CN101311785A - 电光装置、电光装置的驱动电路以及电子设备 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种能够用比较简单的电路结构抑制数据线的电压振幅的电光装置、电光装置的驱动电路以及电子设备。在各行的电容线132上设置TFT152、154、156、158、160，并且在扫描信号Yi是H电平时，将第i行的TFT156设置成导通，将TFT158设置成截止，从而将第i行的电容线132与第1供电线165连接，在扫描信号Yi是L电平、扫描信号Y(i+1)是H电平时，将第i行的TFT156设置成截止，将TFT158设置成导通，从而将第i行的电容线132连接到第2供电线167。此外，在全部的扫描线112是非选择的期间，将全部的电容线132所对应的TFT160设置成导通，从而强制地将全部的电容线132与第2供电线167连接。

Description

电光装置、电光装置的驱动电路以及电子设备

技术领域

本发明涉及例如使用了液晶等电光物质的电光装置、电光装置的驱动电路以及具有该电光装置的电子设备，特别涉及以简单的结构抑制数据线的电压振幅并且实现显示品质的提高的技术。

背景技术

在液晶等电光装置中，虽然与扫描线和数据线的交叉对应地设置像素电容(液晶电容)，但在需要对该像素电容进行交流驱动的情况下，因为数据信号的电压振幅成为正负双极性，所以在向数据线提供数据信号的数据线驱动电路中，要求与构成元件的电压振幅对应的耐压。为此，提出了这样的技术：通过与像素电容并联地设置存储电容，并且在各行上与扫描线的选择同步地以2值驱动共同连接存储电容的电容线，来抑制数据信号的电压振幅(参照专利文献1)。

此外，作为以往的显示装置的驱动方法，已知有这样的方法：作为像素开关元件的截止期间，在直到该像素开关元件的下一个导通期间之前的期间，通过向连接到了像素电极的第1布线给予在每1个垂直扫描期间电压反向变化的调制信号，来改变上述像素电极的电位，使该电位的变化与图像信号电压相互重叠以及/或者相互抵消，从而对显示材料施加电压(例如，参照专利文献2)。由此，能够减少数据线的电压振幅而减少驱动电路的消耗电能。

[专利文献1]特开2001-83943号公报

[专利文献2]专利第2568659号说明书

但是，在该技术中，指出了这样的问题：因为驱动电容线的电路和驱动扫描线的扫描线驱动电路(实质上是移位寄存器)是相同的，所以用于驱动电容线的电路结构会复杂化。

此外，作为在上述专利文献2中记载的以往装置，没有公开单独地驱动电容线的电路的具体结构。例如，当该电路是由在外部生成的信号控制的结构的情况下，因安装密度的限制而不能高精细化，并且为了增加引出线会使显示区域的外侧的所谓边框变宽，从而成本增加。

为了避免这种问题，虽然提出了在栅线上形成存储电容、以3值或以上的值改变栅电压的结构，但在这种情况下，因为对于各栅线需要至少3值切换的开关电路，所以生成栅电压波形的电路会复杂化。

发明内容

因而，本发明的问题是提供一种能够以比较简单的电路结构抑制数据线的电压振幅的电光装置、电光装置的驱动电路以及电子设备。

为了解决上述问题，提供第1发明的电光装置的驱动电路，该电光装置具备：多条扫描线、多条数据线、与上述多条扫描线对应地设置的多条电容线；与上述多条扫描线和上述多条数据线的交叉对应地设置的像素，该各个像素包括：像素开关元件，其与数据线、扫描线以及像素电极连接，并且在所连接的该扫描线被选择时，上述像素电极与上述数据线成为导通状态；插入在上述像素电极与共用电极之间的像素电容；以及插入在上述像素电极和与上述扫描线对应地设置的电容线之间的存储电容；其特征在于，该电光装置的驱动电路具备：以规定的顺序选择上述扫描线的扫描线驱动电路；电容线驱动电路，其对于与一条扫描线对应地设置的电容线，在该一条扫描线被选择时，选择第1供电线，在与该一条扫描线相隔规定行的扫描线、即在该一条扫描线之后选择的扫描线被选择后到该一条扫描线再次被选择之前，选择第2供电线，从而施加所分别选择的供电线的电压，并且在全部的扫描线是非选择的期间，对全部的电容线施加上述第2供电线的电压；以及数据线驱动电路，其对于与所选择的扫描线对应的像素，经由数据线提供与该像素的灰度等级对应的数据信号。

由此，能够以简单的结构抑制数据线的电压振幅，从而降低消耗电能。此外，因为在全部的扫描线是非选择的期间，对于全部的电容线强制地施加第2供电线的电压，所以即使在刷新期间较长的情况下，也能够将电容线的电压保持在第2供电线的电压，能够防止闪烁等显示不良的发生，从而提高显示品质。

此外，第2发明的特征在于，在第1发明中，设置成能够选择将整个画面作为显示区域的全画面显示模式和将上述整个画面中的一部分区域作为显示区域、将其他区域作为非显示区域的局部显示模式，并且，上述电容线驱动电路，在上述局部显示模式中，在全部的扫描线是非选择的期间，对于全部的电容线施加上述第2供电线的电压。

由此，在刷新期间较长的局部显示模式中，在扫描线是非选择的期间，能够将电容线的电压保持在第2供电线的电压，能够防止闪烁等显示不良的发生。

进而，第3发明的特征在于，在第1或者第2发明中，构成为：上述电容线驱动电路，与上述电容线的各个对应地具有第1至第5晶体管；与一条电容线对应的上述第1晶体管其栅电极连接到与该一条电容线所对应的扫描线相隔规定行的扫描线，源电极与导通电压供电线连接，该导通电压供电线提供用于使上述第4晶体管导通的导通电压；上述第2晶体管其栅电极与该一条电容线所对应的扫描线连接，源电极与截止电压供电线连接，该截止电压供电线提供用于使上述第4晶体管截止的截止电压；上述第3晶体管其栅电极与该一条电容线所对应的扫描线连接，源电极与上述第1供电线连接；上述第4晶体管其栅电极与上述第1和第2晶体管的漏电极共同连接，源电极与上述第2供电线连接；上述第5晶体管其栅电极与导通截止电压供电线连接，源电极与上述第2供电线连接，该导通截止电压供电线提供用于使第5晶体管导通或者截止的导通电压或者截止电压；上述第3、第4以及第5晶体管的漏电极与该一条电容线连接；在全部的扫描线是非选择的期间，将上述导通截止电压供电线的电压控制为上述导通电压。

由此，在与一条电容线对应的扫描线被选择时，将第3晶体管设置为导通，将第4晶体管设置为截止，从而能够向该一条电容线施加第1供电线的电压，并且在与该一条扫描线相隔规定行的扫描线、即在该一条扫描线之后选择的扫描线被选择之后到该一条扫描线再次被选择之前，将第3晶体管设置为截止，将第4晶体管设置为导通，从而能够向该一条电容线施加第2供电线的电压。因此，不会使电容线驱动电路的电路结构复杂化，能够抑制数据线的电压振幅。

此外，由于在全部的扫描线成为非选择的期间，第4晶体管的栅电极被第5晶体管提升到导通电压，所以即使是扫描周期较长的局部显示模式，也能够防止电容线成为高阻抗状态。

此外，第4发明的特征在于，在第1至第3发明的任意一个中，上述第1以及第2供电线的电压被设定为，在与一条电容线所对应的扫描线相隔规定行的扫描线被选择时，使该一条电容线的电压变化。

由此，因为从数据线驱动电路提供的数据信号能够设定为预见了与电容线的电压变化相应的像素电极的电压变化量的电压，所以能够抑制数据线的电压振幅。

此外，第5发明的特征在于，在第4发明中，上述第1供电线的电压，以规定的周期在不同的2个电压间切换，并且上述第2供电线的电压是恒定的。

由此，在一条扫描线成为非选择的期间，能够用第2供电线的电压使与该一条扫描线对应的电容线的电压稳定化，能够防止因电容线的电压变动而引起的对显示品质的不良影响。

进而，第6发明的特征在于，在第1至第5发明的任意一个中，具备修正电路，在上述一条扫描线被选择时，其向上述第1供电线提供这样的电压信号，即与该一条扫描线对应的电容线的检测电压成为目标电压的电压信号。

由此，即使增大第3晶体管的导通电阻，也不会发生在电容线上产生的电压失真，而能够防止显示不均等的发生，从而提高显示品质。此外，因为能够减小第3晶体管的尺寸，所以能够缩窄显示区域的外侧的、所谓边框区域，能够消减成本。

此外，第7发明的电光装置的特征在于，具备：多条扫描线、多条数据线、与上述多条扫描线对应地设置的多条电容线；与上述多条扫描线和上述多条数据线的交叉对应地设置的像素，该各个像素包括：与数据线、扫描线以及像素电极连接，并且在所连接的该扫描线被选择时，上述像素电极与上述数据线成为导通状态的像素开关元件；插入在上述像素电极与共用电极之间的像素电容；以及插入在上述像素电极和与上述扫描线对应地设置的电容线之间的存储电容；以规定的顺序选择上述扫描线的扫描线驱动电路；电容线驱动电路，其对于与一条扫描线对应地设置的电容线，在该一条扫描线被选择时，选择第1供电线，在与该一条扫描线相隔规定行的扫描线、即在该一条扫描线之后选择的扫描线被选择之后到该一条扫描线再次被选择之前，选择第2供电线，从而施加所分别选择的供电线的电压，并且在全部的扫描线是非选择的期间，对全部的电容线施加上述第2供电线的电压；以及数据线驱动电路，其对于与所选择的扫描线对应的像素，经由数据线提供与该像素的灰度等级对应的数据信号。

由此，能够设置成能够以简单的结构抑制数据线的电压振幅从而降低消耗电能、并且能够提高显示品质的电光装置。

进而，第8发明的电子设备的特征在于，具备第7发明的电光装置。

由此，能够设置成实现了消耗电能的下降和显示品质的提高的电子设备。

为了实现上述目的，本发明提供电光装置的驱动电路，该电光装置具有：多行扫描线；多列数据线；与上述多行扫描线的各个对应地设置的电容线；与上述多行扫描线和上述多列数据线的交叉对应地设置的像素，该各个像素包括：一端与数据线连接并且在扫描线被选择时一端与另一端之间成为导通状态的像素开关元件；一端与上述像素开关元件的另一端连接、另一端与共用电极连接的像素电容；插入在上述像素电容的一端和与上述扫描线对应的电容线之间的存储电容；其特征在于，该电光装置的驱动电路具备：以规定的顺序选择上述扫描线的扫描线驱动电路；电容线驱动电路，其对于与一条扫描线对应地设置的电容线，在该一条扫描线被选择时，使该电容线连接到第1供电线，在该选择结束后继续向第2供电线的连接；以及数据线驱动电路，其对于与所选择的扫描线对应的像素，经由数据线提供与该像素的灰度等级对应的数据信号；其中，将该一条扫描线被选择时的第1供电线的电压设定为与上述第2供电线的电压不同。如果采用本发明，则因为只要是在扫描线被选择时将电容线连接到第1供电线，在该选择结束后与第2供电线连接的结构即可，所以能够抑制该电容线的电位变动，并且实现结构的简单化。

在本发明中，可以设置成上述第1供电线的电压，以规定的周期在不同的2个电压间切换；上述第2供电线的电压是恒定的结构，也可以将上述第2供电线的电压设定为上述第1供电线中的2个电压的中间值。此时，理想的是，在每次选择1行的扫描线时，切换上述第1供电线的电压。

此外，在本发明中，可以设置成这样的结构：上述电容线驱动电路，与上述多行电容线的各个对应地具有第1、第2、第3以及第4晶体管；与一条电容线对应的上述第1晶体管其栅电极与栅控制线连接，源电极与导通电压供电线连接，该导通电压供电线提供用于使上述第4晶体管导通的导通电压；上述第2晶体管其栅电极与该一条电容线所对应的扫描线连接，源电极与截止电压供电线连接，该截止电压供电线提供用于使上述第4晶体管截止的截止电压；上述第3晶体管其栅电极与该一条电容线所对应的扫描线连接，源电极与上述第1供电线连接；上述第4晶体管其栅电极与上述第1和第2晶体管的漏电极共同连接，源电极与上述第2供电线连接；上述第3以及第4晶体管的漏电极与该一条电容线连接。在该结构中，利用栅控制信号，能够在扫描线被选择的期间以外的期间使第4晶体管的栅电极保持导通电压，从而能够继续使该第4晶体管导通。

在该结构中，也可以对于一条电容线，具有多个上述第1、第2以及第4晶体管的组；从上述多个组中以规定的顺序切换将该一条电容线与上述第2供电线连接的第4晶体管。如果这样进行切换，则可以降低因第4晶体管的特性的劣化而产生的影响。

此外，也可以设置成这样的结构：上述电容线驱动电路，与上述多行电容线的各个对应地进一步具有第5晶体管；与一条电容线对应的上述第5晶体管其栅电极与在该一条电容线所对应的扫描线的下一个选择的扫描线连接，源电极与上述导通电压供电线连接，漏电极与上述第1以及第2晶体管的漏电极连接。

进而，也可以具有：运算放大器；以及与上述多行电容线的各个对应的第6晶体管；与一条电容线对应的上述第6晶体管其栅电极与该一条电容线所对应的扫描线连接，源电极与该一条电容线连接，漏电极与检测线连接；上述运算放大器，以在该一条扫描线被选择时的检测线的电压成为目标电压的方式控制第1供电线的电压。由此，因为第3晶体管的尺寸变小也没有问题，所以能够实现结构的简单化，并且对于各行的第3晶体管而言，即使导通电阻参差不齐，也不会降低显示品质。

