CN102874813A - 填充间隙的填料、其制备方法及制造半导体电容器的方法 - Google Patents

填充间隙的填料、其制备方法及制造半导体电容器的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102874813A
CN102874813A CN201210241251XA CN201210241251A CN102874813A CN 102874813 A CN102874813 A CN 102874813A CN 201210241251X A CN201210241251X A CN 201210241251XA CN 201210241251 A CN201210241251 A CN 201210241251A CN 102874813 A CN102874813 A CN 102874813A
Authority
CN
China
Prior art keywords
chemical formula
filler
compound
gap
represented
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201210241251XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN102874813B (zh
Inventor
朴银秀
金奉焕
林相学
郭泽秀
裵镇希
尹熙灿
金相均
李真旭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Cheil Industries Inc
Original Assignee
Cheil Industries Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Cheil Industries Inc filed Critical Cheil Industries Inc
Publication of CN102874813A publication Critical patent/CN102874813A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102874813B publication Critical patent/CN102874813B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/60—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule in which all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
    • C08G77/62—Nitrogen atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
    • C01B21/082—Compounds containing nitrogen and non-metals and optionally metals
    • C01B21/087—Compounds containing nitrogen and non-metals and optionally metals containing one or more hydrogen atoms
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
    • H01L21/76837—Filling up the space between adjacent conductive structures; Gap-filling properties of dielectrics
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L28/40—Capacitors
    • H01L28/60—Electrodes
    • H01L28/82—Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation
    • H01L28/90—Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation having vertical extensions

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Silicon Polymers (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Abstract

本发明公开了一种填充间隙的填料、其制备方法及制造半导体电容器的方法。所述填充间隙的填料包含由下列化学式1表示的化合物：[化学式1]SiaNbOcHd在化学式1中，1.96＜a＜2.68，1.78＜b＜3.21，0≤c＜0.19，且4＜d＜10。

Description

填充间隙的填料、其制备方法及制造半导体电容器的方法
相关申请的引用 
本申请要求于2011年7月15日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请号10-2011-0070672的优先权和权益，通过参考将其全部内容并入本文中。 
技术领域
本发明涉及用于填充间隙（gap）的填料（filler），其制备方法以及使用其制造半导体电容器的方法。 
背景技术
随着半导体技术的日益发展，对形成具有提高的性能且集成更小的半导体芯片的高度集成且更快速的半导体存储单元进行连续不断的研究。特别地，可以使用这些半导体存储单元，例如动态随机存储器(DRAM)。DRAM能够自由地输入和输出信息且可以实现大容量。 
DRAM可以包括例如多个包含一个MOS晶体管(MOS晶体管)和一个电容器的单位单元（unit cells）。所述电容器可以包括两个电极和设置在其间的介电层。电容器的容量可取决于介电常数、介电层的厚度、电极的面积等。 
随着半导体芯片的尺寸下降，其中的电容器的尺寸也会下降。然而，较小的电容器需要足够的存储容量。所述电容器可以通过例如增大垂直区域而不是减少水平区域以提高总体活性区域来实现更大的容量。 
当以这种方式形成电容器时，可以将填料用于填充在模型（mold）中形成的间隙并有效地形成与小的水平区域相比相对高的电极。 
发明内容
示例性实施方式提供了能够在到二氧化硅层的转化期间降低收缩率的用于填充间隙的填料。 
另一个实施方式提供了制备用于填充间隙的填料的方法。 
还另一个实施方式提供了使用所述用于填充间隙的填料来制造半导体电容器的方法。 
根据一个实施方式，提供了包含由下列化学式1表示的化合物的用于填充间隙的填料。 
[化学式1] 
SiaNbOcHd
在上述化学式1中， 
1.96＜a＜2.68， 
1.78＜b＜3.21， 
0≤c＜0.19，且 
