CN102863872B - 涂布剂、使用该涂布剂的光半导体元件搭载用基板及光半导体装置 - Google Patents
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Abstract
本发明的涂布剂,其是用于光半导体元件搭载用基板的涂布剂,含有热固化性树脂和白色颜料,所述白色颜料为氧化钛。
Description
本申请是申请人于2009年9月25日提出的国际申请号为PCT/JP2009/066633(2011年3月29日进入中国国家阶段,申请号:200980138429.4)、发明名称为“涂布剂、使用该涂布剂的光半导体元件搭载用基板及光半导体装置”的国际申请的分案。
技术领域
本发明涉及用于导体构件之间等的涂布剂、使用该涂布剂的光半导体元件搭载用基板及光半导体装置。
背景技术
一直以来,作为发光二极管(LED)安装用打印配线板,已知使用将含二氧化钛的环氧树脂含浸于玻璃织布后进行加热固化的积层板或者使用除了二氧化钛还含有氧化铝的环氧树脂的积层板等(例如参照专利文献1~3)。
【专利文献】
【专利文献1】日本特开平10-202789号公报
【专利文献2】日本特开2003-60321号公报
【专利文献3】日本特开2008-1880号公报
发明内容
发明预解决的技术问题
但是,上述专利文献所记载的现有环氧树脂积层板即便是积层板阶段的反射率为大致满足的水平,由于打印配线板的制造工序或LED安装工序中的加热处理或者LED安装后的使用时的加热或光照射,也有反射率的降低增大的情况。因而,在LED安装后的使用时,会发生放热所导致的变色,作为光半导体装置使用时有可靠性降低的问题,需要进一步的改善。
本发明鉴于上述现有技术所具有的课题而完成,其目的在于提供能够形成耐热性高、可见光区域下光反射率高、另外由于加热处理或光照射处理所导致的光反射率的降低也很少的光半导体元件搭载用基板等基板的用于导体构件之间等的涂布剂,使用该涂布剂的光半导体元件搭载用基板及光半导体装置。
用于解决技术问题的方法
为了达成上述目的,本发明提供用于导体构件之间的涂布剂,其为含有热固化性树脂、白色颜料、固化剂和固化催化剂的用于导体构件之间的涂布剂,所述白色颜料的含量以所述涂布剂的固态成分总体积为基准为10~85体积%,将由所述涂布剂构成的固化物在200℃下放置24小时后的白色度为75以上。
利用该涂布剂,通过在具有上述组成的同时满足上述的白色度的条件,通过在导体构件之间使用,可形成具有优异耐热性、可见光区域的优异光反射率、可充分抑制由于加热处理或光照射处理所导致的光反射率降低的光半导体元件搭载用基板等的基板。
这里,所述热固化性树脂优选为环氧树脂。
本发明另外提供用于导体构件之间的涂布剂,其为含有环氧树脂、白色颜料、酸酐系固化剂和固化催化剂的用于导体构件之间的涂布剂,所述白色颜料的含量以所述涂布剂的固态成分总体积为基准为10~85体积%、所述环氧树脂是由该环氧树脂和所述酸酐系固化剂构成的固化物在厚度1mm下时相对于波长365nm光的透射率为75%以上。
利用该涂布剂,通过使用具有上述组成的同时满足上述透射率的条件的环氧树脂,通过在导体构件之间使用,可形成具有优异耐热性和可见光区域的优异光反射率,可充分抑制由于加热处理或光照射处理所导致的光反射率降低的光半导体元件搭载用基板等基板。
上述本发明涂布剂中使用的环氧树脂优选为脂环式环氧树脂或具有异氰脲酸酯骨架的环氧树脂。作为环氧树脂,通过使用脂环式环氧树脂或具有异氰脲酸酯骨架的环氧树脂,可以形成能充分抑制由于加热或光照射所导致的光反射率的降低的光半导体元件搭载用基板等基板。
另外,本发明的涂布剂中,所述白色颜料优选为选自氧化钛、二氧化硅、氧化铝、氧化镁、氧化锑、氢氧化铝、硫酸钡、碳酸镁、碳酸钡及氢氧化镁的至少1种。通过使用这些白色颜料,可以形成在可见光区域内具有更优异的光反射率的光半导体元件搭载用基板等基板。
