JP5921326B2 - 電磁シールド扉 - Google Patents

Description

この発明は、シールドルームの出入り口などにおいて、電磁波の漏洩と侵入を防止するために用いられる電磁シールド扉に関するものである。

従来の電磁シールド扉の構成例を図２０，図２１に示す。図２０は従来の電磁シールド扉を示す正面図であり、図２１は図２０の一点鎖線Ｘ８−Ｘ８’を通るＸＹ断面図である。電磁シールド扉は、図２０，図２１に示すように、壁面１、扉２、導電性ガスケット３、ヒンジ機構４および開閉ハンドル５から構成されている。

壁面１および扉２は導電性を有している。また、扉２は、壁面１にヒンジ機構４を介して保持され、開閉ハンドル５を操作することにより開閉可能に構成されている。
導電性ガスケット３は、導電性かつ弾性を有し、扉２が閉じられた際に対向する壁面１と扉２の各対向面のうち、少なくともどちらか一方に設けられている。なお、図２１に示す例では、導電性ガスケット３は壁面１に設けられている。また、壁面１と扉２の良好な電気的接触を得るために、扉２のガスケット接触部には凸部２ａが形成されている。

次に、上記のように構成された電磁シールド扉の動作について説明する。扉２が閉じられると、図２１に示すように、扉２の凸部２ａに圧迫されて導電性ガスケット３が扉２との隙間を埋めるように変形する。このように、導電性ガスケット３によって扉２との隙間を埋めて、壁面１と扉２を電気的に密に接続することで、壁面１と扉２の隙間における電磁波の漏洩と侵入を防ぎ、電磁シールド特性を得ることができる。
なお、高性能な電磁シールド特性を実現するための構成として、特許文献１には、導電性クッション材を用いた扉と壁面間の接続構造について開示されている。

特開平０７−０９４８８６号公報

上述したように、従来の電磁シールド扉では、導電性の扉２と導電性の壁面１の少なくともどちらか一方に導電性ガスケット３を配置することで、扉２が閉じられた際に導電性ガスケット３を変形させて扉２と壁面１を電気的に密に接続し、電磁シールド特性を実現していた。
しかしながら、扉２の開閉回数が多くなると、導電性ガスケット３の磨耗や金属疲労により電磁シールド特性が劣化するため、定期的なメンテナンスが必要となるという課題があった。また、扉２を閉じる際に、扉２と壁面１を電気的に密に接続するように伝導性ガスケット３を変形させるには、扉２に対して高い圧力を加えて押さえつけるための複雑な加圧機構が必要となるという課題があった。また、扉２を壁面１に押さえつけるために開き戸構造である必要があるため、扉２の稼動範囲に広いスペースを必要とするという課題があった。また、扉２と壁面１を電気的に密に接触させることにより電磁シールド特性を実現するため、電磁波の減衰量を調整することは困難であるという課題があった。

この発明は、上記のような課題を解決するためになされたもので、電磁シールド特性が劣化せず定期的なメンテナンスが不要であり、複雑な加圧機構および扉の開閉に広いスペースを必要とせず、電磁波の減衰量を容易に調整可能な電磁シールド扉を提供することを目的とする。

この発明による電磁シールド扉は、導電性の壁面と、前記壁面と平行に移動して前記壁面に設けられた開口部を開閉する導電性の扉とを備え、前記扉を閉めた状態における前記壁面と扉の間隙において、前記壁面の開口部の周囲と前記扉の周囲の少なくとも一方に沿って前記壁面または前記扉における対向面と非接触になるように電磁波減衰構造を配置し、前記電磁波減衰構造は、前記対向面と向かい合う面および内部に導体パターンを有する誘電体により構成され、前記導体パターンは、前記扉または前記壁面と電気的に接続され、前記導体パターンにおける前記扉と前記壁面の開口部の周に垂直な方向の幅が電磁シールド特性が要求される帯域内の周波数の４分の１波長としたものである。

この発明によれば、上記のように構成したので、電磁シールド特性が劣化せず定期的なメンテナンスを不要とし、複雑な加圧機構および扉の開閉に広いスペースを必要とせず、電磁波の減衰量を容易に調整することができる。

この発明の実施の形態１による電磁シールド扉の構成を示すＸＹ面図である。 図１の破線Ｘ１−Ｘ１’を通るＸＺ断面図である。 図１の破線Ｙ１−Ｙ１’を通るＺＹ断面図である。 この発明の実施の形態２による電磁シールド扉の構成を示すＸＹ面図である。 図４の破線Ｘ２−Ｘ２’を通るＸＺ断面図である。 図４の破線Ｙ２−Ｙ２’を通るＺＹ断面図である。 実施の形態３による導体パターンの一部を壁面への添付面と反対側から見たＸＹ面図である。 図７の破線Ｚ３−Ｚ３’を通るＺＹ断面図である。 実施の形態４による導体パターンの一部を壁面への添付面と反対側から見たＸＹ面図である。 図９の破線Ｚ４−Ｚ４’を通るＺＹ断面図である。 この発明の実施の形態５による電磁シールド扉の構成を示すＸＹ面図である。 図１１の破線Ｘ５−Ｘ５’を通るＸＺ断面図である。 図１１の破線Ｙ５−Ｙ５’を通るＺＹ断面図である。 この発明の実施の形態６による電磁シールド扉の構成を示すＸＹ面図である。 図１４の破線Ｘ６−Ｘ６’を通るＸＺ断面図である。 図１４の破線Ｙ６−Ｙ６’を通るＺＹ断面図である。 この発明の実施の形態７による電磁シールド扉の構成を示すＸＹ面図である。 図１７の破線Ｘ７−Ｘ７’を通るＸＺ断面図である。 図１７の破線Ｙ７−Ｙ７’を通るＺＹ断面図である。 従来の電磁シールド扉を示す図である。 図２０の破線Ｘ８−Ｘ８’を通るＸＺ断面図である。

