CN102960083A - 电子设备 - Google Patents

Abstract

本发明提出了一种用于抑制噪声经由电子设备中的间隙泄漏到框架外部的措施，其中框架中包括电子部件，框架具有导电性质并且具有连接内部空间和外部空间的间隙。电子设备包括：导电框架(10)，具有连接内部空间和外部空间的间隙(40)；容纳在框架(10)中的电子部件(20)；以及设置为与框架(10)的内壁面(11)接触的结构(30)，其中所述结构(30)包括：导电材料层，以及电介质材料层，位于导电材料层和框架(10)的内壁面(11)之间，以及导电材料层包括在其至少一部分区域中的重复结构。

Description

电子设备

技术领域

本发明涉及一种电子设备。

背景技术

在导电框架中包括电子部件的电子设备是已知的。在这些电子设备中，在框架中存在连接内部空间和外部空间的间隙的电子设备是已知的。例如，PC(个人计算机)是其示例。

PC包括诸如电子电路板之类的电子部件，例如，电子部件设置在由镁合金构成的框架中。例如在笔记本型PC的情况下，将用于安装更多存储器的盖体设置在其底部表面上，并且在盖体和框架体之间存在连接框架的内部空间和外部空间的间隙。其中存在连接框架的内部空间和外部空间的间隙的这种电子设备的示例包括PC、诸如投影仪之类的各种类型的电子设备。

这里，在具有上述配置的电子设备的情况下，可能发生这样的问题：由于在框架中设置的电子部件操作而产生的噪声经由在框架中存在的间隙传播通过框架的内壁面并且泄漏到外部空间。

专利文献1公开了一种抑制经由间隙的噪声泄漏的措施作为用于解决问题的手段，其使用这样的结构：在框架中包括的间隙中设置屏蔽构件以覆盖连接框架的内部空间和外部空间的间隙。

相关文献

专利文献

[专利文献1]日本未审专利公开No.2001-77576

发明内容

然而像专利文献1中公开的技术，在通过对框架中存在的间隙进行直接处理(例如，用屏蔽构件覆盖间隙)来抑制噪声泄漏的措施的情况下，发生以下问题。

例如如上所述，当用屏蔽构件覆盖间隙时，间隙存在于笔记本型PC的底部表面上设置以便安装更多存储器的盖体和框架本体之间，尽管可以打开或者关闭盖体以便安装更多的存储器，但是用屏蔽构件覆盖的间隙的状态可能改变。因此存在这样的问题：在改变覆盖状态之后，不能获得足够的噪声泄漏抑制效果。

此外，当有意地形成间隙以提供一定功能时，如果用屏蔽构件覆盖间隙可能会发生问题。

因此，本发明的目的是提供一种手段，用于抑制诸如噪声经由间隙泄漏到框架外部之类的问题，而不在对框架中存在的间隙不进行任何直接处理。

根据本发明，提出了一种电子设备，包括：导电框架，所述导电框架具有导电性质，并且具有连接内部空间和外部空间的间隙；容纳在所述框架中的电子部件；以及设置为与所述框架的内壁面接触的结构，其中所述结构包括导电材料层、以及位于所述导电材料层和所述框架的内壁面之间的电介质材料层，并且所述导电材料层包括在其至少一部分区域中的重复结构。

根据本发明，可以抑制噪声从电子设备的内部空间泄漏到外部空间的问题发生。

附图说明

根据结合附图对一些优选实施例的以下描述，本发明的以上和其他目的、优点和特征将变得更加明白，其中：

图1是示意性地示出了根据本发明实施例的电子设备的示例的截面图；

图2是示意性地示出了根据本发明实施例的电子设备的示例的底视图；

图3是示意性地示出了根据本发明实施例的电子设备的示例的截面图：

图4是示意性地示出了根据本发明实施例的电子设备的示例的侧视图；

图5是示意性地示出了根据本发明实施例的框架的内壁面和结构的示例的截面图；

图6是示意性地示出了根据本发明实施例的电子设备中设置的EBG结构的示例的透视图；

图7是示意性地示出了根据本发明实施例的电子设备中设置的EBG结构的示例的截面图；

图8是根据本发明实施例的电子设备中设置的EBG结构的单位单元的等效电路图；

图9是根据本发明实施例的电子设备中设置的EBG结构的等效电路图；

图10是对其传播受到EBG结构抑制的噪声的频率范围进行计算的公式；

图11是用于说明设置根据本发明实施例的结构的位置的截面图；

图12是用于说明根据本发明实施例的制造结构的方法示例的截面图；

图13是示意性地示出了根据本发明实施例的框架的内壁面和结构示例的截面图；

图14是示意性地示出了根据本发明实施例的框架的内壁面和结构示例的截面图；

图15是示意性地示出了根据本发明实施例的结构的示例的平面图；

图16根据本发明实施例的电子设备中设置的EBG结构的单位单元的等效电路图；

图17是用于说明根据本发明实施例的制造结构的方法示例的截面图；

图18是示意性地示出了根据本发明实施例的框架的内壁面和结构示例的截面图；

图19是示意性地示出了根据本发明实施例的框架的内壁面和结构示例的截面图；

图20是示意性地示出了根据本发明实施例的结构的示例的平面图；

图21是根据本发明实施例的电子设备中设置的EBG结构的单位单元的等效电路图；

图22是示意性地示出了根据本发明实施例的框架的内壁面和结构示例的截面图；

图23是用于说明根据本发明实施例的制造结构的方法示例的截面图；

图24是示意性地示出了根据本发明实施例的框架的内壁面和结构示例的截面图；

图25是示意性地示出了根据本发明实施例的岛状导体的示例的透视图；

图26是示意性地示出了在根据本发明实施例的电子设备中设置的EBG结构的示例的透视图；

图27是示意性地示出了在根据本发明实施例的电子设备中设置的EBG结构的示例的截面图；

图28是根据本发明实施例的电子设备中设置的EBG结构的单位单元的等效电路图；

图29是示意性地示出了根据本发明实施例的岛状导体的示例的透视图；

图30是示意性地示出了在根据本发明实施例的电子设备中设置的EBG结构的示例的透视图；

图31是根据本发明实施例的电子设备中设置的EBG结构的单位单元的等效电路图；

图32是示意性地示出了根据本发明实施例的框架的内壁面和结构示例的截面图；

图33是示意性地示出了根据本发明实施例的框架的内壁面和结构示例的截面图；

图34是示意性地示出了根据本发明实施例的框架的内壁面和结构示例的截面图；

图35是示意性地示出了根据本发明实施例的框架的内壁面和结构示例的截面图；

图36是示意性地示出了根据本发明实施例的第三导体的示例的平面图；

图37是示意性地示出了根据本发明实施例的第三导体的示例的平面图；

图38是示意性地示出了在根据本发明实施例的电子设备中设置的EBG结构的示例的透视图；

图39是示意性地示出了在根据本发明实施例的电子设备中设置的EBG结构的示例的透视图；

图40是示意性地示出了根据比较示例的截面结构的图；

图41是示出了根据比较示例的结构的图；

图42是示出了根据示例的结构的图；以及

图43是示出了电磁场仿真结果的图。

具体实施方式

下文中，将参考附图描述本发明的实施例。贯穿附图，用相同的参考数字表示相同的组成部件，并且将适当地省略其描述。

<第一实施例>

首先，将描述根据本实施例的电子设备的总体结构。

图1是示意性地示出了根据本实施例的电子设备的示例的截面图，以及图2是图1的电子设备的底视图。此外，图3是示意性地示出了根据本实施例的电子设备的另一个示例的截面图，以及图4是图3的电子设备的侧视图。

如图1至4所示，根据本实施例的电子设备包括框架10、电子部件20和结构30。

这里例如，具有图1和图2所示配置的电子设备是笔记本型PC。在附图中例如，参考数字10’表示框架10的一部分，并且与用于安装更多存储器的盖体相对应。如果必要，用户可以执行打开盖体10’、将存储器设置在预定的位置和关闭盖体10’的操作。在盖体10’和框架10的本体之间存在连接框架10的内部空间和外部空间的间隙40。投影仪是具有图3和图4所示配置的电子设备的示例。在附图中，参考数字10’是框架10的一部分，并且例如与装配到框架10(本体)的盖体相对应。连接框架10的内部空间和外部空间的间隙40存在于盖体10’和框架10的本体之间。PC和投影仪只是示例，并且根据本实施例的电子设备可以是其他类型的电子设备。此外，图1至图4所示的配置只是示例，并且不局限于这种配置。

