CN117316964A - 一种平板探测器及其驱动方法、图像采集装置 - Google Patents

一种平板探测器及其驱动方法、图像采集装置 Download PDF

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CN117316964A CN202210708553.7A CN202210708553A CN117316964A CN 117316964 A CN117316964 A CN 117316964A CN 202210708553 A CN202210708553 A CN 202210708553A CN 117316964 A CN117316964 A CN 117316964A
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Abstract

本申请公开了一种平板探测器及其驱动方法、图像采集装置，用以消除晶体管阈值电压漂移对图像采集产生的影响。本申请实施例提供的一种平板探测器，平板探测器包括：多个探测单元；探测单元包括：放大晶体管，存储电容，光电二极管，信号采集晶体管；存储电容的第一电极与放大晶体管的栅极耦接；存储电容的第二电极与放大晶体管的源极以及光电二极管的负极耦接；放大晶体管的漏极与信号采集晶体管的源极耦接，放大晶体管的源极与偏置电压信号端耦接。

Description

一种平板探测器及其驱动方法、图像采集装置
技术领域
本申请涉及平板探测器技术领域，尤其涉及一种平板探测器及其驱动方法、图像采集装置。
背景技术
有源像素传感器(Active Pixel Sensor，APS)电路，因其放大信号的效果，能大幅度提升灵敏度，已经成为现阶段的平板探测器的主要技术之一，涉及该技术的平板探测器可以实现动态图像的采集。
现有技术中的APS电路通常包括低温多晶硅(LTPS)晶体管，LTPS晶体管具有高迁移率的特点，但是LTPS晶体管在实际应用中，会产生阈值电压漂移的现象，对图像成像造成严重的影响，影响图像采集效果。
发明内容
本申请实施例提供了一种平板探测器及其驱动方法、图像采集装置，用以消除晶体管阈值电压漂移对图像采集产生的影响。
本申请实施例提供的一种平板探测器，平板探测器包括：多个探测单元；探测单元包括：放大晶体管，存储电容，光电二极管，信号采集晶体管；
存储电容的第一电极与放大晶体管的栅极耦接；
存储电容的第二电极与放大晶体管的源极以及光电二极管的负极耦接；
放大晶体管的漏极与信号采集晶体管的源极耦接，放大晶体管的源极与偏置电压信号端耦接。
在一些实施例中，第二电极、放大晶体管的有源层以及信号采集晶体管的有源层同层设置；
平板探测器还包括：衬底基板，第一绝缘层；
放大晶体管的栅极位于放大晶体管的有源层背离衬底基板的一侧，信号采集晶体管的栅极位于信号采集晶体管的有源层背离衬底基板的一侧；
第一绝缘层覆盖第二电极，第一电极位于第一绝缘层背离第二电极的一侧。
在一些实施例中，探测单元还包括：第一复位晶体管；
第一复位晶体管的栅极与第一扫描信号端耦接，第一复位晶体管的源极与偏置电压信号端耦接，第一复位晶体管的漏极与存储电容的第二电极耦接。
在一些实施例中，平板探测器具体包括：
第一有源层，位于衬底基板与放大晶体管的有源层之间；包括：第一导体化区域，第二导体化区域，位于第一导体化区域和第二导体化区域之间的第一复位晶体管的半导体区域；
栅绝缘层，位于第一有源层和放大晶体管的有源层之间；
第一导电层，位于第一有源层和栅绝缘层之间，包括第一复位晶体管的栅极；
第二有源层，位于栅绝缘层背离衬底基板的一侧，包括：第二电极、放大晶体管的半导体区域以及信号采集晶体管的半导体区域，第三导体化区域，第四导体化区域以及第五导体化区域；放大晶体管的半导体区域位于第三导体化区域和第四导体化区域之间，且与第三导体化区域和第四导体化区域连接；信号采集晶体管的半导体区域位于第四导体化区域以及第五导体化区域之间，且与第四导体化区域以及第五导体化区域连接；第五导体化区域与第二电极绝缘；第三导体化区域通过贯穿栅绝缘层的第一过孔与第一导体化区域电连接，第二电极通过贯穿栅绝缘层的第二过孔与第二导体化区域电连接。
