CN102956813A - 磁隧道结器件、存储器、存储系统及电子设备 - Google Patents

磁隧道结器件、存储器、存储系统及电子设备 Download PDF

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Abstract

本申请提供磁隧道结器件、存储器、存储系统及电子设备。一种磁隧道结器件包括：第一结构，包括磁层；第二结构，包括至少两个外在垂直磁化结构，每个外在垂直磁化结构包括磁层以及该磁层上的垂直磁化诱导层；及隧道势垒，位于所述第一结构和第二结构之间。

Description

磁隧道结器件、存储器、存储系统及电子设备
技术领域
发明构思的实施方式总地涉及半导体存储装置。例如，发明构思的实施方式涉及包括磁隧道结器件的半导体存储装置、存储器、存储系统及电子设备。
背景技术
随着越来越多的使用便携式计算设备和无线通信设备，存储装置会要求更高密度、更低功率、和/或非易失属性。磁存储器件能够满足上述技术要求。
磁存储器件的一个示例数据存储机制是磁隧道结（MTJ）的隧道磁电阻（TMR）效应。例如，已经开发了具有MTJ的磁存储器件，使得MTJ可具有百分之几百至几千的TMR比率。然而，随着图案尺寸减小，可能变得更难以提供热稳定的MTJ。
发明内容
发明构思的实施方式提供具有改善的热稳定性的磁存储器件。
根据发明构思的示范实施方式，一种磁隧道结器件可包括：第一结构，包括磁层；第二结构，包括至少两个外在垂直磁化结构，每个外在垂直磁化结构包括磁层以及该磁层上的垂直磁化诱导层；及隧道势垒，位于所述第一结构和第二结构之间。
在示范实施方式中，第二结构还包括另外的外在垂直磁化结构，每个包括磁层以及该磁层上的垂直磁化诱导层。
在示范实施方式中，磁隧道结器件还包括在垂直磁化诱导层之一上的垂直磁化保护层。
在示范实施方式中，每个磁层具有比每个垂直磁化诱导层小的氧亲合势。
在示范实施方式中，每个垂直磁化保护层具有比每个垂直磁化诱导层小的氧亲合势。
在示范实施方式中，所述磁层由铁磁材料制成。
在示范实施方式中，所述铁磁材料是CoFeB、CoFe、NiFe、CoFePt、CoFePd、CoFeCr、CoFeTb、CoFeGd和CoFeNi的至少之一。
在示范实施方式中，所述磁层具有在约1埃至约30埃范围内的厚度。
在示范实施方式中，所述磁层具有在约3埃至约17埃范围内的厚度。
在示范实施方式中，所述垂直磁化诱导层与所述磁层直接接触。
在示范实施方式中，所述垂直磁化诱导层是含氧材料。
在示范实施方式中，所述垂直磁化诱导层是金属氧化物。
在示范实施方式中，所述金属氧化物是镁氧化物、钽氧化物、钛氧化物、铝氧化物、镁锌氧化物、铪氧化物、和镁硼氧化物的至少之一。
在示范实施方式中，所述垂直磁化诱导层包括Ta、Ti、U、Ba、Zr、Al、Sr、Hf、La、Ce、Sm、Mg、Th、Ca、Sc、和Y的至少之一。
在示范实施方式中，所述垂直磁化诱导层具有比所述磁层或所述垂直磁化保护层高的电阻率。
在示范实施方式中，所述垂直磁化诱导层具有比所述磁层或所述垂直磁化保护层小的厚度。
在示范实施方式中，所述垂直磁化保护层具有比所述垂直磁化诱导层低的电阻率。
在示范实施方式中，所述垂直磁化保护层由至少一种贵金属或铜形成。
在示范实施方式中，所述至少一种贵金属包括钌（Ru）、铑（Rh）、钯（Pd）、银（Ag）、锇（Os）、铱（Ir）、铂（Pt）、或金（Au）。
在示范实施方式中，所述垂直磁化保护层由至少一种电阻率比钽或钛低的材料形成。
在示范实施方式中，磁隧道结器件还包括：基板，其中所述第一结构是更接近所述基板的下部结构，且其中所述第二结构是远离所述基板的上部结构。
在示范实施方式中，所述第二结构的磁层是自由磁层。
在示范实施方式中，第一结构包括固定磁层。
在示范实施方式中，磁隧道结器件还包括在所述垂直磁化保护层上的顶电极。
在示范实施方式中，磁隧道结器件还包括：基板，其中所述第一结构是远离所述基板的上部结构，且其中所述第二结构是更接近所述基板的下部结构。
在示范实施方式中，所述第一结构包括：至少两个外在垂直磁化结构，每个包括：磁层以及该磁层上的垂直磁化诱导层；金属层，位于两个所述垂直磁化诱导层之间；及垂直磁化保护层，位于所述垂直磁化诱导层之一上。
在示范实施方式中，所述第一结构中所述至少两个外在垂直磁化结构的数目大于所述第二结构中所述至少两个外在垂直磁化结构的数目。
根据发明构思的示范实施方式，一种电子设备可包括：总线；无线接口，连接到所述总线，并配置为向无线通信网络发送数据或从其接收数据；I/O装置，连接到所述总线；控制器，连接到所述总线；及存储器，包括半导体装置，该半导体装置包括磁隧道结器件，该存储器连接到所述总线并配置为存储将被所述控制器使用的命令码或者用户数据。
根据发明构思的示范实施方式，一种存储系统可包括：存储装置，用于存储数据，包括半导体装置，该半导体装置包括磁隧道结器件；及存储控制器，配置为控制所述存储装置响应于主机的读/写请求来读取存储在所述存储装置中的数据或者写数据到所述存储装置中。
根据发明构思的示范实施方式，一种磁隧道结器件可包括：第一结构，包括固定磁层；隧道势垒，在所述第一结构上；第二结构，在所述隧道势垒上，该第二结构包括：第一磁层，在所述隧道势垒上；第一垂直磁化诱导层，在所述第一磁层上；交换耦合层，在所述第一垂直磁化诱导层上；第二垂直磁化诱导层，在所述交换耦合层上；第二磁层，在所述第二垂直磁化诱导层上；第三垂直磁化诱导层，在所述第二磁层上。
在示范实施方式中，磁隧道结器件还包括：垂直磁化保护层，在所述第三垂直磁化诱导层上。
在示范实施方式中，每个磁层具有比每个垂直磁化诱导层小的氧亲合势。
在示范实施方式中，每个垂直磁化保护层具有比每个垂直磁化诱导层小的氧亲合势。