另外,本发明的涂布剂中,优选所述白色颜料的平均粒径为0.1~50μm。通过使用平均粒径为所述范围内的白色颜料,可以形成在可见光区域内具有更优异的光反射率的光半导体元件搭载用基板等基板。
本发明还提供光半导体元件搭载用基板,其具备基材、形成于该基材表面的多个导体构件、形成于多个所述导体构件之间的由上述本发明的用于导体构件之间的涂布剂构成的白色树脂层。在多个导体构件之间形成由涂布剂构成的白色树脂层的光半导体元件搭载用基板具有优异的耐热性和可见光区域内的优异光反射率,充分地抑制了由于加热处理或光照射处理所导致的光反射率的降低。
本发明还提供在上述本发明的光半导体元件搭载用基板上搭载光半导体元件而成的光半导体装置。该光半导体装置由于具备上述本发明的光半导体元件搭载用基板,因而具有优异的耐热性和可见光区域内的优异的光反射率、充分地抑制由于加热处理或光照射处理所导致的光反射率的降低。
本发明还提供一种涂布剂,其为用于光半导体元件搭载用基板的涂布剂,其含有热固化性树脂和白色颜料,所述白色颜料为氧化钛。
这里,所述热固化性树脂优选含有脂环式环氧树脂或具有异氰脲酸酯骨架的环氧树脂。
本发明还提供光半导体元件搭载用基板,其具备基材、形成于该基材表面的多个导体构件、形成于所述基材表面的由上述本发明的涂布剂构成的白色树脂层。
本发明还提供在上述本发明的光半导体元件搭载用基板上搭载光半导体元件而成的光半导体装置。
本发明还提供光半导体元件搭载用基板,其为具备基材、设置于该基材表面的白色树脂层和导体构件的光半导体元件搭载用基板,所述白色树脂层为含有环氧树脂和白色颜料的涂布剂的固化物。
本发明还提供在上述本发明的光半导体元件搭载用基板上搭载光半导体元件而成的光半导体装置。
发明的效果
本发明可以提供能够形成耐热性高、可见光区域下的光反射率高、由于加热处理或光照射处理所导致的光反射率的降低少的光半导体元件搭载用基板等基板的用于导体构件之间等的涂布剂、使用该涂布剂的光半导体元件搭载用基板及光半导体装置。
附图说明
【图1】表示本发明光半导体装置的优选一实施方式的模式截面图。
【图2】表示本发明光半导体装置的其他优选一实施方式的立体图。
【图3】图2所示光半导体装置的模式截面图。
【图4】图2所示光半导体装置的平面图。
具体实施方式
以下,根据情况一边参照附图一边详细地说明本发明的优选实施方式。予以说明,附图中相同或相当的部分带有相同符号,重复的说明省略。另外,附图的尺寸比例并非限定于图示的比例。
(涂布剂)
本发明第一实施方式所涉及的涂布剂为含有热固化性树脂、白色颜料、固化剂和固化催化剂的涂布剂,所述白色颜料的含量以所述涂布剂的固态成分总体积为基准为10~85体积%,将由所述涂布剂构成的固化物在200℃下放置24小时后的白色度为75以上。
所述白色度由下式(1)求得。白色度可以使用分光测色计测定。
W=100-sqr〔(100-L)2+(a2+b2)〕 (1)
(W:白色度、L:明度、a:色调、b:彩度)
另外,由所述涂布剂构成的固化物的固化条件只要是能够使涂布剂充分地固化的条件则无特别限定,优选为130~180℃下进行0.5~10小时的条件。
本发明的第一实施方式所涉及的涂布剂中,所述白色度有必要为75以上、更优选为80以上、特别优选为90以上。白色度可以通过白色颜料的配合量、白色颜料的种类的选择、白色颜料的粒径的选择进行调整。通过提高白色度,可以使可见光线区域的光的反射率均一、即可提高显色性。另外,为了提高白色度,作为优选的白色颜料可举出氧化钛。氧化钛除了可提高白色度之外,由于是隐蔽性高的白色颜料,因而可以不在基材上另外设置遮光层,即可抑制光所导致的基材的劣化。
另外,本发明第二实施方式所涉及的涂布剂为含有环氧树脂、白色颜料、酸酐系固化剂和固化催化剂的涂布剂,所述白色颜料的含量以所述涂布剂的固态成分总体积为基准为10~85体积%,所述环氧树脂是由该环氧树脂和所述酸酐系固化剂构成的固化物在厚度1mm下相对于波长365nm的光的透射率为75%以上的物质。