4＜d＜10。 
由上述化学式1表示的化合物可以具有1,000至30,000的重均分子量。 
由上述化学式1表示的化合物可以以0.7至0.95的摩尔比(N/Si)包含氮原子和硅原子。 
基于氢原子的总数，由上述化学式1表示的化合物可以以0.35至0.85的比率在分子中包含全部-SiHe(其中，e是1至3的整数)的-SiH3。 
根据另一个实施方式，提供了制备用于填充间隙的填料的方法，所述方法包括使选自由氢化的聚硅氮烷、氢化的聚硅氧氮烷和它们的组合组成的组的化合物与三甲硅烷基胺((SiH3)3N)发生反应。 
根据又一个实施方式，提供了一种制造半导体电容器的方法，所述方法包括：在半导体基板（衬底）上形成具有间隙的模型（mold）；在所述半导体基板和所述模型上形成导电层；在所述间隙中和所述导电层上施加填料以形成填料层；对所述填料层进行热处理以形成二氧化硅层；对填充在所述间隙中的所述填料层的一部分进行显影以形成填料图案；除去所述导电层的一部分以形成多个第一电极；除去所述模型和所述填料图案；在所述第一电极上形成介电层；以及在所述介电层上形成第二电极，其中所述填料包含由下列化学式1表示的化合物。 
[化学式1] 
SiaNbOcHd
在化学式1中， 
1.96＜a＜2.68， 
1.78＜b＜3.21， 
0≤c＜0.19，且 
4＜d＜10。 
由上述化学式1表示的化合物可以具有1,000至30,000的重均分子量。 
由上述化学式1表示的化合物可以以0.7至0.95的摩尔比(N/Si)包含氮原子和硅原子。 
基于氢原子的总数，由上述化学式1表示的化合物可以以0.35至0.85的比率在分子中包含全部-SiHe(其中，e是1至3的整数)的-SiH3。 
对所述填料层进行热处理以形成二氧化硅层可以包括在50℃至200℃的温度下对所述填料层进行干燥，并在200℃至1,000℃的温度下在包含大于或等于0.1kPa的蒸气的氧气氛下对所述填料层进行热处理。 
在下文中，将更详细地描述本发明的其他实施方式。 
所述用于填充间隙的填料、其制备方法以及使用其制造半导体电容器的方法能够防止热处理期间的收缩并对宽度小的间隙具有优异的填充性能，由此填充微小间隙。所述填料可以均匀并致密地填充而不具有气泡或微隙并在层的表面上产生优异的平坦性。 
附图说明
图1至9是顺序示出了根据一个实施方式的制造半导体电容器的方法的横截面图。 
具体实施方式
在下文中对本发明的示例性实施方式进行详细说明。然而，这些实施方式仅是示例性的且不限制本发明。 
如本文中所用的，当不另外提供定义时，术语“取代的”是指利用选自卤素(F，Br，Cl或I)、羟基、硝基、氰基、亚氨基(=NH，=NR，其中R是C1至C10烷基)、氨基(-NH2，-NH(R')，-N(R”)(R”')，其中R'至R”'各自独立地为C1至C10烷基)、脒基、肼基或腙基、羧基、C1至C10烷基、C6至C20芳基、C3至C20环烷基、C1至C10杂烷基、C3至C20杂芳基和C2至C20杂环烷基的取代基中的至少一种代替官能团中的氢，利用选自=O、=S、=NR(其中R是C1至C10烷基)、=PR(其中R是C1至C10烷基)和=SiRR'(其中R和R'独立地为C1至C10烷基)的取代基中的至少一种代替两个氢而取代的物质，或者利用选自≡N、≡P和≡SiR(R是C1至C10烷基)的取代基代替三个氢而取代的物质。 
如本文中所用的，当不另外提供定义时，术语“组合”可以指混合物或共聚物。术语“共聚”可以指嵌段共聚、无规共聚等，且术语“共聚物”可以指嵌段共聚物、无规共聚物等。 
根据一个实施方式的用于填充间隙的填料包含由下列化学式1表示的化合物。 
[化学式1] 
SiaNbOcHd
在化学式1中， 
1.96＜a＜2.68， 
1.78＜b＜3.21， 
0≤c＜0.19，且 
4＜d＜10。 
当c是0时，由上述化学式1表示的化合物可以是基于氢化的聚硅氮烷的化合物，并且当c不是0时，由上述化学式1表示的化合物可以是基于氢化的聚硅氧氮烷的化合物。 
通常，可以使氢化的聚硅氮烷或氢化的聚硅氧氮烷与氧或蒸气发生反应从而生成SiO2、氨和氢。 
氢化的聚硅氮烷和氢化的聚硅氧氮烷生成SiO2和NH3，这会在反应中造成重量下降。因此，当NH3的生成量下降时，可以在到二氧化硅层的转化期间防止重量下降，即收缩。NH3可以由氢化的聚硅氮烷和氢化的聚硅氧氮烷的氮制得，因此当氢化的聚硅氮烷和氢化的聚硅氧氮烷的氮相对于硅的量下降时，可以降低NH3的生成量。 
在一个实施方式中，使包含一个氮原子和三个硅原子且不具有有机成分的三甲硅烷基胺与氢化的聚硅氮烷或氢化的聚硅氧氮烷发生反应，由此可以降低氮对硅的相对量。与常规的氢化的聚硅氮烷和氢化的聚硅氧氮烷相比，通过上述反应改性的由上述化学式1表示的基于氢化的聚硅氮烷的化合物和基于氢化的聚硅氧氮烷的化合物可以在通过加热到二氧化硅层的转化期间降低膜收缩。 
由上述化学式1表示的化合物可以具有1,000至30,000的重均分子量(MW)。当由上述化学式1表示的化合物具有在上述范围内的重均分子量时，由于适当的粘度而使得当将其涂布在基板上时，可以获得均匀的膜，可以减少在热处理期间可能蒸发的具有低分子量的成分的量，可以稳定地填充具有窄宽度的沟槽，并且较不可能造成凝胶化。 
当由上述化学式1表示的化合物可以以0.7至0.95的摩尔比(N/Si)包含氮原子和硅原子时，在到二氧化硅层的转化期间可以显著降低膜收缩。 
基于用于填充间隙的填料的总量，可以以0.1wt%至50wt%的量包含由上述化学式1表示的化合物。当在所述范围内包含由上述化学式1表示的化合物时，可以获得适当的粘度且可以形成在间隙填充期间没有空隙的平坦且均匀的二氧化硅层。 
所述用于填充间隙的填料还可以包含热生酸剂（thermal acid generator）(TAG)。 
所述热生酸剂可以是用于提高由上述化学式1表示的化合物的显影性的添加剂。由上述化学式1表示的化合物可以在相对低的温度下显影。 
所述热生酸剂可以包含任意化合物而没有特别限制，只要其通过加热产生酸(H+)即可。特别地，其可以包含在90℃以上的温度下活化且产生充分的酸、并且还具有低挥发性的化合物。这种热生酸剂可以包括例如硝基苄基甲苯磺酸酯、硝基苄基苯磺酸酯、苯酚磺酸酯和它们的组合。 
基于用于填充间隙的填料的总量，可以以0.01wt%至25wt%的量包含所述热生酸剂。当在所述范围内包含其时，由上述化学式1表示的化合物可以在相对低的温度下显影，并且同时具有提高的涂布性能。 
所述填料还可以包含表面活性剂。 
所述表面活性剂没有特别限制，并且包括例如如下的非离子基表面活性剂：聚氧亚乙基烷基醚如聚氧亚乙基月桂基醚、聚氧亚乙基硬脂酰基醚、聚氧亚乙基十六烷基醚、聚氧亚乙基油烯基醚等，聚氧亚乙基烷基烯丙基醚如聚氧亚乙基壬基苯酚醚等，聚氧亚乙基聚氧亚丙基嵌段共聚物，聚氧亚乙基山梨糖醇酐脂肪酸酯如山梨糖醇酐单月桂酸酯、山梨糖醇酐单棕榈酸酯、山梨糖醇酐单硬脂酸酯、山梨糖醇酐单油酸酯、聚氧亚乙基山梨糖醇酐单硬脂酸酯、聚氧亚乙基山梨糖醇酐三油酸酯、聚氧亚乙基山梨糖醇酐三硬脂酸酯等，氟基表面活性剂EFTOP EF301、EF303、EF352(Tochem Products Co.，Ltd.)、MEGAFACE F171、F173(Dainippon Ink & Chem.，Inc.)、FLUORAD FC430、FC431(Sumitomo3M)、Asahi guardAG710、Surflon S-382、SC101、SC102、SC103、SC104、SC105、SC106(Asahi Glass Co.，Ltd.)等，以及其他硅酮基表面活性剂如有机硅氧烷聚合物KP341(Shin-Etsu Chemical Co.，Ltd.)等。 
