JP2006245502A - 太陽電池セルおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 半導体基板の反りを抑制するために半導体基板の裏面に形成するアルミ電極を薄くすることによっても、十分なＢＳＦ層を有する太陽電池セルおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 ｐ型のシリコン基板２の受光面側にｎ型の拡散層３が形成され、この拡散層３の上に反射防止膜４と受光面銀電極７が設けられている。受光面銀電極７は、反射防止膜４を貫通し拡散層３に接続している。シリコン基板２の裏面側にはＢＳＦ層５が形成され、さらに、アルミ電極６と裏面銀電極８が設けられている。また、裏面のアルミ電極６の膜厚は、中心部は薄く、中心部から周辺部に向かうにしたがって、膜厚が中心部よりも厚く形成されている。
【選択図】 図１

Description

この発明は、太陽電池セルおよびその製造方法に関し、特に太陽電池の電極の改良に関する。

図１１を参照して、背景技術における太陽電池セルの断面図を説明する。図１１に示す太陽電池セル１Ｂは、たとえばシリコン等のｐ型半導体基板２に、ｎ型となるドパーントを拡散してｎ型拡散層３を形成することにより、ｐｎ接合を形成している。ｎ型拡散層３の上にはＴｉ０₂膜等の反射防止膜４が形成されている。ｐ型半導体基板２の裏面側には、アルミペーストを塗布し、焼成することによりＢＳＦ層５とアルミ電極６とが形成されている。受光面側および裏面側には、銀ペーストを塗布し焼成することにより、銀電極７，８が形成されている。太陽電池セルの変換効率を高めるために、受光面側に凹凸を形成する（図示せず）場合もある。

半導体基板２の表面に凹凸を形成する方法としては、ＮａＯＨやＫＯＨ等のアルカリにイソプロピルアルコール等を加えた水溶液で半導体基板２の表面に高さ数μｍの微小ピラミッド状の凹凸を形成する方法が知られている。半導体基板２の表面に凹凸を形成する別の方法として、ダイシング装置あるいはレーザーを用いて半導体基板２の表面に深さ数十μｍの溝を多数平行に形成する方法や、ドライエッチング等も知られている。

半導体基板２にｐｎ接合を形成する方法としては、ｐ型の半導体基板２に対してＰ₂Ｏ₅やＰＯＣｌ₃による気相拡散、あるいはＰ系の化合物を含有した塗布液を用いた拡散、ｎ型の半導体基板２に対してＢＢｒ₃による気相拡散あるいはＢ系の化合物を含有した塗布液を用いた拡散が知られている。

受光面側に反射防止膜４を形成する方法としては、常圧ＣＶＤ法を用いてＴｉＯ₂膜を形成する方法やプラズマＣＶＤ法を用いてＳｉＮ膜を形成する方法が知られている。反射防止膜４の形成は電極の形成後に行なう場合もある。裏面電極を形成する方法としては、アルミペーストや銀ペースト等の導電性ペーストを用いたスクリーン印刷法の他、蒸着やメッキ等が知られている。この中でスクリーン印刷法は低コスト化の点で有利である。

ここで、図１２を参照して、スクリーン印刷法について説明する。所定のパターンが形成されたスクリーン１２を用い、塗布したいペースト状の材料１１をスキージ１０で、フラットなステージ９上に保持された半導体基板２に、所定のパターンを塗布する。受光面電極は、反射防止膜を先に形成している場合には、電極が形成される部分の反射防止膜をあらかじめ除去する必要があるが、ファイヤースルー型のペーストを用いた場合には、その必要がない。また、簡略化された別の太陽電池セルでは、裏面電極と受光面電極とを一回の焼成で形成する方法の採用も可能である。

今後の太陽電池セルの普及にあたっては、低コスト化が必須である。その為、基板の薄型化、大面積化は避けることができない技術課題となっている。しかし、上述した太陽電池の製造方法においては、半導体基板が薄くなるに伴い、あるいは、半導体基板が大きくなるに伴い、アルミ電極を全面に形成した半導体基板では反りが大きくなる。このため、次工程での半導体基板の搬送が困難となり、半導体基板の割れが発生し、生産効率や歩留を悪化させる問題点がある。

また、半導体基板の反りを抑制する為にＢＳＦ層のみ残して、アルミ電極を除去し、櫛型の別の電極を形成する方法も考えられているが、プロセスが多くなり、製造プロセスにおける高コスト化が避けられない。