所述透射率可以使用分光光度计测定。
在由所述环氧树脂和酸酐系固化剂构成的固化物中,环氧树脂与酸酐系固化剂的配合比与本发明第二实施方式的涂布剂中的环氧树脂与酸酐系固化剂的配合比相同。
另外,由所述环氧树脂和酸酐系固化剂构成的固化物的固化条件只要是能够使环氧树脂和酸酐系固化剂的混合物充分地固化的条件则无特别限定,优选为在130~180℃下进行0.5~10小时的条件。
本发明第二实施方式所涉及的涂布剂中,所述透射率有必要为75%以上、更优选为80%以上、特别优选为85%以上。所述透射率高是指树脂的光的吸收少。因而,通过提高所述透射率,可以降低树脂的着色劣化、可以减少涂布剂的固化物由于光所导致的劣化。由此,可以高度维持涂布剂的固化物的白色度,可以提供显色性高的封装。
通过上述本发明的第一及第二实施方式所涉及的涂布剂,通过在导体构件之间使用,可形成具有优异耐热性和可见光区域的优异光反射率、可充分抑制由于加热处理或光照射处理所导致的光反射率降低的光半导体元件搭载用基板等基板。
本发明的第三实施方式所涉及的涂布剂为用于光半导体元件搭载用基板的涂布剂,其含有热固化性树脂和白色颜料,所述白色颜料为氧化钛。如上所述,氧化钛除了可以提高白色度之外,还是隐蔽性很高的白色颜料。因而,通过使用所述涂布剂,可以不在基材上另外设置遮光层,即可抑制由于光所导致的基材的劣化。
以下,对上述本发明的涂布剂所使用的各成分进行说明。
作为本发明中使用的热固化性树脂,例如可举出环氧树脂、氨酯树脂、有机硅树脂、聚酯树脂它们的改性树脂等。其中,优选环氧树脂、更优选脂环式环氧树脂及具有异氰脲酸酯骨架的环氧树脂。另外,环氧树脂从更充分抑制由于光照射所导致的光反射率降低的观点出发,优选尽量没有芳香环的物质。另外,热固化性树脂优选选择其固化物的透明性高的物质。另外,热固化性树脂优选着色较少的物质。予以说明,本发明第二实施方式所涉及的涂布剂中,热固化性树脂有必要为环氧树脂。
作为脂环式环氧树脂,例如可举出3,4-环氧基环己基甲基-3’,4’-环氧基环己烷羧酸酯{商品名:塞洛奇塞特(セロキサイド)2021、塞洛奇塞特2021A、塞洛奇塞特2021P(以上大赛璐化学工业株式会社制)、ERL4221、ERL4221D、ERL4221E(以上陶氏化学日本株式会社制)}、双(3,4-环氧基环己基甲基)己二酸酯{商品名:ERL4299(陶氏化学日本株式会社制)、EXA7015(大日本墨液化学工业株式会社制)}、1-环氧基乙基-3,4-环氧基环己烷、艾匹考特(エピコ一ト)YX8000、艾匹考特YX8034、艾匹考特YL7170(以上日本环氧树脂株式会社制)、塞洛奇塞特2081、塞洛奇塞特3000、艾泊理得(エポリ一ド)GT301、艾泊理得GT401、EHPE3150(以上大赛璐化学工业株式会社制)等。优选的脂环式环氧树脂可举出3,4-环氧基环己基甲基-3’,4’-环氧基环己烷羧酸酯、双(3,4-环氧基环己基甲基)己二酸酯、艾匹考特YX8000、艾匹考特YX8034、艾泊理得GT301、艾泊理得GT401、EHPE3150。
作为具有异氰脲酸酯骨架的环氧树脂,例如可举出异氰脲酸酯三缩水甘油酯(商品名:TEPIC-S、日产化学工业株式会社制)。
作为上述以外的环氧树脂,可举出双酚A型环氧树脂、双酚S型环氧树脂等。具体地说,例如可举出艾匹考特828、YL980(日本环氧树脂株式会社制)、YSLV120TE(东都化成株式会社制)等。
热固化性树脂可单独使用1种或者可适当混合2种以上。
涂布剂中的热固化性树脂的含量以涂布剂的固态成分总量为基准,优选为5~30质量%、更优选为10~20质量%。该含量小于5质量%时,有流动性降低、易于变为不均匀的固化物的倾向;超过30质量%时,有反射率降低的倾向。
