CN102983230B - 量子点层的制造方法和转移方法以及量子点光电器件 - Google Patents
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Abstract
本发明提供量子点层的制造方法和转移方法以及量子点光电器件。该量子点层的制造方法包括：在源基板上顺次堆叠自组装单层、牺牲层和量子点层；在量子点层上设置印模；拾取牺牲层、量子点层和印模；以及采用溶解牺牲层的溶液从量子点层去除牺牲层。
Description
技术领域
本公开涉及量子点层的制造方法以及包括该量子点层的量子点光电器件。
背景技术
近来，正广泛开展对于采用量子点（QD）的发射特性的光电器件的研究。
量子点是一种具有尺寸小于激子玻尔半径的结晶结构的半导体材料，也就是，是一种具有尺寸为几个纳米的结晶结构的半导体材料。尽管量子点具有许多电子，但自由电子的数量限制在从约一个到约一百个的范围。在这种情况下，电子的能级受到不连续地限制，因此量子点显示了不同于整体状态半导体的电特性和光学特性，其中整体状态的半导体形成连续的能带。在量子点中，能级根据量子点的尺寸而改变，因此可以通过改变量子点的尺寸来控制带隙。也就是说，量子点可以仅通过改变其尺寸来控制发射波长。
量子点由于其优点而可以用于光电器件中。例如，量子点具有高色纯度、自发射特性、容易通过尺寸调节进行的颜色调整性等。
当通过诸如旋涂的溶液工艺（solution process）制造量子点层时，大面积的量子点层可在空气剪切力的影响下而制造。然而，因为难以采用现有技术将所制造的量子点层转移到光电器件或者将量子点层堆叠在多层结构中，所以在光电器件中采用具有优异特性的量子点层存在许多限制。
发明内容
一个或更多个实施例提供一种采用牺牲层制造量子点层的方法以及包括该量子点层的量子点光电器件。
根据一实施例的方面，提供了一种量子点层的制造方法，该方法包括：在源基板上顺次地堆叠自组装单层（SAM）、牺牲层和量子点层；在量子点层上设置印模；通过印模拾取牺牲层和量子点层；以及采用溶解牺牲层的溶液从量子点层去除牺牲层。
量子点层可以通过溶液工艺形成在牺牲层上。
牺牲层可以是聚合物基高分子量材料。
溶液可以是可极化溶液。
量子点层可以包括布置成二维阵列的多个量子点。
当拾取牺牲层和量子点层时，可以将牺牲层从SAM分离。
印模可以是弹性聚合物。
可以在印模上进行紫外线（UV）-臭氧处理。
微图案可以形成在印模的接触量子点层的表面上，以减少量子点层和印模之间的接触面积。
该方法还可以包括：通过将被去除牺牲层的量子点层转印到器件基板上而在器件基板上形成量子点层。
该方法还可以包括：采用热、压电效应和诸如声波的微振动中的至少一种从量子点层分离印模。
根据另一实施例的方面，提供了一种量子点光电器件，该量子点光电器件包括：彼此间隔开设置的第一电极和第二电极；以及设置在第一电极和第二电极之间的量子点有源层，其包括采用上述方法制造的量子点层。
量子点层可以包括多个量子点，每个量子点具有能够发射相同波段的光的尺寸。
量子点有源层可以包括发射不同颜色的光的多个量子点层。
量子点有源层可以具有多层结构，在该多层结构中垂直地堆叠多个量子点层。
量子点有源层可以发射白光。
量子点有源层可以具有单层结构，在该单层结构中水平地设置多个量子点层。
多个量子点层可以设置为彼此间隔开。
附图说明
从以下结合附图进行的对实施例的说明，以上和/或其它方面将变得更明显且更容易理解，附图中：
图1是示出根据实施例的量子点层的制造方法的流程图；
图2至图8是顺次地示出根据实施例的量子点层的制造方法的示意图；
图9是示出根据实施例的采用量子点层的制造方法制造的量子点光电器件的图示，其中图9示出量子点显示器；
