CN102885632A - 放射线检测装置和包括该放射线检测装置的检测系统 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及放射线检测装置和包括该放射线检测装置的检测系统。该检测装置包括：驱动电路单元，在所述驱动电路单元中，为多个对应的驱动线提供了多个单元电路，每个单元电路包括第一电路和第二电路，所述第一电路根据启动信号将像素的开关元件的基于时钟信号中所包括的电压的导通电压供给驱动线，所述第二电路根据终止信号将所述开关元件的非导通电压供给驱动线；和控制单元，所述控制单元将所述时钟信号供给所述驱动电路单元。所述控制单元将控制电压供给所述多个单元电路，所述多个单元电路中的每个还包括第三电路，所述第三电路根据所述控制电压继续将非导通电压供给对应的驱动线。

Description

放射线检测装置和包括该放射线检测装置的检测系统
技术领域
本发明涉及一种应用于医学图像诊断装置、非破坏性检查装置、使用放射线的分析装置等的放射线检测装置和检测系统。
背景技术
在包括像素的阵列（像素阵列）的检测装置的制造中利用用于制造薄膜半导体的技术。特别是，在放射线检测装置中，诸如薄膜晶体管（TFT）的开关元件和诸如光电转换元件的转换元件组合在一起。在相关技术中，已知的是，例如，其上以150至200μm的间距按阵列布置像素的大小为43×43cm的基板用于制造放射线检测装置。在常规的放射线检测装置中，驱动电路通过驱动线以行为单位驱动像素阵列，读取电路通过信号线将来自被以行为单位驱动的像素阵列的彼此并行的信号输出作为串行信号。驱动电路和读取电路通常在由单晶硅构成的集成电路中被制备，并且随后使用玻璃上芯片（chip-on-glass）（CoG）技术被安装到基板上，以构造检测装置。
在这样的检测装置中，目前，期望在相关技术中的基板的大小保持相同的同时像素的间距较小。更具体地讲，期待具有50至80μm的间距的像素阵列。因此，将难以使用玻璃上芯片技术将在由单晶硅构成的集成电路中制备的驱动电路安装在其上设置有像素阵列的基板上。除了减小像素间距之外，还期待面板上系统（system-on-panel）技术，在该面板上系统技术中，使用TFT工艺将驱动电路等作为一个单元在基板上整体地形成，以便减少所使用的组件的数量并且增大像素阵列所占据的基板的面积。
另一方面，在使用TFT的液晶显示装置中，正在开发面板上系统技术，在该面板上系统技术中，使用TFT工艺将驱动电路等作为一个单元形成在基板上。J.H.Oh等人在2005年的Proceedings of Soc.Info.Disp.的第942-945页、标题为“2.0inch a-Si:H TFT-LCD with low noiseintegrated gate driver”的文章中公开了一种驱动电路，在该驱动电路中，使用TFT工艺将多级单元电路作为一个单元形成在基板上，并且以像素行为单位、同时与驱动线对应地制备该多级单元电路。每个单元电路包括输出单元、第一输入单元、第二输入单元、第三输入单元和第四输入单元。这里，第一输入单元是开始信号或前一级单元电路的输出信号输入到其中的部分，输出单元是与驱动线连接以将开关元件的输出信号（包括导通电压和非导通电压）供给驱动线的部分。第二输入单元是时钟信号输入到其中的部分，第三输入单元是开关元件的非导通电压输入到其中的部分，第四输入单元是重置信号或下一级单元电路的输出信号输入到其中的部分。每个单元电路还包括第一电容器、第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，第一电容器的一端与输出单元连接，第一薄膜晶体管连接在第一输入单元与第一电容器的另一端之间，与第一电容器串联，第二薄膜晶体管设置在第二输入单元与输出单元之间。第一薄膜晶体管的源极和漏极中任一个以及栅极与第一输入单元连接，第一薄膜晶体管的源极和漏极中的另一个在第一节点P处与第一电容器的该另一端连接。第二薄膜晶体管的栅极与第一节点P连接，第二薄膜晶体管的源极或漏极与第二输入单元连接，第二薄膜晶体管的源极和漏极中的另一个与输出单元连接。每个单元电路还包括第三薄膜晶体管和第四薄膜晶体管，第三薄膜晶体管连接在第三输入单元与第一电容器的该另一端之间，与第一电容器串联，第四薄膜晶体管设置在第三输入单元与输出单元之间。第三薄膜晶体管的栅极与第二节点Q连接，第三薄膜晶体管的源极或漏极与第三输入单元连接，第三薄膜晶体管的源极和漏极中的另一个在第一节点P处与第一电容器的该另一端连接。第四薄膜晶体管的栅极与第二节点Q连接，第四薄膜晶体管的源极或漏极与第三输入单元连接，第四薄膜晶体管的源极和漏极中的另一个与输出单元连接。每个单元电路还包括设置在第三输入单元与第四薄膜晶体管的栅极之间的第二电容器。
此外，每个单元电路包括第五薄膜晶体管和第六薄膜晶体管，第五薄膜晶体管设置在第四输入单元与第二薄膜晶体管和第四薄膜晶体管的栅极之间，第六薄膜晶体管与第二电容器并联设置。第二电容器的一端与第三输入单元连接，第二电容器的另一端在第二节点Q处与第四薄膜晶体管的栅极连接。第五薄膜晶体管的源极和漏极中任一个以及栅极与第四输入单元连接，第五薄膜晶体管的源极和漏极中的另一个与第二节点Q连接。第六薄膜晶体管的栅极与第一输入单元连接，第六薄膜晶体管的源极或漏极与第三输入单元连接，第六薄膜晶体管的源极和漏极中的另一个与第二节点Q连接。这里，第一薄膜晶体管至第六薄膜晶体管中的每一个的阈值电压用Vth表示，输入到单元电路中的除第三输入单元之外的组件的信号的电压的最大值和最小值分别用VDD和VSS表示。供给第三输入单元的非导通电压也用VSS表示。当被选择时，该单元电路可执行所谓的自引导（bootstrap）操作，在该自引导操作中，输入到第二输入单元的时钟信号的电压的最大值（即，VDD）通过第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管以及第一电容器被输出。另外，当该单元电路没有被选择时，该单元电路可使用第五薄膜晶体管和第六薄膜晶体管以及第二电容器来输出非导通电压。也就是说，当单元电路被选择时，第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管以及第一电容器用作如下这样的电路，即将输入到第二输入单元的时钟信号的电压的最大值（即，VDD）作为像素的开关元件的导通电压供给输出单元。当单元电路没有被选择时，第三薄膜晶体管至第六薄膜晶体管以及第二电容器用作将非导通电压VSS供给输出单元的电路。
