CN102859712A - 太阳能电池元件及使用该太阳能电池元件的太阳能电池模块 - Google Patents

太阳能电池元件及使用该太阳能电池元件的太阳能电池模块 Download PDF

Info

Publication number
CN102859712A
CN102859712A CN2011800191107A CN201180019110A CN102859712A CN 102859712 A CN102859712 A CN 102859712A CN 2011800191107 A CN2011800191107 A CN 2011800191107A CN 201180019110 A CN201180019110 A CN 201180019110A CN 102859712 A CN102859712 A CN 102859712A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
solar cell
cell device
section
semiconductor substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2011800191107A
Other languages
English (en)
Inventor
梅田耕太郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Publication of CN102859712A publication Critical patent/CN102859712A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
    • H01L31/022458—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells for emitter wrap-through [EWT] type solar cells, e.g. interdigitated emitter-base back-contacts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022433—Particular geometry of the grid contacts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
    • H01L31/02245—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells for metallisation wrap-through [MWT] type solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • H01L31/0516—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module specially adapted for interconnection of back-contact solar cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明提供一种抑制了太阳能电池元件的翘曲量的太阳能电池模块。该太阳能电池元件具有：半导体基板，其具有接受光的第一面及该第一面的背面侧的第二面且形成有贯通了所述第一面和所述第二面之间的、在一方向上排列的多个贯通孔；第一电极，其具有分别设置于所述多个贯通孔内的多个导通部及设置于所述第二面上且与所述导通部电连接的第一输出取出部；第二电极，其以与所述第一输出取出部分开的方式设置于所述第二面上且电阻率为2.5×10-8Ω·m以下；第一配线件，其与所述第一输出取出部连接；第二配线件，其与所述第二电极连接且以长度方向的端面与所述第一配线件的长度方向的端面对置的方式配置。

