CN102842266B - 显示器和电子单元 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了能够增强可视性的显示器和电子单元。该显示器包括：多个像素，每个都包括发光器件，并且在其至少一部分中具有透光区域；一个或多个透射率控制器件，能够控制入射光的透射率。

Description

显示器和电子单元
技术领域
本发明涉及具有发光器件的显示器和设置有该显示器的电子单元。
背景技术
近年来，AR（增强现实）技术已被积极地研究。AR技术的特征是呈现合成的虚拟物体以作为对于真实环境（其一部分）的附加信息（电子信息）。AR技术与虚拟现实成对比。在AR技术中，关于真实环境中的具体物体的说明或相关信息，接近于作为用于说明或获得相关信息的目标的实际物体来包括并呈现。因此，作为实现AR技术所用的技术，获得关于真实环境（诸如用户观察物体的位置）的信息的技术，被认为是重要的基础技术。
与此同时，近年来，具有较大的显示器、被称为智能电话或平板的电子单元已经商业化。通过在这样的电子单元上安装的摄像器件（照相机）的拍摄，在显示器上显示真实环境的图像，并且在显示器的屏幕上叠加和显示虚拟物体。因而通过这些电子单元容易地实现AR。
在AR中增强现实（呈现）的技术的示例之一，是其后表面侧可视觉识别的显示器（各像素具有透光区域）（所谓的透明显示器）。在该透明显示器中，能够通过该显示器、而不是如上所述通过摄像器件拍摄的图像来可视地识别实际的真实环境。由此，能够通过在显示器上显示关于真实环境的电子信息，从而以更高的临场感实现AR。
这样的透明显示器的示例之一是使用以下透明材料（光透射材料）作为半导体材料和配线材料的有机电致发光（EL）显示器（例如，参见Doo-Hee Cho等人的“Al and Sn-doped Zinc Indium Oxide Thin film Transistors for AMOLED Back-Plane”，SID2009proceedings，p.280-283）。在该有机EL显示器中，例如，氧化物半导体（例如，添加了铝（Al）和锡（Sn）的Zn（锌）-In（铟）-O（氧））用作薄膜晶体管（TFT）中的半导体材料。作为配线材料，使用了ITO（氧化铟锡）。
发明内容
这里，在如上所述将这样的透明显示器用作用于AR的显示器时，需要改善可视性从而进一步地增强临场感。
期望提供能够增强可视性的显示器和电子单元。
根据本发明的实施方式，提供了一种显示器，包括：多个像素，其每个都包括发光器件，并且在其至少一部分中具有透光区域；以及一个或多个透射率控制器件，能够控制入射光的透射率。
根据本发明的实施方式，提供了一种包括显示器的电子单元，该显示器包括：多个像素，其每个都包括发光器件，并且在其至少一部分中具有透光区域；一个或多个透射率控制器件，能够控制入射光的透射率。
在根据本发明的上述的实施方式的显示器和电子单元中，设置了能够控制入射光的透射率的透射率控制器件。因此，实现了对光透射率的控制，使其适合于具有透光区域的像素中的发光器件中的发光状态（在发光的时候或在非发光的时候）。
根据本发明的上述的实施方式的显示器和电子单元，设置了能够控制入射光的透射率的透射率控制器件。因此，实现了对光透射率的控制，使其适合于具有透光区域的像素中的发光器件的发光状态。因此，增强了具有各自具有透光区域的像素的显示器的可视性。
应当理解，前面的一般说明和以下的详细说明是示范性的，其目的是对所要求的技术提供进一步的解释。
附图说明
包括附图以提供对本发明的进一步的理解，附图被结合进来且构造该说明书的一部分。这些附图示出了实施方式，并且能够与说明书一起用来解释本技术的原理。
图1是示出了根据本发明的第一实施方式的显示器的示例的框图。
图2是示出了图1中示出的各像素中的子像素构造示例的示意图。
图3是示出了图2中示出的各子像素的内部构造示例的电路图。
图4A和图4B是分别示出了图3中示出的子像素的平面构造示例的示图，图4C是示出了比较例1的示图。
图5是示出了图1中示出的显示板的截面构造示例的示意图。
图6是示出了根据比较例2的显示板的截面构造示例的示意图。