在一些实施例中，探测单元还包括：第二复位晶体管；
第二复位晶体管的栅极与第二扫描信号端耦接，第二复位晶体管的源极与第一电源端耦接，第二复位晶体管的漏极与存储电容的第一电极耦接。
在一些实施例中，平板探测器具体还包括：
第一平坦化层，位于第一电极背离衬底基板的一侧；
第三有源层，位于第一平坦化层背离衬底基板的一侧，包括：第六导体化区域、第七导体化区域，位于第六导体化区域和第七导体化区域之间的第二复位晶体管的半导体区域；第七导体化区域通过贯穿第一平坦化层的第三过孔与放大晶体管的栅极电连接，且第七导体化区域通过贯穿第一平坦化层的第四过孔与第一电极电连接。
在一些实施例中，光电二极管通过贯穿第一平坦化层和栅绝缘层的第五过孔与第二导体化区域接触；
平板探测器还包括：位于光电二极管背离第二导体化区域一侧的第一连接电极。
在一些实施例中，平板探测器还包括：位于第三有源层以及第一连接电极背离衬底基板一侧的第一保护层，位于第一保护层背离衬底基板一侧的地电位线、第一数据信号线、第一电源信号线以及第二电源信号线；
地电位线通过贯穿第一保护层的第六过孔与第一连接电极电连接；
第一数据信号线通过贯穿第一保护层和第一平坦化层的第七过孔与第五导体化区域电连接；
第一电源信号线通过贯穿第一保护层的第八过孔与第六导体化区域电连接；
第二电源信号线通过贯穿第一保护层和第一平坦化层的第九过孔与第三导体化区域电连接。
在一些实施例中，第一电源端为电压可变电源端。
在一些实施例中，平板探测器还包括：模数转换器；信号采集晶体管的漏极与模数转换器的输入端耦接。
本申请实施例提供的一种平板探测器的驱动方法，方法包括：
初始化阶段，对存储电容的第一电极和第二电极之间电位差进行初始化，以使存储电容存储放大晶体管的阈值电压；
图像采集阶段，光照光电二极管，控制信号采集晶体管导通，通过信号采集晶体管采集放大晶体管放大的信号。
在一些实施例中，探测单元还包括：第一复位晶体管和第二复位晶体管；对存储电容的第一电极和第二电极之间电位差进行初始化，以使存储电容存储放大晶体管的阈值电压，具体包括：
控制第一复位晶体管和第二复位晶体管导通，对存储电容的第一电极和第二电极之间电位差进行初始化，当第一电极和第二电极之间电位差为放大晶体管的阈值电压时导通放大晶体管，以使存储电容存储放大晶体管的阈值电压。
在一些实施例中，图像采集阶段还包括：
控制第一复位晶体管和第二复位晶体管关断。
在一些实施例中，图像采集阶段之后还包括：
复位阶段，停止光照光电二极管，控制第一复位晶体管和第二复位晶体管导通，对第一电极和第二电极之间的电位差进行复位。
本申请实施例提供的一种图像采集系统，图像采集系统包括本申请实施例提供的平板探测器。
本申请实施例提供的平板探测器及其驱动方法、图像采集系统，信号放大晶体管的栅极通过存储电容与光电二极管的负极耦接，存储电容可以存储信号放大晶体管的阈值电压，即便信号放大晶体管长时间工作会产生阈值电压漂移的现象，也可以将信号放大晶体管阈值电压的值保持在存储电容上，从而在图像采集阶段可以主动补偿放大晶体管阈值电压，从而可以消除阈值电压漂移对信号采集带来的影响，可以提高图像采集的准确度。并且，通过信号采集晶体管输出的信号还可以直接获取放大晶体管的阈值电压信息，可应用于动态图像采集和处理。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的一种平板探测器中探测单元的电路结构示意图；
图2为本申请实施例提供的一种平板探测器的结构示意图；
图3为本申请实施例提供的另一种平板探测器的结构示意图；
图4为本申请实施例提供的又一种平板探测器的结构示意图；
图5为本申请实施例提供的一种平板探测器的驱动方法的流程示意图；