下記特許文献１においては、半導体基板を補強する方法も提案されている。この場合もプロセスが多くなることから、製造プロセスにおける高コスト化が避けられない。

また、半導体基板の裏面に形成するアルミ電極を薄くすることによっても半導体基板の反りを抑制することができる。アルミペーストの厚みを薄くする方法としては、半導体基板方向に対するスキージを押し下げる圧力（印圧）を変化させる方法がある。従来のアルミ電極形成の場合においては、印圧を上げることによって、アルミ電極を薄くすることが可能である。または、半導体基板とスクリーンとの距離を狭くすることによっても、アルミ電極を薄くすることが可能である。または、アルミ電極を薄く塗布するスクリーンを使用することによる方法も挙げられる。しかしながら、アルミペーストを均一に薄くすると、十分なＢＳＦ層が形成できず、太陽電池の出力低下が避けられない、という新たな課題に直面することとなる。
特開２００３―６９０５５号公報

この発明が解決しようとする課題は、半導体基板の裏面に形成するアルミ電極を薄くすることによって半導体基板の反りを抑制した場合に、十分なＢＳＦ層が形成できず、太陽電池の出力低下が避けられない−点にある。したがって、この発明の目的は、半導体基板の反りを抑制するために半導体基板の裏面に形成するアルミ電極を薄くすることによっても、十分なＢＳＦ層を有する太陽電池セルおよびその製造方法を提供することにある。

この発明に基づいた太陽電池セルの１つの局面においては、基板の受光面側と反対側の裏面側にアルミ電極が形成された太陽電池セルであって、上記アルミ電極の少なくとも周囲の一部の膜厚が、中心部に比べて厚く形成されていることを特徴としている。

この発明に基づいた太陽電池セルの他の局面においては、基板の受光面側と反対側の裏面側にアルミ電極が形成された太陽電池セルであって、上記アルミ電極の周辺部の膜厚が、中心部に比べて厚く形成されていることを特徴としている。

この発明に基づいた太陽電池セルの製造方法においては、上記構成を備える太陽電池の製造方法であって、上向きに凸状に形成されたステージに基板を保持し、上記基板上にアルミペーストをスクリーン印刷した後に、熱処理を施すことにより、少なくとも周囲の一部の膜厚が中心部に比べて厚いアルミ電極を形成することを特徴としている。

上記太陽電池セルの製造方法において好ましくは、上記ステージは、当該ステージの中心線から離れるに従い、中心線位置の高さよりも低く形成された凸部領域を有していることを特徴としている。

上記太陽電池セルの製造方法において好ましくは、上記ステージは、当該ステージの中心点から離れるに従い、中心点位置の高さよりも低く形成された凸部領域を有していることを特徴としている。

上記太陽電池セルの製造方法において好ましくは、上記ステージは、基板の大きさ（一辺の長さがＷの正方形）に対して、基板が保持される当該ステージにおける曲面部分の凸部領域の凸部の高低差ｈが、下記関係式（１）を満たすことを特徴としている。関係式（１）・・・ｈ＝a×Ｗ（ただし、ａ＝０．００１〜０．０５）。

本発明の太陽電池セルおよびその製造方法によれば、少なくとも周囲の一部の膜厚が中心部に比べて厚いアルミ電極を有することで、基板周辺部のアルミ電極が基板を補強し、割れを抑制することから歩留を向上でき、その結果、低コストの太陽電池セルを得ることができる。また、この太陽電池セルの裏面アルミ電極を形成する工程において、既存の設備を利用して基板を保持するための上向きに凸状ステージを得ることができ、低コストの太陽電池セルを得ることを可能としている。

以下、本発明に基づいた太陽電池セルおよびその製造方法の実施の形態について、図１から図８を参照して説明する。なお、図１は、本発明に基づいた太陽電池セルの代表的な結晶シリコン太陽電池セル１Ａの断面図であり、図２〜図８は、その製造工程を示す断面図である。ｐ型のシリコン基板２の受光面側にｎ型の拡散層３が形成され、この拡散層３の上に反射防止膜４と受光面銀電極７が設けられている。受光面銀電極７は、反射防止膜４を貫通し拡散層３に接続している。シリコン基板２の裏面側にはＢＳＦ層５が形成され、さらに、アルミ電極６と裏面銀電極８とが設けられている。裏面銀電極８は、アルミ電極６に接続されている。