图7A和图7B分别是示意性地示出了根据比较例2的像素中发光时的可视识别状态以及非发光时的可视识别状态的平面图。
图8A和图8B是用于说明图5中示出的透射率控制器件的光透射状态和光吸收状态的示意图。
图9A到图9D是示意性地示出了在第一实施方式的像素中发光时和非发光时可视识别状态的平面图，其中，图9A示出了发光时的光透射状态，图9B示出了非发光时的光透射状态，图9C示出了非发光时的光吸收状态，并且图9D示出了发光时的光吸收状态。
图10是示出了根据第二实施方式的显示板的截面构造示例的示意图。
图11A和图11B分别是用于说明图10中示出的透射率控制器件的光透射状态和光反射状态的示意图。
图12A到图12D是示意性地示出了第二实施方式的像素中发光时和非发光时的可视识别状态的平面图，其中，图12A示出了发光时的光透射状态，图12B示出了非发光时的光透射状态，图12C示出了非发光时的光反射状态，并且图12D示出了发光时的光反射状态。
图13是示出了根据第三实施方式的显示板的截面构造示例的示意图。
图14是用于说明图13中示出的透射率控制器件的光吸收状态的示意性截面图。
图15是用于说明图13中示出的透射率控制器件的光透射状态的示意性截面图。
图16A和图16B分别是示出了分别根据变形例1和变形例2的各子像素的内部构造示例连同透射率控制器件的电路图。
图17A和图17B分别是示出了分别根据变形例1和变形例2的显示板中透明区域和非透明区域的配置示例的示意图。
图18A和图18B分别是示出了分别根据变形例3和变形例4的各像素中的子像素构造示例的示意图。
图19A到图19D是示意性地示出了变形例3的像素中发光时和非发光时的可视识别状态的平面图，其中，图19A示出了发光时的光透射状态，图19B示出了非发光时的光透射状态，图19C示出了非发光时的光吸收或光反射状态，并且图12D示出了发光时的光吸收或光反射状态。
图20是示出了包括各实施方式和变形例中的显示器的模块的示意性构造的平面图。
图21是示出了各实施方式和变形例中的显示器的应用例1的外观的透视图。
图22A和图22B分别是示出了从前面观察时的应用例2的外观以及从后面观察时的其外观的透视图。
图23是示出了应用例3的外观的透视图。
图24是示出了应用例4的外观的透视图。
图25A到图25G分别是应用例5的示图，即，打开状态的正视图、打开状态的侧视图、关闭状态的前视图、左侧视图、右侧视图、顶视图以及底视图。
具体实施方式
本发明的实施方式将参考附图详细地描述如下。应注意，将以下列顺序给出描述。
1.第一实施方式（使用执行光透射和光吸收的电致变色器件的示例）
2.第二实施方式（使用执行光透射和光反射的电致变色器件的示例）
3.第三实施方式（使用电润湿器件的示例）
4.第一至第三实施方式共用的变形例
变形例1（为每个水平线设置透射率控制器件的示例）
变形例2（为每个子像素（像素）设置透射率控制器件的示例）
变形例3和4（透射率控制器件与各子像素并排设置的示例）
5.模块和应用例
6.其他变形例
[第一实施方式]
[显示器1的构造]
图1是示出了根据本发明的第一实施方式的显示器（显示器1）的示意性构造的框图。该显示器1包括显示板10（显示部）和驱动电路20（驱动部）。在显示器1中，如后面将要描述的，像素的至少一部分是透光区域（透明区域），从而允许后表面侧的可视识别（显示器用作所谓的透明显示器）。
（显示板10）
显示板10包括多个像素11以矩阵方式配置的像素阵列部13，并且通过基于从外部输入的图像信号20A和同步信号20B执行有源矩阵驱动来显示图像。如后面所述，各像素11被配置为包括与多种（在这里为3）颜色相对应的多个子像素（即用于各颜色的子像素）。
像素阵列部13包括按行配置的多个扫描线WSL、按列配置的多个信号线DTL、以及沿着扫描线WSL按行配置的多个电力线DSL。各扫描线WSL、信号线DTL以及电力线DSL的一端连接到后面将描述的驱动电路20。此外，按行和列配置（以矩阵方式配置）的各像素11被设置为与各扫描线WSL和各信号线DTL的交叉点一致。应注意，在图1中，与将要在后面描述的多种颜色相对应的多个信号线DTLr、DTLg和DTLb（即用于各颜色的信号线）被简化和表示为信号线DTL中的每一个。
