CN104513613A - 用于形成基于二氧化硅的层的组合物和基于二氧化硅的层 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种用于形成基于二氧化硅的层的组合物和基于二氧化硅的层。该组合物包含具有20,000至160,000的重均分子量的含硅聚合物以及溶剂。另外，本发明还公开了一种用于制造基于二氧化硅的层的方法。

Description

用于形成基于二氧化硅的层的组合物和基于二氧化硅的层
相关申请的引用
本申请要求分别于2013年10月1日和2014年8月25日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请号10-2013-0117498和10-2014-0110915的优先权和权益，通过引用将其全部内容合并在本文中。
技术领域
本公开内容涉及用于基于二氧化硅的层(基于硅石的层，二氧化硅类层，silica-based layer)的组合物、基于二氧化硅的层、以及用于制造该基于二氧化硅的层的方法。
背景技术
由于半导体技术的加速发展，对于通过增加具有较小尺寸的半导体芯片的集成而具有改善的性能的高度集成和高速的半导体存储器单元已经进行了研究。然而，半导体的高集成需求可能缩小导线之间的距离，从而，造成可以引起半导体互连方面的问题的RC延迟、串扰、响应速度的劣化等。此外，对于由多个包括半导体存储器单元中的一个MOS晶体管和一个电容器的单元电池组成的动态随机存取存储器(DRAM)，电容器包括位于两个电极之间的介电层，可以根据介电常数、介电层的厚度、以及形成电容器的电极的面积测定电容的量，因此，当电容器根据半导体芯片变小而变小时，存在电容器能够确保存储容量的要求。通过增加其垂直面积代替降低其水平面积以增加其总体有效面积，可以实现该电容器。当使用该方法制造电容器时，与使水平面积变小相比，使用模具并且利用用于形成二氧化硅层的组合物填充模具上的间隙形成的二氧化硅层可以用于有效地形成相对较高的电极。因此，需要能够确保厚度均匀性和间隙中的高致密性的半导体绝缘层材料。
发明内容
本发明的一个实施方式提供了用于能够确保厚度均匀性和间隙中的高紧凑性的基于二氧化硅的层(基于硅石的层，二氧化硅类层，silica-basedlayer)的组合物。
另一个实施方式提供了使用用于基于二氧化硅的层的组合物的基于二氧化硅的层。
又一个实施方式提供了一种用于制造基于二氧化硅的层的方法。
根据一个实施方式，提供了一种用于包括具有20,000至160,000的重均分子量的含硅聚合物和溶剂的基于二氧化硅的层的组合物。
含硅聚合物可以是聚硅氮烷、聚硅氧氮烷、或它们的组合。
含硅聚合物可以具有21,000至50,000的重均分子量。
含硅聚合物可以具有4,000至10,000的数均分子量。
溶剂可以选自：苯、甲苯、二甲苯、乙苯、二乙苯、三甲苯、三乙苯、环己烷、环己烯、十氢化萘(萘烷)、二戊烯、戊烷、己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、乙基环己烷、甲基环已烷、环己烷、环己烯、对薄荷烷、二丙醚、二丁醚、茴香醚、乙酸丁酯、乙酸戊酯、甲基异丁基酮、以及它们的组合。
基于用于基于二氧化硅的层的组合物的总量，可以以0.1wt％至30wt％的量包含含硅聚合物。
含硅聚合物可以包括氢化聚硅氧氮烷或氢化聚硅氮烷。