以下、この発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
実施の形態１．
図１から図３は、この発明の実施の形態１による電磁シールド扉の構成を示す図であり、扉２が閉じられている状態について、図１は正面を示すＸＹ面図を示し、図２は図１の破線Ｘ１−Ｘ１’を通るＸＺ断面図を示し、図３は図１の破線Ｙ１−Ｙ１’を通るＺＹ断面図を示している。
電磁シールド扉は、図１から図３に示すように、壁面１、扉２、電磁波減衰構造６から構成されている。

壁面１と扉２は導電性であり、扉２は壁面１に取り付けられたレール１１上をローラー１０によって平行移動可能な構造であり、取っ手９の操作により開口部８を開閉可能な構造を有している。
電磁波減衰構造６は、扉２を閉めた状態における壁面１と扉２の間隙において壁面１の開口部８の周囲および扉２の周囲に沿って互いが非接触になるように配置されている。この電磁波減衰構造６は、共振構造を有し、対向面に配置された同様の電磁波減衰構造６と向かい合わせることで、電磁波減衰構造６と他方の電磁波減衰構造６の間に導波路７を形成する。

次に、実施の形態１による電磁シールド扉の動作について説明する。電磁シールド特性が要求される帯域内の周波数の電磁波が、壁面１と扉２の隙間、すなわち、電磁波減衰構造６により形成された導波路７を伝搬する場合を考えると、電磁波減衰構造６が共振して電磁波と電磁界結合し、導波路７を伝搬する電磁波は減衰する。その結果、電磁シールド特性が要求される帯域内の周波数において、電磁シールド特性を得ることができる。

このように、実施の形態１による電磁シールド扉によれば、壁面１と扉２とが非接触であるため、扉２の開閉回数が多くなった場合にも電磁シールド特性が劣化せず、定期的なメンテナンスが不要となる。
また、壁面１と扉２とが非接触であるため、扉２を閉じる際に、扉２に対して高い圧力を加える必要がなく、複雑な加圧機構が不要となる。
また、扉２を壁面１に対して平行に移動することにより開口部８を開閉可能にしているため、扉２の開閉に広いスペースを必要としない。

また、実施の形態１によって得られる電磁シールド特性は導波路７の長さにより決まるため、電磁波減衰構造６を導波路７の向きと平行方向に複数配置することにより、電磁波の減衰量を容易に調整できる。

なお、実施の形態１では、電磁波減衰構造６と対向面に設置された電磁波減衰構造６を向かい合わせ、２つの電磁波減衰構造６の間に導波路７を形成しているが、どちらか一方の電磁波減衰構造６の代わりに導体を設置し、電磁波減衰構造６と導体を向かい合わせて導波路７を形成しても構わない。

また、実施の形態１では、電磁波減衰構造６を扉２を閉めた状態における壁面１と扉２の間隙において、壁面１の開口部の周囲および扉２の周囲に沿って配置しているが、電磁波減衰構造６は扉２を閉めた状態における壁面１と扉２の間隙において壁面１の開口部８の周囲または扉２の周囲のどちらかに沿って配置するとしても構わない。

また、実施の形態１では、ローラー１０およびレール１１を用いて壁面１から扉２を支持しているが、扉２が平行移動することにより開口部８を扉２が開閉する構造であれば、何を用いて扉２を支持しても構わない。

また、実施の形態１では、取っ手９に力を加えて扉２を開閉する構造としているが、扉２を開閉する構造であれば別の方法を用いても構わない。

以上のように、実施の形態１における電磁シールド扉によれば、導電性の壁面１と、壁面１と平行に移動して壁面１に設けられた開口部８を開閉する導電性の扉２と、扉２を閉めた状態における壁面１と扉２の間隙において、壁面１の開口部８の周囲と扉２の周囲の少なくとも一方に沿って対向面と非接触になるように電磁波減衰構造６を配置するように構成したので、電磁シールド特性が劣化せず定期的なメンテナンスを不要とし、複雑な加圧機構および扉の開閉に広いスペースを必要とせず、電磁波の減衰量を容易に調整することができる。

実施の形態２．
図４〜図６は、この発明の実施の形態２による電磁シールド扉の構成を示す図であり、扉２が閉じられた状態について、図４は正面を示すＸＹ面図、図５は図４の破線Ｘ２−Ｘ２’を通るＸＺ断面図、図６は図４の点線Ｙ２−Ｙ２’を通るＺＹ断面図をそれぞれ示している。図４〜図６は、実施の形態１の図１〜図３に示す電磁シールド扉の構成に対して、電磁波減衰構造６の代わりに導体パターン１２および誘電体１３を備える点で異なり、実施の形態１と同様の構成には同一の符号を付して重複した説明を省略する。

導体パターン１２は電磁シールド特性が要求される帯域内の周波数にて共振する共振回路を構成する。
誘電体１３は扉２を閉じた状態における壁面１と扉２の間隙において壁面１の開口部８の周囲および扉２の周囲に沿って互いが非接触になるように配置されており、この誘電体１３は表面および内部に導体パターン１２を有している。この導体パターン１２は、電磁波に対して共振するように配置されて共振構造を構成し、導体パターン１２が共振して電磁波と電磁界結合することで電磁波を減衰させる。この誘電体１３を対向面に配置された同様の誘電体１３と向かい合わせることで、同様の誘電体１３との間に導波路７を形成する。

次に、実施の形態２による電磁シールド扉の動作について説明する。電磁シールド特性が要求される帯域内の周波数の電磁波が、壁面１と扉２の隙間、つまり導体パターン１２と誘電体１３により形成された導波路７を伝搬する場合を考えると、導体パターン１２が共振して電磁波と電磁界結合し、導波路７を伝搬する電磁波は減衰する。この結果、電磁シールド特性が要求される帯域内の周波数において、電磁シールド特性を得ることができる。

