CN102921666B - 消除电容式触摸屏蚀刻残留溶液的方法 - Google Patents

消除电容式触摸屏蚀刻残留溶液的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102921666B
CN102921666B CN201210474009.7A CN201210474009A CN102921666B CN 102921666 B CN102921666 B CN 102921666B CN 201210474009 A CN201210474009 A CN 201210474009A CN 102921666 B CN102921666 B CN 102921666B
Authority
CN
China
Prior art keywords
touch screen
cleaning fluid
screen
capacitive touch
support
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201210474009.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102921666A (zh
Inventor
池荣军
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nanjing Panda Electronics Co Ltd
Original Assignee
Nanjing Panda Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nanjing Panda Electronics Co Ltd filed Critical Nanjing Panda Electronics Co Ltd
Priority to CN201210474009.7A priority Critical patent/CN102921666B/zh
Publication of CN102921666A publication Critical patent/CN102921666A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102921666B publication Critical patent/CN102921666B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Position Input By Displaying (AREA)

Abstract

一种消除电容式触摸屏蚀刻残留溶液的方法，其特征是它包括以下步骤：首先，将经过刻蚀的触摸屏挂置于支架上，并在90秒内将支架放入装有清洗液的浸泡箱中，浸泡箱中的清洗液的液面应高出触摸屏的有效工作区域；其次，触摸屏在浸泡箱中浸泡25～35分钟后取出凉干进入下一道工序；所述的清洗液的由重量百分比为：0.8～1%的HCl，0.05%～0.07%的HNO3和余量的去离子水配制而成。本发明能消除刻蚀过程中的残留溶液，保证产品质量，确保后续工序的正常进行。