作为本发明中使用的固化剂,只要是与所述热固化性树脂反应的物质则可没有特别限定地使用,优选着色较少的物质。作为固化剂,例如可举出酸酐系固化剂、异氰脲酸衍生物、酚系固化剂等。予以说明,本发明第二实施方式所涉及的涂布剂中,固化剂有必要为酸酐系固化剂。
作为酸酐系固化剂,例如可举出邻苯二甲酸酐、马来酸酐、偏苯三酸酐、均苯四酸酐、六氢邻苯二甲酸酐、四氢邻苯二甲酸酐、甲基纳迪克酸酐、纳迪克酸酐、戊二酸酐、二甲基戊二酸酐、二乙基戊二酸酐、琥珀酸酐、甲基六氢邻苯二甲酸酐、甲基四氢邻苯二甲酸酐、降冰片烯二羧酸酐、甲基降冰片烯二羧酸酐、降冰片烷二羧酸酐、甲基降冰片烷二羧酸酐。
作为异氰脲酸衍生物,可举出1,3,5-三(1-羧基甲基)异氰脲酸酯、1,3,5-三(2-羧基乙基)异氰脲酸酯、1,3,5-三(3-羧基丙基)异氰脲酸酯、1,3-双(2-羧基乙基)异氰脲酸酯等。
本发明中,上述固化剂中,优选使用邻苯二甲酸酐、偏苯三酸酐、六氢邻苯二甲酸酐、四氢邻苯二甲酸酐、甲基六氢邻苯二甲酸酐、甲基四氢邻苯二甲酸酐、戊二酸酐、二甲基戊二酸酐、二乙基戊二酸酐、1,3,5-三(3-羧基丙基)异氰脲酸酯。
固化剂的分子量优选为100~400,优选无色~淡黄色的物质。
固化剂可单独使用1种或组合使用2种以上。
涂布剂中的固化剂的含量相对于热固化性树脂100质量份优选为50~200质量份、更优选为100~150质量份。该含量小于50质量份时,有固化不充分进行的倾向;超过200质量份时,有固化物变脆、变得易于着色的倾向。
作为本发明中使用的固化催化剂(固化促进剂)并无特别限定,例如可举出1,8-二氮杂-二环(5,4,0)十一烯-7、三乙二胺、三-2,4,6-二甲基氨基甲基苯酚等叔胺类,2-乙基-4甲基咪唑、2-甲基咪唑等咪唑类,三苯基磷、四苯基硼四苯基磷、四正丁基O,O-二乙基二硫代磷酸膦、四正丁基膦四氟硼酸盐、四正丁基膦四苯基硼酸盐等磷化合物、季铵盐、有机金属盐类及它们的衍生物等。这些物质可单独使用1种或者组合使用2种以上。这些固化促进剂中优选使用叔胺类、咪唑类、磷化合物。
涂布剂中的固化催化剂(固化促进剂)的含量相对于热固化性树脂100质量份优选为0.01~8质量份、更优选为0.1~3质量份。固化促进剂的含量小于0.01质量份时,有无法获得充分固化促进效果的情况;超过8质量份时,有所得成形体可见变色的情况。
作为本发明中使用的白色颜料,可举出二氧化硅、氧化铝、氧化镁、氧化锑、氧化钛、氧化锆、氢氧化铝、氢氧化镁、硫酸钡、碳酸镁、碳酸钡、无机中空粒子等。这些物质可单独使用1种或者组合使用2种以上。其中,作为白色颜料,从导热性、光反射特性、成型性、阻燃性的观点出发,优选为选自二氧化硅、氧化铝、氧化镁、氧化锑、氧化钛、氧化锆、氢氧化铝、氢氧化镁的1种或2种以上的混合物。作为无机中空粒子,例如可举出硅酸钠玻璃、铝硅酸玻璃、硼硅酸钠玻璃、白砂等。另外,从光反射特性的观点出发,作为白色颜料优选使用折射率与热固化性树脂相差大的物质。作为折射率与热固化性树脂相差大的白色颜料,例如优选使用氧化钛或无机中空粒子,特别优选使用氧化钛。
白色颜料的粒径优选平均粒径为0.1~50μm的范围、更优选为0.1~10μm的范围。该平均粒径小于0.1μm时,有粒子易于凝集、分散性变差的倾向;超过50μm时,有难以充分地获得反射特性的倾向。白色颜料的平均粒径使用激光式粒度分布计、例如Beckman Coulter LS 13 320测定。
另外,从阻燃效果的观点出发,作为白色颜料优选氢氧化铝或氢氧化镁。另外,这些阻燃剂为白色,在不对反射率造成影响的方面优选。另外,从耐湿可靠性的观点出发,优选离子性杂质少的氢氧化铝或氢氧化镁,例如优选Na化合物的含量为0.2质量%以下者。
氢氧化铝或氢氧化镁的平均粒径并无特别限定,从阻燃性和流动性的观点出发,优选为0.1~50μm、更优选为0.1~10μm。