此外，在像素阵列部13的几乎整个表面上，设置了能够控制入射光的透射率（光透射率）的透射率控制器件15。换言之，这里设置了在像素阵列部13内所有像素11所共用的唯一的透射率控制器件15。更具体地，透射率控制器件15的分辨率低于像素11的分辨率（即，对每多个像素11（在这里，为所有像素11）设置透射率控制器件15）。此外，在本实施方式中，透射率控制器件15被设置（像层一样配置）为面向各像素11（后面将描述的各有机EL器件12）。这里，透射率控制器件15能够在入射光的透射操作和入射光的吸收操作之间切换操作。具体地，在后面将描述的有机EL器件12的发光和非发光（消光extinction）的各自时候，使得透射率控制器件15在透射操作和吸收操作之间切换操作。在这里，透射率控制器件15是后面将描述的电致变色（EC）器件。
图2以平面图示意性地示出了各像素11的内部构造（子像素构造）的示例。
各像素11被配置为包括红色（R）、绿色（G）和蓝色（B）的三色的子像素11R、11G和11B。换言之，各像素11具有包括与R、G和B三种颜色相对应的三个子像素11R、11G和11B的子像素构造。在这里，在各像素11中，三个子像素11R、11G和11B沿着水平线方向（H线方向）配置成一行。然而，各像素11的子像素11R、11G和11B的配置方式不局限于该示例，并且可以是其他配置方式。
应注意，虽然未在图2中示出，信号线DTLr、扫描线WSL以及电力线DSL连接到子像素11R。类似地，信号线DTLb、扫描线WSL以及电力线DSL连接到子像素11B。此外，信号线DTLg、扫描线WSL以及电力线DSL连接到子像素11G。换言之，与各自的颜色相对应的信号线DTLr、DTLg和DTLb分别连接到子像素11R、11G和11B，而扫描线WSL和电力线DSL中的每一个作为共用线连接到子像素11R、11G和11B。
图3示出了各子像素11R、11G和11B的内部构造（电路构造）的示例。在各子像素11R、11G和11B中，设置了有机EL器件12（发光器件）和像素电路14。
像素电路14使用写入晶体管Tr1（用于采样）、驱动晶体管Tr2以及保持电容元件Cs构成。换言之，该像素电路14具有所谓“2Tr1C”的电路构造。这里，例如，写入晶体管Tr1和驱动晶体管Tr2均由n沟道MOS（金属氧化物半导体）型的TFT（薄膜晶体管）形成。应注意，TFT的类型没有特别限制，例如，可以是反向交错结构（所谓底栅类型），或交错结构（所谓顶栅类型）。
在像素电路14的写入晶体管Tr1中，栅极连接到扫描线WSL，漏极连接到信号线DTL（DTLr、DTLg和DTLb），并且源极连接到驱动晶体管Tr2的栅极和保持电容元件Cs的第一端。驱动晶体管Tr2中，漏极连接到电力线DSL，并且源极连接到保持电容元件Cs的第二端和有机EL器件12的阳极。例如，有机EL器件12的阴极被设定为沿着水平线方向延伸的配线上的固定电位VSS（例如地电位）。
在这里，在本实施方式的各子像素11R、11G以及11B中，其中至少一部分是透光区域（图4B中虚线表示的区域），例如，如图4A和4B所示。具体地，如后面将详细描述的，在各子像素11R、11G和11B内的像素电路14中，驱动器件（写入晶体管Tr1、驱动晶体管Tr2以及保持电容元件Cs）的半导体层和电极层以及配线层中的每一个的至少一部分使用光透射材料（透明材料）构成。例如，这使得子像素11R、11G和11B表现出大约77%的较高开口率。相反，例如，根据图4C中示出的比较例1（现有技术的示例，在如上所述那样的驱动器件中，作为非透明材料的硅（Si）用于半导体层，并且非透明金属用于电极层和配线层）的各子像素101R、101G和101B具有大约36%的低的开口率。换言之，与仅使用非透明材料构成的子像素101R、101G和101B相比，在其至少一部分中使用透明材料构成的子像素11R、11G、和11B中实现了更高的开口率，并且允许后表面侧的可视识别。
图5示意性地示出了显示板10的截面构造示例。显示板10按从显示器1的正面（表面）侧到背面（后表面）侧的顺序包括TFT基板4、像素间绝缘膜51、有机层52、电极层53、平坦化膜54和透射率控制器件15。