Description

太阳能电池元件及使用该太阳能电池元件的太阳能电池模块
技术领域
本发明涉及太阳能电池元件及使用该太阳能电池元件的太阳能电池模块。
背景技术
作为太阳能电池元件的一种，例如国际公布第2008/078741号小册子所示那样，有背接触型的太阳能电池元件。背接触型的太阳能电池元件在背面侧具有第一电极和第二电极，通过用配线件将一个太阳能电池元件的第一电极和另一个太阳能电池元件的第二电极电连接而构成太阳能电池模块。
发明内容
【发明要解决的课题】
然而，在由以往的背接触型的太阳能电池元件构成的太阳能电池模块中，由于太阳能电池元件和配线件的热膨胀系数的不同而引起翘曲量变大，太阳能电池模块的形成工序的操作性变难，有时工序中有产生裂纹等的情况。
另一方面，若减少配线件，则有时也有输出特性降低的情况。
本发明是为了解决上述问题而作出的，其目的在于提供一种减少太阳能电池元件的翘曲量并且减少输出特性的降低的太阳能电池模块。
【用于解决课题的手段】
本发明的太阳能电池元件具有：半导体基板，其具有接受光的第一面及该第一面的背面侧的第二面且形成有贯通了所述第一面及所述第二面之间的、在一方向上排列的多个贯通孔；第一电极，其具有分别设置于所述多个贯通孔内的多个导通部及设置于所述第二面上且与所述导通部电连接的第一输出取出部；第二电极，其以与所述第一输出取出部分开的方式设置于所述第二面上且电阻率为2.5×10-8Ω·m以下；第一配线件，其与所述第一输出取出部连接；第二配线件，其与所述第二电极连接且以长度方向的端面与所述第一配线件的长度方向的端面对置的方式配置。
【发明效果】
根据本发明，通过特定背面侧的电极的表面电阻和配线结构，能够在维持太阳能电池模块的输出特性的同时，减少由于配线件引起的太阳能电池元件的翘曲量。
附图说明
图1是从表示本发明的实施方式涉及的太阳能电池元件的第一侧面观察的俯视图。
图2是从表示本发明的实施方式涉及的太阳能电池元件的第二侧面观察的俯视图。
图3是图1的A-A线的剖视图的一例。
图4是图1的A-A线的剖视图的另一例。
图5是示意性地表示本发明的实施方式涉及的太阳能电池模块的结构的图，(a)是侧视图，(b)是俯视图。
图6是表示本发明的实施方式涉及的太阳能电池模块的俯视图。
图7是从表示本发明的实施方式涉及的太阳能电池元件的第二侧面观察的俯视图。
图8是从比较例1的太阳能电池元件的第一侧面观察的俯视图。
图9是从比较例1的太阳能电池元件的第二侧面观察的俯视图。
图10是在从比较例1的太阳能电池元件的第二侧面观察的配线状态下的俯视图。
图11是从比较例2的太阳能电池元件的第一侧面观察的俯视图。
图12是从比较例2的太阳能电池元件的第二侧面观察的俯视图。
图13是在从表示比较例2的太阳能电池元件的由配线件连接的状况的第二侧面观察的配线状态下的俯视图。
图14是从表示本发明的另一实施方式涉及的太阳能电池元件的第二侧面观察的俯视图。
图15是从表示本发明的另一实施方式涉及的太阳能电池元件的第二侧面观察的俯视图。
图16是表示本发明的太阳能电池元件的第二电极结构的简要剖视图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行详细的说明。
《太阳能电池元件》
太阳能电池元件10如图1～图3所示那样，具有：一导电型的半导体基板1；具有与半导体基板1不同的导电型的反向导电型层2；贯通孔3；第一电极4；第二电极5。
半导体基板1具有第一面1F(图3中的上表面侧)和第一面1F的背面侧的第二面1S(图3中的下表面侧)。在太阳能电池元件10中，第一面1F成为表面(以下，为了方便说明，有时也将第一面1F称为半导体基板1的表面，将第二面1S称为半导体基板1的背面等)。
作为半导体基板1，例如使用具有规定的掺杂元素(导电型控制用的不纯物)而呈现一导电型(例如p型)的单晶硅基板或多晶硅基板等晶体硅基板。半导体基板1的厚度例如更加优选为250μm以下，进一步优选为150μm以下。半导体基板1的形状并不特别限制，但如本实施方式那样若为四边形状，则从制法上的观点出发为佳。在本实施方式中，以使用呈现p型的导电型的晶体硅基板作为半导体基板1的例子进行说明。
在半导体基板1为p型的晶体硅基板的情况下，作为掺杂元素，例如使用硼或镓为佳。
在半导体基板1的第一面1F的一侧，如图3所示那样，形成有用于使第一面1F的入射光的反射减少而使太阳光更多地向半导体基板1内吸收的、由多个细微的突起构成的纹理结构(凹凸结构)1a。需要说明的是，纹理结构1a根据需要形成即可。
另外，在半导体基板1上，如图3所示那样在第一面1F和第二面1S之间形成有多个贯通孔3。另外，在贯通孔3的内部形成有第一电极4的导通部4b。贯通孔3优选直径为50μm以上300μm以下的范围，以固定的间距形成。需要说明的是，贯通孔3的内表面是指半导体基板1的形成有贯通孔3的部位的内壁面。贯通孔3如后述那样，在其内表面形成有第二反向导电型层2b。
反向导电型层2为具有与半导体基板1相反的导电型的层。反向导电型层2具有形成于半导体基板1的第一面1F侧的第一反向导电型层2a、形成于贯通孔3的内表面的第二反向导电型层2b及形成于半导体基板1的第二面1S侧的第三反向导电型层2c。在作为半导体基板1而使用p型硅基板的情况下，反向导电型层2为n型。另一方面，若为作为半导体基板1而使用n型硅基板的情况，则反向导电型层2为p型。
将第一反向导电型层2a形成为具有60～300Ω/□左右的表面电阻的n+型层为佳。通过设为该范围，能够抑制在第一面1F的表面复合的增大及表面电阻的增大。第一反向导电型层2a、第二反向导电型层2b优选在半导体基板1的第一面1F以0.2μm～2μm左右的厚度形成。
第三反向导电型层2c形成于半导体基板1的第二面1S中的第一电极4的形成区域及其周边部。
通过如此具有反向导电型层2，在太阳能电池元件10中，在反向导电型层2和半导体基板1之间形成pn结。
太阳能电池元件10如图3所示那样，在半导体基板1的第二面1S具有半导体层6。为了抑制在半导体基板1的第二面1S的附近由于产生载流子复合而引起发电效率的降低，半导体层6以在太阳能电池元件10的内部形成内部电场即得到所谓的背面电场(BSF)效应为目的而设置。半导体层6在半导体基板1的第二面1S的一侧形成于未设置第一电极4的区域(非形成区域)。更加详细而言，半导体层6在半导体基板1的第二面1S的一侧以不与第三反向导电型层2c及第一电极4相接的方式形成。
另外，在第三反向导电型层2c和半导体层6之间及半导体基板1的第二面1S的周缘部设置有pn分离区域，半导体基板1露出于这样的pn分离区域。
半导体层6呈现与半导体基板1相同的导电型，但与半导体基板1含有的掺杂浓度相比，具有高浓度的掺杂浓度。在此，“高浓度”是指存在与为了在半导体基板1中呈现一导电型而掺杂形成的掺杂元素的浓度相比浓度高的掺杂元素。