次に、図２から図８を参照して、上記結晶シリコン太陽電池セル１Ａの製造方法について説明する。まず、図２を参照して、ＮａＯＨ水溶液等のアルカリ溶液により厚みが２００μｍ以下であるｐ型の結晶シリコン基板２の表面に対してエッチングを行ない、結晶シリコン基板２の表面に微小ピラミッド状の凹凸を形成する。別のエッチング方法としては、酸を用いても良いし、ＮａＯＨ等のアルカリとイソプロパノール等アルコールとの混合液を用いて、テクスチャエッチングを行ない、シリコン基板２の表面に微小ピラミッド状の凹凸を形成しても良い。

次に、図３を参照して、このシリコン基板２を石英チューブ炉に入れて、ＰＯＣｌ₃を用いた拡散法あるいはＰを含む塗布液を用いた拡散法により、８００度〜９５０度の温度で５分〜３０分間処理することによりｎ型拡散層３を形成する。その後、図４を参照して、常圧ＣＶＤ法を用いて、６０ｎｍ〜９０ｎｍのＴｉＯ2膜を形成してｎ型拡散層３の上に反射防止膜４を形成する。反射防止膜４の別の形成方法としては、プラズマＣＶＤ法を用いて７０ｎｍ〜１００ｎｍのＳｉＮ膜を形成しても良い。

次に、図５に示すように、上方に凸状に形成されたステージ９の上に反射防止膜４側を下にして、ｎ型拡散層３および反射防止膜４基板が形成されたシリコン基板２を載置する。その後、シリコン基板２の裏面側（図示上面側）にアルミペーストをスクリーン印刷法により塗布する。次に、図６を参照して、１００度〜２００度の乾燥工程、および、６００度〜９００度の温度での焼成工程により、ＢＳＦ層５とアルミ電極６とを形成する。次に、図７を参照して、シリコン基板２の受光面側と裏面側とに銀ペーストをスクリーン印刷法により塗布し、乾燥後５００度〜９００度の温度で焼成して受光面銀電極７および裏面銀電極８を形成する。

上記製造工程において、アルミ電極６を形成するアルミペーストは、アルミ粉末、ガラスフリット、樹脂と溶剤のビヒクル成分からなる。その粘度は約２５度の温度で、粘度計の回転数２５ｒｐｍの場合、５０〜３００Ｐａ・ｓの範囲が用いられる。良好な印刷を保つ為には、７０ｒｐｍ〜１５０ｒｐｍを用いることが好ましい。アルミペーストをシリコン基板２の裏面側に塗布し、６００度以上の温度で焼成することにより、アルミがシリコン中に拡散し、ＢＳＦ層５が形成される。太陽電池の高出力化には、このＢＳＦ層５は不可欠である。しかしながら、９００度以上の温度で焼成するとアルミ電極６の表面に意図せず、不規則な凹凸が発生するので望ましくない。アルミ電極の厚さ（膜厚）は、５μｍ〜５ｍｍ、好ましくは、１０〜５００μｍが好ましい。５μｍより薄い場合、ＢＳＦ効果が十分に得られない。また、厚いほど補強の効果が上がるものの、反りが大きくなることから、５ｍｍまでが良い。

上記製造方法においては、上方に凸状に形成されたステージ９を用いることにより、図８に示すように、裏面のアルミ電極６の膜厚は、中心部は薄く、中心部から周辺部に向かうにしたがって、膜厚は中心部よりも厚く形成されている。これにより、シリコン基板２に薄型化基板を用いた場合には、アルミ電極６の周辺部が補強の役割を担い、シリコン基板２の割れを抑制することを可能とする。

これは、凸状のステージ９を用いることにより、図５に示すように、ステージ９の中央部では、シリコン基板２とスクリーン（図示省略）との距離が狭くなることから、アルミペーストは薄く塗布される。一方、ステージ９の周縁部では、シリコン基板２とスクリーンとの距離が離れていくことから、シリコン基板２に塗布されるアルミペーストを厚く形成することが可能となる。