在示范实施方式中，所述垂直磁化诱导层是金属氧化物。
在示范实施方式中，所述金属氧化物是镁氧化物、钽氧化物、钛氧化物、铝氧化物、镁锌氧化物、铪氧化物、和镁硼氧化物的至少之一。
在示范实施方式中，所述垂直磁化诱导层包括Ta、Ti、U、Ba、Zr、Al、Sr、Hf、La、Ce、Sm、Mg、Th、Ca、Sc、和Y的至少之一。
在示范实施方式中，所述垂直磁化诱导层具有比所述磁层或所述垂直磁化保护层高的电阻率。
在示范实施方式中，所述垂直磁化诱导层具有比所述磁层或所述垂直磁化保护层小的厚度。
在示范实施方式中，磁隧道结器件还包括：基板，其中所述第一结构是更接近所述基板的下部结构，且其中所述第二结构是远离所述基板的上部结构。
在示范实施方式中，所述第二结构的所述磁层是自由磁层。
在示范实施方式中，第一结构包括多个固定磁层。
在示范实施方式中，磁隧道结器件还包括：顶电极，在所述垂直磁化保护层上。
在示范实施方式中，磁隧道结器件还包括：基板；其中所述第一结构是远离所述基板的上部结构，且其中所述第二结构是更接近所述基板的下部结构。
根据发明构思的示范实施方式，一种电子设备可包括：总线；无线接口，连接到所述总线，并配置为向无线通信网络发送数据或从其接收数据；I/O装置，连接到所述总线；控制器，连接到所述总线；及存储器，包括半导体装置，该半导体装置包括磁隧道结器件，该存储器连接到所述总线并配置为存储将被所述控制器使用的命令码或者用户数据。
根据发明构思的示范实施方式，一种存储系统可包括：存储装置，用于存储数据，包括半导体装置，该半导体装置包括磁隧道结器件；及存储控制器，配置为控制所述存储装置响应于主机的读/写请求来读取存储在所述存储装置中的数据或者写数据到所述存储装置中。
附图说明
通过下面结合附图的简要描述，将更清楚地理解示范实施方式。附图表示这里描述的非限制性的示范实施方式。
图1是根据发明构思的示范实施方式的磁存储器件的单位单元的示意电路图；
图2、3、4、5、6是电路图，示范性示出根据发明构思的示范实施方式的选择器件；
图7是示意性示出根据发明构思的示范实施方式的第一类型MTJ的图形；
图8是示意性示出根据发明构思的示范实施方式的第二类型MTJ的图形；
图9、10、11、12、13、14、15、16、17是剖视图，示范性示出分层结构，该分层结构可用作磁隧道结MTJ的一部分；
图18A和18B是曲线图，示出外在垂直磁化结构的一些方面；
图19是曲线图，示出外在垂直磁化结构的其他方面；
图20是给出为描述外在垂直磁化结构的另外方面的图形；
图21是实验曲线图，示范性示出根据发明构思的示范实施方式的MTJ的一些磁属性；
图22是剖视图，示意性示出根据发明构思的示范实施方式的第一类型的磁隧道结；
图23是剖视图，示意性示出根据发明构思的示范实施方式的第二类型的磁隧道结；
图24是根据发明构思的示范实施方式的磁存储器件的单位单元的示意电路图；
图25和26是示意性示出包括发明构思的示范实施方式的半导体装置的电子设备的示意性框图。
应该注意的是，这些图意在说明特定示范实施方式中利用的方法、结构和/或材料的一般特性并补充下面提供的文字描述。然而，这些图不是按比例的且可能不精确反映任何所给出的实施方式的精确结构或性能特性，并且不应解释为限定或限制示范实施方式包括的值或属性的范围。例如，分子、层、区域和/或结构元件的相对厚度和定位为清晰起见可减小或夸大。各图中类似或相同附图标记的使用意图表示存在类似或相同的元件或特征。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述发明构思的示范实施方式，在附图中显示出示范实施方式。然而，发明构思的示范实施方式可以多种不同形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的示范实施方式；相反，提供这些示范实施方式使得本公开将全面和完整，并将示范实施方式的构思全面地传达给本领域的普通技术人员。在图中，为了清晰，夸大了区域和层的厚度。在图中相似的附图标记表示相似的元件，因而将省略它们的描述。
应当理解，当元件被称为“连接到”或“耦接到”到另一元件时，其可以直接连接或耦接到其它元件，或者可以存在居间元件。相反，当元件被称为“直接连接到”或“直接耦接到”到另一元件时，没有居间元件存在。相似的附图标记始终表示相似的元件。这里使用时，术语“和/或”包括相关所列项的一个或更多的任意和全部组合。用于描述元件或层之间关系的其它用语应当以类似方式理解（例如，“在...之间”与“直接在...之间”、“相邻”与“直接相邻”、“在...上”与“直接在...上”）。
将理解，尽管术语“第一”、“第二”等可以在这里用来描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，但是这些元件、部件、区域、层和/或部分不应局限于这些术语。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一元件、部件、区域、层或部分区别开。因此，下面论述的第一元件、部件、区域、层或部分可以被称为第二元件、部件、区域、层或部分而不偏离示范实施方式的教导。
空间关系术语，例如“下面”、“之下”、“下”、“之上”、“上”等，可以为了描述的方便而在这里用来描述图中所示的一个元件或特征对另一元件（或多个元件）或特征（或多个特征）的关系。将理解，空间关系术语意在包括器件在使用或操作中的除了图中所示的取向之外的不同取向。例如，如果图中的器件被翻转，那么描述为在其他元件或特征“之下”或“下面”的元件将取向为在其他元件或特征“之上”。因此，示例性术语“之下”可包括之上和之下两个取向。器件可以另外地取向（旋转90度或者在其他取向），这里使用的空间关系描述语也相应地理解。
