CN117007617A - 一种平板探测器、其驱动方法及x射线探测装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种平板探测器、其驱动方法及X射线探测装置，其中，该平板探测器，包括：衬底基板，位于所述衬底基板上的多条数据线，分别与各条所述数据线的一端耦接的多路选择电路，以及分别与各条所述数据线的另一端一一对应耦接的多个保持电容，其中，各个所述保持电容用于在通过所述多路选择电路读取耦接的所述数据线的检测信号时，保持其他所述数据线的电位为固定电位。用于避免平板探测器数据读取过程中的噪声干扰，提高平板探测器的图像质量。

Description

一种平板探测器、其驱动方法及X射线探测装置

技术领域

本发明涉及探测技术领域，特别涉及一种平板探测器、其驱动方法及X射线探测装置。

背景技术

X射线具有很高的穿透本领，能透过许多对可见光不透明的物质，比如，墨纸、木料等。由于X-Ray探测器(FPXD)可以感应透过物体后X射线的强弱分布，从而在显示界面中显示出物体的内部结构图像，在医学、科学及工业上都有很大范围的应用。

现有的X射线探测装置通常采用平板探测器(Flat Panel Detector，FPD)，以将X射线信息转化为数字图像信息。一般平板探测器包括交叉设置的多条栅线和多条数据线，以及由栅线和数据线限定的光敏像素，各光敏像素中可以包括光电二极管和与光电二极管耦接的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)。并且，TFT还与栅线和数据线连接。在工作时，通过位于平板探测器表面的闪烁体将透过人体后衰减的X射线转换为可见光，光电二极管将可见光转换为电信号，在光电二极管自身的电容上形成存储电荷，通过栅线传输的栅极扫描信号驱动各光敏像素打开，以通过光敏像素连接的数据线读出各个光敏像素的存储电荷，从而根据存储电荷形成X射线数字影像。随着平板探测器刷新频率越来越高，晶体管打开时间越来越短，传输电信号的延迟较大，降低了X射线数字影像的精确度。

发明内容

本发明提供了一种平板探测器、其驱动方法及X射线探测装置，用于避免平板探测器数据读取过程中的噪声干扰，提高平板探测器的图像质量。

第一方面，本发明实施例提供了一种平板探测器，包括：

衬底基板，位于所述衬底基板上的多条数据线，分别与各条所述数据线的一端耦接的多路选择电路，以及分别与各条所述数据线的另一端一一对应耦接的多个保持电容，其中，各个所述保持电容用于在通过所述多路选择电路读取耦接的所述数据线的检测信号时，保持其他所述数据线的电位为固定电位。

在一种可能的实现方式中，各个所述保持电容包括依次背离所述衬底基板的第一极板和第二极板，所述第二极板与相应的所述数据线的另一端耦接，所述第一极板相互连接且电位为所述固定电位。

在一种可能的实现方式中，所述平板探测器还包括与所述多路选择电路耦接的读取电路，在所述读取电路通过所述多路选择电路读取所述检测信号时，所述读取电路的参考电位为所述固定电位。

在一种可能的实现方式中，各个所述保持电容的电容值均相同。

在一种可能的实现方式中，所述衬底基板包括探测区域和包围所述探测区域的周边区域，各条所述数据线沿所述探测区域指向所述周边区域的方向延伸，各个所述保持电容设置在靠近相应的所述数据线的另一端的一侧。

在一种可能的实现方式中，所述多个保持电容位于所述探测区域或者所述周边区域。

在一种可能的实现方式中，所述探测区域包括依次背离所述衬底基板的栅极层、栅绝缘层、半导体层、第一导电层、层间绝缘层、第二导电层、光电感应层、透明走线层和偏压电极层；各个所述第一极板与所述第一导电层同层制作，各个所述第二极板与所述偏压电极层同层制作。

在一种可能的实现方式中，所述探测区域还包括位于所述透明走线层和所述偏压电极层之间且依次背离所述衬底基板的第一钝化层、平坦层和第二钝化层，各个所述第一极板和所述第二极板之间的中间介质层，与所述层间绝缘层、所述第一钝化层和所述第二钝化层中的至少一个膜层同层制作。