涂布剂中的氢氧化铝或氢氧化镁的含量以白色颜料总量为基准,优选为10~30质量%、更优选为20~30质量%。该含量小于10质量%时,有难以充分地获得阻燃性的倾向;超过30质量%时,有对流动性或固化性造成不良影响的倾向。
涂布剂中的白色颜料的含量(填充量)以涂布剂的固态成分总体积为基准,有必要为10~85体积%、更优选为15~70体积%、特别优选为20~50体积%。该含量小于10体积%时,有光反射特性降低的倾向;超过85体积%时,有成型性变差、基板的制作变难的倾向。
另外,本发明的涂布剂中为了提高白色颜料的分散性,还可添加偶合剂。作为偶合剂,可举出硅烷偶合剂或钛酸酯系偶合剂等,从着色的观点出发,优选环氧基硅烷系的偶合剂。作为环氧基硅烷系的偶合剂,可举出3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基三乙氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、2-(3,4-环氧基环己基)乙基三甲氧基硅烷等。
涂布剂中的偶合剂的含量相对于白色颜料100质量份优选为5质量份以下。
另外,在本发明的涂布剂中作为其他的添加剂还可添加抗氧化剂、光稳定剂、紫外线吸收剂、脱模剂、离子捕获剂、可挠化材料等。作为可挠化剂,优选丙烯酸树脂、聚氨酯树脂、有机硅树脂、聚酯树脂、有机硅·己内酯嵌段共聚物等。
本发明的涂布剂中还可添加溶剂。作为溶剂,例如可举出丙酮、甲乙酮、乙基丁基酮等。具有上述组成的本发明的涂布剂即便是无溶剂的也是液状,可以不添加溶剂进行成膜。为无溶剂时,在成膜时由于可省略进行B阶段化的工序,因而可以简化工序,同时可以消除伴随B阶段化的光反射率降低等问题。
本发明的涂布剂优选25℃的粘度为5~200Pa·s、更优选为10~50Pa·s。涂布剂的粘度利用E型粘度计测定。粘度小于5Pa·s时,有厚度易于发生不均的倾向;超过200Pa·s时,有印刷性降低的倾向。
(光半导体元件搭载用基板及光半导体装置)
本发明的光半导体元件搭载用基板具备使用上述本发明的涂布剂在基材上的多个导体构件(连接端子)之间所形成的白色树脂层。另外,本发明的光半导体元件搭载用基板具备基材、形成于该基材表面的多个导体构件、形成于基材表面的由上述本发明的涂布剂构成的白色树脂层。或者,本发明的光半导体元件搭载用基板为具备基材、设置于该基材表面的白色树脂层和导体构件的光半导体元件搭载用基板,白色树脂层为含有环氧树脂和白色颜料的涂布剂的固化物。另外,本发明的光半导体装置为在所述本发明的光半导体元件搭载用基板上搭载光半导体元件而成。
图1为表示本发明的光半导体装置的优选一实施方式的模式截面图。如图1所示,光半导体装置100是在具备基材1、形成于该基材1表面的多个导体构件2和形成于多个导体构件(连接端子)2之间的由上述本发明的涂布剂构成的白色树脂层3的光半导体元件搭载用基板上搭载光半导体元件10并按照将该光半导体元件10密封的方式设有透明的密封树脂4的表面安装型发光二极管。光半导体装置100中,光半导体元件10借助粘接层8与导体构件2粘接,通过导丝9与导体构件2电连接。
作为基材1,可以没有特别限定地使用用于光半导体元件搭载用基板的基材,例如可举出环氧树脂积层板等树脂积层板等。
导体构件2作为连接端子发挥功能,例如可以通过对铜箔进行光刻蚀的方法等公知方法形成。
光半导体元件搭载用基板可如下制作:将本发明的涂布剂涂布在基材1上的多个导体构件2之间,进行加热固化,形成由所述涂布剂构成的白色树脂层3,从而制作。
作为本发明的涂布剂在基板1上的涂布方法,例如可使用印刷法、模涂法、帘涂法、喷雾涂布法、辊涂法等涂布方法。
作为对涂布剂的涂膜进行加热固化时的加热条件并无特别限定,例如优选可以在130~180℃、30~600分钟的条件下进行加热。
之后,利用抛光等将多余辅助在导体构件2表面上的树脂成分除去,使导体构件2所构成的电路露出,制成光半导体元件搭载用基板。