这里所使用的术语只是为了描述特定的示范实施方式的目的且不旨在限制示范实施方式。如这里所用的，单数形式“一”和“该”也旨在包括复数形式，除非上下文清楚地指示另外的意思。还将理解，当在这里使用时，术语“包含”和/或“包括”指定了存在所述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件，但不排除一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在或增加。
这里参照剖视图描述发明构思的示范实施方式，剖视图是示范实施方式的理想化实施例的示意图。因此，由于例如制造技术和/或容差导致的图示形状的变化是可以预期的。因此，发明构思的示范实施方式不应被理解为局限于这里示出的区域的特定形状，而是将包括例如制造所导致的形状的偏离。例如，示出为矩形的注入区域将在其边缘具有圆化或弯曲的特征和/或注入浓度梯度，而不是从注入到非注入区域的二元改变。同样，通过注入形成的埋藏区可导致该埋藏区和注入进行时所经过的表面之间的区中的一些注入。因此，图中显示的区实质上是示意性的，它们的形状不意图示出器件的区域的实际形状并且不意图限定示范实施方式的范围。
除非另外定义，这里使用的所有术语（包括科技术语）具有与发明构思的示范实施方式所属技术领域的普通技术人员通常理解的意思相同的意思。还将理解，术语，例如通常使用的字典中定义的那些术语，应被理解为具有与它们在相关技术领域的语境中的含义一致的意思，且将不会在理想化或过于正式的意义上来理解，除非这里清楚地这样定义。
根据发明构思的示范实施方式，磁存储器件可配置为包括外在（extrinsic）垂直磁化结构，下面将对其详细描述。此外，2011年3月18日提交的韩国专利申请第2011-0024429号以及2011年7月28日提交的韩国专利申请第2011-0074500号公开了与外在（extrinsic）垂直磁化结构相关的技术特征。在韩国专利申请第2011-0024429和2011-0074500号中公开的全部内容通过引用全部结合于此。
图1是示范性示出根据发明构思的示范实施方式的磁存储器件的单位单元的电路图。
参照图1，单位单元100可设置在彼此交叉的第一和第二互连线10和20之间。单位单元100可串联连接到第一和第二互连线10和20。单位单元100可包括选择元件30和磁隧道结MTJ。选择元件30和磁隧道结MTJ可彼此串联电连接。在一些示范实施方式中，第一和第二互连线10和20之一可用作字线，另一个可用作位线。
选择元件30可配置为选择性地控制通过磁隧道结MTJ的电流。例如，如图2至6所示，选择元件30可以是二极管、pnp双极晶体管、npn双极晶体管、NMOS场效应晶体管（FET）及PMOSFET之一。在选择元件30是诸如双极晶体管和/或MOSFET的三端子开关器件的情况下，额外的互连线（未示出）可连接到选择元件30。
磁隧道结MTJ可包括下部结构41、上部结构42和其间的隧道势垒50。下部结构41和上部结构42的每一个可包括由磁材料形成的至少一个磁层。
磁层之一可配置为具有不被通常环境下产生的外部磁场改变的固定磁化方向。下面，为了便于描述，术语“钉扎层PL”将用于代表具有固定磁化属性的磁层。相反，磁层的另一个可配置为具有可被施加到其上的外部磁场转换的磁化方向。下面，术语“自由层FRL”将用于代表具有可转换磁化属性的磁层。即，如图7和8所示，磁隧道结MTJ可包括至少一个自由层FRL和至少一个钉扎层PL，所述至少一个自由层FRL与至少一个钉扎层PL通过隧道势垒50分开。
磁隧道结MTJ的电阻可对自由层FRL和钉扎层PL的磁化方向的相对取向敏感。例如，当相对取向为反平行时磁隧道结MTJ的电阻可远大于平行时的电阻。这意味着磁隧道结MTJ的电阻可以通过改变自由层FRL的磁化方向来控制。根据发明构思的示范实施方式的磁存储器件可基于该数据存储机制实现。
如图7和8所示，磁隧道结MTJ的下部结构41和上部结构42可顺序形成在基板SUB上。在示范实施方式中，根据自由层FRL与基板SUB之间的相对配置或者自由层FRL和钉扎层PL的形成顺序，磁隧道结MTJ可以例如分为两种类型：（a）第一类型的磁隧道结MTJ1，以下部结构41和上部结构42分别包括钉扎层PL和自由层FRL的方式配置，如图7所示；及（b）第二类型的磁隧道结MTJ2，以下部结构41和上部结构42分别包括自由层FRL和钉扎层PL的方式配置，如图8所示。
图9至17是剖视图，示范性示出分层结构，该分层结构可用作磁隧道结MTJ的一部分。即，磁隧道结MTJ的下部结构41和上部结构42的每个可配置为包括这些分层结构之一，这些分层结构将参照图7至19示范性描述。在图9至17的分层结构用作下部结构41的一部分的示范实施方式中，它们可以提供为倒置结构（例如，以与图9至17所示的方式相反的方式）。
根据发明构思的示范实施方式，下部结构41和上部结构42的至少一个可配置为包括将参照图9至15示范性描述的外在垂直磁化结构（EPMS）的全部或部分。例如，下部结构41可配置为包括将参照图9至15描述的外在垂直磁化结构EPMS之一的全部或部分，而上部结构42可配置为包括将参照图16和17示范性描述的内禀（intrinsic）垂直磁化结构（IPMS）之一的全部或部分。或者，下部结构41可配置为包括将参照图16和17示范性描述的内禀垂直磁化结构（IPMS）之一的全部或部分，而上部结构42可配置为包括将参照图9至15描述的外在垂直磁化结构EPMS之一的全部或部分。此外，在一些示范实施方式中，下部结构41和上部结构42两者可配置为包括将参照图9至15描述的外在垂直磁化结构EPMS之一的全部或部分。