基于用于填充间隙的填料的总量，可以以0.001wt%至10wt%的量包含所述表面活性剂。当在所述范围内包含其时，可以提高溶液的分散，并且同时，可以提高层的均匀厚度和填充性能。 
可以将用于填充间隙的填料的成分溶于有机溶剂中以提供溶液。 
所述有机溶剂可以是溶解所述成分的任意化合物且没有特别限制。所述溶剂的实例例如为醇如甲醇，乙醇等；二氯乙基醚，正丁基醚，二异戊基醚，甲基苯基醚，四氢呋喃等；二醇醚如乙二醇单甲醚，乙二醇单乙醚等；溶纤剂乙酸酯（乙酸溶纤剂）如甲基溶纤剂乙酸酯，乙基溶纤剂乙酸酯，二乙基溶纤剂乙酸酯等；卡必醇如甲基乙基卡必醇，二乙基卡必醇，二乙二醇单甲醚，二乙二醇单乙醚，二乙二醇二甲醚，二乙二醇甲基乙基醚，二乙二醇二乙醚等；丙二醇烷基醚乙酸酯如丙二醇甲基醚乙酸酯，丙二醇丙基醚乙酸酯等；芳族烃如甲苯，二甲苯等；酮如甲基乙基酮，环己酮，4-羟基-4-甲基-2-戊酮，甲基正丙基酮，甲基正丁基酮，甲基正戊基酮，2-庚酮等；饱和的脂族单羧酸烷基酯如乙酸乙酯，乙酸正丁酯，乙酸异丁酯等；乳酸酯如乳酸甲酯，乳酸乙酯等；氧基乙酸烷基酯如氧基乙酸甲酯，氧基乙酸乙酯，氧基乙酸丁酯等；烷氧基乙酸烷基酯如甲氧基乙酸甲酯，甲氧基乙酸乙酯，甲氧基乙酸丁酯，乙氧基乙酸甲酯，乙氧基乙酸乙酯等；3-氧基丙酸烷基酯如3-氧基丙酸甲酯，3-氧基丙酸乙酯等；3-烷氧基丙酸烷基酯如3-甲氧基丙酸甲酯，3-甲氧基丙酸乙酯，3-乙氧基丙酸乙酯，3-乙氧基丙酸甲酯等；2-氧基丙酸烷基酯如2-氧基丙酸甲酯，2-氧基丙酸乙酯，2-氧基丙酸丙酯等；2-烷氧基丙酸烷基酯如2-甲氧基丙酸甲酯，2-甲氧基丙酸乙酯，2-乙氧基丙酸乙酯，2-乙氧基丙酸甲酯等；2-氧基-2-甲基 丙酸酯如2-氧基-2-甲基丙酸甲酯，2-氧基-2-甲基丙酸乙酯等；2-氧基-2-甲基丙酸酯的单氧基单羧酸烷基酯如2-甲氧基-2-甲基丙酸甲酯，2-乙氧基-2-甲基丙酸乙酯等；酯如2-羟基丙酸乙酯，2-羟基-2-甲基丙酸乙酯，羟基乙酸乙酯，2-羟基-3-甲基丁酸甲酯等；酮酸酯如丙酮酸乙酯等。另外，其可以包括具有高沸点的溶剂如N-甲基甲酰胺，N,N-二甲基甲酰胺，N-甲基甲酰苯胺，N-甲基乙酰胺，N,N-二甲基乙酰胺，N-甲基吡咯烷酮，二甲基亚砜，苄基乙基醚，二己基醚，乙酰丙酮，异佛尔酮，己酸，辛酸，1-辛醇，1-壬醇，苄醇，乙酸苄酯，苯甲酸乙酯，草酸二乙酯，苹果酸二乙酯，γ-丁内酯，碳酸亚乙酯，碳酸亚丙酯，苯基溶纤剂乙酸酯等。在这些溶剂中，可以选择二乙二醇单甲基醚，二乙二醇二乙基醚，3-乙氧基丙酸乙酯，3-甲氧基丙酸甲酯，环戊酮，环己酮，丙二醇单甲基醚乙酸酯，丙二醇二甲基醚乙酸酯，1-甲氧基-2-丙醇，乳酸乙酯，环戊酮和羟基乙酸乙酯。 
特别地，所述有机溶剂中的至少一种可以具有高沸点。当填充间隙时，具有高沸点的溶剂可以防止空隙的产生。其还可以提高层平坦度，因为其会缓慢挥发。 
基于用于填充间隙的填料的总量，可以作为除了上述成分以外的余量来包含所述有机溶剂。 
根据另一个实施方式，提供了制备用于填充间隙的填料的方法，其包括使选自由氢化的聚硅氮烷、氢化的聚硅氧氮烷和它们的组合组成的组中的化合物与三甲硅烷基胺((SiH3)3N)发生反应。 
氢化的聚硅氮烷或氢化的聚硅氧氮烷与三甲硅烷基胺的反应可以通过在有机溶剂中进行加热来进行，且当有机溶剂是碱性溶剂如吡啶等时，可以快速进行所述反应。然而，当水分或醇等共存时，氢化的聚硅氮烷或氢化的聚硅氧氮烷与三甲硅烷基胺的反应会因为烷氧基的水解或加成反应而产生不良的影响。因此，需要将所述有机溶剂充分脱水和纯化。 
在反应速度和反应控制方面，反应温度可以在0℃至200℃，具体地40℃至120℃的范围内。氢化的聚硅氮烷或氢化的聚硅氧氮烷因在反应前后与三甲硅烷基胺的加成反应和交联反应而具有提高的分子量。由于反应由氢化的聚硅氮烷或氢化的聚硅氧氮烷的N-H基团与三甲硅烷基胺的Si-H基团之间的脱氢结合而造成，所以可能产生氢气等，由此增加压力。 
另外，氢化的聚硅氮烷或氢化的聚硅氧氮烷可以具有在500至15,000范围内的重均分子量，因为其分子量因与三甲硅烷基胺的加成反应和交联反应而增大。 
根据又一个实施方式，一种制造半导体电容器的方法，所述方法包括：在半导体基板上形成具有间隙的模型；在所述半导体基板和所述模型上形成导电层；在所述间隙中和所述导电层上施加填料以形成填料层；对所述填料层进行热处理以形成二氧化硅层；对填充在所述间隙中的所述填料层的一部分进行显影以形成填料图案；除去所述导电层的一部分以将其分为多个第一电极；除去所述模型和所述填料图案；在所述第一电极上形成介电层；以及在所述介电层上形成第二电极，其中所述填料包含由下列化学式1表示的化合物。 
[化学式1] 
SiaNbOcHd
在化学式1中， 
1.96＜a＜2.68， 
1.78＜b＜3.21， 
0≤c＜0.19， 
4＜d＜10。 
当制造半导体电容器时，可以将用于填充间隙的填料用于制造电极。特别地，可以将其用于填充模型中的间隙以制造电极。 
在下文中，参考图1至9，对根据另一个实施方式的制造半导体电容器的方法进行说明。 
在图中，为了清楚，将层、膜、面板、区域等的厚度放大。在整个说明书中，相同的标号指示相同的要素（元件）。应理解，当称一个要素如层、膜、区域或基板“在”另一个要素“之上”时，其可以直接在另一个要素上或者还可以存在中间要素。相反，当称一个要素“直接在”另一个要素“之上”时，不存在中间要素。 
图1至9顺序示出了根据一个实施方式的制造半导体电容器的方法的横截面图。 
参考图1，将模型氧化物层（成型氧化物层，mold oxide layer）3设置在半导体基板1上。在所述半导体基板1上，设置晶体管(未示出)、接触垫(未示出)、接触销(未示出)等。所述模型氧化物层3可以例如，以化学气相沉积(CVD)法，由例如氧化物如氧化硅(SiO2)，原硅酸四乙酯(TEOS)，硼磷硅酸盐玻璃(BPSG)和磷硅酸盐玻璃(PSG)制成。 
参考图2，将模型氧化物层3光刻以形成显示半导体基板1的接触销的间隙2。所述间隙2可以微小至小于或等于50nm且具有大于或等于1的纵横比，其为高度和宽度之比。 
参考图3，在半导体基板1和模型氧化物层3上层压导电层5。导电层5可以是单层或多层。其可以由例如具有低电阻率的金属如铝（Al）、铜（Cu）、银（Ag）和它们的合金，诸如镍(Ni)、钛(Ti)等的金属，多晶硅等制成。导电层5可以以溅射或化学气相沉积(CVD)法等来形成。 
参考图4，将填料层7设置在导电层5上。填料层7可以是由包含由上述化学式1表示的化合物的用于填充间隙的填料制成的二氧化硅层。 