このように、実施の形態２による電磁シールド扉によれば、壁面１と扉２とが非接触であるため、扉２の開閉回数が多くなった場合にも電磁シールド特性が劣化せず、定期的なメンテナンスが不要な電磁シールド扉を実現できる。
また、壁面１と扉２とが非接触であるため、扉２に対して高い圧力を加える必要が無く、複雑な加圧機構が不要な電磁シールド扉を実現できる。
また、扉２は壁面１に対して平行に移動することにより開口部８を開閉可能にしているため、扉２の開閉に広いスペースを必要としない。

また、実施の形態２によって得られる電磁シールド特性は導波路７の長さにより決まるため、導体パターン１２を有する誘電体１３を導波路７の向きと平行方向に複数配置することにより、電磁波の減衰量を調整できる。

なお、実施の形態２では、導体パターン１２を有する誘電体１３は対向面の同様の誘電体１３と向かい合わせることにより導波路７を形成しているが、どちらか一方の誘電体１３の代わりに導体を設置し、誘電体１３と導体を向かい合わせることにより導波路７を形成してもよい。

また、実施の形態２では、誘電体１３は表面および内部に導体パターン１２を有するものとしているが、対向面に配置された同様の誘電体１３または導体と向かい合わせることにより導波路７を形成し、導波路７の内部を伝搬する電磁波を減衰することができれば、誘電体１３は導体パターン１２を表面または内部のどちらか一方に有するものとしても構わない。

また，実施の形態２では、導体パターン１２を有する誘電体１３を扉２を閉めた状態における壁面１と扉２の間隙において、壁面１の開口部８の周囲および扉２の周囲に沿って配置しているが、誘電体１３は扉２を閉めた状態における壁面１と扉２の間隙において、壁面１の開口部８の周囲または扉２の周囲のどちらかに沿って配置するとしても構わない。

また、実施の形態２では、ローラー１０およびレール１１を用いて壁面１上において扉２を支持しているが、扉２が平行移動して開口部８を開閉する構造であれば、壁面１上において扉２を支持する構成に別の構成を用いても構わない。

また、実施の形態２では、取っ手９に力を加えて扉２を開閉する構造としているが、扉２を開閉する構成であれば別の構成を用いても構わない。

以上のように、実施の形態２における電磁シールド扉によれば、電磁波減衰構造６は、表面および内部に導体パターン１２を有する誘電体１３により構成されるように構成したので、電磁シールド特性が劣化せず定期的なメンテナンスを不要とし、複雑な加圧機構および扉の開閉に広いスペースを必要とせず、電磁波の減衰量を容易に調整することができる。

実施の形態３．
図４から図８を用いてこの発明の実施の形態３による電磁シールド扉について説明する。図４から図６は、実施の形態２による電磁シールド扉と同じなので説明は省略する。

次に、図７，図８を用いて誘電体１３が有する導体パターン１２の共振構造について説明する。図７は実施の形態３による導体パターン１２の一部を図６に示された壁面への添付面と反対側から見たＸＹ面図であり、図８は、図７における破線Ｚ３−Ｚ３’を通るＺＹ断面図である。

図７と図８において、誘電体１３の壁面１への添付面と反対側の表面にＸ軸方向、すなわち扉２の開口部８の周方向に帯状に配置された導体パターン１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ，１２ｅ，１２ｆ，１２ｇ，１２ｈと貫通スルーホール列１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄが示されている。また、各導体パターンのＹ軸方向の寸法は、Ｌａ，Ｌｂ，Ｌｃ，Ｌｄ，Ｌｅ，Ｌｆ，Ｌｇ，Ｌｈであり、それぞれ異なる周波数ｆａ，ｆｂ，ｆｃ，ｆｄ，ｆｅ，ｆｆ，ｆｇ，ｆｈにおいて、誘電体１３上での４分の１波長となっている。
導体パターン１２ｂと１２ｃ間のＹ方向間隔はＳａ、導体パターン１２ｄと１２ｅ間のＹ方向間隔はＳｂ，導体パターン１２ｆと１２ｇ間のＹ方向間隔はＳｃとなっている。

貫通スルーホール列１４ａは導体パターン１２ａと１２ｂを、貫通スルーホール列１４ｂは導体パターン１２ｃと１２ｄを、貫通スルーホール列１４ｃは導体パターン１２ｅと１２ｆを、貫通スルーホール列１４ｄは導体パターン１２ｇと１２ｈを、それぞれ壁面１または扉２に電気的に接続している。

次に、実施の形態３による電磁シールド扉の動作について説明する。導体パターン１２ａのＹ方向寸法は、周波数ｆａにおいて、誘電体１３上で４分の１波長となっており、Ｙ方向の片端は開放端、もう片端は貫通スルーホール列１４ａに接続されているので、周波数ｆａと、その高調波であるｆａの奇数倍の周波数（３×ｆａ，５×ｆａ，・・・，（２ｎ＋１）×ｆａ（ｎは自然数））において共振する片端短絡の共振器として動作する。同様に、導体パターン１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ，１２ｅ，１２ｆ，１２ｇ，１２ｈはそれぞれ周波数ｆｂ，ｆｃ，ｆｄ，ｆｅ，ｆｆ，ｆｇ，ｆｈと各々の奇数倍の周波数において共振する方端短絡の共振器として動作する。

周波数ｆａの電磁波が壁面１と扉２の隙間、すなわち導波路７をＹ軸方向に伝搬する場合を考えると、導体パターン１２ａが共振して電磁波と電磁界結合し，導波路７をＹ方向に伝搬する電磁波は減衰する。同様に、周波数ｆａの奇数倍の周波数、および、周波数ｆｂ，ｆｃ，ｆｄ，ｆｅ，ｆｆ，ｆｇ，ｆｈと各々の奇数倍の周波数の電磁波が導波路７をＹ方向に伝搬する場合、導体パターン１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ，１２ｅ，１２ｆ，１２ｇ，１２ｈのいずれかが共振して電磁波と電磁界結合するので、これらの周波数においても導波路７をＹ方向に伝搬する電磁波は減衰する。その結果、周波数ｆａ，ｆｂ，ｆｃ，ｆｄ，ｆｅ，ｆｆ，ｆｇ，ｆｈと、これら各周波数の奇数倍の周波数において、導波路７、すなわち、壁面１と扉２の隙間において電磁波を減衰させることができ、これらの周波数における電磁シールド特性を得ることができる。

