JP5875447B2 - 電磁シールド扉 - Google Patents
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Description
しかしながら、扉1の開閉回数が多くなると、導電性ガスケット6の摩耗や金属疲労により電磁シールド特性が劣化するため、定期的なメンテナンスが必要となるという課題があった。
また、従来の電磁シールド扉の構造では、GHz帯以上の高周波帯域において十分な電磁シールド特性の実現が困難であった。
さらに、広帯域な電磁シールド特性の実現が困難であった。
実施の形態1.
図1,図2を用いてこの発明の実施の形態1による電磁シールド扉について説明する。図1は、実施の形態1に係る電磁シールド扉を示す図であり、図2は、図1のA−A’を通るXY断面の拡大図である。電磁シールド扉は、図1,図2に示すように、扉1、扉枠2、共振器装荷誘電体3から構成されている。扉1と扉枠2は導電性で、ヒンジ7を介して接続され、開閉レバー8の操作により開閉可能な構造を有している。
また、実施の形態1では、導体パターン4a,4b,4c,4d,4e,4f,4g,4hの短絡手段として貫通スルーホール列5a,5b,5c,5dを適用しているが、短絡手段を貫通スルーホール列に限定する必要はなく、例えば、導電性ネジや金属板等により短絡するようにしても構わない。
図1から図3と図6を用いてこの発明の実施の形態2による電磁シールド扉について説明する。図1から図3は、実施の形態1による電磁シールド扉と同じなので説明は省略する。図6は、この発明の実施の形態2における扉1と扉枠2の間隙の扉1の壁面側に複数配置された共振器装荷誘電体3のうち、隣接する共振器装荷誘電体3aと3bとの接合部の拡大図である。図6において、隣接する2つの共振器装荷誘電体3aと3bは図3で示した導体パターン4と貫通スルーホール列5による短絡構造を有し、銅箔テープ9および導体ガスケット10を備える。銅箔テープ9は、共振器装荷誘電体3aと3bの各表面に配置された導体パターン4間を電気的に接続しており、導体ガスケット10は、表面が導電性の特性を有し、隣接する共振器装荷誘電体3aと3b間の隙間を埋めるように配置されている。このように、実施の形態2は、扉1と扉枠2の間隙に配置された、隣接する共振器装荷誘電体3aと3b間の接合部以外の構造は実施の形態1と同じ構造を有している。
図1から図2と図8を用いてこの発明の実施の形態3による電磁シールド扉について説明する。図1から図3は、実施の形態1による電磁シールド扉と同じなので説明は省略する。図8は、この発明の実施の形態3における扉1と扉枠2の間隙の扉1の壁面側に複数配置された共振器装荷誘電体3のうち、隣接する共振器装荷誘電体3aと3bとの接合部の拡大図である。図8において、隣接する共振器装荷誘電体3aと3bは図3で示した導体パターン4と貫通スルーホール列5による短絡構造を有し、フレキシブル基板12を備える。
図1から図3と図9を用いてこの発明の実施の形態4による電磁シールド扉について説明する。図1から図3は、実施の形態1による電磁シールド扉と同じなので説明は省略する。図9は、この発明の実施の形態4における扉1と扉枠2の間隙の扉1の壁面側に複数配置された共振器装荷誘電体3のうち、隣接する共振器装荷誘電体3aと3bとの接合部の拡大図であり、各部位の説明は図4と同じである。図9において、隣接する共振器装荷誘電体3aと3bの隙間の間隔はdであり、dは電磁シールド特性が要求される周波数帯域の上限周波数fmaxの2分の1波長の寸法となっている。このように、実施の形態3は、扉1と扉枠2の間隙に配置された、隣接する共振器装荷誘電体3aと3b間の接合部以外の構造は実施の形態1と同じ構造を有している。
図1から図3と図10を用いてこの発明の実施の形態5による電磁シールド扉について説明する。図1から図3は、実施の形態1による電磁シールド扉と同じなので説明は省略する。図10は、この発明の実施の形態5における扉1と扉枠2の間隙の扉1の壁面側に複数配置された共振器装荷誘電体3のうち、図1の破線Cで示す扉1と扉枠2の間隙におけるコーナー部において互いに直交する方向で隣接する共振器装荷誘電体3cと3dとの接合部の拡大図であり、各部位の説明は実施の形態1における図4と同じである。
図1から図3と図11を用いてこの発明の実施の形態6による電磁シールド扉について説明する。図1から図3は、実施の形態1による電磁シールド扉と同じなので説明は省略する。図11は、この発明の実施の形態6における扉1と扉枠2の間隙の扉1の壁面側に複数配置された共振器装荷誘電体3のうち、図1の破線Cで示す扉1と扉枠2の間隙におけるコーナー部において互いに直交する方向で隣接する共振器装荷誘電体3cと3dとの接合部の拡大図である。図11において、互いに直交する方向で隣接する共振器装荷誘電体3cと3dは図3で示した導体パターン4と貫通スルーホール列5による短絡構造を有し、銅箔テープ9および導体ガスケット10を備える。銅箔テープ9は、共振器装荷誘電体3cと3dの各表面に配置された導体パターン4間を電気的に接続しており、導電ガスケット10は、表面が導電性の特性を有し、扉1と扉枠2の間隙におけるコーナー部において互いに直交する方向で隣接する共振器装荷誘電体3cと3d間の隙間を埋めるように配置されている。このように、実施の形態6は、扉1と扉枠2の間隙におけるコーナー部において互いに直交する方向で隣接する共振器装荷誘電体3cと3dとの接合部以外の構造は実施の形態1と同じ構造を有している。