氢化聚硅氧氮烷或氢化聚硅氮烷可以具有基于100wt％的氢化聚硅氧氮烷或氢化聚硅氮烷为0.2wt％至3wt％的氧含量，以及相对于氢化聚硅氧氮烷或氢化聚硅氮烷中Si-H键总量的15％至40％的-SiH3基团含量。
根据另一个实施方式，提供了使用用于基于二氧化硅的层的组合物制造的基于二氧化硅的层。
基于二氧化硅的层可以具有小于或等于1.0的厚度均匀性(厚度一致性，thickness uniformity)。
基于二氧化硅的层在小于或等于200nm的图案中可以具有大于或等于0.5的范围内的内部氧化物层的致密性(致密度，compactness)。
根据又一个实施方式，提供了制造基于二氧化硅的层的方法，包括：将用于基于二氧化硅的层的组合物涂覆在基板上；对利用所述用于基于二氧化硅的层的组合物涂覆的基板进行干燥；以及在包括大于或等于150℃的湿气的气氛下固化基板。
可以实现能够确保厚度均匀性并且同时确保间隙中的高致密性的基于二氧化硅的层。
附图说明
图1是示出了通过使用反射光谱层厚度仪(ST-5000,K-MAC)在具有十字(+)形状的晶片上的9个点下测量氢化聚硅氧氮烷层的厚度的示意性示图。
具体实施方式
本发明的示例性实施方式将在下文中详细地描述，并且可以由相关领域中具有公共常识的技术人员容易地实施。然而，本公开可以体现为许多不同形式，而不应解释为局限于本文中阐述的示例性实施方式。
如在本文中使用的，当没有另外提供定义时，术语“取代的”是指用下述的一种取代基取代，代替化合物中的氢，所述取代基选自卤素原子(F、Br、Cl或I)、羟基、烷氧基、硝基、氰基、氨基、叠氮基、脒基、肼基、亚肼基(肼叉基，hydrazono group)、羰基、氨甲酰基、硫醇基、酯基、羧基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸基或其盐、烷基、C2至C16烯基、C2至C16炔基、芳基、C7至C13芳烷基、C1至C4氧烷基(oxyalkyl)、C1至C20杂烷基、C3至C20杂芳烷基、环烷基、C3至C15环烯基、C6至C15环炔基、杂环烷基、以及它们的组合。
在下文中，描述了根据一个实施方式的用于基于二氧化硅的层的组合物。
根据一个实施方式的用于基于二氧化硅的层的组合物包括含硅聚合物和溶剂。
含硅聚合物可以是包括而不仅限于硅(Si)原子的任何聚合物，并且可以是例如聚硅氮烷、聚硅氧氮烷、或它们的组合。含硅聚合物可以具有20,000至160,000的重均分子量。
当重均分子量在该范围内时，不仅可以最小化厚度均匀性劣化(例如，厚度误差(厚度变化)可以被最小化)而且还增加了间隙内部的致密性，从而，最小化层内部的缺陷。
在本文中，含硅聚合物可以具有21,000至50,000或20,000至46,000的重均分子量。
含硅聚合物可以具有4,000至10,000，或4,000至9,000的数均分子量。
当数均分子量在该范围内时，不仅可以最小化厚度均匀性劣化(例如，厚度误差(厚度变化)可以被最小化)而且还增加了间隙内部的致密性，其可以有助于最小化层内部的缺陷。
例如，含硅聚合物可以包括氢化聚硅氧氮烷或氢化聚硅氮烷。
基于100wt％的氢化聚硅氧氮烷或氢化聚硅氮烷，氢化聚硅氧氮烷或氢化聚硅氮烷可以具有0.2wt％至3wt％的氧含量。
当氢化聚硅氧氮烷包含在该范围内时，可以防止热处理过程中的收缩，从而可以防止通过热处理形成的电荷图案上的裂纹。具体地，氢化聚硅氧硅氮烷或氢化聚硅氮烷的氧含量可以为0.4wt％至2wt％。