このように、実施の形態３による電磁シールド扉によれば、壁面１と扉２とが非接触であるため、扉２の開閉回数が多くなった場合にも電磁シールド特性が劣化せず、定期的なメンテナンスが不要となる。
また、壁面１と扉２とが非接触であるため、扉２を閉じる際に、扉２に対して高い圧力を加える必要がなく、複雑な加圧機構が不要となる。
また、扉２を壁面１に対して平行に移動することにより開口部８を開閉可能にしているため、扉２の開閉に広いスペースを必要としない。

また、導体パターン１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ，１２ｅ，１２ｆ，１２ｇ，１２ｈのＹ方向寸法Ｌａ，Ｌｂ，Ｌｃ，Ｌｄ，Ｌｅ，Ｌｆ，Ｌｇ，Ｌｈのそれぞれを、電磁シールド特性が要求される複数の共振周波数となるように分散化することで、広帯域な電磁シールド特性を得ることができる。

また、実施の形態３によって得られる電磁シールド特性は導波路７の長さにより決まるため、導体パターン１２を有する誘電体１３を導波路７の向きと平行方向に複数配置することにより、電磁波の減衰量を調整可能な電磁シールド扉を実現できる。

なお、実施の形態３では、導体パターン１２を有する誘電体１３は対向面に配置された同様の誘電体１３と向かい合わせることにより導波路７を形成しているが、どちらか一方の誘電体１３の代わりに導体を設置し、誘電体１３と導体を向かい合わせることにより導波路７を形成してもよい。

また、実施の形態３では、誘電体１３は表面および内部に導体パターン１２を有するものとしているが、対向面に配置された同様の誘電体１３または導体と向かい合わせることにより導波路７を形成し、導波路７の内部を伝搬する電磁波を減衰することができれば、誘電体１３は導体パターン１２を表面または内部のどちらか一方に有するものとしても構わない。

また、実施の形態３では、導体パターン１２を有する誘電体１３を扉２を閉めた状態における壁面１と扉２の間隙において、壁面１の開口部８の周囲および扉２の周囲に沿って配置しているが、誘電体１３は扉２を閉めた状態における壁面１と扉２の間隙において、壁面１の開口部８の周囲または扉２の周囲のどちらかに沿って配置するとしても構わない。

また、実施の形態３では、導体パターン１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ，１２ｅ，１２ｆ，１２ｇ，１２ｈの共振周波数ｆａ，ｆｂ，ｆｃ，ｆｄ，ｆｅ，ｆｆ，ｆｇ，ｆｈはそれぞれ異なる周波数としているが、広帯域な電磁シールド特性が得られるのであれば、全て異なる周波数にする必要はない。

また、実施の形態３では、導体パターン１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ，１２ｅ，１２ｆ，１２ｇ，１２ｈは片端短絡の共振構造としているが、共振器として動作すれば片端短絡の共振構造に限定する必要はなく、例えば、両端開放、両端短絡、リング型等の共振回路を適用してもよい。なお、両端開放の共振回路の場合、開放端間の最短距離が半波長となる周波数をｆとすると、周波数ｆ，２ｆ，３ｆ，・・・，ｎ×ｆで共振し、両端短絡の共振回路の場合、短絡端間の最短距離が半波長となる周波数をｆとすると、周波数ｆ，２ｆ，３ｆ，・・・，ｎ×ｆで共振する。また、リング型の共振回路の場合、リングの周長が１波長となる周波数をｆとすると、周波数ｆ，２ｆ，３ｆ，・・・，ｎ×ｆで共振する。

また、実施の形態３では、８つの導体パターン１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ，１２ｅ，１２ｆ，１２ｇ，１２ｈと４つの貫通スルーホール列１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄを有するものとしているが、導体パターンの数および貫通スルーホール列の数は上記の数に限定する必要はない。

また、実施の形態３では、導体パターン１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ，１２ｅ，１２ｆ，１２ｇ，１２ｈと壁面１または扉２とを電気的に接続する構造として貫通スルーホール列１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄを用いているが、各導体パターン１２と壁面１または扉２とを電気的に接続する構造であれば、貫通スルーホール列１４に限定する必要はない。

また、実施の形態３では、ローラー１０およびレール１１を用いて壁面１上において扉２を支持しているが、扉２が平行移動して開口部８を開閉する構造であれば、壁面１上において扉２を支持する構成に別の構成を用いても構わない。

また、実施の形態３では、取っ手９に力を加えて扉２を開閉する構造としているが、扉２を開閉する構成であれば別の構成を用いても構わない。

以上のように、実施の形態３における電磁シールド扉によれば、導体パターン１２は扉２または壁面１と電気的に接続され、導体パターン１２の幅が電磁シールド特性が要求される帯域内の周波数の４分の１波長であるように構成したので、この発明の実施の形態２における効果に加え、広帯域な電磁シールド特性を有する。

実施の形態４．
図４から図６と図９と図１０を用いてこの発明の実施の形態４による電磁シールド扉について説明する。図４から図６は、実施の形態２による電磁シールド扉と同じなので説明は省略する。

図９，図１０を用いて誘電体１３が有する導体パターン１２の共振構造について説明する。図９は、実施の形態４による導体パターン１２の一部を図６に示された壁面への貼付面と反対側から見たＸＹ面図であり、実施の形態３の図７に示す導体パターンの構成に対して、導体パターン１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ，１２ｅ，１２ｆ，１２ｇ，１２ｈのＹ軸方向の寸法が異なり、実施の形態３と同様の構成には同一の符号を付して重複した説明を省略する。また、図１０は、図９における破線Ｚ４−Ｚ４’を通るＺＹ断面図である。