所述填料可以是通过将由上述化学式1表示的化合物与溶剂混合而制备的溶液，并且可以通过溶液方法如旋涂法、狭缝涂布法等来涂布。 
随后，对填料层7进行热处理。 
对所述填料层进行热处理以形成二氧化硅层可以包括在50℃至200℃的温度下对所述填料层进行干燥，并在200℃至1,000℃的温度下在包含大于或等于0.1kPa的蒸气的氧气氛下对所述填料层进行热处理。 
进行干燥以除去填料层7中的溶剂，并可以在50℃至200℃的温度下进行干燥并持续5秒至10分钟。可以在包含氮、氧、蒸气等的通常气氛下进行干燥。当在50℃至200℃的温度下进行干燥时，可以充分除去溶剂，且未进行氧化反应。当干燥时间为5秒至10分钟时，时间控制容易，未进行氧化反应且生产率良好。 
通过热处理，将改性的氢化的聚硅氮烷或改性的氢化的聚硅氧氮烷转化为二氧化硅，且可以在200℃至1,000℃的温度下进行热处理并持续1分钟至3小时。 
可以在包含大于或等于0.1kPa的蒸气的氧气氛下进行热处理，可以利用惰性气体如氮气或氩气对所述气氛进行稀释。当在200℃至1,000℃下进行热处理时，可以充分地进行到二氧化硅的转化，且不发生对于基板的氧化损伤。氧化气体对于改性的氢化的聚硅氮烷或改性的氢化的聚硅氧氮烷的氧化通常会是必要的，因为仅惰性气体不会将其转化为二氧化硅。当热处理为1分钟至3小时时，可以在固化炉中容易地控制对于温度、氛围气体等的控制，不发生对于基板的氧化损伤，且生产率良好。 
参考图5，可以使用显影液对填料层7进行显影。因此，将设置在导电层5上的填料层7除去，从而留下填充间隙2并形成预定填料图案7a的部分。 
参考图6，将设置在所述模型氧化物层3上的所述导电层5除去，从而留下所述模型氧化物层3与所述填料图案7a之间的部分以分离具有预定形状的下电极5a。在本文中，可以以化学机械研磨(CMP)法或回蚀法将下部导电层5除去。 
参考图7，将所述模型氧化物层3和所述填料图案7a同时除去，从而留下下电极5a。以湿式蚀刻法将所述模型氧化物层3和所述填料图案7a除去。在本文中，湿式蚀刻可以包括任意材料而没有特别限制，只要其可以将所述模型氧化物层3和所述填料图案7a同时除去即可。例如，其可以包含含氟蚀刻溶液如氢氟酸(HF)和氟化铵(NH4F)。 
参考图8，将介电层9设置在包含下电极5a的基板的整个表面上。 
参考图9，通过将导电层层压在介电层9上，然后对其进行光刻而形成上电极11。 
所述下电极5a、所述介电层9和所述上电极11形成电容器。 
本发明不限于电容器制备方法，且可以应用于用于STI或ILD方法的间隙填充。 
下列实施例更详细地说明了本发明。然而，应理解，本发明不受这些实施例的限制。 
用于填充间隙的填料的制备
(比较例1) 
将干氮气填充在具有搅拌器和温度控制器的2L反应器内部。在反应器中注入1,500g的干吡啶并保持在5℃下。然后，通过1小时将100ｇ的二氯硅烷缓慢注入到其中。在对所得混合物进行搅拌的同时，通过3小时将70ｇ的氨缓慢注入到其中。然后，在反应器中注入干氮气并持续30分钟以除去其中残余的氨。 
在干氮气氛下，使用1μm TEFLON(四氟乙烯)过滤器对制备的白色浆料相的产物进行过滤，从而制备1,000g的经过滤的溶液。通过添加干燥的二正丁基醚使用旋转蒸发仪将溶剂从吡啶替换为二正丁基醚并重复三次以将固体含量调节为20%。使用孔径为0.03μm的TEFLON(四氟乙烯)过滤器对所得产物进行过滤。 
获得的氢化的聚硅氮烷溶液具有1,600的换算为聚苯乙烯的重均分子量，0.98的N/Si(摩尔比)和0.21的SiH3/SiH(全部)。 
重均分子量使用GPC；HPLC泵1515，折射率检测器(RI Detector)2414(由Waters Ltd.制造)和柱：KF801、KF802、KF803(由Shodex Inc.制造)来测量，N/Si(摩尔比)使用XPS；JPS-9010(由JEOL Ltd.制造)来测量，且SiH3/SiH(全部)使用300MHz质子NMR：AC-200(由Bruker Co.制造)来测量。 
(比较例2) 
将干氮气填充在具有搅拌器和温度控制器的2L反应器内部。向1,500g的干吡啶中注入2.0g的纯水并与其充分混合。将混合物储存在所述反应器中并保持在5℃下。然后，通过1小时将100ｇ的二氯硅烷缓慢注入到其中。在对所得混合物进行搅拌的同时，通过3小时将70ｇ的氨缓慢注入到其中。然后，在反应器中注入干氮气并持续30分钟以除去其中残余的氨。 
在干氮气氛下，使用1μm TEFLON(四氟乙烯)过滤器对制备的白色浆料相的产物进行过滤，从而制备1,000g的经过滤的溶液。通过添加干燥的二正丁基醚使用旋转蒸发仪将溶剂从吡啶替换为二正丁基醚并重复三次以将固体含量调节为20%。使用孔径为0.03μm的TEFLON(四氟乙烯)过滤器对所得产物进行过滤。 
获得的氢化的聚硅氧氮烷具有2,000的换算为聚苯乙烯的重均分子量，0.97的N/Si(摩尔比)和0.20的SiH3/SiH(全部)。 
(实施例1) 
将干氮气置换具有搅拌器和温度控制器的1L反应器内部。将100g的包含根据比较例1获得的氢化的聚硅氮烷的20%的二正丁基醚溶液，2.0g三甲硅烷基胺和300g干吡啶注入到所述反应器中，并在其中利用干氮气填充所述反应器。随后，使用油浴对所得物进行缓慢加热，并将其在100℃的温度下保持5小时，然后冷却至室温。通过添加干燥的二正丁基醚使用旋转蒸发仪将溶剂从吡啶替换为二正丁基醚并重复三次以将固体含量调节为20%。使用孔径为0.03μm的TEFLON(四氟乙烯)过滤器对所得产物进行过滤。 
基于氢化的聚硅氮烷的化合物溶液具有3,000的重均分子量，0.93的N/Si(摩尔比)和0.48的SiH3/SiH(全部)。 
(实施例2) 
将干氮气填充在具有搅拌器和温度控制器的1L反应器内部。将100g包含根据比较例2获得的氢化的聚硅氮烷的20%的二正丁基醚溶液，2.0g三甲硅烷基胺和300g干吡啶注入到所述反应器中，并在其中利用干氮气置换所述反应器。随后，使用油浴对所得物进行缓慢加热，并将其在100℃的温度下保持5小时，然后冷却至室温。通过添加干燥的二正丁基醚使 用旋转蒸发仪将溶剂从吡啶替换为二正丁基醚并重复三次以将固体含量调节为20%。使用孔径为0.03μm的TEFLON(四氟乙烯)过滤器对所得产物进行过滤。 
基于氢化的聚硅氮烷的化合物溶液具有3,500的重均分子量，0.92的N/Si(摩尔比)和0.46的SiH3/SiH(全部)。 
(实施例3) 
将干氮气填充在具有搅拌器和温度控制器的1L反应器内部。将100g包含根据比较例2获得的氢化的聚硅氮烷的20%的二正丁基醚溶液，4.0g三甲硅烷基胺和300g干吡啶注入到所述反应器中，并在其中利用干氮气置换所述反应器。随后，使用油浴对所得物进行缓慢加热，并将其在100℃的温度下保持5小时，然后冷却至室温。通过添加干燥的二正丁基醚使用旋转蒸发仪将溶剂从吡啶替换为二正丁基醚并重复三次以将固体含量调节为20%。使用孔径为0.03μm的TEFLON(四氟乙烯)过滤器对所得产物进行过滤。 
基于氢化的聚硅氮烷的化合物溶液具有4,000的重均分子量，0.90的N/Si(摩尔比)和0.63的SiH3/SiH(全部)。 
膜厚度的收缩率的测量