此外，氢化聚硅氧氮烷或氢化聚硅氮烷在末端可以具有由-SiH3表示的部分，并且基于氢化聚硅氧氮烷或氢化聚硅氮烷中的Si-H键的总量，可以以15wt％至40wt％的量包含-SiH3。
基于用于基于二氧化硅的层的组合物的总量，可以以0.1wt％至30wt％的量包含氢化聚硅氧氮烷或氢化聚硅氮烷。当氢化聚硅氧氮烷或氢化聚硅氮烷包含在该范围内时，在间隙填充过程中层可以形成得平坦且均匀而没有间隙(空隙)以及可以维持适当的粘度。
溶剂可以是选自以下中的一种：芳香族化合物、脂肪族化合物、饱和烃化合物、醚、酯、酮等，具体地是，苯、甲苯、二甲苯、乙苯、二乙苯、三甲苯、三乙苯、环己烷、环己烯、十氢化萘、二戊烯、戊烷、己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、乙基环己烷、甲基环已烷、环己烷、环己烯、对薄荷烷、二丙醚、二丁醚、茴香醚、乙酸丁酯、乙酸戊酯、甲基异丁基酮、以及它们的组合。
特别地，来自溶剂中的至少一种可以具有大于或等于130℃的沸点。以这种方式，可以增加层的平坦性。
基于用于基于二氧化硅的层的组合物的总量，除了上述组分之外，可以以余量包含溶剂。
用于基于二氧化硅的层的组合物可以进一步包含热生酸剂(TAG)。
热生酸剂可以包括任何化合物而没有特别限制，只要其通过加热产生酸(H+)即可。特别地，其可以包含在90℃或更高温度下活化并产生足够的酸、并且还具有低挥发性的化合物。这种热生酸剂可以选自，例如硝基苄基甲苯磺酸酯、硝基苄基苯磺酸酯、苯酚磺酸酯、以及它们的组合。
基于用于基于二氧化硅的层的组合物的总量，可以以0.01wt％至25wt％的量包含热生酸剂。
用于基于二氧化硅的层的组合物可以进一步包含表面活性剂。
表面活性剂没有特别限制，并且可以是例如非离子型表面活性剂如聚氧乙烯烷基醚类，如聚氧乙烯月桂基醚、聚氧乙烯硬脂基醚、聚氧乙烯十六烷基醚、聚氧乙烯油基醚等；聚氧乙烯烷基烯丙基醚类，如聚氧乙烯壬基酚醚等；聚氧乙烯聚氧丙烯嵌段共聚物；聚氧乙烯山梨糖醇酐脂肪酸酯类，如山梨糖醇酐单月桂酸酯、山梨糖醇酐单棕榈酸酯、山梨糖醇酐单硬脂酸酯、山梨糖醇酐单油酸脂、聚氧乙烯山梨糖醇酐单硬脂酸酯、聚氧乙烯山梨糖醇酐三油酸酯、聚氧乙烯山梨糖醇酐三硬脂酸酯等；氟类表面活性剂：EFTOP EF301、EF303、EF352(Tochem Products Co.,Ltd.)、MEGAFACE F171、F173(Dainippon Ink&Chem.,Inc.)、FLUORAD FC430、FC431(Sumitomo 3M)、Asahi guard AG710、Surflon S-382、SC101、SC102、SC103、SC104、SC105、SC106(Asahi Glass Co.,Ltd.)等；其他硅酮类表面活性剂，如有机硅氧烷聚合物KP341(Shin-Etsu Chemical Co.,Ltd)等。
基于用于基于二氧化硅的层的组合物的总量，可以以0.001wt％至10wt％的量包含表面活性剂。在该范围内，改善了溶液的分散，并且同时改善了层的均匀厚度和填充性能。
根据另一个实施方式，提供了使用用于基于二氧化硅的层的组合物制造的基于二氧化硅的层。
例如，基于二氧化硅的层可以用作电子装置如半导体、显示装置等中的绝缘层。例如，绝缘层可以用在晶体管器件和位线之间、晶体管器件和电容器之间等，但不限于此。