図９と図１０において、誘電体１３の壁面１への添付面と反対側の表面にＸ軸方向に帯状に配置された導体パターン１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ，１２ｅ，１２ｆ，１２ｇ，１２ｈと貫通スルーホール列１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄが示されている。また、各導体パターン１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ，１２ｅ，１２ｆ，１２ｇ，１２ｈのＹ軸方向の寸法はいずれもＬであり、周波数ｆにおいて誘電体１３上での４分の１波長となっている。

次に、実施の形態４による電磁シールド扉の動作について説明する。導体パターン１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ，１２ｅ，１２ｆ，１２ｇ，１２ｈのＹ方向寸法は、周波数ｆにおいて、誘電体１３上で４分の１波長となっており、Ｙ方向の片端は開放端、もう片端は貫通スルーホール列１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄのいずれかに接続されているので、周波数ｆと、その高調波であるｆの奇数倍の周波数（３×ｆ，５×ｆ，・・・，（２ｎ＋１）×ｆ（ｎは自然数））において共振する片端短絡の共振器として動作する。

周波数ｆの電磁波が壁面１と扉２の隙間、すなわち導波路７をＹ軸方向に伝搬する場合を考えると、導体パターン１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ，１２ｅ，１２ｆ，１２ｇ，１２ｈが共振して電磁波と電磁界結合し、導波路７をＹ方向に伝搬する電磁波は減衰する。同様に、周波数ｆの奇数倍の周波数の電磁波が導波路７をＹ方向に伝搬する場合、導体パターン１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ，１２ｅ，１２ｆ，１２ｇ，１２ｈが共振して電磁波と電磁界結合するので、それらの周波数においても導波路７のＹ方向に伝搬する電磁波は減衰する。
その結果、周波数ｆとその奇数倍の周波数において、導波路７、すなわち、壁面１と扉２の隙間において電磁波を減衰させることができ、それらの周波数における電磁シールド特性を得ることができる。

周波数ｆとその奇数倍の周波数において、全ての導体パターン１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ，１２ｅ，１２ｆ，１２ｇ，１２ｈが共振するので、壁面１と扉２の隙間を伝搬する電磁波が壁面１と扉２の隙間を伝搬する電磁波の周波がｆまたはｆの奇数倍の周波数の場合、実施の形態３による電磁シールド扉よりも高い減衰量を得ることができる。その結果、特定の周波数に特に有効な電磁シールド扉を実現できる。

このように、実施の形態４による電磁シールド扉によれば、壁面１と扉２とが非接触であるため、扉２の開閉回数が多くなった場合にも電磁シールド特性が劣化せず、定期的なメンテナンスが不要となる。
また、壁面１と扉２とが非接触であるため、扉２を閉じる際に、扉２に対して高い圧力を加える必要がなく、複雑な加圧機構が不要となる。
また、扉２を壁面１に対して平行に移動することにより開口部８を開閉可能にしているため、扉２の開閉に広いスペースを必要としない電磁シールド扉を実現できる。

また、実施の形態４によって得られる電磁シールド特性は導波路７の長さにより決まるため、導体パターン１２を有する誘電体１３を導波路７の向きと平行方向に複数配置することにより、電磁波の減衰量を調整可能な電磁シールド扉を実現できる。

なお、実施の形態４では、導体パターン１２を有する誘電体１３は対向面に配置された同様の誘電体１３と向かい合わせることにより導波路７を形成しているが、どちらか一方の誘電体１３の代わりに導体を設置し、誘電体１３と導体を向かい合わせることにより導波路７を形成してもよい。

また、実施の形態４では、誘電体１３は表面および内部に導体パターン１２を有するものとしているが、対向面に配置された同様の誘電体１３または導体面と向かい合わせることにより導波路７を形成し、導波路７の内部を伝搬する電磁波を減衰することができれば、誘電体１３は導体パターン１２を表面または内部のどちらか一方に有するものとしても構わない。

また、実施の形態４では、導体パターン１２を有する誘電体１３を扉２を閉めた状態における壁面１と扉２の間隙において、壁面１の開口部８の周囲および扉２の周囲に沿って配置しているが、誘電体１３は扉２を閉めた状態における壁面１と扉２の間隙において、壁面１の開口部８の周囲または扉２の周囲のどちらかに沿って配置するとしても構わない。

また、実施の形態４では、導体パターン１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ，１２ｅ，１２ｆ，１２ｇ，１２ｈは片端短絡の共振構造としているが、共振器として動作すれば片端短絡の共振構造に限定する必要はなく、例えば、両端開放、両端短絡、リング型等の共振回路を適用してもよい。なお、両端開放の共振回路の場合、開放端間の最短距離が半波長となる周波数をｆとすると、周波数ｆ，２ｆ，３ｆ，・・・，ｎ×ｆで共振し、両端短絡の共振回路の場合、短絡端間の最短距離が半波長となる周波数をｆとすると、周波数ｆ，２ｆ，３ｆ，・・・，ｎ×ｆで共振する。また、リング型の共振回路の場合、リングの周長が１波長となる周波数をｆとすると、周波数ｆ，２ｆ，３ｆ，・・・，ｎ×ｆで共振する。

また、実施の形態４では、８つの導体パターン１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ，１２ｅ，１２ｆ，１２ｇ，１２ｈと４つの貫通スルーホール列１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄを有するものとしているが、導体パターンの数および貫通スルーホール列の数は上記の数に限定する必要はない。

また、実施の形態４では、導体パターン１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ，１２ｅ，１２ｆ，１２ｇ，１２ｈと壁面１とを電気的に接続する構造として貫通スルーホール列１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄを用いているが、各導体パターン１２と壁面１とを電気的に接続する構造であれば、貫通スルーホール列１４に限定する必要はない。

また、実施の形態４では、ローラー１０およびレール１１を用いて壁面１上において扉２を支持しているが、扉２が平行移動して開口部８を開閉する構造であれば、壁面１上において扉２を支持する構成に別の構成を用いても構わない。

