CN102978649B - 一种高纯氧化镓的制备方法 - Google Patents
一种高纯氧化镓的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102978649B CN102978649B CN201210542115.4A CN201210542115A CN102978649B CN 102978649 B CN102978649 B CN 102978649B CN 201210542115 A CN201210542115 A CN 201210542115A CN 102978649 B CN102978649 B CN 102978649B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- preparation
- gallium
- purity
- gallium oxide
- electrolysis
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 29
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 29
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 27
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 27
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 claims abstract description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims abstract description 16
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 claims abstract description 10
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 8
- LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N gallic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 15
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 abstract description 4
- 238000005406 washing Methods 0.000 abstract description 3
- FZHLWVUAICIIPW-UHFFFAOYSA-M sodium gallate Chemical compound [Na+].OC1=CC(C([O-])=O)=CC(O)=C1O FZHLWVUAICIIPW-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 abstract 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 abstract 1
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M sodium hydroxide Inorganic materials [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 23
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 19
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 10
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 7
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 3
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 3
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 3
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 3
- 238000005201 scrubbing Methods 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- -1 optical field Substances 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 150000003385 sodium Chemical class 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 1
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 229910000373 gallium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- ZPDRQAVGXHVGTB-UHFFFAOYSA-N gallium;gadolinium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Gd+3] ZPDRQAVGXHVGTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBDRYJMIQMDXRH-UHFFFAOYSA-N gallium;sulfuric acid Chemical compound [Ga].OS(O)(=O)=O SBDRYJMIQMDXRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007777 multifunctional material Substances 0.000 description 1
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001428 transition metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
Abstract
一种高纯氧化镓的制备方法，涉及一种用作发光材料、晶体材料、催化剂及其它制品原料的高纯氧化镓的制备方法。其特征在于其制备过程采用工业镓为原料，将工业镓在加入碱液的电解槽中作为电解阳极，进行电解制备镓酸钠溶液；再将镓酸钠溶液为中间物料，进行中和、洗涤、干燥、焙烧，制得高纯氧化镓。本发明的一种高纯氧化镓的制备方法，以含镓99.99％的工业镓为原料，在碱液中进行三段电解，获取纯净的的镓酸钠溶液，以此镓酸钠溶液为中间物料，进行中和、洗涤、干燥、焙烧，可制得高纯氧化镓，产品纯度达99.999%，可满足发光材料、晶体材料各领域使用。
Description
技术领域
一种高纯氧化镓的制备方法，涉及一种用作发光材料、晶体材料、催化剂及其它制品原料的高纯氧化镓的制备方法。
背景技术
氧化镓是一种多功能材料，随着现代科学技术的发展，其应用越来越广泛，可以作为主料或辅料广泛应用于磁学、催化、半导体、光学领域、化工及电子领域。其主要用于制备钆镓石榴石，钆镓石榴石单晶是液相外延YIG以及类YIG等磁光薄膜的理想衬底材料，而YIG以及类YIG不仅是目前已商业化的光纤光隔离器中法拉第旋转部件的核心材料，而且也是广泛应用于光波导、集成光学等高新技术领域中的重要材料。另一方面作为一种宽禁带半导体材料，镓酸盐被认为是一类很有前途的发光基质材料，在镓酸盐中掺杂不同的稀土或过渡金属离子做激活剂，可得到不同的电致发光材料，在液晶显示、等离子体显示、电致发光显示、场发光显示等平板显示方面有着较好的发展前景及应用空间。
目前有用金属镓与酸反应生成镓溶液，然后经中和、洗涤、焙烧等过程制备氧化镓。专利200810014780.X报道采用金属镓与硫酸反应生产硫酸镓，进一步形成硫酸复盐，经过多次重结晶提纯处理，制得高纯复盐，最后经过烘干、焙烧，获得高纯氧化镓。以上方法存在的问题其一在于将金属镓加到酸溶液中进行反应，在制备过程中易出现金属镓被钝化而使反应无法顺利进行；其二在化学反应及焙烧过程中有腐蚀性气体放出，影响到设备使用寿命及作业安全问题，污染环境。
发明内容
本发明的目的就是针对上述已有技术存在的不足，提供一种方法简便、安全、产品纯度高高纯氧化镓的方法。
本发明的目的是通以下技术方案实现的。
一种高纯氧化镓的制备方法，其特征在于其制备过程采用工业镓为原料，将工业镓在加入碱液的电解槽中，进行电解制备镓酸钠溶液；再将镓酸钠溶液为中间物料，进行中和、洗涤、干燥、焙烧，制得高纯氧化镓。
本发明的一种高纯氧化镓的制备方法，其特征在于其进行电解制备镓酸钠溶液过程分三段进行；第一段控制电流密度为3000 A/m2--5000 A/m2，电解时间为30-60小时；第二段调整电流密度为500～1000 A/m2，电解至溶液中Ga+浓度为200g/L以上时；第三段调整电流密度300 A/m2-200 A/m2，至电解终点。
本发明的一种高纯氧化镓的制备方法，其特征在于所述的碱液为30%的氢氧化钠溶液。
本发明的一种高纯氧化镓的制备方法，以含镓99.99％的工业镓为原料并作为电解阳极，在碱液中进行三段电解，为制备高纯氧化镓做好高纯液料准备。粗镓及碱液中均含有少量的钙、镁、铜、铁、锡、铅等杂质，在电解过程中，电位较Ga正的杂质由于在阳极不溶而落集在阳极的底部，而较Ga更负性的杂质在阳极溶解进入电解液后，由于其不会同Ga一起在阴极析出而被留在电解液中，因而在电解过程中采取三段电解法，前期采取高电流强度电解，除去溶液中负电性杂质，从而保障制得高纯度的镓酸钠溶液，电解尾期采取低电流密度电解，控制正电性杂质析出。以此镓酸钠溶液为中间物料，进行中和、洗涤、干燥、焙烧，可制得高纯氧化镓。
进行金属镓电解时，在碱电解液（尤其循环用电解液）中含有较多的K、Na、Ca、Mg、Cu、Fe等杂质，一段电解时考虑各元素的标准电极电位，选择高电流密度下的电解精制，阴极电流密度3500 A/m2以上，从而除去碱液中的杂质，保障镓酸钠溶液纯度。
在电解过程中，采用变电流控制，尤其在电解后期，根据现场作业情况，低电流控制电解析出，抑制正电性杂质元素的析出。适宜的阴极电流密度控制在300 A/m2以下。
将镓酸钠溶液过滤，除去电解液中的黑色浮渣及钝化膜，尔后在聚丙烯等非金属容器中进行中和、过滤，以避免接触到金属器皿对产品造成二次污染。
一种高纯氧化镓的制备方法，以含镓99.99％的工业镓为原料，在碱液中进行三段电解，获取纯净的的镓酸钠溶液，以此镓酸钠溶液为中间物料，进行中和、洗涤、干燥、焙烧，可制得高纯氧化镓，产品纯度达99.999%，可满足发光材料、晶体材料各领域使用。
具体实施方式
一种高纯氧化镓的制备方法，其特征在于其制备过程采用工业镓为原料，将工业镓在加入碱液的电解槽中，进行电解制备镓酸钠溶液；再将镓酸钠溶液为中间物料，进行中和、洗涤、干燥、焙烧，制得高纯氧化镓。其制备过程的步骤包括：