在半导体基板1为p型的情况下，半导体层6例如以通过使硼或铝等掺杂元素向第二面1S扩散，由此将这些掺杂元素的浓度形成为1×1018～5×1021atoms/cm3左右的方式形成为佳。由此，半导体层6成为含有与半导体基板1相比高浓度的掺杂的p+型的导电型，实现后述的与第二电极5之间的欧姆接触。
太阳能电池元件6如图1所示那样，在半导体基板1的第一面1F侧具有防反射膜7。
防反射膜7为具有在半导体基板1的表面(第一面1F)减少入射光反射的作用的部件，形成于第一反向导电型层2a上。防反射膜7用氮化硅膜或者硅或钛的氧化物材料膜等形成为佳。防反射膜7的厚度根据构成材料而优选的值不同，但设定为对入射光实现无反射条件的值。例如，若为作为半导体基板1使用硅基板的情况，则用折射率为1.8～2.3左右的材料将防反射膜7形成为
Figure BDA00002255450100051
左右的厚度即可。需要说明的是，具有防反射膜7在本实施方式中不是必须的结构，根据需要形成即可。
第一电极4如图3所示那样，具有在半导体基板1的第一面1F上形成的主电极部4a、在与主电极部4a电连接的贯通孔3内设置的导通部4b及形成于第二面1S上且与导通部4b连接的第一输出取出部4c。主电极部4a具有将在第一面1F侧生成的载流子集中的作用。导通部4b具有将在主电极部4a集中的载流子向设置于第二面1S侧的第一输出取出部4c引导的作用。第一输出取出部4c具有作为与将邻接的太阳能电池元件彼此电连接的配线件连接的配线连接部的作用。
在本实施方式中，如图1所示那样，多个导通部4b在规定的一方向上排列，沿着上述排列方向直线状地以大致均等的间隔设置。该导通部4b的排列方向与连接的配线件15的长度方向基本上一致。在图1中，直线状地排列的导通部4b群平行地排列多个。
在与半导体基板1的第一面1F的基准线BS平行的方向上，多个导通部4b以成为多列(在图1中为三列)的方式排列。需要说明的是，基准线BS是指与使多个太阳能电池元件10排列而形成太阳能电池模块20的情况下的排列方向平行的线，具体而言是指与使太阳能电池元件10排列于直线上而成的太阳能电池串的长度方向平行的线，在以下中，有时也将沿基准线BS的方向(与基准线BS平行的方向)称为排列方向BS。需要说明的是，在本说明书中，平行并不像数学的定义那样严密地解释。
其次，对本发明的太阳能电池模块的实施方式进行详细的说明。
本发明涉及的太阳能电池模块20例如以至少将两个太阳能电池元件10邻接的方式配置，用配线件15相互串联它们而构成。
太阳能电池模块20如图5(a)所示那样主要具有：由玻璃等构成的透光性部件11；由透明的乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)等构成的表面填充件12；多个太阳能电池元件10；由EVA等构成的背面填充件13；由聚对苯二甲酸乙二酯(PET)或聚氟乙烯树脂(PVF)等材料构成且为单层或层叠结构的背面保护件14。
多个太阳能电池元件10如图5(b)所示那样，用具有作为连接部件的作用的配线件15相互串联邻接的太阳能电池元件10彼此。
图5(b)的邻接的太阳能电池元件彼此如图6所示那样，用长尺寸状的(直线状的)配线件15在背面侧连接邻接的一个太阳能电池元件10α的第一输出取出部4c和另一个太阳能电池元件10β的第二电极5。
根据本实施方式，为具有以下构件的太阳能电池元件，即：具有接受光的第一面及该第一面的背面侧的第二面且形成有贯通第一面和第二面之间的、在一方向上排列的多个贯通孔的半导体基板；具有分别设置于多个贯通孔内的多个导通部及设置于第二面上且与导通部电连接的第一输出取出部的第一电极；以与第一输出取出部分开的方式设置于第二面上且电阻率为2.5×10-8Ω·m以下的第二电极；与第一输出取出部连接的第一配线件；与第二电极连接且以长度方向的端面与所述第一配线件的长度方向的端面对置的方式配置的第二配线件。
进而根据本实施方式，第一配线件和第二配线件以在一直线上排列的方式配置。
即，如图6所示，一个太阳能电池元件10的与第一电极4(第一输出取出部4c)电连接的第一配线件15a和与第二电极5电连接的第二配线件15b以排列于一直线上的方式配置。由此，与以往那样的第一配线件15a和第二配线件15b并列排列的情况相比，能够减少连接配线件15的区域，因此能够减少由于太阳能电池元件10和配线件15的热膨胀系数的不同而引起的翘曲量。
另外，配线件15a连接于第一输出取出部4c上，因此来自各个主电极部4a的集电电流的路径缩短。由此不易产生由于内部电阻而引起的光电动势的损失。
作为配线件15，例如能够使用厚度为0.1～0.4mm左右、宽度为1～3mm左右、且将用焊料被覆的带状的铜箔切断成规定的长度而成的配线件。在用焊料被覆的配线件15的情况下，使用热气或焊铁等，或者使用回流炉等焊接于第一输出取出部4c及第二电极5。配线件15例如用铜或银等金属构成，另外，也可以用由导电性膏剂构成的导电性粘接剂或焊料膏剂将配线件15连接于第一输出取出部4c及第二电极5，其中，导电性膏剂由低温固化型的银、镍及碳等导电型填料构成。另外，对用于各第一输出取出部4c及第二电极5的连接的配线件15，能够使用同一形状的配线件，也可以各个不同。
需要说明的是，作为背面保护件14，能够使用白色性树脂等。若将反射率高的材质的树脂使用于背面保护件，则通过使照射于太阳能电池元件10之间的光在背面保护件14漫反射而容易照射于太阳能电池元件10，因此太阳能电池元件10的受光量更加增大。
进而根据本实施方式，优选第二电极具有含有锡或银的厚度5～301μm的镀覆层。具有这样的厚度的镀覆层的第二电极不易翘曲。
进而，通过在第二电极5设置电阻小的镀覆层52，能够抑制在第二电极5中集中的光电动势的损失而流至第二配线件15b。因此，能够减少配线件15的设置区域而较高地维持太阳能模块的输出特性。
需要说明的是，在图7中，在俯视太阳能电池元件10时，若将第一配线件15a和太阳能电池元件10的重叠区域设为太阳能电池元件10的排列方向BS的长度的80％以上，则在不易产生由于内部电阻而引起的光电动势的损失方面优选。
例如如图16所示那样，第二电极由于具有镀覆层52，因此能够充分地减少电阻损失，其结果是，能够使太阳能电池元件的输出特性提高。通过以具有镀覆层的第二电极5的孔隙率成为5％以下的方式形成，能够减少第二电极5的电阻率。需要说明的是，第二电极5的一部分位于第一输出取出部4c的排列方向的一个端部侧。与端部侧的排列方向垂直的方向的第二电极5的宽度为2～20mm。
进而，根据本实施方式，第二电极5还含有成为镀覆层的基底的基底层51，基底层51优选含有钛-钨系合金。
在第二电极5中，例如使用溅射法或蒸镀法将铝、银或铜、钛-钨系合金等金属形成基底层51，并在基底层51上形成由铜、锡及银构成的镀覆层52。进而，也可以在钛·钨合金层的下部形成铝层。