参照图9至15，外在垂直磁化结构EPMS可包括至少一个磁层MGL和/或覆盖磁层MGL的至少一个垂直磁化诱导层PMI。这里，外在垂直磁化结构EPMS的磁层MGL可用作构成下部结构41和/或上部结构42的磁层。换言之，自由层FRL或钉扎层PL可利用外在垂直磁化结构EPMS的磁层MGL实现。
在外在垂直磁化结构EPMS中，磁层MGL可包括铁磁材料。例如，磁层MGL可由CoFeB、CoFe、NiFe、CoFePt、CoFePd、CoFeCr、CoFeTb、CoFeGd及CoFeNi的至少之一形成。根据发明构思的一些方面，磁层MGL可以是表现出内禀水平磁化属性的内禀水平磁层。更详细地，由于磁层MGL的几何形状引起的磁各向异性，磁层MGL（例如，由CoFeB形成）可具有限制在平行于其主表面的平面（例如，xy平面）中的磁化方向。（这里，术语“主表面”代表磁层MGL的具有最大面积的表面，且在大多数情况下，可以是磁层MGL的顶表面或底表面）。术语“内禀水平磁化属性”代表该依赖于几何形状的水平磁各向异性。前述例举的铁磁材料可表现出该内禀水平磁化属性。
另外，磁层MGL可以以薄图案的形式提供，该薄图案的垂直厚度远小于其水平长度。在示范实施方式中，对于外在垂直磁化结构EPMS，各磁层MGL的厚度可在大约1埃至大约30埃的范围。在更具体的实施方式中，各磁层MGL的厚度可在大约3埃至大约14埃或至大约17埃的范围。
垂直磁化诱导层PMI可形成为与磁层MGL直接接触，且该直接接触的配置能够使得磁层MGL的磁化方向从平行改变为垂直于磁层MGL的主表面。即，垂直磁化诱导层PMI可作为导致磁层MGL（具有内禀平行磁化属性）的垂直磁化属性的外部因素。在此情况下，彼此接触的垂直磁化诱导层PMI和磁层MGL可构成具有外在垂直磁化属性的磁结构（例如，外在垂直磁化结构）。下面，外在垂直磁化结构中的磁层MGL可称为“外在垂直磁（EPM）层”。
垂直磁化诱导层PMI可以是含氧材料。在一些示范实施方式中，垂直磁化诱导层PMI可以是至少一种金属氧化物。例如，垂直磁化诱导层PMI可以是镁氧化物、钽氧化物、钛氧化物、铝氧化物、镁锌氧化物、铪氧化物、和镁硼氧化物的至少之一，但发明构思的示范实施方式可不限于此。在示范实施方式中，垂直磁化诱导层PMI可具有比磁层MGL高的电阻率。在示范实施方式中，磁隧道结MTJ的电阻可强烈依赖于垂直磁化诱导层PMI的电阻率。为了降低该依赖性，垂直磁化诱导层PMI可形成得薄。例如，垂直磁化诱导层PMI可形成为具有小于磁层MGL的厚度。在一些示范实施方式中，垂直磁化诱导层PMI可具有约1埃至约15埃的厚度。
在一些示范实施方式中，如图9示范性所示，外在垂直磁化结构EPMS可包括磁层MGL和垂直磁化诱导层PMI，每个以单层结构提供。
在其它示范实施方式中，如图10至15示范性所示，外在垂直磁化结构EPMS可包括提供为多层结构的磁层MGL和提供为多层结构的垂直磁化诱导层PMI。磁层MGL和垂直磁化诱导层PMI可交替叠置。例如，至少一个垂直磁化诱导层PMI可插置在磁层MGL之间。在示范实施方式中，外在垂直磁化结构EPMS可以以一个垂直磁化诱导层PMI（如图10和11所示）、或两个垂直磁化诱导层PMI（如图13和14所示）可插置在彼此相邻的磁层MGL之间的方式配置。
在磁层MGL提供为多层结构的外在垂直磁化结构EPMS中，磁层MGL可具有彼此基本相同的厚度和/或材料。然而，在其它示范实施方式中，至少两个磁层MGL可在厚度和/或材料方面彼此不同。类似地，在一些示范实施方式中，垂直磁化诱导层PMI可具有彼此基本相同的厚度和/或材料。然而，在其它示范实施方式中，至少两个垂直磁化诱导层PMI可在厚度和/或材料方面彼此不同。在示范实施方式中，所有磁层MGL和所有垂直磁化诱导层PMI形成为具有与上面示范性描述的基本相同的材料和厚度。
此外，外在垂直磁化结构EPMS还可包括覆盖垂直磁化诱导层PMI的至少一个金属层。例如，外在垂直磁化结构EPMS还可包括垂直磁化保护层PMP。在一些示范实施方式中，垂直磁化保护层PMP可作为外在垂直磁化结构EPMS的最上层或最下层，如图9至15中示范性所示。在一些示范实施方式中，至少一个垂直磁化诱导层PMI可插置在垂直磁化保护层PMP和与其相邻的磁层MGL之间。在示范实施方式中，顶电极可位于垂直磁化保护层PMP上。
垂直磁化保护层PMP可由电阻率比垂直磁化诱导层PMI低的材料形成。例如，垂直磁化保护层PMP可由至少一种贵金属（例如钌（Ru）、铑（Rh）、钯（Pd）、银（Ag）、锇（Os）、铱（Ir）、铂（Pt）和金（Au））或铜形成。根据发明构思的示范实施方式，垂直磁化保护层PMP可由电阻率低于钽或钛的至少一种材料形成。
另外，根据发明构思的一些方面，与垂直磁化诱导层PMI接触的一部分垂直磁化保护层PMP可由几乎不与氧原子反应的材料形成。上述贵金属或铜可选择为满足该垂直磁化保护层PMP的要求的材料。在一些示范实施方式中，垂直磁化保护层PMP可由即使在后续工艺步骤期间或正常操作条件下也几乎不与氧原子反应的材料形成。
在一些示范实施方式中，外在垂直磁化结构EPMS还可包括插置在磁层MGL之间的至少一个交换耦合层ECL，如图13至15示范性所示。交换耦合层ECL可由贵金属之一形成，例如钌（Ru）、铑（Rh）、钯（Pd）、银（Ag）、锇（Os）、铱（Ir）、铂（Pt）或金（Au）。
彼此相邻设置的一对磁层MGL根据交换耦合层ECL的材料和厚度可表现出平行或反平行磁化属性。在一些示范实施方式中，交换耦合层ECL可以以彼此相邻设置的磁层MGL对表现出平行磁化属性的方式配置。例如，交换耦合层ECL可以是具有大约2埃至大约10埃的厚度的钌层。在示范实施方式中，磁隧道结MTJ能够以改善的稳定性操作，诸如磁矩滞后曲线中的阶梯式轮廓。然而，发明构思的示范实施方式可不限于配置为实现平行磁化属性的实施方式。