另外,为了确保白色树脂层3与导体构件2的密合性,还优选对导体构件2进行氧化还原处理或CZ处理(メック株式会社制)等粗化处理。
上述本发明的光半导体元件搭载用基板由于其表面仅由白色树脂层3和导体构件2形成,因而通过使用该光半导体元件搭载用基板,可获得充分抑制了热或光劣化的长寿命的光半导体装置。另外,上述本发明的光半导体元件搭载用基板中,由于白色树脂层3仅配置在导体构件2之间,因而与例如在基材1与导体构件2之间的基材1整个表面上形成白色树脂层3的情况相比,可充分地抑制光半导体元件搭载用基板发生翘曲。
图2为表示本发明的光半导体装置的其他优选一实施方式的立体图、图3为图2所示光半导体装置的模式截面图、图4为图2所示光半导体装置的平面图。
如图2~4所示,光半导体装置200是在具备基材11、形成于该基材1表面的多个导体构件12a、12b和形成于基材11的表面的由上述本发明的涂布剂构成的白色树脂层13的光半导体元件搭载用基板上搭载光半导体元件20,按照将该光半导体元件20密封的方式设有透明的密封树脂14的表面安装型发光二极管。光半导体装置200中,光半导体元件20粘接在导体构件12a上,通过导丝19与导体构件12b电连接。其中,如图3所示,导体构件12a,12b借助贯通基材11内的穿通孔(未图示),与设于基材11里面侧的导体构件12c、12d分别连通。构成光半导体装置200的各构件使用与构成图1所示光半导体装置100的各构件相同的物质。光半导体装置200中,由于光半导体元件搭载用基板的表面仅由白色树脂层3和导体构件2形成,因而获得与上述光半导体装置100同样的效果。
以上对本发明的优选实施方式详细地进行说明,但本发明并非限定于所述实施方式。
【实施例】
以下,通过实施例详细地叙述本发明,但本发明的范围并非限定于这些实施例。
[实施例1]
将作为热固化性树脂(环氧树脂)的异氰脲酸三缩水甘油酯(商品名:TEPIC-S、日产化学工业株式会社制)100质量份、作为固化剂(酸酐系固化剂)的甲基六氢邻苯二甲酸酸酐(商品名:HN-5500F、日立化成工业株式会社制)150质量份、作为白色颜料的氧化钛(商品名:FTR-700、堺化学工业株式会社制、平均粒径:0.2μm)470质量份、作为固化催化剂(固化促进剂)的四丁基O,O-二乙基二硫代磷酸膦(商品名:PX-4ET、日本化学工业株式会社制)1.5质量份混合,在混炼温度20~30℃、混炼时间10分钟的条件下进行轧辊混炼,制作白色的涂布剂。所得白色涂布剂的粘度在25℃下为10Pa·s。
[实施例2]
将作为热固化性树脂(环氧树脂)的脂环式环氧树脂的塞洛奇塞特2021P(商品名,大赛璐化学工业株式会社制)100质量份、甲基六氢邻苯二甲酸酸酐(商品名:HN-5500F、日立化成工业株式会社制)120质量份、氧化钛(商品名:FTR-700、堺化学工业株式会社制)410质量份、四丁基O,O-二乙基二硫代磷酸膦(商品名:PX-4ET,日本化学工业株式会社制)1.5质量份混合,混炼温度20~30℃、混炼时间10分钟的条件进行轧辊混炼,制作白色的涂布剂。所得白色涂布剂的粘度在25℃下为8Pa·s。
[实施例3]
将异氰脲酸三缩水甘油酯(商品名:TEPIC-S、日产化学工业株式会社制)50质量份、塞洛奇塞特2021P(商品名、大赛璐化学工业株式会社制)50质量份、甲基六氢邻苯二甲酸酸酐(商品名:HN-5500F、日立化成工业株式会社制)135质量份、氧化钛(商品名:FTR-700、堺化学工业株式会社制)440质量份、四丁基O,O-二乙基二硫代磷酸膦(商品名:PX-4ET、日本化学工业株式会社制)1.5质量份混合,在混炼温度20~30℃、混炼时间10分钟的条件进行轧辊混炼,制作白色的涂布剂。所得白色涂布剂的粘度在25℃下为12Pa·s。
[实施例4]
除了将环氧树脂(异氰脲酸三缩水甘油酯)改变为双酚A型环氧树脂(商品名:YL980、日本环氧树脂株式会社制)之外,与实施例1同样地制作白色的涂布剂。所得白色涂布剂的粘度在25℃下为8Pa·s。