而且，本发明不仅能够作为电光装置的驱动电路，而且还可以作为电光装置，进而作为具有该电光装置的电子设备。

附图说明

图1是示出第1实施方式的电光装置的结构的方框图；

图2是示出局部显示模式下的显示区域的图；

图3是示出像素的结构的图；

图4是示出第1实施方式的显示区域与电容线驱动电路的边界的结构的图；

图5是用于说明第1实施方式的全画面显示模式的动作的图；

图6是示出第1实施方式的数据信号与保持电压的关系的图；

图7是用于说明第1实施方式的局部显示模式的动作的图；

图8是示出第2实施方式的电光装置的结构的方框图；

图9是示出第1电容信号输出电路的结构的图；

图10是示出本发明的第3实施方式的电光装置的结构的图；

图11是示出该电光装置的像素的结构的图；

图12是示出该电光装置的显示区域与电容线驱动电路的边界的结构的图；

图13是用于说明该电光装置的动作的图；

图14是示出该电光装置的负极性写入的图；

图15是用于说明该电光装置的动作的电压波形图；

图16是示出该电光装置的数据信号与保持电压的关系的图；

图17是示出该电光装置的电容线电压的稳定化的图；

图18是用于说明该电光装置的另一结构(其1)的图；

图19是用于说明该电光装置的另一结构(其2)的图；

图20是用于说明该电光装置的另一结构(其3)的图；

图21是用于说明另一结构(其3)的电压波形图；

图22是示出另一结构(其3)的数据信号与保持电压的关系的图；

图23是用于说明该电光装置的另一结构(其4)的图；

图24是用于说明另一结构(其4)的动作的图；

图25是示出本发明的第4实施方式的电光装置的结构的图；

图26是示出该电光装置的显示区域与电容线驱动电路的边界的结构的图；

图27是用于说明该电光装置的动作的图；

图28是示出本发明的第5实施方式的电光装置的结构的图；

图29是示出该电光装置的显示区域与电容线驱动电路的边界的结构的图；

图30是示出该电光装置的电容线驱动电路附近的等价电路的图；以及

图31是示出使用了实施方式的电光装置的移动电话的结构的图。

符号说明

10：电光装置；20：控制电路；30：运算放大器；100：显示区域；105：液晶；108：共用电极；110：像素；112：扫描线；114：数据线；116：TFT；118：像素电极；120：像素电容；130：存储电容；132：电容线；140：扫描线驱动电路；150：电容线驱动电路；152、154、155、156、158、159、160、171：TFT；161：导通电压供电线；162：截止电压供电线；163：截止电压供电线；165：第1供电线；166：第2供电线；167：栅控制线；168：检测线；170：第1电容信号输出电路；190：数据线驱动电路；1200：移动电话。

具体实施方式

以下，根据附图说明本发明的实施方式。

图1是示出第1实施方式的电光装置10的结构的方框图。

如该图所示，电光装置10成为具有显示区域100并在该显示区域100的周边配置有控制电路20、扫描线驱动电路140、电容线驱动电路150、数据线驱动电路190的结构。其中，显示区域100是像素110排列的区域，在本实施方式中，其以321行的扫描线112在行(X)方向上延伸，另一方面，240列的数据线114在列(Y)方向上延伸的方式分别设置，其中，与最后第321行以外的第1～320行的扫描线112和第1～240列的数据线114的交叉对应地分别排列像素110。

因而，在本实施方式中，第321行的扫描线112在显示区域100的垂直扫描(为了进行对于像素110的电压写入而依次选择扫描线的动作)中不起作用。

此外，在本实施方式中，虽然像素110在显示区域100以纵320行×横240列排列成矩阵状，但本发明并不限于该排列。

此外，与第1～320行的扫描线112对应地，分别在X方向上延伸地设置有电容线132。因此，在本实施方式中，对于电容线132，设置有除了成为虚线的第321行的扫描线112之外的1～320行的量。

此外，本实施方式的电光装置10可以选择将显示区域100的整个画面作为显示区域的全画面显示模式，和将上述整个画面中的一部分区域作为显示区域并且将其他区域作为非显示区域的局部显示模式。在局部显示模式中，例如如图2所示，仅将纵方向(y方向)的上端第80行到第160行的像素的区域作为显示区域来显示图像(时间、电池剩余量等)，而在作为其他区域的非显示区域，不显示图像。即，非显示区域，在常白的情况下显示白色，在常黑的情况下显示黑色。

以下，说明像素110的详细结构。

图3是示出像素110的结构的图，其示出的是i行以及与之相邻的(i+1)行与j列以及与之相邻的(j+1)列的交叉所对应的2×2合计4像素量的结构。

而且，i是一般性地表示像素110所排列的行的情况下的符号，其是大于等于1小于等于320的整数，j、(j+1)是一般性地表示像素110所排列的列的情况下的符号，其是大于等于1小于等于240的整数。在此，对于(i+1)而言，虽然在一般性地表示像素110所排列的行的情况下，其是大于等于1小于等于320的整数，但在说明扫描线112的行的情况下，因为需要包含虚的第321行，所以成为大于等于1小于等于321的整数。

如该图3所示，各像素110具有：作为像素开关元件发挥作用的n沟道型的薄膜晶体管(以下称为TFT)116；像素电容(液晶电容)120；存储电容130。对于各像素110而言，因为相互是相同的结构，所以如果用位于i行j列的像素作为代表来说明，则在该i行j列的像素110中，TFT116的栅电极与第i行的扫描线112连接，另一方面，其源电极与第j列的数据线114连接，并且其漏电极与作为像素电容120的一端的像素电极118连接。

此外，像素电容120的另一端与共用电极108连接。该共用电极108，如图1所示，对于所有的像素110是共用的，其被提供共用信号Vcom。而且，在本实施方式中，共用信号Vcom如后面说明的那样在时间上恒定在电压LCcom。

而且，在图3中，Yi、Y(i+1)分别表示提供给第i、(i+1)行的扫描线112的扫描信号，此外，Ci、C(i+1)分别表示第i、(i+1)行的电容线132的电压。

显示区域100成为这样的结构：将形成有像素电极118的元件基板和形成有共用电极108的对置基板这一对基板之间，以电极形成面相互相对的方式保持一定的间隙而进行粘贴，并且在该间隙中密封有液晶105。因此，像素电容120成为由像素电极118和共用电极108夹持作为电介质的一种的液晶105而成的元件，从而成为保持像素电极118与共用电极108的差电压的结构。在该结构中，在像素电容120中，其透过光量与该保持电压的有效值相应地变化。

而且，在本实施方式中，为了便于说明，假设设定为常白模式，即如果在像素电容120中保持的电压有效值接近于零，则光的透过率成为最大，从而成为白色显示，另一方面，随着电压有效值增大，透过的光量减少，从而最终成为透过率最小的黑色显示。

此外，i行j列的像素110中的存储电容130，其一端与像素电极118(TFT116的漏电极)连接，并且另一端与第i行的电容线132连接。在此，将像素电容120以及存储电容130的电容值分别设定为Cpix以及Cs。

如果再次返回图1说明，则控制电路20输出各种控制信号来进行电光装置10中的各部分的控制等，并且分别将第1电容信号Vc1提供给第1供电线165，将第2电容信号Vc2提供给第2供电线166。此外，控制电路20将后面说明的导通电压Von提供给导通电压供电线161，将截止电压Voff提供给截止电压供电线163，此外将共用信号Vcom提供给共用电极108。进而，控制电路20以规定的定时切换后面说明的导通电压Vgon以及截止电压Vgoff来提供给电压控制线cntg。

在显示区域100的周边，如上所述设置有扫描线驱动电路140、电容线驱动电路150、数据线驱动电路190等周边电路。

其中，扫描线驱动电路140按照控制电路20的控制，在1帧期间将扫描信号Y1、Y2、Y3、...、Y320、Y321分别提供给第1、2、3、...、320、321行的扫描线112。即，扫描线驱动电路140以第1、2、3、...、320、321这一顺序选择扫描线，并且将针对所选择的扫描线的扫描信号设定为相当于选择电压Vdd的H电平，将针对此外的扫描线的扫描信号设定为相当于非选择电压(接地电位Gnd)的L电平。

而且，详细地说，扫描线驱动电路140，如图5所示那样，通过按照时钟信号Cly依次使从控制电路20提供的开始脉冲Dy移位等，而输出扫描信号Y1、Y2、Y3、Y4、...、Y320、Y321。

此外，在本实施方式中，所谓1帧的期间，如图5所示，包含从扫描信号Y1成为H电平直到扫描信号Y320成为L电平的有效扫描期间Fa和从虚的扫描信号Y321成为H电平直到扫描信号Y1再次成为H电平之前的回扫期间Fb。此外，选择1行扫描线112的期间是水平扫描期间(H)。

电容线驱动电路150，在本实施方式中，由与第1～320行的电容线132对应地设置的TFT152、154、156、158、160的组构成。在此，如果说明与第i行的电容线132对应的TFT152、154、156、158、160，则该TFT152(第1晶体管)的栅电极与在第i行的下一个被选择的第(i+1)行的扫描线112连接，其源电极与导通电压供电线161连接。第i行的TFT154(第2晶体管)的栅电极与第i行的扫描线112连接，其源电极与截止电压供电线163连接，并且在第i行的TFT152以及154的漏电极之间连接有第i行的TFT158(第4晶体管)的栅电极。

另一方面，第i行的TFT156(第3晶体管)的栅电极与第i行的扫描线112连接，其源电极与第1供电线165连接。第i行的TFT158的源电极与第2供电线166连接。

此外，第i行的TFT160(第5晶体管)的栅电极与电压控制线cntg(导通截止电压供电线)连接，其源电极与第2供电线166连接。

此外，TFT156、158、160的漏电极之间连接有第i行的电容线132。

其中，提供给导通电压供电线161的导通电压Von，在将其施加在TFT158的栅电极上的情况下是使该TFT158处于导通状态(源漏电极间处于导通状态)的电压，例如是电压Vdd。此外，提供给截止电压供电线163的截止电压Voff，在将其施加在TFT158的栅电极上的情况下，是使该TFT158处于截止状态(源漏电极间处于非导通状态)的电压，例如是零电压(接地电位Gnd)。

进而，对于电压控制线cntg，从控制电路20提供导通电压Vgon或者截止电压Vgoff。在本实施方式中，以这样的方式构成：控制电路20，在局部显示模式下，在全部扫描线112是非选择的期间，向电压控制线cntg提供导通电压Vgon，在此外的期间提供截止电压Vgoff。

在此，导通电压Vgon，在将其施加在TFT160的栅电极上的情况下，是使该TFT160处于导通状态的电压，例如是电压Vdd。此外，截止电压Vgoff，在将其施加在TFT160的栅电极上的情况下，是使该TFT160处于截止状态的电压，例如是零电压(接地电位Gnd)。

此外，TFT152、154、156、158、160的大小也可以适宜变化，例如设定TFT156≥TFT158≥TFT152、154、160。

数据线驱动电路190是分别向第1、2、3、...、240列的数据线114提供与位于由扫描线驱动电路140所选择的扫描线112处的像素110的灰度等级相对应的电压的数据信号X1、X2、X3、...、X240，即用极性指示信号Pol指定的极性的电压的数据信号X1、X2、X3、...、X240。

在此，数据线驱动电路190具有与纵320行×横240列的矩阵排列对应的存储区域(图示省略)，在各存储区域中分别存储指定对应的像素110的灰度等级值(明亮度)的显示数据Da。存储在各存储区域中的显示数据Da在显示内容上发生了变化的情况下，由控制电路20，与地址一同提供变化后的显示数据Da，从而进行改写。

数据线驱动电路190从存储区域读出位于被选择的扫描线112处的像素110的显示数据Da，并且变换为与其灰度等级值相应的电压的数据信号，即指定的极性的电压的数据信号，并且对于位于所选择的扫描线112处的1～240列的各个执行对数据线114进行供给的动作。

在此，极性指示信号Pol如果是H电平，则是指定正极性写入的信号，如果是L电平，则是指定负极性写入的信号，如图5所示，在本实施方式中，按每1帧的期间进行极性反转。即，在本实施方式中，设置为面反转方式，即：在1帧的期间，将写入到像素的极性全部设置为相同，并使该写入极性按每1帧的期间进行反转。这样进行极性反转的理由是为了防止因直流成分的施加而引起的液晶的劣化。

此外，对于本实施方式中的写入极性而言，在对于像素电容120使其保持与灰度等级相应的电压时，将与共用电极108的电压LCcom相比将像素电极118的电位设置为高位侧的情况称为正极性，将设置为低位侧的情况称为负极性。另一方面，对于电压而言，只要没有特别说明，就是以电源的接地电位Gnd为基准。

而且，控制电路20在时钟信号Cly的逻辑电平跳转的时刻，将锁存脉冲Lp提供给数据线驱动电路190。如上所述，因为扫描线驱动电路140通过按照时钟信号Cly使开始脉冲Dy依次移位等，来输出扫描信号Y1、Y2、Y3、Y4、...、Y320、Y321，所以扫描线被选择的期间的开始定时是时钟信号Cly的逻辑电平跳转的定时。因而，数据线驱动电路190例如通过在1帧的期间对锁存脉冲Lp进行持续计数，能够得知第几行的扫描线被选择，以及根据锁存脉冲Lp的供给定时，得知其选择的开始定时。

而且，在本实施方式中，在元件基板上，除了显示区域100中的扫描线112、数据线114、TFT116、像素电极118、存储电容130之外，还形成有：电容线驱动电路150中的TFT152、154、156、158、160，导通电压供电线161、截止电压供电线163，第1供电线165，第2供电线166等。

图4是示出在这样的元件基板中，电容线驱动电路150与显示区域100的边界附近的结构的平面图。

如该图所示，在本实施方式中，TFT116、152、154、156、158、160是非晶硅型，是其栅电极位于半导体层的下侧的底栅型。

详细地说，通过成为第1导电层的栅电极层的图案形成，形成扫描线112、电容线132、TFT158的栅电极，在其上形成栅绝缘膜(图示省略)，进而，将TFT116、152、154、156、158、160的半导体层形成为岛状。在该半导体层之上，以保护层介于中间，通过成为第2导电层的ITO(indiumtin oxide，氧化铟锡)层的图案形成，形成矩形形状的像素电极118，进而，通过成为第3导电层的铝等金属层的图案形成，形成成为TFT116的源电极的数据线114、导通电压供电线161、截止电压供电线163、第1供电线165、第2供电线166、电压控制线cntg，并且形成这些TFT的漏电极。

在此，TFT154、156的栅电极是从扫描线112分别向Y(下)方向T字状地分支而成的部分，TFT152的栅电极是从扫描线112向Y(上)方向T字状地分支而成的部分。此外，存储电容130是利用以在像素电极118的下层中成为宽幅的方式形成的电容线132的部分和该像素电极118夹持上述栅绝缘膜作为电介质而成的结构。

此外，TFT152、154的共用漏电极与TFT158的栅电极经由贯通上述栅绝缘膜的接触孔(在图中用×表示)，实现电连接。同样，TFT156、158的共用漏电极与电容线132经由接触孔实现电连接。

进而，TFT160的栅电极经由接触孔与电压控制线cntg实现电连接，其漏电极经由接触孔与电容线132实现电连接。

而且，因为与像素电极118相对的共用电极108形成在对置基板上，所以在表示元件基板的平面图的图4中未出现。

在图4中，只不过是一个例子，对于TFT的类型来说，也可以是其他的结构，例如就栅电极的配置而言，也可以采用顶栅型，就工艺而言也可以采用多晶硅型。此外，也可以采用这样的结构：并不将电容线驱动电路150的元件制作到显示区域100中、而是在元件基板侧安装IC芯片。

在元件基板侧安装IC芯片的情况下，可以将扫描线驱动电路140、电容线驱动电路150与数据线驱动电路190一起集成作为半导体芯片，也可以采用各自单独的芯片。此外，对于控制电路20的结构来说，可以经由FPC(flexible printed circuit，挠性印制电路)基板等连接，也可以采用作为半导体芯片安装在元件基板上的结构。

此外，在将本实施方式不是设置为透过型而是设置为反射型的情况下，对于像素电极118而言，可以设置成图案形成有反射性的导电层的像素电极，也可以具有另外的反射性金属层。进而，也可以设置成组合透过型以及反射型这两者而成的、所谓的半透过半反射型。

