CN102903325A - 电光学装置、电光学装置的驱动方法以及电子设备 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及电光学装置、电光学装置的驱动方法以及电子设备。在半导体基板上形成包括OLED那样的发光元件的像素电路。像素电路（110）包括驱动晶体管（125）、开关晶体管（122）和发光元件（130），这些元件形成在半导体基板上。向开关晶体管（122）供给第1基板电位V4，向驱动晶体管（125）供给与第1基板电位V4不同的第2基板电位V3。

Description

电光学装置、电光学装置的驱动方法以及电子设备
技术领域
本发明涉及例如在半导体基板上集成了像素电路的电光学装置、电气驱动装置的驱动方法以及电子设备。
背景技术
近年来，人们提出了各种使用有机发光二极管（Organic LightEmitting Diode，以下，称为“OLED”）元件等发光元件的电光学装置。在该电光学装置中，一般在玻璃基板上布置扫描线和数据线，并且与扫描线和数据线的交叉对应地形成像素电路。在该像素电路中除了包括上述发光元件之外，还包括通过扫描线的选择而导通的开关晶体管、用于使与保持电位对应的电流流过发光元件的驱动晶体管。由于在玻璃基板上形成像素电路，所以开关晶体管、驱动晶体管一般由薄膜晶体管构成。
另一方面，近年来，还提出一种不在玻璃基板上而是在硅基板等半导体基板上形成这种电光学装置的技术（例如参照专利文献1、2）
专利文献1：美国专利申请公开第2007／0236440号说明书；
专利文献2：日本特开2009－152113号公报。
然而，在半导体基板上形成像素电路时，与在玻璃基板上形成的情况相比较，会产生各种问题。
发明内容
本发明的几个方式的目的之一在于，提供一种考虑到在半导体基板上形成像素电路的情况下的诸多问题的电光学装置、电光学装置的驱动方法以及电子设备。
为了实现上述目的，本发明的该方式所涉及的电光学装置的特征在于，是在半导体基板上形成了扫描线、数据线以及像素电路的电光学装置，上述像素电路具有：发光元件，其具有第1电极以及第2电极；驱动晶体管，在向上述发光元件供给电流的期间，其与上述发光元件的上述第1电极电连接，并且根据栅极节点的电位来控制上述电流；开关晶体管，其被电连接在上述驱动晶体管的上述栅极节点与上述数据线之间，向上述开关晶体管供给第1基板电位，向上述驱动晶体管供给与上述第1基板电位不同的第2基板电位。
根据本方式，在半导体基板上形成包括开关晶体管和驱动晶体管的像素电路时，注重对各晶体管要求的作用来决定基板电位。因此，与只使基板电位与源极电位一致的构成比较，能够将开关晶体管的漏电流等的影响抑制得较小。
在上述方式中，在上述开关晶体管是N沟道型晶体管时，优选上述第1基板电位比该开关晶体管的源极电位低的构成、或比该源极电位所能够取得的最小值低的构成。
另一方面，在上述方式中，在上述开关晶体管是P沟道型晶体管时，优选上述第1基板电位比该开关晶体管的源极电位高的构成、或比该源极电位所能够取得的最大值高的构成。
本发明的其他方式的电光学装置的特征在于，是在半导体基板上形成了扫描线、数据线以及像素电路的电光学装置，上述像素电路具有发光元件，其具有第1电极以及第2电极；N沟道型驱动晶体管，在向上述发光元件供给电流的期间，其与上述发光元件的上述第1电极电连接，并且根据栅极节点的电位来控制上述电流；N沟道型开关晶体管，其被电连接在上述驱动晶体管的栅极节点与上述数据线之间，向上述开关晶体管供给第1基板电位，向上述驱动晶体管供给与上述第1基板电位不同的第2基板电位，上述第1基板电位是比上述第2基板电位低的电位。根据本方式，能够将开关晶体管的漏电流等的影响抑制得较小。
另外，其他方式的电光学装置的特征在于，是在半导体基板上形成了扫描线、数据线以及像素电路的电光学装置，上述像素电路具有：发光元件，其具有第1电极以及第2电极；P沟道型驱动晶体管，在向上述发光元件供给电流的期间，其与上述发光元件的上述第1电极电连接，并且根据栅极节点的电位来控制上述电流；P沟道型开关晶体管，其被电连接在上述驱动晶体管的栅极节点与上述数据线之间，向上述开关晶体管供给第1基板电位，向上述驱动晶体管供给与上述第1基板电位不同的第2基板电位。上述第1基板电位是比上述第2基板电位高的电位。根据本方式，能够将开关晶体管的漏电流等的影响抑制得较小。
在上述方式中可以构成为，上述发光元件以及上述驱动晶体管串联连接在第1电位与第2电位之间，上述第2基板电位是与上述驱动晶体管的源极节点相同的电位。
另外，在上述方式中，可以还具备供给第1电位的供电线，上述驱动晶体管的源极节点以及漏极节点的任意一方与上述发光元件的第1电极连接，向上述发光元件的上述第2电极供给与上述第1电位不同的第2电位，上述驱动晶体管的源极节点以及漏极节点的任意另一方与上述供电线连接，上述第1基板是比上述第2电位低的电位。