另外，镀覆层52可以由多层构成，例如，能够在基底层51上形成由铜构成的第一镀覆层，并在其上形成由锡或银构成的第二镀覆层。此时，第一输出取出部4c也可以同时形成，第一输出取出部4c也可以仅为基底层51。
进而，优选基底层51的厚度为50～500μm。
由此，能够较薄地形成电阻率高的基底层51的厚度从而在减少第二电极5的电阻损失的同时，使与镀覆层52的密接性提高。
在此，对镀覆层52的形成方法进行说明。例如，使半导体基板1浸渍于存积有电镀液的电镀槽内。在电镀槽内相对于电镀液设置由金属部件构成的阳极。另一方面，作为电镀对象物的基底层51成为阴极，因此在基底层51安装由导电性的夹子等构成的供电部。并且，通过从电源对阳极和阴极之间施加电压而流动电流，在基底层51上形成镀覆层52。
电镀液使用含有构成镀覆层52的金属的电镀液，阳极的金属部件也使用构成镀覆层52的金属的板。另外，阳极的金属部件可以为不溶性，使用氧化铱被覆钛或铂被覆钛等。例如，在镀覆层52为铜的情况下，作为电镀液能够使用硫酸铜电镀液、焦磷酸铜电镀液或氰化铜电镀液等，作为阳极的金属部件能够使用由含有磷的铜构成的铜板。
进而，根据本实施方式，第二电极5的面积相对于第二面1S的比例优选为89～95％。
只要在该范围，就能够抑制第一输出取出部4c、第二电极5的电阻损失，并且能够确保第一输出取出部4c的占有面积。
进而根据本实施方式，优选大致平行地设置多根第一输出取出部4c，并且在第一输出取出部4c之间设置的第二电极5的宽度为10～50mm。进一步优选为20mm以上35mm以下。
若第二电极的宽度为10～50mm，则能够将在第二面1S侧生成的载流子效率良好地集中，减少第二电极5的电阻损失，从而能够使输出特性提高。
在图2中，设置了三根第一输出取出部4c，但并不限于此，也可以将第一输出取出部4c之间的电极的宽度较窄地形成，设置四根或五根。
进而根据本实施方式，优选第二电极5和半导体基板之间具有钝化膜。
例如如图4所示那样，在半导体基板1的第二面1S侧设置有钝化膜8。钝化膜8具有在半导体基板1的背面(第二面1S)减少载流子的复合的作用。作为钝化膜8，能够使用氮化硅(Si3N4)、非晶氮化硅膜(a-SiNX)等硅系氮化膜、二氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)、二氧化钛(TiO2)等。钝化膜8的厚度形成为
Figure BDA00002255450100091
左右即可。第二电极5形成于钝化膜8上，在钝化膜8的开口部形成有半导体基板1和第二电极5的接触部。另外，在该接触部的半导体基板1侧形成半导体层6为佳。另外，钝化膜8可以由含有氢的膜形成，膜中的氢向半导体基板1中扩散从而能够不激活晶界或缺陷。
进而根据本实施方式，优选钝化膜形成至半导体基板的侧面。
由此，在半导体基板1的侧面也形成钝化膜8而作为镀覆形成抑制膜起作用，从而能够减少无用的部分的镀覆形成。
在形成第二电极5和第一输出取出部4c之前在第二面1S上形成有钝化膜8的情况下，例如，优选使用喷砂法或机械划线法、进而激光法等在第二电极5以200μm～1mm的间隔点状地除去钝化膜8且形成半导体基板1和第二电极5的接触部。
另外，也可以以能够形成接触部的方式使用掩模等将钝化膜8形成规定的形状。
另外，在第一输出取出部4c中，至少除去存在于导通部4b的周边的钝化膜8即可。
另外，在本实施方式中，在形成半导体层6之后形成钝化膜8，但也可以在形成钝化膜8之后形成半导体层6。例如，通过将含有玻璃粉的铝膏剂直接形成于钝化膜8上且进行高温的热处理的烧透法，不用事先除去钝化膜8就能够形成半导体层6。或者通过用印刷法、溅射法或蒸镀法等将铝层形成于钝化膜8上且使激光照射该铝层的局部而使其熔化，能够使该铝成分贯通钝化膜8而与半导体基板1接触·反应，从而形成半导体层6(所谓的激光烧成(熔化)接触法、LFC法)。此时，优选形成的半导体层6以200μm～1mm的间隔形成点状，另外，没有必要除去用上述方法形成的铝层。并且，能够将第二电极5以与铝层连接的方式形成于钝化膜8上。
如图1所示那样，在太阳能电池元件10的第一面1F上设置有与导通部电连接的线状电极部。优选线状电极部具有与导通部直接连接的第一线状电极部和配置成与第一线状电极部大致平行且经由从导通部向一方向延伸的辅助电极部而与导通部连接的第二线状电极部。
在此，辅助电极部4f从导通部4b向一方向延伸。第二线状电极部4e未与导通部4b直接连接，因此没有必要在俯视透视导体基板1时与设置有第二线状电极部4e的区域相当的第二面设置第一输出取出部4c。并且通过将第二线状电极部4e设置于一个端部，能够确保位于第一输出取出部4c的排列方向的一个端部侧的第二电极5与配线件15的充分的连接区域，从而能够减少配线件15的剥离。
进而根据本实施方式，优选辅助电极部4f的长度方向与导通部4b的排列的长度方向平行。
在此长度方向用连接导通部4b和最近距离的相邻的另一导通部4b的直线表示，与排列方向BS大致一致。
即，通过使辅助电极部4f的长度方向与排列方向BS大致一致，能够减少辅助电极部4f的形成区域，减少辅助电极部4f的电阻损失，并且能够减少由于设置辅助电极部4f而引起的受光量的降低。
第一电极4的主电极部4a在半导体基板1的第一面1F上具有和相互属于不同列的导通部4b直接连接那样的第一线状电极部4d。
另外，在排列方向BS的一个端部侧具有和导通部4b未直接连接的第二线状电极部4e。需要说明的是，第一线状电极部4d及第二线状电极部4e的长度方向相对于排列方向BS大致垂直地延伸。
主电极部4a的第一线状电极部4d、第二线状电极部4e及辅助电极部4f分别以具有50～100μm左右的线宽的方式形成为佳。另外，上述那样的多个第一线状电极部4d及第二线状电极部4e相互大致平行且等间隔形成，例如，从提高美观的观点出发，优选形成1～3mm左右。
主电极部4a如图1所示那样，可以以覆盖贯通孔3的方式具有比贯通孔3的直径大的圆状的焊盘电极部4g。若为这样的方式，即使主电极部4a的形成位置偏离一些，也能够与导通部4b连接。需要说明的是，主电极部4a的图案不限于图1所示的图案，能够形成各种图案。
第一电极4如图2所示那样，在半导体基板1的第二面1S上的与多个导通部4b(贯通孔3)连接的位置具有第一输出取出部4c。该第一输出取出部4c在导通部4b的排列方向BS上形成具有长度方向的长条状。第一输出取出部4c与导通部4b的排列对应而形成多列(在图2中为三列)。第一输出取出部4c的宽度与后述的配线件15的宽度相同或比其大即可，例如，设为1～4mm，优选设为1.5～3mm。