1、将碱液加入电解槽中，对金属镓进行化学处理，加入电解槽中，控制电流密度3000 A/m2以上，进行强电流电解。
2、调整电流密度500～1000 A/m2，电解运行一段时间，至溶液中Ga+浓度200g/L以上时，降低电流密度300 A/m2以下，至电解终点。
3、将电解液，滤去浮渣及氧化膜，用酸进行中和处理，控制PH值为6，得白色氢氧化物沉淀物。
4、将白色氢氧化物沉淀进行反复洗涤，除去附碱。将滤物在90～100℃下烘干待用。
5、将烘干后的镓氢氧化物进行焙烧，得高纯氧化镓，产品质量达99.999%。
实旋例1
1、将配比1：1的碱液加入电解槽中，对金属镓进行化学处理作为电解阳极，控制电流密度3500 A/m2，进行强电流电解40小时。
2、调整电流密度600 A/m2，电解运行一段时间，至溶液中Ga+浓度250g/L时，降低电流密度250 A/m2，至电解终点。
3、将电解液进行调配，滤去浮渣及氧化膜，用酸进行中和处理，控制PH值为6，得白色氢氧化物沉淀物。
4、将白色氢氧化物沉淀进行反复洗涤，除去附碱。将滤物在100℃下烘干待用。
5、将烘干后的镓氢氧化物进行焙烧，得高纯氧化镓，产品质量达99.999%，关键杂质控制：Co＜0.1；Cr＜0.2；Cu 1.0；Fe＜1.0；Mg 1.0；Mn＜0.5；Ni＜0.5；Pb＜0.3；Sn＜0.5；Ti 1.0；Zn 1.7。
实旋例2
1、将配比1：1的碱液加入电解槽中，对金属镓进行化学处理作为电解阳极，控制电流密度4500 A/m2，进行强电流电解60小时。
2、调整电流密度800 A/m2，电解运行一段时间，至溶液中Ga+浓度300g/L时，降低电流密度300 A/m2，至电解终点。
3、将电解液进行调配，滤去浮渣及氧化膜，用酸进行中和处理，控制PH值为6，得白色氢氧化物沉淀物。
4、将白色氢氧化物沉淀进行反复洗涤，除去附碱。将滤物在100℃下烘干待用。
5、将烘干后的镓氢氧化物进行焙烧，得高纯氧化镓，产品质量达99.999%，关键杂质控制：Co＜0.1；Cr＜0.2；Cu 0.6；Fe＜1.0；Mg 0.6；Mn＜0.5；Ni＜0.5；Pb＜0.2；Sn＜0.5；Ti 0.6；Zn 2.0。
Claims (1)
1.一种高纯氧化镓的制备方法，其制备过程采用工业镓为原料，将工业镓在加入碱液的电解槽中，进行电解制备镓酸钠溶液；再将镓酸钠溶液为中间物料，进行中和、洗涤、干燥、焙烧，制得高纯氧化镓；其特征在于其进行电解制备镓酸钠溶液过程分三段进行；第一段控制电流密度为3000 A/m2--5000 A/m2，电解时间为30-60小时；第二段调整电流密度为500～1000 A/m2，电解至溶液中三价Ga浓度为200g/L以上；第三段调整电流密度300 A/m2-200 A/m2，至电解终点。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210542115.4A CN102978649B (zh) | 2012-12-14 | 2012-12-14 | 一种高纯氧化镓的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210542115.4A CN102978649B (zh) | 2012-12-14 | 2012-12-14 | 一种高纯氧化镓的制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102978649A CN102978649A (zh) | 2013-03-20 |
| CN102978649B true CN102978649B (zh) | 2015-03-25 |
Family
ID=47852980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201210542115.4A Active CN102978649B (zh) | 2012-12-14 | 2012-12-14 | 一种高纯氧化镓的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102978649B (zh) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104229872B (zh) * | 2014-09-18 | 2015-10-21 | 株洲科能新材料有限责任公司 | 一种连续生产微米级氧化镓粉末的工艺 |
| CN108046311A (zh) * | 2017-12-25 | 2018-05-18 | 清远先导材料有限公司 | 高纯氧化镓的制备方法 |
| CN115466841A (zh) * | 2022-04-13 | 2022-12-13 | 宁夏东方钽业股份有限公司 | 一种辐照监督中子探测用的高纯度铌片的制备方法 |
| CN114715931A (zh) * | 2022-04-22 | 2022-07-08 | 珠海经济特区方源有限公司 | 一种海绵镓制备高纯硝酸镓的方法 |
| CN114715932A (zh) * | 2022-04-22 | 2022-07-08 | 珠海经济特区方源有限公司 | 一种海绵镓制备高纯硫酸镓的方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101249983A (zh) * | 2008-03-21 | 2008-08-27 | 中国铝业股份有限公司 | 高纯氧化镓的制备方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4178485B2 (ja) * | 1998-05-15 | 2008-11-12 | 三菱マテリアル株式会社 | スパッタリングターゲット用酸化ガリウム粉末およびその製造方法 |