如图13和14所示，垂直磁化诱导层PMI可设置在交换耦合层ECL和与之相邻的磁层MGL之一之间。例如，交换耦合层ECL的顶表面和底表面两者均可覆盖有垂直磁化诱导层PMI。在示范实施方式中，在外在垂直磁化结构EPMS中，垂直磁化诱导层PMI的层数目可大于磁层MGL的层数目。然而，在其它示范实施方式中，如图15所示，交换耦合层ECL的顶表面和底表面至少之一可与磁层MGL直接接触。
在一些示范实施方式中，交换耦合层ECL的数目可比磁层MGL的数目少两个或更多个。这意味着交换耦合层ECL不必（但是可以）设置在磁层MGL之间提供的所有层间空间处。例如，如图15所示，垂直磁化诱导层PMI或交换耦合层ECL可单独插置在磁层MGL之间。
外在垂直磁化结构EPMS还可包括覆盖垂直磁化诱导层PMI的至少一个金属层MTL。例如，金属层MTL可设置在磁层MGL和垂直磁化诱导层PMI之间，如图12所示。在一些示范实施方式中，金属层MTL可以以其可用作垂直磁化保护层PMP的方式配置。例如，金属层MTL可由几乎不与氧原子反应的材料形成。例如，金属层MTL可由至少一种贵金属或铜的形成。在其它示范实施方式中，金属层MTL可以以其可用作交换耦合层ECL的方式配置。即，金属层MTL可以以这样的方式配置：与金属层MTL的顶表面和底表面相邻设置的一对磁层MGL表现出平行或反平行磁化属性。
根据发明构思的示范实施方式，下部结构41和上部结构42之一可配置为包括图16和17所示的内禀垂直磁化结构IPMS。
参照图16和17，内禀垂直磁化结构IPMS可包括至少一个内禀垂直磁层IPML。内禀垂直磁化结构IPMS的内禀垂直磁层IPML可用作构成下部结构41和/或上部结构42的磁层。换言之，自由层FRL或钉扎层PL可利用内禀垂直磁层IPML实现。
内禀垂直磁层IPML可由表现出内禀垂直磁化属性的材料形成。换言之，内禀垂直磁层IPML可配置为具有垂直磁化属性，即使在没有诸如外在垂直磁化结构EPMS的垂直磁化诱导层PMI的外部诱导元件时。
例如，内禀垂直磁层IPML可包括下面中的至少一种：a）CoFeTb，其中Tb的百分含量为10%或更多；b）CoFeGd，其中Gd的百分含量为10%或更多；c）CoFeDy；d）FePt，具有L10结构；e）FePd，具有L10结构；f）CoPd，具有L10结构；g）CoPt，具有L10结构；h）CoPt，具有六角密堆积（HCP）结构；i）含有a）至h）项中列出的材料中的至少一种的合金；或j）包括交替叠置的磁层和非磁层的多层结构。包括交替叠置的磁层和非磁层的多层结构可包括（Co/Pt）n、（CoFe/Pt）n、（CoFe/Pd）n、（CoP）n、（Co/Ni）n、（CoNi/Pt）n、（CoCr/Pt）n和（CoCr/Pd）n中的至少一种，其中下标n表示叠置数目。
更详细地，如图16所示，内禀垂直磁化结构IPMS可包括具有单层结构的内禀垂直磁层IPML及盖层CPL。盖层CPL可用作能够保护其下面的内禀垂直磁层IPML的盖元件。盖层CPL可由钌（Ru）、钽（Ta）、钯（Pd）、钛（Ti）、铂（Pt）、银（Ag）、金（Au）和铜（Cu）中的至少一种形成。
在一些示范实施方式中，图16所示的内禀垂直磁化结构IPMS可提供为倒置结构来构成下部结构41。在示范实施方式中，盖层CPL可用作用于在其上生长内禀垂直磁层IPML的籽晶层。例如，当内禀垂直磁层IPML由具有L10结构的材料形成时，盖层CPL可包括具有氯化钠型晶体结构的导电金属氮化物层（例如，由钛氮化物、钽氮化物、铬氮化物或钒氮化物构成的层）。
参照图17，内禀垂直磁化结构IPMS可包括一对内禀垂直磁层IPML及插置于其间的交换耦合层ECL。交换耦合层ECL可由贵金属之一形成，例如钌（Ru）、铑（Rh）、钯（Pd）、银（Ag）、锇（Os）、铱（Ir）、铂（Pt）、或金（Au）。类似于参照图13至15描述的示范实施方式，彼此相邻设置的内禀垂直磁层IPML对可根据交换耦合层ECL的材料和厚度表现出平行或反平行磁化属性。在一些示范实施方式中，内禀垂直磁化结构IPMS的交换耦合层ECL可以这样的方式配置：内禀垂直磁层IPML表现出反平行磁化属性（例如，合成反铁磁（SAF）属性）。
图18A和18B是曲线图，示出根据发明构思的示范实施方式的外在垂直磁化结构的一些方面。如上所述，垂直磁化保护层PMP可由即使在后续工艺步骤中或在正常操作条件下也几乎不与氧原子反应的材料形成。
例如，如图18A所示，垂直磁化保护层PMP可以是氧亲合势小于构成垂直磁化诱导层PMI的金属元素的材料。氧亲合势可由用于形成金属氧化物的标准反应焓（ΔH0 f[kJ/mol氧]）表示，如图18B所示。在一些示范实施方式中，构成垂直磁化诱导层PMI的金属元素的标准反应焓ΔH0 f可小于大约-500[kJ/mol氧]，且垂直磁化保护层PMP的标准反应焓ΔH0 f可大于-300[kJ/mol氧]。即，就绝对值而言，构成垂直磁化诱导层PMI的金属元素的标准反应焓可大于垂直磁化保护层PMP的标准反应焓。在一些示范实施方式中，构成垂直磁化诱导层PMI的金属元素可以是Ta、Ti、U、Ba、Zr、Al、Sr、Hf、La、Ce、Sm、Mg、Th、Ca、Sc、和Y中的至少一种，垂直磁化保护层PMP可包括Au、Ag、Pt、Pd、Rh、Ru、Cu、Re、和Pb中的至少一种。如图18A或18B所示，磁层MGL可由氧亲合势小于构成垂直磁化诱导层PMI的金属元素且大于垂直磁化保护层PMP的材料形成。此外，与氧的化学反应性可由各种物理量表示。例如，代替氧亲合势或标准反应焓，诸如氧化势或氧化自由能的物理量可用于量化表示与氧的化学反应性。
图19是曲线图，示出外在垂直磁化结构的其他方面。