また、実施の形態４では、取っ手９に力を加えて扉２を開閉する構造としているが、扉２を開閉する構成であれば別の構成を用いても構わない。

以上のように、実施の形態４によると、この発明の実施の形態２における効果に加え、特定の周波数に特に有効な電磁シールド特性を有する。

実施の形態５．
図１１から図１３は、この発明の実施の形態５による電磁シールド扉の構成を示す図であり、扉が閉じられた状態について、図１１は正面を示すＸＹ面図、図１２は図１１の破線Ｘ５−Ｘ５’を通るＸＺ断面図、図１３は図１１の破線Ｙ５−Ｙ５’を通るＺＹ断面図をそれぞれ示している。図１１から図１３は、実施の形態２の図４から図６に示す電磁シールド扉の構成に対して、戸袋１５を追加で備える点で異なり、実施の形態２と同様の構成には同一の符号を付して重複した説明を省略する。

戸袋１５は、壁面上に設置され、扉２を閉じた状態において少なくとも扉２の一部と対向する面を有し、扉３を開けた状態において扉２を収納するものである。図１２，図１３に示すように、扉２を閉じた状態において扉２と戸袋１５は開口部８の上下左右において対向しており、扉２を閉じた状態における扉２と戸袋１５の間隙において、扉２の周囲および戸袋１５の開口部８の周囲に沿って導体パターン１２を有する誘電体１３が互いが非接触になるように配置され、向かい合う誘電体１３の間に導波路７が形成されている。

次に、実施の形態５による電磁シールド扉の動作について説明する。電磁シールド特性が要求される帯域内の周波数の電磁波が、壁面１と扉２の隙間および扉２と戸袋１５の隙間、すなわち導体パターン１２と誘電体１３により形成された導波路７を伝搬する場合を考えると、壁面１と扉２との対向面および扉２と戸袋１５との対向面に配置された導体パターンが共振して電磁波と電磁界結合し、導波路７を伝搬する電磁波は減衰する。その結果、電磁シールド特性が要求される帯域内の周波数において、電磁シールド特性を得ることができる。

また、実施の形態５では、導体パターン１２を有する誘電体１３が扉２を閉じた状態における壁面１と扉２の間隙に加え、扉２と戸袋１５の間隙にも配置されているため、形成される２つの導波路７を合わせた長さは実施の形態２により形成される導波路７よりも長くなり、実施の形態２よりも電磁波を減衰することが可能となる。

このように、実施の形態５による電磁シールド扉によれば、壁面１と扉２とが非接触であるため、扉２の開閉回数が多くなった場合にも電磁シールド特性が劣化せず、定期的なメンテナンスが不要となる。
また、壁面１と扉２とが非接触であるため、扉２を閉じる際に、扉２に対して高い圧力を加える必要がなく、複雑な加圧機構が不要となる。
また、扉２を壁面１に対して平行に移動することにより開口部８を開閉可能にしているため、扉２の開閉に広いスペースを必要としない。

また、実施の形態５によって得られる電磁シールド特性は導波路７の長さにより決まるため、導体パターン１２を有する誘電体１３を導波路７の向きと平行方向に複数配置することにより、電磁波の減衰量を調整できる。

なお、実施の形態５では、導体パターン１２を有する誘電体１３は対向面に配置された同様の誘電体１３と向かい合わせることにより導波路７を形成しているが、どちらか一方の誘電体１３の代わりに導体を設置し、誘電体１３と導体を向かい合わせることにより導波路７を形成してもよい。

また、実施の形態５では、誘電体１３は表面および内部に導体パターン１２を有するものとしているが、対向面に配置された同様の誘電体１３または導体と向かい合わせることにより導波路７を形成し、導波路７の内部を伝搬する電磁波を減衰することができれば、誘電体１３は導体パターン１２を表面または内部のどちらか一方に有するものとしても構わない。

また、実施の形態５では、導体パターン１２を有する誘電体１３を扉２を閉めた状態における壁面１と扉２の間隙において、壁面１の開口部８の周囲および扉２の周囲に沿って配置しているが、誘電体１３は扉２を閉めた状態における壁面１と扉２の間隙において、壁面１の開口部８の周囲または扉２の周囲のどちらかに沿って配置するとしても構わない。

また、実施の形態５では、導体パターン１２を有する誘電体１３を扉２を閉めた状態における扉２と戸袋１５の間隙において、扉２の周囲および戸袋１５の開口部８の周囲に沿って配置しているが、誘電体１３は扉２を閉めた状態における扉２と戸袋１５の間隙において、扉２の周囲または戸袋１５の開口部８の周囲のどちらかに沿って配置するとしても構わない。

また、実施の形態５では、ローラー１０およびレール１１を用いて壁面１上において扉２を支持しているが、扉２が平行移動して開口部８を開閉する構造であれば、壁面１上において扉２を支持する構成に別の構成を用いても構わない。

また、実施の形態５では、取っ手９に力を加えて扉２を開閉する構造としているが、扉２を開閉する構成であれば別の構成を用いても構わない。

以上のように、実施の形態５によると、扉２を閉じた状態において少なくとも扉２の一部と対向する面を有する戸袋１５を壁面１上にさらに備え、扉２を閉めた状態における扉２と戸袋１５の間隙において、扉２の周囲または戸袋１５の開口部８の周囲の少なくとも一方に沿って電磁波減衰構造６を対向面と非接触になるように配置するように構成したので、実施の形態２よりも長い導波路７を形成して実施の形態２よりも電磁波を減衰することが可能となる。

実施の形態６．
図１４から図１６は、この発明の実施の形態６による電磁シールド扉の構成を示す図であり、扉が閉じられた状態について、図１４は正面を示すＸＹ面図、図１５は図１４の破線Ｘ６−Ｘ６’を通るＸＺ断面図、図１６は図１４の破線Ｙ６−Ｙ６’を通るＺＹ断面図をそれぞれ示している。図１４から図１６は、実施の形態２の図４から図６に示す電磁シールド扉の構成に対して、導電性ガスケット１６を追加で備える点で異なり、実施の形態２と同様の構成には同一の符号を付して重複した説明を省略する。