在该构成中，还可以在第1电位与第2电位之间串联连接上述发光元件以及上述驱动晶体管，使上述第2基板电位为与上述第1电位以及上述第2电位的任意一个相同的电位。
另外，在上述方式中，可以构成为还具备供给第1电位的供电线，上述驱动晶体管的源极节点以及漏极节点的任意一方与上述发光元件的第1电极连接，上述驱动晶体管的源极节点以及漏极节点的任意另一方与上述供电线连接，向上述驱动晶体管供给与上述第1电位相同的第3基板电位。
在上述方式中，可以构成为上述驱动晶体管是串联连接了栅极被公共连接的2个以上的晶体管而成的，该2个以上的晶体管均被供给上述第2基板电位。根据该构成，即使提高电源电压，也可以不必提高晶体管的耐压。
在上述方式中，可以构成为上述开关晶体管的源极节点以及漏极节点的任意一方与上述数据线连接，上述开关晶体管的栅极节点与上述扫描线连接。
另外，在上述方式中，可以构成为上述像素电路还具备电容元件，上述开关晶体管的源极节点以及漏极节点的任意一方与上述电容元件的一端以及上述驱动晶体管的栅极节点连接。
在该构成中，优选流过上述发光元件的上述电流是与被上述电容元件保持的电压对应的电流、或者是与上述驱动晶体管的栅极和源极之间的电压对应的电流。
在上述方式中，可以构成为在上述扫描线被选择时，上述开关晶体管将上述驱动晶体管的上述栅极节点与上述数据线电连接，驱动上述扫描线的扫描线驱动电路以及驱动上述数据线的数据线驱动电路与上述像素电路一起形成在上述半导体基板上。在该构成中，可以在设置上述像素电路的显示部与设置上述扫描线驱动电路以及上述数据线驱动电路的外围电路之间形成分离用阱。通过这样形成分离用阱，能够将外围电路的动作对显示部的影响抑制得较小。
此外，本发明除了涉及电光学装置之外，还涉及电光学装置的驱动方法、具有该电光学装置的电子设备。对于电子设备而言，典型而言，能够例举出头戴式可视设备、电子取景器等显示装置。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式所涉及的电光学装置的立体图。
图2是表示电光学装置中的各部的配置的俯视图。
图3是表示电光学装置的电气构成的框图。
图4是表示电光学装置中的阱区的图。
图5是表示电光学装置中的像素电路的图。
图6是表示电光学装置的动作的图。
图7是表示应用例及变形例所涉及的电光学装置的像素电路的图。
图8是表示应用例及变形例所涉及的电光学装置的像素电路的图。
图9是表示应用例及变形例所涉及的电光学装置的动作的图。
图10是表示应用例及变形例所涉及的电光学装置的像素电路的图。
图11是表示应用例及变形例所涉及的电光学装置的像素电路的图。
图12是表示应用例及变形例所涉及的电光学装置的像素电路的图。
图13是表示应用例及变形例所涉及的电光学装置的像素电路的图。
图14是表示应用例及变形例所涉及的电光学装置的像素电路的图。
图15是表示应用例及变形例所涉及的电光学装置的像素电路的图。
图16是表示应用例及变形例所涉及的电光学装置的像素电路的图。
图17是表示应用例及变形例所涉及的电光学装置的像素电路的图。
图18是表示应用例及变形例所涉及的电光学装置的像素电路的图。
图19是表示应用例及变形例所涉及的电光学装置的像素电路的图。
图20是表示应用例及变形例所涉及的电光学装置的像素电路的图。
图21是表示应用例及变形例所涉及的电光学装置的像素电路的图。
图22是表示应用例及变形例所涉及的电光学装置的像素电路的图。
图23是表示应用例及变形例所涉及的电光学装置的像素电路的图。
图24是表示使用了实施方式等所涉及的电光学装置的HMD的立体图。
图25是表示HMD的光学构成的图。
具体实施方式
以下，参照附图对用于实施本发明的方式进行说明。
图1是表示本发明的实施方式所涉及的电光学装置1的立体图。
该图所示的电光学装置1包括例如适用于头戴式可视设备（HMD），显示图像的微型显示器10。微型显示器10是在以硅基板为代表的半导体基板上形成多个像素电路、驱动该像素电路的外围电路等的有机EL装置，像素电路中包括OLED。此外，在本发明中虽然例示了硅基板作为半导体基板，但在本发明还能够应用由其他公知材料构成的半导体基板。
微型显示器10被收容于在显示部开口的框状的外壳12，并且连接FPC（Flexible Printed Circuits：柔性电路基板）基板14的一端。在FPC基板14的另一端设置多个端子16，并与被省略图示的电路模块连接。其中，与端子16连接的电路模块兼具微型显示器10的电源电路以及控制电路，除了经由FPC基板14供给各种电位之外，还供给数据信号、控制信号等。
图2是表示微型显示器10中的各部的配置的俯视图。图3是表示微型显示器10中的电气构成的框图。此外，为了方便说明，图2为取下图1的外壳12的状态。
在图2中，显示部100呈俯视时例如对角为1英寸以下、且在左右方向上横向较长的长方形的形状。参照图3对详细内容进行说明，在显示部100中，在图中沿着左右方向设置m行扫描线112，以沿着上下方向、且与各扫描线112相互保持电绝缘的方式设置n列数据线114。像素电路110与m行扫描线112和n列数据线114的各交叉对应，排列成矩阵状。
m、n均是自然数。另外，存在为了便于区别扫描线112以及像素电路110的矩阵中的行，在图3中从上开始依次称为1、2、3、…、（m－1）、m行的情况。同样地还存在为了便于区别数据线114以及像素电路110的矩阵的列，在图3中从左开始依次称为1、2、3、…、（n－1）、n列的情况。
另外，实际上，与同一行的扫描线112和相互相邻的3列数据线114的交叉对应的3个像素电路110表现应显示的彩色图像的1点，分别相当于R（红）、G（绿）、B（蓝）像素。换言之，本实施方式成为通过RGB 3个像素电路110的发光元件的加色混合来表现1点的彩色的构成。
在显示部100的外围设置用于驱动像素电路110的外围电路。外围电路是扫描线驱动电路140与数据线驱动电路150，其中，扫描线驱动电路140分别被设置于显示部100的左右两侧。具体如图3所示那样，2个扫描线驱动电路140成为分别从两侧驱动m行扫描线112的每一个的构成。
各扫描线驱动电路140被上述电路模块供给相同的控制信号Ctry，分别将相同的扫描信号Gwr（1）、Gwr（2）、Gwr（3）、…、Gwr（m-1）、Gwr（m）供给至第1、2、3、…、（m－1）、m行的扫描线112。
此外，在进行该供给时，如果扫描信号的延迟不成问题，则可以是只在单侧设置一个扫描线驱动电路140的构成。
如图2所示，在FPC基板14的连接处与显示部100之间设置数据线驱动电路150。如图3所示，从上述电路模块向数据线驱动电路150供给影像信号Vd和控制信号Ctrx。数据线驱动电路150根据控制信号Ctrx对第1、2、3、…、（n－1）、n列数据线114供给影像信号Vd为数据信号Vd（1）、Vd（2）、Vd（3）、…、Vd（n-1）、Vd（n）。
另外，从上述电路模块经由FPC基板14遍及各像素电路110向显示部100供给电位V1～V5。此外，在该实施方式中，供给电位V1～V5中的、电位V1、V2、V4。
像素电路110、扫描线驱动电路140以及数据线驱动电路150形成于共用的硅基板。其中，扫描线驱动电路140所输出的扫描信号Gwr（1）～Gwr（m）是以H或者L电平规定的逻辑信号。因此，扫描线驱动电路140成为根据控制信号Ctry动作的CMOS逻辑电路的集合体。另外，数据线驱动电路150所输出的数据信号Vd（1）～Vd（n）虽然是模拟信号，但数据线驱动电路150成为根据控制信号Ctrx将从上述电路模块供给的数据信号Vd依次供给至1～n列数据线114的构成。因此，数据线驱动电路150也具有CMOS逻辑电路。另一方面，如后述那样，像素电路110具有多个晶体管，在本实施方式中，混有P沟道型与N沟道型。
因此，在由硅基板形成的微型显示器10中，如以下所示那样地形成阱区。
图4是表示微型显示器10中的阱区的概略配置的图。
例如在使用P型作为硅基板的情况下，如以下所示那样地形成N型的阱区（以下简称“N阱”）。
即、第1、在形成显示部100的预定的区域中，以附随多个横向延伸的带状开口部分的方式形成N阱。第2、在扫描线驱动电路140的预定区域中，以几乎相同的间距附随多个与显示部100相同的开口部分的方式形成N阱。第3、在数据线驱动电路150的预定区域中，在图4的上侧、即与显示部100对置的一侧形成N阱。
因此，结果如图所示，在显示部100的区域与扫描线驱动电路140的区域的开口部分分别留下P型的阱区（以下简称“P阱”）。因此，在显示部100的区域与扫描线驱动电路140的区域的边缘部分，N阱呈框状配置，另一方面，在边缘部分的内侧，P阱与N阱交替地配置。另外，包围显示部100的框状的N阱与在外围电路中和显示部100对置的N阱成为被P阱分离的状态。
此处，显示部100中的N阱的宽度Wn1与扫描线驱动电路140中的N阱的宽度Wn2形成为彼此相等。同样地，显示部100中的P阱的宽度Wp1与扫描线驱动电路140中的P阱的宽度Wp2也可以形成为彼此相等。
此外，在图4中，虽然在显示部100以及扫描线驱动电路140的各区域中配置有7行P阱，但在本实施方式中，由于相互邻接的P阱与N阱相当于1行，所以实际上为像素电路110的行数、即为m行配置。
另外，图中的空白部分在硅基板使用P型的情况下成为P阱，但其与本发明无关，所以表示为空白。