图6为本申请实施例提供的一种平板探测器的驱动时序图。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例的附图，对本申请实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。并且在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于所描述的本申请的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
除非另外定义，本申请使用的技术术语或者科学术语应当为本申请所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本申请中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。
需要注意的是，附图中各图形的尺寸和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本申请内容。并且自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。
本申请实施例提供了一种平板探测器，平板探测器包括：多个探测单元；如图1所示，探测单元包括：放大晶体管T1，存储电容C，光电二极管，信号采集晶体管T2；
存储电容C的第一电极与放大晶体管T1的栅极耦接；
存储电容C的第二电极与放大晶体管T1的源极以及光电二极管的负极耦接；
放大晶体管T1的漏极与信号采集晶体管T2的源极耦接，放大晶体管T1的源极与偏置电压信号端耦接。
本申请实施例提供的平板探测器，信号放大晶体管的栅极通过存储电容与光电二极管的负极耦接，存储电容可以存储信号放大晶体管的阈值电压，即便信号放大晶体管长时间工作会产生阈值电压漂移的现象，也可以将信号放大晶体管阈值电压的值保持在存储电容上，从而在图像采集阶段可以主动补偿放大晶体管阈值电压，从而可以消除阈值电压漂移对信号采集带来的影响，可以提高图像采集的准确度。并且，通过信号采集晶体管输出的信号还可以直接获取放大晶体管的阈值电压信息，可应用于动态图像采集和处理。
在具体实施时，本申请实施例提供的平板探测器进行图像采集的原理如下：通过光照(例如X射线)光电二极管，在光电二极管自身的电容上形成存储电荷，每个光电二极管的存储电荷量与入射光强度成正比，通过放大晶体管、信号采集晶体管采集各个探测单元中光电二极管的存储电荷，经模数转换后输出数字信号，传送给计算机进行图像处理从而形成X射线数字影像。
在一些实施例中，如图1所示，探测单元还包括：第一复位晶体管T3；
第一复位晶体管T3的栅极与第一扫描信号端Gate1耦接，第一复位晶体管T3的源极与偏置电压信号端VBIAS耦接，第一复位晶体管T3的漏极与存储电容C的第二电极耦接。
在一些实施例中，如图1所示，探测单元还包括：第二复位晶体管T4；
第二复位晶体管T4的栅极与第二扫描信号端Gate2耦接，第二复位晶体管T4的源极与第一电源端V1耦接，第二复位晶体管T4的漏极与存储电容C的第一电极耦接。
在一些实施例中，如图1所示，信号采集晶体管T2的栅极与第三扫描信号端Gate3耦接。
在一些实施例中，如图1所示，光电二极管的正极接地。
在一些实施例中，如图1所示，第一复位晶体管T3、第二复位晶体管T4、信号采集晶体管T2为N型晶体管，放大晶体管T1为P型晶体管。
在一些实施例中，第一复位晶体管T3、第二复位晶体管T4、信号采集晶体管T2以及放大晶体管T1均为低温多晶硅薄膜晶体管。
N型LTPS薄膜晶体管高电平开启，低电平关断，P型LTPS薄膜晶体管低电平开启，高电平关断。
在一些实施例中，第一电源端为电压可变电源端。
在一些实施例中，偏置电压信号端VBIAS提供负电压。
在一些实施例中，光电二极管为PIN型光电二极管。即光电二极管包括P型半导体层、N型半导体层以及P型半导体层和N型半导体层之间的本征半导体层。