因为在薄膜晶体管中存在泄漏电流（沟道漏电（channelleakage）），所以在当单元电路没有被选择时保持非导通电压不变（恒定）中存在问题。这是因为，当在第五薄膜晶体管和第六薄膜晶体管中存在沟道漏电时，第二节点Q的电势逐渐降低，并且在经过了延长的时间段之后，变得难以将高于Vth的电压供给第四薄膜晶体管的栅极。在这样的情况下，因为第四薄膜晶体管变为非导通，所以电压VSS不能被供给单元电路的输出单元，从而使单元电路的输出单元浮置。具体地讲，如本文所使用的，当电路没有接地并且停留在除了地基准电势之外的某一电势时，电路被认为是“浮置”；也就是说，电路的导体与地隔离。因为不存在到地的低阻抗路径，所以浮置电路可具有安全问题。然而，这种类型的电路也可以例如帮助使系统与干扰问题隔离开。由于栅极-漏极电容Cgd或栅极-源极电容Cgs以及供给时钟信号的线与驱动线交叉的区域的寄生电容，第二输入单元和输出单元直接形成电容耦合。因此，当单元电路的输出单元浮置时，输入到第二输入单元的时钟信号的电势变化影响驱动线，从而使驱动线的电势变化。驱动线在驱动线与信号线交叉的区域中具有寄生电容，并且驱动线的电势变化通过该寄生电容影响信号线的电势，从而通过信号线使驱动线的电势变化混合到从像素输出的信号中。因此，由驱动线的电势变化引起的噪声分量通过信号线在从像素输出的信号中变大，并且相应地，从检测装置获得的信号的信噪比（S/N）可有害地减小。
发明内容
因此，本发明提供了一种检测装置，在该检测装置中，使用TFT工艺将驱动电路作为一个单元形成在基板上，并且该检测装置可抑制由驱动线的电势变化引起的S/N比的减小。
根据本发明的一方面的检测装置包括：像素阵列，在所述像素阵列中，多个像素按行和列的矩阵形式布置，每个像素包括转换元件和开关元件，所述转换元件将放射线或光转换为电荷，所述开关元件输出根据所述电荷的电信号；多个驱动线，每个驱动线与按行方向布置的多个开关元件连接；驱动电路单元，所述驱动电路单元被构造为包括对于多个对应的驱动线而设置的多个单元电路，所述多个单元电路被构造为将所述开关元件的导通电压和非导通电压供给所述多个对应的驱动线；和控制单元，所述控制单元被构造为将时钟信号供给所述驱动电路单元，所述时钟信号用于定义所述驱动电路单元将所述导通电压供给所述驱动线的定时。所述导通电压是基于所述时钟信号的电压。所述控制单元将控制电压供给所述多个单元电路，所述控制电压用于继续将所述非导通电压供给驱动线。所述多个单元电路中的每个包括第一电路、第二电路和第三电路，所述时钟信号、启动信号和终止信号输入到所述第一电路，所述启动信号用于使所述单元电路开始将所述导通电压供给对应的驱动线，所述终止信号用于使所述单元电路停止将所述导通电压供给对应的驱动线，所述第一电路根据输入到所述单元电路的启动信号将所述导通电压供给对应的驱动线，所述第二电路根据输入到所述单元电路的终止信号将输入到所述单元电路的非导通电压供给对应的驱动线，所述第三电路根据输入到所述单元电路的控制电压继续将所述非导通电压供给对应的驱动线。
根据本发明的方面，可提供一种检测装置，在该检测装置中，使用TFT工艺将驱动电路作为一个单元形成在基板上，并且该检测装置可抑制由驱动线的电势变化引起的S/N比的减小。
从以下参照附图对示例性实施例的描述，本发明的另外的特征将会变得清晰。
附图说明
图1A示出根据第一示例性实施例的检测装置的示意性等效电路。
图1B是示出根据第一示例性实施例的检测装置的驱动电路单元中所设置的单元电路的示意性等效电路的示图。
图2是示出根据第一示例性实施例的检测装置的操作的时序图。
图3A是示出检测装置中的像素的构造的平面图。
图3B是沿着图3A所示的线IIIB-IIIB截取的截面图。
图4是示出根据第一示例性实施例的单元电路的另一例子的示意性等效电路的示图。
图5A示出根据第二示例性实施例的检测装置的示意性等效电路。
图5B示出根据第二示例性实施例的检测装置的驱动电路单元中所设置的单元电路的示意性等效电路。
图6是示出根据第二示例性实施例的检测装置的操作的时序图。
图7是示出根据第二示例性实施例的单元电路的另一例子的示意性等效电路的示图。
图8是示出使用本发明中的检测装置的放射线检测系统的概念图。
具体实施方式
驱动线的电势变化是可由检测装置造成的新挑战。在其帧周期为1/30至1/60秒的显示装置的情况下，当单元电路没有被选择时非导通电压需要保持不变（恒定）的时间段短，即，1/30至1/60秒，因此，单元电路的输出单元不可能浮置。另一方面，在检测装置的情况下，当单元电路没有被选择时非导通电压需要保持不变（恒定）的时间段在某一操作模式下可以长，即，1至3秒，因此，单元电路的输出单元可浮置。以下将参照附图来描述解决由检测装置造成的挑战的本发明的示例性实施例。要指出，本文的放射线尤其包括作为由作为放射性衰变的结果而排放的粒子（包括光子）构成的射束的α射线、β射线和γ射线、以及具有可见光的射束、X射线、粒子束和宇宙射线。
第一示例性实施例
首先，将参照图1A和图1B来描述根据本发明的第一示例性实施例的检测装置。图1A示出该检测装置的示意性等效电路，图1B示出该检测装置的驱动电路单元中所设置的单元电路的示意性等效电路。
如图1A所示，根据本发明的示例性第一实施例的检测装置100包括像素阵列，在该像素阵列中，多个像素110按m行×n列的矩阵形式设置在绝缘基板101上。在本实施例中，像素阵列具有m行和n列。每个像素110包括转换元件111和开关元件112，转换元件111将放射线或光转换为电荷，开关元件112根据转换的电荷来输出电信号。开关元件112的源极或漏极与转换元件111的第一电极电连接，转换元件111的第二电极与电极线180电连接。电极线180通过连接端子VS与电源单元140连接。信号线170与开关元件112的源极和漏极中的另一个电连接。多个（n个）信号线170按行方向布置，每个信号线170与按列方向布置的多个开关元件112的源极和漏极中的另一个连接，并且通过连接端子S1至Sn之一与外部读取电路单元130连接。驱动线160与每个开关元件112的控制电极电连接。多个（m个）驱动线160按列方向布置，每个驱动线160与按行方向布置的多个开关元件112的栅极连接，并且与设置在绝缘基板101上的驱动电路单元120连接。驱动电路单元120通过连接端子VSS与电源单元140连接，并且通过连接端子CL1、CL2、ST和LH与控制单元150连接。电源单元140将要供给转换元件111的电压VS供给电极线180，并且将开关元件112的非导通电压VSS供给驱动电路单元120。控制单元150将开始信号ΦST供给驱动电路单元120，开始信号ΦST用于使驱动电路单元120开始将开关元件112的导通电压VDD供给驱动线160。控制单元150还将时钟信号ΦCL1和ΦCL2供给驱动电路单元120，时钟信号ΦCL1和ΦCL2定义导通电压VDD和非导通电压VSS的供给的定时。控制单元150还将重置信号和控制信号ΦLH供给驱动电路单元120，该重置信号用于终止将导通电压VDD供给驱动线160，控制信号ΦLH用于继续将非导通电压VSS供给驱动线160。在本实施例中，控制信号ΦLH也用作重置信号。