图5是像素电路110的电路图。在该图中，示出了与第i行以及在下侧与该第i行相邻的第（i＋1）行的扫描线112、和第j列以及在右侧与该第j列相邻的第（j＋1）列的数据线114的交叉对应的2×2共计4个像素的像素电路110。此处，i、（i＋1）是通常表示像素电路110排列的行时的符号，它们是1以上m以下的整数。同样地，j、（j＋1）是通常表示像素电路110排列的列时的符号，它们是1以上n以下的整数。
如图5所示，各像素电路110包括N沟道MOS（Metal OxideSemiconductor：金属氧化物半导体）的晶体管122、P沟道MOS的晶体管124、126、电容元件128和作为发光元件的OLED130。从电学角度来看，各像素电路110是相互相同的构成，故以位于i行j列的像素电路为代表进行说明。
i行j列的像素电路110的晶体管122作为开关晶体管发挥作用，虽然未对构造进行特别图示，但栅极节点经由绝缘膜形成于硅基板的P阱。另外，离子以该栅极节点作为掩膜而被导入，形成2个N型扩散层，并且各扩散层被引出而成为源极节点、漏极节点。在这样的构造的晶体管122中，栅极节点与第i行扫描线112连接，另一方面，其漏极或者源极节点的一方与第j列数据线114连接，其漏极或者源极节点的另一方与电容元件128的一端、晶体管124、126的共用栅极节点分别连接。另外，经由供电线119向晶体管122的P阱供给电位V4。因此，晶体管122的基板电位（第1基板电位）成为电位V4。
对于晶体管124、126的每一个而言，共用栅极节点经由绝缘膜形成于上述硅基板的共用N阱区域。另外，离子还以共用栅极节点作为掩膜而被导入与各个与晶体管124、126相当的区域，形成2个P型扩散层，并且各自的扩散层引出而成为源极节点、漏极节点。
在这样的构造中，晶体管124的源极节点和电容元件128的另一端一起与供给电源高位侧的电位V1的供电线116连接，其漏极节点与晶体管126的源极节点连接。晶体管126的漏极节点与OLED130的阳极连接。另外，向晶体管124、126的共用N阱区域供给电位V1。因此，晶体管124、126的基板电位（第2基板电位）成为电位V1。
这样以串联的方式连接的晶体管124、126作为一个驱动晶体管发挥作用。详细而言，该驱动晶体管将晶体管124、126的共用栅极节点作为栅极、将晶体管124的源极节点作为源极、将晶体管126的漏极节点作为漏极，使与由电容元件128保持的保持电压、即栅极及源极间的电压对应的电流流过OLED130。
OLED130的阳极是按每个像素电路110独立设置的像素电极（第1电极）。另一方面，OLED130的阴极是遍及全部像素电路110的共用电极117（第2电极），该共用电极117被供给电源的低位侧的电位V2。OLED130是在硅基板中利用相互对置的阳极和具有透明性的阴极夹持由有机EL材料构成的发光层而构成的元件，其以与从阳极流向阴极的电流对应的亮度发光。
此外，在图5中，Gwr（i）、Gwr（i+1）分别表示向第i、（i＋1）行的扫描线112供给的扫描信号，另外，Vd（j）、Vd（j+1）分别表示向第j、（j＋1）列的数据线114供给的数据信号。
另外，为了方便，在i行j列的像素电路110中，将晶体管124、126的共用栅极节点表记为g（i，j）。
另一方面，还存在能够将寄生于晶体管124、126的栅极节点的电容用于电容元件128的情况。
图6是表示微型显示器10的显示动作的图，其表示扫描信号以及数据信号的波形的一个例子。
如该图所示，扫描信号Gwr（1）、Gwr（2）、Gwr（3）、…、Gwr（m-1）、Gwr（m）在各帧中按照每个水平扫描期间（H）依次被扫描线驱动电路140选择而排他地成为L电平。此外，在本说明中，所谓帧是指使微型显示器10显示1个镜头（画面）的图像所需的期间，如果垂直扫描频率为60Hz，则指其1个周期16.67毫秒的期间。另外，扫描线驱动电路140将电源的高位侧设为电位Vdd，将低位侧设为电位Vss。因此，在扫描信号Gwr（1）～Gwr（m）中，H电平与电位Vdd相当，L电平与电位Vss相当。
另外，第i行的扫描线112被选择，其扫描信号Gwr（i）从L变为H电平时，由数据线驱动电路150对第j列的数据线114供给与i行j列的亮度的目标值对应的电位，换言之，与应流向OLED130的驱动电流对应的电位的数据信号Vd（j）。
在i行j列的像素电路110中，由于若扫描信号Gwr（i）变为H电平，则晶体管122导通，所以成为栅极节点g（i，j）与第j列的数据线114电连接的状态。因此，栅极节点g（i，j）的电位如图6中的朝上箭头所示，成为数据信号Vd（j）的电位。此时，晶体管124、126使与栅极节点g（i，j）和源极节点的电位差、栅极及源极间的电压对应的电流流过OLED130。另外，电容元件128保持晶体管124、126中的栅极及源极间的电压。