以下，说明本实施方式的电光装置10的动作。

图5是用于说明第1实施方式的全画面显示模式下的动作的时序图。

如上所述，在本实施方式中，采用面反转方式。因此，控制电路20，对于极性指示信号Pol，如图5所示那样，在某一帧(表示为“n帧”)的期间中，作为H电平指定正极性写入，在下一个(n+1)帧的期间中，作为L电平指定负极性写入，以下同样地按每1帧的期间使写入极性反转。

此外，控制电路20，在n帧中，将第1电容信号Vc1和第2电容信号Vc2设置为相互相同电位的电压Vsl，另一方面，在(n+1)帧中，将第1电容信号Vc1设置为比第2电容信号Vc2(电压Vsl)相对地上升电压ΔV的量的电压Vsh。

进而，控制电路20，在全画面显示模式中，始终将提供给电压控制线cntg的控制信号设置为L电平，从而对TFT160的栅电极提供截止电压Vgoff(Gnd)。

首先，说明n帧中的动作。在该n帧中，由扫描线驱动电路140最初使扫描信号Y1成为H电平。

在扫描信号Y1成为H电平的时刻，如果输出锁存脉冲Lp，则数据线驱动电路190在第1行，读出第1、2、3、...、240列的像素的显示数据Da，并且变换为数据信号X1、X2、X3、...、X240，并分别提供给1、2、3、...、240列的数据线114，其中该数据信号X1、X2、X3、...、X240是以电压LCcom为基准、处于高位侧由该显示数据Da所指定的电压量的电压。

由此，例如，对于第j列的数据线114，施加与电压LCcom相比处于高位侧由1行j列的像素110的显示数据Da所指定的电压量的正极性电压，作为数据信号Xj。因此，在1行1列～1行240列的像素电容120中，分别写入与灰度等级相应的正极性的电压。

另一方面，如果扫描信号Y1是H电平，则在电容线驱动电路150中，与第1行的电容线132对应的TFT154、156导通。此时，扫描信号Y2因为是L电平，所以TFT152成为截止状态。此外，因为提供给电压控制线cntg的控制信号是L电平，所以TFT160也成为截止状态。

由此，对于TFT158的栅电极，施加截止电压Voff，从而该TFT158截止。其结果，该第1行的电容线132成为与第1供电线165连接的状态，从而成为电压Vsl。因此，在1行1列～1行240列的存储电容130中，分别写入与灰度等级相应的正极性的电压与电压Vsl的差电压。

接着，在扫描信号Y1成为L电平的同时，扫描信号Y2成为H电平。

如果扫描信号Y1成为L电平，则1行1列～1行240列的像素中的TFT116截止。此外，在电容线驱动电路150中，与第1行的电容线132对应的TFT154、156截止，第1行的TFT152导通。此外，由于提供给电压控制线cntg的控制信号维持L电平，所以TFT160维持截止状态。

由此，对于第1行的TFT158的栅电极施加导通电压Von，从而该TFT158导通。其结果，该第1行的电容线132成为与第2供电线166连接的状态，但是，在指定正极性写入的n帧中，该第2供电线166因为是与第1供电线165相同的电压Vsl，所以没有电位变动。

该第1行的电容线132维持电压Vsl的动作，在扫描线Y1是L电平的期间持续，即持续到扫描信号Y1再次成为H电平。

而后，如果极性指示信号Pol是H电平从而指示正极性写入，则即使扫描信号Y2成为H电平，在1行1列～1行240列的像素电容120以及存储电容130中分别保持的电压也没有发生变化。

这样，因为第1行的电容线132维持在电压Vsl，所以在1行1列～1行240列的像素电容120以及存储电容130中保持的电压直到扫描信号Y1再次成为H电平都不会发生变化。结果，1行1列～1行240列的像素电容120，分别继续保持在扫描信号Y1成为H电平时施加在像素电极118上的数据信号的电压与共用电极108的电压LCcom的差电压，即继续保持与灰度等级相应的电压。

另一方面，在扫描信号Y2成为H电平的时刻，如果输出锁存脉冲Lp，则数据线驱动电路190在第2行，将与第1、2、3、...、240列的像素的灰度等级相应的正极性电压的数据信号X1、X2、X3、...、X240分别提供给1、2、3、...、240列的数据线114。由此，在2行1列～2行240列的像素电容120中，分别写入与灰度等级相应的正极性电压。

而且，如果扫描信号Y2是H电平，则在电容线驱动电路150中，与第2行的电容线132对应的TFT154、156导通，TFT158截止。因此，由于第2行的电容线132成为与第1供电线165连接的状态，从而成为电压Vsl，所以在2行1列～2行240列的存储电容130中分别写入与灰度等级相应的正极性电压与电压Vsl的差电压。

在极性指示信号Pol成为H电平的n帧的期间，以下同样的动作重复到扫描信号Y321成为H电平。由此，在全部的像素电容120中，保持施加在像素电极118上的数据信号的电压、即与灰度等级相应的正极性电压与共用电极108的电压LCcom的差电压，此外，在全部的存储电容130中保持与灰度等级相应的正极性电压与电压Vsl的差电压。

以下，说明极性指示信号Pol成为L电平的(n+1)帧的动作。

在该(n+1)帧中，控制电路20将第1电容信号Vc1，如图5所示那样设置成比电压Vsl高ΔV的量的电压Vsh。此外，如果在扫描信号Yi成为H电平的时刻输出锁存脉冲Lp，则数据线驱动电路190在第i行，输出与第1、2、3、...、240列的像素的显示数据Da对应、并且与负极性对应的数据信号X1、X2、X3、...、X240。

因而，(n+1)帧中的i行j列的像素电容120的电压变化如下。

首先，如果扫描信号Yi成为H电平，则因为i行j列的TFT116导通，所以数据信号Xj分别被施加到像素电容120的一端(像素电极118)和存储电容130的一端。另一方面，如果扫描信号Yi是H电平，则因为电容线驱动电路150中与第i行的电容线132对应的TFT154、156导通，TFT158截止，所以第i行的电容线132的电压Ci成为第1供电线165的电压Vsh。而且，共用电极108恒定在电压LCcom。

因而，如果将此时的数据信号Xj的电压设定为Vj，则向i行j列的像素电容120进行电压(Vj-LCcom)的充电，并且向存储电容130进行电压(Vj-Vsh)的充电。

接着，如果扫描信号Yi成为L电平，则i行j列的TFT116截止。此外，如果扫描信号Yi成为L电平，则因为下一个扫描信号Y(i+1)成为H电平，所以电容线驱动电路150中与第i行的电容线132对应的TFT154、156截止，并且TFT152导通因而TFT158导通，所以第i行的电容线132的电压Ci成为第2供电线166的电压Vsl，如果与扫描信号Yi是H电平时相比，则降低电压ΔV的量。与此相对，共用电极108恒定在电压LCcom。因而，因为在像素电容120中蓄积的电荷移动到存储电容130中，所以像素电极118的电压降低。

详细地说，像素电极118的电压，与扫描信号Yi是H电平时的数据信号的电压Vj相比，降低了{Cs/(Cs+Cpix)}·ΔV(＝ΔVpix)的量。但是，在此忽略了各部分的寄生电容。

在此，将扫描信号Yi是H电平时的数据信号Xj设定成预见了像素电极118降低电压ΔVpix的量的情况的电压Vj。即，设定成降低后的像素电极118的电压比共用电极108的电压LCcom低，两者的差电压成为与i行j列的灰度等级相应的值。

图6是示出数据信号与保持电压的关系的图。

在本实施方式中，如图6所示，采用以下设定：在成为正极性写入的n帧中，在数据信号从相当于白色w的电压Vw(+)到相当于黑色b的电压Vb(+)的范围、随着灰度等级降低(变暗)而成为比电压LCcom高位侧的电压的情况下，在成为负极性写入的(n+1)帧中，在将像素设置成白色w的情况下设定为电压Vb(+)，在将像素设置成黑色b的情况下设定为电压Vw(+)，从而与正极性的电压范围相同，使其灰度等级关系反转。

此外，在(n+1)帧中，在写入了数据信号的电压之后，在像素电极118降低了电压ΔVpix的量时，以该像素电极118的电压在从负极性的、相当于白色的电压Vw(-)到相当于黑色的电压Vb(-)的范围、以电压LCcom为基准成为与正极性的电压对称的方式，设定电容线132的电压ΔV的降低量(Vsh-Vsl)。

由此，在指定负极性写入的(n+1)帧中，降低了电压ΔVpix的量时的像素电极118的电压，在与灰度等级相应的负极性的电压、即从相当于白色w的电压Vw(-)到相当于黑色b的电压Vb(-)的范围、随着灰度等级降低(变暗)，移位为与电压LCcom相比低位侧的电压。

这样，在本实施方式中，虽然指定负极性写入的(n+1)帧中的数据线的电压范围a与指定正极性写入的n帧相同，但移位后的像素电极118的电压成为与灰度等级相应的负极性电压。由此，如果采用本实施方式，则不仅构成数据线驱动电路190的元件的耐压可以变窄，而且因为电容所寄生的数据线114中的电压振幅也变窄，所以也不会因该寄生电容而无用地消耗电能。

即，在将共用电极108保持在电压LCcom并且将电容线132的电压设置成在各帧中恒定的结构中，在交流驱动像素电容120的情况下，在某一帧中根据灰度等级用从正极性的电压Vw(+)到电压Vb(+)的范围的电压对像素电极118进行写入时，如果灰度等级没有变化，则在下一帧中必须写入处于从与负极性对应的电压Vw(-)至电压Vb(-)的范围的、以电压LCcom为基准反转了的电压。即，数据信号的电压跨图6中的范围b。因此，构成数据线驱动电路190的元件的耐压不仅需要与范围b对应，而且如果在电容所寄生的数据线114中电压在范围b中变化，则会发生因该寄生电容而无用地消耗电能这种问题。与此相对，在本实施方式中，由于数据线的电压在范围a中变化，与范围b相比大致减半，所以上述那样的问题得以消除。

以下，说明在局部显示模式下的动作。

图7是说明第1实施方式的局部显示模式下的动作的时序图。

控制电路20，在该局部显示模式中，在全部的扫描线112是非选择的期间，将提供给电压控制线cntg的控制信号设定为H电平，从而输出导通电压Vgon，在此外的期间，将提供给电压控制线cntg的控制信号设定为L电平，从而输出截止电压Vgoff。

首先，说明n帧中的动作。在指定该正极性写入的n帧中，由扫描线驱动电路140使扫描信号Y1、Y2、...、Y321依次成为H电平，并进行与上述全画面显示模式的n帧相同的动作。

但是，因为第1～79行以及第161～320行是非显示区域，所以在第1～79行以及第161～320行的各像素电容120中分别写入相当于白色的电压，在作为显示区域的第80～160行的各像素电容120中分别写入与灰度等级相应的电压。

可是，在全画面显示模式中，1帧期间例如是1/60sec，以60Hz改写各像素的数据。另一方面，在局部显示模式中，显示区域以15～30Hz左右进行改写，非显示区域以5～10Hz左右进行改写。

因而，在n帧的下一(n+1)帧中，不进行图像数据的改写，在从时刻t1到t2的1帧期间中扫描信号Y1～Y321成为L电平。

这样，在全部的扫描线112是非选择的期间，提供给电压控制线cntg的控制信号成为H电平，在电容线驱动电路150中，全部的电容线132所对应的TFT160导通。此外，此时，扫描信号Y1～Y132因为是L电平，所以各行所对应的TFT152、154、156成为截止状态。其结果，第1～320行的电容线132成为与第2供电线166连接的状态，从而成为电压Vsl。

该TFT160导通、从而第1～320行的电容线132维持电压Vsl的动作，在扫描信号Y1～Y321全部是L电平的期间持续，即持续到再次进行显示区域或者非显示区域的图像数据的改写。

而后，假设在指定负极性写入的(n+m)帧中进行显示区域的图像数据的改写。

在该(n+m)帧中，因为不进行非显示区域的图像数据的改写，所以在从时刻t3到时刻t4的、第1行～第79行的扫描线112的扫描期间，扫描信号Y1～Y79成为L电平。因此，提供给电压控制线cntg的控制信号成为H电平，在电容线驱动电路150中，全部的电容线132所对应的TFT160继续导通状态。其结果，第1～320行的电容线132成为与第2供电线166连接的状态，从而维持电压Vsl。

接着，在时刻t4到时刻t5的1水平扫描期间，如果作为显示区域的第80行的扫描线112的扫描信号Y80成为H电平，则提供给电压控制线cntg的控制信号成为L电平，从而全部的电容线132所对应的TFT160截止。另一方面，如果扫描信号Y80是H电平，则在电容线驱动电路150中，与第80行的电容线132对应的TFT154、156导通，TFT158截止。因此，第80行的电容线132成为与第1供电线165连接的状态，从而成为电压Vsh，并且在80行1列～80行240列的存储电容130中分别写入与灰度等级相应的负极性电压与电压Vsh的差电压。

其后，由于扫描信号Y81、Y82、...、Y160依次成为H电平，并且在直到时刻t6的期间，提供给电压控制线cntg的控制信号维持L电平，所以以下同样的动作重复到时刻t6。由此，在第81～160行的各存储电容130中，分别写入与灰度等级相应的负极性电压与电压Vsh的差电压。

而后，在从时刻t6到时刻t7的、第161行～第321行的扫描线112的扫描期间，扫描信号Y161～Y321成为L电平。因此，提供给电压控制线cntg的控制信号成为H电平，从而在电容线驱动电路150中，全部的电容线132所对应的TFT160继续导通状态。其结果，第1～320行的电容线132成为与第2供电线166连接的状态，从而成为电压Vsl。

在本实施方式中，即使在扫描信号Y(i+1)变化为L电平之后，与第i行的电容线132对应的TFT158的栅电极也因其寄生电容而维持导通电压Von，从而该TFT158继续导通，其结果，将第i行的电容线132维持在第2电容信号Vc2的电压Vsl。

在本实施方式的情况下，虽然全画面显示模式的写入保持期间(刷新期间)是比较短的1/60sec，但局部显示模式的刷新期间，是比较长的、对于显示区域而言的1/5～1/30sec，对于非显示区域而言的1/5～1/10sec左右。这样，在刷新期间长时，TFT158会因其栅电极的寄生电容的电荷泄漏而不能维持导通电压，并且电容线132成为高阻抗状态。此时，如果扫描线电位变化，则有可能产生列闪烁等显示不良。此外，有可能因泄漏电流而致使电容线的电位变化，从而产生烧痕等。

与此相对，在本实施方式中，在全部的扫描线112是非选择的期间，因为强制地将电容线132与第2供电线166连接，将电容线132的电压设置成第2电容信号Vc2的电压Vsl，所以能够可靠地防止电容线132成为高阻抗状态，并防止对显示品质的不良影响。

