JP7113869B2 - 伝送線路変換構造及び同軸型エンドランチコネクタ - Google Patents
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Description
複数の層からなる基板にマイクロストリップ伝送線路の信号線路、第1の誘電体層、前記マイクロストリップ伝送線路の接地導体グランドである第1のグランド、第2の誘電体層及び前記マイクロストリップ伝送線路の接地導体グランドである第2のグランドを順に備える平面伝送線路と、
中心導体、前記中心導体の周囲に設けられた同軸誘電体及び前記同軸誘電体の周囲に設けられた外部導体を有する同軸伝送線路との伝送線路変換構造であって、
前記第2のグランドは、前記信号線路がある面と反対側の前記基板の裏面に設けられたグランド又は前記第1のグランドから前記基板の裏面側のいずれかの層に設けられたグランドであり、
前記マイクロストリップ伝送線路の信号線路と前記同軸伝送線路の中心導体とが接続され、
前記第1のグランド及び前記第2のグランドと前記同軸伝送線路の外部導体とが接続され、
前記第2の誘電体層と前記同軸誘電体との間に、前記第1のグランドに接続された金属板が設置され、
前記平面伝送線路側の前記中心導体の周囲に、前記第1の誘電体層及び前記同軸誘電体に接するように誘電体リングが設置されていることを特徴とする。
複数の層からなる基板にコプレーナ伝送線路の信号線路及び前記コプレーナ伝送線路のグランドである第3のグランド、第3の誘電体層、第4のグランド、第4の誘電体層並びに第5のグランドを順に備える平面伝送線路と、
中心導体、前記中心導体の周囲に設けられた同軸誘電体及び前記同軸誘電体の周囲に設けられた外部導体を有する同軸伝送線路との伝送線路変換構造であって、
前記第4のグランドは、前記第3のグランドから前記基板の裏面側のいずれかの層に設けられたグランドであり、
前記第5のグランドは、前記信号線路がある面とは反対側の前記基板の裏面に設けられたグランド又は前記第4のグランドから前記基板の裏面側のいずれかの層に設けられたグランドであり、
前記コプレーナ伝送線路の信号線路と前記同軸伝送線路の中心導体とが接続され、
前記コプレーナ伝送線路の第3のグランド、前記第4のグランド及び前記第5のグランドと前記同軸伝送線路の外部導体とが接続され、
前記第4の誘電体層と前記同軸誘電体との間に、前記第4のグランドに接続された金属板が設置され、
前記平面伝送線路側の前記中心導体の周囲に、前記第3の誘電体層及び前記同軸誘電体に接するように誘電体リングが設置されていることを特徴とする。
中心導体、前記中心導体の周囲に設けられた同軸誘電体及び前記同軸誘電体の周囲に設けられた外部導体を有し、
基板接続側の前記中心導体の周囲に、前記同軸誘電体に接するように誘電体リングが設置されていることを特徴とする。
11:信号線路
12:第1のグランド
13:第2のグランド
14:第1の誘電体層
15:第2の誘電体層
21:信号線路
22:第3のグランド
23:第4のグランド
24:第5のグランド
25:第3の誘電体層
26:第4の誘電体層
30:同軸型エンドランチコネクタ
31:中心導体
32:外部導体
33:同軸誘電体
34、35:誘電体リング
Claims (2)
- 複数の層からなる基板にマイクロストリップ伝送線路の信号線路(11)、第1の誘電体層(14)、前記マイクロストリップ伝送線路の接地導体グランドである第1のグランド(12)、第2の誘電体層(15)及び前記マイクロストリップ伝送線路の接地導体グランドである第2のグランド(13)を順に備える平面伝送線路と、
中心導体(31)、前記中心導体(31)の周囲に設けられた同軸誘電体(33)及び前記同軸誘電体(33)の周囲に設けられた外部導体(32)を有する同軸伝送線路との伝送線路変換構造であって、
前記第2のグランド(13)は、前記信号線路(11)がある面と反対側の前記基板の裏面に設けられたグランド又は前記第1のグランド(12)から前記基板の裏面側のいずれかの層に設けられたグランドであり、
前記マイクロストリップ伝送線路の信号線路(11)と前記同軸伝送線路の中心導体(31)とが接続され、
前記第1のグランド(12)及び前記第2のグランド(13)と前記同軸伝送線路の外部導体(32)とが接続され、
前記第2の誘電体層(15)と前記同軸誘電体(33)との間に、前記第1のグランド(12)に接続された金属板(10)が設置され、
前記平面伝送線路側の前記中心導体(31)の周囲に、前記第1の誘電体層(14)及び前記同軸誘電体(33)に接するように誘電体リング(34)が設置されていることを特徴とする伝送線路変換構造。 - 複数の層からなる基板にコプレーナ伝送線路の信号線路(21)及び前記コプレーナ伝送線路のグランドである第3のグランド(22)、第3の誘電体層(25)、第4のグランド(23)、第4の誘電体層(26)並びに第5のグランド(24)を順に備える平面伝送線路と、
中心導体(31)、前記中心導体(31)の周囲に設けられた同軸誘電体(33)及び前記同軸誘電体(33)の周囲に設けられた外部導体(32)を有する同軸伝送線路との伝送線路変換構造であって、
前記第4のグランド(23)は、前記第3のグランド(22)から前記基板の裏面側のいずれかの層に設けられたグランドであり、
前記第5のグランド(24)は、前記信号線路(21)がある面とは反対側の前記基板の裏面に設けられたグランド又は前記第4のグランド(23)から前記基板の裏面側のいずれかの層に設けられたグランドであり、
前記コプレーナ伝送線路の信号線路(21)と前記同軸伝送線路の中心導体(31)とが接続され、
前記コプレーナ伝送線路の第3のグランド(22)、前記第4のグランド(23)及び前記第5のグランド(24)と前記同軸伝送線路の外部導体(32)とが接続され、
前記第4の誘電体層(26)と前記同軸誘電体(33)との間に、前記第4のグランド(23)に接続された金属板(10)が設置され、
前記平面伝送線路側の前記中心導体(31)の周囲に、前記第3の誘電体層(25)及び前記同軸誘電体(33)に接するように誘電体リング(34)が設置されていることを特徴とする伝送線路変換構造。
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JP2020118786A JP7113869B2 (ja) | 2020-07-09 | 2020-07-09 | 伝送線路変換構造及び同軸型エンドランチコネクタ |
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