驱动电路单元120包括用于每个信号线160的、设置在绝缘基板101上的单元电路121。总体上，驱动电路单元120包括与多个驱动线160对应的多个（m个）单元电路121。每个单元电路121将输出信号Vg（包括导通电压VDD和非导通电压VSS）供给每个驱动线160。
如图1B所示，每个单元电路121包括输出单元VOUT、第一输入单元SET、第二输入单元CLK、第三输入单元VSS、第四输入单元RESET和第五输入单元LHLD。第一输入单元SET是开始信号ΦST或前一单元电路121的输出信号Vg输入到其中的部分，输出单元VOUT是与驱动线160连接以将输出信号Vg供给驱动线160的部分。本文的开始信号ΦST和前一单元电路121的输出信号Vg被定义为输入到单元电路121以开始供给开关元件112的导通电压VDD的启动信号。第二输入单元CLK是时钟信号ΦCL1或ΦCL2输入到其中的部分，第三输入单元VSS是非导通电压VSS输入到其中的部分。第四输入单元RESET是重置信号或下一单元电路121的输出信号Vg输入到其中的部分，第五输入单元LHLD是控制信号ΦLH输入到其中的部分。本文的重置信号和下一单元电路121的输出信号Vg被定义为输入到单元电路121以停止供给开关元件112的导通电压VDD的终止信号。
单元电路121包括第一电路、第二电路和第三电路。
第一电路包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和第一电容器C1。第一电路是当某一单元电路121被选择时基于输入第二输入单元CLK的时钟信号ΦCL的最大值VDD将导通电压VDD供给输出单元VOUT的电路。第一电容器C1的一端与输出单元VOUT连接。第一薄膜晶体管T1连接在第一输入单元SET与第一电容器C1的另一端之间，与第一电容器C1串联。第一薄膜晶体管T1的源极和漏极中的任一个以及栅极与第一输入单元SET连接，第一薄膜晶体管T1的源极和漏极中的另一个在第一节点P处与第一电容器C1的另一端连接。第二薄膜晶体管T2设置在第二输入单元CLK与输出单元VOUT之间。第二薄膜晶体管T2的栅极与第一节点P连接。第二薄膜晶体管T2的源极或漏极与第二输入单元CLK连接，第二薄膜晶体管T2的源极和漏极中的另一个与输出单元VOUT连接。
第二电路包括第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4、第二电容器C2、第五薄膜晶体管T5和第六薄膜晶体管T6。第二电路是根据重置信号或下一单元电路121的输出信号Vg将非导通电压VSS供给驱动线160以停止将导通电压VDD供给驱动线160的电路。第三薄膜晶体管T3连接在第三输入单元VSS与第一电容器C1的所述另一端之间，与第一电容器C1串联。第三薄膜晶体管T3的栅极与第四输入单元RESET连接。第三薄膜晶体管T3的源极或漏极与第三输入单元VSS连接，第三薄膜晶体管T3的源极和漏极中的另一个在第一节点P处与第一电容器C1的所述另一端连接。第四薄膜晶体管T4设置在第三输入单元VSS与输出单元VOUT之间。第四薄膜晶体管T4的栅极与第四输入单元RESET连接。第四薄膜晶体管T4的源极或漏极与第三输入单元VSS连接，第四薄膜晶体管的源极和漏极中的另一个与输出单元VOUT连接。第二电容器C2设置在第三输入单元VSS与第四薄膜晶体管T4的栅极之间。第二电容器C2的一端与第三输入单元VSS连接，第二电容器C2的另一端在第二节点Q处与第四薄膜晶体管T4的栅极连接。第五薄膜晶体管T5设置在第四输入单元RESET与第三薄膜晶体管T3的栅极以及第四薄膜晶体管T4的栅极两者之间。第五薄膜晶体管T5的源极和漏极中的任一个以及栅极与第四输入单元RESET连接，第五薄膜晶体管T5的源极和漏极中的另一个与第二节点Q连接。第六薄膜晶体管T6与第二电容器C2并联设置。第六薄膜晶体管T6的栅极与第一输入单元SET连接。第六薄膜晶体管T6的源极或漏极与第三输入单元VSS连接，第六薄膜晶体管T6的源极和漏极中的另一个与第二节点Q连接。
第三电路至少包括第七薄膜晶体管T7。第三电路是根据控制信号ΦLH的电压VDD继续将非导通电压VSS供给驱动线160的电路。本文的控制信号ΦLH的电压VDD在本文中将被称为“控制电压”。第七薄膜晶体管T7设置在第三输入单元VSS、第五输入单元LHLD与输出单元VOUT之间，以便根据控制信号ΦLH的电压VDD继续将非导通电压VSS供给输出单元VOUT。第七薄膜晶体管T7的栅极与第五输入单元LHLD连接。第七薄膜晶体管T7的源极或漏极与第三输入单元VSS连接，第七薄膜晶体管T7的源极和漏极中的另一个与输出单元VOUT连接。当控制单元150将控制信号ΦLH的电压VDD供给多个单元电路121的第七薄膜晶体管T7时，继续将非导通电压VSS供给与被供给电压VDD的单元电路121连接的驱动线160。除了第七薄膜晶体管T7之外，根据本实施例的第三电路还包括第八薄膜晶体管T8。第八薄膜晶体管设置在第三输入单元VSS、第五输入单元LHLD与第一节点P之间，以便根据控制信号ΦLH使第一节点P保持在非导通电压VSS。第八薄膜晶体管T8的栅极与第五输入单元LHLD连接。第八薄膜晶体管T8的源极或漏极与第三输入单元VSS连接，第八薄膜晶体管T8的源极和漏极中的另一个与第一节点P连接。当控制单元150将控制信号ΦLH的电压VDD供给多个单元电路121的第八薄膜晶体管T8时，继续将非导通电压VSS供给被供给电压VDD的单元电路121的第一节点P。虽然在本实施例中控制信号ΦLH的电压VDD用作控制电压，但是本发明不限于此。控制信号ΦLH的电压VSS可代替地用作控制电压，在这种情况下，极性翻转电路可设置在控制单元150与第五输入单元LHLD之间，或者可应用任何其它合适的设计。