[实施例5]
除了将环氧树脂(异氰脲酸三缩水甘油酯)改变为双酚S型环氧树脂(商品名:YSLV120TE、东都化成株式会社制)之外,与实施例1同样地制作白色的涂布剂。所得白色涂布剂的粘度在25℃下为10Pa·s。
[比较例1]
除了将环氧树脂(异氰脲酸三缩水甘油酯)改变为联苯型环氧树脂之外,与实施例1同样地制作白色的涂布剂。所得白色涂布剂的粘度在25℃下为12Pa·s。
(光透射率的测定)
以分别相同于实施例1~5及比较例1制作的白色涂布剂的配合比,仅混合环氧树脂及固化剂。利用浇铸法将该混合物涂布在脱模处理PET模具上,在150℃下进行加热固化120分钟,将脱模处理PET剥离,制作由环氧树脂及固化剂形成的厚度1mm的固化膜。利用分光光度计(商品名:V-570型分光光度计、日本分光株式会社制)测定该固化膜相对于波长365nm光的透射率。将其结果示于表1。
【表1】
(白色度的测定)
利用浇铸法将实施例1~5及比较例1中分别制作的白色涂布剂涂布在带Al箔的模具上,在150℃下将其加热固化120分钟,将Al箔剥离,制作由白色涂布剂构成的厚度1mm的固化膜。对于该固化膜,使用分光测色计(商品名:CM-508d、ミノルタ社制)测定初期及在200℃放置24小时后的L(明度)、a·b(色调·彩度)、白色度及波长460nm光的反射率。将其结果示于表2(初期)及表3(在200℃下放置24小时后)。
【表2】
初期 | 光反射率[%] | L | a | b | 白色度 |
实施例1 | 90.05 | 95.93 | -0.39 | 1.90 | 95.5 |
实施例2 | 91.11 | 96.37 | -0.26 | 1.79 | 95.9 |
实施例3 | 90.65 | 96.03 | -0.3 | 1.80 | 95.6 |
实施例4 | 88.10 | 95.08 | -0.29 | 1.90 | 94.7 |
实施例5 | 90.26 | 96.14 | -0.28 | 1.85 | 95.7 |
比较例1 | 90.61 | 96.26 | -0.31 | 2.14 | 95.7 |
【表3】
(着色的有无及光反射率的评价)
对于在所述白色度的测定中制作的固化膜,通过目视确认着色的有无。没有着色(为白色)时为“A”、有着色时为“B”。另外,使用分光测色计(商品名:CM-508d、ミノルタ社制)测定所述固化膜的波长460nm光的反射率。将它们的结果示于表4。
(热·光处理后的着色的有无及光反射率的评价)
对于在所述白色度的测定中制作的固化膜,在200℃的温度下以0.22W/cm2的放射照度照射波长240~380nm的光2小时。在该热·光处理后,利用目视确认着色的有无。没有着色(为白色)时为“A”、有着色时为“B”。另外,使用分光测色计(商品名:CM-508d、ミノルタ社制)测定所述固化膜的波长460nm光的反射率。将它们的结果示于表4。
【表4】
如表4所示,实施例1~5的白色涂布剂没有由于加热处理或光照射处理所导致的着色、确认充分地抑制了光反射率的降低。
(光半导体装置的制作)
利用CZ处理对通过光刻形成有由铜箔构成的导体电路的光半导体元件搭载用基板的导体电路粗化后,利用印刷法以厚度50μm涂布实施例1~5及比较例1的白色涂布剂,在150℃下加热固化2小时,进而通过抛光将附着在导体电路表面上的多余树脂除去,使导体电路露出,从而在导体电路之间形成白色树脂层。之后,对导体电路实施镀镍、镀银,将光半导体元件管芯焊接。进而,利用引线键合将光半导体元件与导体电路电连接,用透明密封树脂进行密封,制作光半导体装置。
利用在基板表面的导体构件之间形成有由本发明涂布剂构成的白色树脂层的光半导体元件搭载用基板,仅通过白色树脂层和导体电路即可形成基板表面,因而可获得充分抑制了热或光劣化的长寿命光半导体装置。
【产业上的利用可能性】