利用旋涂机，在1,500 rpm下，分别将根据实施例1至3和比较例1至2的化合物在硅晶片上涂布20秒。在具有5kPa的蒸气分压的氧气氛下，将经涂布的硅晶片在100℃下干燥5分钟并在500℃下加热1小时。根据下列等式1来计算在加热前后各化合物的膜厚度的收缩率，并将结果提供在下表1中。 
[等式1] 
膜厚度的收缩率(%)=(T1-T2)/T1×100 
在本文中，T1表示在500℃下加热前的膜厚度。 
T2表示在500℃下加热后的膜厚度。 
在本文中，使用光谱反射膜厚度计；ST-4000(K-MAC Technology Corp.)来测量膜厚度。 
(表1) 
Figure BDA00001876339100171
如表1中所示，根据实施例1至3的由上述化学式1表示的基于氢化的聚硅氮烷的化合物和基于氢化的聚硅氧氮烷的化合物具有低的膜厚度收缩率，而根据比较例1和2的由上述化学式1表示的基于氢化的聚硅氮烷的化合物和基于氢化的聚硅氧氮烷的化合物具有高收缩率。 
尽管连同目前认为是实际的示例性实施方式对本发明进行了说明，但是应理解，本发明不限于所公开的实施方式，而是相反，旨在包括在所附的权利要求书的精神和范围内包括的各种修改和等价配置。 

Claims (10)

1.一种用于填充间隙的填料，包含由下列化学式1表示的化合物：
[化学式1]
SiaNbOcHd
其中，在化学式1中，
1.96＜a＜2.68，1.78＜b＜3.21，0≤c＜0.19，且4＜d＜10。
2.根据权利要求1所述的用于填充间隙的填料，其中，由上述化学式1表示的所述化合物具有1,000至30,000的重均分子量。
3.根据权利要求1所述的用于填充间隙的填料，其中，由上述化学式1表示的所述化合物以0.7至0.95的摩尔比(N/Si)包含氮原子和硅原子。
4.根据权利要求1所述的用于填充间隙的填料，其中，基于氢原子的总数，由上述化学式1表示的所述化合物以0.35至0.85的比率在分子中包含全部-SiHe的-SiH3，其中e是1至3的整数。
5.一种制备用于填充间隙的填料的方法，所述方法包括使选自由氢化的聚硅氮烷、氢化的聚硅氧氮烷和它们的组合组成的组中的化合物与三甲硅烷基胺((SiH3)3N)发生反应。
6.一种制造半导体电容器的方法，包括：
在半导体基板上形成具有间隙的模型；
在所述半导体基板和所述模型上形成导电层；
在所述间隙中和所述导电层上施加填料以形成填料层；
对所述填料层进行热处理以形成二氧化硅层；
对填充在所述间隙中的所述填料层的一部分进行显影以形成填料图案；
除去所述导电层的一部分以形成多个第一电极；
除去所述模型和所述填料图案；
在所述第一电极上形成介电层；以及
在所述介电层上形成第二电极，
其中所述填料包含由下列化学式1表示的化合物：
[化学式1]
SiaNbOcHd
其中，在化学式1中，
1.96＜a＜2.68，1.78＜b＜3.21，0≤c＜0.19，且4＜d＜10。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，由上述化学式1表示的所述化合物具有1,000至30,000的重均分子量。
8.根据权利要求6所述的方法，其中，由上述化学式1表示的所述化合物以0.7至0.95的摩尔比(N/Si)包含氮原子和硅原子。
9.根据权利要求6所述的方法，其中，基于氢原子的总数，由上述化学式1表示的所述化合物以0.35至0.85的比率在分子中包含全部-SiHe的-SiH3，其中e是1至3的整数。
10.根据权利要求6所述的方法，其中，对所述填料层进行热处理以形成二氧化硅层包括在50℃至200℃的温度下对所述填料层进行干燥，并且在200℃至1,000℃的温度下在包含大于或等于0.1kPa的蒸气的氧气氛下对所述填料层进行热处理。
CN201210241251.XA 2011-07-15 2012-07-11 填充间隙的填料、其制备方法及制造半导体电容器的方法 Active CN102874813B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110070672A KR101432606B1 (ko) 2011-07-15 2011-07-15 갭필용 충전제, 이의 제조 방법 및 이를 사용한 반도체 캐패시터의 제조 방법
KR10-2011-0070672 2011-07-15

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102874813A true CN102874813A (zh) 2013-01-16
CN102874813B CN102874813B (zh) 2016-02-03

Family

ID=47476378

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210241251.XA Active CN102874813B (zh) 2011-07-15 2012-07-11 填充间隙的填料、其制备方法及制造半导体电容器的方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8766411B2 (zh)
KR (1) KR101432606B1 (zh)
CN (1) CN102874813B (zh)
TW (1) TWI486386B (zh)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104513613A (zh) * 2013-10-01 2015-04-15 三星Sdi株式会社 用于形成基于二氧化硅的层的组合物和基于二氧化硅的层
CN104684968A (zh) * 2012-12-31 2015-06-03 第一毛织株式会社 改质氢化聚硅氧氮烷、含有其的用于形成以氧化硅为主的绝缘层的组合物、用于形成以氧化硅为主的绝缘层的组合物的制备方法、以氧化硅为主的绝缘层、及以氧化硅为主的绝缘层的制造方法
CN105315679A (zh) * 2014-05-26 2016-02-10 三星Sdi株式会社 形成二氧化硅基层的组成物及制造二氧化硅基层的方法
CN106189267A (zh) * 2014-10-07 2016-12-07 三星Sdi株式会社 用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层及电子装置
US10020185B2 (en) 2014-10-07 2018-07-10 Samsung Sdi Co., Ltd. Composition for forming silica layer, silica layer, and electronic device
US10093830B2 (en) 2014-12-19 2018-10-09 Samsung Sdi Co., Ltd. Composition for forming a silica based layer, method for manufacturing silica based layer, and electronic device including the silica based layer