Description

消除电容式触摸屏蚀刻残留溶液的方法
技术领域
本发明涉及一种电容式触摸屏的制造方法,尤其是一种电容式触摸屏sensor的制作过程中使用的消除残留溶液的方法,具体地说是一种消除电容式触摸屏蚀刻残留溶液的方法。
背景技术
目前，电容技术触摸屏是利用人体的电流感应进行工作的。电容式触摸屏是一块复合玻璃屏，玻璃屏的表面涂有ITO，最外层是一薄层矽土玻璃保护层,夹层ITO涂层作为工作面,工作面上引出电极，边缘有防护层保证良好的工作环境。 　　当手指触摸在金属层上时，由于人体电场，用户和触摸屏表面形成以一个耦合电容，对于高频电流来说，电容是直接导体，于是手指从接触点吸走一个很小的电流。这个电流分从触摸屏的四角上的电极中流出，并且流经这四个电极的电流与手指到四角的距离成正比，控制器通过对这四个电流比例的精确计算，得出触摸点的位置。 
在电容式触摸屏中，一般所指的是ITO Sensor,一块触摸屏上有横纵交错的M条X轴和N条Y轴的 ITO Sensor，用来感应手指触摸位置的(X, Y)坐标。 M和N的数量依据触摸屏大小而不同，屏越大，需要的ITO Sensor轴数越多。
在电容式触摸屏sensor的制作过程中，对于ITO玻璃进行黄光制程，用于使ITO玻璃上留下可以导电的、符合要求的ITO膜，将不需要的ITO膜使用蚀刻的方法将其蚀刻掉，在此生产过程中，会有蚀刻溶液的部分杂质及溶液残留在蚀刻后的玻璃和ITO膜的交界的地方，在介于ITO膜与玻璃之间的台阶，因此此种残留得以留存，在蚀刻后的脱膜工艺，强碱溶液与残留蚀刻杂质进行反应，形成 “残留物”，并且在后道生产工序中不能消除，严重影响了合格率。并且，此种情况一旦产生，由于以下原因，此种情况在生产的后续工序中很难被发现：
1.    残留物很微小，并且有相应的防蚀刻物质覆盖在需要的ITO图形的上方，影响此处的观察。
2.    观察是否有残留需要在黑箱进行，由于是湿法工序，玻璃表面有水迹，影响了黑箱检查的光反射，难以发现残留。
若此时不能消除残留，则在后续生产不能处理掉，只能专门处理，但是处理带来的合格率的损伤很大，且费时费工。
发明内容
本发明的目的是针对现有的电容式触摸屏制作过程中会有蚀刻溶液的部分杂质及溶液残留在蚀刻后的玻璃和ITO膜的交界的地方严重影响产品质量的问题，发明一种消除电容式触摸屏蚀刻残留溶液的方法。
本发明的技术方案是：
一种消除电容式触摸屏蚀刻残留溶液的方法，其特征是它包括以下步骤：
    首先，将经过刻蚀的触摸屏挂置于支架上，并在90秒内将支架放入装有清洗液的浸泡箱中，浸泡箱中的清洗液的液面应高出触摸屏的有效工作区域；
    其次，触摸屏在浸泡箱中浸泡25～35分钟后取出立即进入下一道工序；
所述的清洗液的由重量百分比为：0.8～1%的HCl，0.05%～0.07%的HNO3和余量的去离子水配制而成。
所述的清洗液必须每24小时更换一次。
本发明的有益效果：
本发明能消除刻蚀过程中的残留溶液，保证产品质量，确保后续工序的正常进行。
本发明方法简单，易行，生产效率高，提高了产品的合格率。
附图说明
图1是本发明的触摸屏插装支架的结构示意图。
图2是本发明的浸泡箱的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的说明。
如图1-2所示。
一种消除电容式触摸屏蚀刻残留溶液的方法，它包括以下步骤：
    首先，将经过刻蚀的触摸屏挂置于图1所示的支架上，并在90秒内将支架放入图2所示的装有清洗液的浸泡箱中，浸泡箱中的清洗液的液面应高出触摸屏的有效工作区域；
    其次，触摸屏在浸泡箱中浸泡25～35分钟后取出立即进入下一道工序；
所述的清洗液的由重量百分比为：0.8～1%的HCl，0.05%～0.07%的HNO3和余量的去离子水配制而成。
支架和溶液不发生反应。生产时将批量生产的ITO玻璃基板,放置在支架内，注意溶液对玻璃基板的阻力，防止碎片，待批量产品结束后，进行下一道工序，此时本发明溶液会对蚀刻溶液残留进行反应，消除在产品的表面残留，从而解决蚀刻溶液残留问题。
本发明的支架和浸泡箱及清洗液必须满足如下要求：
1.    支架尺寸必须满足ITO玻璃基板的尺寸要求，故应根据相应尺寸加以制作。
2.    支架、浸泡箱及清洗液不能发生化学反应，不然会影响溶液质量，故支架、浸泡箱应选用不锈钢材质制作。
3.    支架和浸泡箱要分开，支架要有把手，这样方便下道工序。
4.    清洗液要按工作量更换，以残留程度确定溶液浓度，一般每天更换一次。
5.    要确保触摸屏在清洗液中的时间不致过长，过长时间的浸泡会导致防蚀刻物质的变化，导致缺陷发生，因此应严格控制浸泡时间，及时取出。
在曝光、显影后，在ITO玻璃表面留下一层抗蚀刻层，可以防止蚀刻液对其下的ITO膜进行蚀刻，而没有抗蚀刻层保护的ITO会被蚀刻掉，这样在玻璃表面就留下了需要的导电ITO膜，然后再进行后续工序，以达到可以接受的阻值范围。在蚀刻工序中，会有杂质留存在蚀刻后裸露的玻璃和未蚀刻ITO膜处，此种杂质以铁元素为主，经过后道脱膜工序，杂质将和强碱反应，如不处理将导致废品，并且产生的比例很高，达到80%以上。
因此，将本发明的方法放置在蚀刻程序后，在蚀刻工序后将正常生产产品通过支架放置在清洗溶液内，清洗溶液可以消除残留杂质，从而消除蚀刻残留缺陷，并且对生产效率没有影响。
本发明未涉及部分均与现有技术相同或可采用现有技术加以实现。

Claims (2)

1.一种消除电容式触摸屏蚀刻残留溶液的方法，其特征是它包括以下步骤：
    首先，将经过刻蚀的触摸屏挂置于支架上，并在90秒内将支架放入装有清洗液的浸泡箱中，浸泡箱中的清洗液的液面应高出触摸屏的有效工作区域；
    其次，触摸屏在浸泡箱中浸泡25～35分钟后取出立即进入下一道工序；
所述的清洗液由重量百分比为：0.8～1%的HCl，0.05%～0.07%的HNO3和余量的去离子水配制而成。
2.根据权利要求1所述的消除电容式触摸屏蚀刻残留溶液的方法，其特征是所述的清洗液必须每24小时更换一次。
CN201210474009.7A 2012-11-21 2012-11-21 消除电容式触摸屏蚀刻残留溶液的方法 Expired - Fee Related CN102921666B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210474009.7A CN102921666B (zh) 2012-11-21 2012-11-21 消除电容式触摸屏蚀刻残留溶液的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210474009.7A CN102921666B (zh) 2012-11-21 2012-11-21 消除电容式触摸屏蚀刻残留溶液的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102921666A CN102921666A (zh) 2013-02-13
CN102921666B true CN102921666B (zh) 2014-12-17