TFT基板4按从显示器1的正面侧到背面侧的顺序包括基板41、电极层421和栅电极422与配线层423A、金属层423B、栅绝缘体43、氧化物半导体层44、保护层46、电极层451与配线层452、电极层471与金属层472以及保护层48。通过形成包括上述驱动器件（写入晶体管Tr1、驱动晶体管Tr2以及保持电容元件Cs）的元件，构成TFT基板4。
基板41具有光学透明性，并且例如由玻璃材料或树脂材料制成。应注意，在该基板41上，可以预先设置例如由氧化硅（SiO2）或氮化硅（SiN）制成的缓冲层，以防止来自基板41的污染物进入到驱动器件。
电极层421是保持电容元件Cs的第一电极。这里，栅电极422是写入晶体管Tr1的栅电极。配线层423A形成像素电路14中的配线等。电极层421、栅电极422以及配线层423A均在基板41上形成，并且例如由光透射材料形成，诸如包括ITO、IZO（氧化铟锌）和AZO（氧化铝锌）的透明氧化物半导体以及透明碳。例如，均由这样的材料制成的电极层421、栅电极422以及配线层423A通过溅射形成。
金属层423B被形成为电连接在配线层423A上，并且例如被设置为包括信号线DTL的整个配线的低电阻（配线电阻）。对于金属层423B，例如，可以使用包括配线层423A侧上的金属层（钼（Mo）、钛（Ti）、锰（Mn）等）以及其上的金属层（铝（Al）、铜（Cu）等）的分层结构。
栅绝缘体43被设置为覆盖电极层421、栅电极422、配线层423A以及金属层423B，并且例如由PECVD（等离子增强化学气相沉积）形成的SiO2制成。然而作为其代替，例如，可以使用Si3N4、氧化铝（Al2O3）以及用它们制成的层压膜中的任一种。
氧化物半导体层44例如由诸如In、Ga（镓）、Zn和Sn元素的复合氧化物制成，并且使用例如DC溅射、RF溅射等形成。尤其是，考虑到沉积（sedimentation）率，期望使用DC溅射。
保护层46设置在氧化物半导体层44中包括写入晶体管Tr1等的沟道区上，并且用作沟道保护膜。该保护层46例如由PECVD形成的SiO等制成。
电极层451形成包括保持电容元件Cs中的第二电极、写入晶体管Tr1中的源/漏电极以及有机EL器件12中的阳极电极（像素电极）的电极。配线层452形成像素电路14中的配线等。电极层451和配线层452也例如由光透射材料（诸如上述透明氧化物半导体和透明碳）制成。
在电极层451的写入晶体管Tr1的源/漏区上设置电极层471，并且在配线层452上设置金属层472。电极层471和金属层472中的每一个均被设置为源/漏电极和配线的低电阻，并且例如由Al或Cu制成。
保护层48被设置为覆盖保持电容元件Cs、写入晶体管Tr1、配线等，并且用作所谓钝化膜。例如，保护层48由具有较高的气体遮蔽（gas barrier）性质的材料制成，诸如通过溅射或ALD（原子层沉积）形成的Al2O3、通过溅射或PECVD形成的SiO2和Si3N4以及用它们制成的层压膜。
像素间绝缘膜51被设置为将子像素11R、11G和11B的有机EL器件12彼此隔离，并且由诸如聚酰亚胺和丙烯酸树脂的有机绝缘材料制成。像素间绝缘膜51可以使用旋涂法、狭缝涂布方法、压模涂布方法等形成。
有机层52具有这样的构造，其中，例如，层压了发光层、空穴注入层、空穴传输层、电子注入层以及电子传输层（它们都未示出）。
电极层53形成有机EL器件12中的阴极电极（共用电极），并且被设置为从上面覆盖有机层52和像素间绝缘膜51。该电极层53也例如由光透射材料（诸如上述透明氧化物半导体和透明碳）或由薄的金属层制成的光透射材料制成。应注意，该电极层53、有机层52和电极层451形成有机EL器件12。
平坦化膜54被设置为从上面覆盖电极层53，并且例如由类似于像素间绝缘膜51的材料（诸如聚酰亚胺和丙烯酸树脂的有机绝缘材料）制成。
透射率控制器件15按从显示器1的正面侧到背面侧的顺序包括透明电极151C、EC材料层152C、介电膜153、EC材料层152A以及透明电极151A。通过具有这样的分层结构形成由电致变色（EC）器件构造的透射率控制器件15。
各透明电极151C和151A用作驱动电致变色器件的电极（阴极电极和阳极电极），并且例如由光透射材料（诸如上述透明氧化物半导体和透明碳）制成。应注意，例如，各透明电极151C和151A形成彼此正交的梳状。