如以上说明所示,本发明能够提供可形成耐热性高、可见光区域下的光反射率高、由于加热处理或光照射处理所导致的光反射率的降低少的光半导体元件搭载用基板等基板的用于导体构件之间等的涂布剂,使用该涂布剂的光半导体元件搭载用基板及光半导体装置。
【符号说明】
1,11...基材、2,12...导体构件、3,13...白色树脂层、4,14...密封树脂、8...粘结层、9,19...导丝、10,20...光半导体元件、100,200...光半导体装置。
Claims (5)
1.一种光半导体元件搭载用基板,其具备:基材、形成于所述基材的表面的多个导体部件、以及在所述基材的表面且多个所述导体部件间形成的由涂布剂所构成的白色树脂层,
所述涂布剂含有热固化性树脂和白色颜料,所述白色颜料为氧化钛,
所述白色树脂层是将所述涂布剂涂布于使用树脂积层板而成的所述基材上的多个所述导体部件之间,进行加热固化而形成的白色树脂层,
所述白色颜料的含量以涂布剂的固态成分总体积为基准为10~85体积%,所述热固化性树脂的含量以涂布剂的固态成分总量为基准为5~30质量%。
2.根据权利要求1所述的光半导体元件搭载用基板,其中,所述热固化性树脂含有脂环式环氧树脂或具有异氰脲酸酯骨架的环氧树脂。
3.一种光半导体装置,其为在权利要求1或2所述的光半导体元件搭载用基板上搭载光半导体元件而成。
4.一种光半导体元件搭载用基板,其具备:基材、形成于所述基材的表面的多个导体部件、以及在所述基材的表面且多个所述导体部件间形成的由涂布剂所构成的白色树脂层,
所述涂布剂含有环氧树脂和白色颜料,
所述白色树脂层是将所述涂布剂涂布于使用树脂积层板而成的所述基材上的多个所述导体部件之间,进行加热固化而形成的白色树脂层,
所述白色颜料的含量以涂布剂的固态成分总体积为基准为10~85体积%,所述环氧树脂的含量以涂布剂的固态成分总量为基准为5~30质量%。
5.一种光半导体装置,其为在权利要求4所述的光半导体元件搭载用基板上搭载光半导体元件而成。
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KR101699447B1 (ko) * | 2015-07-30 | 2017-02-14 | 주식회사 로스텍 | Led광원 유리 도광판 제조방법 |
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Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008059856A1 (en) * | 2006-11-15 | 2008-05-22 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Heat curable resin composition for light reflection, process for producing the resin composition, and optical semiconductor element mounting substrate and optical semiconductor device using the resin composition |
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WO2006059564A1 (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-08 | Daicel Chemical Industries, Ltd. | 脂環式エポキシ(メタ)アクリレート及びその製造方法、並びに共重合体 |
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