图10是示出根据另一实施例的采用量子点层的制造方法制造的量子点光电器件的图示，其中图10示出白色发射量子点光电器件；
图11是示出根据实施例的量子点层在转移之前和转移之后的吸收率的测量结果的曲线图；
图12是示出根据实施例的根据是否采用牺牲层的量子点层的拾取率的测量结果的曲线图；以及
图13是示出根据实施例的具有单层结构的量子点层的光致发光（PL）强度和发射多种颜色并且具有多层结构的量子点层的光致发光（PL）强度的测量结果的曲线图。
具体实施方式
将参考附图详细描述示例性实施例。附图中，层和区域的厚度为简明起见被夸大。通篇说明书中相同的附图标记表示相同的元件。
图1是示出根据实施例的量子点层的制造方法的流程图。
参考图1，自组装单层（SAM）、牺牲层和量子点层被顺次地堆叠在源基板10上（S1）。在形成牺牲层之前，可以预先在源基板10上进行用于形成例如SAM的表面处理，以有助于牺牲层的剥离。在这点上，用于对SAM进行表面处理的材料可以是用于使源基板10的表面硅烷化或氟化的材料。例如，可以通过采用十八烷基三氯硅烷（octadecyltrichlorosilane）、正辛基三氯硅烷（octyltrichlorosilane）或者三氯（1H,1H,2H,2H-全氟辛基）硅烷和自组装材料的衍生物的溶液浸泡或者热处理而在硅基板上进行表面处理。在这种情况下，源基板10的表面能量可以极大地降低，由此有助于牺牲层的剥离。
形成在SAM上的牺牲层可以是即使在低温下，例如，在室温到120摄氏度的温度范围内也容易生成/去除的聚合物基材料。牺牲层可以由可溶于可极化溶液的材料形成，例如，聚乙烯氧化物（PEO）、聚乙烯醇（PVAL）、聚酰胺酸（PAA）、聚乙烯吡咯烷酮（PVP）或者聚乙烯甲醚（PVME）（例如，烷基和过氧化氢型宏根）。而且，用于形成牺牲层的聚合物的分子量可以在从约10,000至约500,000g/mol的范围内。
然后，量子点层可以形成在牺牲层上。量子点层可以通过溶液工艺形成在牺牲层上。量子点可以是II-IV族量子点、III-IV族量子点、V族量子点或者其化合物。量子点可以包括选自由CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、GaN、GaP、GaAs、InP和InAs组成的组中的至少一种，但是并不局限于此。在不同的条件下，量子点可以包括包含选自由上述材料组成的组中的两种或更多种材料的化合物。例如，该化合物可以是包含以简单混合状态存在的两个或更多量子点的量子点化合物、混合晶体（其中两个或更多化合物晶体被部分分离为相同晶体，例如，具有核壳结构或者梯度结构的晶体）或者包括两种或更多种纳米晶体的化合物。例如，量子点可以具有其中空穴可逃逸到外部的核结构或者包括核以及覆盖该核的壳的核/壳结构。
核可以包括选自由CdSe、CdS、ZnS、ZnSe、CdTe、CdSeTe、CdZnS、PbSe、AgInZnS和ZnO组成的组中的至少一种材料，但是并不局限于此。壳可以包括选自由CdSe、ZnSe、ZnS、ZnTe、CdTe、PbS、TiO、SrSe和HgSe组成的组中的至少一种材料，但实施例并不局限于此。
量子点可以采用本领域公知的量子点合成方法制造。例如，根据本实施例的量子点可以包括通过采用金属前体的化学湿式方法制造的所有量子点。而且，量子点可以采用将预定金属前体注入到必要时包含在分散剂中的有机溶液中并且在恒定温度下生长金属前体的方法而制造，但实施例并不局限于此。当制造量子点时，量子点的尺寸可以调整为吸收或发射红色（R）、绿色（G）和蓝色（B）波长的光。
量子点可以通过溶液工艺涂覆在牺牲层上，例如，通过旋涂、深涂覆或者喷涂而涂覆在牺牲层上，由此形成量子点层。量子点层可以称为量子点单层，其中多个量子点布置成二维阵列。然而，实施例并不局限于此，而是多个量子点可以布置成三维阵列。