US10106687B2 (en) 2015-07-31 2018-10-23 Samsung Sdi Co., Ltd. Composition for forming silica layer, method for manufacturing silica layer and silica layer
US10427944B2 (en) 2014-12-19 2019-10-01 Samsung Sdi Co., Ltd. Composition for forming a silica based layer, silica based layer, and electronic device
CN110957057A (zh) * 2019-11-14 2020-04-03 宸盛光电有限公司 具自组装保护层之导电结构及自组装涂层组合物
CN115851004A (zh) * 2021-09-24 2023-03-28 宝山钢铁股份有限公司 一种耐热刻痕型取向硅钢涂层用涂液、取向硅钢板及其制造方法

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101432606B1 (ko) * 2011-07-15 2014-08-21 제일모직주식회사 갭필용 충전제, 이의 제조 방법 및 이를 사용한 반도체 캐패시터의 제조 방법
US9536771B2 (en) 2013-04-11 2017-01-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Gap fill self planarization on post EPI
EP2860556A1 (en) * 2013-10-08 2015-04-15 Optotune AG Tunable Lens Device
JP6104785B2 (ja) 2013-12-09 2017-03-29 アーゼッド・エレクトロニック・マテリアルズ（ルクセンブルグ）ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ ペルヒドロポリシラザン、およびそれを含む組成物、ならびにそれを用いたシリカ質膜の形成方法
US10371954B2 (en) * 2014-06-10 2019-08-06 Ams Sensors Singapore Pte. Ltd. Optoelectronic modules including hybrid arrangements of beam shaping elements, and imaging devices incorporating the same
US10647578B2 (en) * 2016-12-11 2020-05-12 L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude N—H free and SI-rich per-hydridopolysilzane compositions, their synthesis, and applications
US11739220B2 (en) 2018-02-21 2023-08-29 L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Perhydropolysilazane compositions and methods for forming oxide films using same
CN113707608B (zh) * 2020-05-20 2023-09-26 长鑫存储技术有限公司 一种半导体结构及其制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1061419A (zh) * 1990-11-16 1992-05-27 赫彻斯特股份公司 耐温度变化的光导模制体及其制法
EP0890599A1 (en) * 1996-12-27 1999-01-13 Tonen Corporation Polyorganosiloxazanes and process for the preparation thereof
CN101528974A (zh) * 2006-10-16 2009-09-09 应用材料股份有限公司 浅沟渠隔离的二氧化硅高品质介电膜的形成：于高纵深比填沟工艺ⅱ（ harpⅱ）使用不同的硅氧烷前体—远端等离子辅助沉积工艺
KR20110043994A (ko) * 2009-10-22 2011-04-28 제일모직주식회사 반도체 캐패시터용 충전제 및 상기 충전제를 사용한 반도체 캐패시터의 제조 방법
US20110129981A1 (en) * 2009-12-02 2011-06-02 Lim Sang-Hak Filler for filling a gap and method for manufacturing semiconductor capacitor using the same

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2544928B2 (ja) 1987-06-12 1996-10-16 チッソ株式会社 新規ポリシラザン及びその製造方法
JP2750406B2 (ja) 1988-02-08 1998-05-13 東燃株式会社 改質ポリシラザン及びその製造法
EP0331424B1 (en) * 1988-02-29 1996-04-17 Toa Nenryo Kogyo Kabushiki Kaisha Molded articles formed of silicon nitride based ceramic and process for producing same
JPH0437644A (ja) * 1990-05-29 1992-02-07 Chisso Corp セラミック組成物及びその製造法
CA2017720C (en) 1990-05-29 1999-01-19 Luc Ouellet Sog with moisture-resistant protective capping layer
JP3042537B2 (ja) 1990-06-30 2000-05-15 東燃株式会社 改質ポリシラザン及びその製造方法
JP3385060B2 (ja) 1993-04-20 2003-03-10 東燃ゼネラル石油株式会社 珪素−窒素−酸素−（炭素）−金属系セラミックス被覆膜の形成方法
WO1997003131A1 (fr) * 1995-07-13 1997-01-30 Tonen Corporation Composition de formation de ceramiques et procede de production de ceramiques