基于二氧化硅的层可以具有小于或等于1.0的厚度均匀性。当厚度均匀性在该范围内时，基于二氧化硅的层具有优异的均匀性，从而，可以容易地进行形成基于二氧化硅的层之后的后续过程。可以根据以下等式获得基于二氧化硅的层的厚度均匀性。
*厚度均匀性＝[(最大厚度-最小厚度)/2/平均厚度]*100
此外，基于二氧化硅的层在小于或等于200nm的图案中可以具有大于或等于0.5的范围内的内部氧化物层的致密性。当内部氧化物层的致密性在该范围内时，基于二氧化硅的层可以具有间隙内部的高致密性。可以根据下式获得内部氧化物层的高致密性。
*内部氧化物层的致密性＝外表面蚀刻量/图案内部的蚀刻量
在下文中，提供了根据另一个实施方式的用于制造基于二氧化硅的层的方法。
用于制造基于二氧化硅的层的方法，包括：将用于基于二氧化硅的层的组合物涂覆在基板上；干燥利用用于基于二氧化硅的层的组合物涂覆的基板；以及在包括大于或等于150℃的湿气的气氛下固化基板。
用于基于二氧化硅的层的组合物可以是通过混合含硅聚合物和溶剂，例如通过诸如旋涂、狭缝涂覆、丝网印刷、喷涂、ODF(滴下式注入法)、或它们的组合等溶液方法获得的溶液。
以下实施例更详细地阐明了本发明。然而，这些实施例是示例性的，并且本公开内容并不限于此。
制备用于基于二氧化硅的层的组合物
[比较例1]
将干燥氮气置换在具有搅拌装置和温度控制器的2L的反应器中。随后，将1,500g的干燥吡啶注入反应器中，并且将反应器储存在5℃下。然后，经2小时将140g的二氯硅烷缓慢注入其中。然后，经4.3小时缓慢注入85g的氨水，同时搅拌混合物。然后，经120分钟将干燥氮气注入反应器中，并且除去残留在其中的氨。
在干燥的氮气气氛下，用1μm的TEFLON(四氟乙烯)过滤器过滤获得的白色浆体产物，获得1,000g的过滤溶液。随后，将1,000g的干燥二甲苯加入到其中，并且通过重复利用旋转蒸发器用吡啶取代二甲苯三次将混合物调节为具有20％的固体含量，然后，用具有0.1μm的孔径的TEFLON过滤器过滤。
将250g的干燥吡啶加入到获得的氢化聚硅氮烷溶液中，并且在100℃下聚合混合物以具有4,000的重均分子量(数均分子量＝2,270)。
在本说明书中，使用由Waters制造的GPC(PLC泵1515，RI检测器2414)和由Shodex制造的柱(LF-804)来测定重均分子量和数均分子量。
[比较例2]
将干燥氮气置换在具有搅拌装置和温度控制器的2L的反应器中。随后，将1,500g的干燥吡啶注入反应器中，并且将反应器储存在5℃下。然后，经2小时将140g的二氯硅烷缓慢注入其中。然后，向其中缓慢注入85g的氨水，同时将反应器搅拌4.3小时。然后，经120分钟将干燥的氮气注入到其中，并且除去残留在反应器中的氨。
在干燥的氮气气氛下，用1μm的TEFLON过滤器过滤获得的白色浆体产物，获得1,000g的过滤溶液。随后，将1,000g的干燥二甲苯加入到其中，并且通过重复利用旋转蒸发器用吡啶取代二甲苯三次将混合物调节为具有20％的固体含量，然后，用具有0.1μm的孔径的TEFLON过滤器过滤。
然后，将250g的干燥吡啶加入至氢化聚硅氮烷溶液，并且在100℃下聚合混合物以具有14,000的重均分子量(数均分子量＝3,750)。
[比较例3]
将干燥氮气置换在具有搅拌装置和温度控制器的2L的反应器中。随后，将1,500g的干燥吡啶注入反应器中，并且将反应器储存在5℃下。然后，经2小时将140g的二氯硅烷缓慢注入其中。然后，经4.3小时将85g的氨水缓慢注入其中，同时搅拌混合物。然后，经120分钟将干燥氮气注入到其中，并且除去残留在反应器中的氨。