在具体实施时，可以通过控制第一复位晶体管T3、第二复位晶体管T4导通对存储电容两电极之间的电压差进行初始化，由于偏置电压信号端VBIAS提供负电压，电压可变电源端输出的电压开始缓慢减小，当减小到放大晶体管T1的阈值电压时，放大晶体管T1导通，信号读取晶体管输出信号，此时电压可变电源端的电压固定不再改变。存储电容两端的电压即为放大晶体管T1的阈值电压。此时，节点电压N1的电压值为放大晶体管T1的阈值电压与偏置电压信号端VBIAS电压值的和，放大晶体管T1的阈值电压为负值。V(N1)＝VBIAS+Vth，节点电压N2的电压值为VBIAS，存储电容第一电极和第二电极之间的电压差为|Vth|。初始化完成，电压可变电源端的电压值为V(N1)的值。
在具体实施时，光照进行图像采集阶段，控制第一复位晶体管T3、第二复位晶体管T4关断，光电二极管受到光照产生载流子，节点N2的电压下降，节点电压N2的值为VBIAS减去光电二极管的电压Vp，即V(N2)＝VBIAS-Vp，由于电容的耦合作用，节点N1的电压值同样开始下降，V(N1)＝|Vth|+VBIAS-Vp，根据饱和区电流公式，放大晶体管T1的电流为I＝Kn×(Vgs-Vth)2＝Kn×(VBIAS-Vp+Vth–VBIAS-Vth)2＝Kn×(Vp)2，其中，K n为常数，Vgs为放大晶体管T1栅极相对于源极的电压。信号读取晶体管采集电压信号，此时的电压信号扣除了放大晶体管T1的阈值电压对信号的影像，可以得到更准确的图像信息。
在具体实施时，复位阶段可以通过控制第一复位晶体管T3、第二复位晶体管T4导通，节点N1电压值复位为初始化完成后的电压可变电源端的电压值，节点N2电压值复位为VBIAS。
在一些实施例中，如图1所示，平板探测器还包括：模数转换器；信号采集晶体管T2的漏极与模数转换器的输入端耦接。
在具体实施时，模数转换器的输出端可以与图像处理模块耦接。模数转换器用于将信号采集晶体管输出的信号转换为数字信号输出给图像处理模块。图像处理模块进行图像处理从而形成数字影像。
在一些实施例中，平板探测器的具体结构如图2、图3、图4所示。其中，图2为平板探测器的探测单元的俯视图，图3、图4为平板探测器的探测单元的截面图。
在一些实施例中，如图3所示，第二电极C2、放大晶体管T1的有源层1以及信号采集晶体管T2的有源层2同层设置；
平板探测器还包括：衬底基板3，第一绝缘层4；
放大晶体管T1的栅极G1位于放大晶体管T1的有源层1背离衬底基板3的一侧，信号采集晶体管T2的栅极G2位于信号采集晶体管T2的有源层2背离衬底基板3的一侧；
第一绝缘层4覆盖第二电极C2，第一电极C1位于第一绝缘层4背离第二电极C2的一侧。
在一些实施例中，如图3所示，平板探测器具体包括：
第一有源层5，位于衬底基板3与放大晶体管T1的有源层1之间；包括：第一导体化区域6，第二导体化区域7，位于第一导体化区域6和第二导体化区域7之间的第一复位晶体管T3的半导体区域8；
栅绝缘层9，位于第一有源层5和放大晶体管T1的有源层之间；
第一导电层10，位于第一有源层和栅绝缘层9之间，包括第一复位晶体管T3的栅极G3；
第二有源层11，位于栅绝缘层9背离衬底基板3的一侧，包括：第二电极C2、放大晶体管T1的半导体区域13、信号采集晶体管T2的半导体区域14，第三导体化区域15，第四导体化区域16以及第五导体化区域17；放大晶体管T1的半导体区域位于第三导体化区域15和第四导体化区域16之间，且与第三导体化区域15和第四导体化区域16连接；信号采集晶体管T2的半导体区域位于第四导体化区域16以及第五导体化区域17之间，且与第四导体化区域16以及第五导体化区域17连接；第五导体化区域17与第二电极C1绝缘；第三导体化区域15通过贯穿栅绝缘层9的第一过孔与第一导体化区域6电连接，第二电极C2通过贯穿栅绝缘层9的第二过孔与第二导体化区域7电连接。
在具体实施时，第一导体化区域6包括第一复位晶体管T3的源极，第二导体化区域7包括第一复位晶体管T3的漏极。第三导体化区域15包括放大晶体管T1的源极，第四导体化区域16包括放大晶体管T1的漏极和信号采集晶体管T2的源极，第五导体化区域17包括信号采集晶体管T2的漏极。