参照图19，外在垂直磁化属性可源自磁层MGL中的原子和垂直磁化诱导层PMI中的氧原子的化合作用（chemical combination）。在示范实施方式中，如图19所示，在磁层MGL和垂直磁化诱导层PMI之间可形成过渡区TR，其氧含量高于磁层MGL且低于垂直磁化诱导层PMI。在一些示范实施方式中，没有理由过渡区TR中的氧含量应该是线性的。例如，在过渡区TR中，氧含量可以在特定包络ENV中单调变化，如图19所示。
或者，垂直磁化保护层PMP可由即使在后续工艺期间或正常操作条件下也几乎不与氧原子反应的材料形成。在一些示范实施方式中，如图19所示，垂直磁化诱导层PMI可形成为具有有限氧含量，垂直磁化保护层PMP可形成为具有基本无限小的氧含量（例如，小于垂直磁化诱导层PMI的氧含量）。在一些示范实施方式中，在垂直磁化诱导层PMI和垂直磁化保护层PMP之间的界面处氧含量可突变。即，氧含量的梯度的绝对值在垂直磁化诱导层PMI和垂直磁化保护层PMP之间的界面处可大于在过渡区TR中。
在其它示范实施方式中，过渡区TR可形成在垂直磁化诱导层PMI的整个区域中。例如，在图19的曲线图中，z方向的氧含量梯度在垂直磁化诱导层PMI的整个区域中或者在磁层MGL与垂直磁化保护层PMP之间可具有有限非零值。在一些示范实施方式中，垂直磁化诱导层PMI的氧含量在与垂直磁化保护层PMP相邻的区域处可大于与磁层MGL相邻的其它区域处。
图20是给出为描述外在垂直磁化结构的另外方面的图形。
磁存储器件的形成还可包括将在形成垂直磁化诱导层PMI和垂直磁化保护层PMP之后执行的工艺步骤（例如，至少一个热处理步骤、引线步骤等）。如图20所示，这些可在后续工艺步骤期间或由使用者的正常操作产生的热能可施加到垂直磁化诱导层PMI。该热能可从垂直磁化诱导层PMI解离氧原子。
然而，在具有低氧亲合势的垂直磁化保护层PMP形成为覆盖垂直磁化诱导层PMI的情况下，能够防止解离的氧原子扩散离开垂直磁化诱导层PMI。例如，如果不从磁隧道结MTJ外部供应热能，解离的氧原子可恢复到其化学稳定态。这里，如前述实施方式，在垂直磁化保护层PMP由具有低氧亲合势的材料形成的情况下，解离的氧原子可与构成垂直磁化诱导层PMI而不是垂直磁化保护层PMP的金属元素重新结合。即，垂直磁化诱导层PMI可在提供热能之前恢复到其初始状态。
图21是实验曲线图，示范性示出根据发明构思的示范实施方式的MTJ的一些磁属性。
在实验中，测试两种类型的样品来测量其中的磁层的关于磁层厚度的垂直各向异性能密度。在图21的曲线图中，附图标记C1指示的曲线代表从包括图9的外在垂直磁化结构EPMS的第一类型MTJ样品获得的实验数据，附图标记C2指示的点代表从包括图13的外在垂直磁化结构EPMS的第二类型MTJ样品获得的实验数据点。即，第一个对应于包括单层磁层的外在垂直磁化结构EPMS，第二个对应于包括多层磁层的外在垂直磁化结构EPMS。
在所有样品中，隧道势垒50由镁氧化物（MgO）形成，磁层MGL和垂直磁化诱导层PMI分别由CoFeB和Ta-O形成，且垂直磁化保护层PMP和交换耦合层ECL由Ru形成。实验的其余条件基本相同。在图21的曲线图中，水平轴代表构成外在垂直磁化结构的磁层的总厚度，垂直轴代表从磁层测量的垂直各向异性能密度。
参照图21，对于由附图标记C1表示的样品，CoFeB构成的磁层在其形成为大约14埃或更小的厚度时具有正垂直各向异性能密度。即，对于图9的外在垂直磁化结构EPMS或第一类型的样品，磁层在大约3埃至大约14埃的特定厚度范围t内表现出垂直各向异性，尽管磁层由具有内禀水平磁化属性的CoFeB形成。
相反，如附图标记C2所示，即使当多层磁层具有大约20埃的总厚度时，垂直各向异性能密度也为正并大于包含图9的结构的单层磁层的垂直各向异性能密度。这意味着，当外在垂直磁化结构的磁层提供为多层结构时，外在垂直磁化结构可形成为具有增加的总厚度而没有垂直各向异性能密度的减小或者甚至具有垂直各向异性能密度的增加。磁层的总厚度的增加使得能够防止垂直型MTJ的热稳定性的变差，这在具有薄的磁层的MTJ中会发生。
如上所述，示范性示于图9至17的分层结构可分别用作图7和图8所示的磁隧道结MTJ1和MTJ2的一部分。例如，如图22示范性示出的，上部结构42和下部结构41可分别利用参照图10和17描述的两层结构实现。这里，参照图10描述的分层结构可以是外在垂直磁化结构，而参照图17描述的分层结构可以是配置为表现出SAF属性的内禀垂直磁化结构IPMS。在此意义上，图22的结构对应于图7的MTJ结构，其中上部结构42包括自由层FRL且下部结构41包括钉扎层PL。
此外，如图23示范性示出的，下部结构41和上部结构42可分别利用参照图10和11描述的两层结构实现。这里，就其中磁层的总厚度而言，图11的分层结构可配置为大于图10，结果，图11的分层结构可用作MTJ的硬磁层或钉扎层。在此意义上，图23的结构对应于图8的MTJ结构，其中上部结构42包括钉扎层PL且下部结构41包括自由层FRL。
尽管对根据发明构思的一些示范实施方式的磁隧道结参照图22和23进行了示范性描述，但发明构思的示范实施方式不必局限于此。
图24是根据发明构思的修改实施方式的磁存储器件的单位单元的示意电路图。
参照图24，根据该实施方式的磁隧道结MTJ还可包括设置在下部结构41下方的下电极结构61和设置在上部结构42上的上电极结构62中的至少一个。下电极结构61可设置在第一互连线10和下部结构41之间或者在选择元件30和下部结构41之间，上电极结构62可设置在第二互连线20和上部结构42之间。
在一些示范实施方式中，下电极结构61和上电极结构62中的至少一个可配置为具有单层结构。在其他示范实施方式中，下电极结构61和上电极结构62中的至少一个可配置为具有多层结构。另外，下电极结构61和上电极结构62可包括（例如，金属构成的）至少一个导电层。但发明构思的示范实施方式不必局限于此；例如，在其他修改的示范实施方式中，磁隧道结MTJ可配置为不包括下电极结构61和上电极结构62之一。