下文中将描述根据本实施例的电子设备的各个配置。

框架10在内壁面的至少一部分区域中具有导电性质。也就是说，框架的内壁面10的至少一部分区域配置为包括导电材料。导电材料没有特别限制。此外，框架的内壁面10中的导电区域的位置、形状和尺寸也没有特别限制。

框架10包括连接内部空间和外部空间的间隙40。间隙40存在于框架10的导电区域中。当框架10包括不具有导电性质的区域时，间隙40可以存在于导电区域和非导电区域上。间隙40可以是当设计电子设备时为了一定目的有意设置的间隙，并且可以是当设计电子设备(具体地，框架10)时必须存在的间隙。这种间隙的形状和尺寸没有特别限制，并且间隙40可以具有可选的形状。例如，可以使用在平面图中具有点形状的间隙和在平面图中具有线形状(包括直线和曲线)的间隙。此外，间隙40可以存在于框架10的一个面上，如图1和2所示，并且间隙40可以存在于如图3和图4所示的框架10的多个面上。在参考图1至4所述的示例中，尽管示出了在框架10和作为框架10的一部分的盖体10’之间形成的间隙，但是这只是示例，并且本实施例的间隙40不局限于这种间隙。

除了以上之外，图1至4所示的框架10的形状、尺寸、高宽比等只是示例，并且在本实施例中不局限于这些示例。

电子部件20容纳在框架10中。电子部件的类型没有特别限制，并且电子电路板是电子部件20的示例。

这里，当将电子部件20容纳在具有以上配置的框架10中时，由于操作电子部件20中流动的信号电流所引起的磁场，感应噪声电流可能在电子部件20附近的框架10的导电内壁面中流动。存在这样的问题：例如，感应噪声电流移动通过框架10的导电内壁面到达间隙40，然后经由间隙40移动到框架10的外部空间，并且作为电磁波在空气中辐射。

在根据本实施例的电子设备中，将具有消除上述问题的结构30设置为与框架10的导电内壁面接触。结构30包括电介质材料层和导电材料层，所述导电材料层在至少部分区域中具有重复结构。下文中将详细描述所述结构30。

图5示意性地示出了设置为与框架10的导电内壁面11(下文中简单称作“内壁面11”)接触的所述结构30的截面结构的示例。

如图5所示，结构30包括第一导体71、连接构件73和电介质材料层75。

电介质材料层75设置为与所述内壁面11接触。此外，电介质材料层75配置为使得其至少一部分形成附着于内壁面11的粘附层75B。例如，如图5所示，电介质材料层75可以是包括由电介质材料构成的层75A和粘附层75B在内的叠层结构。例如，层75A可以是柔性基板。另外具体地，例如，层75A可以是玻璃环氧基板、氟树脂基板等。层75A可以由单层或多层构成。例如，粘附层75B可以由粘合剂形成。粘合剂的原材料没有特别限制，并且例如可以使用根据相关技术的所有原材料，例如天然橡胶、丙烯酸树脂或硅树脂。层75A和粘附层75B的厚度是设计事项。

第一导体71设置在电介质材料层75的表面上，具体地设置与内壁面11接触的电介质材料层75的面77相对一侧的面76上，以便面对内壁面11。可以将第一导体71设置在电介质材料层75的内部中以便面对所述内壁面11。这种第一导体71在至少一部分区域中具有重复结构(例如周期性结构)。作为所述重复结构，如图5所示，可以考虑重复地(例如周期性地)设置了多个分离的岛状导体71A的结构。

岛状导体71A的“重复”也包括部分地省略所述岛状导体71A的情况。此外，用语“周期性”也包括部分岛状导体71A本身的排列发生偏移的情况。也就是说，即使在严格意义上来说周期性被破坏时，如果重复地设置岛状导体71A，可以获得所述岛状导体71A作为其组成部件的EBG结构(随后所述)的元材料(metamaterial)性质，那么在“周期性”中也允许一定程度的缺陷。

岛状导体71A的原材料没有特别限制，并且例如可以选择铜等。岛状导体71A的平面形状没有特别限制，并且可以使用诸如三角形、四边形、五边形、具有六个或更多个顶点的多边形、或圆形之类的可选形状。可以重复地设置具有不同尺寸和/或形状的两种或更多种类型的岛状导体71A。在这种情况下，优选地，针对每一种类型，周期性地排列两种或更多种类型的岛状导体71A。根据向EBG结构(随后所述)设定的所需带隙范围来确定岛状导体71A的尺寸、相互距离等，其中岛状导体71A是EBG结构的组成部件的一部分。

连接构件73设置在电介质材料层75的内部，以将一部分或全部岛状导体71A与内壁面11电连接。也就是说，连接构件73在电介质材料层75的面77(与内壁面11接触的面)的至少一侧上暴露，并且与内壁面11和一部分或全部岛状导体71A接触。当连接构件73设置为将一部分岛状导体71A与内壁面11电连接时，连接构件73可以周期性地设置，也可以非周期性地设置。然而优选地，将连接构件73周期性地设置，因为连接构件73作为其组成部件的一部分的EBG结构(随后所述)引起布拉格反射以扩展带隙范围。这里，用语“周期性”包括这样的情况：其中部分连接构件73本身的排列发生偏移。这种连接构件73可以由金属形成，例如铜、铝或不锈钢。

根据本实施例的结构30是包括粘附层75B在内的片，并且通过将片状结构30附着到框架10的内壁面11来获得图5所示的状态。

这里在本实施例中，内壁面11和结构30形成EBG结构。图6和7示意性地示出了包括内壁面11和结构30在内的EBG结构的示例。

图6是示意性地示出了EBG结构的透视图，以及图7是示意性地示出了图6的EBG结构的截面图。

图6和7所示的EBG结构包括片状导体2、多个分离的岛状导体1以及多个连接构件3。所述片状导体2与内壁面11相对应，岛状导体1与所述结构30的所述岛状导体71A相对应，以及连接构件3与所述结构30的所述连接构件73相对应。

多个岛状导体1设置在从平面图看与片状导体2重叠的区域中，并且设置在通过介入的电介质材料层(未示出)与片状导体2分离的位置处。此外，多个岛状导体1周期性地排列。连接构件3将多个岛状导体1的每一个与片状导体2电连接。在EBG结构中，单位单元A包括一个岛状导体1、与岛状导体1相对应设置的连接构件3、以及片状导体2中包括面对岛状导体1的区域在内的那部分区域。单位单元A重复地(例如周期性地)设置，从而所述结构用作元材料(例如，EBG(电磁带隙))。所述EBG结构是具有所谓的蘑菇结构的EBG结构。

这里，单位单元A的“重复”包括省略了一些单位单元A的配置的一部分的情况。此外，当所述单位单元A具有二维排列时，用语“重复”也包括部分地省略单位单元A的情况。此外，用语“周期性”包括一部分单位单元A的组成部件(岛状导体1和连接构件3)的一部分偏移的情况、以及一部分单位单元A本身的排列发生偏移的情况。也就是说，即使在严格意思上来讲周期性被破坏时，如果重复地设置单位单元A，可以获得元材料性质，也允许“周期性”中一定程度的缺陷。作为发生这些缺陷的原因，可以考虑以下情况：互连或过孔在单位单元A之间通过的情况；由于向现有互连布局添加元材料结构时现有的过孔或图案、制造误差而不能设置单位单元A的情况；以及使用现有过孔或图案作为单位单元一部分的情况。以上假设适用于所有的以下实施例。

图8是图7所示的单位单元A的等效电路图。如图8所示，单位单元A包括在相邻岛状导体1之间产生的电容C和由连接构件3产生的电感L。

根据EBG结构，可以抑制在噪声电流在片状导体2表面上的传播。此外，因为相邻的岛状导体1形成了电容C，可以抑制噪声电磁波在EBG结构附近的传播。

这里，在EBG结构中，可以通过调节岛状导体1和片状导体2之间的距离、连接构件3的厚度、多个岛状导体1之间的相互距离等来调节用作带隙的频率范围。也就是说，EBG结构可以调节其传播受到抑制的噪声的频率。

例如，在图7所示的EBG结构的情况下，可以通过图9所示的等效电路图描述两个相邻的岛状导体1、与两个岛状导体1分别相连的两个连接构件3、以及包括片状导体2中面对两个岛状导体1的区域在内的一部分区域。可以通过图10所示的公式计算这种等效电路图描述的EBG结构的带隙范围“f”。通过根据这一公式调节形成EBG结构的电容C和/或电感L，可以设置所需的f值。另外具体地，例如，通过改变相邻岛状导体1之间的距离、岛状导体1的尺寸和连接构件3的长度，可以适当地调节所述电容C和/或所述电感L，并且设置所需的f值。在具有以下实施例中所述的其他配置的EBG结构的情况下，通过基于对每一个EBG结构所确定的带隙范围“f”进行计算的公式，来适当地调节电容C和/或电感L，可以设置所需f值。

