图19（b）所示的方式曝光的原始盘进行显影，制成光盘原始盘100，其中，曝光部分凹陷，如图19（c）所示。凹陷部分与完成的光盘的凹坑列P对应。

随后，在步骤F103中，制作压模。

例如，通过对光盘原始盘100进行电铸镍处理，制成压模101，光盘原始盘100的不平坦图案转印到压模101上（图19（d））。在压模101的不平坦图案101a中，与凹坑列对应的部分为凸起状。

随后，在步骤F104中，使用压模101制造光盘衬底。

如图20（a）所示，压模101设于用于对衬底进行成型的模具中。该模具包括下模腔120和上模腔121，用于转印凹坑列的压模101设于下模腔120中。

使用这种模具，例如，通过聚碳酸酯树酯注塑成型制成衬底1，形成的衬底1如图20（b）所示。

更特别地，由聚碳酸酯树酯制成的衬底1的中心为中心孔2，信息读取表面侧为凹坑列图案3，将模具中的压模101中形成的不平坦图案101a转印到凹坑列图案3上。

随后，在步骤F105中，将薄膜沉积到由此形成的衬底1上。

首先，通过溅射将反射膜4沉积到从压模101转印的凹坑列图案上。更特别地，如图20（c）所示，例如Ag合金材料的反射膜4形成于由凹坑列图案3形成的信号读取表面侧上。

进一步，例如，通过UV固化树脂旋涂，形成覆盖层5，如图20（d）所示。

应注意的是，可在覆盖层5的表面上进一步进行硬涂层处理。

在这种情况下，示出了仅具有一个记录层的单层光盘。在包括两个以上层的多层的情况下，进一步添加每个记录层的形成步骤。

在上述沉积步骤之后，在步骤F106中印刷标签表面侧，光盘完成。

通过上述步骤，形成光盘。特别地，在步骤F104之后，这些步骤为批量生产步骤，但在本发明的实施方式中，完成沉积步骤时，BCA已经形成，如图20（d）所示。

更特别地，在原始盘制作步骤中，已经完成用于形成BCA的凹坑列的曝光。图18（b）示出了步骤F101的原始盘制作步骤，但首先，BCA部分的凹坑列在步骤F101A中曝光。随后，在步骤F101B中，对导入区LI、数据区DA和导出区LO中的每个的凹坑列进行曝光。

如上所述，在原始盘制作步骤中，对BCA的凹坑列进行曝光，与BCA的凹坑列对应的凹陷部分形成于光盘原始盘100上。

由于这个原因，使用由光盘原始盘100制成的压模101制造光盘衬底1，以便构成BCA的凹坑列图案已制作为光盘衬底1的凹坑列图案3。

因此，随后，形成反射膜4和覆盖层5时，制成上面记录有BCA的光盘，因此，与常规示例不同，不需要随后使用BCA记录装置将BCA记录到每个光盘上。

图21示出了原始盘制作步骤中使用的原始盘制作装置的示例。

在曝光头46中，设置了曝光激光源和必要的光学系统。激光光源基于激光驱动器41提供的驱动信号发光。

记录数据生成单元43输出记录数据，对该记录数据执行预定调制处理。完成凹坑列已曝光的ROM光盘的截断步骤时，进行调制操作，以打开和关闭激光光源。

例如，记录数据生成单元43输出关于RLL（1-7）调制信号的管理信息和实际内容数据等，其随后记录到光盘上。

记录数据由激光脉冲生成单元42转换成激光驱动脉冲。

激光脉冲生成单元42向激光驱动器41提供激光驱动脉冲。

激光驱动器41基于激光驱动脉冲向曝光头46中的曝光激光源提供驱动信号。

由此，来自曝光激光源的记录激光根据凹坑列变成调制光，与凹坑列对应的曝光图案形成于光盘原始盘100上。

光盘原始盘100由主轴马达44旋转和驱动。主轴马达44在旋转速度由主轴伺服机构/驱动器47控制时进行旋转和驱动。由此，光盘原始盘100以（例如）恒定线速度或恒定角速度旋转。

滑块45由滑块驱动器48驱动，并移动包括携带光盘原始盘100的主轴机构的整个底座。更特别地，主轴马达44旋转的光盘原始盘100在径向方向由滑块45移动的同时由光学系统曝光，由此以螺旋状形成凹坑列已曝光的轨迹。

滑块45的移动位置，即，光盘原始盘100的曝光位置（光盘半径位置：滑块半径位置）由传感器49进行检测。传感器49的位置检测信息提供给控制器40。

控制器40控制整个原始盘制作装置。更特别地，控制器40，例如，利用记录数据生成单元54进行数据输出，控制激光驱动脉冲生成单元42中的脉冲生成参数，控制激光驱动器41的激光功率设置，利用主轴伺服机构/驱动器47进行主轴旋转操作控制，并利用滑块驱动器48控制滑块45的移动操作。

例如，在这种原始盘制作装置中，首先，在图18（b）的步骤F101A中曝光BCA图案。

例如，在制造根据第一实施方式的光盘的情况下，控制器40将低反射率区域LA的凹坑列的数据（光学调制信号）输出给记录数据生成单元43。随后，将光学调制信号与主轴旋转同步，以CAV旋转光盘。

例如，以2174rpm（与半径为21.6mm的线速度4.917m/s对应）的速度旋转光盘，用周期为48.8nsec的矩形脉冲驱动曝光激光源时，形成长度为24.4nsec的凹坑列。例如，用50个脉冲记录时，可形成凹坑列图案，作为满足线方向上的长度为12μm的标准的低反射率区域LA。

在与高反射率区域HA对应的部分中，不发射激光。更特别地，不进行曝光的情况下，其形成与平面对应的部分。

控制器40通过控制滑块45而执行该记录操作，以恒定速度（例如，0.2μm节距）在径向方向移动，从而在光盘原始盘100上以径向方向形成径向曝光图案。

控制器40监控来自传感器49的检测信号，并控制（例如）半径为21.0mm至22.2mm的范围内的上述曝光的执行。

应理解的是，在制造根据图12的第三实施方式的光盘的情况下，在与高反射率区域HA对应的部分内也发射激光，形成第二凹坑列部分。

进一步，在制造根据图14的第四实施方式的光盘的情况下，在与高反射率区域HA对应的部分内不发射激光，可在与低反射率区域LA对应的部分内的每次旋转时在预定时间段内切换激光发射时间，并适当设置滑块移动节距，从而能够形成以基于图13（b）所示的等边三角形的每个顶点位置的相互位置关系设置的凹坑列（曝光部分），并形成以基于图17所示的等腰三角形的每个顶点位置的相互位置关系设置的的凹坑列（曝光部分）。

在半径为24.00mm之后，形成与导入区LI、数据区DA和导出区LO的凹坑列对应的曝光图案，与步骤F101B的处理过程中的常规光盘相同。

如上所述，在原始盘制作步骤中，例如，对图3（a）至3（b）（或图12（a）和12（b），或图14（a）和14（b））所示的BCA图案进行曝光，从而可在不降低制造效率且不增加成本的情况下制造（例如）具有记录有信息（以制造批次为单位）的BCA的光盘。

在实施方式中，对本发明的技术应用于蓝光光盘压片法的光盘的示例进行了说明，但本发明的光记录介质还可应用于其他类型的光盘。本发明的光记录介质还可为除光盘形式之外的记录介质，例如，卡形光记录介质。

符合说明

1光盘衬底、2中心孔、3凹坑列图案、4反射膜、5覆盖层、40控制器、46曝光头、100光盘原始盘、101压模、LA低反射率区域、HA高反射率区域

Claims (15)

1.一种光记录介质，通过形成高反射率区域和低反射率区域而形成有条码形反射图案，从轨迹线方向看交替出现的所述高反射率区域和所述低反射率区域以分别在轨迹节距方向连续的状态形成，所述光记录介质包括利用所述反射图案记录信息的记录区域，

其中，所述低反射率区域由凹坑列形成，以及

所述高反射率区域和所述低反射率区域被形成为满足：S+M/2≤0.6H，其中，从所述高反射率区域的反射光获取的再现信号的信号电平表示为“H”，从所述低反射率区域的反射光获取的再现信号的信号电平表示为“S”，且从所述低反射率区域的反射光获取的再现信号的调制度表示为“M”。

2.根据权利要求1所述的光记录介质，其中，所述光记录介质为盘形光记录介质，所述高反射率区域和所述低反射率区域分别在径向方向上呈放射状连续形成，并由此形成条码形反射图案，所述径向方向为所述轨迹节距方向。

3.根据权利要求1所述的光记录介质，其中，通过NA为0.85的光学系统发射的波长为405nm的激光进行再现，以及

在所述低反射率区域中，所述轨迹线方向的空间频率由1667条/mm或以上的凹坑列形成。

4.根据权利要求3所述的光记录介质，其中，在所述低反射率区域的凹坑列中，凹坑部分与平面部分的比例为50±5%。

5.根据权利要求3所述的光记录介质，其中，在所述低反射率区域的所述凹坑列中，所述轨迹节距方向上的相邻凹坑列互相重叠。

6.根据权利要求1所述的光记录介质，其中，所述高反射率区域为未形成凹坑列的镜面部分。

7.根据权利要求1所述的光记录介质，其中，所述高反射率区域由凹坑列或组形成，所述凹坑列或组获得的再现信号电平高于所述低反射率区域中的凹坑列。

8.一种光记录介质，通过形成高反射率区域和低反射率区域而形成有条码形反射图案，从轨迹线方向看交替出现的所述高反射率区域和所述低反射率区域以分别在轨迹节距方向连续的状态形成，所述光记录介质包括利用所述反射图案记录信息的记录区域，其中，所述记录区域利用NA为0.85的光学系统发射的波长为405nm的激光进行再现，以及

在所述低反射率区域中，所述轨迹线方向的空间频率由1667条/mm以上的凹坑列形成。

9.根据权利要求8所述的光记录介质，其中，所述光记录介质为盘形光记录介质，以及

所述高反射率区域和所述低反射率区域以分别在径向方向上呈放射状连续形成，并由此形成条码形反射图案，其中，所述径向为所述轨迹节距方向。

10.根据权利要求9所述的光记录介质，其中，所述高反射率区域和所述低反射率区域被形成为满足：S+M/2≤0.6H，其中，从所述高反射率区域的反射光获取的再现信号的信号电平表示为“H”，从所述低反射率区域的反射光获取的再现信号的信号电平表示为“S”，且从所述低反射率区域的反射光获取的再现信号的调制度表示为“M”。

11.根据权利要求10所述的光记录介质，其中，在所述低反射率区域的凹坑列中，凹坑部分与平面部分的比例为50±5%。

12.根据权利要求10所述的光记录介质，其中，在所述低反射率区域的凹坑列中，所述轨迹节距方向上的相邻凹坑列互相重叠。

13.根据权利要求8所述的光记录介质，其中，所述高反射率区域为未形成凹坑列的镜面部分。

14.一种光记录介质的制造方法，所述光记录介质通过形成高反射率区域和低反射率区域而形成有条码形反射图案，从轨迹线方向看交替出现的所述高反射率区域和所述低反射率区域以分别在轨迹节距方向连续的状态形成，所述光记录介质包括利用所述反射图案记录信息的记录区域，

其中，所述低反射率区域由凹坑列形成，以及

所述高反射率区域和所述低反射率区域被形成为满足：S+M/2≤0.6H，其中，从所述高反射率区域的反射光获取的再现信号的信号电平表示为“H”，从所述低反射率区域的反射光获取的再现信号的信号电平表示为“S”，且从所述低反射率区域的反射光获取的再现信号的调制度表示为“M”，

所述制造方法包括：

原始盘制造步骤，基于记录信息制造具有不平坦图案的原始盘；

压模制作步骤，制作转印有所述原始盘的不平坦图案的压模；

衬底制作步骤，制作转印有所述压模的不平坦图案的衬底；以及

光记录介质形成步骤，通过在所述衬底上形成预定层状结构而形成光记录介质，

其中，在原始盘制造步骤中，在所述原始盘上形成相当于包括所述高反射率区域和所述低反射率区域的记录区域的不平坦图案，以在所述光记录介质形成步骤中形成的所述光记录介质上形成所述记录区域。

15.一种光记录介质的制造方法，所述光记录介质通过形成高反射率区域和低反射率区域而形成有条码形反射图案，从轨迹线方向看交替出现所述高反射率区域和所述低反射率区域以分别在轨迹节距方向连续的状态形成，所述光记录介质包括利用所述反射图案记录信息的记录区域，其中，所述记录区域利用NA为0.85的光学系统发射的波长为405nm的激光进行再现，以及

在所述低反射率区域中，所述轨迹线方向的空间频率由1667条/mm以上的凹坑列形成，

所述制造方法包括：

原始盘制造步骤，基于记录信息制造设置有不平坦图案的原始盘；

压模制作步骤，制作转印有所述原始盘的不平坦图案的压模；

衬底模制作步骤，制作转印有所述压模的不平坦图案的衬底；以及

光记录介质形成步骤，通过在所述衬底上形成预定层状结构而形成光记录介质，

其中，在原始盘制造步骤中，在所述原始盘上形成相当于包括所述高反射率区域和所述低反射率区域的记录区域的不平坦图案，以在所述光记录介质形成步骤中形成的所述光记录介质上形成所述记录区域。

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