Family

ID=47636672

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210474009.7A Expired - Fee Related CN102921666B (zh) 2012-11-21 2012-11-21 消除电容式触摸屏蚀刻残留溶液的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102921666B (zh)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2956217A (en) * 1958-11-20 1960-10-11 Rca Corp Semiconductor devices and methods of making them
US2993817A (en) * 1956-02-23 1961-07-25 Carasso John Isaac Methods for the production of semiconductor junction devices
US3046176A (en) * 1958-07-25 1962-07-24 Rca Corp Fabricating semiconductor devices
CN1847382A (zh) * 2005-04-13 2006-10-18 美格纳半导体有限会社 用于清洗半导体器件的组合物及利用该组合物清洗半导体器件的方法
CN102691093A (zh) * 2012-06-20 2012-09-26 哈尔滨工业大学 利用电化学技术实现氧化铟锡表面快速腐蚀和图案化的方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58100433A (ja) * 1981-12-10 1983-06-15 Fujitsu Ltd ウエハ洗浄方法
JP2002261062A (ja) * 2001-03-05 2002-09-13 Texas Instr Japan Ltd 半導体ウェハ上の粒子を除去する方法及び装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2993817A (en) * 1956-02-23 1961-07-25 Carasso John Isaac Methods for the production of semiconductor junction devices
US3046176A (en) * 1958-07-25 1962-07-24 Rca Corp Fabricating semiconductor devices
US2956217A (en) * 1958-11-20 1960-10-11 Rca Corp Semiconductor devices and methods of making them
CN1847382A (zh) * 2005-04-13 2006-10-18 美格纳半导体有限会社 用于清洗半导体器件的组合物及利用该组合物清洗半导体器件的方法
CN102691093A (zh) * 2012-06-20 2012-09-26 哈尔滨工业大学 利用电化学技术实现氧化铟锡表面快速腐蚀和图案化的方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN102921666A (zh) 2013-02-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10385421B2 (en) Recovery of valuable or toxic metals from silicon solar cells
CN102778532B (zh) 铝蚀刻液混酸浓度的电位滴定方法
CN103482877A (zh) 加工防护玻璃的方法和包括该防护玻璃的显示设备
CN103668207B (zh) 蚀刻剂和使用该蚀刻剂制造显示设备的方法
CN102707471A (zh) 液晶光栅、其制作方法、3d显示器件及3d显示装置
CN104519664A (zh) 印制电路板的清洗方法和印制电路板
CN102402338A (zh) 一种触摸屏面板及其制造方法
CN104733541B (zh) 导电结构及其制作方法、阵列基板、显示装置
US20150053888A1 (en) Etching liquid composition and etching method
CN104556717A (zh) Tft玻璃基板减薄环保蚀刻液及其减薄工艺
CN107402068A (zh) 一种基于金属纳米线/氧化锌纳米材料的紫外光传感器
CN103880293A (zh) 一种玻璃二次强化用蚀刻液及其制备方法和应用
CN102921666B (zh) 消除电容式触摸屏蚀刻残留溶液的方法
CN106980407A (zh) 制备超薄Sensor的方法
CN104851516B (zh) 导电图形的制作方法及导电膜
CN104049825B (zh) 一种无需搭桥的投射式电容屏及其制作方法
CN107026120B (zh) 一种阵列基板的制作方法
CN102543266B (zh) 具有铜导线的透明导电膜
CN103318881B (zh) “泡取式”石墨烯的制备及使用方法
CN105624679B (zh) 铜蚀刻液及其制备方法和应用、铜蚀刻方法
WO2015146250A1 (ja) 配線形成方法及びエッチング液
CN205289101U (zh) 一种蓝宝石晶片的清洗装置
CN103451665B (zh) 一种触摸屏引线的加工工艺
CN111650022B (zh) 一种hit太阳电池中氮化硅薄膜的确定方法
CN105924016A (zh) 减薄液和玻璃基板的减薄方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: NANJING XIONGMAO ELECTRONICS CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: NANJING HUAXIAN HIGH-TECH CO., LTD.

Effective date: 20130731

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 210061 NANJING, JIANGSU PROVINCE TO: 210002 NANJING, JIANGSU PROVINCE

TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20130731

Address after: 210002 Zhongshan East Road, Jiangsu, China, No. 301, No.

Applicant after: Nanjing Xiongmao Electronics Co., Ltd.

Address before: 210061 commercial building, room 413, hi tech Development Zone, Jiangsu, Nanjing

Applicant before: Nanjing Huaxian High-Tech Co., Ltd.

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20141217

Termination date: 20201121