这样，在上述第1实施方式中，由于在电容线驱动电路中，对于与一条扫描线对应地设置的电容线，在该一条扫描线被选择时选择第1供电线，在该一条扫描线成为非选择后直到该一条扫描线再次被选择之前，选择第2供电线，并分别施加所选择的供电线的电压，所以能够抑制数据线的电压振幅，能够降低因与数据线有关的寄生电容而产生的消耗电能，并且能够使显示品质提高。

此外，在全部的扫描线是非选择的期间，由于对于全部的电容线，强制地施加第2供电线的电压，所以即使是刷新期间长的局部显示模式，也能够将电容线的电压保持在第2供电线的电压。这样，能够用简单的电路结构防止电容线成为高阻抗状态，能够防止闪烁等显示不良的发生。

此外，在一条电容线所对应的扫描线被选择时，将第3晶体管设置成导通，将第4晶体管设置成截止，能够向该一条电容线施加第1供电线的电压，并且，在作为与该一条扫描线相隔规定行的扫描线的、在该一条扫描线之后选择的扫描线被选择之后，直到再次选择该一条扫描线之前，将第3晶体管设置为截止，将第4晶体管设置为导通，能够向该一条电容线施加第2供电线的电压。这样，驱动1行的量的电容线用4个TFT就足够了，进而，也不需要另外的控制信号、控制电压等。因此，不会使电容线驱动电路的电路结构复杂化，便能够抑制数据线的电压振幅。

进而，因为可以用2值的栅电压控制电容线的电位，所以能够避免安装密度的增加、生成栅电压波形的电路结构的复杂化。

此外，在全部的扫描线成为非选择的期间，因为第4晶体管的栅电极被第5晶体管提升到导通电压，所以即使是扫描周期长的局部显示模式，也能够将电容线的电压保持在第2供电线的电压。这样，能够用简单的电路结构防止闪烁等显示不良的发生。

进而，在与一条电容线所对应的扫描线相隔规定行的扫描线被选择时，因为以使该一条电容线的电压变化的方式设定第1以及第2供电线的电压，所以从数据线驱动电路提供的数据信号能够设定在预见了与电容线的电压变化相应的像素电极的电压变化量的电压，所以能够抑制数据线的电压振幅。

此外，因为将第1供电线的电压设定为以规定的周期更换不同的2个电压，并且将第2供电线的电压设置成恒定，所以能够抑制数据线的电压振幅，并且在一条扫描线成为非选择的期间，用第2供电线的电压使与该一条扫描线对应的电容线的电压稳定化，能够防止因电容线的电压变动而引起的对显示品质的不良影响。

以下，说明本发明的第2实施方式。

该第2实施方式，在上述的第1实施方式中增加了修正电路，其用于在第i行的扫描线112被选择时，向第1供电线168提供与第i行的扫描线112对应的电容线132的检测电压成为目标电压那样的电压信号。

图8是示出第2实施方式的电光装置10的结构的方框图。

如该图8所示，第2实施方式的电光装置10，因为除了在图1所示的电光装置10中增加了第1电容信号输出电路170以及TFT171之外，具有与图1相同的结构，所以以结构不同的部分为中心进行说明。

TFT171与第1～320行的电容线132对应地设置。如果说明与第i行的电容线132对应的TFT171，则该TFT171的栅电极与第i行的扫描线112连接，源电极与电位监视线Sence连接，漏电极与第i行的电容线132连接。

即，TFT171在扫描线Yi成为H电平的期间(TFT156导通的期间)导通，将电容线132的电位给予电位监视线Sence。

控制电路20输出各种控制信号来进行电光装置10中的各部分的控制等，并且将第1目标信号Vc1ref提供给第1电容信号输出电路170。

图9是示出第1电容信号输出电路170的结构的图。

如该图9所示，第1电容信号电路170具有运算放大器172和电阻173。运算放大器172的输出端与导通电压供电线161连接，电位监视线Sence与运算放大器172的反转输入端(-)连接。此外，对于运算放大器172的非反转输入端子(+)提供来自控制电路20的第1目标信号Vc1ref。并且，在运算放大器172的输出端与反转输入端(-)之间插入电阻173。

利用这样的结构，第1电容信号输出电路170将以电容线132的电压成为第1目标信号Vc1ref的方式进行了负反馈控制的第1电容信号Vc1输出到导通电压供电线161。而且，此时TFT171作为电阻工作。

在此，用第1电容信号输出电路170以及TFT171构成修正电路。

以下，说明第2实施方式的动作。

控制电路20，在n帧的期间，将极性指定信号Pol设定为H电平，将第1目标信号Vc1ref设定为电压Vsl。此外，控制电路20在(n+1)帧的期间，将极性指定信号Pol设定为L电平，将第1目标信号Vc1ref设定为电压Vsh。

在此，说明n帧中的动作(全画面显示模式)。在该n帧中，由扫描线驱动电路140最初使扫描信号Y1成为H电平。

在扫描信号Y1成为H电平的时刻，如果输出锁存脉冲Lp，则数据线驱动电路190在第1行，读出第1、2、3、...、240列的像素的显示数据Da，并且变换为数据信号X1、X2、X3、...、X240，并分别提供给1、2、3、...、240列的数据线114，其中该数据信号X1、X2、X3、...、X240是以电压LCcom为基准、处于高位侧由该显示数据Da所指定的电压量的电压的。由此，在1行1列～1行240列的像素电容120中，分别写入与灰度等级相应的正极性的电压。

另一方面，如果扫描信号Y1是H电平，则在电容线驱动电路150中，与第1行的电容线132对应的TFT154、156导通。其结果，该第1行的电容线132成为与第1供电线165连接的状态。在n帧中，由于对于第1供电线165提供被第1电容信号输出电路170控制为成为第1目标信号Vc1ref的电压Vsl的第1电容信号Vc1，所以第1行的电容线132的电压成为电压Vsl。因此，在1行1列～1行240列的存储电容130中，分别写入与灰度等级相应的正极性的电压与电压Vsl的差电压。

接着，在扫描信号Y1成为L电平的同时，扫描信号Y2成为H电平。

在扫描信号Y2成为H电平的时刻，如果输出锁存脉冲Lp，则数据线驱动电路190在第2行，将与第1、2、3、...、240列的像素的灰度等级相应的正极性电压的数据信号X1、X2、X3、...、X240分别提供给1、2、3、...、240列的数据线114。由此，在2行1列～2行240列的像素电容120中，分别写入与灰度等级相应的正极性电压。

另一方面，如果扫描信号Y1成为L电平，则1行1列～1行240列的像素中的TFT116截止。此外，如果扫描信号Y1是L电平，则在电容线驱动电路150中，与第1行的电容线132对应的TFT154、156截止，因为扫描信号Y2是H电平，所以与第1行的电容线132对应的TFT152导通。其结果，与第1行的电容线132对应的TFT158导通，该第1行的电容线132成为与第2供电线166连接的状态，从而第1行的电容线132的电压维持电压Vsl。因此，在2行1列～2行240列的存储电容130中，分别写入与灰度等级相应的正极性的电压与电压Vsl的差电压。

在极性指示信号Pol成为H电平的n帧的期间，以下同样的动作重复到扫描信号Y320成为H电平。

这样，由于第1电容信号输出电路170以经由电位监视线Sence检测到的电容线132的电压成为第1目标信号Vc1ref的电压的方式向导通电压供电线161输出第1电容信号Vc1，所以在扫描信号Yi成为H电平的期间中，即使第i行的电容线132的电压有噪声等的影响，但如果指定正极性写入，则也保持在电压Vsl，如果指定负极性写入则也保持在电压Vsh。

因此，即使TFT156的导通电阻增大，也不会发生在电容线132上产生的电压失真，从而不会发生显示不均等。

这样，在上述第2实施方式中，在选择了某一行的扫描线时，因为以使该行的电容线的电压成为第1目标信号的电压的方式进行修正，所以即使加大第3晶体管的导通电阻，也不会发生在电容线上产生的电压失真，能够防止显示不均等的发生，从而提高显示品质。此外，因为能够减小第3晶体管的尺寸，所以能够缩窄显示区域的外侧的所谓边框区域，从而能够消减成本。

此外，在上述各实施方式中，虽然说明了将第2电容信号Vc2设定为恒定在电压Vsl的情况，但也可以将第2电容信号Vc2设定为恒定在电压Vsh。进而，也可以将第2电容信号Vc2设定为恒定在电压Vsl与电压Vsh的中间的电压。

此外，在上述各实施方式中，虽然说明了用面反转方式进行驱动的情况，但也能够用按每1行使写入极性反转的行反转方式进行驱动。在此情况下，可以将第2电容信号Vc2设定为恒定在电压Vsl，也可以设定为恒定在电压Vsh。此外，也可以将第2电容信号Vc2设定为恒定在电压LCcom。

进而，在上述各实施方式中，虽然说明了在局部显示模式中，在全部的扫描线是非选择的期间，使TFT160导通从而将全部的电容线的电压设置成第2供电线的电压的情况，但例如不管显示模式如何，都能够在扫描信号Yi成为L电平后到下一扫描信号Y(i+1)成为H电平的期间、每一个切换正极性写入和负极性写入的规定周期的消隐期间等，只要是全部的扫描线成为非选择的期间，就使TFT160导通。

此外，在上述各实施方式中，对于电容线驱动电路150，虽然说明了将与第i行的电容线132对应的TFT152的栅电极连接到下一第(i+1)行的扫描线112的情况，但也能够设置成连接到相隔一定的行数m(m是大于等于2的整数)的扫描线112的结构。

进而，在上述各实施方式中，虽然说明了设置成为了驱动直到与最终的第320行的电容线132对应的TFT152而需要m条虚的扫描线112的结构，但也可以设置成这样的结构：例如在m是“1”的情况下，消除回扫期间Fb，将与第320行的电容线132对应的TFT152的栅电极连接在第1行的扫描线112上，而不需要虚的扫描线。

此外，在上述各实施方式中，虽然说明了将本发明应用到使用了液晶的电光装置的情况，但也可以应用到使用了液晶以外的电光物质的电光装置。例如，可以将本发明应用到以下各种电光装置，例如，将有机EL、发光聚合物等OLED元件用作为电光物质的显示面板；将包含着色后的液体和分散在该液体中的白色的粒子的微胶囊用作为电光物质的电泳显示面板；将按极性相互不同的每个区域而区分涂抹有不同的颜色的旋转球用作为电光物质的旋转球显示面板；将黑色调色剂用作为电光物质的调色剂显示面板；将氦、氖等高压气体用作为电光物质的等离子体显示面板等。

<第3实施方式>

以下，说明本发明的第3实施方式。图10是示出本发明的第3实施方式的电光装置的结构的方框图。

如该图所示，电光装置10成为具有显示区域100并在该显示区域100的周边配置有扫描线驱动电路140、电容线驱动电路150、数据线驱动电路190的结构。其中，显示区域100是像素110排列的区域，在本实施方式中，其以320行的扫描线112在行(X)方向上延伸，另一方面，240列的数据线114在列(Y)方向上延伸的方式分别设置。

此外，与第1～320行的扫描线112和第1～240列的数据线114的交叉对应地分别排列像素110。因而，在本实施方式中，像素110在显示区域100以纵320行×横240列排列成矩阵状。

此外，与第1～320行的扫描线112对应地，分别在X方向上延伸地设置有电容线132。因此，对于电容线132，设置从第1行到第320行。

在此，说明像素110的详细结构。

图11是示出像素110的结构的图，其示出的是i行以及与之相邻的(i+1)行与j列以及与之相邻的(j+1)列的交叉所对应的2×2合计4像素量的结构。

而且，i是一般性地表示像素110所排列的行的情况下的符号，其是大于等于1小于等于320的整数，j、(j+1)是一般性地表示像素110所排列的列的情况下的符号，其是大于等于1小于等于240的整数。

如图11所示，各像素110具有：作为像素开关元件发挥作用的n沟道型的薄膜晶体管(thin film transistor，以下简称为“TFT”)116；像素电容(液晶电容)120；存储电容130。对于各像素110而言，因为相互是相同的结构，所以如果用位于i行j列的像素作为代表来说明，则在该i行j列的像素110中，TFT116的栅电极与第i行的扫描线112连接，其源电极与第j列的数据线114连接，并且其漏电极与作为像素电容120的一端的像素电极118连接。

此外，像素电容120的另一端与共用电极108连接。该共用电极108，如图10所示，对于所有的像素110是共用的，其被提供共用信号Vcom。在此，在本实施方式中，共用信号Vcom如后面说明的那样在时间上恒定在电压LCcom。

而且，在图11中，Yi、Y(i+1)分别表示提供给第i、(i+1)行的扫描线112的扫描信号，此外，Ci、C(i+1)分别表示第i、(i+1)行的电容线132的电压。

显示区域100成为这样的结构：将形成有像素电极118的元件基板和形成有共用电极108的对置基板这一对基板之间，以电极形成面相互相对的方式保持一定的间隙而进行粘贴，并且在该间隙中密封有液晶105。因此，像素电容120成为由像素电极118和共用电极108夹持作为电介质的一种的液晶105而成的元件，从而成为保持像素电极118与共用电极108的差电压的结构。

而且，在像素电容120中，虽然其透过光量与该保持电压的有效值相应地变化，但在本实施方式中，为了便于说明，设定为常白模式，即如果在像素电容120中保持的电压有效值接近于零，则光的透过率成为最大，从而成为白色显示，另一方面，随着电压有效值增大，透过的光量减少，从而最终成为透过率最小的黑色显示。

此外，i行j列的像素110中的存储电容130，其一端与像素电极118(TFT116的漏电极)连接，并且另一端与第i行的电容线132连接。因此，存储电容130被电气性地插入在作为像素电容120的一端的像素电极118和第i行的电容线132之间。

而且，将像素电容120以及存储电容130的电容值分别设定为Cpix以及Cs。

如果再次返回图10说明，则控制电路20输出时钟信号Cly、开始脉冲Dy、锁存脉冲Lp、极性指示信号Pol等各种控制信号来进行电光装置10中的各部分的控制等，并且分别将第1电容信号Vc1提供给第1供电线165，将第2电容信号Vc2提供给第2供电线166，将栅控制信号Cntg提供给栅控制线167。

进而，控制电路20将后面说明的导通电压Von提供给导通电压供电线161，将截止电压Voff提供给截止电压供电线162，此外将共用信号Vcom提供给共用电极108。

在显示区域100的周边，设置有扫描线驱动电路140、电容线驱动电路150、数据线驱动电路190等周边电路。

其中，扫描线驱动电路140按照控制电路20的控制，将扫描信号Y1、Y2、Y3、...、Y320分别提供给第1、2、3、...、320行的扫描线112。扫描信号Y1～Y320，如图13所示，是以比占空比50％的时钟信号Cly的一半周期还窄的宽度成为H电平的脉冲，扫描信号Y1～Y320的脉冲处于按时钟信号Cly的每半周期从Y1到Y320依次延迟的关系。因此，相邻的行的扫描信号的脉冲以成为L电平的期间介于中间而被输出。