在干燥的氮气气氛下，用1μm的TEFLON过滤器过滤获得的白色浆体产物，获得1,000g的过滤溶液。随后，将1,000g的干燥二甲苯加入到其中，并且通过重复利用旋转蒸发器用吡啶取代二甲苯三次将混合物调节为具有20％的固体含量，然后，用具有0.1μm的孔径的TEFLON过滤器过滤。
然后，将250g的干燥吡啶加入到氢化聚硅氮烷溶液中，并且在100℃下聚合混合物以具有19,000的重均分子量(数均分子量＝3,950)。
[比较例4]
将干燥氮气置换在具有搅拌装置和温度控制器的2L的反应器中。随后，将1,500g的干燥吡啶注入反应器中，并且将反应器储存在5℃下。然后，经2小时将140g的二氯硅烷缓慢注入其中。然后，经4.3小时将85g的氨水缓慢注入其中，同时搅拌混合物。然后，经120分钟将干燥氮气注入到其中，并且除去残留在反应器中的氨。
在干燥的氮气气氛下，用1μm的TEFLON过滤器过滤获得的白色浆体产物，获得1,000g的过滤溶液。随后，将1,000g的干燥二甲苯加入到其中，并且通过重复利用旋转蒸发器用吡啶取代二甲苯三次将混合物调节为具有20％的固体含量，然后，用具有0.1μm的孔径的TEFLON过滤器过滤。
然后，将250g的干燥吡啶加入到氢化聚硅氮烷溶液中，并且在100℃下聚合混合物以具有161,000的重均分子量(数均分子量＝9,050)。
[实施例1]
将干燥氮气置换在具有搅拌装置和温度控制器的2L的反应器中。随后，将1,500g的干燥吡啶注入反应器中，并且将反应器储存在5℃下。然后，经2小时将140g的二氯硅烷缓慢注入到其中。然后，经4.3小时将85g的氨水缓慢注入到其中，同时搅拌混合物。然后，经120分钟将干燥的氮气注入到其中，并且除去残留在其中的氨。
在干燥的氮气气氛下，用1μm的TEFLON过滤器过滤获得的白色浆体产物，获得1,000g的过滤溶液。随后，将1,000g的干燥二甲苯加入到其中，并且通过重复利用旋转蒸发器用吡啶取代二甲苯三次将混合物调节为具有20％的固体含量，然后，用具有0.1μm的孔径的TEFLON过滤器过滤。
然后，将250g的干燥吡啶加入到获得的氢化聚硅氮烷溶液，并且在100℃下聚合混合物以具有21,000的重均分子量(数均分子量＝4,050)。
[实施例2]
将干燥的氮气置换在具有搅拌装置和温度控制器的2L的反应器中。随后，将1,500g的干燥吡啶注入反应器中，并且将反应器储存在5℃下。然后，经2小时将140g的二氯硅烷缓慢注入其中。然后，经4.3小时将85g的氨水缓慢注入其中，同时搅拌混合物。然后，经120分钟将干燥的氮气注入其中，并且除去残留在反应器中的氨。
在干燥的氮气气氛下，用1μm的TEFLON过滤器过滤获得的白色浆体产物，获得1,000g的过滤溶液。随后，将1,000g的干燥二甲苯加入其中，并且通过重复利用旋转蒸发器用吡啶取代二甲苯三次将混合物调节为具有20％的固体含量，然后，使用具有0.1μm的孔径的TEFLON过滤器过滤。
然后，将250g的干燥吡啶加入到获得的氢化聚硅氮烷溶液中，并且在100℃下聚合混合物以具有68,000的重均分子量(数均分子量＝5,750)。
[实施例3]