另外，优选将第一输出取出部4c的排列方向BS的长度设定为具有太阳能电池元件10的排列方向的长度的80％以上。需要说明的是，形成列状的第一输出取出部4c不一定需要如图2所示那样用一根连接，也可以如图14所示那样分开形成多个。此时，优选将排列方向BS的第一输出取出部4c的连接部分的两端的距离设定为具有太阳能电池元件10的排列方向的长度的80％以上。另外，也可以如图15所示那样为以下的结构，即，第一输出取出部4c相对于导通部4b具有向与排列方向BS垂直的方向突出的区域，突出的区域和配线件15连接，配线件15和导通部4b从物理角度上看不直接接触。
另一方面，第二电极5具有与第一电极4不同的极性，以与第一电极4绝缘的方式配置于半导体基板1的第二面1S上。因此，例如在半导体基板1的第二面1S上，第二电极5以与第一电极4分开的方式配置。
第二电极5在半导体基板1的第二面1S侧形成于未设置第一电极4的区域(非形成区域)的大致整个面，将在第二面1S侧生成的载流子集中。在此，“大致整个面”是指在俯视半导体基板1的第二面1S的情况下，第二电极5形成于第二面1S的整个区域的80％以上。另外，考虑第一输出取出部4c的形成区域，优选第二电极5形成于第二面1S的整个区域的95％以下。尤其，通过将第二电极5设为第二面1S的整个区域的89％以上，能够在减少太阳能电池元件的翘曲的同时，也减少第二电极5的电阻损失。
《太阳能电池元件的制造方法》
其次，对太阳能电池元件的制造方法进行说明。
<半导体基板的准备工序>
首先，准备呈现p型的导电型的半导体基板1。
在作为半导体基板1而使用单晶硅基板的情况下，能够通过将用FZ法(浮区法)或CZ法(直拉法)等公知的制法制作的单硅晶块切成规定的厚度而得到半导体基板1。另外，在作为半导体基板1而使用多晶硅基板的情况下，能够通过将用铸造法或铸型内凝固法等公知的制法制作的多硅晶块切成规定的厚度而得到半导体基板1。
以下，以作为掺杂元素将B(硼)或Ga(镓)掺杂了1×1015～1×1017atoms/cm3左右的p型多晶硅基板作为半导体基板1使用的情况为例进行说明。
需要说明的是，为了除去随着切出(切成薄片)而导致的半导体基板1的表层部的机械损伤层或污染层，而用NaOH或KOH、或者氢氟酸和硝酸的混合液等将切出的半导体基板1的表面(1F)侧及背面(1S)侧的表层部分别蚀刻10～20μm左右，之后，用纯水等洗涤，由此除去有机成分及金属成分。
<贯通孔的形成工序>
其次，在半导体基板1的第一面1F和第二面1S之间形成贯通孔3。
贯通孔3使用机械钻头、水射流或激光加工装置等形成。需要说明的是，为了避免成为受光面的第一面1F的损伤，而从半导体基板1的第二面1S的一侧朝向第一面1F的一侧进行加工，由此形成贯通孔3。但是，若加工对半导体基板1造成的损伤少，则也可以从第一面1F的一侧朝向第二面1S的一侧进行加工。
<纹理结构的形成工序>
其次，在形成有贯通孔3的半导体基板1的受光面侧形成具有用于有效地减少光反射率的微细的突起(凸部)的纹理结构1a(参照图3、4)。
作为纹理结构1a的形成方法，能够使用基于NaOH或KOH等碱水溶液的湿式蚀刻法、使用具有蚀刻半导体基板1的材料即硅的性质的蚀刻气体的干式刻蚀法。
<反向导电型层的形成工序>
其次，形成反向导电型层2。即，在半导体基板1的第一面1F上形成第一反向导电型层2a，在贯通孔3的内表面形成第二反向导电型层2b，在第二面1S形成第三反向导电型层2c。
在作为半导体基板1而使用p型多结晶硅基板的情况下，作为用于形成反向导电型层2的n型化掺杂元素，优选使用P(磷)。
反向导电型层2用将形成膏剂状态的P2O5涂敷于半导体基板1的其形成对象部位而进行热扩散的涂敷热扩散法、将形成气体状态的POCl3(三氯氧磷)作为扩散源向形成对象部位扩散的气相热扩散法及对形成预定部位直接扩散的离子注入法等形成。若使用气相热扩散法，则能够在半导体基板1的两个主面的形成对象部位和贯通孔3的表面同时形成反向导电型层2，所以优选。
需要说明的是，在扩散区域也形成于形成对象部位以外那样的条件下，通过在其部分事先形成扩散防止层后形成反向导电型层2，能够防止局部的扩散。另外，也可以不形成扩散防止层，之后将形成于形成对象部位以外的扩散区域蚀刻除去，例如，在第二反向导电型层2b或第三反向导电型层2c上形成抗蚀剂膜且用湿式蚀刻或干式蚀刻除去第二面1S侧的不要的扩散区域即可。
另外，也可以使用激光照射等公知的方法对形成第一电极4的区域的周围或半导体基板1的第二面1S的周缘部进行pn分离。
<半导体层的形成工序>
其次，在半导体基板1的第二面1S形成半导体层6。
在将硼设为掺杂元素的情况下，用将BBr3(三溴化硼)设为扩散源的热扩散法在800～1100℃左右形成。在该情况下，在形成半导体层6之前，优选在半导体层6的形成预定部位以外的区域上例如在已经形成的反向导电型层2等上形成由氧化膜等构成的扩散防止层，在半导体层6的形成后除去该扩散防止层。进而，也可以将在除去扩散区域时设置的抗蚀剂膜原封不动地作为扩散防止层使用。
另外，在作为掺杂元素而使用铝的情况下，通过用印刷法将由铝粉末和有机载体等构成的铝膏剂涂敷于半导体基板1的第二面1S后以700～850℃左右的温度进行热处理(烧成)而使铝向半导体基板1扩散，由此能够形成半导体层6。在该情况下，能够仅在作为铝膏剂的印刷面的第二面1S形成期望的作为扩散区域的半导体层6。之后，烧成后除去由在第二面1S上形成的铝构成的层。
<防反射膜的形成工序>
其次，在第一反向导电型层2a上形成防反射膜7。
作为防反射膜7的形成方法，能够使用等离子体增强化学气相成长法(PECVD法)、蒸镀法或溅射法等。例如，在用PECVD法形成由SiNx膜构成的防反射膜的情况下，将反应室内设为500℃左右，用氮气稀释硅烷(Si3H4)和氨(NH3)的混合气体，并用辉光放电分解使其等离子化而沉积，从而形成防反射膜7。另外，也可以在第二反向导电型层2b上形成防反射膜7。
<钝化膜的形成工序>
其次，可以在半导体基板1的第二面1S上形成钝化膜8。
作为钝化膜8的形成方法，能够使用PECVD法、蒸镀法或溅射法等，在钝化膜8的形成预定部位以外的区域上设置掩模，或也可以在第二面1S的整个面上设置后除去形成预定部位以外的区域。
<电极的形成方法>
其次，形成构成第一电极4的主电极部4a和导通部4b。
主电极部4a和导通部4b例如使用涂敷法形成。具体而言，通过在半导体基板1的第一面1F上例如将相对由银等构成的金属粉末100质量份而添加有机载体10～30质量份、玻璃粉末0.1～10质量份形成的导电性膏剂涂敷为图1所示的主电极部4a的形成图案而形成涂敷膜后，以最高温度500～850℃烧成数十秒～数十分钟，由此能够形成主电极部4a和导通部4b。需要说明的是，在该情况下，通过在涂敷导电性膏剂时将该导电性膏剂填充于贯通孔3，也能够形成导通部4b。另外，在涂敷导电性膏剂后，优选烧成前以规定的温度使涂敷膜中的溶剂蒸腾而使该涂敷膜干燥。另外，也可以事先将导电性膏剂仅填充于贯通孔3且干燥，之后，与上述的情况同样地以图1所示的主电极部4a的图案涂敷导电性膏剂后进行烧成等，分别涂敷·烧成而形成主电极部4a和导通部4b。