EC材料层152C由诸如氧化钨（WO3）、氧化钒（V2O5）和氧化钼（MoO3）的阴极电致变色材料（EC材料）制成，并且可以使用电子束蒸镀技术、溅射等形成。
EC材料层152A由诸如氧化镍（NiO）、氧化铱（IrO）和氧化钴（CoO）的阳极EC材料制成，并且可以使用电子束蒸镀技术、溅射等形成。
介电膜153例如由诸如包括作为金属氧化物的氧化钽（Ta2O5）的介电体以及多孔聚合物的材料制成。
（驱动电路20）
图1中示出的驱动电路20驱动像素阵列部13（显示板10）（即执行显示器驱动）。具体地，驱动电路20通过顺序地选择像素阵列部13中的多个像素11，并且基于图像信号20A将图像信号电压写入所选的像素11中的各子像素11R、11G和11B中，而执行对多个像素11的显示驱动。换言之，驱动电路20基于图像信号20A对各子像素11R、11G和11B执行显示驱动。驱动电路20也具有驱动透射率控制器件15的功能。驱动电路20包括图像信号处理电路21、定时发生电路22、扫描线驱动电路23、信号线驱动电路24、电力线驱动电路25以及控制器件驱动电路26。
图像信号处理电路21对从外部输入的数字形式的图像信号20A执行预定的图像信号处理，并在这样的图像信号处理之后输出图像信号21A至信号线驱动电路24。该预定的图像信号处理的示例包括伽马校正处理以及超速传动（overdrive）处理。
定时发生电路22基于从外部输入的同步信号20B产生并输出控制信号22A，从而控制扫描线驱动电路23、信号线驱动电路24、电力线驱动电路25以及控制器件驱动电路26一起操作。
扫描线驱动电路23通过根据（同步于）控制信号22A顺序地施加选择脉冲到多个扫描线WSL，顺序地选择多个像素11。具体地，通过选择性地输出用于施加以将写入晶体管Tr1设定为导通状态的电压Von，或用于施加以将写入晶体管Tr1设定为截止状态的电压Voff，扫描线驱动电路23产生选择脉冲。这里，电压Von是大于等于写入晶体管Tr1的导通电压的值（恒定值），电压Voff是小于写入晶体管Tr1的导通电压的值（恒定值）。
信号线驱动电路24根据（同步于）控制信号22A产生与从图像信号处理电路21输入的图像信号相对应的模拟图像信号21A，并且施加产生的信号到各信号线DTL（DTLr、DTLg和DTLb）。具体地，信号线驱动电路24将基于图像信号21A的各种颜色的模拟图像信号电压分别地施加于各信号线DTLr、DTLg和DTLb。以这种方式，对扫描线驱动电路23所选择的像素11中的各子像素11R、11G和11B执行图像信号写入。应注意，图像信号写入表示对于保持电容元件Cs的图像信号电压的编程，以及在驱动晶体管Tr2的栅极和源极之间预定电压的施加。
电力线驱动电路25根据（同步于）控制信号22A顺序地将控制脉冲施加于多个电力线DSL，从而控制各像素11中的各子像素11R、11G和11B中的有机EL器件12的发光（照明）操作和非发光（消光）操作。更具体地，电力线驱动电路25调节控制脉冲的宽度（脉冲宽度），从而控制在各像素11中的各子像素11R、11G和11B中发光期间以及非发光期间（消光期间）各自的长度（即执行PWM（脉冲宽度调制）控制）。
控制器件驱动电路26执行后面将描述的在透射率控制器件15中的透明电极151A和151C之间施加驱动电压（驱动电压Vd1等）的驱动操作，从而控制透射率控制器件15的操作（即执行入射光的透射操作和入射光的吸收操作之间的切换控制）。
[显示器1的功能和效果]
（1.基本操作）
在该显示器1中，如图1到图3所示，驱动电路20基于图像信号20A和同步信号20B，对显示板10（像素阵列部13）中的各像素11（各子像素11R、11G和11B）执行显示驱动。因此，如图5所示，驱动电流反馈到各子像素11R、11G和11B中的有机EL器件12，在有机层52中的发光层中发生空穴电子复合，从而引起发光。然后，在各子像素11R、11G和11B中，来自有机层52（发光层）的发射光Lout1作为显示光向着正面侧（基板41侧）输出，并且发射光Lout2向着背面侧（透射率控制器件15侧）输出。以这种方式，在显示板10上执行基于图像信号20A的图像显示。