印模（stamp）可以设置在量子点层上，并且印模通过转印（transfer printing）来拾取牺牲层和量子点层（S2）。在这点上，形成在源基板10上的SAM通过共价键而耦接到源基板10，并且起到极大地降低表面能量的作用。因此，如果印模拾取牺牲层，则SAM和牺牲层彼此分离。因此，仅量子点和牺牲层被转移到印模上。
然后，牺牲层可以浸入诸如水或者乙醇的可极化溶液中，以从量子点层去除牺牲层（S3）。在量子点层中，无机纳米晶体可以被有机配位体（ligand）包覆，并且有机盖层（capping layer）由绝缘材料形成。另一方面，牺牲层由可溶于诸如水或者乙醇的可极化溶液的高分子材料形成。因此，即使在可极化溶液中溶解牺牲层的工艺期间，量子点层的特性也不改变。
上述量子点层可以用作诸如太阳能器件或者发射器件的光电器件的有源层。以下，将描述在器件基板上堆叠量子点层的方法。
图2至图8是顺次地示出根据实施例的量子点层的制造和转印方法的示意图。
参考图2，SAM 20和牺牲层30顺次地形成在源基板10上。在这点上，用于形成SAM20的材料可以是用于使源基板10的表面硅烷化或氟化的材料。牺牲层30可以是即使在低温下，例如，在室温到120摄氏度的范围内也容易生成/去除的聚合物基材料。而且，牺牲层30可以由可溶于诸如水的可极化溶液的材料形成。
如图3所示，量子点层40通过例如溶液工艺形成在牺牲层30上。量子点层40可以通过例如旋涂形成。量子点层40可以是其中多个量子点布置成二维阵列的量子点单层。
量子点层40形成在牺牲层30上，然后将印模50设置在量子点层40上，如图4所示，印模50例如为弹性印模。然后，印模50通过采用印模50的突出部拾取量子点层40。印模50可以是硅氧烷基、丙烯醛基或者环氧基弹性材料或者其复合物，或者可以通过混合增强材料并且调整该材料的强度而形成。印模50可以包括例如软PDMS、硬PDMS和聚氨酯丙烯酸脂（polyurethaneacrylate）等，或者可以是弹性聚合物。
另外，印模50的接触量子点层40的表面可以是平坦的，并且可以包括微图案。印模50可以制造为包括微图案。例如，期望图案的模具可以通过采用作为负性光致抗蚀剂（PR）的SU8（SU-8光致抗蚀剂）的光刻而形成在硅晶片上，然后液体高分子量材料可以灌注并且固化在模具上，由此完成图案化的弹性体。在灌注液体高分子量材料之前，可以在模具上进行诸如硅烷化或者氟化的表面处理，以在实施固化后容易从该模具分离高分子材料。图案化的弹性体被从硅晶片分离，然后被切成具有适当的尺寸，以用作图案化印模。图案化印模50可以容易地拾取量子点层40。
如果采用图案化印模50，可以减小施加到量子点层40的物理应力，量子点层40被按压以被印模50拾取，而且图案化印模50可以紧密地接触量子点层40，由此容易地拾取量子点层40。而且，在印模50上可以进行紫外线（UV）-臭氧处理，以容易地拾取量子点层40。通过进行UV-臭氧处理，印模50的表面能量增加，由此容许更容易地拾取量子点层40。
如图5所示，接触印模50的突出部的量子点层40被印模50拾取。然后，当量子点层40被拾取时，牺牲层30从源基板10和SAM层20分离，以与量子点层40一起被拾取。
如图6所示，牺牲层30可以浸入可极化溶液60中，以从量子点层40去除牺牲层30。牺牲层30可以是即使在低温下，例如，在从室温到120摄氏度的范围内也容易生成/去除的聚合物基材料，并且可以由可溶于诸如水的可极化溶液60的材料形成。因此，在某些实施例中，如果牺牲层30被浸入可极化溶液60中，在预定时段之后牺牲层30便溶于可极化溶液60中。