将干燥的氮气置换在具有搅拌装置和温度控制器的2L的反应器中。随后，将1,500g的干燥吡啶注入到反应器中，并且将反应器储存在5℃下。然后，经2小时将140g的二氯硅烷缓慢注入其中。然后，经4.3小时将85g的氨水缓慢注入其中，同时搅拌混合物。然后，经120分钟将干燥氮气注入其中，并且除去残留在反应器中的氨。
在干燥的氮气气氛下，用1μm的TEFLON过滤器过滤获得的白色浆体产物，获得1,000g的过滤溶液。随后，将1,000g的干燥二甲苯加入其中，并且通过重复利用旋转蒸发器用吡啶取代二甲苯三次将混合物调节为具有20％的固体含量，然后，用具有0.1μm的孔径的TEFLON过滤器过滤。
然后，将250g的干燥吡啶加入到获得的氢化聚硅氮烷溶液，并且在100℃下聚合混合物以具有115,000的重均分子量(数均分子量＝7,400)。
[实施例4]
将干燥的氮气置换在具有搅拌装置和温度控制器的2L的反应器中。随后，将1,500g的干燥吡啶注入到反应器中，并且将反应器储存在5℃下。然后，经2小时将140g的二氯硅烷缓慢注入其中。然后，经4.3小时缓慢注入85g的氨水，同时搅拌混合物。然后，经120分钟注入到干燥的氮气中，并且除去残留在反应器中的氨。
在干燥的氮气气氛下，用1μm的TEFLON过滤器过滤获得的白色浆体产物，获得1,000g的过滤溶液。随后，将1,000g的干燥二甲苯加入到其中，并且通过重复利用旋转蒸发器用吡啶取代二甲苯三次将混合物调节为具有20％的固体含量，然后，用具有0.1μm的孔径的TEFLON过滤器过滤。
然后，将250g的干燥吡啶加入到获得的氢化聚硅氮烷溶液中，并且在100℃下聚合混合物以具有155,000的重均分子量(数均分子量＝8,800)。
评价1：层厚度均匀性
分别取3cc的根据实施例1-4和比较例1-4的氢化聚硅氮烷或氢化聚硅氧氮烷溶液，然后，用旋涂机分布在具有8英寸直径的硅晶片的中心并且以1500rpm旋涂20秒(MS-A200,MIKASA Co.,Ltd.)。随后，在热板上在150℃下将涂覆的晶片加热3分钟并干燥，形成每一氢化聚硅氧氮烷或氢化聚硅氮烷层。
然后，如在图1中示出的，通过使用反射光谱层厚度仪(ST-5000,K-MAC)在具有十字(+)形状的晶片上的9个点下测量氢化聚硅氧氮烷层的厚度获得氢化聚硅氧氮烷的平均厚度、厚度范围(最小厚度-最大厚度)、以及厚度均匀性，
*厚度均匀性＝[(最大厚度-最小厚度)/2/平均厚度]*100
结果提供在以下的表1中。
[表1]
参照表1，与比较例1至3相比，实施例1至4和比较例4示出了相对较小的层厚度均匀性。原因在于：由分别使用根据实施例1至4和比较例4的具有大于或等于20,000的重均分子量的氢化聚硅氮烷或氢化聚硅氧氮烷溶液形成的基于二氧化硅的层示出了相对均匀的厚度。
评价2：间隙内部的内部氧化物层的致密性
将根据实施例1-4和比较例1-4的氢化聚硅氮烷溶液旋涂在3cm×3cm大小的图案化的晶片(MS-A200,MIKASA Co.,Ltd.)上。随后，在150℃下将涂覆的晶片软烘烤3分钟。然后，在800℃下，通过高温氧化反应氧化层，然后，浸渍在通过混合氟酸和氟化铵(100:1)获得的水溶液(DHF)中5分钟。然后，蚀刻图案，并且通过三角法(S-5500,Hitachi Ltd.)计算沿着图案形成的间隙内部的蚀刻量。另一方面，在150℃下，以与上述相同的方法将氢化聚硅氮烷溶液旋涂在裸晶片上3分钟，然后软烘烤。然后，通过用反射光谱层厚度仪(ST-5000,K-MAC Ltd.)测量通过800℃下的高温反应氧化之后的层厚度，然后，测量通过将层浸渍在通过混合氟酸和氟化铵(100:1)获得的水溶液(DHF)5分钟后的蚀刻层的表面厚度计算外部蚀刻量，并且根据外部蚀刻量计算内部氧化层的致密性。