導電性ガスケット１６は、導電性かつ弾性の特性を有しており、扉２を閉めた状態における壁面１と扉２の間隙において壁面１の開口部８の周囲と扉２の周囲の少なくとも一方に沿って壁面１と扉２を電気的に密に接続する。

次に、実施の形態６による電磁シールド扉の動作について説明する。まず、導電性ガスケット１６により、壁面１と扉２が電気的に密に接続されているので、壁面１と扉２の隙間には、電磁波はほぼ侵入しない。そして、導電性ガスケット１６を通過して壁面１と扉２の隙間を伝搬する電磁波は、実施の形態２で説明した動作により減衰される。
すなわち、実施の形態６によれば、電磁シールド特性が要求される帯域内の周波数において、実施の形態２が有する電磁シールド特性を上回る電磁シールド特性を得ることができる。

なお、導電性ガスケット１６は、従来技術と同様に磨耗や押し付けによる劣化によって電磁シールド特性の劣化は起こり得るが、主なシールド特性が内部の共振構造によって得られるため、従来技術の扉と同様のシールド特性を得ることを考える場合、ガスケットを押し付ける力は従来技術よりも小さくなり、また、従来技術よりもガスケットの劣化、すなわちシールド特性の劣化が少ない。

また、実施の形態６によれば、扉２を壁面１に対して平行に移動することにより開口部８を開閉可能にしているため、扉２の開閉に広いスペースを必要としない。

また、実施の形態６によって得られる電磁シールド特性は導波路７の長さにより決まるため、導体パターン１２を有する誘電体１３を導波路７の向きと平行方向に複数配置することにより、電磁波の減衰量を調整可能な電磁シールド扉を実現できる。

なお、実施の形態６では、導体パターン１２を有する誘電体１３は対向面に配置された同様の誘電体１３と向かい合わせることにより導波路７を形成しているが、どちらか一方の誘電体１３の代わりに導体を設置し、誘電体１３と導体を向かい合わせることにより導波路７を形成してもよい。

また、実施の形態６では、誘電体１３は表面および内部に導体パターン１２を有するものとしているが、対向面に配置された同様の誘電体１３または導体と向かい合わせることにより導波路７を形成し、導波路７の内部を伝搬する電磁波を減衰することができれば、誘電体１３は導体パターン１２を表面または内部のどちらか一方に有するものとしても構わない。

また、実施の形態６では、導体パターン１２を有する誘電体１３を扉２を閉めた状態における壁面１と扉２の間隙において、壁面１の開口部８の周囲および扉２の周囲に沿って配置しているが、誘電体１３は扉２を閉めた状態における壁面１と扉２の間隙において、壁面１の開口部８の周囲または扉２の周囲のどちらかに沿って配置するとしても構わない。

また、実施の形態６では、導電性ガスケット１６は導電性かつ男性の特性を有し、図１５，図１６に示す構造を有しているが、扉２を閉めた状態における壁面１と扉２の間隙において、壁面１と扉２とを電気的に密に接続できるのであれば、導電性ガスケット１６が有する特性と構造は本実施の形態と同一である必要はない。

また、実施の形態６では、導電性ガスケット１６を扉２を閉めた状態における壁面１と扉２の間隙において、壁面１の開口部８の周囲に沿って配置しているが、導電性ガスケット１６は扉２を閉めた状態における壁面１と扉２の間隙において、扉２の周囲または壁面１の開口部８の周囲と扉２の周囲の両方に沿って配置するとしても構わない。

また、実施の形態６では、ローラー１０およびレール１１を用いて壁面１上において扉２を支持しているが、扉２が平行移動して開口部８を開閉する構造であれば、壁面１上において扉２を支持する構成に別の構成を用いても構わない。

また、実施の形態６では、取っ手９に力を加えて扉２を開閉する構造としているが、扉２を開閉する構成であれば別の構成を用いても構わない。

以上のように、実施の形態６によると、導電性ガスケット１６をさらに備え、導電性ガスケット１６が、扉２を閉めた状態における壁面１と扉２が対向する箇所において、壁面１の開口部８の周囲または扉２の周囲の少なくとも一方に沿って対向面と接触するように配置されるように構成したので、電磁シールド特性が要求される帯域内の周波数において、実施の形態２が有する電磁シールド特性を上回る電磁シールド特性を得ることができる。

実施の形態７．
図１７から図１９は、この発明の実施の形態７による電磁シールド扉の構成を示す図であり、扉が閉じられた状態について、図１７は正面を示すＸＹ面図、図１８は図１７の破線Ｘ７−Ｘ７’を通るＸＺ断面図、図１９は図１７の破線Ｙ７−Ｙ７’を通るＺＹ断面図をそれぞれ示している。図１７から図１９は、実施の形態２の図４から図７に示す電磁シールド扉の構成に対して、扉２の面に配置された誘電体１３の代わりに電磁波吸収体１７を備える点で異なり、実施の形態２と同様の構成には同一の符号を付して重複した説明を省略する。

電磁波吸収体１７は、使用される材料により決まる特定の周波数帯域において、電気的損失、誘電損失、あるは磁気的損失により電磁波を吸収する特性を有しており、壁面１と扉２との対向面において扉２に配置されている。

次に、実施の形態７による電磁シールド扉の動作について説明する。まず、壁面１と扉２の隙間を伝搬する電磁波は、実施の形態２で説明した動作により減衰させられる。また、壁面１と扉２の隙間において扉２には電磁波吸収体が配置されているので、電磁波吸収体１７の材料により決まる特定の周波数帯域において、電磁波は電磁波吸収体１７に吸収される。その結果、電磁シールド特性を得ることができる。

すなわち、実施の形態７による電磁シールド扉によれば、電磁波吸収体１７が有する電磁シールド特性に加え、実施の形態２が有する電磁シールド特性を併せ持った電磁シールド扉を実現できる。