在本实施例中，内壁面11和结构30形成了带隙范围不同的两种或更多类型的EBG结构，并且每一种EBG结构可以重复地设置(例如，周期性地)。这样，可以加宽带隙范围。

在根据本实施例的电子设备中，内壁面11和结构30形成上述EBG结构。因此，可以抑制内壁面11中设置了结构30的区域中噪声电流的传播，并且抑制结构30附近的噪声电磁波的传播。此外，通过适当地设计组成所述结构30的岛状导体71A、连接构件73和电介质材料层75，可以适当地抑制所需频率的噪声的传播。

随后，假设由于提供了结构30而获得的操作效果，将描述设置所述结构30的优选位置。

如上所述，在设置所述结构30的位置处，可以抑制噪声电流经由内壁面11的传播。考虑这种情况，优选地是将所述结构30设置在一位置处，使得抑制噪声电流传播通过内壁面11到达间隙40。例如，如图1至4所示，可以将所述结构30设置为包围所述间隙40。可以将所述结构30设置在内壁面11的整个面上。这里，措辞“整个面”意味着可以附着根据本实施例的片状结构30的位置处的整个面。

如果间隙40和所述结构30之间的距离较大，存在感应噪声电流在其间存在的内壁面11中流动并且到达间隙40的问题。因此，优选地是将所述结构30设置在可以避免这种问题的位置处。下文中，将参考图11描述这种位置。

关注噪声电流经由内壁面11的传播，可以认为间隙40的端部a是开放端，图中比岛状导体71A的端部b更远的右侧由于EBG结构的抑制功能而处于短路状态。在作为开放端的端部a处出现最大电压并且在作为短路端的端部b处出现最小电压时的频率下，建立了1/4波长谐振状态，并且存在噪声经由间隙40移动到外部空间的问题。因此，当从框架10的内壁面11中存在的间隙40到设置为与内壁面11接触的结构30的岛状导体71A(导电材料层)、与内壁面11平行的方向上的距离是1(mm)、并且电子部件20的工作频率是f(GHz)时，优选地是满足1≤(300/f)/4的关系。更优选地是满足1≤(300/f)/8的关系。这样，可以抑制上述问题。

根据具有上述配置的本实施例的电子设备，可以抑制噪声电流流过框架10的内壁面11到达间隙40。由此，可以抑制由于在电子设备中包括的电子部件20的操作而产生的噪声泄漏到电子设备的外部。

接下来，将参考图12描述根据本实施例的制造结构30的方法示例。图12是示出了制造根据本实施例的结构30的步骤示例的截面图。

首先，如(1)所示，在诸如玻璃环氧基板或氟树脂基板之类的基板(层75A)的第一表面(图中的上表面)上形成铜箔71。随后如(2)所示，通过光刻和刻蚀选择性地刻蚀所述铜箔71的一部分以形成图案(多个分离的岛状导体71A)。之后如(3)所示，通过钻孔形成穿透岛状导体71A和所述层75A的孔。

随后如(4)所示，将由诸如铜、铝或不锈钢之类的金属形成的穿透销(连接构件73)插入到在(3)中形成的孔中。

之后如(5)所示，将粘附层75B形成于所述层75A的第二表面(附图中的下表面)上。粘附层75B形成为使得连接构件73穿透所述粘附层75B并且暴露出。用于按照这种方式进行形成的特定措施没有特别限制，但是可以使用以下措施。例如，将在(4)中插入的连接构件73的长度设置为一长度，使得处于插入状态的连接构件73的一组末端从所述层75A的第二表面(附图中的下表面)暴露出。此外，粘附层75B可以由片状粘合剂构成，并且当片状粘合剂(粘附层75B)形成于所述层75A的第二表面上时，通过强有力地按压片状粘合剂(粘附层75B)，可以从片状粘合剂(粘附层75B)的表面暴露出连接构件73的一组末端。替代地，粘附层75B可以由柔性粘合剂形成，并且在将粘合剂涂覆到所述层75A的第二表面(附图中的下表面)之后，可以通过挤压来去除涂覆到连接构件73表面的粘合剂，从而从粘附层75B的表面暴露出连接构件73。随后，如果必要，提供非导电表面层(未示出)，所述非导电表面层覆盖所述多个分离的岛状导体71A和层75A的第一表面(附图中的上表面)。

例如，可以按照上述方式制造结构30。在制造所述结构30之后，通过将所述结构30附着以与根据相关技术制造的框架10的内壁面11接触，获得图5所示的状态。在这种情况下，连接构件73附着以与内壁面11接触。

这里，通过仅将具有图6和7所示的EBG结构的片附着于内壁面11，不会实现上述效果。下文中，将参考图40描述其原因。

图40是示出了将具有图6和7所示的EBG结构片附着至框架100的内壁面110的状态的截面图。图40所示的片700包括片状导体702、多个分离的岛状导体701和多个连接构件703。

如图40所示，通常，因为所述片700包括由绝缘粘合剂构成的层704，以便确保相对于附着的构件的粘合性质。如图40所示，粘合剂层704位于所述片状导体702和所述内壁面110之间，处于如下状态：具有EBG结构的片700附着于内壁面110，并产生所述片状导体702和所述内壁面110电隔离的状态。按照这种方式，在内壁面110和EBG结构电隔离的状态下，不能够抑制噪声在内壁面110的表面上的传播。

根据本实施例的电子设备解决了上述问题。具体地如图5所示，在根据本实施例的电子设备中，内壁面11构成EBG结构的一部分。在这种情况下，如上所述，内壁面11不与所述EBG结构电隔离。这种假设适用于以下实施例。

<第二实施例>

根据本实施例的电子设备基于根据第一实施例的电子设备的配置，不同之处在于所述结构30的配置部分地不同。其他配置与第一实施例的电子设备的配置相同，并且将省略其描述。

图13是示意性地示出了根据本实施例的与框架10的内壁面11接触的结构30的示例的截面图。所示结构30基于第一实施例的结构30(参见图5)的配置，不同之处在于连接结构73(73A、73B和73C)的配置是不同的。其他配置与所述第一实施例的配置相同，并且将省略其描述。

根据本实施例的连接构件73包括第一导电连接构件73A、第二导电连接构件73B和第三导电连接构件73C。第一连接构件73A具有如下配置：其一端穿透电介质材料层75的表面77以与内壁面11接触，并且经由另一端与第二连接构件73B电连接。在第一连接构件73A不与岛状导体71A接触的状态下第一连接构件73A通过在岛状导体71A中形成的孔。第二连接构件73B与第一连接构件73A电连接，并且设置为面对岛状导体71A。第二连接构件73B的平面形状可以是直线、曲线、螺旋形或其他形状。第二连接构件73B定位在与内壁面11相对的一侧，其间介入有岛状导体71A。第三连接构件73C经由其一端与第二连接构件73B电连接，并且经由朝着电介质材料层75的表面77延伸的另一端与岛状导体71A电连接。这里，在图14和15中示出了第二连接构件73B具有螺旋形状的示例。图14是沿图15的A-A线得到的截面图，以及图15是当从上向下看时图14的平面图。在图14和15中，为了更清楚地理解所述配置，通过阴影线示出了与其他图(图5等)中使用的部件不同的相应组成部件。

这里在本实施例中，内壁面11和所述结构30也形成EBG结构。然而，在本实施例中形成的EBG结构与在第一实施例中描述的EBG结构不同。

在本实施例中形成的EBG结构中(参见图13至15)，单位单元A包括一个岛状导体71A、设置为面对岛状导体71A的连接构件73(73A、73B和73C)、以及内壁面11中包括面对岛状导体71A的区域在内的一部分区域。EBG结构是短截线型EBG结构，其中形成为包括连接构件73B在内的微带线用作短截线。具体地，连接构件73A形成电感。此外，连接构件73B与面对的岛状导体71A电耦合以形成微带线，在所述微带线中岛状导体71A用作回程路径。微带线的一端配置作为由于第三连接构件73C的短端以用作短截线。