在具体实施时，第二电极C2也为第二有源层的导体化区域。
在一些实施例中，如图3所示，平板探测器具体还包括：位于衬底基板3与第一有源层5之间的缓冲层12。
在一些实施例中，如图3所示，平板探测器具体还包括：
第一平坦化层18，位于第一电极C1背离衬底基板3的一侧；
第三有源层19，位于第一平坦化层18背离衬底基板3的一侧，包括：第六导体化区域20、第七导体化区域21，位于第六导体化区域20和第七导体化区域21之间的第二复位晶体管T4的半导体区域22；第七导体化区21域通过贯穿第一平坦化层18的第三过孔与放大晶体管T1的栅极G1电连接，且第七导体化区域21通过贯穿第一平坦化层18的第四过孔与第一电极C1电连接。
在具体实施时，第六导体化区域20相当于第二复位晶体管T4的源极，第七导体化区域21相当于第二复位晶体管T4的漏极。
在一些实施例中，如图3所示，光电二极管PIN通过贯穿第一平坦化层18和栅绝缘层9的第五过孔与第二导体化区域7接触；
平板探测器还包括：位于光电二极管PIN背离第二导体化区域7一侧的第一连接电极23。
在一些实施例中，如图3、图4所示，平板探测器还包括：位于第三有源层以及第一连接电极背离衬底基板一侧的第一保护层24，位于第一保护层24背离衬底基板3一侧的地电位线Gnd、第一数据信号线source、第一电源信号线v1以及第二电源信号线vbias；
地电位线Gnd通过贯穿第一保护层24的第六过孔与第一连接电极23电连接；
第一数据信号线source通过贯穿第一保护层24和第一平坦化层18的第七过孔与第五导体化区域17电连接；
第一电源信号线v1通过贯穿第一保护层24的第八过孔与第六导体化区域电连接；
第二电源信号线vbias通过贯穿第一保护层24和第一平坦化层18的第九过孔与第三导体化区域15电连接。
在具体实施时，第一数据信号线source与模数转换器耦接。
在一些实施例中，第一连接电极为透明电极。透明电极的材料例如为氧化铟锡(ITO)。
在一些实施例中，第一有源层、第二有源层、第三有源层以及第一电极的材料包括多晶硅(P-Si)。第一有源层、第二有源层、第三有源层导体化区域即对P-Si进行导体化处理。
在一些实施例中，第二电极为进行导体化处理的P-Si。
本申请实施例提供的一种平板探测器的驱动方法，如图5所示，包括：
S101、初始化阶段t1，对存储电容的第一电极和第二电极之间电位差进行初始化，以使存储电容存储放大晶体管的阈值电压；
S102、图像采集阶段t2，光照光电二极管，控制信号采集晶体管导通，通过信号采集晶体管采集放大晶体管放大的信号。
本申请实施例提供的平板探测器的驱动方法，通过存储电容存储信号放大晶体管的阈值电压，即便信号放大晶体管长时间工作会产生阈值电压漂移的现象，也可以将信号放大晶体管阈值电压的值保持在存储电容上，从而在图像采集阶段可以主动补偿放大晶体管阈值电压，从而可以消除阈值电压漂移对信号采集带来的影响，可以提高图像采集的准确度。并且，通过信号采集晶体管输出的信号还可以直接获取放大晶体管的阈值电压信息，可应用于动态图像采集和处理。
在一些实施例中，探测单元还包括：第一复位晶体管和第二复位晶体管；对存储电容的第一电极和第二电极之间电位差进行初始化，以使存储电容存储放大晶体管的阈值电压，具体包括：
控制第一复位晶体管和第二复位晶体管导通，对存储电容的第一电极和第二电极之间电位差进行初始化，当第一电极和第二电极之间电位差为放大晶体管的阈值电压时导通放大晶体管，以使存储电容存储放大晶体管的阈值电压。
在一些实施例中，图像采集阶段还包括：
控制第一复位晶体管和第二复位晶体管关断。
在一些实施例中，图像采集阶段之后还包括：
复位阶段t3，停止光照光电二极管，控制第一复位晶体管和第二复位晶体管导通，对第一电极和第二电极之间的电位差进行复位。
在一些实施例中，初始化阶段以及复位阶段还包括：控制信号采集晶体管导通。
在具体实施时，图1所示的探测单元的时序图如图6所示。