根据本发明的第一示例性实施例的驱动电路单元120中所包括的每个薄膜晶体管可由非晶半导体材料（诸如非晶硅）、多晶硅半导体材料（诸如多晶硅）、有机半导体材料或氧化物半导体材料构成。例如，当由多晶硅构成的顶栅TFT用作开关元件112时，由多晶硅构成的顶栅TFT可取地也用作驱动电路单元120。即使当由非晶硅构成的底栅TFT用作开关元件112时，由多晶硅构成的顶栅TFT也可用作驱动电路单元120。
接着，将参照图2的时序图来描述图1A和图1B所示的检测装置的操作。薄膜晶体管T1至T8的阈值电压在本文中用Vth表示。开始信号ΦST、时钟信号ΦCL1和ΦCL2以及控制信号ΦLH的电压的最大值和最小值分别用VDD和VSS表示。时钟信号ΦCL1和ΦCL2的相位彼此相差180度。时钟信号ΦCL1被供给奇数行中的单元电路121，时钟信号ΦCL2被供给偶数行中的单元电路121。导通电压VDD、非导通电压VSS和阈值电压Vth被设置为使得满足表达式|VDD-VSS|>Vth和VDD>2Vth。在时间t1，从控制单元150，开始信号ΦST的电压VDD被输入以被供给第一级单元电路121的第一输入单元SET，时钟信号ΦCL1的电压VSS被供给第一级单元电路121的第二输入单元CLK，控制信号ΦLH的电压VSS被供给第一级单元电路121的第五输入单元LHLD。电压VSS从电源单元140被供给第一级单元电路121的第三输入单元VSS，电压VSS作为第二级单元电路121的输出信号Vg2被供给第一级单元电路121的第四输入单元RESET。因此，在第一级单元电路121中，第一薄膜晶体管T1和第六薄膜晶体管T6变为导通。在第一级单元电路121中，第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4、第五薄膜晶体管T5、第七薄膜晶体管T7和第八薄膜晶体管T8变为非导通。结果，在第一级单元电路121中，第一节点P的电势变为|VDD-Vth|，第二节点Q的电势变为VSS。因此，在第一级单元电路121中，第二薄膜晶体管T2变为导通，输出单元VOUT的电势变为VSS。
接着，在时间t2，从控制单元150，开始信号ΦST的电压VSS被供给第一级单元电路121的第一输入单元SET，时钟信号ΦCL1的电压VDD被供给第一级单元电路121的第二输入单元CLK，控制信号ΦLH的电压VSS被供给第一级单元电路121的第五输入单元LHLD。电压VSS从电源单元140被供给第一级单元电路121的第三输入单元VSS，第二级单元电路121的输出信号Vg2的电压VSS被供给第一级单元电路121的第四输入单元RESET。因此，在第一级单元电路121中，除了第二薄膜晶体管T2之外的薄膜晶体管变为非导通。此时，因为第二薄膜晶体管T2的源极和漏极中的另一个与栅极彼此通过第一电容器C1连接，所以在第一级单元电路121中，第一节点P的电势变为|2VDD-VSS-Vth|。因此，在第一级单元电路121中，输出单元VOUT的电势变为VDD（自引导操作）。结果，电压VDD从第一级单元电路121作为输出信号Vg1被供给第一行中的驱动线160，第一行中的多个开关元件112变为导通。因此，根据第一行中的多个转换元件111的电荷的电信号彼此并行地输出到按行方向布置的多个信号线170。另一方面，第一级单元电路121的输出信号Vg1的电压VDD被供给第二级单元电路121的第一输入单元SET，时钟信号ΦCL2的电压VSS被供给第二级单元电路121的第二输入单元CLK，控制信号ΦLH的电压VSS被供给第二级单元电路121的第五输入单元LHLD。电压VSS从电源单元140被供给第二级单元电路121的第三输入单元VSS，第三级单元电路121的输出信号Vg3的电压VSS被供给第二级单元电路121的第四输入单元RESET。因此，在第二级单元电路121中，如同第一级单元电路121在时间t1的情况一样，第一节点P的电势变为|VDD-Vth|，第二节点Q的电势变为VSS，第二薄膜晶体管T2变为导通，输出单元VOUT的电势变为VSS。
接着，在时间t3，从控制单元150，开始信号ΦST的电压VSS被供给第一级单元电路121的第一输入单元SET，时钟信号ΦCL1的电压VSS被供给第一级单元电路121的第二输入单元CLK，控制信号ΦLH的电压VSS被供给第一级单元电路121的第五输入单元LHLD。电压VSS从电源单元140被供给第一级单元电路121的第三输入单元VSS，稍后将描述的第二级单元电路121的输出信号Vg2的电压VDD被供给第一级单元电路121的第四输入单元RESET。因此，在第一级单元电路121中，第一薄膜晶体管T1、第六薄膜晶体管T6、第七薄膜晶体管T7和第八薄膜晶体管T8为非导通。在第一级单元电路121中，第五薄膜晶体管T5变为导通。因此，在第一级单元电路121中，第一节点P的电势变为VSS，第二节点Q的电势变为|VDD-Vth|。结果，在第一级单元电路121中，第二薄膜晶体管T2变为非导通，第三薄膜晶体管T3和第四薄膜晶体管T4变为导通，输出单元VOUT的电势变为VSS。另一方面，第一级单元电路121的输出信号Vg1的电压VSS被供给第二级单元电路121的第一输入单元SET，时钟信号ΦCL2的电压VDD被供给第二级单元电路121的第二输入单元CLK，控制信号ΦLH的电压VSS被供给第二级单元电路121的第五输入单元LHLD。电压VSS从电源单元140被供给第二级单元电路121的第三输入单元VSS，第三级单元电路121的输出信号Vg3的电压VSS被供给第二级单元电路121的第四输入单元RESET。因此，在第二级单元电路121中，如同第一级单元电路121在时间t2的情况一样，第一节点P的电势变为|2VDD-VSS-Vth|，输出单元VOUT的电势变为VDD（自引导操作）。也就是说，第二级（下一级）单元电路121通过使用第一级（前一级）单元电路121的输出信号Vg1的电压VDD作为触发器来比第一级（前一级）单元电路121晚时钟信号的周期的一半的时间（t3-t2）执行与第一级（前一级）单元电路121相同的操作。依次执行这样的操作，直到第m级单元电路121，并且导通电压VDD依次从驱动电路单元120被供给按列方向布置的多个驱动线160。
