CN102910809A - 一种基板及其切裂方法 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例公开了一种基板的切裂方法，该基板包括第一基板和第二基板，该切裂方法包括：分别在第一基板的第一表面和第二基板的第一表面形成蚀刻槽；将第一基板的第一表面和第二基板的第一表面沿蚀刻槽对齐贴合；在第一基板的第二表面和第二基板的第二表面分别用刀轮沿切割线切割第一基板和第二基板，使得切割形成的垂直裂纹延伸至蚀刻槽，进而断开第一基板和第二基板。本发明实施例还公开了一种基板。通过上述方式，本发明能够加快基板切裂的速度，降低切裂后的斜度和断差，从而降低检查机的误判，减轻工作人员负担。

Description

一种基板及其切裂方法
技术领域
本发明涉及液晶面板制造技术领域，特别是涉及一种基板及其切裂方法。
背景技术
现有技术中，液晶基板的切裂多采用刀轮切裂的方式，请参阅图1和图2，图1是现有技术中基板的切裂方法的原理示意图，图2是现有技术中基板切裂后的剖面结构示意图。其切裂方式具体为：利用刀轮100对基板200的一侧表面进行施压，使其表面破坏形成肋条状裂纹300，肋条状裂纹300分为水平裂纹301和垂直裂纹302，然后对基板200的另一侧表面进行施压，使垂直裂纹302延伸（图1中虚线部分）以断开基板200。
然而，这种切裂方式会出现以下问题：
1.在对基板200的另一侧表面施压时，垂直裂纹302延伸长度较大时会有斜度产生。
2.基板200由薄膜晶体管阵列基板和彩色滤光片基板组成，当薄膜晶体管阵列基板和彩色滤光片基板产生的斜度不一致时，会形成断差。
3.所形成的斜度和断差可能在精度允许以内，但实际制程中，可能会造成检查机的误判，增加工作人员的负担。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种基板的切裂方法，能够加快基板切裂的速度，降低切裂后的斜度和断差，从而降低检查机的误判，减轻工作人员负担。
为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种基板的切裂方法，该基板包括第一基板和第二基板，第一基板包括第一表面和与该第一表面相对的第二表面，第二基板包括第一表面和与该第一表面相对的第二表面，该切裂方法包括：分别在第一基板的第一表面和第二基板的第一表面形成蚀刻槽；将第一基板的第一表面和第二基板的第一表面沿蚀刻槽对齐贴合；在第一基板的第二表面和第二基板的第二表面分别用刀轮沿切割线切割第一基板和第二基板，使得切割形成的垂直裂纹延伸至蚀刻槽，进而断开第一基板和第二基板。
其中，蚀刻槽为三角形槽。
其中，蚀刻槽由激光蚀刻形成。
其中，切割线位于蚀刻槽的宽度内。
其中，第一基板的第二表面的切割线和第二基板的第二表面的切割线位于同一垂直平面。
其中，刀轮为高渗透刀轮。
其中，第一基板为薄膜晶体管阵列基板。
其中，第二基板为彩色滤光片基板。
为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种基板，该基板包括第一基板和第二基板，该第一基板第一表面和与该第一表面相对的第二表面，第二基板包括第一表面和与该第一表面相对的第二表面；其中，第一基板的第一表面和第二基板的第一表面具有蚀刻槽。
其中，第一基板为薄膜晶体管阵列基板，第二基板为彩色滤光片基板。
本发明实施例通过在第一基板的第一表面和第二基板的第一表面形成蚀刻槽，使得在切割基板时缩短了垂直裂纹延伸的距离，从而能够加快基板切裂的速度，降低切裂后的斜度和断差，降低检查机的误判，减轻工作人员负担。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，其中：
图1是现有技术中基板的切裂方法的原理示意图；
图2是现有技术中基板切裂后的剖面结构示意图；
图3是本发明基板的切裂方法实施例的流程示意图；
图4是本发明基板实施例的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图3，图3是本发明基板的切裂方法实施例的流程示意图。该基板包括第一基板和第二基板，第一基板包括第一表面和与该第一表面相对的第二表面，第二基板包括第一表面和与该第一表面相对的第二表面。其中，第一基板为薄膜晶体管阵列基板，第二基板为彩色滤光片基板。当然，也可第一基板为彩色滤光片基板，第二基板为薄膜晶体管阵列基板，本发明对此不作限定。该方法包括：
S101：分别在第一基板的第一表面和第二基板的第一表面形成蚀刻槽。
其中，在本实施例中，蚀刻槽优选为三角形槽，通常在基板切裂之后，还需要对切裂面进行磨边处理，当蚀刻槽为三角形槽时，切裂面正好形成一个倒角，减轻了磨边处理的工作。当然，只要能达到加快切裂速度，降低切裂的斜度和断差的效果，也可以是其他形状的蚀刻槽，本发明对此不作限定。