在具体实施时，当第一复位晶体管T3、第二复位晶体管T4、信号采集晶体管T2均为N型晶体管时，通过第一扫描信号端提供高电平信号控制第一复位晶体管T3导通、通过第二扫描信号端提供高电平信号控制第二复位晶体管T4导通、通过第三扫描信号端提供高电平信号控制信号采集晶体管T2导通；通过第一扫描信号端提供低电平信号控制第一复位晶体管T3关断、通过第二扫描信号端提供低电平信号控制第二复位晶体管T4关断、通过第三扫描信号端提供低电平信号控制信号采集晶体管T2关断。
本申请实施例提供的一种图像采集系统，图像采集系统包括本申请实施例提供的平板探测器。
本申请实施例提供的图像采集系统可用于静态图像采集(例如拍片)和/或动态采集(例如手术过程中的透视)。本申请实施例提供的图像采集系统的实施可以参见本申请实施例提供的上述平板探测器的实施，重复之处不再赘述。
在具体实施时，例如可以利用X射线对平板探测器中的光电二极管进行光照。
综上所述，本申请实施例提供的平板探测器及其驱动方法、图像采集系统，信号放大晶体管的栅极通过存储电容与光电二极管的负极耦接，存储电容可以存储信号放大晶体管的阈值电压，即便信号放大晶体管长时间工作会产生阈值电压漂移的现象，也可以将信号放大晶体管阈值电压的值保持在存储电容上，从而在图像采集阶段可以主动补偿放大晶体管阈值电压，从而可以消除阈值电压漂移对信号采集带来的影响，可以提高图像采集的准确度。并且，通过信号采集晶体管输出的信号还可以直接获取放大晶体管的阈值电压信息，可应用于动态图像采集和处理。
尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
显然，本领域的技术人员可以对本申请进行各种改动和变型而不脱离本申请的精神和范围。这样，倘若本申请的这些修改和变型属于本申请权利要求及其等同技术的范围之内，则本申请也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (15)

1.一种平板探测器，其特征在于，所述平板探测器包括：多个探测单元；所述探测单元包括：放大晶体管，存储电容，光电二极管，信号采集晶体管；
所述存储电容的第一电极与所述放大晶体管的栅极耦接；
所述存储电容的第二电极与所述放大晶体管的源极以及所述光电二极管的负极耦接；
所述放大晶体管的漏极与所述信号采集晶体管的源极耦接，所述放大晶体管的源极与偏置电压信号端耦接。
2.根据权利要求1所述的平板探测器，其特征在于，所述第二电极、所述放大晶体管的有源层以及所述信号采集晶体管的有源层同层设置；
所述平板探测器还包括：衬底基板，第一绝缘层；
所述放大晶体管的栅极位于所述放大晶体管的有源层背离所述衬底基板的一侧，所述信号采集晶体管的栅极位于所述信号采集晶体管的有源层背离所述衬底基板的一侧；
所述第一绝缘层覆盖所述第二电极，所述第一电极位于所述第一绝缘层背离所述第二电极的一侧。
3.根据权利要求2所述的平板探测器，其特征在于，所述探测单元还包括：第一复位晶体管；
所述第一复位晶体管的栅极与第一扫描信号端耦接，所述第一复位晶体管的源极与所述偏置电压信号端耦接，所述第一复位晶体管的漏极与所述存储电容的第二电极耦接。
4.根据权利要求3所述的平板探测器，其特征在于，所述平板探测器具体包括：
第一有源层，位于所述衬底基板与所述放大晶体管的有源层之间；包括：第一导体化区域，第二导体化区域，位于所述第一导体化区域和所述第二导体化区域之间的所述第一复位晶体管的半导体区域；
栅绝缘层，位于所述第一有源层和所述放大晶体管的有源层之间；
第一导电层，位于所述第一有源层和所述栅绝缘层之间，包括所述第一复位晶体管的栅极；
第二有源层，位于所述栅绝缘层背离所述衬底基板的一侧，包括：所述第二电极、所述放大晶体管的半导体区域以及所述信号采集晶体管的半导体区域，第三导体化区域，第四导体化区域以及第五导体化区域；所述放大晶体管的半导体区域位于所述第三导体化区域和第四导体化区域之间，且与所述第三导体化区域和第四导体化区域连接；所述信号采集晶体管的半导体区域位于所述第四导体化区域以及所述第五导体化区域之间，且与所述第四导体化区域以及所述第五导体化区域连接；所述第五导体化区域与所述第二电极绝缘；所述第三导体化区域通过贯穿所述栅绝缘层的第一过孔与所述第一导体化区域电连接，所述第二电极通过贯穿所述栅绝缘层的第二过孔与所述第二导体化区域电连接。