虽然是扫描线驱动电路140按照时钟信号Cly依次使例如从控制电路20提供的开始脉冲Dy移位并且使脉冲宽度变窄地输出这样的扫描信号Y1～Y320的结构，但省略有关细节。

而且，扫描信号Y1～Y320的H电平相当于选择电压Vdd，L电平相当于非选择电压(接地电位Gnd)。在此，扫描线在扫描信号成为H电平时被选择，如果扫描信号是L电平，则是非选择。此外，在本实施方式中，所谓1帧的期间，是指一幅图像显示所需要的期间，如该图所示，其分为从扫描信号Y1到Y320依次成为H电平从而依次扫描(选择)扫描线的有效扫描期间Fa、和此外的回扫期间Fb。但是，也可以不设置该回扫期间Fb。

电容线驱动电路150，在本实施方式中，由与第1～320行的电容线132对应地设置的n沟道型的TFT152、154、156、158的组构成。在此，如果说明与第i行的电容线132对应的TFT152、154、156、158，则该TFT152(第1晶体管)的栅电极与栅控制线167连接，其源电极与导通电压供电线161连接，另一方面，该TFT154(第2晶体管)的栅电极与第i行的扫描线112连接，其源电极与截止电压供电线162连接，并且在TFT152、154的漏电极之间共同连接有TFT158的栅电极。

此外，第i行的TFT156(第3晶体管)的栅电极与第i行的扫描线112连接，其源电极与第1供电线165连接，另一方面，该TFT158(第4晶体管)的源电极与第2供电线166连接，并且TFT156、158的漏电极之间与第i行的电容线132共同连接。

在此，提供给导通电压供电线161的导通电压Von，在将其施加在TFT158的栅电极上时，是使该TFT158处于导通状态(源漏电极间处于导通状态)的电压，例如是与扫描信号的H电平相同的电压Vdd。此外，提供给截止电压供电线162的截止电压Voff，是也将其施加在TFT158的栅电极上而使该TFT158处于截止状态(源漏电极间处于非导通状态)的电压，例如是与扫描信号的L电平相同的零电压(接地电位Gnd)。

数据线驱动电路190是分别向第1、2、3、...、240列的数据线114提供与位于由扫描线驱动电路140所扫描的扫描线112处的像素110的灰度等级相对应的电压的数据信号X1、X2、X3、...、X240，即用极性指示信号Pol指定的极性的电压的数据信号X1、X2、X3、...、X240。

在此，数据线驱动电路190具有与纵320行×横240列的矩阵排列对应的存储区域(图示省略)，在各存储区域中分别存储指定对应的像素110的灰度等级值(明亮度)的显示数据Da。存储在各存储区域中的显示数据Da在显示内容上发生了变化的情况下，由控制电路20，与地址一同提供变化后的显示数据Da，从而进行改写。

数据线驱动电路190从存储区域读出位于被选择(扫描)的扫描线112处的像素110的显示数据Da，并且变换为与其灰度等级值相应的电压的数据信号，即指定的极性的电压的数据信号，并且对于位于选择扫描线112处的1～240列的各个执行对数据线114进行供给的动作。

极性指示信号Pol如果是H电平，则是指定正极性写入的信号，如果是L电平，则是指定负极性写入的信号，如图13所示，在本实施方式中，按每1帧的期间进行极性反转。因此，在本实施方式中，设置为面反转方式，即：在1帧的期间，将写入到像素的极性全部设置为相同，并使该写入极性按每1帧的期间进行反转。这样进行极性反转的理由是为了防止因直流成分的施加而引起的液晶的劣化。

此外，对于本实施方式中的写入极性而言，在对于像素电容120使其保持与灰度等级相应的电压时，将与共用电极108的电压LCcom相比将像素电极118的电位设置为高位侧的情况称为正极性，将设置为低位侧的情况称为负极性。另一方面，对于电压而言，只要没有特别说明，就是以电源的接地电位Gnd为基准。

而且，控制电路20在时钟信号Cly的逻辑电平跳转(上升或者下降)的时刻，将锁存脉冲Lp提供给数据线驱动电路190。如上所述，因为扫描信号Y1～Y320处于使比时钟信号Cly的半周期还窄的宽度的脉冲按时钟信号Cly的每半周期从Y1至Y320依次延迟的关系，所以扫描信号以时钟信号Cly的逻辑电平跳转的定时为基准成为H电平。而且，详细地说，如图13所示那样，设定成在从时钟信号Cly的逻辑电平跳转的时刻开始延迟了规定时间量的时刻，扫描信号成为H电平。

这样，因为扫描信号以时钟信号Cly的跳转定时为基准成为H电平，所以数据线驱动电路190例如通过在1帧的期间对锁存脉冲Lp进行持续计数，能够得知第几行的扫描信号成为H电平，以及根据锁存脉冲Lp的输出定时，得知其扫描信号成为H电平的定时。

此外，控制电路20输出以下那样的栅控制信号Cntg。即，控制电路20，如图13所示，在时钟信号Cly的每半周期，即，每次选择扫描线时，输出在全部的扫描信号Y1～Y320是L电平的期间成为H电平的脉冲状的栅控制信号Cntg。

在本实施方式中，在元件基板上，除了显示区域100中的扫描线112、数据线114、TFT116、像素电极118、存储电容130之外，还形成有：电容线驱动电路150中的TFT152、154、156、158，导通电压供电线161、截止电压供电线162，第1供电线165，第2供电线166、栅控制线167等。

图12是示出在这样的元件基板中，电容线驱动电路150与显示区域100的边界附近的结构的平面图。

如该图所示，在本实施方式中，TFT116、152、154、156、158是非晶硅型，是其栅电极位于半导体层的下侧的底栅型。

详细地说，通过成为第1导电层的栅电极层的图案形成，形成扫描线112、电容线132、TFT152和158的栅电极，在其上形成栅绝缘膜(图示省略)，进而，将TFT116、152、154、156、158的半导体层形成为岛状。在该半导体层之上，以保护层介于中间，通过成为第2导电层的ITO(indium tin oxide，氧化铟锡)层的图案形成，形成矩形形状的像素电极118，进而，通过成为第3导电层的铝等金属层的图案形成，形成成为TFT116的源电极的数据线114、成为TFT152的源电极的导通电压供电线161、成为TFT154的源电极的截止电压供电线162、成为TFT156的源电极的第1供电线165、成为TFT158的源电极的第2供电线166、TFT152和154的共用漏电极、TFT156和158的共用漏电极、栅控制线167等。

在此，TFT154、156的栅电极是从扫描线112分别向Y(下)方向T字状地分支而成的部分。

此外，L字形状的TFT152的栅电极相对于导通电压供电线161下穿交叉，并经由贯通上述栅绝缘膜的接触孔(在图中是×标记)与栅控制线167连接。同样，L字形状的TFT158的栅电极相对于第2供电线166以及截止电压供电线162分别位于其下，并经由贯通上述栅绝缘膜的接触孔，与TFT152和154的共用漏电极连接。

此外，存储电容130是利用以在像素电极118的下层中成为宽幅的方式形成的电容线132的部分和该像素电极118夹持上述栅绝缘膜作为电介质而成的结构。此外，TFT156、158的共用漏电极经由贯通上述栅绝缘膜的接触孔，与电容线132连接。

而且，因为与像素电极118相对的共用电极108形成在对置基板上，所以在表示元件基板的平面图的图12中未出现。

此外，图12所示的结构只不过是一个例子，对于TFT的类型来说，也可以是其他的结构，例如就栅电极的配置而言，也可以采用顶栅型，就工艺而言也可以采用多晶硅型。

在图12中，在将TFT152、154、156、158的晶体管尺寸分别表示为Tr1、Tr2、Tr3、Tr4时，作为Tr1＝Tr2＝Tr3＝Tr4虽然设置成相互大致相同，但如后面说明的那样，因为理想的是TFT156的导通电阻小，所以也可以设置成Tr3≥Tr4≥Tr1＝Tr2。

进而，也可以采用这样的结构：并不将电容线驱动电路150的元件制作到显示区域100中、而是在元件基板侧安装IC芯片。在元件基板侧安装IC芯片的情况下，可以将扫描线驱动电路140、电容线驱动电路150与数据线驱动电路190一起集成为一个半导体芯片，也可以采用各自单独的芯片。此外，对于控制电路20来说，可以经由FPC(flexible printed circuit，挠性印制电路)基板等连接，也可以采用作为半导体芯片安装在元件基板上的结构。

此外，在将本实施方式不是设置为透过型而是设置为反射型的情况下，对于像素电极118而言，可以设置成图案形成有反射性的导电层的像素电极，也可以具有另外的反射性金属层。进而，也可以设置成组合透过型以及反射型这两者而成的、所谓的半透过半反射型。

以下，说明本实施方式的电光装置10的动作。

如上所述，在本实施方式中，将对于像素的写入极性设置成面反转方式。因此，控制电路20，对于极性指示信号Pol，如图13所示那样，在某一帧(表示为“n帧”)的期间中，作为H电平指定正极性写入，在下一(n+1)帧的期间中，作为L电平指定负极性写入。即，控制电路20按每1帧的期间指定写入极性的反转。

控制电路20，在n帧中，将第1电容信号Vc1以及第2电容信号Vc2设置为相互相同的电位，另一方面，在(n+1)帧中，使第1电容信号Vc1比第2电容信号Vc2相对地上升电压ΔV的量。因此，如图13所示，如果第2电容信号Vc2不管写入极性如何都恒定在电压Vsl，则第1电容信号Vc1在n帧中是与第2电容信号Vc2相同的电压Vsl，在(n+1)帧中成为比电压Vsl高ΔV的量的电压Vsh。

而且，在本实施方式中，电压Vsl是与电压LCcom相比的低位，电压Vsh是与电压LCcom相比的高位。两电压Vsl、Vsh处于以电压LCcom为中心对称的关系，其差的绝对值是ΔV。此外，在本实施方式中，电压的高低关系是Gnd＜Vsl＜LCcom＜Vsh＜Vdd。

而且，在n帧中，虽然由扫描线驱动电路140最初使扫描信号Y1成为H电平，但如果在扫描信号Y1成为H电平之前输出锁存脉冲Lp，则数据线驱动电路190在第1行，读出第1、2、3、...、240列的像素的显示数据Da，并且变换为数据信号X1、X2、X3、...、X240，并分别提供给1、2、3、...、240列的数据线114，其中该数据信号X1、X2、X3、...、X240是以电压LCcom为基准、处于高位侧由该显示数据Da所指定的电压量的电压。

由此，例如，对于第j列的数据线114，施加与电压LCcom相比处于高位侧由1行j列的像素110的显示数据Da所指定的电压量的正极性电压，作为数据信号Xj。

而且，在本实施方式中，假设在数据线驱动电路190向第1～240列的数据线114施加数据信号X1～X240的定时，栅控制信号Cntg成为H电平。如果栅控制信号Cntg成为H电平，则在电容线驱动电路150中，因为第1～320行的全部的电容线132所对应的TFT152导通，TFT154、156截止，所以对于TFT158的栅电极，施加被提供给导通电压供电线161的导通电压Von。因此，因为全部的TFT158导通，所以第1～320行的电容线132与第2供电线166连接，从而成为电压Vsl。

接着，因为在扫描信号Y1成为H电平时，1行1列～1行240列的像素中的TFT116导通，所以对于它们的像素电极118，施加数据信号X1、X2、X3、...、X240。因此，在1行1列～1行240列的像素电容120中分别写入施加在像素电极118上的数据信号的电压与施加在共用电极108上的电压LCcom的差电压，即与灰度等级相应的极性的电压。

另一方面，因为在扫描信号Y1是H电平时，栅控制信号Cntg是L电平，所以在电容线驱动电路150中，与第1行的电容线132对应的TFT152截止，TFT154导通。因此，因为第1行的TFT158的栅电极与截止电压供电线162连接从而被施加截止电压Voff，所以第1行的TFT158截止。此外，如果扫描信号Y1是H电平，则第1行的TFT156导通。因此，第1行的电容线132与第1供电线165连接，从而成为电压Vsl。

因而，在1行1列～1行240列的存储电容130中分别写入施加在像素电极118上的数据信号的电压与电压Vsl的差电压。

此外，在第1行以外的电容线132中，成为如下的状态。即，如果扫描信号Y1是H电平，则第1行以外的TFT152、154、156都截止，而第1行以外的TFT158的栅电极因其寄生电容而保持之前状态的电压Von。因此，因为第1行以外的TFT158维持导通，所以第1行以外的第2～130行的电容线132与第2供电线166连接从而成为确定在电压Vsl的状态。

接着，扫描信号Y1成为L电平，但在扫描信号Y2成为H电平之前，即，在全部的扫描信号是L电平的期间，栅控制信号Cntg成为H电平。因此，在电容线驱动电路150中，第1～320行的全部的电容线132所对应的TFT152导通，并且对于TFT158的栅电极再次施加导通电压Von。因此，因为全部的TFT158导通，所以第1～320行的电容线132与第2供电线166连接，从而成为电压Vsl。

此外，在扫描信号Y1成为L电平时，因为1行1列～1行240列的像素中的TFT116截止，所以像素电极118从与数据线114的连接中释放出来。因此，成为1行1列～1行240列的像素中的像素电容120以及存储电容130的串联电路电气性地插入在共用电极108与电容线132之间的状态。

但是，在n帧中，因为提供给第1供电线165的第1电容信号Vc1以及提供给第2供电线166的第2电容信号Vc2是相互相等的电压Vsl，所以各行的电容线132的电压没有变化。此外，共用电极108也恒定在电压LCcom。因此，在n帧中，在扫描信号Y1成为H电平时分别写入到1行1列～1行240列的像素电容120以及存储电容130中的电压不会有变动。

接着，扫描信号Y2成为H电平，但如果在此之前输出锁存脉冲Lp，则数据线驱动电路190在第2行，读出第1、2、3、...、240列的像素的显示数据Da，变换为与正极性对应的数据信号X1、X2、X3、...、X240，并分别提供给1、2、3、...、240列的数据线114。

此外，在扫描信号Y2成为H电平时，因为2行1列～2行240列的像素中的TFT116导通，所以对于它们的像素电极118，施加数据信号X1、X2、X3、...、X240。因此，在2行1列～2行240列的像素电容120中，分别写入施加在像素电极118上的数据信号的电压与共用电极108的施加电压LCcom的差电压。

另一方面，因为如果扫描信号Y2是H电平，则栅控制信号Cntg是L电平，所以在电容线驱动电路150中，与第2行的电容线132对应的TFT152截止，TFT154导通。因为第2行的TFT158的栅电极被施加截止电压Voff，所以第2行的TFT158截止。此外，如果扫描信号Y2是H电平，则第2行的TFT156导通。因此，第2行的电容线132与第1供电线165连接，从而成为电压Vsl。