接着，在时间t4，第(m-1)级单元电路121的输出信号Vgm-1的电压VSS被供给第m级单元电路121的第一输入单元SET，时钟信号ΦCL1的电压VSS从控制单元150被供给第m级单元电路121的第二输入单元CLK。控制信号ΦLH的电压VDD从控制单元150被供给第一级单元电路121的第四输入单元RESET和第五输入单元LHLD。电压VSS从电源单元140被供给第一级单元电路121的第三输入单元VSS。因此，在第m级单元电路121中，第一薄膜晶体管T1和第六薄膜晶体管T6为非导通。在第m级单元电路121中，第五薄膜晶体管T5、第七薄膜晶体管T7和第八薄膜晶体管T8变为导通。结果，在第m级单元电路121中，第一节点P的电势变为VSS，第二节点Q的电势变为|VDD-Vth|，输出单元VOUT的电势变为VSS。因此，在第m级单元电路121中，第二薄膜晶体管T2变为非导通、第三薄膜晶体管T3和第四薄膜晶体管T4变为导通，输出单元VOUT的电势变为VSS。控制信号ΦLH的电压VDD从控制单元150被供给其它单元电路121的第五输入单元LHLD。因此，在其它单元电路121中，第七薄膜晶体管T7和第八薄膜晶体管T8变为导通。结果，在其它单元电路121中，第一节点P的电势变为VSS，输出单元VOUT的电势变为VSS。
接着，在时间t5，控制信号ΦLH从电压VDD变为电压VSS，每个单元电路121中的第七薄膜晶体管T7和第八薄膜晶体管T8变为非导通。像在时间t1那样，从控制单元150，开始信号ΦST的电压VDD被供给第一级单元电路121的第一输入单元SET，时钟信号ΦCL1的电压VSS被供给第一级单元电路121的第二输入单元CLK。电压VSS从电源单元140被供给第一级单元电路121的第三输入单元VSS，电压VSS作为第二级单元电路121的输出信号Vg2被供给第一级单元电路121的第四输入单元RESET。因此，像在时间t1那样，在第一级单元电路121中，第一节点P的电势变为|VDD-Vth|，第二节点Q的电势变为VSS。因此，在第一级单元电路121中，第二薄膜晶体管T2变为导通，输出单元VOUT的电势变为VSS。在时间t6，像在时间t2那样，在第一级单元电路121中，输出单元VOUT的电势变为VDD，并且在时间t7，像在时间t3那样，在第二级单元电路121中，输出单元VOUT的电势变为VDD。
这里，从时间t4到时间t5，控制信号ΦLH为VDD，同时，被供给控制信号ΦLH的所有单元电路121的输出单元VOUT的电势都保持在VSS。因此，单元电路121根据控制信号ΦLH的电压VDD继续将非导通电压VSS供给对应的驱动线160。如果在第五薄膜晶体管T5或第六薄膜晶体管T6中存在沟道漏电，则根据经过时间，等于或高于Vth的电压供给第四薄膜晶体管的栅极会是不可能的。因此，输出单元VOUT的电势不能通过第四薄膜晶体管T4保持在VSS。特别地，在检测装置中，需要在时间t4与时间t5之间的时间段期间照射放射线或光，并且在一般的图像捕捉（静态图像捕捉）的情况下，花费1至3秒来照射放射线或光。在检测装置中，开关元件112需要至少在该时间段期间处于导通，因此，输出单元VOUT的电势需要在1至3秒的延长的时间段保持在非导通电压VSS。如果输出单元VOUT浮置，则输入到第二输入单元CLK的时钟信号ΦCL的电势变化影响驱动线160，因此，驱动线160的电势变化。驱动线160的电势变化通过驱动线160与信号线170交叉的区域的寄生电容影响信号线170的电势，因此，驱动线160的电势变化混合到从对应像素输出的信号中。在本发明中，即使当输出单元VOUT的电势不能通过第四薄膜晶体管T4保持在VSS时，也可通过第七薄膜晶体管T7来继续将非导通电压VSS供给输出单元VOUT，控制信号ΦLH的电压VDD继续被供给第七薄膜晶体管T7。因此，可提供可抑制由驱动线160的电势变化引起的S/N比减小的检测装置。
接着，将参照图3A和图3B来描述根据本发明的第一示例性实施例的检测装置中的像素的构造。图3A是平面图，图3B是沿着图3A所示的线IIIB-IIIB截取的截面图。
在本实施例中，顶栅、双栅多晶硅TFT用作开关元件112。每个开关元件112具有下述构造，在该构造中，包括本征半导体区301和第一导电类型的杂质半导体区302的多晶硅层、第一绝缘层303和第一导电层304从绝缘基板101侧起按该顺序堆叠。本征半导体区301用作TFT的沟道，杂质半导体区302分别用作源极和漏极，第一绝缘层303用作栅绝缘层，第一导电层304分别用作栅极和驱动线160。开关元件112被第二绝缘层305覆盖。第二绝缘层305用作开关元件112的钝化层。设置在第二绝缘层305上的第二导电层306通过接触孔与杂质半导体区302连接，这些接触孔设置在第二绝缘层305和第一绝缘层303中。与用作源极或漏极的杂质半导体区302连接的第二导电层306之一用作与转换元件111的连接端子，与用作源极和漏极中的另一个的杂质半导体区302连接的另一个第二导电层306用作信号线170。第二导电层306被第三绝缘层307覆盖。第三绝缘层307用作开关元件112和信号线170的钝化层。第三绝缘层307被第四绝缘层308覆盖。第四绝缘层308由有机绝缘材料构成，并且当被构造为具有大的厚度时用作平坦化层。转换元件111设置在第四绝缘层308上。在本实施例中，包括将放射线转换为光的闪烁体317和将该光转换为电荷的光电转换元件的元件用作转换元件111。光电转换元件具有下述构造，在该构造中，第三导电层310、第一导电类型的杂质半导体层311、本征半导体层312、第二导电类型的杂质半导体层313和第四导电层314从绝缘基板101侧起按该顺序堆叠。第三导电层310用作转换元件111的第一电极，并且通过接触孔309与第二导电层306连接，接触孔309设置在第三绝缘层307和第四绝缘层308中。非晶硅用于第一导电类型的杂质半导体层311、本征半导体层312和第二导电类型的杂质半导体层313。第四绝缘层314用作转换元件111的第二电极，并且与用作电极线180的第五导电层315连接。光电转换元件和电极线180被第五绝缘层316覆盖，闪烁体317设置在第五绝缘层316上。
虽然在本实施例中包括将放射线转换为光的闪烁体和将该光转换为电荷的光电转换元件的间接转换元件用作转换元件111，但是本发明不限于此。可代替地可使用直接将放射线转换为电荷的直接转换元件。另外，虽然多晶硅TFT用作开关元件112，但是本发明不限于此。可代替地可使用非晶硅TFT、使用氧化物半导体的氧化物TFT或使用有机半导体的有机TFT。虽然这里使用硅作为半导体材料，但是本发明不限于此。可代替地可使用另一半导体材料，诸如锗。