这里，如图3所示，在各子像素11R、11G和11B中执行图像信号的写入操作。首先，在电压信号线DTL是图像信号电压并且电力线DSL的电压是电压VH（“H（高）”状态下）的期间内，扫描线驱动电路23将扫描线WSL的电压从电压Voff提高到电压Von。这使得写入晶体管Tr1进入导通（ON）状态，从而，驱动晶体管Tr2的栅电位Vg增加到与信号线DTL此时的电压相对应的图像信号电压。因此，图像信号电压被写入到保持电容元件Cs并且被保持。
这里，在该阶段，有机EL器件12的阳极电压，仍然小于有机EL器件12种的阈值电压Vel和阴极电压Vca（=VSS）的总和的电压值（Vel+Vca），有机EL器件12处于截止状态。，在该阶段，电流尚未在有机EL器件12的阳极和阴极之间流动（即有机EL器件12不发光）。因此，从驱动晶体管Tr2供应的电流Id流动到在有机EL器件12的阳极和阴极之间并联地存在的器件电容（未示出），从而该器件电容被充电。
接下来，在信号线DTL的电压和电力线DSL的电压分别维持在图像信号电压和电压VH（“H”状态）的期间内，扫描线驱动电路23将扫描线WSL的电压从电压Von降低到电压Voff。这使得写入晶体管Tr1进入截止（OFF）状态，因此，驱动晶体管Tr2的栅极进入浮置状态。然后，在驱动晶体管Tr2的栅极和源极之间的电压Vgs保持恒定的状态下，电流Id在驱动晶体管Tr2的漏极和源极之间流动。因此，驱动晶体管Tr2的源极电位Vs上升，驱动晶体管Tr2的栅电位Vg也由于通过保持电容元件Cs的电容耦合而上升。这导致有机EL器件12的阳极电压变得大于有机EL器件12中的阈值电压Vel和阴极电压Vca的总和的电压值（Vel+Vca）。因此，与保持电容元件Cs保持的图像信号电压、即驱动晶体管Tr2的栅极和源极之间的电压Vgs相对应的电流Id在有机EL器件12的阳极和阴极之间流动，从而有机EL器件12以所期望的强度发光。
接下来，经过预定的时间之后，驱动电路20终止有机EL器件12的发光期间。具体地，电力线驱动电路25将电力线DSL的电压从电压VH降低到电压VL（即将电压从“H”状态转换到“L（低）”状态）。然后，驱动晶体管Tr2的源极电位Vs下降。这使得有机EL器件12的阳极电压变得比作为有机EL器件12的阈值电压Vel和阴极电压Vca的总和的电压值（Vel+Vca）小，并且电流Id停止在阳极和阴极之间流动。因此，有机EL器件12随后熄灭（转换至消光期间）。以这种方式，根据施加于电力线DSL的控制脉冲的宽度（这里，“H”状态的期间的长度），控制各像素11中的各子像素11R、11G和11B的发光期间的长度。
应注意，然后，驱动电路20对每个帧期间（一个垂直期间，或一个V期间）执行显示驱动以周期地重复发光操作和消光操作。同时，例如，驱动电路20对每个水平期间（1H期间），通过各施加于电力线DSL的控制脉冲和施加于扫描线WSL的选择脉冲执行沿行方向的扫描。这样，在显示器1中执行显示操作（驱动电路20的显示驱动）。
（2.透射率控制器件15的功能）
接下来，将在与比较例（比较例2）进行比较的同时，详细描述本实施方式的显示器1中的特征部分之一的透射率控制器件15的功能。
（比较例2）
首先，与本实施方式不同，在根据图6中示出的比较例2的显示板（显示板200）中不设置透射率控制器件15。具体地，作为透射率控制器件15的代替，在显示板200的平坦化膜54上设置了密封基板202（覆盖玻璃）。
因此，在该比较例2中，在像素201中各子像素11R、11G和11B（有机EL器件12）发光时（图7A）和非发光时（图7B），例如，可视识别状态变成为如图7A和图7B所分别示出的。，首先，在图7A中示出的发光时，发射光（发射光Lout1和Lout2）从各子像素11R、11G和11B输出到表面侧（用户侧）和后表面侧。另一方面，在图7B中示出的非发光时，没有发射光从各子像素11R、11G和11B输出，因此，例如，各子像素11R、11G和11B处于外部光透射状态。
这里，因为各子像素11R、11G和11B通常处于光透射状态，比较例2的缺点在于可视性降低。具体地，例如，在普通显示器的应用中，因为外部光（来自后表面侧的透射光）的存在使得黑色显示器状态不可用，所以即使在图7B示出的非发光时，可视性的改善也被抑制。此外，在AR的应用中，例如，在有大量的光（外部光）的户外应用中，在图7A中示出的发光时的可视性也大大地降低。