| CN100430522C (zh) * | 2003-11-21 | 2008-11-05 | 深圳市格林美高新技术股份有限公司 | 超高纯金属镓的制备方法 |
| CN1942608B (zh) * | 2004-04-30 | 2010-04-14 | 日本轻金属株式会社 | 镓的回收方法 |
| CN102011143A (zh) * | 2010-12-14 | 2011-04-13 | 中国铝业股份有限公司 | 一种镓电解原液的制备方法 |
-
2012
- 2012-12-14 CN CN201210542115.4A patent/CN102978649B/zh active Active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101249983A (zh) * | 2008-03-21 | 2008-08-27 | 中国铝业股份有限公司 | 高纯氧化镓的制备方法 |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| 99.99999%高纯镓的制备工艺;马太琼;《稀有金属》;19791031(第5期);第57-60页（三）镓的电解精炼提纯 * |
| 高纯金属镓制备技术研究进展;苏毅等;《稀有金属》;20030731;第27卷(第4期);全文 * |
| 高纯镓电解精炼的研究;佘旭;《稀有金属》;20071231;第31卷(第6期);全文 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102978649A (zh) | 2013-03-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102978649B (zh) | 一种高纯氧化镓的制备方法 | |
| US8317896B2 (en) | Method of recycling useful metal | |
| US10196709B2 (en) | Systems for recovering rare earth elements | |
| CN102515223B (zh) | 一种高效综合利用高铁铝土矿的方法 | |
| CN105779792B (zh) | 一种制备低杂质含量氢氧化稀土的方法 | |
| CN102452743A (zh) | 含络合物镀镍废水的处理方法 | |
| CN107557598B (zh) | 制备钒电解液的方法 | |
| CN102839391B (zh) | 高纯铟制备方法 | |
| CN103572313A (zh) | 无汞碱锰型电解二氧化锰的生产方法 | |
| CN112110466B (zh) | 一种去除粉煤灰及其中间产物中铁杂质的方法 | |
| CN108503167A (zh) | 一种利用钢铁酸洗废液合成新型净水剂的方法 | |
| CN102286288B (zh) | 一种醋酸系ito蚀刻液和制备工艺 | |
| CN107400904A (zh) | 铜电解液脱杂剂的制备方法与铜电解液脱杂的方法 | |
| CN112645396B (zh) | 一种三氟化氮制备过程中产生的含氟镍渣的处理方法 | |
| CN102796872A (zh) | 一种回收阴极射线管荧光粉中稀土的方法 | |
| CN1903732A (zh) | 用线路板蚀刻废液生产氧氯化铜的方法 | |
| CN106450401B (zh) | 一种利用废弃钒电解液制备硫酸氧钒的方法 | |
| CN102887534A (zh) | 从硫酸镍溶液萃取镍的萃余液中回收试剂级无水硫酸钠的方法 | |
| US20120130074A1 (en) | Method for Preparation Metal Compounds of 8-Hydroxyquinoline or Derivatives | |
| CN108773847B (zh) | 一种回收废旧磷酸钒锂的方法 | |
| CN101671838A (zh) | 一种电子级高纯甲基磺酸亚锡溶液的制备方法 | |
| KR101270549B1 (ko) | 이온교환수지를 이용하여 폐니켈 스크랩으로부터 고순도 황산니켈을 제조하는 방법 | |
| CN110498443A (zh) | 一种用ito废靶重制ito粉的方法 | |
| CN108517426A (zh) | 一种温和条件下废crt荧光粉中稀土高效分离回收的方法 | |
| CN102897802A (zh) | 从碱式碳酸铜生产废液中回收试剂级无水硫酸钠的方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20180625 Address after: No. 22, Shanghai Street District, front road, 450041 Zhengzhou, Henan Co-patentee after: Aluminum Corporation of China Limited Patentee after: Chalco Mining Co., Ltd. Address before: 100082 Xizhimen North Street, Haidian District, Haidian District, Beijing Patentee before: Aluminum Corporation of China Limited |
|
| TR01 | Transfer of patent right |