因而，在2行1列～2行240列的存储电容130中分别写入施加在像素电极118上的数据信号的电压与电压Vsl的差电压。

此外，因为扫描信号Y2是H电平，所以第2行以外的TFT152、154、156都截止，而第2行以外的TFT158的栅电极因其寄生电容而保持之前状态的电压Von。因此，因为第2行以外的TFT158维持导通，所以第2行以外的第1以及第3～130行的电容线132与第2供电线166连接从而成为确定在电压Vsl的状态。

接着，扫描信号Y2成为L电平，但因为在扫描信号Y3成为H电平之前，栅控制信号Cntg成为H电平，所以全部的TFT152导通，从而在TFT158的栅电极上再次施加导通电压。因此，因为全部的TFT158导通，所以第1～320行的电容线132与第2供电线166连接，从而成为电压Vsl。

此外，在扫描信号Y2成为L电平时，2行1列～2行240列的像素中的TFT116截止。但是，在n帧中，因为各行的电容线132的电压没有变化，并且共用电极108也恒定在电压LCcom，所以在扫描信号Y2成为H电平时分别写入到2行1列～2行240列的像素电容120以及存储电容130中的电压不会有变动。

接着，扫描信号Y3成为H电平，但如果在此之前输出锁存脉冲Lp，则数据线驱动电路190在第3行，读出第1、2、3、...、240列的像素的显示数据Da，变换为与正极性对应的数据信号X1、X2、X3、...、X240，并分别提供给1、2、3、...、240列的数据线114。

在此，在扫描信号Y3成为H电平时，因为3行1列～3行240列的像素中的TFT116导通，所以对于它们的像素电极118，施加数据信号X1、X2、X3、...、X240，由此，在3行1列～3行240列的像素电容120中，分别写入施加在像素电极118上的数据信号的电压与共用电极108的施加电压LCcom的差电压。

另一方面，因为如果扫描信号Y3是H电平，则栅控制信号Cntg是L电平，所以在电容线驱动电路150中，与第3行的电容线132对应的TFT152截止，TFT154、156导通，其结果，第3行的电容线132与第1供电线165连接，从而成为电压Vsl。因而，在3行1列～3行240列的存储电容130中写入施加在像素电极118上的数据信号的电压与电压Vsl的差电压。

此外，在扫描信号Y3是H电平时，第3行以外的TFT152、154、156都截止，而第3行以外的TFT158的栅电极因其寄生电容而保持电压Von，由于第3行以外的TFT158维持导通，所以第3行以外的电容线132与第2供电线166连接从而成为确定在电压Vsl的状态。

在极性指示信号Pol成为H电平的n帧的期间，以下同样的动作重复到扫描信号Y320成为H电平，由此，分别地，全部的像素电容120分别持续保持施加在像素电极118上的数据信号的电压与共用电极108的电压LCcom的差电压，全部的存储电容130持续保持数据信号的电压与电压Vsl的差电压。

以下，说明极性信号Pol成为L电平的(n+1)帧的动作。

该(n+1)帧的动作主要在以下2点上与n帧的动作不同。即，与n帧的动作的不同在于以下2点：第1，控制电路20将第1电容信号Vc1，如图13所示那样设置成比电压Vsl高ΔV的量的电压Vsh，第2，如果在扫描信号Yi成为H电平之前的时刻输出锁存脉冲Lp，则数据线驱动电路190在第i行，读出第1、2、3、...、240列的像素的显示数据Da，而设定为与该显示数据Da对应并且与负极性对应的电压，作为数据信号X1、X2、X3、...、X240(有关其含义后面说明)。

因而，对于(n+1)帧中的动作，以该不同点为中心，以在扫描信号Yi成为H电平时写入到i行j列的像素电容120中的电压怎样变化这种视角来进行说明。

图14是用于说明(n+1)帧中的i行j列的像素电容120的电压变化的图。

首先，如果扫描信号Yi成为H电平，则如图14(a)所示，因为i行j列的TFT116导通，所以数据信号Xj分别被施加到像素电容120的一端(像素电极118)和存储电容130的一端。

另一方面，如果扫描信号Yi是H电平，则因为电容线驱动电路150中与第i行的电容线132对应的TFT154、156导通，TFT152、158截止，所以第i行的电容线132的电压Ci成为第1供电线165的电压Vsh。而且，共用电极108恒定在电压LCcom。

因而，如果将此时的数据信号Xj的电压设定为Vj，则向i行j列的像素电容120进行电压(Vj-LCcom)的充电，并且向存储电容130进行电压(Vj-Vsh)的充电。

接着，扫描信号Y1成为L电平，并且，在扫描信号Y2成为H电平之前，即，在全部的扫描信号是L电平的期间，栅控制信号Cntg成为H电平。因此，在电容线驱动电路150中，全部的TFT152导通，并且因为向TFT158的栅电极再次施加导通电压，所以全部的TFT158导通。因此，第1～320行的电容线132与第2供电线166连接，从而成为电压Vsl。

在此，第i行的电容线132的电压Ci，如果与扫描信号Yi是H电平时相比，则从电压Vsh向Vsl降低电压ΔV的量，但是，共用电极108恒定在电压LCcom。因而，因为在像素电容120中蓄积的电荷，如图14(b)所示那样，移动到存储电容130中，所以像素电极118的电压降低。详细地说，在像素电容120与存储电容130的串联连接中，因为像素电容120的另一端(共用电极)原样保持电压恒定，存储电容130的另一端降低电压ΔV的量，所以像素电极118的电压也降低。

因此，作为该串联连接点的像素电极118的电压成为：

Vj-{Cs/(Cs+Cpix)}·ΔV，

与扫描信号Yi是H电平时的数据信号的电压Vj相比，降低了第i行的电容线132的电压变化量ΔV乘以像素电容120以及存储电容130的电容比{Cs/(Cs+Cpix)}而得到的值。即，如果第i行的电容线132的电压Ci降低ΔV的量，则像素电极118的电压与扫描信号Yi是H电平时的数据信号的电压Vj相比，降低了{Cs/(Cs+Cpix)}·ΔV(假设＝ΔVpix)的量。但是，忽略了各部分的寄生电容。

在此，在指定负极性写入的(n+1)帧中，将扫描信号Yi是H电平时的数据信号Xj设定成预见了像素电极118降低电压ΔVpix的量的情况的电压Vj。

即，设定成降低后的像素电极118的电压比共用电极108的电压LCcom低，两者的差电压成为与i行j列的灰度等级相应的值。详细地说，在本实施方式中，第1，如图16(a)所示，在成为正极性写入的n帧中，在数据信号从相当于白色w的电压Vw(+)到相当于黑色b的电压Vb(+)的范围、随着灰度等级降低(变暗)而成为比电压LCcom高位侧的电压的情况下，如该图(b)所示，在成为负极性写入的(n+1)帧中，在将像素设置成白色w时设定为电压Vb(+)，在将像素设置成黑色b的情况下设定为电压Vw(+)，从而与正极性的电压范围a相同，使其灰度等级关系反转。

第2，在(n+1)帧中，在写入了数据信号的电压之后，在像素电极118降低了电压ΔVpix的量时，以该像素电极118的电压在从负极性的、相当于白色的电压Vw(-)到相当于黑色的电压Vb(-)的范围、以电压LCcom为基准成为与正极性的电压对称的方式，设定电容线132的电压ΔV的降低量(即，电压Vsh、Vsl)。

由此，在指定负极性写入的(n+1)帧中，降低了电压ΔVpix的量时的像素电极118的电压，在与灰度等级相应的负极性的电压、即从相当于白色w的电压Vw(-)到相当于黑色b的电压Vb(-)的范围、随着灰度等级降低(变暗)，成为与电压LCcom相比低位侧的电压。

此外，在图14中，虽然说明了i行j列的像素电容120以及存储电容130，但同样的动作对于兼用扫描线112以及电容线132的i行来说，都同样地执行。此外，在(n+1)帧中，与n帧同样，因为扫描信号Y1、Y2、Y3、...、Y320依次成为H电平，所以各行中的动作对于第1、2、3、...、320行的像素也被依次执行。

因而，在本实施方式中，虽然指定负极性写入的(n+1)帧中的数据线的电压范围a与指定正极性写入的n帧相同，但移位后的像素电极118的电压成为与灰度等级相应的负极性电压。由此，如果采用本实施方式，则不仅构成数据线驱动电路190的元件的耐压可以变窄，而且因为电容所寄生的数据线114中的电压振幅也变窄，所以也不会因该寄生电容而无用地消耗电能。

而且，虽然使指定了正极性写入时的数据信号的电压范围与指定了负极性写入时的数据信号的电压范围一致，但即使不完全一致，也能够利用电容线132的电压变化抑制数据信号的电压振幅。

对于本实施方式的正极性以及负极性写入中的电压范围而言，如果在与以往的结构的比较下来进行说明，则在以往的结构中，共用电极108保持在电压LCcom，并且电容线132的电压在各帧中保持恒定。

在该结构中，在交流驱动像素电容120的情况下，在某一帧中根据灰度等级对像素电极118施加从正极性的电压Vw(+)到电压Vb(+)的范围的电压时，如果灰度等级没有变化，则在下一帧中必须施加在从与负极性对应的电压Vw(-)至电压Vb(-)的范围的、以电压LCcom为基准反转了的电压。

因此，在共用电极108的电压是恒定的结构中，在设置成电容线132的电压恒定时，因为数据信号的电压跨图16(b)中的范围b，所以构成数据线驱动电路190的元件的耐压也需要与范围b对应。进且，如果在电容所寄生的数据线114中电压在宽的范围b中变化，则会因该寄生电容而无用地消耗电能。

与此相对，在本实施方式中，因为在正极性以及负极性写入中提供给数据线114的数据信号能够取得的电压范围，是比范围b窄的范围a，所以构成数据线驱动电路190的元件的耐压可以变窄，并且，此外，还能够抑制因数据线114的寄生电容而消耗的电能。

此外，如果采用本实施方式，则第i行的电容线132，在扫描信号Yi是H电平时，通过第i行的TFT156的导通而与第1供电线165连接，并且由于因在扫描信号Yi从H变化到L电平后栅控制信号Cntg成为H电平，而在第i行的TFT158的栅电极上因其寄生电容而维持在导通电压Von，所以该TFT158继续导通。因此，第i行的电容线132不会成为与哪部分都不电连接的状态(高阻抗状态)。

对于这一点，如果详细地说明，则在数据信号产生电压变化时，如果电容线132是高阻抗状态，则与数据信号的电压变化的大小以及方向相应的噪声等被重叠，从而电容线132会偏离电压Vsl而变动。例如，在对第i行的像素电容进行的电压写入结束后、为了对下一第(n+1)行的像素进行电压的写入而使提供给第j列的数据线114的数据信号Xj电压上升时，如果第i行的电容线132是高阻抗状态，则如图17所示，该电容线132的电压Ci被重叠了与该电压上升相应的尖噪音N。在此，如果第i行的电容线132从电压Vsl偏离而变动，则电荷的移动将会发生，从而不能使与灰度等级相应的电压保持在第i行的像素电容120中，由此，显示品质将会下降。

与此相对，在本实施方式中，在向扫描线112施加选择电压之间的定时中，将栅控制信号Cntg设置成H电平，从而在TFT158的栅电极上定期地施加导通电压，并使各行的电容线132与第2供电线166连接，从而避免了成为高阻抗状态的情况。因此，全部的电容线132不仅难以受到数据线114的电压变化的影响，而且也难以受到扫描线的电压变化的影响。因此，如果采用本实施方式，则能够抑制因电容线132的电位变动而引起的显示品质的降低。

在上述的说明中，虽然以第1、2、3、...、320行这一顺序进行扫描线112的扫描，但近年，也有要求使显示区域100转动，从而以第320、319、318、...、1行这一相反的顺序进行扫描的情况。在本实施方式中，对于第i行的TFT154、156，利用扫描信号Yi使其导通截止，但对于第i行的TFT152，因为利用与扫描信号的扫描方向没有关系的栅控制信号Cntg使其导通截止，所以仅使扫描信号的输出顺序反转即可。

此外，在本实施方式中，就驱动1行的电容线132而言，利用4个TFT152、154、156、158就足够了。因此，还能够避免驱动与各行对应的电容线132的电容线驱动电路150的复杂化。

此外，图15是示出扫描信号、电容线的电压和像素电极的电压关系的图，用Pix(i，j)表示i行j列的像素电极118的电压变化。在该图中，第i行电容线132中的电压Ci，在扫描信号Yi成为H电平时，与第1供电线165连接从而成为第1电容信号Vc1的电压，在栅控制信号Cntg成为H电平时，因为在第i行的TFT158的栅电极上施加并保持导通电压Von，所以与第2供电线166连接从而维持在第2电容信号Vc2的电压。因此，电压Ci，在扫描信号Yi从H电平变化到L电平后，确定在电压Vsl。此外，电压Ci，在扫描信号Yi成为H电平时，分别地，如果指定的是正极性写入，则确定在电压Vsl，如果指定的是负极性写入，则确定在电压Vsh。

<第3实施方式的应用及变形(其1)>

此外，在本说明中，虽然通过将第2电容信号Vc2设定为恒定在电压Vsl，在指定正极性写入的n帧中，不使第i行的电容线132的电压变化，另一方面，在指定负极性写入的(n+1)帧中，使第i行的电容线132降低电压ΔV的量，从而使在扫描信号Yi是H电平时写入的像素电极118降低ΔVpix的量，但是，也可以与此相反。

即，如图18所示，也可以设置成这样的结构：通过将第2电容信号Vc2设定为恒定在电压Vsh，在指定负极性写入的帧中，不使第i行的电容线132的电压变化，另一方面，在指定正极性写入的帧中，使第i行的电容线132上升ΔV的量，从而使在扫描信号Yi是H电平时写入的像素电极118上升电压ΔVpix的量。

在该结构中，只要数据信号的电压关系使图16(a)以及图16(b)以电压LCcom为基准反转，并且分别将正极性写入改称为负极性写入，将负极性写入改称为正极性写入即可。

<第3实施方式的应用及变形(其2)>

进而，在本说明中，虽然采用在1帧的期间将写入到像素的极性设置成全部相同并使该写入极性按每一帧的期间反转的面反转方式，但是，也可以采用按每一行使写入极性反转的扫描线(行)反转方式。

在采用扫描线反转方式的情况下，极性指示信号Pol，如图19所示，按每一水平扫描期间(H)反转，并且在相邻的帧之间，在着眼于同一扫描信号成为H电平(同一扫描线被选择)的期间时，也成为反转的关系。进而，成为这样的结构：第1电容信号Vc1，在极性指示信号Pol是H电平时，成为电压Vsl，在极性指示信号Pol是L电平时，设置成电压Vsh。

由此，在图19的n帧中，奇数(1，3，5，...，319)行的电容线132，即使对于本行的扫描信号从H电平变为L电平并且栅控制信号Cntg成为H电平，也没有电压变化，而偶数(2，4，6，...，320)行的电容线132，在对于本行的扫描信号从H电平变为L电平并且栅控制信号Cntg成为H电平时，降低电压ΔV的量。因而，在图19的n帧中，在奇数行中执行与图16(a)同样的正极性写入，另一方面，在偶数行中执行与图16(b)同样的负极性写入。