在一种可能的实现方式中，所述平板探测器还包括位于所述周边区域的多个绑定电极，各个所述第一极板通过贯穿所述第一钝化层、所述平坦层和所述第二钝化层的过孔与所述透明电极层耦接，且与所述多个绑定电极耦接。

在一种可能的实现方式中，所述平板探测器还包括位于所述周边区域的系统主板和与所述系统主板耦接的栅极驱动电路，所述多个绑定电极位于所述栅极驱动电路上。

在一种可能的实现方式中，所述平板探测器还包括位于所述周边区域与所述读取电路耦接的系统主板，所述多个绑定电极位于所述读取电路上。

在一种可能的实现方式中，所述平板探测器还包括呈阵列排布的多个探测单元，各个所述探测单元包括开关控制单元，所述多路选择电路包括多个开关选择单元，其中，各个所述开关选择单元与相应的所述数据线的一端耦接，各个所述开关选择单元所包括的晶体管的有源层，和各个所述开关控制单元所包括的晶体管的有源层均为低温多晶硅材料。

第二方面，本发明实施例还提供了一种X射线探测装置，包括：

如上面任一项所述的平板探测器。

第三方面，本发明实施例还提供了一种如上面任一项所述的平板探测器的驱动方法，包括：

在通过所述多路选择电路读取所述检测信号时，向各个所述保持电容加载固定电位。

本发明的有益效果如下：

本发明实施例提供了一种平板探测器、其驱动方法及X射线探测装置，其中，该平板探测器包括衬底基板，位于该衬底基板上的多条数据线，分别与各条数据线的一端耦接的多路选择电路，以及分别与各条数据线的另一端一一对应耦接的多个保持电容；这样的话，各条数据线的一端耦接多路选择电路，另一端一一对应耦接多个保持电容。而且，各个保持电容用于在通过多路选择电路读取耦接的数据线的检测信号时，保持其他数据线的电位为固定电位。由于在通过多路选择电路读取耦接的数据线的检测信号时，各个保持电容保持其他数据线的电位为固定电位，这样的话，在通过多路选择电路读取耦接的数据线的检测信号的过程中，不会引入来自其他数据线的噪声，从而避免了平板探测器数据读取过程中的噪声干扰，提高了平板探测器的图像质量。

附图说明

图1为本发明实施例提供的一种平板探测器的其中部分电路结构示意图；

图2为图1所示的电路结构的其中一种时序示意图；

图3为本发明实施例提供的一种平板探测器的其中一种结构示意图；

图4为本发明实施例提供的一种平板探测器的其中一种结构示意图；

图5为本发明实施例提供的一种平板探测器的其中一种结构示意图；

图6为本发明实施例提供的一种平板探测器的其中一种结构示意图；

图7为沿图3中MM所示方向的其中一种剖面结构示意图；

图8为沿图3中NN所示方向的其中一种剖面结构示意图；

图9为本发明实施例提供的一种平板探测器的其中一种结构示意图；

图10为本发明实施例提供的一种平板探测器的其中一种结构示意图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。并且在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

除非另外定义，本发明使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明中使用的“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。

需要注意的是，附图中各图形的尺寸和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。并且自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。

本发明人在实际研究中发现，平板探测器所采用的用于读取检测信号的读取芯片(Read out Integrated Circuit，ROIC)数量较多，从而导致成本较高。而且因绑定(Bonding)工艺限制，无法有效减小产品尺寸。结合图1和图2所示，可以考虑通过增设多路复用(Multiplex，MUX)单元来读取信号，其中，图1为平板探测器的其中部分电路结构示意图，图2为图1对应的其中一种时序示意图，其中，Gate1表示第一行栅线，Gate2表示第二行栅线，Gate3表示第三行栅线。然而，同一MUX单元中不同信号线之间存在相互干扰。以图1中的MUX单元00包括Mux01、Mux02和Mux03在内的三个为例，该三个MUX单元分别用于控制三列像素的信号采集。当第一列像素进行采集时，其它两列像素的TFT处于关闭状态。由于工艺缺陷TFT存在漏电流，处在关闭状态的两列信号线上的电子仍会经过相应的TFT漏到正在采集的第一列信号中，最终形成图像噪声。