图16是在本实施例中形成的EBG结构(参见图13至15)的单位单元A的等效电路图。如图16所示，单位单元A包括阻抗部X和导纳部Y。阻抗部X包括在相邻岛状导体71A之间产生的电容C以及由岛状导体71A产生的电感L。导纳部Y包括由内壁面11和岛状导体71A产生的电容C、由第一连接构件73A产生的电感L、以及形成为包括第二连接构件73B(传输线)和第三连接构件73C在内的短截线。

通常，已知的是，在阻抗部X是电容性而导纳部Y是电感性的频率范围中，EBG结构产生电磁带隙。在图13至15所示的短截线型EBG结构中，通过增加短截线的截线长度，可以将其中导纳部Y是电感性的频率范围朝着低频范围移动。因此，可以将带隙范围朝着低频范围移动。尽管短截线型EBG结构要求用于将带隙范围朝着低频范围移动的截线长度，但是因为所述截线型EBG结构不必要求一定的面积，所以可以减小单位单元的尺寸。

根据所述EBG结构，可以抑制噪声电流在内壁面11的表面上的传播，并且抑制噪声电磁波在所述结构30附近的传播。

也就是说，根据本实施例(其中根据第一实施例，所述结构30设置在预定位置)的电子设备，可以抑制噪声电流流过框架10的内壁面11到达间隙40。由此，可以抑制由于电子设备中包括的电子部件20的操作而产生的噪声泄漏到电子设备的外部。

此外在本实施例中，因为也可以调节EBG结构的带隙范围，所以可以通过根据电子设备使用的频率来调节所述EBG结构的带隙范围，有效地抑制噪声的传播。

另外在本实施例中，内壁面11和结构30可以形成具有不同带隙范围的两种或更多种类型的EBG结构，并且每一个所述EBG结构可以重复地(例如周期性地)设置。这样，可以加宽带隙范围。

在由本实施例的所述结构30形成的EBG结构中，可以通过特征性连接构件73(73A、73B和73C)的配置来形成如图16所示的各种电感L和电容C。由此，可以获得用于抑制所需频率范围中噪声传播所要求的电感L和电容C，而不会过多增加岛状导体71A和连接构件73(73A、73B和73C)的尺寸。也就是说，可以使得单位单元A的尺寸相对较小。在这种情况下，可以增加每单位面积的单位单元A的个数，并且更有效地抑制噪声的传播。

接下来，将参考图17描述根据本实施例的制造电子设备的方法的示例。图17是示出了制造根据本实施例的结构30的步骤的示例的截面图。

首先，如(1)所示，在诸如玻璃环氧基板或氟树脂基板之类的基板(层75A(1))的第一表面(图中的上表面)上形成铜箔73B，并且在第二表面(附图中的下表面)上形成铜箔71。随后如(2)所示，通过光刻和刻蚀选择性地刻蚀铜箔71的一部分以形成图案(多个分离的岛状导体71A)。此外，通过光刻和刻蚀选择性地刻蚀铜箔73B的一部分以形成图案(第二连接构件73B)。岛状导体71A形成为如下图案：其中提供了孔，第一连接构件73A穿过该孔。这种孔设置为比第一连接构件73A的直径大。

之后，通过钻孔形成穿透第二连接构件73B、层75A(1)和岛状导体71A的孔。将由诸如铜、铝或不锈钢之类的金属形成的穿透销(第三连接构件73C)插入到孔中以获得如(3)所示的状态。

随后如(4)所示，电介质材料层75A(2)进一步形成于所述层75A(1)的第二表面(附图中的下表面)上。例如，可以准备诸如玻璃环氧基板或氟树脂基板之类的新柔性基板(所述层75A(2))，并且可以将所述基板(所述层75A(2))的第一表面(附图中的上表面)附着到所述层75A(1)的第二表面(附图中的下表面)。按照这种方式，在本实施例中，岛状导体71A(所述第一导体)设置在包括所述层75A(1)和75A(2)在内的电介质材料层的内部。

之后如(5)所示，使用钻孔形成穿透第二连接构件73B、层75A(1)和75A(2)以及岛状导体71A的孔。所述孔具有比在(2)中在岛状导体71A中形成的孔直径小的直径，并且通过允许钻孔器穿过所述孔而处于所述钻孔器不接触岛状导体71A的状态，来形成所述孔。之后，如(6)所示，将由诸如铜、铝或不锈钢之类的金属构成的穿透销(第一连接构件73A)插入到在(5)中形成的孔中。

之后如(7)所述，将粘附层75B形成于所述层75A(2)的第二表面(附图中的下表面)上。所述粘附层75B形成为使得第一连接构件73A穿透所述粘附层75B并暴露出。可以将与第一实施例中所述措施相同的措施用作按照这种方式进行形成的特定措施。随后，在必要时提供不导电表面层(未示出)，所述不导电表面层覆盖第二连接构件73B和所述层75A(1)的所述第一表面(附图中的上表面)。

例如，可以按照上述方式制造所述结构30。在制造所述结构30之后，通过将所述结构30附着以与根据相关技术制造的框架10的内壁面11接触，获得图13所示的状态。在这种情况下，将第一连接构件73A附着以与内壁面11接触。

<第三实施例>

根据本实施例的电子设备基于根据第一实施例的电子设备的配置，不同之处在于所述结构30的配置部分地不同。其他配置与第一实施例的电子设备的配置相同，并且将不再提供其描述。

图18是示意性地示出了根据本实施例与框架10的内壁面11接触的结构30的示例的截面图。所示结构30基于第一实施例的结构30(参见图5)的配置，不同之处在于连接结构73(73A和73BC)的配置是不同的。其他配置与所述第一实施例的结构相同，并且将不再提供其描述。

根据本实施例的连接构件73包括第一导电连接构件73A和第二导电连接构件73B。第一连接构件73A具有这样的配置：其一端穿透电介质材料层75的表面77以与内壁面11接触，并且经由另一端与第二连接构件73B电连接。在第一连接构件73A不与岛状导体71A接触的状态下，第一连接构件73A穿过在所述岛状导体71A中形成的孔。第二连接构件73B与第一连接构件73A电连接，并且设置为面对岛状导体71A。第二连接构件73B的平面形状可以是直线、曲线、螺旋形状或其他形状。第二连接构件73B定位在与内壁面11相对的一侧，其间介入有岛状导体71A。此外，第二连接构件73B的另一端是开放端。这里，在图19和20中示出了第二连接构件73B具有螺旋形状的示例。图19是沿图20的A-A线得到的截面图，而图20是当从上向下观看时图19的平面图。在图19和20中，为了更清楚地理解所述结构，通过阴影线示出了与其他图(图5等)中使用的部件不同的各个组成部件。

这里在本实施例中，内壁面11和所述结构30也形成EBG结构。然而，在本实施例中形成的EBG结构与在第一和第二实施例中描述的EBG结构不同。

在本实施例中形成的EBG结构中，单位单元A包括一个岛状导体71A、设置为与所述岛状导体71A相对应的连接构件73(73A和73B)、以及内壁面11中包括面对岛状导体71A的区域在内的一部分区域。所述EBG结构是开放截线型EBG结构，其中形成为包括连接构件73B在内的微带线用作开放截线。具体地，连接构件73A形成电感。此外，连接构件73B与面对的岛状导体71A电耦合以形成微带线，在微带线中岛状导体71A用作回程路径。所述微带线的一端配置为开放端以用作开放截线。

图21是在本实施例中形成的EBG结构(参见图18至20)的单位单元A的等效电路图。如图21所示，单位单元A包括阻抗部X和导纳部Y。阻抗部X包括在相邻岛状导体71A之间产生的电容C以及由岛状导体71A产生的电感L。导纳部Y包括由内壁面11和岛状导体71A产生的电容C、由第一连接构件73A产生的电感L、以及开放截线，所述开放截线形成为包括第二连接构件73B(传输线)。

通常，已知的是，在阻抗部X是电容性而导纳部Y是电感性的频率范围内，EBG结构产生电磁带隙。在图18至20所示的开放截线型EBG结构中，通过增加所述开放截线的截线长度，可以将其中导纳部Y是电感性的频率范围朝着低频范围移动。因此，可以将带隙范围朝着低频范围移动。尽管开放截线型EBG结构要求用于将带隙范围朝着低频范围移动的截线长度，因为开放截线型EBG结构不必要求一定的面积，所以可以减小单位单元的尺寸。

根据所述EBG结构，可以抑制噪声电流在内壁面11的表面上的传播，并且抑制噪声电磁波在结构30附近的传播。

也就是说，根据本实施例的电子设备，其中根据第一实施例将所述结构30设置在预定位置，可以抑制噪声电流流过框架10的内壁面11到达间隙40。由此，可以抑制由于电子设备中包括的电子部件20的操作而产生的噪声泄漏到电子设备的外部。