この場合、シリコン基板２とスクリーンとの間隔は０．１ｍｍ〜１０ｍｍの範囲で選択することが可能である。良好な印刷を実現する為には１ｍｍ〜５ｍｍの範囲で設定することが望ましい。また、印圧は０．０５Ｍｐａ〜０．５Ｍｐａの範囲で設定することが好ましい。より好ましくは、０．１Ｍｐａ〜０．４Ｍｐａの範囲で設定する。また、シリコン基板２に対するスキージの角度は３０度〜８０度の範囲で設定することが好ましい。より好ましくは、６０度〜７５度の範囲で設定する。また、スキージ速度は１０ｍｍ／ｓｅｃ〜３００ｍｍ／ｓｅｃの範囲で設定することが好ましい。より好ましくは、３０ｍｍ／ｓｅｃ〜１５０ｍｍ／ｓｅｃの範囲で設定する。周辺部のアルミ電極６の厚みは、中心部の厚みの１．１〜３倍であることが好ましい。

また、凸状のステージ９の形状としは、たとえば、図９（ａ）〜（ｃ）に示すように、ステージ９の中心線Ｌから離れるに従い、中心線Ｌ位置の高さよりも低く形成された凸部領域９ａを有しているもの、あるいは、図１０（ａ）〜（ｃ）に示すように、ステージ９の中心点Ｐから離れるに従い、中心点Ｐの位置の高さよりも低く形成された凸部領域９ｂを有しているものを用いることが可能である。また、ステージ上に、膜厚が中心部から周辺部に向かうほど薄いフィルムを貼り付けたものを用いることも可能である。また、ステージ９は直線状に中心部から周辺部に向かって低く形成されていてもよいが、図５，６，９，１０に示すように曲面状に形成されている方が好ましい。

凸状のステージ９に載置されるシリコン基板２の厚さは、約３００μｍ以下が好ましい。シリコン基板２が３００μｍよりも厚い場合、シリコン基板２に強度があることから、凸状のステージ９に沿って撓ませた状態で載置することが困難となる。また、無理に撓ませた状態を保持しようとすると、シリコン基板２の割れが多発してしまう。一方、シリコン基板２が３００μｍよりも薄くなると、シリコン基板２が撓むことから、容易に凸状のステージ９に沿って撓ませた状態でステージ９に保持することが可能となる。

シリコン基板２の大きさ（一辺の長さがＷの正方形）に対して、シリコン基板２が保持されるステージ９における曲面部分の凸部の高低差ｈ（図９および図１０参照）が、ｈ＝a×Ｗ（ただし、ａ＝０．００１〜０．０５）の関係式を満たすステージを用いることが好ましい。ここで、ａが０．００１よりも小さい場合、塗布される厚み差が、ほとんど同じであることから、従来の如く効果が得られない。一方、ａが０．０５よりも大きい場合は、シリコン基板２の周辺部において、シリコン基板２とスクリーンとの距離が離れすぎた状態となる結果、かすれ等が発生し、十分にアルミペーストが塗布できなくなる。

アルミペーストの乾燥方法としては、ベルト式の乾燥炉において乾燥させる方法が知られている。あるいは、オーブンにおいても、乾燥することが可能である。あるいは、ステージ９上でアルミペーストを塗布後、ステージ９上で乾燥する方法もある。さらに、ステージ９にシリコン基板２を保持した状態で、焼成することも可能である。

また、ステージ９の上において、１００度〜２００度の温度での乾燥工程、および、６００度〜９００度の温度での焼成工程により、ＢＳＦ層５とアルミ電極６とを形成しているが、ステージ９の上においてはアルミペーストの印刷のみとし、受光面銀電極７および裏面銀電極８の焼成工程と同時に、ＢＳＦ層５およびアルミ電極６を形成することも可能である。

以下に、本実施の形態における太陽電池セルの製造方法の各実施例について説明する。なお、上述した太陽電池セルの製造方法はあくまでも一例であり、以下に示す各実施例の製造方法の採用も可能である。

（実施例１）
テクスチャエッチングされた厚み５０μｍ、サイズ１２５ｍｍ角のｐ型単結晶シリコン基板２の表面に、ｐ型の不純物を含む塗布液を用いて、約９００度で１０分間熱処理を行なうことにより、このｐ型単結晶シリコン基板２の表面に、深さ約０．５μｍのｎ型拡散層３を形成する（図３参照）。同時に、厚さ６０ｎｍ〜９０ｎｍのＴｉＯ_X膜を形成して反射防止膜４とした（図４参照）。