另一方面，在图19的(n+1)帧中，奇数行的电容线132，在对于本行的扫描信号从H电平变为L电平并且栅控制信号Cntg成为H电平时，降低电压ΔV的量，而偶数行的电容线132，即使对于本行的扫描信号从H电平变为L电平并且栅控制信号Cntg成为H电平，也没有电压变化。因而，在图19的(n+1)帧中，在奇数行中执行与图16(b)同样的负极性写入，另一方面，在偶数行中执行与图16(a)同样的正极性写入。

而且，在图19中，虽然将第2电容信号Vc2设置成电压Vsl，但也可以设置成作为电压Vsh、使电容线132的电压上升ΔV的量的结构。

<第3实施方式的应用及变形(其3)>

此外，在这样采用扫描线反转方式的情况下，如图20所示，也可以采用将第2电容信号Vc2设置为恒定在电压LCcom的结构。在将第2电容信号Vc2设置为恒定在电压LCcom的情况下，在图20的n帧中，奇数行的电容线132，在对于本行的扫描信号从H电平变为L电平并且栅控制信号Cntg成为H电平时，从电压Vsl上升到LCcom，偶数行的电容线132，在对于本行的扫描信号从H电平变为L电平并且栅控制信号Cntg成为H电平时，从电压Vsh下降到电压LCcom，另一方面，在(n+1)帧中，奇数行的电容线132，在对于本行的扫描信号从H电平变为L电平并且栅控制信号Cntg成为H电平时，从电压Vsh下降到电压LCcom，偶数行的电容线132，在对于本行的扫描信号从H电平变为L电平并且栅控制信号Cntg成为H电平时，从电压Vsl上升到电压LCcom。

在此，在将从电压Vsl到电压LCcom的上升量(LCcom-Vsl)和从电压Vsh到电压LCcom的下降量(Vsh-LCcom)相等地设置成ΔV时，即，如果设定成电压ΔV＝＝LCcom-Vsl＝Vsh-LCcom，则第i行的电容线132，从扫描信号Yi是H电平时开始到扫描信号Yi成为L电平并且栅控制信号Cntg成为H电平时，变化电压ΔV的量。因而，在本例子中，Vsh-Vsl成为2ΔV，这两个电压Vsh、Vsl的中心是第2电容信号Vc2的电压，成为施加在共用电极108上的电压LCcom。

此外，图21是示出扫描信号、电容线和像素电极的电压关系的图，用Pix(i，j)表示i行j列的像素电极118的电压变化。在该图中，第i行的电容线132中的电压Ci，如果指定正极性写入，则在扫描信号Yi成为H电平时成为电压Vsl，在扫描信号Yi从H电平变为L电平并且栅控制信号Cntg成为H电平时成为电压LCcom，从而上升电压ΔV的量，另一方面，如果指定负极性写入，则在扫描信号Yi成为H电平时成为电压Vsh，在扫描信号Yi从H电平变为L电平并且栅控制信号Cntg成为H电平时成为电压LCcom，从而降低电压ΔV的量。

而且，电压Ci，在扫描信号Yi从H变化为L电平之后，在与第2供电线166连接从而确定在电压Vsl这一点上与图15是相同的。

因为如果电容线132上升或者下降ΔV的量，则像素电极118上升或者下降电压ΔVpix的量，所以将扫描信号成为H电平时的数据信号的电压设定为预见了电压ΔVpix的变动的电压。

详细地说，如果指定正极性写入，则如图22(a)所示，因为由于电压ΔVpix的上升，只要在从电压Vw(+)到电压Vb(+)的范围，从电压LCcom移位到相隔与灰度等级相应的电压量的电压即可，所以对于数据信号的电压而言，只要设定为将电压Vw(+)到电压Vb(+)相反地下降了电压ΔPix的量的电压范围即可。

另一方面，如果指定负极性写入，则如图22(b)所示，因为由于电压ΔVpix的下降，只要在从电压Vw(-)到电压Vb(-)的范围，从电压LCcom移位到相隔与灰度等级相应的电压量的电压即可，所以对于数据信号的电压而言，只要设定为将电压Vw(+)到电压Vb(+)相反地上升了电压ΔPix的量的电压范围即可。

此时，如果以指定了正极性写入时的数据信号的电压范围与指定了负极性写入时的数据信号的电压范围在范围d上一致的方式设定电压ΔV(电压Vsh，Vsl)，则能够将数据信号的电压振幅抑制在最小。

此外，图22中的电压范围a，在常白模式中，在指定正极性写入的情况下，白色w侧成为低位，黑色b侧成为高位，而在指定负极性写入的情况下，白色w侧成为高位，黑色b侧成为低位，灰度等级的关系逆转。

<第3实施方式的应用及变形(其4)>

在上述电容线驱动电路150的第i行中，TFT154、156导通的期间是扫描信号Yi成为H电平的期间，此外，TFT152导通的期间是栅控制信号Cntg成为H电平的期间，与此相对，第i行的TFT158导通的期间跨第i行的非选择期间(扫描信号Yi成为L电平的期间)的大致整个过程。因此，对于TFT158而言，如果与TFT152、154、156相比较，则因为成为导通状态的期间显著长，所以晶体管特性容易劣化。而且，在此所谓的晶体管特性的劣化，是指作为开关用于导通的栅电压(阈值电压)随时间经过而增高。因此，随着长期使用，TFT158在非选择期间不会导通这种误动作的可能性会增高。

因而，说明以将这种误动作的可能性抑制得较低为目的的应用例。

图23是示出该应用例的电光装置的结构的方框图。

如该图所示，在应用例中，TFT158分为TFT158a、158b这2个系统，从而交替地来使用。

详细地说，在应用例的电容线驱动电路150中，在各行中分为a系统和b系统。其中，a系统具有TFT152a、154a、158a，其中，TFT152a的源电极与第1导通电压供电线161a连接。此外，b系统具有TFT152b、154b、158b，其中，TFT152b的源电极与第2导通电压供电线161b连接。

该应用例中的控制电路20，分别将信号Von-a提供给第1导通电压供电线161a，将信号Von-b提供给第2导通电压供电线161b。作为该信号Von-a、Von-b的电压波形的一个例子，例如如图24所示，在n帧中，信号Von-a成为导通电压Von，信号Von-b成为截止电压Voff，在下一(n+1)帧中，信号Von-a成为截止电压Voff，信号Von-b成为导通电压Von。

在该例子中，在扫描信号Yi从H电平变为L电平并且栅控制信号Cntg成为H电平时，将第i行的电容线132连接在第2供电线166上的，在信号Von-a成为导通电压Von的n帧中是TFT158a，在信号Von-b成为导通电压Von的(n+1)帧中是TFT158b。因此，如果采用应用例，则在着眼于TFT158a、158b中的任意一个时导通的期间，因为与第3实施方式中的TFT158比较成为一半，所以可以将因长时间使用而引起的误动作的可行性抑制得较低。

而且，在该应用例中，作为第1电容信号Vc1、第2电容信号Vc2、极性指示信号PoL，也可以应用图13、图18、图19、图20中的任意一个。

此外，在本应用例中，也可以设置成这样的结构：将第3实施方式中的导通电压供电线161分为第1导通电压供电线161a和第2导通电压供电线161b，将TFT152a的源电极与第1导通电压供电线161a连接，将TFT152b的源电极与第2导通电压供电线161b连接，而将栅控制信号Cntg分为2个系统，向TFT152a的栅电极提供一个系统的栅控制信号Cntg，向TFT152b的栅电极提供另一系统的栅控制信号Cntg。

此外，在本应用例中，结构是：在非选择期间，按每一帧的期间，使将电容线132连接在第2供电线166上的晶体管在TFT158a、158b之间进行切换，但是，并不限于此。进而，也可以采用这样的结构：不需要周期性地进行切换，而是例如在每次电源接通(断开)时进行切换。

在该应用例中，虽然所示出的是将TFT158分为2个TFT158a、158b的结构，但是，也可以设置成作为大于等于3个、以规定的顺序进行切换并使用的结构。即，因为应用例的目的是缩短使任意一个TFT158导通的期间(增长使其截止的期间)，从而减少晶体管特性的劣化，所以只要是在非选择期间，在多个TFT158中，使其中的至少1个或1个以上截止、1个或1个以上导通并且以规定的顺序切换导通的TFT158的结构即可。

<第4实施方式>

以下，说明本发明的第4实施方式。图25是示出第4实施方式的电光装置的结构的方框图。

该图所示的结构与第3实施方式(参照图10)的不同点在于：在电容线驱动电路150的各行中设置有TFT155(第5晶体管)。因而，如果以该点为中心来说明，则电容线驱动电路150中的TFT155，与第1～320行的电容线132对应地设置。在此，如果用第i行来说明，则TFT155的栅电极与下一行、即第(n+1)行的扫描线112连接，源电极与导通电压供电线161连接，其漏电极与第i行的TFT152、154的漏电极一同连接到第i行的TFT158的栅电极。

而且，在第4实施方式中，为了与像素排列的最终行、即第320行对应，将第321行的扫描线112设置为虚线，并且扫描线驱动电路140向作为该虚线的扫描线112提供扫描信号Y321。

图26是示出第4实施方式中、元件基板中的电容线驱动电路150与显示区域100的边界附近的结构的平面图。

在该图中，与第3实施方式(参照图22)不同的部分在于：TFT152向图中的上方转移设置，并且在通过其转移设置而产生空间的区域设置有TFT155。第i行的TFT155的栅电极是从第(i+1)行的扫描线112向Y(上)方向T字状地分支而成的部分。此外，TFT152、154、155的共用漏电极经由接触孔与TFT158的栅电极连接。

而且，在图26中，在将TFT155的晶体管尺寸表示为Tr5时，设置成Tr2＝Tr3＝Tr4＞Tr1＝Tr5，但是，如后面说明的那样，因为理想的是TFT156的导通电阻小，所以也可以设置成Tr3≥Tr4≥Tr1＝Tr2＝Tr5。

在该第4实施方式的电容线驱动电路150中，对于各行的TFT158的栅电极施加导通电压Von是在栅控制信号Cntg成为H电平时或者下一行的扫描信号成为H电平时的任意一个时刻。在此，在本行的扫描信号成为H电平之后下一行的扫描信号成为H电平，即，如果是第i行，则在扫描信号Yi成为H电平之后下一行的扫描信号(i+1)成为H电平。因此，如果采用第4实施方式，则即使不特别提供栅控制信号Cntg，也能够在TFT158的栅电极上保持导通电压Von，维持TFT158的导通，从而将电容线132确定在第2电容信号Vc2的电压。

可是，近年来，除了使用全部的像素进行显示的模式(全画面显示模式)之外，还可能根据动作状态适宜地切换到仅使用与一部分行有关的像素进行时间、图标等的显示并且对于其他的像素而言使之关闭的模式(局部显示模式)。

在局部显示模式中，因为对在显示中使用的行的扫描线提供与全画面显示模式相同的扫描信号，所以在扫描信号成为H电平的周期上没有变化。但是，对于在显示中未使用的(设置为非显示)的行的扫描线而言，因为仅对像素写入截止电平(常白模式中的白色显示电压)，所以扫描信号成为H电平的周期与全画面显示模式相比变得极长。

例如，在使用第1～320行中的第81～160行的像素进行显示、对于其他的行设置成非显示那样的局部显示模式中，扫描信号Y1～Y321，如图27所示那样，对于扫描信号Y81～Y160而言，在每1帧的期间中依次成为H电平，而对于扫描信号Y1～Y80以及Y161～Y321而言，只不过以多个帧期间1次的比例成为H电平。

因此，在图25所示的结构中，当在局部显示模式的情况下假定了不提供栅控制信号Cntg的结构时，对于设定为非显示的行的TFT158的栅电极施加导通电压Von的间隔变长，从而会因该栅电极的泄漏而不能维持导通电压Von。如果在栅电极上不能维持导通电压Von，则会因为TFT158截止，而使电容线132成为高阻抗状态，从而因电压变化而引起显示品质的降低。

此外，如果设置成在TFT158的栅电极上主动地附加电容的结构，则虽然能够抑制因泄漏而产生的影响，但如果附加电容，则存在边框会变宽一个所附加的电容的量的问题。

因而，在局部显示模式的情况下，如图27所示，通过在任意一个扫描信号都成为L电平的期间定期地提供成为H电平的栅控制信号Cntg，即使对于下一行的扫描信号(i+1)成为H电平的周期变长，不附加电容，也能够将第i行的TFT158的栅电极保持在导通电压Von。

而且，在图27所示的栅控制信号Cntg的例子中，虽然按每1帧的期间成为H电平，但只要是在全部的扫描信号是L电平的期间定期地成为H电平即可。因此，在栅控制信号Cntg的例子中，也可以包含第3实施方式，在全部的扫描信号Y1～Y320是L电平的期间，例如每选择2行的扫描线时成为H电平。

<第5实施方式>

以下，说明本发明的第5实施方式。图28是示出本发明的第5实施方式的电光装置的结构的方框图。

该图所示的结构与第3实施方式(参照图10)的不同点主要在于：在电容线驱动电路150的各行中进一步设置TFT159(第6晶体管)这一点；以及设置有检测线168、运算放大器30以及电阻元件32这一点。

因而，如果以这些点为中心来说明，则电容线驱动电路150中的TFT159与1～320行的电容线132对应地设置。在此，如果用第i行的TFT159来说明，则其栅电极与第i行的扫描线112连接，源电极与第i行的电容线132(即，第i行的TFT156、158的共用漏电极)连接，漏电极与检测线168连接。

另一方面，在第5实施方式中，将来自控制电路20的第1电容信号Vc1提供给运算放大器30的非反转输入端(+)，将检测线168与运算放大器30的反转输入端(-)连接。由运算放大器30产生的输出信号提供给第1供电线165并且经由电阻元件32反馈给运算放大器30的反转输入端(-)。

图29是示出第5实施方式中、元件基板中的电容线驱动电路150与显示区域100的边界附近的结构的平面图。

在该图中，与第3实施方式(参照图12)不同的部分在于：检测线168，以与第1供电线165并联地在Y方向上延伸的方式并且比第1供电线165更靠近TFT156、158地进行设置，进而，在每一行上设置TFT159。

在此，TFT159的栅电极是从扫描线112向Y(下)方向T字状地分支而成的部分，与TFT156的栅电极共用。此外，TFT156的源电极是从第1供电线165分支延伸并且与检测线168上跨交叉的宽幅的部分。

在检测线168中，与由栅电极层构成的扫描线112和电容线132上跨交叉的部分由与第1供电线165相同的第3导电层构成，而与TFT156的源电极(第1供电线165的宽幅部分)交叉的部分由栅电极层构成。因此，在检测线168中，在每一行上设置2处接触孔，从而实现与由第3导电层构成的布线部分和由栅电极层构成的布线部分的交替电导通，并且检测线168在Y方向上延伸。