此外在本实施例中，因为也可以调节所述EBG结构的带隙范围，可以通过根据电子设备使用的频率来调节所述EBG结构的带隙范围，有效地抑制噪声的传播。

另外在本实施例中，内壁面11和所述结构30可以形成具有不同带隙范围的两种或多种类型的EBG结构，并且每一个所述EBG结构可以重复地(例如周期性地)设置。这样，可以加宽所述带隙范围。

在通过本实施例的所述结构30形成的EBG结构中，可以通过特征性连接构件73(73A和73BC)的配置来形成如图21所示的各种电感L和电容C。由此，可以在不会过多增加岛状导体71A和连接构件73(73A和73B)的尺寸的情况下，获得用于抑制所需频率范围中噪声传播所要求的电感L和电容C。也就是说，可以使得单位单元A的尺寸相对较小。在这种情况下，可以增加每单位面积的单位单元A的个数，并且更有效地抑制噪声的传播。

可以根据第二实施例中所述的制造电子设备的方法来实现根据本实施例的制造电子设备的方法。因此将不再提供其描述。

<第四实施例>

根据本实施例的电子设备基于根据第一实施例的电子设备的配置，不同之处在于所述结构30的配置部分地不同。其他配置与第一实施例的电子设备的配置相同，并且将不再提供其描述。

图22是示意性地示出了根据本实施例的与框架10的内壁面11接触的结构30的示例的截面图。所示结构30基于第一实施例的结构30(参见图5)的配置，不同之处在于连接结构73(73A和73BC)的配置是不同的。其他配置与所述第一实施例的配置相同，并且将不再提供其描述。

根据本实施例的连接构件73包括第一导电连接构件73A和第二导电连接构件73B。所述第一连接构件73A具有这样的配置：其一端穿透电介质材料层75的表面77而与内壁面11接触，并且经由另一端与第二连接构件73B电连接。第一连接构件73A不与岛状导体71A接触。所述第二连接构件73B与第一连接构件73A电连接，并且设置为面对所述岛状导体71A。第二连接构件73B的平面形状可以是直线、曲线、螺旋形状或其他形状。第二连接构件73B定位为比岛状导体71A更靠近内壁面11。此外，第二连接构件73B的另一端是开放端。

这里在本实施例中，所述内壁面11和所述结构30也形成EBG结构。然而，在本实施例中形成的EBG结构与在第一至第三实施例中描述的EBG结构不同。

在本实施例中形成的EBG结构中，单位单元A包括一个岛状导体71A、设置为与所述岛状导体71A相对应的连接构件73(73A和73B)、以及内壁面11中包括面对所述岛状导体71A的区域在内的一部分区域。所述EBG结构是开放截线型EBG结构，其中形成为包括连接构件73B在内的微带线用作开放截线。具体地，连接构件73A形成电感。此外，连接构件73B与面对的岛状导体71A电耦合以形成微带线，在微带线中岛状导体71A用作回程路径。微带线的一端配置为开放端以用作开放截线。

图22所示的单位单元A的等效电路图与第三实施例中所述的等效电路图(图21)相同。因此不再提供其描述。

根据所述EBG结构，可以抑制噪声电流在内壁面11的表面上的传播，并且抑制噪声电磁波在结构30附近的传播。

也就是说，根据本实施例的电子设备，其中根据第一实施例将所述结构30设置在预定位置，可以抑制噪声电流流过框架10的内壁面11到达间隙40。由此，可以抑制由于电子设备中包括的电子部件20的操作而产生的噪声泄漏到电子设备的外部。

此外在本实施例中，因为也可以调节所述EBG结构的带隙范围，可以通过根据电子设备使用的频率来调节所述EBG结构的带隙范围，有效地抑制噪声的传播。

另外在本实施例中，内壁面11和结构30可以形成具有不同带隙范围的两种或多种类型的EBG结构，并且每一个所述EBG结构可以重复地(例如周期性地)设置。通过进行这种操作，可以加宽带隙范围。

在通过本实施例的所述结构30形成的EBG结构中，可以通过特征性连接构件73(73A和73B)的配置来形成如图21所示的各种电感L和电容C。由此，可以在不会过多增加岛状导体71A和连接构件73(73A和73B)的尺寸的情况下，获得用于抑制所需频率范围中噪声传播所要求的电感L和电容C。也就是说，可以使得单位单元A的尺寸相对较小。在这种情况下，可以增加每单位面积的单位单元A的个数，并且更有效地抑制噪声的传播。

接下来，将参考图23描述根据本实施例的制造所述结构30的方法的示例。图23是示出了根据本实施例制造所述结构30的步骤的示例的截面图。

首先，如(1)所示，在诸如玻璃环氧基板或氟树脂基板之类的基板(层75A(1))的第一表面(图中的上表面)上形成铜箔73B。此外，在诸如玻璃环氧基板或氟树脂基板之类的另一个柔性基板(层75A(2))的第一表面(图中的上表面)上形成铜箔71。随后如(2)所示，通过光刻和刻蚀选择性地刻蚀所述铜箔73B的一部分以形成图案(第二连接构件73B)。此外，通过光刻和刻蚀选择性地刻蚀所述铜箔71的一部分以形成图案(多个分离的岛状导体71A)。

之后如图(3)所示，通过钻孔形成穿透第二连接构件73B和层75A(1)的孔。随后如(4)所示，将由诸如铜、铝或不锈钢之类的金属形成的穿透销(第一连接构件73A)插入到在(3)形成的孔中。

之后如(5)所示，将所述层75A(2)的第二表面(附图中的下表面)附着以与所述层75A(1)的第一表面(附图中的上表面)接触。随后如(6)所示，粘附层75B形成于所述层75A(1)的第二表面(附图中的下表面)上。所述粘附层75B形成为使得第一连接构件73A穿透粘附层75B并且暴露出。可以将与第一实施例中所述措施相同的措施用作按照这种方式进行形成的特定措施。随后，在必要时提供不导电表面层(未示出)，所述不导电表面层覆盖多个分离的岛状导体71A和层75A(2)的第一表面。

例如，可以按照上述方式制造所述结构30。在制造所述结构30之后，通过将所述结构30附着以与根据相关技术制造的所述框架10的内壁面11接触，获得图22所示的状态。在这种情况下，将第一连接构件73A附着以与内壁面11接触。

<第五实施例>

根据本实施例的电子设备基于根据第一实施例的电子设备的配置，不同之处在于所述结构30的配置部分地不同。其他配置与第一实施例的电子设备的配置相同，并且将不再提供其描述。

图24是示意性地示出了根据本实施例的与框架10的内壁面11接触的结构30的示例的截面图。根据本实施例的所示结构30包括电介质材料层75和第一导体71，第一导体71在电介质材料层75的一个表面76(与所述内壁面11接触的表面77相对的一侧的表面76)上形成的，并且在至少一部分区域中具有重复结构的(例如，周期性结构)。

作为第一导体71的重复结构，可以考虑其中重复地(例如周期性地)设置多个分离的岛状导体71A的结构。此外如图25的放大透视图所示，开口71B形成于一部分或全部的多个岛状导体71A中。当开口71B形成于一部分所述多个岛状导体71A中时，优选地周期性地形成开口71B。在开口71B中形成一端与岛状导体71A电连接的互连71C。开口71B的尺寸、互连71C的长度和厚度等是根据其传播受到抑制的噪声的频率而确定的设计事项。这种第一导体71设置为面对框架10的内壁面11。第一导体71可以设置在电介质材料层75的内部以便面对内壁面11。

电介质材料层75的一部分由附着至内壁面11的粘附层75B构成。

这里在本实施例中，内壁面11和所述结构30也形成EBG结构。然而，在本实施例中形成的EBG结构与在第一至第四实施例中描述的EBG结构不同。

图26和27示意性地示出了包括根据本实施例的内壁面11和所述结构30在内的EBG结构。图26是示意性地示出了所述EBG结构的配置的透视图，以及图27是图26的EBG结构的侧视图。片状导体2与内壁面11相对应，并且岛状导体1与所述结构30的岛状导体71A相对应。

图26和27所示的EBG结构包括片状导体2、多个分离的岛状导体1、在岛状导体1中形成的开口1B、以及在所述开口1B中形成的互连1C。所述多个岛状导体1设置在从平面图看与片状导体2重叠的区域中，并且设置在通过介入的电介质材料层(未示出)与片状导体2分离的位置处。此外，多个岛状导体1周期性地排列。开口1B形成于所述多个岛状导体1中，并且一端与所述岛状导体1电连接的互连1C形成于所述开口1B中。所述互连1C用作开放截线，并且片状导体2面对互连1C的那部分和所述互连1C形成传输线(例如微带线)。