WO1999055789A1 (fr) * 1998-04-24 1999-11-04 Catalysts & Chemicals Industries Co., Ltd. Liquide de revetement utilise pour former un film a base de silice presentant une faible constante dielectrique et substrat sur lequel est couche un film a faible constante dielectrique
JP2000012536A (ja) 1998-06-24 2000-01-14 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd シリカ被膜形成方法
JP5020425B2 (ja) 2000-04-25 2012-09-05 Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 微細溝をシリカ質材料で埋封する方法
US6756469B2 (en) 2001-07-18 2004-06-29 Kion Corporation Polysilazane-modified polyamine hardeners for epoxy resins
KR100947803B1 (ko) 2004-12-17 2010-03-15 토쿠시마 대학 기재 표면의 개질 방법, 개질된 표면을 갖는 기재 및 그제조 방법
JP4672400B2 (ja) * 2005-03-09 2011-04-20 株式会社東芝 過水素化ポリシラザン溶液およびそれを用いた半導体装置の製造方法
WO2008029834A1 (fr) 2006-09-08 2008-03-13 Az Electronic Materials (Japan) K.K. Composition pour former un film siliceux et procédé de production de film siliceux à partir de celle-ci
JP4965953B2 (ja) * 2006-09-29 2012-07-04 株式会社東芝 ポリシラザンまたはポリシラザン溶液の取り扱い方法、ポリシラザン溶液、半導体装置の製造方法
JP5306669B2 (ja) * 2008-02-29 2013-10-02 ＡｚエレクトロニックマテリアルズＩｐ株式会社 シリカ質膜の形成方法およびそれにより形成されたシリカ質膜
JP5700615B2 (ja) * 2009-02-02 2015-04-15 旭化成イーマテリアルズ株式会社 ポリシラザン系トレンチ埋め込み用組成物
US20110136347A1 (en) * 2009-10-21 2011-06-09 Applied Materials, Inc. Point-of-use silylamine generation
CN102569060B (zh) * 2010-12-22 2015-03-11 第一毛织株式会社 形成硅氧层的组合物及其生产方法、利用其的硅氧层及生产硅氧层的方法
KR101387740B1 (ko) * 2011-01-07 2014-04-21 제일모직주식회사 실리카계 절연층 형성용 조성물, 실리카계 절연층 형성용 조성물의 제조방법, 실리카계 절연층 및 실리카계 절연층의 제조방법
KR101432606B1 (ko) * 2011-07-15 2014-08-21 제일모직주식회사 갭필용 충전제, 이의 제조 방법 및 이를 사용한 반도체 캐패시터의 제조 방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1061419A (zh) * 1990-11-16 1992-05-27 赫彻斯特股份公司 耐温度变化的光导模制体及其制法
EP0890599A1 (en) * 1996-12-27 1999-01-13 Tonen Corporation Polyorganosiloxazanes and process for the preparation thereof
CN101528974A (zh) * 2006-10-16 2009-09-09 应用材料股份有限公司 浅沟渠隔离的二氧化硅高品质介电膜的形成：于高纵深比填沟工艺ⅱ（ harpⅱ）使用不同的硅氧烷前体—远端等离子辅助沉积工艺
KR20110043994A (ko) * 2009-10-22 2011-04-28 제일모직주식회사 반도체 캐패시터용 충전제 및 상기 충전제를 사용한 반도체 캐패시터의 제조 방법
US20110129981A1 (en) * 2009-12-02 2011-06-02 Lim Sang-Hak Filler for filling a gap and method for manufacturing semiconductor capacitor using the same

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104684968A (zh) * 2012-12-31 2015-06-03 第一毛织株式会社 改质氢化聚硅氧氮烷、含有其的用于形成以氧化硅为主的绝缘层的组合物、用于形成以氧化硅为主的绝缘层的组合物的制备方法、以氧化硅为主的绝缘层、及以氧化硅为主的绝缘层的制造方法
US9890255B2 (en) 2012-12-31 2018-02-13 Cheil Industries, Inc. Modified hydrogenated polysiloxazane, composition comprising same for forming silica-based insulation layer, method for preparing composition for forming
CN104513613A (zh) * 2013-10-01 2015-04-15 三星Sdi株式会社 用于形成基于二氧化硅的层的组合物和基于二氧化硅的层
CN105315679B (zh) * 2014-05-26 2019-09-17 三星Sdi株式会社 形成二氧化硅基层的组成物及制造二氧化硅基层的方法
CN105315679A (zh) * 2014-05-26 2016-02-10 三星Sdi株式会社 形成二氧化硅基层的组成物及制造二氧化硅基层的方法
US9902873B2 (en) 2014-05-26 2018-02-27 Samsung Sdi Co., Ltd. Composition for forming silica based layer, and method for manufacturing silica based layer