在牺牲层30被去除之后，量子点层40可以被转印在器件基板70上。然后，如图7所示，量子点层40可以形成在器件基板70上。尽管器件基板70被示出为图7中的单层，但器件基板70可以根据采用量子点层40的器件类型而包括任何各种堆叠结构。例如，当量子点层40用作光电器件时，器件基板70可以具有其中透明电极、空穴注入层（HIL）、空穴输送层（HTL）等被堆叠的结构。
同时，当进行转印时，从约30摄氏度到约200摄氏度的温度范围内的热可以施加到量子点层40。更优选地，约70摄氏度的温度范围内的热可以施加到量子点层40，从而使通过印模50拾取的量子点层40被完整地转移到器件基板70上。
然后，如图8所示，将印模50从量子点层40分离。当被印模50拾取的量子点层40被转印时，可以施加压电效应或者诸如声波的微振动，例如超声波，以容易地从印模50分离量子点。而且，图案化印模50被结构化以在印模50中形成从约纳米级到约几微米级的微图案，由此容易从印模50分离量子点，这是因为印模50和量子点之间的接触面积小。如果从约纳米级到约几微米级的微图案形成在印模50中，则包括量子点层40的多层有机结构或者整个器件可以容易地转移到另一基板上，这是因为多层有机结构或者整个器件与印模50之间的接触面积小。
如上所述，如果采用牺牲层30，则量子点层40可以容易被制造。而且，如果采用牺牲层30，量子点层40的特性可以被保持并且量子点层40可以印刷在大面积上。另外，如果采用牺牲层，不管量子点层的厚度如何，在从单层到多层的厚度范围，量子点层都可以被印刷。
图9是示出根据本公开实施例的采用量子点层的制造方法制造的量子点光电器件100的图示，其中图9示出量子点显示器。
参考图9，量子点光电器件100包括基板71、采用上述量子点层的制造方法形成的量子点有源层80、被连接到外部电源以向量子点有源层80注入载流子（电荷载流子）的例如阳极的第一电极73和例如阴极的第二电极93、设置在量子点有源层80和第一电极73之间的例如HTL 77的第一电荷输送层以及设置在量子点有源层80和第二电极93之间的例如电子输送层（ETL）91的第二电荷输送层。量子点光电器件100还可以包括在形成在基板71上的第一电极73和HTL 77之间的HIL 75。
基板71可以是透明玻璃基板或者柔性塑料基板。
第一电极73可以用作阳极，并且可以由具有高功函数的材料形成，以允许空穴被注入第一电极73中。例如，第一电极73可以由诸如铟锡氧化物（ITO）、铟氧化物等透明氧化物形成。第一电极73可以通过诸如溅射的干式沉积而形成在基板71上。
HTL 77设置在第一电极73与量子点有源层80之间。HTL 77可以由p型半导体聚合物形成，p型半导体聚合物例如为PEDOT、PSS、PPV、PVK等。HTL 77可以采用诸如旋涂的湿式涂覆方法形成。例如，当由PPV形成的聚合物层形成在第一电极73上时，包括PPV前体聚合物和甲醇有机溶剂的前体溶液被旋涂在第一电极73上，并且在惰性气体气氛下或者在真空中、在从约750摄氏度到约300摄氏度的固化温度下在其上进行热处理三个小时，由此获得由PPV薄膜形成的HTL 77。
通过采用上述量子点层的制造方法将其中多种颜色被图案化的量子点层，例如其中R、G和B颜色被图案化的量子点层81、83和85转印到HTL77上，量子点有源层80可以形成为实现像素化的量子点显示器。每个量子点层是单层，而且多个量子点层可以设置为彼此间隔开。在这点上，量子点可以具有从约1nm至约10nm的直径。量子点可以具有均质单层结构或者核-壳的双层结构。当量子点具有核-壳的双层结构时，用于形成核和壳的材料可以是上述的不同半导体化合物。然而，用于形成壳的材料的能带隙可以大于用于形成核的材料的能带隙。
ETL 91设置在量子点有源层80和第二电极93之间，也就是，例如量子点有源层80和阴极之间，并且可以由任意不同材料形成。例如，形成ETL 91的材料可以是诸如TiO2、ZrO2或HfO2等的金属氧化物、包括Si3N4的无机材料或n型半导体聚合物等。
第二电极93可以用作阴极，并且可以由具有小功函数的材料形成，以允许电子易于注入到ETL 91中。第二电极93可以由选自由镁（Mg）、钙（Ca）、钠（Na）、钾（K）、钛（Ti）、铟（In）、钇（y）、锂（Li）、钆（Gd）、铝（Al）、银（Ag）、锡（Sn）、铅（Pb）、铯（Cs）和钡（Ba）组成的组中的一种金属或者其合金形成，或者可以由具有多层结构的材料形成，例如，LiF/Al、LiO2/Al、LiF/Ca、LiF/Al和BaF2/Ca，但实施例并不局限于此。第二电极93可以通过诸如溅射的干式沉积形成。第二电极93可以相应于量子点有源层80而被图案化，量子点有源层80具有其中R、G和B颜色被图案化的量子点层81、83和85的阵列，以实现像素化的量子点显示器。
HIL 75可以设置在第一电极73和HTL 77之间，并且用于形成HIL 75的材料不受特别限制。具有优良的界面特性并且能够容易地将电子传输到电极的任意材料都可以用于形成HIL 75。例如，HIL 75可以由包括聚（3,4-乙烯二氧噻吩）（PEDOT）的材料形成。
在图9中，其中第一电极73、HIL 75、HTL 77和量子点有源层80堆叠在基板71上的结构被耦合到其中第二电极93和ETL 91被堆叠的结构，并且通过基板71发射R、G和B颜色的光。然而，这只是示例，并且量子点太阳能电池或者量子点光电器件100的堆叠结构不局限于此。例如，在量子点太阳能电池或者量子点显示器中，ETL和第二电极可以形成在其中第一电极、HIL、HTL、和量子点有源层堆叠在基板上的结构上，并且朝向第二电极入射的太阳光可以被吸收进入量子点有源层中，或者R、G和B颜色的光可以出射。
如果通过第一电极73和第二电极93将电压施加到量子点光电器件100以形成电场，则从第一电极73和第二电极93注入的空穴和电子穿过HTL 77和ETL 91，而在量子点有源层80内部复合以形成作为激子的电子-空穴对,并且激子由于辐射衰减而进入电性接地状态，由此向外部发射光。在这点上，根据从第一电极73和第二电极93注入的空穴和电子是否在其中R、G和B颜色被图案化的量子点层81、83和85的R、G和B区域中复合而发射R、G和B颜色的光。可以选择性地发射R、G和B颜色之一的光，或者可以同时发射R、G和B颜色中的每种的光，这通过在驱动单元（未示出）的控制下区别化它们的光强而实现的，以构造各种颜色的像素。
根据上述量子点层的制造方法，代替形成其中R、G和B颜色被图案化的量子点层81、83和85，R、G和B量子点层可以被转印以构造成如图10所示的多层，由此实现诸如量子点（QD）太阳能电池或者量子点发光器件（QD-LED）的光电器件。
图10是示出根据本公开另一实施例的采用量子点层的制造方法制造的量子点光电器件200的图示。除了量子点有源层80’形成为包括多颜色量子点层，例如R、G和B量子点层81、83和85的多层以及量子点有源层80’未被像素化之外，图10所示的量子点光电器件200的基本堆叠结构、每层的材料以及激活原理与图9所示的量子点光电器件100相同。因此，图10中，与图9中一样的附图标记表示具有实质上相同功能的元件，并且关于图9描述的元件的重复描述这里不再重复。
通常，对于之前采用的方法，因为量子点通过溶液工艺制造，所以量子点可以不被制造为薄的多层。然而，采用根据实施例的量子点层的制造方法，牺牲层以及R、G和B量子点层可以通过转印而印刷在器件上的多层结构中，并且R、G和B颜色的光可以同时发射，由此产生白光发射。而且，白平衡可以采用每个量子点层的厚度以及量子点层之间的部分能量转移而容易地控制。如图10所示，在采用量子点多层的器件中，例如，在白色发射的量子点器件中，载流子可以根据具有各种能带的量子点层的设置顺序而顺次地越过每个量子点层的量子点的独有能量势垒，由此显著地降低阈值电压和驱动电压。
这样，如果采用目前所公开的量子点层的制造方法制造的具有多层结构的量子点发射层被用于制造白色发射的量子点器件，则可以通过量子点有源层之间的部分能量转移以及通过控制每个量子点有源层的厚度而控制白光，由此降低驱动电压并且增加发射效率。而且，如果具有多层结构的量子点有源层被用于制造太阳能器件，则每个量子点有源层吸收各种波长的光，以根据分级能带结构使产生且分离的电子和空穴迅速地向电极移动，由此增加太阳能电池的光吸收和效率。
在另一实施例中，给出一种将第一量子点层从一个基板转移到另一基板的方法，该方法包括：（a）在第一基板上顺次地堆叠自组装单层（SAM）、牺牲层和第一量子点层；（b）使印模接触第一量子点层；（c）从第一量子点层去除牺牲层；以及（d）在第二基板上沉积第一量子点层。这些步骤可以如上所述进行。
对于在本实施例中去除牺牲层，可以采用溶解牺牲层的溶液，并且优选地，在第二基板上沉积第一量子点层的步骤之前进行去除牺牲层的步骤。另外，在本实施例中，优选的是，在顺次堆叠步骤之后，SAM和牺牲层之间的粘着量少于牺牲层和第一量子点层之间的粘着量。还优选的是，在使印模接触第一量子点层的步骤之后，第一量子点层和印模之间的粘着量大于SAM和牺牲层之间的粘着量。这容许包括牺牲层、第一量子点层和印模（但不包括SAM）的单一多层结构在去除牺牲层、第一量子点层和印模的步骤期间被移除。在另一实施例中，第二基板的接触第一量子点层的表面包括第二量子点层。
以下，将描述采用根据本公开的方法制造的量子点层的性能。
在制造量子点层期间，为了检查是否发生了量子点层的特性损失，测量量子点层的吸收率。例如，在量子点层被转移到器件基板上之前和之后的量子点层的吸收率被测量，其中量子点层具有7nm的厚度并且包括0.23wt%的量子点溶液。
图11是示出根据本发明实施例的量子点层在被转移之前和之后的吸收率的测量结果的曲线图。如图11所示，转移之前的量子点层的吸收率，即形成在牺牲层上的量子点层的吸收率与转移之后的量子点层的吸收率，即形成在器件基板上的量子点层的吸收率大致相同。因此，图11示出未受牺牲层影响的量子点层的吸收率。
图12是示出根据是否采用牺牲层的量子点层的拾取率的测量结果的曲线图。当印模拾取量子点层而不使用牺牲层时，厚度小于20nm的量子点层的拾取率被显著地降低。然而，当印模拾取形成在牺牲层上的量子点层时，厚度小于20nm的量子点层的拾取率高。
图13是示出具有单层结构的量子点层的光致发光（PL）强度和发射多种颜色并且具有多层结构的量子点层的光致发光（PL）强度的测量结果的曲线图。参考图13，量子点层发射红光时的PL强度与具有多层结构的量子点层发射红光和绿光时的PL强度相同。因此，图13示出尽管量子点层具有多层结构在转印期间也不发生量子点层的损失。
根据量子点层的制造方法，可以采用牺牲层形成并且转印量子点层。
如果采用牺牲层转移量子点层，则量子点层的初始状态可以被保持而不会使得量子点层的特性损失。而且，量子点层可以通过采用牺牲层重复地印刷量子点层而被构造成多层结构，并且诸如大面积太阳能器件或者发射器件的光电器件也可以容易地制造。
另外，如果采用牺牲层，则量子点层可以具有高拾取率而与量子点层的厚度无关，因此可以转移具有各种厚度的量子点层。
此外，印模拾取源基板上脱落的量子点以将量子点转印到器件基板上，因此量子点层可以被图案化为彩色像素，或者具有各种颜色的量子点层可以堆叠在多层结构中。
应该理解的是，这里描述的示例性实施例应该仅在说明的意义上而不是限制的目的考虑。每个实施例中的特征或方面的描述应该典型地被考虑为可用于其它实施例中的其它类似特征或方面。
本申请要求在2011年9月6日提交到韩国知识产权局的韩国专利申请No.10-2011-0090313的权益，其全部内容通过引用结合于此。
Claims (24)
1.一种量子点层的制造方法，所述方法包括：
在源基板上顺次地堆叠自组装单层、牺牲层和量子点层；
在所述量子点层上设置印模；
通过所述印模拾取所述牺牲层和所述量子点层；以及
采用溶解所述牺牲层的溶液从所述量子点层去除所述牺牲层。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述量子点层通过溶液工艺形成在所述牺牲层上。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述牺牲层是聚合物基高分子量材料。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述溶液是可极化溶液。
5.如权利要求1所述的方法，其中所述量子点层包括布置成二维阵列的多个量子点。
6.如权利要求1所述的方法，其中当通过所述印模拾取所述牺牲层和所述量子点层时，所述牺牲层从所述自组装单层分离。
7.如权利要求1所述的方法，其中所述印模是弹性聚合物。
8.如权利要求1所述的方法，还包括：在通过所述印模拾取所述牺牲层和所述量子点之前，在所述印模上进行紫外线-臭氧处理。
9.如权利要求1所述的方法，其中所述印模的接触所述量子点层的表面包括使所述量子点层和所述印模之间的接触面积减少的微图案。
10.如权利要求1所述的方法，还包括：通过将去除了所述牺牲层的所述量子点层转印到器件基板上，在所述器件基板上形成所述量子点层。
11.如权利要求10所述的方法，还包括：采用压电效应、热和微振动中的至少一种将所述印模从所述量子点层分离。
12.一种量子点光电器件，包括：
第一电极；
第二电极，设置为与所述第一电极间隔开；以及
量子点有源层，设置在所述第一电极和所述第二电极之间，所述量子点有源层包括采用权利要求1所述的方法制造的量子点层，
其中所述量子点层的厚度小于20nm。
13.如权利要求12所述的量子点光电器件，其中所述量子点层包括多个量子点，所述多个量子点中的每个具有构造成发射相同波段的光的尺寸。
14.如权利要求12所述的量子点光电器件，其中所述量子点有源层包括发射不同颜色的光的多个量子点层。
15.如权利要求14所述的量子点光电器件，其中所述量子点有源层具有多层结构，在所述多层结构中垂直地堆叠多个量子点层。
16.如权利要求15所述的量子点光电器件，其中所述量子点有源层发射白光。
17.如权利要求14所述的量子点光电器件，其中所述量子点有源层具有单层结构，在所述单层结构中水平地设置所述多个量子点层。
18.如权利要求17所述的量子点光电器件，其中所述多个量子点层设置为彼此间隔开。
19.一种量子点层的转移方法，用于将第一量子点层从第一基板转移到第二基板，所述方法包括：
(a)在所述第一基板上顺次地堆叠自组装单层、牺牲层和第一量子点层；
(b)使印模与所述第一量子点层接触；
(c)从所述第一量子点层去除所述牺牲层；以及
(d)在所述第二基板上沉积所述第一量子点层。
20.如权利要求19所述的方法，还包括：采用溶解所述牺牲层的溶液从所述第一量子点层去除所述牺牲层。
21.如权利要求19所述的方法，其中在顺次堆叠之后，所述自组装单层和所述牺牲层之间的粘着量小于所述牺牲层和所述第一量子点层之间的粘着量。
22.如权利要求21所述的方法，其中在使所述印模与所述第一量子点层接触之后，所述第一量子点层和所述印模之间的粘着量大于所述自组装单层和所述牺牲层之间的粘着量。
23.如权利要求19所述的方法，其中所述第一量子点层的厚度小于20nm。
24.如权利要求19所述的方法，其中所述第二基板的接触所述第一量子点层的表面包括第二量子点层。
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