在本实施例中，在第三电路中使用第七薄膜晶体管T7，其栅极与第五输入单元LHLD连接，源极或漏极与第三输入单元VSS连接，源极和漏极中的另一个与输出单元VOUT连接。然而，本发明不限于此。如图4所示，可代替图1B所示的第七薄膜晶体管T7使用第七薄膜晶体管T7′。第七薄膜晶体管T7′的源极和漏极中的任一个以及栅极与第五输入单元LHLD连接，并且源极和漏极中的另一个与第二节点Q连接。因此，等于或高于Vth的电压继续被供给第四薄膜晶体管T4的栅极，因此，非导通电压VSS继续通过第四薄膜晶体管T4被供给输出单元VOUT。也就是说，在本实施例中，第四薄膜晶体管T4不仅属于第二电路，而且还属于第三电路。类似地，等于或高于Vth的电压继续被供给第三薄膜晶体管T3的栅极，因此，非导通电压VSS继续通过第三薄膜晶体管T3被供给第一节点P。也就是说，第三薄膜晶体管T3不仅属于第二电路，而且还属于第三电路。
第二示例性实施例
接下来，将参照图5A和图5B来描述根据本发明的第二示例性实施例的检测装置。图5A示出该检测装置的示意性等效电路，图5B示出该检测装置的驱动电路单元中所提供的单元电路的示意性等效电路。与第一示例性实施例中所描述的组件相同的组件被给予相同的标号，因此，省略其详细描述。
根据本实施例的驱动电路单元120′包括多个单元电路组，每个单元电路组包括多个单元电路121。在图5A中，提供了X个单元电路组，每个单元电路组包括三级单元电路。控制单元150′被构造为能够独立地分别将控制信号ΦLH1至ΦLHx供给多个单元电路组。因此，可在每个单元电路组中独立地控制非导通电压VSS到驱动线160的供给。控制单元150′被构造为能够独立地分别将开始信号ΦST1和选择信号ΦST2至ΦSTx供给多个单元电路组。因此，可选择多个单元电路组之一，并且开始从所选的单元电路组将导通电压VDD供给驱动线160。此外，在本实施例中，代替单元电路121，图5B所示的单元电路122用作每个单元电路组中除了第一级单元电路121之外的初始级单元电路。除了单元电路121的组件之外，单元电路122还包括第六输入单元TSET和第四电路。第四电路是根据选择信号ΦST2至ΦSTx中的任何一个使第一电路将导通电压VDD供给驱动线160的电路，包括第九薄膜晶体管T9和第十薄膜晶体管T10。第九薄膜晶体管T9连接在第六输入单元TSET与第一电容器C1的所述另一端之间，与第一电容器C1串联。第九薄膜晶体管T9的源极和漏极中的任一个以及栅极与第六输入单元TSET连接，第九薄膜晶体管T9的源极和漏极中的另一个与第一节点P连接。第十薄膜晶体管T10与第二电容器C2和第六薄膜晶体管T6并联设置。第十薄膜晶体管T10的栅极与第六输入单元TSET连接，第十薄膜晶体管T10的源极或漏极与第三输入单元VSS连接，第十薄膜晶体管T10的源极和漏极中的另一个与第二节点Q连接。
接下来，将参照图6的时序图来描述图5A和图5B所示的检测装置的操作。在以下描述中，将描述下述例子，在该例子中，第一单元电路组和第X单元电路组中的单元电路不操作，并且操作从第二单元电路组中的初始级（第四级）单元电路122开始。与第一示例性实施例中所述的组件相同的组件被给予相同的标号，因此省略其详细描述。
在时间t1，从控制单元150′，开始信号ΦST1的电压VSS被供给第一级单元电路121的第一输入单元SET，时钟信号ΦCL1的电压VSS被供给第二输入单元CLK。控制信号ΦLH1的电压VDD从控制单元150′被供给第一组中的所有单元电路121的第五输入单元LHLD。从控制单元150′，选择信号ΦSTx的电压VSS被供给第(m-2)单元电路121的第一输入单元SET，第(m-2)单元电路121是第X单元电路组中的初始级单元电路121，并且时钟信号ΦCL1的电压VSS被供给第(m-2)单元电路121的第二输入单元CLK。控制信号ΦLHx的电压VDD从控制单元150′被供给第X单元电路组中的所有单元电路121和单元电路122的第五输入单元LHLD。因此，第一单元电路组和第X单元电路组中的所有单元电路121和单元电路122的输出单元VOUT的电势变为VSS。控制信号ΦLH1和ΦLHx直到时间t5为止都保持在VDD，稍后将对这进行描述，第一单元电路组和第X单元电路组中的所有单元电路121和单元电路122的输出单元VOUT的电势直到时间t5为止都保持在VSS。也就是说，多个单元电路组中除了包括与被选择性地供给的导通电压的多个驱动线160连接的单元电路121的单元电路组之外的单元电路组（第一单元电路组和第X单元电路组）中的单元电路121和单元电路122的输出单元VOUT保持在非导通电压VSS。另一方面，第三级单元电路121的输出信号Vg3的电压VSS被供给第四级单元电路122的第一输入单元SET，第四级单元电路122是第二单元电路组中的初始级单元电路，从控制单元150′，时钟信号ΦCL2的电压VDD被供给第四级单元电路122的第二输入单元CLK，控制信号ΦLH的电压VSS被供给第四级单元电路122的第五输入单元LHLD。电压VSS从电源单元140被供给第四级单元电路122的第三输入单元VSS，第五级单元电路121的输出信号Vg5的电压VSS被供给第四级单元电路122的第四输入单元RESET。此外，选择信号ΦST2的电压VDD被供给第四级单元电路122的第六输入单元TSET。因此，在第四级单元电路122中，第九薄膜晶体管T9和第十薄膜晶体管T10变为导通。在第四级单元电路122中，第一薄膜晶体管T1至第八薄膜晶体管T8变为非导通。结果，在第四级单元电路122中，第一节点P的电势变为|VDD-Vth|，第二节点Q的电势变为VSS。因此，在第四级单元电路122中，第二薄膜晶体管T2变为导通，输出单元VOUT的电势变为VSS。
接着，在时间t2，第三级单元电路121的输出信号Vg3的电压VSS被供给第四级单元电路122的第一输入单元SET，从控制单元150′，时钟信号ΦCL2的电压VDD被供给第四级单元电路122的第二输入单元CLK，控制信号ΦLH2的电压VSS被供给第四级单元电路122的第五输入单元LHLD。电压VSS从电源单元140被供给第四级单元电路122的第三输入单元VSS，第二级单元电路121的输出信号Vg2的电压VSS被供给第四输入单元RESET。此外，选择信号ΦST2的电压VSS从控制单元150′被供给第六输入单元TSET。因此，在第四级单元电路122中，除了第二薄膜晶体管T2之外的薄膜晶体管变为非导通。此时，因为第二薄膜晶体管T2的源极和漏极中的另一个与栅极彼此通过第一电容器C1连接，所以在第四级单元电路122中，第一节点P的电势变为|2VDD-VSS-Vth|。因此，在第四级单元电路122中，输出单元VOUT的电势变为VDD（自引导操作）。结果，电压VDD从第四级单元电路122作为输出信号Vg4被供给第四行中的驱动线160，因此，第四行中的多个开关元件112变为导通。因此，根据第四行中的多个转换元件111的电荷的电信号彼此并行地分别输出到按行方向布置的多个信号线170。另一方面，第四级单元电路122的输出信号Vg4的电压VDD被供给第五级单元电路121的第一输入单元SET，从控制单元150′，时钟信号ΦCL1的电压VSS被供给第五级单元电路121的第二输入单元CLK，控制信号ΦLH2的电压VSS被供给第五级单元电路121的第五输入单元LHLD。电压VSS从电源单元140被供给第五级单元电路121的第三输入单元VSS，输出信号Vg6的电压VSS被供给第五级单元电路121的第四输入单元RESET。因此，如同第四级单元电路122在时间t1的情况一样，在第五级单元电路121中，第一节点P的电势变为|VDD-Vth|，第二节点Q的电势变为VSS，第二薄膜晶体管T2变为导通，输出单元VOUT的电势变为VSS。