（本实施方式的功能）
，如图1和图5所示，在本实施方式的显示板10中设置了能够控制入射光的透射率的透射率控制器件15。如下面将要详细描述的，这实现了适于具有透光区域的像素11中的有机EL器件12中的发光状态（发光时或非发光时）的光透射率的控制。
首先，如图8A所示，在该透射率控制器件15中，当在透明电极151A和151C之间不施加驱动电压Vd1时，各EC材料层152A和152C表现出光学透明性。，透射率控制器件15总体上表现出光学透明性，并且使得包括从有机EL器件12输出到背面侧的发射光Lout2和外部光的光能够从其中通过（处于透明（光透射）状态）。
另一方面，如图8B所示，当在透明电极151A和151C之间施加驱动电压Vd1时，各EC材料层152A和152C被着色并且不表现光学透明性。，透射率控制器件15总体上不表现出光学透明性，并且使得包括发射光Lout2和外部光的光不能从其中通过（处于着色（光吸收）状态）。
以这种方式，使得透射率控制器件15能够根据驱动电压Vd1的施加的存在与否在入射光（包括发射光Lout2和外部光的光）的透射操作和入射光的吸收操作之间切换操作。这样，在本实施方式中，在有机EL器件12的发光和非发光的各个时候，执行如上所述的透射操作和吸收操作之间的切换控制。
因此，在本实施方式中，在各像素11中的各子像素11R、11G和11B（有机EL器件12）发光和非发光的各个时候，例如，各自的可视识别状态根据透射率控制器件15中的光透射状态和光吸收状态的组合而成为图9A到图9D中示出的那样。
具体地，首先，如图9A所示，当在有机EL器件12发光时透射率控制器件15处于光透射状态时，可视识别状态处于类似于比较例2中图7A的状态。，各子像素11R、11G和11B的发射光（发射光Lout1和Lout2）输出到显示器1的表面侧和后表面侧。
此外，如图9B所示，当在有机EL器件12非发光时透射率控制器件15处于光透射状态时，可视识别状态处于类似于比较例2中图7B的状态。，例如，因为没有发射光从各子像素11R、11G和11B输出，因此实现了外部光透射状态。
另一方面，如图9C所示，当在有机EL器件12非发光时透射率控制器件15处于光吸收状态时，可视识别状态成为如下。即，虽然如图9B中的状态那样没有从各子像素11R、11G和11B输出发射光，但是因为透射率控制器件15处于光吸收状态，所以使得包括外部光的光不能从其中通过。因此，如图9C所示，实现了黑色显示状态，并且例如与图7B和图9B中各状态相比，在普通显示器的应用中可视性得以改善。
此外，如图9D所示，当在有机EL器件12发光时透射率控制器件15处于光吸收状态时，可视识别状态成为如下。即，虽然如图9A中的状态那样，各子像素11R、11G和11B的发射光输出到表面侧和后表面侧，但是因为透射率控制器件15处于光吸收状态，所以使得包括发射光Lout2和外部光的光不能从其中通过（背面侧变黑）。因此，如图9D所示，例如，与图7A和图9A中的各状态相比，即使在外部光在用于AR的应用中强烈的情况下可视性也得以改善。
在本实施方式中，如上所述设置了能够控制入射光的透射率的透射率控制器件15。这样，控制光透射率以适于在具有透光区域的像素11中的有机EL器件12中的发光状态。因此，具有分别具有透光区域的像素11的显示器1中的可视性得以增强（例如，增强了显示信息的可视性，而确保了后表面侧的可视性）。因此，例如，在该显示器1用作用于AR的显示器时，临场感得以改善。
此外，因为透射率控制器件15被设置为像素阵列部13中的所有像素11所共用的仅一个器件，所以简化了显示板10和控制器件驱动电路26（用于驱动的配线等）的构造。
接下来，将描述本发明的其他实施方式（第二实施方式和第三实施方式）。应注意，将对与第一实施方式中相同的元件提供以与第一实施方式中同样的符号，并且将适当地省略其描述。
[第二实施方式]
[显示板10A的构造]
图10示意性地示出了根据第二实施方式的显示板（显示板10A）的截面构造示例。通过设置透射率控制器件15A以代替第一实施方式的显示板10的透射率控制器件15，其他的则类似于第一实施方式的构造，从而构造了本实施方式的显示板10A。