*内部氧化物层的致密性＝外表面蚀刻量/图案内部的蚀刻量
结果提供在以下的表2中。
[表2]
参照表2，与根据比较例1至3的组合物的层相比，由根据实施例1至4的组合物形成的层示出了在所有小于或等于200nm的图案中的间隙内部的优异的层致密性，并且此外，由于间隙内部没有填充层，不能测量具有超过范围的重均分子量的氢化聚硅氮烷或氢化聚硅氧氮烷溶液的高致密性(像比较例4)。
尽管已经结合目前被认为是实用的示例性实施方式对本发明进行了描述，但是应当理解，本发明并不限于所公开的实施方式，而是相反，旨在覆盖包括在所附权利要求书的精神和范围内的各种修改和等同安排。

Claims (12)

1.一种用于基于二氧化硅的层的组合物，包含：
具有20,000至160,000的重均分子量的含硅聚合物；以及溶剂。
2.根据权利要求1所述的用于基于二氧化硅的层的组合物，其中，所述含硅聚合物包含聚硅氮烷、聚硅氧氮烷、或它们的组合。
3.根据权利要求1所述的用于基于二氧化硅的层的组合物，其中，所述含硅聚合物具有21,000至50,000的重均分子量。
4.根据权利要求1所述的用于基于二氧化硅的层的组合物，其中，所述含硅聚合物具有4,000至10,000的数均分子量。
5.根据权利要求1所述的用于基于二氧化硅的层的组合物，其中，所述溶剂包括选自以下中的至少一种：苯、甲苯、二甲苯、乙苯、二乙苯、三甲苯、三乙苯、环己烷、环己烯、十氢化萘、二戊烯、戊烷、己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、乙基环己烷、甲基环已烷、环己烷、环己烯、对薄荷烷、二丙醚、二丁醚、茴香醚、乙酸丁酯、乙酸戊酯、甲基异丁基酮、以及它们的组合。
6.根据权利要求1所述的用于基于二氧化硅的层的组合物，其中，基于所述用于基于二氧化硅的层的组合物的总量，以0.1wt％至30wt％的量包含所述含硅聚合物。
7.根据权利要求1所述的用于基于二氧化硅的层的组合物，其中，所述含硅聚合物包含氢化聚硅氧氮烷或氢化聚硅氮烷。
8.根据权利要求7所述的用于基于二氧化硅的层的组合物，其中，所述氢化聚硅氧氮烷或所述氢化聚硅氮烷具有基于100wt％的所述氢化聚硅氧氮烷或所述氢化聚硅氮烷的0.2wt％至3wt％的氧含量，以及
相对于所述氢化聚硅氧氮烷或所述氢化聚硅氮烷中的Si-H键的总量的15％至40％的-SiH3基团含量。
9.一种使用根据权利要求1所述的用于基于二氧化硅的层的组合物制造的基于二氧化硅的层。
10.根据权利要求9所述的基于二氧化硅的层，其中，所述基于二氧化硅的层具有小于或等于1.0的厚度均匀性。
11.根据权利要求9所述的基于二氧化硅的层，其中，所述基于二氧化硅的层在小于或等于200nm的范围内的图案中具有大于或等于0.5的内部氧化物层的致密性。
12.一种制造基于二氧化硅的层的方法，包括：
将根据权利要求1所述的用于基于二氧化硅的层的组合物涂覆在基板上；
对用所述用于基于二氧化硅的层的组合物涂覆的所述基板进行干燥；以及
在包括大于或等于150℃的湿气的气氛下固化所述基板。
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