接着，在时间t3，第三级单元电路121的输出信号Vg3的电压被供给第四级单元电路122的第一输入单元SET，从控制单元150′，时钟信号ΦCL2的电压VSS被供给第四级单元电路122的第二输入单元CLK，控制信号ΦLH2的电压VSS被供给第五输入单元LHLD。电压VSS从电源单元140被供给第四级单元电路122的第三输入单元VSS，稍后将描述的第五级单元电路121的输出信号Vg2的电压VDD被供给第四级单元电路122的第四输入单元RESET。此外，选择信号ΦST2的电压VSS从控制单元150′被供给第四级单元电路122的第六输入单元TSET。因此，在第四级单元电路122中，第一薄膜晶体管T1和第六薄膜晶体管T6至第十薄膜晶体管T10为非导通。在第四级单元电路122中，第五薄膜晶体管T5变为导通。因此，在第四级单元电路122中，第一节点P的电势变为VSS，第二节点Q的电势变为|VDD-Vth|。结果，在第四级单元电路122中，第二薄膜晶体管T2变为非导通，第三薄膜晶体管T3和第四薄膜晶体管T4变为导通，输出单元VOUT的电势变为VSS。另一方面，第一级单元电路121的输出信号Vg4的电压VSS被供给第五级单元电路121的第一输入单元SET，从控制单元150′，时钟信号ΦCL1的电压VDD被供给第五级单元电路121的第二输入单元CLK，控制信号ΦLH2的电压VSS被供给第五级单元电路121的第五输入单元LHLD。电压VSS从电源单元140被供给第五级单元电路121的第三输入单元VSS，第六级单元电路121的输出信号Vg6的电压VSS被供给第五级单元电路121的第四输入单元RESET。因此，如同第四级单元电路122在时间t2的情况一样，在第五级单元电路121中，第一节点P的电势变为|2VDD-VSS-Vth|，输出单元VOUT的电势变为VDD（自引导操作）。也就是说，第五级（下一级）单元电路121通过使用第四级（前一级）单元电路122的输出信号Vg4的电压VDD作为触发器来比第四级（前一级）单元电路122晚时钟信号的周期的一半的时间（t3-t2）执行与第四级（前一级）单元电路122相同的操作。依次执行这样的操作，直到第(m-3)单元电路121，并且导通电压VDD依次从驱动电路单元120被供给按列方向布置的多个驱动线160，直到第(m-3)驱动线160。
接着，在时间t4，控制信号ΦLH2的电压VDD从控制单元150′被供给第二单元电路组中的所有单元电路121和单元电路122的第五输入单元LHLD。因此，第二单元电路组中的所有单元电路121和单元电路122的输出单元VOUT的电势变为VSS。控制信号ΦLH2直到时间t5为止都保持在VDD，第二单元电路组中的所有单元电路121和单元电路122的输出单元VOUT的电势直到时间t5为止都保持在VSS。
除了控制信号ΦLH2至ΦLHx的电压VSS分别从控制单元150′被供给初始级单元电路122（除了第一单元电路组中的初始级单元电路121之外）的第五输入单元LHLD之外，在时间t5以及以后的操作与根据第一示例性实施例的操作相同。因此，省略该操作的详细描述。
因此，在本实施例中，可操作选自多个单元电路组中的单元电路组。此外，即使当通过从多个单元电路组中选择单元电路组来操作单元电路组时，也可提供可抑制由驱动线160的电势变化引起的S/N比减小的检测装置。
在本实施例中，在第三电路中使用第七薄膜晶体管T7，其栅极与第五输入单元LHLD连接，源极或漏极与第三输入单元VSS连接，源极和漏极中的另一个与输出单元VOUT连接。然而，如第一示例性实施例中那样，代替图5B所示的第七薄膜晶体管T7，可使用如图7所示的第七薄膜晶体管T7′。
应用的示例性实施例
接下来，将参照图8来描述使用本发明中的检测装置的放射线检测系统。
由作为放射线源的X射线管6050产生的X射线6060传播通过患者或对象6061的胸部6062，并且入射在放射线检测装置中所包括的转换单元的每个转换元件上。入射的X射线包括关于患者6061的胸部6062的内部的信息。放射线被转换单元根据入射的X射线转换为电荷，以获得电信息。该信息被转换为数字数据，然后在图像处理器6070中经过图像处理。图像处理之后的信息可以在用作控制室中的显示单元的显示器6080上被观察。
另外，该信息可被传输处理单元（诸如电话网络6090）传送到远方，以在用作显示单元的显示器6081上显示该信息，或者将该信息保存到位于远方的记录介质（诸如医生室等中的光盘）中，并且可被远方的医生看见。该信息还可被用作记录单元的胶片处理器6100记录在用作记录介质的胶片6110上。
虽然已参照示例性实施例描述了本发明，但是要理解本发明不限于所公开的示例性实施例。以下权利要求的范围应被给予最广泛的解释，以涵盖所有这样的修改以及等同的结构和功能。

Claims (11)

1.一种检测装置，包括：
像素阵列，在所述像素阵列中，多个像素按行和列的矩阵形式布置，每个像素包括转换元件和开关元件，所述转换元件将放射线或光转换为电荷，所述开关元件输出根据所述电荷的电信号；
多个驱动线，每个驱动线与按行方向布置的多个开关元件连接；
驱动电路单元，所述驱动电路单元被构造为包括对于多个对应的驱动线而设置的多个单元电路，所述多个单元电路被构造为将所述开关元件的导通电压和非导通电压供给所述多个对应的驱动线；和
控制单元，所述控制单元被构造为将时钟信号供给所述驱动电路单元，所述时钟信号用于定义所述驱动电路单元将所述导通电压供给驱动线的定时，
其中，所述导通电压是基于所述时钟信号的电压，
其中，所述控制单元将控制电压供给所述多个单元电路，所述控制电压用于继续将所述非导通电压供给驱动线，并且