在所述EBG结构中，单位单元A包括一个岛状导体1、在所述岛状导体1的开口1B中形成的互连1C、以及片状导体2中包括面对岛状导体1和互连1C的区域在内的一部分区域。单位单元A周期性地设置，从而结构用作元材料(例如，EBG)。在图26和27所示的示例中，单位单元在平面图中具有二维排列。

多个单位单元A具有相同的结构并且沿相同的方向放置。岛状导体1和开口1B是正方形形状的，并且设置为使得其中心彼此重叠。互连1C从开口1B的一个边的近似中心开始沿与该边近似垂直的方向延伸。

图28是图26和27所示的单位单元A的等效电路图。如图28所示，电容C形成于所述片状导体2和所述岛状导体1之间。此外，电容C形成于相邻的岛状导体1之间。此外，电感L形成于具有开口1B的岛状导体1中。

此外如上所述，互连1C用作开放截线，并且片状导体2的面对互连1C的那部分和所述互连1C形成了传输线。传输线的另一端是开放端。

根据所述EBG结构，可以抑制噪声在片状导体2的表面上的传播。此外，因为相邻的岛状导体1形成电容C，可以抑制噪声在所述EBG结构附近的传播。

在内壁面11和所述结构30形成上述EBG结构的本实施例的电子设备中，可以抑制噪声电流在内壁面11中形成了所述结构30的区域中传播，并且抑制噪声电磁波在所述结构30附近的传播。

也就是说，根据本实施例的电子设备，其中根据第一实施例将所述结构30设置在预定位置，可以抑制噪声电流流过框架10的内壁面11到达间隙40。由此，可以抑制由于电子设备中包括的电子部件20的操作而产生的噪声泄漏到所述电子设备的外部。

此外在本实施例中，因为也可以调节所述EBG结构的带隙范围，可以通过根据电子设备使用的频率来调节所述EBG结构的带隙范围，有效地抑制噪声的传播。

另外在本实施例中，所述内壁面11和所述结构30可以形成具有不同带隙范围的两种或多种类型的EBG结构，并且每一个所述EBG结构可以重复地(例如周期性地)设置。这样，可以加宽所述带隙范围。

在本实施例的电子设备中，与所述第一至第四实施例不同，因为没有设置连接构件73，不必提供用于确保连接构件73和内壁面11之间的电连接的措施。由此，质量稳定性增加。

接下来，将描述根据本实施例的制造电子设备的方法的示例。

在根据本实施例的结构30中，如图12的(1)所示，在诸如玻璃环氧基板或氟树脂基板之类的基板(层75A)的第一表面上形成铜箔71。随后如(2)所示，通过光刻和刻蚀选择性地刻蚀所述铜箔71的一部分以形成图案(多个分离的岛状导体71A)。通过所述光刻和刻蚀，所述岛状导体71A形成为图25所示的图案。之后，粘附层75B形成于所述层75A的第二表面上以获得所述结构30。可以根据所述第一实施例形成所述粘附层75B。

例如，可以按照上述方式制造所述结构30。在制造所述结构30之后，将所述结构30附着以与根据相关技术制造的框架10的内壁面11接触，从而获得图24所示的状态。

<第六实施例>

根据本实施例的电子设备基于根据第五实施例的电子设备的配置，不同之处在于所述结构30的配置部分地不同。具体地，岛状导体71A的开口71B内的配置是不同的。其他配置与第五实施例的电子设备的配置相同，并且将不再提供其描述。

示意性地示出了根据本实施例的与框架10的内壁面11接触的结构30的示例的截面图与第五实施例的相同(参见图24)。

接下来，在图29中示出了根据本实施例的岛状导体71A的放大透视图。在根据本实施例的结构30中，在多个岛状导体71A的一部分或全部中形成图29中所示的开口71B，并且在所述开口71B的一部分或全部中形成开口导体71D和互连71C。所述互连71C将岛状导体71A和开口导体71D电连接。

这里在本实施例中，内壁面11和所述结构30也形成EBG结构。然而，在本实施例中形成的EBG结构与在第一至第五实施例中描述的EBG结构不同。

图30示意性地示出了包括根据本实施例的内壁面11和所述结构30在内的EBG结构。图30是示意性地示出了所述EBG结构的配置的透视图。所述EBG结构的侧视图与所述第五实施例的相同(参考图27)。片状导体2与内壁面11相对应，并且岛状导体1与结构30的岛状导体71A相对应。

图27和30所示的EBG结构包括片状导体2、多个分离的岛状导体1、在岛状导体1中形成的开口1B、以及在开口1B中形成的互连1C和开口导体1D。多个岛状导体1设置在从平面图看与所述片状导体2重叠的区域中，并且设置在通过介入的电介质材料层(未示出)与所述片状导体2分离的位置处。此外，多个岛状导体1周期性地排列。开口1B形成于多个岛状导体1中，并且一端与岛状导体1电连接的互连1C形成于开口1B中。另外，与互连1C的另一端电连接的开口导体1D形成于开口1B中。

在所述EBG结构中，单位单元A包括一个岛状导体1、在岛状导体1的开口1B中形成的互连1C和开口导体1D、以及片状导体2中包括面对岛状导体1、互连1C和开口导体1D的区域在内的一部分区域。单位单元A周期性地设置，从而所述结构用作元材料(例如，EBG)。在图30所示的示例中，单位单元在平面图中具有二维排列。

多个单位单元A具有相同的结构并且沿相同的方向放置。岛状导体1、开口1B和开口导体1D是正方形形状的，并且设置为使得其中心彼此重叠。互连1C从开口1B的一个边的近似中心沿与该边近似垂直的方向延伸。此外，互连1C将开口导体1D的第一边的中心与开口1B的面对开口导体1D的第一边的那个边的中心电连接。

图31是图30所示的单位单元A的等效电路图。如图31所示，电容C形成于所述岛状导体1和所述片状导体2之间。此外，电容C形成于相邻的岛状导体1之间。另外，电容C也形成于所述开口导体1D和所述片状导体2之间。此外，电感L形成于具有开口1B的岛状导体1中。另外，将所述岛状导体1和所述开口导体1D电连接的互连1C具有电感L。

根据所述EBG结构，可以抑制噪声电流在片状导体2的表面上的传播。此外，因为相邻的岛状导体1形成电容C，可以抑制噪声在所述EBG结构附近的传播。

在内壁面11和所述结构30形成上述EBG结构的本实施例的电子设备中，可以抑制噪声电流在内壁面11中形成了所述结构30的区域中的传播，并且抑制噪声电磁波在所述结构30附近的传播。

也就是说，根据本实施例的电子设备，其中根据第一实施例将所述结构30设置在预定位置，可以抑制噪声电流流过框架10的内壁面11到达间隙40。由此，可以抑制由于电子设备中包括的电子部件20的操作而产生的噪声泄漏到所述电子设备的外部。

此外在本实施例中，因为也可以调节所述EBG结构的带隙范围，可以通过根据电子设备使用的频率来调节所述EBG结构的带隙范围，有效地抑制噪声的传播。

另外在本实施例中，所述内壁面11和所述结构30可以形成具有不同带隙范围的两种或多种类型的EBG结构，并且每一个所述EBG结构可以重复地(例如周期性地)设置。这样，可以加宽所述带隙范围。

在本实施例的电子设备中，与所述第一至第四实施例不同，因为没有设置连接构件73，不必提供用于确保连接构件73和内壁面11之间的电连接的措施。由此，质量稳定性增加。

可以根据第五实施例的制造电子设备的方法来实现根据本实施例的制造电子设备的方法，并且将不再提供其描述。

<第七实施例>

根据本实施例的电子设备基于根据第一至第六实施例的电子设备的配置，不同之处在于所述结构30的配置部分地不同。其他配置与第一至第六实施例的电子设备的结构相同，并且将不再提供其描述。

在第一至第六实施例中，所述结构30包括粘附层75B，并且形成为片状形式且附着至框架10。相反，在本实施例中，所述结构30不具有粘附层75B，并且使用诸如CVD方法(化学气相沉积方法)、CMP方法(化学机械抛光方法)、光刻或刻蚀之类的现有层形成技术将所述结构30形成为与内壁面11接触。在本实施例中，电介质材料层75可以不具有柔性性质，并且可以使用可选的电介质材料作为所述电介质材料层75的材料。其他配置与在第一至第六实施例中所述的配置相同，并且不再提供其描述。