在第5实施方式的电光装置10中，说明第i行的扫描信号成为H电平时的动作。图30是示出在扫描信号Yi成为H电平时的电容线驱动电路150的等价电路的图。

如果扫描信号Yi成为H电平，则如该图所示，电容线驱动电路150中的第i行的TFT154、156、159导通。如果第i行的TFT154导通，则因为将TFT158的栅电极与截止电压供电线162连接，所以第i行的TFT158成为截止。此外，如果第i行的TFT156、159导通，则被提供运算放大器30的输出信号的第1供电线165与第i行电容线132连接，另一方面，只有第i行的电容线132与检测线168连接。

因此，运算放大器30执行以下那样的动作。即，如果经由检测线168检测到的第i行的电容线132的电压比提供给非反转输入端(+)的第1电容信号Vc1的电压低，则运算放大器30提高输出端的电压，相反，如果第i行的电容线132比第1电容信号Vc1的电压高，则降低输出端的电压。因而，如果采用第5实施方式，则在扫描信号Yi成为H电平时，施加在第i行的电容线132上的电压结果是均衡在与第1电容信号Vc1的电压一致的电压上。

这样的动作，在扫描信号Y1、Y2、Y3、...、Y320成为高电平时，对于第1、2、3、...、320行的电容线132的各个执行。

而且，扫描信号成为H电平从而将电容线132连接在第1供电线165上时的动作以外的动作，与第3实施方式是相同的。

此外，因为在栅控制信号Cntg成为H电平时，即，在全部的扫描信号都成为L电平时，检测线168不与任意一条电容线132连接，所以运算放大器30作为电压放大率“+1”的缓冲电路而发挥作用。

如果假设因TFT156的能力不足的原因，在导通时不能对第i行的电容线132施加电压Vsl或者Vsh的情况下，因为作为前提的移位前的电压不正确，所以有可能损伤显示品质。与此相对，如果采用第5实施方式，则因为在扫描信号Yi成为H电平时能够正确地利用运算放大器30的反馈控制向第i行的电容线132施加第1电容信号Vc1的电压，所以不会损伤显示品质。

此外，如果采用第5实施方式，则因为即使TFT156的导通电阻增大，也能够在扫描信号Yi成为H电平时正确地利用运算放大器30的反馈控制向第i行的电容线132施加第1电容信号Vc1的电压，所以对于TFT156不需要大的晶体管尺寸。因此，在第3实施方式中，电容线驱动电路150所需要的空间能够减少，可以使显示区域以外的、所谓的边框变窄。

进而，即使第1～320行的TFT156的导通电阻产生了偏差，也因为在第1～320行的电容线132的各个上，在对应的行的扫描信号成为H电平时，能够相等地施加第1电容信号Vc1的电压，所以能够抑制由电压移位前的电压不均匀引起的显示不均等的发生。

<应用及变形>

在各实施方式中，虽然采用作为像素电容120、用像素电极118和共用电极108夹持液晶105并将对液晶施加的电场方向设置成与基板面垂直方向的结构，但也可以应用于将像素电极、绝缘层以及共用电极层叠并将对液晶施加的电场方向设置成基板面水平方向的结构，例如可以应用于IPS(in plain switching，平面切换)模式、作为其变形的FFS(fringe fieldswitching，边缘场切换)模式等。

另一方面，在各实施方式中，虽然将垂直扫描方向设置成在图10中从上向下的方向，但也可以如上所述将垂直扫描方向设置成从下向上的方向。

此外，在上述的各实施方式中，在将像素电容120作为单位来看时，虽然按每1帧的期间使写入极性反转，但因为其原因只不过是为了交流驱动像素电容120，所以其反转周期也可以是大于等于2帧期间的周期。

进而，虽然像素电容120设置成常白模式，但也可以设置成在无电压施加状态下成为暗的状态的常黑模式。此外，可以用R(红)、G(绿)、B(蓝)3个像素构成1点，从而进行彩色显示，进而，也可以增加另一种颜色(例如蓝绿色(C))，并用这4种颜色的像素构成1点，从而设置成改善了色再现性的结构。

在上述的说明中，虽然将写入极性的基准设置为施加在共用电极108上的电压LCcom，但这是在像素110中的TFT116作为理想的开关发挥作用时的情况，实际上，因TFT116的源漏间的寄生电容，在从导通变化为截止状态时，会产生漏(像素电极118)的电位下降的现象(称为下推(プツシユダウン)、穿通(突き抜け)、馈通(フイ一ルドスル一)等)。为了防止液晶的劣化，对于像素电容120必须进行交流驱动，而如果将对于共用电极108的施加电压LCcom作为写入极性的基准进行交流驱动，则会因为下推，而使得由负极性写入形成的像素电容120的电压有效值比由正极性写入形成的有效值大一些(TFT116是n沟道的情况)。因此，实际上，可以分别设置写入极性的基准电压和共用电极108的电压LCcom，详细地说，可以将写入极性的基准电压偏移设定为与电压LCcom相比的高位侧，以抵消下推的影响。

进而，存储电容130因为直流绝缘，所以只要施加在第1供电线165和第2供电线166上的电位差的量处于上述的关系即可，例如与电压LCcom的电位差是几伏特都可以。

<电子设备>

以下，说明具有上述的实施方式的电光装置10作为显示装置的电子设备。图31是示出使用了实施方式的电光装置10的移动电话1200的结构的图。

如该图所示，移动电话1200，除了多个操作按钮1202之外，与受话口1204、送话口1206一同还具备上述的电光装置10。而且，在电光装置10中，对于相当于显示区域100的部分的构成要素而言，并未作为外观出现。

而且，作为应用电光装置10的电子设备，除了图31所示的移动电话之外，还可以列举出数字照相机、笔记本电脑、液晶电视、取景器型(或者监视器直视型)录像机、汽车导航装置、寻呼机、电子记事簿、电子计算器、文字处理机、工作站、电视电话、POS终端、具有触摸面板的设备等。此外，作为这各种电子设备的显示装置，当然可以应用上述的电光装置10。

Claims (16)

1.一种电光装置的驱动电路，该电光装置具备：

多条扫描线、多条数据线、与上述多条扫描线对应地设置的多条电容线；

与上述多条扫描线和上述多条数据线的交叉对应地设置的像素，该各个像素包括：像素开关元件，其与数据线、扫描线以及像素电极连接，并且在所连接的该扫描线被选择时，上述像素电极与上述数据线成为导通状态；插入在上述像素电极与共用电极之间的像素电容；以及插入在上述像素电极和与上述扫描线对应地设置的电容线之间的存储电容；

其特征在于，该电光装置的驱动电路具备：

以规定的顺序选择上述扫描线的扫描线驱动电路；

电容线驱动电路，其对于与一条扫描线对应地设置的电容线，在该一条扫描线被选择时，选择第1供电线，在与该一条扫描线相隔规定行的扫描线、即在该一条扫描线之后选择的扫描线被选择之后到该一条扫描线再次被选择之前，选择第2供电线，从而施加所分别选择的供电线的电压，并且在全部的扫描线是非选择的期间，对全部的电容线施加上述第2供电线的电压；以及

数据线驱动电路，其对于与所选择的扫描线对应的像素，经由数据线提供与该像素的灰度等级对应的数据信号。

2.根据权利要求1所述的电光装置的驱动电路，其特征在于：其构成为能够选择将整个画面作为显示区域的全画面显示模式和将上述整个画面中的一部分区域作为显示区域、将其他区域作为非显示区域的局部显示模式，并且，上述电容线驱动电路，在上述局部显示模式中，在全部的扫描线是非选择的期间，对于全部的电容线施加上述第2供电线的电压。

3.根据权利要求1或者2所述的电光装置的驱动电路，其特征在于：

上述电容线驱动电路，与上述电容线的各个对应地具有第1至第5晶体管；

与一条电容线对应的上述第1晶体管其栅电极连接到与该一条电容线所对应的扫描线相隔规定行的扫描线，源电极与导通电压供电线连接，该导通电压供电线提供用于使上述第4晶体管导通的导通电压；

上述第2晶体管其栅电极与该一条电容线所对应的扫描线连接，源电极与截止电压供电线连接，该截止电压供电线提供用于使上述第4晶体管截止的截止电压；

上述第3晶体管其栅电极与该一条电容线所对应的扫描线连接，源电极与上述第1供电线连接；

上述第4晶体管其栅电极与上述第1和第2晶体管的漏电极共同连接，源电极与上述第2供电线连接；

上述第5晶体管其栅电极与导通截止电压供电线连接，源电极与上述第2供电线连接，该导通截止电压供电线提供用于使该第5晶体管自身导通或者截止的导通电压或者截止电压；

上述第3、第4以及第5晶体管的漏电极与该一条电容线连接；

在全部的扫描线是非选择的期间，将上述导通截止电压供电线的电压控制为上述导通电压。

4.根据权利要求1至3的任意一项所述的电光装置的驱动电路，其特征在于：上述第1以及第2供电线的电压被设定为，在与一条电容线所对应的扫描线相隔规定行的扫描线被选择时，使该一条电容线的电压变化。

5.根据权利要求4所述的电光装置的驱动电路，其特征在于：上述第1供电线的电压，以规定的周期在不同的2个电压间切换，并且上述第2供电线的电压是恒定的。

6.根据权利要求1至5的任意一项所述的电光装置的驱动电路，其特征在于，具备：

修正电路，在上述一条扫描线被选择时，其向上述第1供电线提供这样的电压信号，即与该一条扫描线对应的电容线的检测电压成为目标电压的电压信号。

7.一种电光装置，其特征在于，具备：

多条扫描线、多条数据线、与上述多条扫描线对应地设置的多条电容线；

与上述多条扫描线和上述多条数据线的交叉对应地设置的像素，该各个像素包括：像素开关元件，其与数据线、扫描线以及像素电极连接，并且在所连接的该扫描线被选择时，上述像素电极与上述数据线成为导通状态；插入在上述像素电极与共用电极之间的像素电容；以及插入在上述像素电极和与上述扫描线对应地设置的电容线之间的存储电容；

以规定的顺序选择上述扫描线的扫描线驱动电路；

电容线驱动电路，其对于与一条扫描线对应地设置的电容线，在该一条扫描线被选择时，选择第1供电线，在与该一条扫描线相隔规定行的扫描线、即在该一条扫描线之后选择的扫描线被选择之后到该一条扫描线再次被选择之前，选择第2供电线，从而施加所分别选择的供电线的电压，并且在全部的扫描线是非选择的期间，对全部的电容线施加上述第2供电线的电压；以及

数据线驱动电路，其对于与所选择的扫描线对应的像素，经由数据线提供与该像素的灰度等级对应的数据信号。

8.一种电光装置的驱动电路，该电光装置具有：

多行扫描线；

多列数据线；

与上述多行扫描线的各个对应地设置的电容线；

与上述多行扫描线和上述多列数据线的交叉对应地设置的像素，该各个像素包括：一端与数据线连接并且在扫描线被选择时一端与另一端之间成为导通状态的像素开关元件；一端与上述像素开关元件的另一端连接、另一端与共用电极连接的像素电容；插入在上述像素电容的一端和与上述扫描线对应的电容线之间的存储电容；

其特征在于，该电光装置的驱动电路具备：

以规定的顺序选择上述扫描线的扫描线驱动电路；

电容线驱动电路，其对于与一条扫描线对应地设置的电容线，在该一条扫描线被选择时，使该电容线连接到第1供电线，在该选择结束后继续向第2供电线的连接；以及

数据线驱动电路，其对于与所选择的扫描线对应的像素，经由数据线提供与该像素的灰度等级对应的数据信号；

其中，将该一条扫描线被选择时的第1供电线的电压设定为与上述第2供电线的电压不同。

9.根据权利要求8所述的电光装置的驱动电路，其特征在于：

上述第1供电线的电压，以规定的周期在不同的2个电压间切换；

上述第2供电线的电压是恒定的。

10.根据权利要求9所述的电光装置的驱动电路，其特征在于：

将上述第2供电线的电压设定为上述第1供电线中的2个电压的中间值。

11.根据权利要求8所述的电光装置的驱动电路，其特征在于：

上述电容线驱动电路，与上述多行电容线的各个对应地具有第1、第2、第3以及第4晶体管；

与一条电容线对应的上述第1晶体管其栅电极与栅控制线连接，源电极与导通电压供电线连接，该导通电压供电线提供用于使上述第4晶体管导通的导通电压；

上述第2晶体管其栅电极与该一条电容线所对应的扫描线连接，源电极与截止电压供电线连接，该截止电压供电线提供用于使上述第4晶体管截止的截止电压；

上述第3晶体管其栅电极与该一条电容线所对应的扫描线连接，源电极与上述第1供电线连接；

上述第4晶体管其栅电极与上述第1和第2晶体管的漏电极共同连接，源电极与上述第2供电线连接；

上述第3以及第4晶体管的漏电极与该一条电容线连接。

12.根据权利要求11所述的电光装置的驱动电路，其特征在于：

对于一条电容线，具有多个上述第1、第2以及第4晶体管的组；

从上述多个组中以规定的顺序切换将该一条电容线与上述第2供电线连接的第4晶体管。

13.根据权利要求11所述的电光装置的驱动电路，其特征在于：

上述电容线驱动电路，与上述多行电容线的各个对应地进一步具有第5晶体管；

与一条电容线对应的上述第5晶体管其栅电极与在该一条电容线所对应的扫描线的下一个选择的扫描线连接，源电极与上述导通电压供电线连接，漏电极与上述第1以及第2晶体管的漏电极连接。

14.根据权利要求11至13的任意一项所述的电光装置的驱动电路，其特征在于，具有：

运算放大器；以及

与上述多行电容线的各个对应的第6晶体管；

与一条电容线对应的上述第6晶体管其栅电极与该一条电容线所对应的扫描线连接，源电极与该一条电容线连接，漏电极与检测线连接；

上述运算放大器，以在该一条扫描线被选择时的检测线的电压成为目标电压的方式控制第1供电线的电压。

15.一种电光装置，其特征在于，具备：

多行扫描线；

多列数据线；

与上述多行扫描线的各个对应地设置的电容线；

与上述多行扫描线和上述多列数据线的交叉对应地设置的像素，该各个像素包括：一端与数据线连接并且在扫描线被选择时成为导通状态的像素开关元件；一端与上述像素开关元件的另一端连接、另一端与共用电极连接的像素电容；插入在上述像素电容的一端和与上述扫描线对应的电容线之间的存储电容；

以规定的顺序选择上述扫描线的扫描线驱动电路；

电容线驱动电路，其对于与一条扫描线对应地设置的电容线，在该一条扫描线被选择时，使该电容线连接到第1供电线，在该选择结束后继续向第2供电线的连接；以及

数据线驱动电路，其对于与所选择的扫描线对应的像素，经由数据线提供与该像素的灰度等级对应的数据信号；

其中，将该一条扫描线被选择时的第1供电线的电压设定为与上述第2供电线的电压不同。

16.一种电子设备，其特征在于：具有权利要求7或者权利要求15所述的电光装置。

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