在主电极部4a的形成之前形成防反射膜7的情况下，在图案化的区域形成主电极部4a或者用烧透法形成主电极部4a。
另一方面，也可以在形成主电极部4a后形成防反射膜7。在该情况下，没有必要对防反射膜7进行构图，另外也没有必要使用烧透法，因此主电极部4a的形成条件变成缓和的条件。若为这样的工序，例如即使不以800℃左右的高温烧成也能够形成主电极部4a。
接着，在半导体基板1的第二面1S上形成第一输出取出部4c和第二电极5。
第一输出取出部4c例如能够使用涂敷银或铜等的导电性膏剂且加热处理的方法、或使用溅射法或蒸镀法形成银或铜等金属。
需要说明的是，这样的镀覆层52也可以为用非电镀形成的层。
《太阳能电池模块的制造方法》
其次，对使用上述的太阳能电池元件10制造太阳能电池模块20的方法进行说明。
首先，预先将用焊料被覆了厚度0.1～0.4mm左右、宽度1～3mm左右的铜箔的整个面而成的部件在长度方向上截断成规定的长度，由此制作配线件15。
然后，如图6所示那样，将多个太阳能电池元件10以各自的第二面1S为上的方式以规定的距离分开载置，从上方使配线件15与太阳能电池元件10的第一输出取出部4c及第二电极5接触。在该状态下，使用热气或焊铁或使用回流炉，使配线件15的表面的焊料熔化，由此连接配线件15和第一输出取出部4c及第二电极5。根据该方法，能够以高生产率连接太阳能电池元件10彼此。另外，也可以使用将环氧树脂、硅、聚酰亚胺及聚氨酯系树脂等作为粘合剂且由银、镍、碳等导电性填料构成的低温固化型的导电性粘接剂或焊料膏剂来连接配线件15。或者，也可以在第一输出取出部4c和第二电极5上设置导电性粘接剂或焊料膏剂，并在其上使配线件15接触后，以150～250℃左右进行热处理，由此连接配线件15和一个太阳能电池元件10的第一输出取出部4c及另一个太阳能电池元件10的第二电极5。
之后，将在透光性部件11上依次层叠表面填充件12、用配线件15相互连接的多个太阳能电池元件10、背面填充件13及背面保护件14而得到的模块基体在层压机中脱气、加热且加压而一体化，从而得到太阳能电池模块20。
接着，如图5(b)所示那样，在上述的太阳能电池模块20的外周根据需要嵌上铝等的框16。另外，如图5(a)所示那样，用输出取出配线18将被串联的多个太阳能电池元件10中的第一个太阳能电池元件10和最后一个太阳能电池元件10的一端连接于作为输出取出部的端子箱17。
通过上述的次序能够得到本实施方式涉及的太阳能电池模块20。
<变形例>
另外，反向导电型层2及半导体层6的形成方法并不限定于上述的方法。例如，也可以使用薄膜形成技术来形成氢化非晶硅膜或包括微晶硅膜的晶体硅膜等。
实施例
以下对具体的实施例进行说明。
首先，作为半导体基板1，准备156cm见方、厚度200μm的多晶硅基板1。该多晶硅基板1以预先呈现p型的导电型的方式掺杂硼。
用YAG激光装置在准备的各多晶硅基板1形成多个贯通孔3。进而用RIE法在成为受光面(第一面1F)的主面的一侧形成纹理结构1a。
接着，使磷原子扩散而形成表面电阻成为90Ω/□的n型反向导电型层2(第一反向导电型层2a、第二反向导电型层2b、第三反向导电型层2c)。
还用等离子体CVD法在受光面侧形成由氮化硅构成的防反射膜7。需要说明的是，对于在成为背面(第二面1S)的主面的一侧形成的反向导电型层的局部，用氢氟酸溶液除去而进行pn分离。
并且，作为第一面1F及第二面1S的电极构造，将图1、2所示的形状设为实施例1、将图8、9所示的形状设为比较例1、将图11、12所示的形状设为比较例2而形成3种太阳能电池元件。
需要说明的是，在实施例1中的各试料及电阻率测定用的样品中，第一电极4通过涂敷、烧成银膏剂而形成，第二电极5通过涂敷、烧成铝膏剂而形成铝层、在其上用溅射法形成钛和钨的合金层、在其上用电镀法形成由铜构成的镀覆层52、并在其上用电镀法形成由锡构成的镀覆层52而形成。
在比较例中1、2中的各试料及电阻率测定用的样品中，第一电极4及第二电极5的第二输出取出部5a通过涂敷、烧成银膏剂而形成，第二电极5的集电部5b通过涂敷、烧成铝膏剂而形成。
在此电阻率测定用的样品为10mm×10mm×0.3mm，使用该样品用4探针法测定在第二电极5的最表面的电阻率，由此对各试料调节该电阻率的值。需要说明的是，在实施例1中为2～2.5×10-8Ω·m，在比较例中为4～5×10-7Ω·m。
并且，如图7、图10、图13所示那样，将铜箔的整个面用焊料被覆而成的配线件15焊接于第一电极4的第一输出取出部4c及第二电极5(第二输出取出部5a)。
在其他条件相同的情况下分别制作十个实施例及比较例的太阳能电池元件，评价太阳能电池元件输出特性和翘曲量。在此翘曲量为包含半导体基板1的厚度的值，用载置于水平面的情况下的最低部(水平面)和最高部的高度的差评价翘曲量。
表1表示各实施例及比较例的输出特性和翘曲量。需要说明的是，各项目的值均为十个太阳能电池元件的平均值。
【表1】
Figure BDA00002255450100171
实施例1与比较例1相比，与第一电极4连接的铜箔在排列方向BS上延伸连接，来自各主电极部4a的集电电流的路径缩短，进而，第二电极5的电阻率低，因此能够提高输出特性。另外，在比较例1中虽然排列方向BS的翘曲量低，但与排列方向BS垂直的方向的翘曲量变大。
另外，实施例1与比较例2相比，能够确认到在维持了作为太阳能电池模块20的输出特性的同时，减少了由于配线件15而引起的太阳能电池元件10的翘曲量。
其次，在实施例1的太阳能电池元件中，将第一输出取出电极4c的宽度设为2.3mm，将第一输出取出电极4c的根数在1～7根的范围调整，将第二电极5的面积比例变更成87～96％，将对各试料评价的太阳能电池元件输出特性和翘曲量表示于表2。需要说明的是，将第二电极5的连接配线件15的端部的排列方向BS的长度设为3mm。
【表2】
在此试料3为与实施例1对应的试料。从作为本发明的实施例的试料的试料2～6的结果可以得知，只要第二电极5的面积比例为89～95％，就能够使翘曲量为4.8mm以下，并使转换效率为17％以上。
【符号说明】
1-半导体基板
2-反向导电型层
2a-第一反向导电型层
2b-第二反向导电型层
2c-第三反向导电型层
3-贯通孔
4-第一电极
4a-主电极部
4b-导通部
4c-第一输出取出部
4d-第一线状电极部
4e-第二线状电极部
4f-辅助电极部
4g-焊盘电极部
5-第二电极
5a-第二输出取出部
5b-集电部
6-半导体层
7-防反射膜
8-钝化膜
10-太阳电池元件
11-透光性基板
12-表面填充件
13-背面填充件
14-背面保护件
15-配线件
16-框
17-端子箱
18-输出取出配线
20-太阳能电池模块
51-基底层
52-镀覆层