次に、ｐ型単結晶シリコン基板２の所定の位置に銀ペーストをスクリーン印刷法により、塗布、乾燥する。続いて、図９に示すような、ステージ９の中心線Ｌから、左右に離れるに従い、高さが低く曲面状に形成されたステージ９上に、そのステージ９の中心線Ｌとｐ型単結晶シリコン基板２の中心線がほぼ等しくなるように、ｐ型単結晶シリコン基板２を曲面に沿って保持し、ｐ型単結晶シリコン基板２の裏面にアルミペースト６をスクリーン印刷法により塗布し、乾燥する。さらに、受光面に銀ペースト４をスクリーン印刷法により塗布し、乾燥後、７００度〜８００度の温度で焼成して、深さ約１０μｍのＢＳＦ層５と厚さ数十μｍのアルミ電極６、受光面銀電極７、および裏面銀電極８を形成することにより、太陽電池セルを完成させた（図８参照）。

ここで、ステージ中心線Ｌから、左右に離れるに従い、高さが低く曲面状に形成されたステージ９（図９参照）を用いることにより、ｐ型単結晶シリコン基板２には基板の中心線よりも左右に離れるに従い、アルミペーストの膜厚を厚く塗布して、焼成することができる。その結果、ｐ型単結晶シリコン基板２の基板中心線付近ではアルミペーストの膜厚を薄くし、基板の両端付近では中央部よりも厚いアルミ電極を形成することができる。

この実施例１においては、ステージ９として曲面部分の凸部の高低差ｈが６ｍｍの凸部領域９ａを用い、ｐ型単結晶シリコン基板２とステージ９の最小間隔は１．５ｍｍ、印圧０．４ＭＰａ、スキージ速度５０ｍｍ／ｓｅｃに設定して行なった。また、粘度１００Ｐａ・ｓのアルミペーストを用いた。比較例として、フラットなステージを用いた太陽電池セルも作製した。本実施例１の太陽電池セルではｐ型単結晶シリコン基板２の反りが低減し、また、ｐ型単結晶シリコン基板２の基板中心線付近ではアルミペーストの膜厚を薄くし、基板の両端付近では中央部よりも厚いアルミ電極がｐ型単結晶シリコン基板２を補強し、割れを大幅に低減することが可能となる。また、太陽電池セルの出力においても、フラットなステージを用いた太陽電池セルと同等の値が得られた。

（実施例２）
上述の如くエッチングされた厚み１００μｍ、サイズ１５５ｍｍ角のｐ型多結晶シリコン基板２表面に、ｎ型拡散層３と反射防止膜4を形成する。次に、ステージ中心点から、周囲に離れるに従い、高さが低く曲面状に形成されたステージ９（図１０参照）上に、そのステージ９の中心点Ｐとｐ型多結晶シリコン基板２の中心点とがほぼ等しくなるように、基板を曲面に沿って保持し、基板裏面にアルミペーストをスクリーン印刷法により塗布し、乾燥後、６００度〜９００度の温度で焼成してＢＳＦ層５とアルミ電極６とを形成する。

その後、ｐ型多結晶シリコン基板２の所定位置に銀電極を塗布、乾燥し、受光面側にも銀電極を塗布、乾燥後、５００度〜９００度の温度で焼成して、裏面銀電極７と受光面裏面銀電極８を形成して、太陽電池セルを完成させた。

本実施例２においては、ステージ９として曲面部分の凸部の高低差ｈが０．１５ｍｍのステージを用い、ｐ型多結晶シリコン基板２とステージの最小間隔は１．０ｍｍ、印圧０．２ＭＰａ、スキージ速度１００ｍｍ／ｓｅｃに設定して行なった。また、粘度８０Ｐａ・ｓのアルミペーストを用いた。比較例として、フラットなステージを用いたセルも作製した。比較例で問題となる太陽電池セルのが割れが、本実施例２の太陽電池セルではｐ型多結晶シリコン基板２の反りが低減し、大幅に低減することが可能となった。また、太陽電池セルの出力においても、同等の値が得られた。

ここで、ステージ中心点から、周辺部へ離れるに従い、高さが低く曲面状に形成されたステージ９を用いることにより、ｐ型多結晶シリコン基板２の裏面には基板の中心点よりも離れるに従い、厚くアルミペーストを塗布することでき、それを焼成することにより、中心点付近では薄く、基板の周辺部付近では厚いアルミ電極を形成することができる結果、本実施例２による太陽電池セルでは、厚く形成されたアルミ電極がウェハを補強し、割れが低減することが可能となる。

（実施例３）
前述の如くエッチングされた厚み１５０μｍ、サイズ２００ｍｍ角のｐ型多結晶シリコン基板２を用い、上記実施例２と同様、太陽電池セルを作製した。本実施例においてはｐ型多結晶シリコン基板２をステージ９に保持した状態でアルミペーストの乾燥を行なった。比較例では約７０％の太陽電池セルが割れるのに対して、本実施例３の太陽電池セルでは反りが大幅に低減し、約１４％にまで低減することが可能となった。また、太陽電池セルの出力においても、同等の値が得られた。本実施例３による太陽電池セルにおいても、上記実施例１および２の太陽電池セルと同様に、周辺部が厚く形成されたアルミ電極がｐ型多結晶シリコン基板２を補強し、シリコン基板２の割れを低減させることを可能としている。

なお、今回開示した上記実施の形態はすべての点で例示であって、限定的な解釈の根拠となるものではない。したがって、本発明の技術的範囲は、上記した実施の形態のみによって解釈されるのではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて画定される。また、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。

この発明に基づいた実施の形態における太陽電池セルの断面図である。 この発明に基づいた実施の形態における太陽電池セルの製造方法を示す第１断面工程図である。 この発明に基づいた実施の形態における太陽電池セルの製造方法を示す第２断面工程図である。 この発明に基づいた実施の形態における太陽電池セルの製造方法を示す第３断面工程図である。 この発明に基づいた実施の形態における太陽電池セルの製造方法を示す第４断面工程図である。 この発明に基づいた実施の形態における太陽電池セルの製造方法を示す第５断面工程図である。 この発明に基づいた実施の形態における太陽電池セルの製造方法を示す第６断面工程図である。 この発明に基づいた実施の形態における太陽電池セルの製造方法を示す第７断面工程図である。 この発明に基づいた実施の形態における太陽電池セルの製造方法に用いられる一のステージの構造を示す模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（a）中ｂ−ｂ断面図、（ｃ）は（a）中ｃ−ｃ断面図である。 この発明に基づいた実施の形態における太陽電池セルの製造方法に用いられる他のステージの構造を示す模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（a）中ｂ−ｂ断面図、（ｃ）は（a）中ｃ−ｃ断面図である。 背景技術における太陽電池セルの断面図である。 スクリーン印刷法を示す模式図である。

符号の説明

１Ａ 結晶シリコン太陽電池セル、２ シリコン基板、３ 拡散層、４ 反射防止膜、５ ＢＳＦ層、６ アルミ電極、７ 受光面銀裏面銀電極、８ 裏面銀電極、９ ステージ、９ａ，９ｂ 凸部領域。

Claims (6)

1. 基板の受光面側と反対側の裏面側にアルミ電極が形成された太陽電池セルであって、
   前記アルミ電極の少なくとも周囲の一部の膜厚が、中心部に比べて厚く形成されていることを特徴とする太陽電池セル。
2. 基板の受光面側と反対側の裏面側にアルミ電極が形成された太陽電池セルであって、
   前記アルミ電極の周辺部の膜厚が、中心部に比べて厚く形成されていることを特徴とする太陽電池セル。
3. 請求項１または２に記載の太陽電池セルの製造方法であって、
   上向きに凸状に形成されたステージに基板を保持し、
   前記基板上にアルミペーストをスクリーン印刷した後に、熱処理を施すことにより、少なくとも周囲の一部の膜厚が中心部に比べて厚いアルミ電極を形成することを特徴とする太陽電池セルの製造方法。
4. 前記ステージは、当該ステージの中心線から離れるに従い、中心線位置の高さよりも低く形成された凸部領域を有していることを特徴とする請求項３に記載の太陽電池セルの製造方法。
5. 前記ステージは、当該ステージの中心点から離れるに従い、中心点位置の高さよりも低く形成された凸部領域を有していることを特徴とする請求項３に記載の太陽電池セルの製造方法。
6. 前記ステージは、基板の大きさ（一辺の長さがＷの正方形）に対して、基板が保持される当該ステージにおける曲面部分の凸部領域の凸部の高低差ｈが、下記関係式（１）を満たすことを特徴とする、請求項４または５に記載の太陽電池セルの製造方法。
   関係式（１）・・・ｈ＝a×Ｗ（ただし、ａ＝０．００１〜０．０５）

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