进一步，在本实施例中，蚀刻槽优选地由激光蚀刻形成，但本发明对此不作限定。
S102：将第一基板的第一表面和第二基板的第一表面沿蚀刻槽对齐贴合。
其中，将第一基板的第一表面和第二基板的第一表面沿蚀刻槽对齐贴合，以使得后续切裂基板时，第一基板和第二基板的切裂面形成一致。
S103：在第一基板的第二表面和第二基板的第二表面分别用刀轮沿切割线切割第一基板和第二基板，使得切割形成的垂直裂纹延伸至蚀刻槽，进而断开第一基板和第二基板。
本实施例的刀轮采用高渗透刀轮，在刀轮外围形成一定的角度和齿轮，以增加切裂效果。此外，为了降低斜度和断差的出现，切割线的位置需与蚀刻槽对应，即切割线位于蚀刻槽宽度所对应的第一基板的第二表面和第二基板的第二表面上，且第一基板的第二表面的切割线与第二基板的第二表面的切割线位于同一垂直平面。
其中，以三角形槽为例，切割形成的垂直裂纹延伸至三角形槽的尖端位置，此时垂直裂纹延伸的距离最短，可最快速度地切裂基板，且切裂后的基板斜度和断差较小。
通过上述方式，本实施例通过在第一基板的第一表面和第二基板的第一表面形成蚀刻槽，使得在切割基板时缩短了垂直裂纹延伸的距离，从而能够加快基板切裂的速度，降低切裂后的斜度和断差，降低检查机的误判，减轻工作人员负担。
请参阅图4，图4是本发明基板实施例的结构示意图。该基板包括第一基板10和第二基板20。
第一基板10包括第一表面101和与第一表面101相对的第二表面102，第二基板20包括第一表面201和与第一表面201相对的第二表面202。在本实施例中，第一基板10为薄膜晶体管阵列基板，第二基板20为彩色滤光片基板。值得注意的是，在基板切裂时，第一基板10的第一表面101和第二基板20的第一表面201相互贴合，在本实施例附图中，为了清楚表达，第一基板10和第二基板20分开显示。
其中，在第一基板10的第一表面101和第二基板20的第一表面201上形成有蚀刻槽30，蚀刻槽30为多个，且间隔设置。在本实施例中，蚀刻槽30为三角形槽，当然，只要能达到加快切裂速度，降低切裂的斜度和断差的效果，也可以是其他形状的蚀刻槽，本发明对此不作限定。进一步，在本实施例中，蚀刻槽30优选为由激光蚀刻形成，但本发明对此不作限定。
通过上述方式，本实施例的第一基板的第一表面和第二基板的第一表面具有蚀刻槽，在切裂时可缩短垂直裂纹延伸的距离，从而能够加快基板切裂的速度，降低切裂后的斜度和断差，降低检查机的误判，减轻工作人员负担。
以上所述仅为本发明的实施方式，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种基板的切裂方法，所述基板包括第一基板和第二基板，所述第一基板包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，第二基板包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，其特征在于，所述切裂方法包括：
分别在所述第一基板的第一表面和所述第二基板的第一表面形成蚀刻槽；
将所述第一基板的第一表面和所述第二基板的第一表面沿所述蚀刻槽对齐贴合；
在所述第一基板的第二表面和所述第二基板的第二表面分别用刀轮沿切割线切割所述第一基板和所述第二基板，使得所述切割形成的垂直裂纹延伸至所述蚀刻槽，进而断开所述第一基板和所述第二基板。
2.根据权利要求1所述的切裂方法，其特征在于，所述蚀刻槽为三角形槽。
3.根据权利要求2所述的切裂方法，其特征在于，所述蚀刻槽由激光蚀刻形成。
4.根据权利要求1所述的切裂方法，其特征在于，所述切割线位于所述蚀刻槽的宽度内。
5.根据权利要求4所述的切裂方法，其特征在于，所述第一基板的第二表面的切割线和所述第二基板的第二表面的切割线位于同一垂直平面。
6.根据权利要求1所述的切裂方法，其特征在于，所述刀轮为高渗透刀轮。
7.根据权利要求1所述的切裂方法，其特征在于，所述第一基板为薄膜晶体管阵列基板。
8.根据权利要求7所述的切裂方法，其特征在于，所述第二基板为彩色滤光片基板。
9.一种基板，其特征在于，所述基板包括第一基板和第二基板，所述第一基板包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述第二基板包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；
其中，在所述第一基板的第一表面和所述第二基板的第一表面形成蚀刻槽。
10.根据权利要求9所述的基板，其特征在于，所述第一基板为薄膜晶体管阵列基板，所述第二基板为彩色滤光片基板。
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