CN106189267A (zh) * 2014-10-07 2016-12-07 三星Sdi株式会社 用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层及电子装置
US10020185B2 (en) 2014-10-07 2018-07-10 Samsung Sdi Co., Ltd. Composition for forming silica layer, silica layer, and electronic device
US10093830B2 (en) 2014-12-19 2018-10-09 Samsung Sdi Co., Ltd. Composition for forming a silica based layer, method for manufacturing silica based layer, and electronic device including the silica based layer
US10427944B2 (en) 2014-12-19 2019-10-01 Samsung Sdi Co., Ltd. Composition for forming a silica based layer, silica based layer, and electronic device
US10106687B2 (en) 2015-07-31 2018-10-23 Samsung Sdi Co., Ltd. Composition for forming silica layer, method for manufacturing silica layer and silica layer
CN110957057A (zh) * 2019-11-14 2020-04-03 宸盛光电有限公司 具自组装保护层之导电结构及自组装涂层组合物
US11674049B2 (en) 2019-11-14 2023-06-13 Tpk Universal Solutions Limited Conductive structure having self-assembled protective layer and self-assembled coating composition
CN115851004A (zh) * 2021-09-24 2023-03-28 宝山钢铁股份有限公司 一种耐热刻痕型取向硅钢涂层用涂液、取向硅钢板及其制造方法
CN115851004B (zh) * 2021-09-24 2023-12-12 宝山钢铁股份有限公司 一种耐热刻痕型取向硅钢涂层用涂液、取向硅钢板及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US8766411B2 (en) 2014-07-01
TW201311773A (zh) 2013-03-16
TWI486386B (zh) 2015-06-01
KR101432606B1 (ko) 2014-08-21
KR20130009509A (ko) 2013-01-23
CN102874813B (zh) 2016-02-03
US20130017662A1 (en) 2013-01-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102874813A (zh) 填充间隙的填料、其制备方法及制造半导体电容器的方法
US8058711B2 (en) Filler for filling a gap and method for manufacturing semiconductor capacitor using the same
US9890255B2 (en) Modified hydrogenated polysiloxazane, composition comprising same for forming silica-based insulation layer, method for preparing composition for forming
CN104885204B (zh) 二氧化硅质膜的形成方法以及通过该方法形成的二氧化硅质膜
US20060289849A1 (en) Composition for forming porous film, porous film and method for forming the same, interlevel insulator film, and semiconductor device
US20150093545A1 (en) Composition for a silica based layer, silica based layer, and method of manufacturing a silica based layer
US9738787B2 (en) Composition for forming silica-based insulating layer, method for preparing composition for forming silica-based insulating layer, silica-based insulating layer, and method for manufacturing silica-based insulating layer
CN101663348A (zh) 聚酰亚胺前体和聚酰亚胺以及形成图像的下层膜涂布液
US9240443B2 (en) Process of preparing a gap filler agent, a gap filler agent prepared using same, and a method for manufacturing semiconductor capacitor using the gap filler agent
TWI553060B (zh) 用於形成二氧化矽基層的組成物、二氧化矽基層及二氧化矽基層的製造方法
JP6599640B2 (ja) シリカ系膜形成用組成物、シリカ系膜、および電子デバイス
US9902873B2 (en) Composition for forming silica based layer, and method for manufacturing silica based layer
TW201811671A (zh) 用於形成二氧化矽層的組成物、二氧化矽層和電子裝置
CN111944320B (zh) 用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层及电子装置
KR101107004B1 (ko) 반도체 캐패시터용 충전제 및 상기 충전제를 사용한 반도체 캐패시터의 제조 방법
TW201439153A (zh) 塡隙劑製備製程、由其製備的塡隙劑、使用該塡隙劑的半導體電容器的製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant