CN103021931A - 一种金属氮化物阻挡层的制备方法 - Google Patents
一种金属氮化物阻挡层的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103021931A CN103021931A CN2011102855138A CN201110285513A CN103021931A CN 103021931 A CN103021931 A CN 103021931A CN 2011102855138 A CN2011102855138 A CN 2011102855138A CN 201110285513 A CN201110285513 A CN 201110285513A CN 103021931 A CN103021931 A CN 103021931A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- preparation
- metal nitride
- nitride barrier
- ion source
- barrier layers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 title claims abstract description 42
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 42
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 42
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims abstract description 23
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 30
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 14
- -1 nitrogen ions Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 4
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 11
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 9
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen(.) Chemical compound [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 7
- 235000013842 nitrous oxide Nutrition 0.000 claims description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- 230000005355 Hall effect Effects 0.000 claims description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 3
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 11
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 229910000897 Babbitt (metal) Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017758 Cu-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017931 Cu—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 230000007850 degeneration Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明公开了一种金属氮化物阻挡层的制备方法，属于半导体器件制造技术领域。所述金属氮化物阻挡层采用物理气相沉积方法制备，在沉积金属层时，物理气相沉积设备上的离子源产生氮离子束，向金属层中注入氮离子。本发明采用等离子体辅助的物理气相沉积的制备方法提高阻挡层的致密性，同时也保证其为非晶结构，非晶不存在晶界这样的可供快速扩散的通道，是理想的阻挡层结构。
Description
技术领域
本发明涉及半导体器件制造技术领域，具体涉及一种金属氮化物阻挡层的制备方法。
背景技术
在半导体技术领域，最早的互连金属是Al，然而随着器件的集成度的不断提高，特别是超大规模集成电路的发展，器件的特征尺寸不断缩小，芯片上互连线的截面积和线间距持续下降，这导致了互连线电阻 R和寄生电容 C不断增大，使得互连线的延迟时间常数RC大幅度提高。由于延迟时间常数RC在集成电路系统延迟中所占的比例越来越大，使其成为限制互连速度的主要因素。
为了保证集成电路的高速度、高集成度、高稳定性以及低功率，需要进一步减小互连线电阻R和寄生电容C。前者的解决方法是采用电阻率更低的Cu金属来代替传统的互连金属Al，即开发Cu互连技术，后者则需要开发低介电常数k的材料作为绝缘介质材料。
目前，Cu互连已经替代Al互连成为主流工艺，然而在其应用过程中也带来了一些新的问题：
1) Cu在Si及其氧化物及大部分介质层中扩散很快，且Cu一旦进入器件中就会形成深能级杂质，对器件中的载流子有很强的陷阱效应，使器件性能退化甚至失效。
2) Cu 在200 ℃以下极易与Si、SiO2 发生反应，形成铜硅化合物造成组件失效。
3) Cu与介质材料的粘附性较差，导致集成电路中薄膜的机械强度不够高。
4) Cu不像Al可形成一层致密的氧化物保护层，因此易被氧化和腐蚀，从而影响金属连线的导电稳定性。
为了解决这些问题，需要在Cu与介质之间添加一层超薄的阻挡层来抑制铜与介质的反应。由于集成电路工艺要进行较高温度的热处理，作为具有扩散阻挡作用的阻挡层应具有良好的热稳定性、导电性，与其上的Cu及其下的介质都有好的粘附性、较小的热应力及机械应力。
金属氮化物（例如：HfN、TaN、TiN、MoN等）因具有优良的热稳定性和电学特性而被研究用来作为阻挡层材料。其中TaN因其优异的阻挡性能成为广泛使用的Cu互连阻挡层材料。同时为了提高与Cu的粘附性，通常采用Ta/TaN双层结构。
TaN阻挡层通常用物理气相沉积（Physical Vapor Deposition，PVD）的方法制备，此方法的一个问题是薄膜不够致密存在孔洞，这将导致其阻挡性能变差。随着器件的特征尺寸的不断缩小，阻挡层将变得愈来愈薄，这一问题将愈加突出。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种金属氮化物阻挡层的制备方法，使用此方法制备阻挡层可提高阻挡层的致密性。
为了达到上述目的，本发明采用的技术方案为：一种金属氮化物阻挡层的制备方法，所述金属氮化物阻挡层采用物理气相沉积方法制备，在沉积金属层时，物理气相沉积设备上的离子源产生氮离子束，向所述金属层中注入氮离子。
上述方案中，所述物理气相沉积方法为直流磁控溅射。
上述方案中，所述离子源为考夫曼型离子源、霍尔效应型离子源、冷/热阴极潘宁离子源、高频放电离子源、等离子体阴极离子源、微波阴极离子源或电子束激励离子源。
上述方案中，所述直流磁控溅射的条件为：溅射前本底真空度为10-3-10-6 Pa，溅射时通入氩气，溅射时的真空度为0.1-1Pa，溅射速度为0.1-1 nm/s。
上述方案中，所述金属层为Ta、Hf、Ti、W、Mo、Ru、Zr、Ni、Cr或Nb层。
上述方案中，所述金属层的厚度为2-50nm。
上述方案中，所述离子源的腔室的本底压强范围为10-7Pa～1000Pa，工作时压强范围为10-3Pa～1000Pa；工作气体为氮气、氨气或笑气，流量为1～1000sccm；离子源的输出功率为1～500000W，引出电压为1V～5MV，束流为0.01-100mA。
上述方案中，所述离子源的腔室的本底压强范围为10-5Pa～10Pa，工作时压强范围为10-2Pa～100Pa；工作气体为氮气、氨气或笑气，流量为1～100sccm；离子源的输出功率为1～50000W，引出电压为10V～50KV，束流为0.1-50mA。
上述方案中，所述离子源的腔室的本底压强范围为10-5Pa～10-3Pa；工作时压强范围为0.1Pa～50Pa；工作气体为氮气、氨气或笑气，流量为1～50sccm；离子源的输出功率为10～5000W，引出电压为20V～5KV，束流为1-20mA。
上述方案中，所述注入氮离子时，对承载所述金属层的硅片加温，通过调节注入偏压控制注入深度，通过调节注入束流控制注入的剂量。
与现有技术相比，本发明采用的技术方案产生的有益效果如下：
本发明采用等离子体辅助的物理气相沉积的制备方法提高阻挡层的致密性，同时也保证其为非晶结构。非晶不存在晶界这样的可供快速扩散的通道，是理想的阻挡层结构。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明技术方案进行详细描述。
本发明实施例提供一种金属氮化物阻挡层的制备方法，具体包括如下步骤：
（1）采用物理气相沉积方法中的直流磁控溅射的方法在硅片上沉积Ta层，溅射前本底真空度为10-3-10-6 Pa，溅射时通入氩气，此时真空度为0.1-1Pa，在此真空度下进行溅射，溅射速度为0.1-1 nm/s，溅射Ta层的厚度为2-50nm。
（2）直流磁控溅射的同时，离子源产生N离子束，向金属Ta层中注入氮离子使其氮化，离子源腔室的本底压强范围为10-7Pa～1000Pa，优选地可为10-5Pa～10Pa，更为优选地可为10-5Pa～10-3Pa；工作时压强范围为 10-3Pa～1000Pa，优选为0.01Pa～100Pa，更为优选地可为0.1Pa～50Pa；工作气体为氮气、氨气及笑气等含氮的气体，流量可为1～1000sccm，优选为1～100sccm，更为优选地可为1～50sccm；离子源的输出功率为1～500000W，优选为1～50000W，更为优选地可为10～5000W；引出电压为1V～5MV，优选为10V～50KV，更为优选地可为20V～5KV；束流为0.01-100mA，优选为0.1-50mA，更为优选地可为1-20mA。注入时可对承载金属层的硅片加温，使N原子向膜内扩散，注入深度可通过调节注入偏压加以控制，注入的剂量则由调节注入的束流来控制。
氮离子注入到Ta层中，将自身的能量传递给Ta，由此导致Ta原子位移和二次的级联碰撞，Ta的活性增加将有助于消除薄膜中的孔洞、提高其致密性。同时注入导致的晶格原子的位移会破坏薄膜的晶格结构，使之非晶化。从结构上讲，最理想的阻挡层应是单晶材料，不过单晶材料的生长困难，成本高，难以大规模使用。多晶材料由于存在晶界这样的快速扩散通道，不是理想的阻挡层结构。非晶材料由于没有晶界，其阻挡Cu扩散的效果显然优于多晶材料。本发明中采用离子源辅助沉积的方法，对薄膜的非晶化起决定性的作用。
除了上述实施例描述的使用金属Ta制备金属氮化物阻挡层，还可以使用金属Hf、Ti、W、Mo、Ru、Zr、Ni、Cr或Nb制备金属氮化物阻挡层，制备方法同上述实施例。
本实施例中的离子源可以为考夫曼型离子源、霍尔效应型离子源、冷/热阴极潘宁离子源、高频放电离子源、等离子体阴极离子源、微波阴极离子源或电子束激励离子源。
本发明采用等离子体辅助的物理气相沉积的制备方法提高阻挡层的致密性，同时也保证其为非晶结构。非晶不存在晶界这样的可供快速扩散的通道，是理想的阻挡层结构。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种金属氮化物阻挡层的制备方法，所述金属氮化物阻挡层采用物理气相沉积方法制备，其特征在于，在沉积金属层时，物理气相沉积设备上的离子源产生氮离子束，向所述金属层中注入氮离子。
2.如权利要求1所述的金属氮化物阻挡层的制备方法，其特征在于：所述物理气相沉积方法为直流磁控溅射。
3.如权利要求2所述的金属氮化物阻挡层的制备方法，其特征在于：所述直流磁控溅射的条件为：溅射前本底真空度为10-3-10-6 Pa，溅射时通入氩气，溅射时真空度为0.1-1Pa，溅射速度为0.1-1 nm/s。
4.如权利要求1所述的金属氮化物阻挡层的制备方法，其特征在于：所述离子源为考夫曼型离子源、霍尔效应型离子源、冷/热阴极潘宁离子源、高频放电离子源、等离子体阴极离子源、微波阴极离子源或电子束激励离子源。
5.如权利要求1所述的金属氮化物阻挡层的制备方法，其特征在于：所述金属层为Ta、Hf、Ti、W、Mo、Ru、Zr、Ni、Cr或Nb层。
6.如权利要求1所述的金属氮化物阻挡层的制备方法，其特征在于：所述金属层的厚度为2-50nm。
7.如权利要求1所述的金属氮化物阻挡层的制备方法，其特征在于：所述离子源的腔室的本底压强范围为10-7Pa～1000Pa，工作时压强范围为10-3Pa～1000Pa；工作气体为氮气、氨气或笑气，流量为1～1000sccm；离子源的输出功率为1～500000W，引出电压为1V～5MV，束流为0.01-100mA。
8.如权利要求7所述的金属氮化物阻挡层的制备方法，其特征在于：所述离子源的腔室的本底压强范围为10-5Pa～10Pa，工作时压强范围为10-2Pa～100Pa；工作气体为氮气、氨气或笑气，流量为1～100sccm；离子源的输出功率为1～50000W，引出电压为10V～50KV，束流为0.1-50mA。
9.如权利要求8所述的金属氮化物阻挡层的制备方法，其特征在于：所述离子源的腔室的本底压强范围为10-5Pa～10-3Pa；工作时压强范围为0.1Pa～50Pa；工作气体为氮气、氨气或笑气，流量为1～50sccm；离子源的输出功率为10～5000W，引出电压为20V～5KV，束流为1-20mA。
10.如权利要求1所述的金属氮化物阻挡层的制备方法，其特征在于：所述注入氮离子时，对承载所述金属层的硅片加温，通过调节注入偏压控制注入深度，通过调节注入束流控制注入的剂量。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201110285513.8A CN103021931B (zh) | 2011-09-23 | 2011-09-23 | 一种金属氮化物阻挡层的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201110285513.8A CN103021931B (zh) | 2011-09-23 | 2011-09-23 | 一种金属氮化物阻挡层的制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103021931A true CN103021931A (zh) | 2013-04-03 |
| CN103021931B CN103021931B (zh) | 2015-09-23 |
Family
ID=47970379
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201110285513.8A Expired - Fee Related CN103021931B (zh) | 2011-09-23 | 2011-09-23 | 一种金属氮化物阻挡层的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103021931B (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106783800A (zh) * | 2015-11-19 | 2017-05-31 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 芯片的阻挡层及其制备方法 |
| CN110373589A (zh) * | 2019-07-08 | 2019-10-25 | 中国科学院物理研究所 | W-Cr合金和包含W-Cr合金的纯自旋流器件 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6410383B1 (en) * | 2000-03-16 | 2002-06-25 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Method of forming conducting diffusion barriers |
| CN1870229A (zh) * | 2005-05-25 | 2006-11-29 | 宗祥福 | 用于集成电路的Cu/Ta/Si基衬底结构及其制作方法 |
| CN1881532A (zh) * | 1993-11-05 | 2006-12-20 | 株式会社半导体能源研究所 | 一种制造薄膜晶体管和电子器件的方法 |
| US20080157380A1 (en) * | 2006-12-27 | 2008-07-03 | Dongbu Hitek Co., Ltd. | Method for forming metal interconnection of semiconductor device |
| CN101949006A (zh) * | 2010-07-16 | 2011-01-19 | 常州大学 | 氮化铜薄膜、氮化铜/铜以及铜二维有序阵列的制备方法 |
-
2011
- 2011-09-23 CN CN201110285513.8A patent/CN103021931B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1881532A (zh) * | 1993-11-05 | 2006-12-20 | 株式会社半导体能源研究所 | 一种制造薄膜晶体管和电子器件的方法 |
| US6410383B1 (en) * | 2000-03-16 | 2002-06-25 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Method of forming conducting diffusion barriers |
| CN1870229A (zh) * | 2005-05-25 | 2006-11-29 | 宗祥福 | 用于集成电路的Cu/Ta/Si基衬底结构及其制作方法 |
| US20080157380A1 (en) * | 2006-12-27 | 2008-07-03 | Dongbu Hitek Co., Ltd. | Method for forming metal interconnection of semiconductor device |
| CN101949006A (zh) * | 2010-07-16 | 2011-01-19 | 常州大学 | 氮化铜薄膜、氮化铜/铜以及铜二维有序阵列的制备方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106783800A (zh) * | 2015-11-19 | 2017-05-31 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 芯片的阻挡层及其制备方法 |
| CN106783800B (zh) * | 2015-11-19 | 2020-07-17 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 芯片的阻挡层及其制备方法 |
| CN110373589A (zh) * | 2019-07-08 | 2019-10-25 | 中国科学院物理研究所 | W-Cr合金和包含W-Cr合金的纯自旋流器件 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103021931B (zh) | 2015-09-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5728339B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
| CN101154576A (zh) | 形成具有低电阻的钨多金属栅极的方法 | |
| CN101736314B (zh) | 氧化硅薄膜及金属-绝缘体-金属型电容的形成方法 | |
| CN101425503A (zh) | 半导体器件及其制造方法 | |
| CN103021931B (zh) | 一种金属氮化物阻挡层的制备方法 | |
| CN102623389A (zh) | 一种金属氮化物阻挡层的制备方法 | |
| CN102623434B (zh) | 一种扩散阻挡层及其制备方法 | |
| JPH10313054A (ja) | 集積回路用の相互結合構造 | |
| CN103262223A (zh) | 集成电路的氢钝化 | |
| CN103839604A (zh) | 导电膜及其制备方法、阵列基板 | |
| CN102623311A (zh) | 一种制备金属氮化物阻挡层的装置及其使用方法 | |
| CN109273350B (zh) | 金属薄膜的制造方法 | |
| CN108257856B (zh) | 耐高温低功耗的SiC MOSFET功率器件的制备方法及其结构 | |
| CN101217112A (zh) | 一种纳米尺度W/TiN复合难熔金属栅制备方法 | |
| Eizenberg | Chemical vapor deposition of TiN for ULSI applications | |
| CN102623435B (zh) | 一种阻挡层及其制备方法 | |
| CN106158729A (zh) | 半导体结构的形成方法 | |
| JP2001144094A (ja) | 半導体素子の金属配線形成方法 | |
| CN105244338B (zh) | 用于半导体器件的接触及其形成方法 | |
| KR100476376B1 (ko) | 반도체 장치 제조방법 | |
| CN106298953A (zh) | 一种高性能氧化镍基p型薄膜晶体管及其制备方法 | |
| CN101005059A (zh) | 一种集成电路或半导体器件铜金属化阻挡层结构及其制备方法 | |
| CN113097231A (zh) | 一种基于锡氧化物的pn结及其制备方法 | |
| CN103928440A (zh) | 一种铜互连扩散阻挡层及其制备方法 | |
| KR20070003058A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20150923 Termination date: 20200923 |