除了在第一至第六实施例中所述的效果之外，根据本实施例的电子设备还可以获得以下效果：延长了通过所述结构30实现的噪声传播抑制功能的使用期限。

也就是说，在第一至第六实施例的情况下，存在以下问题：由于片状结构30的粘附层75B(粘合剂)的性能使用期限或者意外的原因，导致所述结构30可能从框架10的内壁面11脱落。

相反在本实施例的情况下，因为在框架10的内壁面10和所述结构30之间的粘附力比第一至第六实施例的更强，不大可能发生上述问题。

<第八实施例>

根据本实施例的电子设备是基于根据第一至第七实施例任一个的电子设备的配置，不同之处在于所述结构30的配置部分地不同。其他配置与第一至第七实施例的电子设备的结构相同，并且将不再提供其描述。

图32是示意性地示出了根据本实施例的与框架10的内壁面11接触的结构30的示例的截面图。例如，根据本实施例的所述结构30包括电介质材料层75、第一导体71、第二导体72、粘附层79和连接构件73，第一导体71形成于所述电介质材料层75的一个表面76上以面对第二导体72的第一导体71，并且包括在至少一部分区域中的重复结构(例如周期性结构)，第二导体72形成于电介质材料层75的表面77(与所述表面76相对一侧的表面)上，粘附层79形成于所述第二导体72上，连接构件73在电介质材料层75的内部形成以将第一导体71和第二导体72电连接。可以将第一导体71设置在电介质材料层75的内部以面对第二导体72。

例如，图32所示的第一导体71的配置与在第一实施例中所述的第一导体71的配置相同。此外，电介质材料层75的配置与在第一实施例中所述的电介质材料层75相同，不同之处在于电介质材料层75不具有粘附层。

第二导体72是在电介质材料层75的表面77上延伸的片状导体，以便从平面图看面对多个岛状导体71A。例如，第二导体72可以由诸如铜之类的金属构成。

粘附层79设置在第二导体72的表面(与电介质材料层75接触的表面相对一侧上的表面)上，并且与框架10的内壁面11接触。也就是说，粘附层79插入到内壁面11和第二导体72之间。这种粘附层79可以由天然橡胶、丙烯酸树脂或硅树脂构成。

导电构件79A配置为将第二导体72和内壁面11电连接。例如，导电构件79A可以是混合到粘附层79中的多个导电填充物。替代地，导电构件79A可以是图33所示的过孔。过孔79A可以提供为与连接构件73集成。

这里，根据本实施例的连接构件73的配置不局限于图32和33所示配置，而是例如可以使用图13、14、15、18、19、20和22中所示的配置。在以上实施例中已经描述了在这些附图中说明的连接构件73和所述结构30，并且不再提供其描述。

此外在本实施例中，可以不提供连接构件73。在这种情况下，将在图25的放大透视图中说明的开口71B和互连71C设置在一部分或全部的多个岛状导体71A中。此外，可以将在图29的放大透视图中说明的开口71B、互连71C和开口导体71D设置在一部分或全部的所述多个岛状导体71A中。在以上实施例中已经描述了在这些附图中说明的岛状导体71A和第二结构70，并且不再提供其描述。

可以根据以上实施例实现根据本实施例的制造电子设备的方法。因此将不提供其描述。

在根据本实施例的电子设备中，所述结构30具有EBG结构，并且提供了用于将所述EBG结构和框架10的内壁面11电连接的措施。根据本实施例的这种电子设备，可以获得与以上实施例相同的效果。根据本实施例的电子设备通过提供导电构件79A解决了在第一实施例中参考图40描述的问题。

<第九实施例>

根据本实施例的电子设备基于根据第八实施例的电子设备的配置，不同之处在于所述结构30的配置部分地不同。其他配置与第一至第七实施例的电子设备的配置相同，并且将不再提供其描述。

图34是示意性地示出了根据本实施例的与框架10的内壁面11接触的结构30的示例的截面图。例如，根据本实施例的所述结构30包括电介质材料层75、第一导体71、粘附层79和连接构件73，第一导体71形成于电介质材料层75的一个表面76上以面对第二导体72，并且包括至少一部分区域中的重复结构(例如周期性结构)，粘附层79形成于所述电介质材料层75的表面77(与所述表面76相对一侧上的表面)上，连接构件73在电介质材料层75的内部形成以将第一导体71和内壁面11电连接。可以将第一导体71设置在电介质材料层75的内部以面对内壁面11。

也就是说，根据本实施例的电子设备具有这样的结构：从根据第八实施例的电子设备的配置(参见图32)中去除了第二导体72。

可以根据以上实施例实现根据本实施例的制造电子设备的方法。因此将不提供其描述。

在根据本实施例的电子设备中，框架10的内壁面11和所述结构30形成了EBG结构。根据本实施例的这种电子设备，可以获得与以上实施例相同的效果。

<第十实施例>

根据本实施例的电子设备基于根据第一实施例的电子设备的配置，不同之处在于所述结构30的配置部分地不同。其他配置与第一实施例的电子设备的配置相同，并且将不再提供其描述。

图35是示意性地示出了根据本实施例的与框架10的内壁面11接触的结构30的示例的截面图。例如，根据本实施例的所述结构30包括电介质材料层75、第一导体71、第三导体80和第二电介质材料层81，第一导体71形成于电介质材料层75的一个表面76上以面对第三导体80，第三导体80形成于电介质材料层75的表面77(与所述表面76相对一侧的表面)上，第二电介质材料层81在第三导体80上形成。可以将第一导体71设置在电介质材料层75的内部以面对第三导体80。此外，第一导体71可如附图中所示在至少一部分区域中具有重复结构(例如周期性结构)，并且可以是不具有重复结构的片状导体。

图35所示的第一导体71与第一实施例中所述的第一导体71相同，不同之处在于所述第一导体71没有与连接构件73相连，可以在一部分区域中具有重复结构，并且可以是不具有重复结构的片状导体。此外，电介质材料层75的结构与第一实施例中所述的电介质材料层75相同，不同之处在于电介质材料层75不具有粘附层。

这里，图36示意性地示出了第三导体80的平面图形状的示例。所述第三导体80包括开口80B。当第一导体71具有由多个岛状导体71A形成的重复结构时，将各个开口80B设置在开口80B面对重复排列的多个岛状导体71A的位置处。此外，在开口80B中形成一端与第三导体80电连接的互连80A。

图37示意性地示出了第三导体80的平面图形状的另一个示例。第三导体80包括开口80B。当第一导体71具有由多个岛状导体71A形成的重复结构时，将各个开口80B设置在开口80B面对重复排列的多个岛状导体71A的位置处。此外，在开口80B中形成互连80A和开口导体80C。所述互连80A将第三导体80和开口导体80C电连接。

将第二电介质材料层81设置在第三导体80的表面(与电介质材料层75接触的表面相对一侧的表面)上，并且与内壁面11接触。也就是说，将第二电介质材料层81插入到内壁面11和第三导体80之间。这种第二电介质材料层81可以是由天然橡胶、丙烯酸树脂或硅树脂构成的粘附层。替代地，第二电介质材料层81可以是使用例如CVD方法在框架10的内壁面11上形成的电介质材料层。在第二电介质材料层81的内部形成有过孔82。

过孔82将第三导体80和内壁面11电连接。尽管第三导体80具有这样的形状，使得第三导体80具有开口80B，并且如上所述在开口80B中形成互连80A(或互连80A和开口导体80C)，然而优选地是过孔82与第三导体80电连接而不是与互连80A和开口导体80C电连接。这样，可以实现稳定的连接。

这里在本实施例中，所述结构30包括EBG结构。然而，在根据本实施例的结构30中包括的EBG结构与在第一至第九实施例中所述的结构不同能。

图38和39示意性地示出了包括上述第三导体80和多个岛状导体71A在内的EBG结构的透视图。图38的EBG结构的单位单元的等效电路图是图28所示的单位单元的等效电路图，其中电容C和电感L的位置改变至适当的位置。此外，其中将图38的EBG结构的岛状导体1用不具有重复结构的片状导体替换的EBG结构的单位单元的等效电路图是图38的EBG结构的单位单元的等效电路图，其中去除了相邻岛状导体1之间形成的电容C。此外，图39的EBG结构的单位单元的等效电路图是图31所示的单位单元的等效电路图，其中电容C和电感L的位置改变至适当的位置。此外，其中将图39的EBG结构的岛状导体1用不具有重复结构的片状导体替换的EBG结构的单位单元的等效电路图是图39的EBG结构的单位单元的等效电路图，其中去除了相邻岛状导体1之间形成的电容C。