其中，所述多个单元电路中的每个包括第一电路、第二电路和第三电路，所述时钟信号、启动信号和终止信号输入到所述第一电路，所述启动信号用于使所述单元电路开始将所述导通电压供给对应的驱动线，所述终止信号用于使所述单元电路停止将所述导通电压供给对应的驱动线，所述第一电路根据输入到所述单元电路的启动信号将所述导通电压供给对应的驱动线，所述第二电路根据输入到所述单元电路的终止信号将输入到所述单元电路的非导通电压供给对应的驱动线，所述第三电路根据输入到所述单元电路的控制电压继续将所述非导通电压供给对应的驱动线。
2.根据权利要求1所述的检测装置，
其中，所述像素阵列设置在基板上，
其中，所述多个驱动线按列方向设置，每个驱动线与按行方向布置在所述基板上的多个开关元件连接，并且
其中，所述驱动电路单元通过将所述多个单元电路设置在所述基板上而被构造。
3.根据权利要求2所述的检测装置，
其中，所述多个单元电路中的每个包括输出单元、第一输入单元、第二输入单元、第三输入单元、第四输入单元和第五输入单元，所述输出单元与对应的驱动线连接以将所述输出信号供给所述驱动线，所述启动信号输入到所述第一输入单元，所述时钟信号输入到所述第二输入单元，所述非导通电压输入到所述第三输入单元，所述终止信号输入到所述第四输入单元，所述控制信号输入到所述第五输入单元，
其中，所述第一电路包括第一电容器、第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一电容器的一端与所述输出单元连接，所述第一薄膜晶体管连接在所述第一输入单元与所述第一电容器的另一端之间，与所述第一电容器串联，所述第二薄膜晶体管设置在所述第二输入单元与所述输出单元之间，所述第一薄膜晶体管的源极和漏极中的任一个以及栅极与所述第一输入单元连接，所述第一薄膜晶体管的源极和漏极中的另一个在第一节点处与所述第一电容器的所述另一端连接，所述第二薄膜晶体管的栅极与所述第一节点连接，所述第二薄膜晶体管的源极或漏极与所述第二输入单元连接，所述第二薄膜晶体管的源极和漏极中的另一个与所述输出单元连接，
其中，所述第二电路包括第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第二电容器、第五薄膜晶体管和第六薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管连接在所述第三输入单元与所述第一电容器的所述另一端之间，与所述第一电容器串联，所述第四薄膜晶体管设置在所述第三输入单元与所述输出单元之间，所述第二电容器设置在所述第三输入单元与所述第四薄膜晶体管的栅极之间，所述第五薄膜晶体管设置在所述第四输入单元与所述第三薄膜晶体管的栅极以及所述第四薄膜晶体管的栅极两者之间，所述第六薄膜晶体管与所述第二电容器并联设置，所述第三薄膜晶体管的栅极与所述第四输入单元连接，所述第三薄膜晶体管的源极或漏极与所述第三输入单元连接，所述第三薄膜晶体管的源极和漏极中的另一个在所述第一节点处与所述第一电容器的所述另一端连接，所述第四薄膜晶体管的栅极与所述第四输入单元连接，所述第四薄膜晶体管的源极或漏极与所述第三输入单元连接，所述第四薄膜晶体管的源极和漏极中的另一个与所述输出单元连接，所述第二电容器的一端与所述第三输入单元连接，所述第二电容器的另一端在第二节点处与所述第四薄膜晶体管的栅极连接，所述第五薄膜晶体管的源极和漏极中任一个以及栅极与所述第四输入单元连接，所述第五薄膜晶体管的源极和漏极中的另一个与所述第二节点连接，所述第六薄膜晶体管的栅极与所述第一输入单元连接，所述第六薄膜晶体管的源极或漏极与所述第三输入单元连接，所述第六薄膜晶体管的源极和漏极中的另一个与所述第二节点连接，并且
其中，所述第三电路包括第七薄膜晶体管，所述第七薄膜晶体管根据所述控制信号来使所述输出单元保持在所述非导通电压。
4.根据权利要求3所述的检测装置，
其中，所述第七薄膜晶体管的栅极与所述第五输入单元连接，所述第七薄膜晶体管的源极或漏极与所述第三输入单元连接，所述第七薄膜晶体管的源极和漏极中的另一个与所述输出单元连接。
5.根据权利要求3所述的检测装置，
其中，所述第七薄膜晶体管的源极和漏极中任一个以及栅极与所述第五输入单元连接，所述源极和所述漏极中的另一个与所述第二节点连接。
6.根据权利要求3所述的检测装置，
其中，所述第三电路还包括第八薄膜晶体管，所述第八薄膜晶体管根据所述控制信号来使所述第一节点保持在所述非导通电压。
7.根据权利要求3所述的检测装置，
其中，所述驱动电路单元包括多个单元电路组，每个单元电路组包括所述多个单元电路，并且
其中，所述控制单元将所述控制信号供给所述多个单元电路组中的每一个。
8.根据权利要求7所述的检测装置，
其中，所述控制单元将选择信号供给从所述多个单元电路组中选择的单元电路组中的初始级单元电路，所述选择信号用于使所选的单元电路组选择性地将所述导通电压供给对应的驱动线，并且
其中，所选的单元电路组中的初始级单元电路还包括第四电路，所述第四电路根据所述选择信号来使所述第一电路将所述导通电压供给对应的驱动线。
9.根据权利要求8所述的检测装置，
其中，所选的单元电路组中的初始级单元电路还包括被输入所述选择信号的第六输入单元，
其中，所述第四电路包括第九薄膜晶体管和第十薄膜晶体管，所述第九薄膜晶体管连接在所述第六输入单元与所述第一电容器的所述另一端，与所述第一电容器串联，所述第十薄膜晶体管与所述第二电容器和所述第六薄膜晶体管并联设置，并且
其中，所述第九薄膜晶体管的源极和漏极中任一个以及栅极与所述第六输入单元连接，所述第九薄膜晶体管的源极和漏极中的另一个与所述第一节点连接，所述第十薄膜晶体管的栅极与所述第六输入单元连接，所述第十薄膜晶体管的源极或漏极与所述第三输入单元连接，并且所述第十薄膜晶体管的源极和漏极中的另一个与所述第二节点连接。
10.根据权利要求8所述的检测装置，
其中，所述控制单元将所述控制信号供给所述多个单元电路组中的每个，以使得所述多个单元电路组中除了包括与将被选择性地供给所述导通电压的多个驱动线连接的单元电路的单元电路组之外的单元电路组的输出单元保持在所述非导通电压。
11.一种检测系统，包括：
根据权利要求1所述的检测装置；
信号处理单元，所述信号处理单元被构造为处理来自所述检测装置的信号；
记录单元，所述记录单元被构造为记录来自所述信号处理单元的信号；
显示单元，所述显示单元被构造为显示来自所述信号处理单元的信号；和
传输处理单元，所述传输处理单元被构造为传输来自所述信号处理单元的信号。
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