Claims (12)

1.一种太阳能电池元件，具有：
半导体基板，其具有接受光的第一面及该第一面的背面侧的第二面且形成有贯通了所述第一面及所述第二面之间的、在一方向上排列的多个贯通孔；
第一电极，其具有分别设置于所述多个贯通孔内的多个导通部及设置于所述第二面上且与所述导通部电连接的第一输出取出部；
第二电极，其以与所述第一输出取出部分开的方式设置于所述第二面上且电阻率为2.5×10-8Ω·m以下；
第一配线件，其与所述第一输出取出部连接；
第二配线件，其与所述第二电极连接且以长度方向的端面与所述第一配线件的长度方向的端面对置的方式配置。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池元件，其中，
所述第一配线件和所述第二配线件以在一直线上排列的方式配置。
3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池元件，其中，
所述第二电极具有含有锡或银的厚度为5～30μm的镀覆层。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池元件，其中，
所述第二电极还具有所述镀覆层的基底层，
该基底层含有钛-钨系合金作为主成分。
5.根据权利要求4所述的太阳能电池元件，其中，
所述基底层的厚度为50～500nm。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的太阳能电池元件，其中，
所述第二电极的面积相对于所述第二面的面积的比例为89～95％。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的太阳能电池元件，其中，
所述第一输出取出部大致平行地设置多个，并且设置于所述第一输出取出部之间的第二电极的宽度为10～50mm。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的太阳能电池元件，其中，
在所述第二电极和所述半导体基板之间具有钝化膜。
9.根据权利要求8所述的太阳能电池元件，其中，
所述钝化膜形成至所述半导体基板的侧面。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的太阳能电池元件，其中，
在所述第一面上设置有与所述导通部电连接的线状电极部，
该线状电极部具有与所述导通部直接连接的第一线状电极部和与所述第一线状电极部大致平行地配置且经由从所述导通部向一方向延伸的辅助电极部而与所述导通部连接的第二线状电极部。
11.根据权利要求10所述的太阳能电池元件，其中，
所述辅助电极部的长度方向与所述导通部的排列的长度方向平行。
12.一种太阳能电池模块，具有权利要求1～11中任一项所述的太阳能电池元件。
CN2011800191107A 2010-04-20 2011-04-20 太阳能电池元件及使用该太阳能电池元件的太阳能电池模块 Pending CN102859712A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010096591 2010-04-20
JP2010-096591 2010-04-20
PCT/JP2011/059730 WO2011132707A1 (ja) 2010-04-20 2011-04-20 太陽電池素子およびそれを用いた太陽電池モジュール