鉴于此，本发明实施例提供了一种平板探测器、其驱动方法及X射线探测装置。

如图3所示，本发明实施例提供了一种平板探测器，包括：

衬底基板10，位于所述衬底基板10上的多条数据线D，分别与各条所述数据线D的一端耦接的多路选择电路20，以及分别与各条所述数据线D的另一端一一对应耦接的多个保持电容30，其中，各个所述保持电容30用于在通过所述多路选择电路20读取耦接的所述数据线D的检测信号时，保持其他所述数据线D的电位为固定电位。

本发明实施例提供的上述平板探测器，通过在各条数据线D的一端耦接多路选择电路20，在各条数据线D的另一端一一对应耦接多个保持电容30，而且，各个保持电容30用于在通过多路选择电路20读取耦接的数据线D的检测信号时，保持其他数据线D的电位为固定电位。由于在通过多路选择电路20读取耦接的数据线D的检测信号时，各个保持电容30保持其他数据线D的电位为固定电位，这样的话，在通过多路选择电路20读取耦接的数据线D的检测信号的过程中，不会引入来自其他数据线D的噪声，从而避免了平板探测器数据读取过程中的噪声干扰，提高了平板探测器的图像质量。

在本发明实施例中，如图4所示，各个所述保持电容30包括依次背离所述衬底基板10的第一极板301和第二极板302，所述第二极板302与相应的所述数据线D的另一端耦接，所述第一极板301相互连接且电位为所述固定电位。

仍结合图4所示，各个保持电容30包括依次背离衬底基板10的第一极板301和第二极板302，各个第二极板302与相应的数据线D的另一端耦接，各个第一极板301相互连接且电位为固定电位，其中，REF表示固定电位。如此一来，提高了平板探测器在通过多路选择电路20读取耦接的数据线D的检测信号时的抗噪声能力。

在本发明实施例中，所述平板探测器还包括与所述多路选择电路20耦接的读取电路40，在所述读取电路40通过所述多路选择电路20读取所述检测信号时，所述读取电路40的参考电位为所述固定电位。

在具体实施过程中，各个多路选择电路20包括多个多路选择单元201，每个多路选择单元201与多条数据线D的一端耦接。平板探测器还包括与多路选择电路20耦接的读取电路40，每个读取电路40包括与多个多路选择单元201一一对应耦接的多个读取单元400。其中，多个读取单元400的设置数量与多个多路选择单元201的设置数量相同，且二者一一对应设置。在图5所示的示例性实施例中，各个多路选择单元201与三条数据线D耦接，一个多路选择电路20与一个读取电路40耦接。当然，还可以根据实际应用需要来设置多路选择单元201的数量以及读取单元400的数量，以及各个多路选择单元201所耦接的数据线D的条数，在此不做限定。此外，由于在本发明实施例中在各条数据线D的一端耦接多路选择电路20，从而简化了读取电路40中多个读取单元400的数量，降低了平板探测器的制作成本，同时有效减小了产品的尺寸，保证了平板探测器的轻薄化设计。

在本发明实施例中，仍结合图5所示，读取电路40中每个读取单元400可以为ROIC，具体可以包括运算放大器OP、积分电容CF和复位控制开关INTRST；其中，运算放大器OP的正相输入端用于接收参考电位，运算放大器OP的负相输入端与多路选择器耦接，运算放大器OP的输出端与图像信号输出端Vout耦接。积分电容CF的第一端与运算放大器OP的负相输入端耦接，积分电容CF的第二端与运算放大器OP的输出端耦接。复位控制开关INTRST的第一端与积分电容CF的第一端耦接，复位控制开关INTRST的第二端与积分电容CF的第二端耦接。在实际应用中，运算放大器OP、积分电容CF和复位控制开关INTRST可以与现有技术中的结构基本相同，为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做详述，也不应作为对本发明的限制。

在本发明实施例中，各个所述保持电容30的电容值均相同，如此一来，保证了各个保持电容30抗噪声的均一性，保证了平板探测器的图像均一性。

在本发明实施例中，仍结合图5所示，所述衬底基板10包括探测区域AA和包围所述探测区域AA的周边区域BB，各条所述数据线D沿所述探测区域AA指向所述周边区域BB的方向延伸，各个所述保持电容30设置在靠近相应的所述数据线D的另一端的一侧。