在第i行的扫描线112的选择结束，扫描信号Gwr（i）成为L电平时，晶体管122从导通切换为截止。即使晶体管122切换为截止，该晶体管122导通时的晶体管124、126的栅极节点的电位也被电容元件128保持。因此，即使晶体管122截止，晶体管124、126也使与由电容元件128保持的保持电压对应的电流继续流过OLED130，直至下次再次选择第i行的扫描线112。因此，在i行j列的像素电路110中，OLED130以与选择第i行时的数据信号Vd（j）的电位对应的亮度，在与1个帧相当的期间持续发光。
此处，由于晶体管124、126是P沟道，所以随着数据信号Vd（j）的电位成为低位，流过OLED130的电流变多（亮度变亮）。
此外，在第i行中，第j列以外的像素电路110也以与向对应的数据线114供给的数据信号的电位对应的亮度发光。另外，此处，虽然以与第i行的扫描线112对应的像素电路110进行了说明，但以第1、2、3、…、（m－1）、m行这样的顺序选择扫描线112的结果为，各个像素电路110分别以与目标值对应的亮度发光。这样的动作按每个帧为单位被反复进行。
另外，在图6中，为方便起见，与作为逻辑信号的扫描信号的电位尺度相比，放大数据信号Vd（j）、和栅极节点g（i，j）的电位尺度。
然而，在像素电路110中，对作为开关晶体管发挥作用的晶体管122、和作为驱动晶体管发挥作用的晶体管124、126要求的作用如下所示那样不同。详细地说，要求晶体管122截止电阻高，换句话说截止漏电流小，从而使晶体管124、126的栅极电位的变动量减少，与此相对，要求利用晶体管124、126稳定地供给应流向OLED130的电流。
MOS晶体管的基板电位构成为通常与源极电位一致。
但是，在本实施方式中，为了使N沟道的晶体管122的截止漏电流减小，将晶体管122的基板电位V4设定为与晶体管122的源极电位所能够取得的最小值的电位同值或者略低。此处，将晶体管122的基板电位V4设定为与电源的低位侧的电位V2同值，或者比电位V2稍低。因此，除了被保持为电位V2的共用电极117之外，还另设有供给电位V4的供电线119。此外，若使基板电位变低，则阈值电压变高，但在本申请中，考虑到对晶体管122要求的作用，优先使截止漏电流减小。另外，在N沟道的晶体管中，若使基板电位比源极电位高，则电压从P阱向N扩散层正向偏置，所以电流流动，动作不良。
另一方面，若使P沟道的晶体管124、126的基板电位比源极节点高，则不能忽略阈值电压变高的影响，相反，若比源极节点低，则动作不良。因此，使P沟道的晶体管124、126的基板电位与源极节点的电位V1一致。
因此，在本实施方式中，由于晶体管122的基板电位以及晶体管124、126的基板电位根据各自被要求的作用而被适当地设定，所以能够在晶体管122中使漏电流减小，并且能够通过晶体管124、126稳定地供给应流向OLED130的电流。
另外，为了使OLED130以某一程度的亮度发光，需要增高电位V1、V2的差、即电源电压。另一方面，随着流过OLED130的电流减少，OLED130的阳极与阴极（电位V2）之间的电压缓缓降低，因此相应地，在驱动晶体管的源极及漏极间施加的电压缓缓变高。最终，在OLED130的亮度为零的状态下，在驱动晶体管的源极及漏极间施加的电压成为最大。
此处，为了提高在形成于硅基板的晶体管的源极及漏极间能够施加的电压（耐压），需要增大晶体管的尺寸来缓和电场密度。然而，在要求显示部100的小尺寸化、显示的高精细化的情况下，形成的晶体管的尺寸也必然变小，所以耐压降低。因此，在驱动晶体管为一个的构成中，有在使OLED130以低亮度发光时超过降低了的耐压以至损坏的可能性。
即、可以说，以往，提高电源电压使OLED130以较高的亮度发光，和显示尺寸的小型化及显示的高精细化处于折衷的关系。
与此相对，在本实施方式中，使驱动晶体管成为通过2个晶体管124、126以串联的方式连接的构成。在该构成中，由于在不使电流流过OLED130时，晶体管124、126截止，所以晶体管124的漏极节点与晶体管126的源极节点成为浮置（floating）状态。因此，不向晶体管124、126的源极及漏极间施加电压。另外，在流过OLED130的电流较少时，虽然在晶体管124的源极节点与晶体管126的漏极节点之间施加比较高的电压，但从晶体管124、126的单体来看，由于被分压，所以不会被施加较高的电压。
因此，不必提高晶体管124、126的耐压。
由此，在本实施方式中，能够兼得使OLED130以较高的亮度发光、和显示尺寸的小型化及显示的高精细化。
此外，在只要求使OLED130以较高的亮度发光、或者显示尺寸的小型化及显示的高精细化的任意一项的情况下，也可以由一个晶体管来构成驱动晶体管。
另外，在实施方式中，包围显示部100的框状的N阱和在外围电路中与显示部100对置的N阱被位于边界部分的P阱分离。因此，显示部100中的N阱和被该N阱围起的P阱不易受到外围电路、即扫描线驱动电路140以及数据线驱动电路150的动作的干扰。即、外围电路由于时钟等不断地进行逻辑动作，所以是噪声的产生源，但通过设置在边界部分的P阱而形成该噪声的影响不易传播至显示部100的构造。
在实施方式中，形成为N阱的宽度Wn1与宽度Wn2彼此相等，并且，P阱的宽度Wp1与宽度Wp2彼此相等，所以能够使阱形成时的工艺简单。
应用例及变形例
本发明并不限定于上述的实施方式，例如能够进行如下所述的各种的应用及变形。另外，还能够将任意选择出的一个或者多个适当地组合成如下所述的应用及变形的方式。
阱区的配置
在实施方式中，尤其如图5所示，沿着行方向按每1行形成显示部100的P阱以及N阱，但并不限于此。例如，也可以沿着列方向形成。
另外，还可以不按每1行形成，例如图7所示那样，而是以在相互相邻的奇数行与偶数行互相共用各阱的方式形成。这样，若互相共用各阱，则除了例如能够在相互相邻的i行与（i＋1）行共用供电线116外，还能够在（i＋1）行与图示省略的（i＋2）行共用供电线119。因此，容易地实现了窄间距化。
晶体管的沟道型
在实施方式中，虽然将作为开关晶体管的晶体管122设为N沟道，将作为驱动晶体管的晶体管124、126设为P沟道，但本发明并不限于此。因此，以下对有关开关晶体管与驱动晶体管的沟道等的各种变更进行说明。
图8是使晶体管122为P沟道，并且使一个晶体管125为N沟道作为驱动晶体管，并且，向电容元件128的另一端供给电位V5的构成。
在使驱动晶体管为N沟道型的情况下，随着数据信号Vd（j）的电位成为高位，流过OLED130的电流变多（亮度变亮）。因此，在图8所示的构成中，为了使P沟道的晶体管122的截止漏电流减小，优选将晶体管122的基板电位V4设定为比晶体管122的源极电位所能够取得的最大值的电位稍高的值。此处，还可以将晶体管122的基板电位V4设定为比电源高位侧的电位V1稍高的值。
另外，关于N沟道的晶体管125的基板电位V3，考虑到抑制动作不良的点以及抑制截止漏电流的点的双方，优选设定为源极节点的最低值的（V2＋Voled_th）以下，即、对OLED130的阴极电位V2加上该OLED130的发光阈值电压Voled_th而得的电位（V2＋Voled_th）以下。
此外，在将晶体管122设为P沟道的情况下，由于以L电平导通，所以如图9所示，扫描信号Gwr（1）、Gwr（2）、Gwr（3）、…、Gwr（m-1）、Gwr（m）按每个水平扫描期间（H）为单位被依次选择而排他地成为L电平。
图10是将图8中的N沟道的晶体管125利用同沟道的晶体管124、126以串联的方式设置的构成。基板电位V3、V4与图8的构成相同。
图11是将图8中的电容元件128的另一端与晶体管125的源极节点连接，并省略电位V5的供电的构成。基板电位V3、V4与图8的构成相同。
图12是将图8中的晶体管125的基板电位作为该晶体管125的源极电位，并省略电位V3的供电的构成。
图13是将图11中的晶体管125的基板电位作为该晶体管125的源极电位的构成，或者、将图12中的电容元件128的另一端与晶体管125的源极节点连接的构成。换言之，图13的构成与图8的构成比较，是省略了电位V3、V5的供电的构成。
图14是使晶体管122、125均为P沟道的构成。在使晶体管122、125为P沟道的构成中，只在硅基板的显示部100形成N阱即可。
在将晶体管122设为P沟道时，优选将该晶体管122的基板电位V4设定为比该晶体管122的源极电位所能够取得的最大值的电位稍高的值这一点如上述。此处，一般而言，像素电路110所包含的各晶体管在相同的电压范围内动作。因此，由于能够将晶体管122与晶体管125设定为相同的基板电位，所以能够使晶体管122的基板电位V4与晶体管125的基板电位V3为同电位。在本实施方式中，由于需要使晶体管122的截止漏电流比晶体管125小，所以将基板电位V4设定为比基板电位V3高的值。另外，在将晶体管125设为P沟道时，也可以将该晶体管125的基板电位V3设定为源极节点的电位V1以上。
另外，还可以使晶体管122的基板电位V4与晶体管125的基板电位V3相同。
图15是将图14中的P沟道的晶体管125利用同沟道的晶体管124、126以串联的方式设置的构成。基板电位V3、V4与图14的构成相同。
图16是将图14中的电容元件128的另一端与晶体管125的源极节点连接，并省略电位V5的供电的构成。基板电位V3、V4与图14的构成相同。
图17是使图14中的晶体管125的基板电位为与该晶体管125的源极电位连接的供电线116的电位V1，并省略电位V3的供电的构成。
图18是将图17中的电容元件128的另一端与晶体管125的源极节点连接，除了省略电位V3外还省略电位V5的供电的构成。
图19是使晶体管122、125均为N沟道的构成。在使晶体管122、125为N沟道的构成中，例如在硅基板为P型的情况下，能够将该硅板直接作为P阱使用。如上所述，优选N沟道的晶体管122的基板电位V4是与晶体管122的源极电位同值或者是比该电位稍低的值。此处，一般而言，像素电路110所包含的各晶体管在相同的电压范围内动作。因此，由于能够将晶体管122与晶体管125设定为相同的基板电位，所以能够使晶体管122的基板电位V4与晶体管125的基板电位V3为同电位。在本实施方式中，由于需要使晶体管122的截止漏电流比晶体管125小，所以将基板电位V4设定为比基板电位V3低的值。另外，如上述，可以将N沟道的晶体管125的基板电位V3设定为（V2＋Voled_th）以下。
另外，还可以使晶体管122的基板电位V4与晶体管125的基板电位V3相同。
图20是将图19中的N沟道的晶体管125利用同沟道的晶体管124、126以串联的方式设置的构成。基板电位V3、V4与图19的构成相同。
图21是将图19中的电容元件128的另一端与晶体管125的源极节点连接，并省略电位V5的供电的构成。基板电位V3、V4与图19的构成相同。
图22是使图19中的晶体管125的基板电位为该晶体管125的源极电位，并省略电位V3的供电的构成。
图23是使图21中的晶体管125的基板电位为该晶体管125的源极电位的构成，或者、是将图22中的电容元件128的另一端与晶体管125的源极节点连接的构成。换言之，图23的构成与图19的构成比较，是省略电位V3、V5的供电的构成。
其他
在实施方式中为利用供电线116来供给晶体管124、126的基板电位的构成，但也可以为利用另外设置的供电线来供电的构成。
另外，发光元件可以是OLED以外的元件。例如，可以是无机发光二极管、LED（Light Emitting Diode：发光二级管）。另外，在以串联的方式连接驱动晶体管的情况下，发光元件还可以是三个以上。
电子设备
接下来，对应用了实施方式所涉及的微型显示器10的头戴式可视设备进行说明。
图24是表示头戴式可视设备的外观的图，图25是表示其光学构成的图。
首先，如图24所示，头戴式可视设备300在外观上与一般眼镜相同，具有眼镜腿31、鼻架32和镜片301L、301R。另外，头戴式可视设备300如图25所示，在鼻架32附近且在镜片301L、301R的里侧（图中的下侧）设置有左眼用微型显示器10L和右眼用微型显示器10R。
微型显示器10L的图像显示面在图25中被配置在左侧。由此，微型显示器10L的显示图像经由光学透镜302L在图中向9点钟方向射出。半透半反镜303L使微型显示器10L的显示图像向6点钟方向反射，使从12点钟方向入射的光透过。
微型显示器10R的图像显示面被配置在与微型显示器10L相反的右侧。由此，微型显示器10R的显示图像经由光学透镜302R在图中向3点钟方向射出。半透半反镜303R使微型显示器10R的显示图像向6点钟方向反射，使从12点钟方向入射的光透过。
在该构成中，头戴式可视设备300的佩戴者能够以与外面的样子重合的透过状态观察微型显示器10L、10R的显示图像。
另外，在该头戴式可视设备300中，若使伴有视差的两眼影像中的、左眼用影像显示于微型显示器10L，使右眼用影像显示于微型显示器10R，则能够使佩戴者感觉显示的影像犹如具有纵深感、立体感（3D显示）。
此外，微型显示器10除了能够应用于头戴式可视设备300以外，还能够应用于摄像机、透镜交换式的数码相机等中的电子式取景器。
符号说明
1…电光学装置，10…微型显示器，100…显示部，110…像素电路，112…扫描线，114…数据线，116、119…供电线，117…共用电极，122、124、125、126…晶体管，128…电容元件，130…OLED，140…扫描线驱动电路，150…数据线驱动电路，300…头戴式可视设备。

Claims (18)

1.一种电光学装置，其特征在于，
该电光学装置是在半导体基板上形成了扫描线、数据线以及像素电路的电光学装置，
上述像素电路具有：
发光元件，其具有第1电极以及第2电极；
驱动晶体管，在向上述发光元件供给电流的期间，其与上述发光元件的上述第1电极电连接，并且根据栅极节点的电位来控制上述电流；以及
开关晶体管，其被电连接在上述驱动晶体管的上述栅极节点与上述数据线之间，
向上述开关晶体管供给第1基板电位，
向上述驱动晶体管供给与上述第1基板电位不同的第2基板电位。
2.根据权利要求1所述的电光学装置，其特征在于，
上述开关晶体管是N沟道型晶体管，
上述第1基板电位比该开关晶体管的源极电位低。
3.根据权利要求1或者2所述的电光学装置，其特征在于，
上述开关晶体管是N沟道型晶体管，
上述第1基板电位比该开关晶体管的源极电位所能够取得的最小值低。
4.根据权利要求1所述的电光学装置，其特征在于，
上述开关晶体管是P沟道型晶体管，
上述第1基板电位比该开关晶体管的源极电位高。
5.根据权利要求1或者4所述的电光学装置，其特征在于，
上述开关晶体管是P沟道型晶体管，
上述第1基板电位比该开关晶体管的源极电位所能够取得的最大值高。
6.一种电光学装置，其特征在于，
该电光学装置是在半导体基板上形成了扫描线、数据线以及像素电路的电光学装置，
上述像素电路具有：
发光元件，其具有第1电极以及第2电极；
N沟道型驱动晶体管，在向上述发光元件供给电流的期间，其与上述发光元件的上述第1电极电连接，并且根据栅极节点的电位来控制上述电流；以及
N沟道型开关晶体管，其被电连接在上述驱动晶体管的栅极节点与上述数据线之间，
向上述开关晶体管供给第1基板电位，
向上述驱动晶体管供给与上述第1基板电位不同的第2基板电位，
上述第1基板电位是比上述第2基板电位低的电位。
7.一种电光学装置，其特征在于，
该电光学装置是在半导体基板上形成了扫描线、数据线以及像素电路的电光学装置，
上述像素电路具有：
发光元件，其具有第1电极以及第2电极；
P沟道型驱动晶体管，在向上述发光元件供给电流的期间，其与上述发光元件的上述第1电极电连接，并且根据栅极节点的电位来控制上述电流；以及
P沟道型开关晶体管，其被电连接在上述驱动晶体管的栅极节点与上述数据线之间，
向上述开关晶体管供给第1基板电位，
向上述驱动晶体管供给与上述第1基板电位不同的第2基板电位，
上述第1基板电位是比上述第2基板电位高的电位。
8.根据权利要求6或者7所述的电光学装置，其特征在于，
上述发光元件以及上述驱动晶体管串联连接在第1电位与第2电位之间，
上述第2基板电位是与上述驱动晶体管的源极节点相同的电位。
9.根据权利要求1～5中的任意1项所述的电光学装置，其特征在于，
还具备供给第1电位的供电线，
上述驱动晶体管的源极节点以及漏极节点的任意一方与上述发光元件的第1电极连接，
上述驱动晶体管的源极节点以及漏极节点的任意另一方与上述供电线连接，
向上述驱动晶体管供给与上述第1电位相同的第3基板电位。
10.根据权利要求1～9中的任意1项所述的电光学装置，其特征在于，
上述驱动晶体管是串联连接栅极被公共连接的2个以上的晶体管而成的，
该2个以上的晶体管均被供给上述第2基板电位。
11.根据权利要求1～10中的任意1项所述的电光学装置，其特征在于，
上述开关晶体管的源极节点以及漏极节点的任意一方与上述数据线连接，
上述开关晶体管的栅极节点与上述扫描线连接。
12.根据权利要求1～11中的任意1项所述的电光学装置，其特征在于，
上述像素电路还具备电容元件，
上述开关晶体管的源极节点以及漏极节点的任意一方与上述电容元件的一端以及上述驱动晶体管的栅极节点连接。
13.根据权利要求12所述的电光学装置，其特征在于，
流过上述发光元件的上述电流是与被上述电容元件保持的电压对应的电流。
14.根据权利要求1～13中的任意1项所述的电光学装置，其特征在于，
流过上述发光元件的上述电流是与上述驱动晶体管的栅极和源极之间的电压对应的电流。
15.根据权利要求1～14中的任意1项所述的电光学装置，其特征在于，
在上述扫描线被选择时，上述开关晶体管将上述驱动晶体管的上述栅极节点与上述数据线电连接，
驱动上述扫描线的扫描线驱动电路以及驱动上述数据线的数据线驱动电路与上述像素电路一起形成在上述半导体基板上。
16.根据权利要求15所述的电光学装置，其特征在于，
在设置了上述像素电路的显示部与设置了上述扫描线驱动电路以及上述数据线驱动电路的外围电路之间，形成有分离用阱。
17.一种电光学装置的驱动方法，其特征在于，
该电光学装置是在半导体基板上形成了扫描线、数据线以及像素电路的电光学装置，上述像素电路具有：发光元件，其具有第1电极以及第2电极；驱动晶体管，其与上述发光元件的上述第1电极连接，并且对流过上述发光元件的电流进行控制；以及开关晶体管，其被连接在上述驱动晶体管的栅极节点与上述数据线之间，
供给第1基板电位作为上述开关晶体管的基板电位，
供给与上述第1基板电位不同的第2基板电位作为上述驱动晶体管的基板电位。
18.一种电子设备，其特征在于，
具备权利要求1～16中的任意1项所述的电光学装置。
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