实施方式的应用
图25和26是示意性示出包括根据发明构思的示范实施方式的半导体装置的电子设备的框图。
参照图25，包括根据发明构思的示范实施方式的半导体装置的电子设备1300可以用在以下设备之一中：个人数字助理（PDA）、膝上型计算机、移动计算机、网络平板电脑（web tablet）、无线电话、蜂窝电话、数字音乐播放器、有线或无线电子装置、或包括其中至少两者的综合电子装置。电子设备1300可包括通过总线1350彼此结合的控制器1310、输入/输出装置1320（诸如键区（keypad）、键盘和显示器）、存储器1330、以及无线接口1340。控制器1310可以包括例如至少一个微处理器、数字信号处理器、微控制器等。存储器1330可配置为存储将被控制器1310使用的命令码或者用户数据。存储器1330可包括根据发明构思的示范实施方式的半导体装置。电子设备1300可使用配置为利用RF信号向无线通信网络发送数据或从其接收数据的无线接口1340。无线接口1340可包括例如天线、无线收发器等。电子设备1300可用于诸如CDMA、GSM、NADC、E-TDMA、WCDMA、CDMA2000、Wi-Fi、城市Wi-Fi、蓝牙、DECT、无线USB、Flash-OFDM、IEEE 802.20、GPRS、iBurst、WiBro、WiMAX、WiMAX-Advanced、UMTS-TDD、HSPA、EVDO、LTE-Advanced、MMDS等的通信系统的通信接口协议。
参照图26，将描述包括根据发明构思的示范实施方式的半导体装置的存储系统。存储系统1400可以包括用于存储大量数据的存储装置1410和存储控制器1420。存储控制器1420控制存储装置1410从而响应主机1430的读/写请求来读取存储在存储装置1410中的数据或者写数据到存储装置1410中。存储控制器1420可包括地址映射表，用于将主机1430（例如，移动装置或计算机系统）提供的地址映射成存储装置1410的物理地址。存储装置1410可以是根据发明构思的示范实施方式的半导体装置。
上面公开的半导体存储装置可利用各种不同封装技术来封装。例如，根据前述示范实施方式的半导体存储装置可以使用以下的任意一种来封装：层叠封装（POP）技术、球栅阵列（BGA）技术、芯片级封装（CSP）技术、带引线的塑料芯片载体（PLCC）技术、塑料双列直插式封装（PDIP）技术、窝伏尔组件中管芯（die in waffle pack）技术、晶圆形式中管芯（die in waferform）技术、板上芯片（COB）技术、陶瓷双列直插式封装（CERDIP）技术、塑料四方扁平封装（PQFP）技术、薄型四方扁平封装（TQFP）技术、小外形封装（small outline package，SOIC）技术、收缩型小外形封装（SSOP）技术、薄小外形封装（thin small outline package，TSOP）技术、系统级封装（SIP）技术、多芯片封装（MCP）技术、晶圆级制造封装（WFP）技术以及晶圆级处理堆叠封装（wafer-level processed stack package，WSP）技术。
其中安装了根据上述示范实施方式之一的半导体存储装置的封装还可包括控制半导体存储装置的至少一个半导体装置（例如，控制器和/或逻辑装置）。
根据发明构思的示范实施方式，磁隧道结可配置为包括外在垂直磁化结构。外在垂直磁化结构可包括多个磁层和置于其间的至少一个垂直磁化诱导结构。尽管每个磁层可形成为厚度小于垂直磁化属性要求的临界厚度，但磁隧道结中磁耦合的磁层的总厚度可以大于临界厚度。磁层总厚度的增加使得能够改善垂直型MTJ的热稳定性。
虽然已经特别示出并描述了发明构思的示范实施方式，但本领域普通技术人员将理解，可以进行形式和细节的各种变化而不脱离所附权利要求的精神和范围。
本申请要求于2011年8月10日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2011-0079627的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

Claims (45)

1.一种磁隧道结器件，包括：
第一结构，包括磁层；
第二结构，包括至少两个外在垂直磁化结构，每个外在垂直磁化结构包括磁层以及该磁层上的垂直磁化诱导层；及
隧道势垒，位于所述第一结构和第二结构之间。
2.根据权利要求1所述的磁隧道结器件，所述第二结构还包括：
另外的外在垂直磁化结构，每个包括磁层以及该磁层上的垂直磁化诱导层。
3.根据权利要求1所述的磁隧道结器件，还包括：
在所述垂直磁化诱导层之一上的垂直磁化保护层。
4.根据权利要求3所述的磁隧道结器件，其中每个磁层具有比每个垂直磁化诱导层小的氧亲合势。
5.根据权利要求3所述的磁隧道结器件，其中每个垂直磁化保护层具有比每个垂直磁化诱导层小的氧亲合势。
6.根据权利要求3所述的磁隧道结器件，其中所述磁层由铁磁材料制成。
7.根据权利要求6所述的磁隧道结器件，其中所述铁磁材料是CoFeB、CoFe、NiFe、CoFePt、CoFePd、CoFeCr、CoFeTb、CoFeGd及CoFeNi中至少之一。
8.根据权利要求3所述的磁隧道结器件，其中所述磁层具有在1埃至30埃范围内的厚度。
9.根据权利要求8所述的磁隧道结器件，其中所述磁层具有在3埃至17埃范围内的厚度。
10.根据权利要求3所述的磁隧道结器件，其中所述垂直磁化诱导层与所述磁层直接接触。
11.根据权利要求3所述的磁隧道结器件，其中所述垂直磁化诱导层是含氧材料。
12.根据权利要求11所述的磁隧道结器件，其中所述垂直磁化诱导层是金属氧化物。