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN102859712A true CN102859712A (zh) 2013-01-02

Family

ID=44834224

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2011800191107A Pending CN102859712A (zh) 2010-04-20 2011-04-20 太阳能电池元件及使用该太阳能电池元件的太阳能电池模块

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8859889B2 (zh)
JP (1) JPWO2011132707A1 (zh)
CN (1) CN102859712A (zh)
WO (1) WO2011132707A1 (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201322464A (zh) * 2011-11-24 2013-06-01 Axuntek Solar Energy 太陽能電池模組及其製造方法
EP2827377A4 (en) * 2012-03-16 2015-12-02 Panasonic Ip Man Co Ltd SOLAR CELL MODULE
JPWO2013136513A1 (ja) * 2012-03-16 2015-08-03 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 太陽電池モジュール
US20150083212A1 (en) 2013-09-23 2015-03-26 Markus Eberhard Beck Thin-film photovoltaic devices with discontinuous passivation layers
WO2016019396A2 (en) * 2014-08-01 2016-02-04 Solexel, Inc. Solar cell surface passivation using photo-anneal
WO2017017771A1 (ja) * 2015-07-27 2017-02-02 長州産業株式会社 光発電素子及びその製造方法
WO2017017772A1 (ja) * 2015-07-27 2017-02-02 長州産業株式会社 光発電素子及びその製造方法
DE102019006099B4 (de) * 2019-08-29 2022-03-17 Azur Space Solar Power Gmbh Stapelförmige Mehrfachsolarzelle mit einer ein Mehrschichtsystem umfassenden Metallisierung

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06236880A (ja) * 1992-12-14 1994-08-23 Oki Electric Ind Co Ltd 金属配線の形成方法
CN1198841A (zh) * 1995-10-05 1998-11-11 埃伯乐太阳能公司 自对准局域深扩散发射极太阳能电池
WO2004095587A2 (en) * 2003-04-10 2004-11-04 Sunpower Corporation Metal contact structure for solar cell and method of manufacture
US20090272419A1 (en) * 2006-12-26 2009-11-05 Kyocera Corporation Solar Cell Module

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3903427A (en) * 1973-12-28 1975-09-02 Hughes Aircraft Co Solar cell connections
DE3714920C1 (de) 1987-05-05 1988-07-14 Messerschmitt Boelkow Blohm Verfahren zur Herstellung einer Duennschicht-Solarzellenanordnung
US4838952A (en) * 1988-04-29 1989-06-13 Spectrolab, Inc. Controlled reflectance solar cell
US5178685A (en) * 1991-06-11 1993-01-12 Mobil Solar Energy Corporation Method for forming solar cell contacts and interconnecting solar cells
JP3653800B2 (ja) 1995-06-15 2005-06-02 株式会社カネカ 集積化薄膜太陽電池の製造方法
US6265652B1 (en) 1995-06-15 2001-07-24 Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kabushiki Kaisha Integrated thin-film solar battery and method of manufacturing the same
JP2006245502A (ja) 2005-03-07 2006-09-14 Sharp Corp 太陽電池セルおよびその製造方法
JP2007201304A (ja) 2006-01-30 2007-08-09 Honda Motor Co Ltd 太陽電池およびその製造方法
US8049099B2 (en) * 2006-03-01 2011-11-01 Sanyo Electric Co., Ltd. Solar cell and solar cell module including the same
WO2008015900A1 (fr) 2006-07-31 2008-02-07 Panasonic Corporation Élément émetteur de lumière semi-conducteur et son procédé de fabrication
EP2099076A4 (en) 2006-12-25 2013-07-03 Sharp Kk PHOTOELECTRIC CONVERTER AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
JP2008294080A (ja) * 2007-05-22 2008-12-04 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池セル及び太陽電池セルの製造方法
US20090050190A1 (en) * 2007-08-24 2009-02-26 Sanyo Electric Co., Ltd. Solar cell and solar cell module
JP5078509B2 (ja) * 2007-09-04 2012-11-21 三洋電機株式会社 太陽電池
JP2009088406A (ja) * 2007-10-02 2009-04-23 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池及びその製造方法
JP2009135338A (ja) * 2007-11-30 2009-06-18 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池及び太陽電池の製造方法
JP2009176782A (ja) * 2008-01-21 2009-08-06 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池モジュール

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06236880A (ja) * 1992-12-14 1994-08-23 Oki Electric Ind Co Ltd 金属配線の形成方法
CN1198841A (zh) * 1995-10-05 1998-11-11 埃伯乐太阳能公司 自对准局域深扩散发射极太阳能电池
WO2004095587A2 (en) * 2003-04-10 2004-11-04 Sunpower Corporation Metal contact structure for solar cell and method of manufacture
US20090272419A1 (en) * 2006-12-26 2009-11-05 Kyocera Corporation Solar Cell Module

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2011132707A1 (ja) 2013-07-18
WO2011132707A1 (ja) 2011-10-27
US20130133737A1 (en) 2013-05-30
US8859889B2 (en) 2014-10-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9093590B2 (en) Solar cell and solar cell manufacturing method
CN104272475B (zh) 背接触太阳能光伏模块用半导体晶片的电池和模块加工
CN102859712A (zh) 太阳能电池元件及使用该太阳能电池元件的太阳能电池模块
US8847060B2 (en) Solar module structures and assembly methods for pyramidal three-dimensional thin-film solar cells
US8035028B2 (en) Pyramidal three-dimensional thin-film solar cells
JP5541370B2 (ja) 太陽電池の製造方法、太陽電池及び太陽電池モジュール
CN102893411B (zh) 太阳能电池元件及该太阳能电池元件的制造方法以及太阳能电池模块
CN102576752A (zh) 太阳能电池元件及太阳能电池模块
CN111063760B (zh) 一种太阳能电池的制备工艺
CN104362200A (zh) 一种高效晶硅太阳能电池及其制备方法
WO2013161145A1 (ja) 裏面接合型太陽電池及びその製造方法
US10651322B2 (en) Solar cell element and solar cell module
JP5219977B2 (ja) 太陽電池素子および太陽電池モジュール
CN105742375A (zh) 一种背接触晶硅电池及其制备方法
JP2014146553A (ja) 太陽電池の電極用導電性ペーストおよびその製造方法
JP2005260158A (ja) 太陽電池モジュール
CN103718305B (zh) 太阳能电池元件及太阳能电池模块
JP5219984B2 (ja) 太陽電池モジュール
JP2011096731A (ja) 太陽電池素子および太陽電池モジュール

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20130102