在具体实施过程中，衬底基板10包括探测区域AA和包围该探测区域AA的周边区域BB，探测区域AA和周边区域BB的分布情况可以是如图5所示。由于各条数据线D沿探测区域AA指向周边区域BB的方向延伸，各个保持电容30设置在靠近相应的数据线D的另一端的一侧，即各个保持电容30均设置在靠近相应的数据线D的另一端的一侧，这样的话，在保证保持电容30的抗噪声效果的同时，保证了各个保持电容30对抗噪声的均一性，保证了平板探测器的图像均一性。

在本发明实施例中，所述多个保持电容30位于所述探测区域AA或者所述周边区域BB。其中，图5中示意出了多个保持电容30位于周边区域BB的其中一种情况。在具体实施过程中，多个保持电容30还可以是位于探测区域AA。如图6所示，沿探测区域AA指向周边区域BB的方向，多个保持电容30可以作为探测区域AA的最后一行进行排列。当然，还可以根据实际应用需要来设置多个保持电容30的具体位置，在此不做详述。

在本发明实施例中，所述探测区域AA包括依次背离所述衬底基板10的栅极层101、栅绝缘层102、半导体层103、第一导电层104、层间绝缘层105、第二导电层106、光电感应层107、透明走线层108和偏压电极层109；各个所述第一极板301与所述第一导电层104同层制作，各个所述第二极板302与所述偏压电极层109同层制作。

在具体实施过程中，如图7所示为沿着图3中MM所示方向的其中一种剖面结构示意图。探测区域AA包括依次背离衬底基板10的栅极层101、栅绝缘层102、半导体层103、第一导电层104、层间绝缘层105、第二导电层106、光电感应层107、透明走线层108和偏压电极层109。在其中一种示例性的实施例中，半导体层103的材料可以为低温多晶硅半导体材料。或者，半导体层103的材料也可以为金属氧化物半导体材料，比如，铟镓锌氧化物(IndiumGallium Zinc Oxide，IGZO)。如此一来，保证了相应晶体管的迁移率。其中，第一导电层104可以为第一源漏电极层，第二导电层106可以为第二源漏电极层。光电感应层107可以包括依次背离衬底基板10的P层结构、I层结构和N层结构。偏压电极层109可以向平板探测器中的光电检测器件901输入偏置电压，在光电检测器件901接收到光信号时，可以经光电转换作用产生电信号，其中，该光电检测器件901比如可以为光电二极管(PIN)。此外，各个保持电容30的第一极板301与第一导电层104同层制作，在实际制备中，可以采用同一构图工艺来制备第一极板301和第一导电层104，从而提高了工艺制备效率。而且，各个保持电容30的第二极板302与偏压电极层109同层制作，在实际制备中，可以采用同一构图工艺来制备第二极板302和偏压电极层109，从而提高了工艺制备效率。

在本发明实施例中，所述探测区域AA还包括位于所述透明走线层108和所述偏压电极层109之间且依次背离所述衬底基板10的第一钝化层50、平坦层60和第二钝化层70，各个所述第一极板301和所述第二极板302之间的中间介质层303，与所述层间绝缘层105、所述第一钝化层50和所述第二钝化层70中的至少一个膜层同层制作。

在具体实施过程中，如图8所示为沿着图3中NN所示方向的其中一种剖面结构示意图。探测区域AA还包括位于透明走线层108和偏压电极层109之间且依次背离衬底基板10的第一钝化层50、平坦层60和第二钝化层70，各个第一极板301和第二极板302之间的中间介质层303，与层间绝缘层105、第一钝化层50和第二钝化层70中的至少一个膜层同层制作。其中，第一钝化层50、平坦层60、第二钝化层70、栅绝缘层102和层间绝缘层105采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或多种，可以是单层、多层或复合层。图8中示意出了中间介质层303与第一钝化层50、平坦层60和第二钝化层70同层制作的其中一种结构示意图。如此一来，在实际制备中，可以采用同一构图工艺来制备中间介质层303与第一钝化层50、平坦层60和第二钝化层70，从而提高了工艺制备效率。当然，还可以根据实际应用需要选择相应的膜层结构来制备中间介质层303，在此不做限定。此外，本发明实施例的平板探测器除了包括上述提及的膜层结构外，还可以根据实际应用需要来设置其它膜层结构，比如，粘接层、盖板等，具体可以参照相关技术中的技术实现，在此不做详述。