13.根据权利要求12所述的磁隧道结器件，其中所述金属氧化物是镁氧化物、钽氧化物、钛氧化物、铝氧化物、镁锌氧化物、铪氧化物、及镁硼氧化物中至少之一。
14.根据权利要求3所述的磁隧道结器件，其中所述垂直磁化诱导层包括Ta、Ti、U、Ba、Zr、Al、Sr、Hf、La、Ce、Sm、Mg、Th、Ca、Sc、及Y中至少之一。
15.根据权利要求3所述的磁隧道结器件，其中所述垂直磁化诱导层具有比所述磁层或所述垂直磁化保护层高的电阻率。
16.根据权利要求3所述的磁隧道结器件，其中所述垂直磁化诱导层具有比所述磁层或所述垂直磁化保护层小的厚度。
17.根据权利要求3所述的磁隧道结器件，其中所述垂直磁化保护层具有比所述垂直磁化诱导层低的电阻率。
18.根据权利要求3所述的磁隧道结器件，其中所述垂直磁化保护层由至少一种贵金属或铜形成。
19.根据权利要求18所述的磁隧道结器件，其中所述至少一种贵金属包括钌（Ru）、铑（Rh）、钯（Pd）、银（Ag）、锇（Os）、铱（Ir）、铂（Pt）、及金（Au）。
20.根据权利要求3所述的磁隧道结器件，其中所述垂直磁化保护层由至少一种电阻率比钽或钛低的材料形成。
21.根据权利要求3所述的磁隧道结器件，还包括：
基板；
其中所述第一结构是更接近所述基板的下部结构，且其中所述第二结构是远离所述基板的上部结构。
22.根据权利要求21所述的磁隧道结器件，其中所述第二结构的所述磁层是自由磁层。
23.根据权利要求21所述的磁隧道结器件，所述第一结构包括固定磁层。
24.根据权利要求21所述的磁隧道结器件，还包括：
顶电极，在所述垂直磁化保护层上。
25.根据权利要求3所述的磁隧道结器件，还包括：
基板；
其中所述第一结构是远离所述基板的上部结构，且其中所述第二结构是更接近所述基板的下部结构。
26.根据权利要求25所述的磁隧道结器件，所述第一结构包括：
至少两个外在垂直磁化结构，每个包括：
磁层以及该磁层上的垂直磁化诱导层，
金属层，位于两个所述垂直磁化诱导层之间，及
垂直磁化保护层，位于所述垂直磁化诱导层之一上。
27.根据权利要求26所述的磁隧道结器件，其中所述第一结构中所述至少两个外在垂直磁化结构的数目大于所述第二结构中所述至少两个外在垂直磁化结构的数目。
28.一种电子设备，包括：
总线；
无线接口，连接到所述总线，并配置为向无线通信网络发送数据或从其接收数据；
I/O装置，连接到所述总线；
控制器，连接到所述总线；及
存储器，包括半导体装置，该半导体装置包括根据权利要求3所述的磁隧道结器件，该存储器连接到所述总线并配置为存储将被所述控制器使用的命令码或者用户数据。
29.一种存储系统，包括：
存储装置，用于存储数据，包括半导体装置，该半导体装置包括根据权利要求3所述的磁隧道结器件；及
存储控制器，配置为控制所述存储装置响应于主机的读/写请求来读取存储在所述存储装置中的数据或者写数据到所述存储装置中。
30.一种磁隧道结器件，包括：
第一结构，包括固定磁层；
隧道势垒，在所述第一结构上；
第二结构，在所述隧道势垒上，该第二结构包括
第一磁层，在所述隧道势垒上，
第一垂直磁化诱导层，在所述第一磁层上，
交换耦合层，在所述第一垂直磁化诱导层上，
第二垂直磁化诱导层，在所述交换耦合层上，
第二磁层，在所述第二垂直磁化诱导层上，
第三垂直磁化诱导层，在所述第二磁层上。
31.根据权利要求30所述的磁隧道结器件，还包括：
垂直磁化保护层，在所述第三垂直磁化诱导层上。
32.根据权利要求31所述的磁隧道结器件，其中每个磁层具有比每个垂直磁化诱导层小的氧亲合势。
33.根据权利要求31所述的磁隧道结器件，其中每个垂直磁化保护层具有比每个垂直磁化诱导层小的氧亲合势。
34.根据权利要求30所述的磁隧道结器件，其中所述垂直磁化诱导层是金属氧化物。
35.根据权利要求34所述的磁隧道结器件，其中所述金属氧化物是镁氧化物、钽氧化物、钛氧化物、铝氧化物、镁锌氧化物、铪氧化物、及镁硼氧化物中至少之一。
36.根据权利要求31所述的磁隧道结器件，其中所述垂直磁化诱导层包括Ta、Ti、U、Ba、Zr、Al、Sr、Hf、La、Ce、Sm、Mg、Th、Ca、Sc、及Y中至少之一。
37.根据权利要求31所述的磁隧道结器件，其中所述垂直磁化诱导层具有比所述磁层或所述垂直磁化保护层高的电阻率。
38.根据权利要求31所述的磁隧道结器件，其中所述垂直磁化诱导层具有比所述磁层或所述垂直磁化保护层小的厚度。
39.根据权利要求31所述的磁隧道结器件，还包括：
基板；
其中所述第一结构是更接近所述基板的下部结构，且其中所述第二结构是远离所述基板的上部结构。
40.根据权利要求39所述的磁隧道结器件，其中所述第二结构的所述磁层是自由磁层。
41.根据权利要求39所述的磁隧道结器件，所述第一结构包括多个固定磁层。
42.根据权利要求39所述的磁隧道结器件，还包括：
顶电极，在所述垂直磁化保护层上。
43.根据权利要求31所述的磁隧道结器件，还包括：
基板；
其中所述第一结构是远离所述基板的上部结构，且其中所述第二结构是更接近所述基板的下部结构。
44.一种电子设备，包括：
总线；
无线接口，连接到所述总线，并配置为向无线通信网络发送数据或从其接收数据；
I/O装置，连接到所述总线；
控制器，连接到所述总线；及
存储器，包括半导体装置，该半导体装置包括根据权利要求31所述的磁隧道结器件，该存储器连接到所述总线并配置为存储将被所述控制器使用的命令码或者用户数据。
45.一种存储系统，包括：
存储装置，用于存储数据，包括半导体装置，该半导体装置包括根据权利要求31所述的磁隧道结器件；及
存储控制器，配置为控制所述存储装置响应于主机的读/写请求来读取存储在所述存储装置中的数据或者写数据到所述存储装置中。
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