可以根据以上实施例实现根据本实施例的制造电子设备的方法。因此将不提供其描述。

根据本实施例的电子设备，可以抑制噪声电流在内壁面11中形成有所述结构30的区域中的传播，并且抑制噪声电磁波在所述结构30附近的传播。

也就是说，根据本实施例的电子设备，其中根据第一实施例将所述结构30设置在预定位置，可以抑制噪声电流通过框架10的内壁面到达间隙40。由此，可以抑制由于电子设备中包括的电子部件20的操作而产生的噪声泄漏到电子设备的外部。

此外在本实施例中，因为也可以调节EBG结构的带隙范围，可以通过根据电子设备使用的频率来调节EBG结构的带隙范围，有效地抑制噪声的传播。

另外，在本实施例中，内壁面11和所述结构30可以形成具有不同带隙范围的两种或多种类型的EBG结构，并且每一个所述EBG结构可以重复地(例如周期性地)设置。通过进行这种操作，可以加宽带隙范围。

<示例>

在下文中，将参考示例详细描述本发明。

<样品的准备>

<比较示例>

图41(a)示出了在内部形成了电子部件的电子设备的透视图。图41(b)示出了在内部形成了电子部件的电子设备的Z-X平面的截面图。图41(c)示出了在内部形成了电子部件的电子设备的Y-Z平面的截面图。

图41的电子设备具有这样的结构：电子部件设置在具有78x62x16mm尺寸的导电框架中。在这种框架中，在其上表面的近似中心处附近存在具有14x30mm尺寸的可打开盖体，并且在盖体和框架本体之间存在小间隙。图41用作比较示例。

<示例>

如图42所示，准备与所述比较示例相同的框架，并且将与比较示例相同的电子部件设置在与比较示例相同的位置处。此外，将在第一实施例中所述的结构设置在框架的具有间隙的内壁面上以包围间隙。将所述结构设置为，使得当电子部件的工作频率是f(GHz)、并且从框架的内壁面存在的间隙到设置为与内壁面接触的所述结构中包括的导电材料层、与内壁面平行的方向上的距离是1(mm)时，满足1≤λ/4的关系。这里，λ(mm)＝300/f(GHz)。

<电磁场仿真>

将信号源、信号线和信号负载电路设置为图41的电子部件，并且通过电磁场仿真获得在3GHz的信号源频率下外壳内和外壳外的磁场分布。另外，从仿真结果中获得来自所述信号源的导纳和辐射增益，并且在3m的距离处计算电场强度。

类似地，将信号源、信号线和信号负载电路设置为图42的电子部件，并且通过电磁场仿真获得在3GHz的信号源频率下外壳内和外壳外的磁场分布。另外，从仿真结果中获得来自所述信号源的导纳和辐射增益，并且在3m的距离处计算电场强度。

<结果>

图43示出了电磁场仿真结果。图43(a)示出了比较示例的Y-Z平面横截面磁场分布。图43(b)示出了比较示例的Z-X平面横截面磁场分布。图43(c)示出了本示例的Y-Z平面横截面磁场分布。图43(d)示出了本示例的Z-X平面横截面磁场分布。按照密度表示了磁场强度，并且越大的密度表示越高的磁场强度。可以理解的是在本示例的情况下，与比较示例相比，减小了从外壳间隙辐射到外壳外部的磁场的强度。对于电场强度，与所述比较示例相比较，本示例提供了11.1dB的减小效果。

该申请基于并且要求2010年7月12日递交的日本专利申请No.2010-158205的优先权，其公开全部合并在此作为参考。

Claims (18)

1.一种电子设备，包括：

导电框架，所述导电框架具有导电性质，并且具有连接内部空间和外部空间的间隙；

容纳在所述框架中的电子部件；以及

设置为与所述框架的内壁面接触的结构，其中

所述结构包括

导电材料层，以及

电介质材料层，所述电介质材料层位于所述导电材料层和所述框架的所述内壁面之间，以及

所述导电材料层包括在其至少一部分区域中的重复结构。

2.根据权利要求1所述的电子设备，其中

当所述电子部件的工作频率是f(GHz)，并且

从所述框架的第一内壁面中存在的所述间隙到在设置为与所述第一内壁面接触的所述结构中包括的所述导电材料层、与所述第一内壁面平行的方向上的长度是1(mm)时，满足1≤(300/f)/4的关系。

3.根据权利要求1或2所述的电子设备，其中

所述结构设置为包围所述间隙。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的电子设备，其中

所述结构的所述电介质材料层包括：

第一电介质材料层，所述第一电介质材料层与所述框架的所述第一内壁面接触，

所述结构的所述导电材料层包括第一导体，所述第一导体形成在所述第一电介质材料层的内部或者形成在与所述第一内壁面接触的面相对侧的面上，以面对所述第一内壁面，以及

所述第一导体具有在至少一部分区域中的所述重复结构。

5.根据权利要求4所述的电子设备，其中

所述第一导体的所述重复结构是多个分离的岛状导体，以及

所述电子设备还包括连接构件，所述连接构件设置在所述第一电介质材料层的内部以将至少一部分所述岛状导体与所述第一内壁面电连接。

6.根据权利要求4所述的电子设备，其中

所述第一导体的所述重复结构是多个分离的岛状导体，

在至少一部分所述岛状导体中形成开口，以及

在所述开口中形成互连，所述互连的一端与所述岛状导体电连接。

7.根据权利要求6所述的电子设备，其中

在所述开口中形成开口导体，以及

所述互连的另一端与所述开口导体电连接。

8.根据权利要求4所述的电子设备，其中

所述第一导体形成在所述第一电介质材料层的内部，并且所述第一导体的所述重复结构是多个分离的岛状导体，以及

所述电子设备还包括：

第一连接构件，所述第一连接构件形成在所述第一电介质材料层的内部，以与所述第一内壁面电连接，并且在所述第一连接构件不与所述岛状导体接触的状态下所述第一连接构件穿透所述岛状导体，以及

第二连接构件，所述第二连接构件形成在与所述第一内壁面相对的一侧，所述第一导体介入其间，以与所述第一连接构件电连接。

9.根据权利要求8所述的电子设备，还包括：

第三连接构件，所述第三连接构件将所述第二连接构件和所述岛状导体电连接。

10.根据权利要求4至9中任一项所述的电子设备，其中

所述结构是片，在所述片中，所述第一电介质材料层的至少一部分形成附着于所述第一内壁面的粘附层。

11.根据权利要求1至3中任一项所述的电子设备，其中

所述结构包括：

第一电介质材料层，

第一导体，所述第一导体设置在所述第一电介质材料层的内部或者第一表面上，所述第一导体具有在至少一部分区域中的重复结构，并且形成所述导电材料层，

第二导体，所述第二导体形成在与所述第一电介质材料层的所述第一表面相对侧的面上，以面对所述第一导体，

第二电介质材料层，所述第二电介质材料层形成在所述第二导体上，以与所述框架的第一内壁面接触，以及

导电构件，所述导电构件设置在所述第二电介质材料层的内部，以将所述第二导体与所述第一内壁面电连接。

12.根据权利要求11所述的电子设备，其中

所述第一导体的所述重复结构是多个分离的岛状导体，以及

所述电子设备还包括连接构件，所述连接构件设置在所述第一电介质材料层的内部，以将至少一部分所述岛状导体与所述第二导体电连接。

13.根据权利要求11所述的电子设备，其中

所述第一导体的所述重复结构是多个分离的岛状导体，

在至少一部分所述岛状导体中形成开口；以及

在所述开口中形成互连，所述互连的一端与所述岛状导体电连接。

14.根据权利要求13所述的电子设备，其中

在所述开口中形成开口导体，以及

所述互连的另一端与所述开口导体电连接。

15.根据权利要求11至14中任一项所述的电子设备，其中

所述导电构件是过孔或导电填充物。

16.根据权利要求11至15中任一项所述的电子设备，其中

所述结构是片，在所述片中所述第二电介质材料层形成附着于所述第一内壁面的粘附层。

17.根据权利要求1至10中任一项所述的电子设备，其中

所述电子设备包括EBG结构，所述EBG结构包括一种或多种类型的EBG结构，所述EBG结构包括所述框架的所述内壁面以及与所述内壁面接触的所述结构，作为所述EBG结构的组成部件。

18.根据权利要求1至3和11至16中任一项所述的电子设备，其中

所述结构形成EBG结构，所述EBG结构包括一种或多种类型的EBG结构。

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