在本发明实施例中，所述平板探测器还包括位于所述周边区域BB的多个绑定电极80，各个所述第一极板301通过贯穿所述第一钝化层50、所述平坦层60和所述第二钝化层70的过孔与所述透明电极层耦接，且与所述多个绑定电极80耦接。

在具体实施过程中，平板探测器还包括位于周边区域BB的多个绑定电极80，可以根据实际应用需要来设置多个绑定电极80的具体数量，在此不做限定。各个保持电容30的第一极板301通过贯穿第一钝化层50、平坦层60和第二钝化层70的过孔与透明电极层耦接，且与多个绑定电极80耦接。也就是说，各个保持电容30的第一极板301可以通过贯穿上述过孔与透明电极层耦接，最终与多个绑定电极80耦接。这样的话，可以通过多个绑定电极80向相应的第一极板301加载所需的信号，从而提高了平板探测器的使用性能。

需要说明的是，前述所提及的平板探测器还包括与多条数据线D交叉设置的多条栅线G，以及由多条数据线D和多条栅线G限定的多个探测单元90，多个探测单元90阵列排布在探测区域AA。其中，各个探测单元90包括光电检测器件901和用于控制该光电检测器件901采集数据的开关控制单元902。此外，周边区域BB还包括系统主板100和栅极驱动电路101，其中，栅极驱动电路101可以是单边设置，还可以是双边设置，在此不做限定。系统主板100可以向所耦接的电路加载所需的信号，从而保证了平板探测器的使用性能。

在本发明实施例中，可以有以下两种实现方式来设置多个绑定电极80，但又不仅限于以下两种实现方式。

在第一种实现方式中，如图9所示，所述平板探测器还包括位于所述周边区域BB的系统主板100和与所述系统主板100耦接的栅极驱动电路101，所述多个绑定电极80位于所述栅极驱动电路101上。

仍结合图9所示，平板探测器还包括位于周边区域BB的系统主板100和与该系统主板100耦接的栅极驱动电路101，多个绑定电极80位于栅极驱动电路101上。其中，栅极驱动电路101包括柔性电路板，多个绑定电极80可以通过贯穿柔性电路板的过孔H与系统主板100耦接，这样的话，系统主板100可以通过多个绑定电极80向各个保持电容30的第一极板301加载所需的固定电位的电压信号。由于第一极板301与多个绑定电极80之间的布线长度相对较短，从而提高了系统主板100对第一极板301的控制效率。

在第二种实现方式中，所述平板探测器还包括位于所述周边区域BB与所述读取电路40耦接的系统主板100，所述多个绑定电极80位于所述读取电路40上。当然，还可以根据实际应用需要来设置多个绑定电极80，在此不做限定。

在本发明实施例中，如图10所示，所述平板探测器还包括呈阵列排布的多个探测单元90，各个所述探测单元90包括开关控制单元902，所述多路选择电路20包括多个开关选择单元200，其中，各个所述开关选择单元200与相应的所述数据线D的一端耦接，各个所述开关选择单元200所包括的晶体管的有源层，和各个所述开关控制单元902所包括的晶体管的有源层均为低温多晶硅材料。

仍结合图10所示，平板探测器还包括呈阵列排布的多个探测单元90，各个探测单元90包括光电检测器件901和用于控制开关检测器件采集数据的开关控制单元902。每个多路选择单元201包括用于控制多条数据线D与读取电路40之间导通的多个开关选择单元200。其中，各个开关选择单元200与相应的数据线D的一端耦接，各个开关选择单元200所包括的晶体管的有源层，和各个开关控制单元902所包括的晶体管的有源层均为低温多晶硅材料。当然，可以根据实际应用需要来设置多个探测单元90和多个开关选择单元200的具体数量，在此不做限定。