5.根据权利要求4所述的平板探测器，其特征在于，所述探测单元还包括：第二复位晶体管；
所述第二复位晶体管的栅极与第二扫描信号端耦接，所述第二复位晶体管的源极与第一电源端耦接，所述第二复位晶体管的漏极与所述存储电容的第一电极耦接。
6.根据权利要求5所述的平板探测器，其特征在于，所述平板探测器具体还包括：
第一平坦化层，位于所述第一电极背离所述衬底基板的一侧；
第三有源层，位于所述第一平坦化层背离所述衬底基板的一侧，包括：第六导体化区域、第七导体化区域，位于所述第六导体化区域和第七导体化区域之间的所述第二复位晶体管的半导体区域；所述第七导体化区域通过贯穿所述第一平坦化层的第三过孔与所述放大晶体管的栅极电连接，且所述第七导体化区域通过贯穿所述第一平坦化层的第四过孔与所述第一电极电连接。
7.根据权利要求6所述的平板探测器，其特征在于，所述光电二极管通过贯穿所述第一平坦化层和所述栅绝缘层的第五过孔与所述第二导体化区域接触；
所述平板探测器还包括：位于所述光电二极管背离所述第二导体化区域一侧的第一连接电极。
8.根据权利要求7所述的平板探测器，其特征在于，所述平板探测器还包括：位于所述第三有源层以及所述第一连接电极背离所述衬底基板一侧的第一保护层，位于所述第一保护层背离所述衬底基板一侧的地电位线、第一数据信号线、第一电源信号线以及第二电源信号线；
所述地电位线通过贯穿所述第一保护层的第六过孔与所述第一连接电极电连接；
所述第一数据信号线通过贯穿所述第一保护层和所述第一平坦化层的第七过孔与所述第五导体化区域电连接；
所述第一电源信号线通过贯穿所述第一保护层的第八过孔与所述第六导体化区域电连接；
所述第二电源信号线通过贯穿所述第一保护层和所述第一平坦化层的第九过孔与所述第三导体化区域电连接。
9.根据权利要求5～8任一项所述的平板探测器，其特征在于，所述第一电源端为电压可变电源端。
10.根据权利要求1所述的平板探测器，其特征在于，所述平板探测器还包括：模数转换器；所述信号采集晶体管的漏极与所述模数转换器的输入端耦接。
11.一种根据权利要求1～10任一项所述的平板探测器的驱动方法，其特征在于，所述方法包括：
初始化阶段，对所述存储电容的第一电极和第二电极之间电位差进行初始化，以使所述存储电容存储所述放大晶体管的阈值电压；
图像采集阶段，光照所述光电二极管，控制所述信号采集晶体管导通，通过所述信号采集晶体管采集所述放大晶体管放大的信号。
12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述探测单元还包括：第一复位晶体管和第二复位晶体管；对所述存储电容的第一电极和第二电极之间电位差进行初始化，以使所述存储电容存储所述放大晶体管的阈值电压，具体包括：
控制所述第一复位晶体管和所述第二复位晶体管导通，对所述存储电容的第一电极和第二电极之间电位差进行初始化，当所述第一电极和所述第二电极之间电位差为所述放大晶体管的阈值电压时导通所述放大晶体管，以使所述存储电容存储所述放大晶体管的阈值电压。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述图像采集阶段还包括：
控制所述第一复位晶体管和所述第二复位晶体管关断。
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述图像采集阶段之后还包括：
复位阶段，停止光照所述光电二极管，控制所述第一复位晶体管和所述第二复位晶体管导通，对所述第一电极和所述第二电极之间的电位差进行复位。
15.一种图像采集系统，其特征在于，所述图像采集系统包括根据权利要求1～10任一项所述的平板探测器。
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