図1から図3と図13を用いてこの発明の実施の形態7による電磁シールド扉について説明する。図1から図3は、実施の形態1による電磁シールド扉と同じなので説明は省略する。図13は、この発明の実施の形態7における扉1と扉枠2の間隙の扉1の壁面側に複数配置された共振器装荷誘電体3のうち、図1の破線Cで示す扉1と扉枠2の間隙におけるコーナー部において互いに直交する方向で隣接する共振器装荷誘電体3cと3dとの接合部の拡大図である。図13において、互いに直交する方向で隣接する共振器装荷誘電体3cと3dは図3で示した導体パターン4と貫通スルーホール列5による短絡構造を有し、フレキシブル基板12を備える。
図1から図3と図14を用いてこの発明の実施の形態8による電磁シールド扉について説明する。図1から図3は、実施の形態1による電磁シールド扉と同じなので説明は省略する。図14は、この発明の実施の形態8における扉1と扉枠2の間隙の扉1の壁面側に複数配置された共振器装荷誘電体3のうち、図1の破線Cで示す扉1と扉枠2の間隙におけるコーナー部において互いに直交する方向で隣接する共振器装荷誘電体3cと3dとの接合部の拡大図である。図14において、共振器装荷誘電体3cと3dの隙間の間隔はdで、dは電磁シールド特性が要求される周波数帯域の上限周波数fmaxの2分の1波長の寸法となっている。このように、実施の形態8は、扉1と扉枠2の間隙におけるコーナー部において互いに直交する方向で隣接する共振器装荷誘電体3cと3dとの接合部以外の構造は実施の形態1と同じ構造を有している。
Claims (7)
- 導電性の扉枠と、
前記扉枠に配置された導電性の扉とを備え、
前記扉を閉めた状態における前記扉枠と前記扉の間隙において、複数の誘電体を、前記扉の壁面と前記扉枠の壁面の少なくとも一方の周囲に沿って前記扉または前記扉枠における対向面と非接触となるように配置し、
前記誘電体は、前記対向面と対向する面に前記扉または前記扉枠と電気的に接続された導体パターンを前記扉と前記扉枠の周方向に備え、
前記導体パターンにおける前記扉と前記扉枠の奥行方向の幅を電磁シールド特性が要求される帯域内の周波数の4分の1波長に設定し、
隣接する前記誘電体の各表面の導体パターン間を導電体により電気的に接続する
ことを特徴とする電磁シールド扉。 - 前記導体パターンは、前記扉と前記扉枠の奥行方向に複数配置され、
当該導体パターンにおける前記扉と前記扉枠の奥行方向の幅がそれぞれ異なる周波数の4分の1波長に設定されていることを特徴とする請求項1記載の電磁シールド扉。 - 隣接する前記誘電体間の隙間に導電体または誘電体を配置する
ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の電磁シールド扉。 - 前記誘電体の側面に導電性塗料または導体パターンを配置し、当該誘電体の側面に配置した前記導電性塗料または導体パターンと前記誘電体間の隙間に配置された導電体または誘電体とを電気的に接続する
ことを特徴とする請求項3記載の電磁シールド扉。 - 前記導体パターン間を電気的に接続する導電体が、フレキシブル基板上に配置される
ことを特徴とする請求項1から請求項4のうちのいずれか1項記載の電磁シールド扉。 - 導電性の扉枠と、
前記扉枠に配置された導電性の扉とを備え、
前記扉を閉めた状態における前記扉枠と前記扉の間隙において、複数の誘電体を、前記扉の壁面と前記扉枠の壁面の少なくとも一方の周囲に沿って前記扉または前記扉枠における対向面と非接触となるように配置し、
前記誘電体は、前記対向面と対向する面に前記扉または前記扉枠と電気的に接続された導体パターンを前記扉と前記扉枠の周方向に備え、
前記導体パターンにおける前記扉と前記扉枠の奥行方向の幅を電磁シールド特性が要求される帯域内の周波数の4分の1波長に設定し、
隣接する前記誘電体間の隙間寸法が、前記電磁シールド特性が要求される上限周波数の2分の1波長以下である
ことを特徴とする電磁シールド扉。 - 前記導体パターンは、前記扉と前記扉枠の奥行方向に複数配置され、
当該導体パターンにおける前記扉と前記扉枠の奥行方向の幅がそれぞれ異なる周波数の4分の1波長に設定されていることを特徴とする請求項6記載の電磁シールド扉。
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