在实际研究中，本发明人发现，平板探测器中的各个晶体管的有源层均采用低温多晶硅材料时，其相应器件的载流子迁移率是目前采用a-Si的100倍左右，这样的话，本发明实施例中各个晶体管的开启电阻较小，在信号采集过程中，相应线路中的阻容延迟(RCDelay)较低，从而保证了平板探测器的使用性能。

需说明的是，各个开关控制单元902所包括的晶体管和各个开关选择单元200所包括的晶体管的类型可以是相同的，比如，二者均为P型晶体管；再比如，二者均为N型晶体管。此外，各个开关控制单元902所包括的晶体管和各个开关选择单元200所包括的晶体管的类型可以是不同的，比如，各个开关控制单元902所包括的晶体管为P型晶体管，各个开关选择单元200所包括的晶体管为N型晶体管；再比如，各个开关控制单元902所包括的晶体管为N型晶体管，各个开关选择单元200所包括的晶体管为P型晶体管。当然，可以根据实际应用需要来设置各个晶体管的类型，在此不做限定。进一步地，上述所提及的晶体管可以是TFT，也可以是金属氧化物半导体场效应管(Metal Oxide Scmiconductor，MOS)，在此不作限定。

下面以图10所示的平板探测器的结构，对本发明实施例提供的平板探测器的工作过程进行说明。需要说明的是，本实施例是为了更好的解释本发明，并不限制本发明的具体实现。

仍结合图10所示，平板探测器包括由栅线G和数据线D限定的探测单元90。其中，一行探测单元90对应耦接一条栅线G，一列探测单元90对应耦接一条数据线D。第一个多路选择单元201包括MUX011、MUX012和MUX013在内的三个开关选择晶体管。各个探测单元90包括光电二极管以及用于将光电二极管产生的电信号传输到数据线D上的开关控制晶体管。该探测单元90实现X光检测的过程与现有技术中的相同，在此不做详述。

在初始时刻，平板探测器中所有的晶体管关闭，此时Vp电容和保持电容30的电位均与读取电路40的参考电位保持一致；当平板探测器接收曝光以后，所有的光电二极管产生光生电子并存储在Vp电容中；当第一行栅线G打开，此行上各Vp电容中的一部分电子被保持电容30读走存储在保持电容30中，另一部分依然存储在Vp电容中；然后，打开第一个多路选择单元201中的第一列MUX011，此时位于第一行第一列位置的探测单元90对应的Vp电容的电子，以及第一列MUX011所耦接的保持电容30中的电子全部被读走，传输到ROIC上进行数据处理，同时ROIC的参考电位对该Vp电容以及保持电容30充电；由于在MUX011读取电子时，MUX012和MUX013均处于关闭状态，且因为保持电容30的电位与ROIC的参考电位为同一固定电位，二者电容相同，因此，MUX012和MUX013所对应的晶体管无电流漏过，这样的话，MUX011读取过程中没有引入来自其他数据线D的噪声。重复以上步骤，直到整个平板探测器的检测信号读取完毕。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种X射线探测装置，包括本发明实施例提供的上述平板探测器。该X射线探测装置解决问题的原理与前述平板探测器相似，因此，该X射线探测装置的实施可以参见前述平板探测器的实施，重复之处不再赘述。并且，对于该X射线探测装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做详述，也不应作为对本发明的限制。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种采用本发明实施例提供的平板探测器的驱动方法，该驱动方法包括：

在通过所述多路选择电路20读取所述检测信号时，向各个所述保持电容30加载固定电位。

对于该驱动方法的具体实现过程可以参照前述相关部分的描述，在此不再赘述。

本发明实施例提供了一种平板探测器、其驱动方法及X射线探测装置，其中，该平板探测器包括衬底基板10，位于该衬底基板10上的多条数据线D，分别与各条数据线D的一端耦接的多路选择电路20，以及分别与各条数据线D的另一端一一对应耦接的多个保持电容30；这样的话，各条数据线D的一端耦接多路选择电路20，另一端一一对应耦接多个保持电容30。而且，各个保持电容30用于在通过多路选择电路20读取耦接的数据线D的检测信号时，保持其他数据线D的电位为固定电位。由于在通过多路选择电路20读取耦接的数据线D的检测信号时，各个保持电容30保持其他数据线D的电位为固定电位，这样的话，在通过多路选择电路20读取耦接的数据线D的检测信号的过程中，不会引入来自其他数据线D的噪声，从而避免了平板探测器数据读取过程中的噪声干扰，提高了平板探测器的图像质量。

尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。

显然，本领域的技术人员可以对本申请进行各种改动和变型而不脱离本申请的精神和范围。这样，倘若本申请的这些修改和变型属于本申请权利要求及其等同技术的范围之内，则本申请也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (14)

1.一种平板探测器，其特征在于，包括：

衬底基板，位于所述衬底基板上的多条数据线，分别与各条所述数据线的一端耦接的多路选择电路，以及分别与各条所述数据线的另一端一一对应耦接的多个保持电容，其中，各个所述保持电容用于在通过所述多路选择电路读取耦接的所述数据线的检测信号时，保持其他所述数据线的电位为固定电位。

2.如权利要求1所述的平板探测器，其特征在于，各个所述保持电容包括依次背离所述衬底基板的第一极板和第二极板，所述第二极板与相应的所述数据线的另一端耦接，所述第一极板相互连接且电位为所述固定电位。

3.如权利要求2所述的平板探测器，其特征在于，所述平板探测器还包括与所述多路选择电路耦接的读取电路，在所述读取电路通过所述多路选择电路读取所述检测信号时，所述读取电路的参考电位为所述固定电位。

4.如权利要求3所述的平板探测器，其特征在于，各个所述保持电容的电容值均相同。

5.如权利要求4所述的平板探测器，其特征在于，所述衬底基板包括探测区域和包围所述探测区域的周边区域，各条所述数据线沿所述探测区域指向所述周边区域的方向延伸，各个所述保持电容设置在靠近相应的所述数据线的另一端的一侧。

6.如权利要求5所述的平板探测器，其特征在于，所述多个保持电容位于所述探测区域或者所述周边区域。

7.如权利要求6所述的平板探测器，其特征在于，所述探测区域包括依次背离所述衬底基板的栅极层、栅绝缘层、半导体层、第一导电层、层间绝缘层、第二导电层、光电感应层、透明走线层和偏压电极层；各个所述第一极板与所述第一导电层同层制作，各个所述第二极板与所述偏压电极层同层制作。

8.如权利要求7所述的平板探测器，其特征在于，所述探测区域还包括位于所述透明走线层和所述偏压电极层之间且依次背离所述衬底基板的第一钝化层、平坦层和第二钝化层，各个所述第一极板和所述第二极板之间的中间介质层，与所述层间绝缘层、所述第一钝化层和所述第二钝化层中的至少一个膜层同层制作。

9.如权利要求5-8任一项所述的平板探测器，其特征在于，所述平板探测器还包括位于所述周边区域的多个绑定电极，各个所述第一极板通过贯穿所述第一钝化层、所述平坦层和所述第二钝化层的过孔与所述透明电极层耦接，且与所述多个绑定电极耦接。

10.如权利要求9所述的平板探测器，其特征在于，所述平板探测器还包括位于所述周边区域的系统主板和与所述系统主板耦接的栅极驱动电路，所述多个绑定电极位于所述栅极驱动电路上。

11.如权利要求9所述的平板探测器，其特征在于，所述平板探测器还包括位于所述周边区域与所述读取电路耦接的系统主板，所述多个绑定电极位于所述读取电路上。

12.如权利要求5-8任一项所述的平板探测器，其特征在于，所述平板探测器还包括呈阵列排布的多个探测单元，各个所述探测单元包括开关控制单元，所述多路选择电路包括多个开关选择单元，其中，各个所述开关选择单元与相应的所述数据线的一端耦接，各个所述开关选择单元所包括的晶体管的有源层，和各个所述开关控制单元所包括的晶体管的有源层均为低温多晶硅材料。

13.一种X射线探测装置，其特征在于，包括：

如权利要求1-12任一项所述的平板探测器。

14.如权利要求1-12任一项所述的平板探测器的驱动方法，其特征在于，包括：

在通过所述多路选择电路读取所述检测信号时，向各个所述保持电容加载固定电位。