このように、実施の形態７による電磁シールド扉によれば、壁面１と扉２とが非接触であるため、扉２の開閉回数が多くなった場合にも電磁シールド特性が劣化せず、定期的なメンテナンスが不要となる。
また、壁面１と扉２とが非接触であるため、扉２を閉じる際に、扉２に対して高い圧力を加える必要がなく、複雑な加圧機構が不要となる。
また、扉２を壁面１に対して平行に移動することにより開口部８を開閉可能にしているため、扉２の開閉に広いスペースを必要としない電磁シールド扉を実現できる。

また、実施の形態７によって得られる電磁シールド特性は導波路７の長さにより決まるため、導体パターン１２を有する誘電体１３または電磁波吸収体１７を導波路７の向きと平行方向に複数配置することにより、電磁波の減衰量を調整できる。

また、実施の形態７では、誘電体１３は表面および内部に導体パターン１２を有するものとしているが、対向面に配置された同様の誘電体１３または電磁波吸収体１７と向かい合わせることにより導波路７を形成し、導波路７の内部を伝搬する電磁波を減衰することができれば、誘電体１３は導体パターン１２を表面または内部のどちらか一方に有するものとしても構わない。

また、実施の形態７では、導体パターン１２を有する誘電体１３を扉２を閉めた状態における壁面１と扉２の間隙において、壁面１の開口部８の周囲に沿って配置しているが、誘電体１３は扉２を閉めた状態における壁面１と扉２の間隙において、扉２の周囲または壁面１の開口部８の周囲と扉２の周囲の両方に沿って配置するとしても構わない。

また、実施の形態７では、電磁波吸収体１７を扉２を閉めた状態における壁面１と扉２の間隙において、扉２の周囲に沿って配置しているが、電磁波吸収体１７は扉２を閉めた状態における壁面１と扉２の間隙において、壁面１の開口部８の周囲または壁面１の開口部８の周囲と扉２の周囲の両方に沿って配置するとしても構わない。
また、電磁波吸収体１７の配置箇所および数についても実施の形態７と同一である必要はない。

また、実施の形態７では、ローラー１０およびレール１１を用いて壁面１上において扉２を支持しているが、扉２が平行移動して開口部８を開閉する構造であれば、壁面１上において扉２を支持する構成に別の構成を用いても構わない。

また、実施の形態７では、取っ手９に力を加えて扉２を開閉する構造としているが、扉２を開閉する構成であれば別の構成を用いても構わない。

以上のように、実施の形態７によると、電磁波吸収体１７をさらに備え、電磁波吸収体１７が、壁面１と扉２の間隙において壁面１の開口部８の周囲と扉２の周囲の少なくとも一方に沿って対向面と非接触になるように配置されるように構成したので、電磁波吸収体１７に使用された材料に応じた特定の周波数帯域において電磁波を吸収して電磁シールド特性を得ることができる。

また、本願発明はその発明の範囲内において、各実施の形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施の形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施の形態において任意の構成要素の省略が可能である。

１ 壁面、２ 扉、２ａ 凸部、３ 導電性ガスケット、４ ヒンジ機構、５ 開閉ハンドル、６ 電磁波減衰構造、７ 導波路、８ 開口部、９ 取っ手、１０ ローラー、１１ レール、１２ 導体パターン、１３ 誘電体、１４ 貫通スルーホール列、１５ 戸袋、１６ 導電性ガスケット、１７ 電磁波吸収体。

Claims (6)

1. 導電性の壁面と、
   前記壁面と平行に移動して前記壁面に設けられた開口部を開閉する導電性の扉とを備え、
   前記扉を閉めた状態における前記壁面と扉の間隙において、前記壁面の開口部の周囲と前記扉の周囲の少なくとも一方に沿って前記壁面または前記扉における対向面と非接触になるように電磁波減衰構造を配置し、
   前記電磁波減衰構造は、前記対向面と向かい合う面および内部に導体パターンを有する誘電体により構成され、
   前記導体パターンは、前記扉または前記壁面と電気的に接続され、前記導体パターンにおける前記扉と前記壁面の開口部の周に垂直な方向の幅が電磁シールド特性が要求される帯域内の周波数の４分の１波長である
   ことを特徴とする電磁シールド扉。
2. 前記導体パターンは、前記扉と前記壁面の開口部の周に垂直な方向に複数配置され、
   当該複数の導体パターンにおける前記扉と前記壁面の開口部の周に垂直な方向の幅は、少なくとも２つ以上の異なる周波数の４分の１波長であることを特徴とする請求項１記載の電磁シールド扉。
3. 前記導体パターンは、前記扉と前記壁面の開口部の周に垂直な方向に複数配置され、
   当該複数の導体パターンにおける前記扉と前記壁面の開口部の周に垂直な方向の幅は、同じ周波数の４分の１波長であることを特徴とする請求項１記載の電磁シールド扉。
4. 前記扉を閉じた状態において少なくとも前記扉の一部と対向する面を有する戸袋を前記壁面上にさらに備え、
   前記扉を閉めた状態における前記扉と戸袋の間隙において、前記扉の周囲または戸袋の開口部の周囲の少なくとも一方に沿って前記電磁波減衰構造を前記対向面と非接触になるように配置する
   ことを特徴とする請求項１から請求項３のうちのいずれか１項記載の電磁シールド扉。
5. 導電性ガスケットをさらに備え、
   前記導電性ガスケットが、前記扉を閉めた状態における前記壁面と扉が対向する箇所において、前記壁面の開口部の周囲または扉の周囲の少なくとも一方に沿って前記対向面と接触するように配置される
   ことを特徴とする請求項１から請求項４のうちのいずれか１項記載の電磁シールド扉。
6. 電磁波吸収体をさらに備え、
   前記電磁波吸収体が、前記壁面と扉の間隙において前記壁面の開口部の周囲と前記扉の周囲の少なくとも一方に沿って前記対向面と非接触になるように配置される
   ことを特徴とする請求項１から請求項５のうちのいずれか１項記載の電磁シールド扉。

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