透射率控制器件15A按从显示器1的正面侧到背面侧的顺序包括透明电极151C、EC材料层152C、介电膜153、缓冲层154、催化（catalytic）层155以及调光镜（dimming mirror）层156。，该透射率控制器件15A具有这样的构造，其中，设置缓冲层154、催化层155以及调光镜层156以替换透射率控制器件15中的EC材料层152A和透明电极151A。
通过具有这样的构造，如后面将要描述的，本实施方式的透射率控制器件15A用作不同于透射率控制器件15的、能够在入射光的透射操作和入射光的反射操作之间切换操作的电致变色器件。，在有机EL器件12发光和非发光的各个时候，该透射率控制器件15A能够在透射操作和反射操作之间切换操作。
在这里，缓冲层154例如由Al制成。催化层155例如由钯（Pa）制成。调光镜层156例如由镁镍（Mg-Ni）合金制成，并被用作透明电极151C的相对电极（阴极电极）。因此，调光镜层156和透明电极151C各自形成为例如彼此正交的梳状。
[显示板10A的功能和效果]
在该透射率控制器件15A中，如图11A所示，当在透明电极151C和调光镜层156之间通过控制器件驱动电路26施加驱动电压Vd2时，调光镜层156表现出光学透明性。，透射率控制器件15A总体上表现出光学透明性，并且使得包括从有机EL器件12向背面侧输出的发射光Lout2和外部光的光能够从其中通过（透明（光透射）状态）。
另一方面，如图11B所示，当在透明电极151C和调光镜层156之间不施加驱动电压Vd2时，调光镜层156表现出光反射性（不表现出光学透明性）。，透射率控制器件15A总体上表现出光反射性（不表现出光学透明性），使得包括发射光Lout2和外部光的光被反射到显示器1的正面侧，从而阻止光从其中通过到后表面侧（镜子（光反射）状态）。
以这种方式，使得透射率控制器件15A能够根据驱动电压Vd2的施加的存在与否在入射光（包括发射光Lout2和外部光的光）的透射操作和入射光的反射操作之间切换操作。因此在本实施方式中，在有机EL器件12的各发光和非发光的各个时候，执行透射操作和反射操作之间的切换控制。
在本实施方式中，在像素11A中的各像素11R、11G和11B（有机EL器件12）中的发光时和非发光时，各自的可视识别状态根据上述透射率控制器件15A中的光透射状态和光反射状态的组合成为例如图12A到图12D中示出的那样。
具体地，首先，如图12A所示，当在有机EL器件12发光时透射率控制器件15A处于光透射状态时，可视识别状态类似于第一实施方式的图9A的状态。，各子像素11R、11G和11B的发射光（发射光Lout1和Lout2）输出到显示器1的表面侧和后表面侧。
此外，如图12B所示，当在有机EL器件12非发光时透射率控制器件15A处于光透射状态时，可视识别状态类似于图9B中的状态。，例如，因为没有从各子像素11R、11G和11B输出发射光，所以实现了外部光透射状态。
另一方面，如图12C所示，当在有机EL器件12非发光时透射率控制器件15A处于光反射状态时，可视识别状态成为如下。即，虽然如图12B中的状态那样发射光不从各子像素11R、11G和11B输出，但是因为透射率控制器件15A处于光反射状态，所以使得包括外部光的光不能够从其中通过。同时，因为透射率控制器件15A处于光反射状态，所以来自正面侧的入射光（外部光）被反射到正面侧。
此外，如图12D所示，当在有机EL器件12发光时透射率控制器件15A处于光反射状态时，可视识别状态成为如下。即，虽然如图12A中的状态那样各子像素11R、11G和11B的发射光输出到表面侧和后表面侧，但是因为透射率控制器件15A处于光反射状态，所以朝向后表面侧的发射光Lout2被反射到正面侧，从而导致发射强度的增加。同时，虽然来自正面侧的外部光被反射，但是因为增加了发射强度，所以可视性得以改善。因此，如图12D所示，例如，与图7A和图12A的各情况相比，即使在外部光在用于AR的应用中是强烈的情况下，可视性也得以改善。
在本实施方式中，因为设置了透射率控制器件15A，所以如同在第一实施方式中那样，在具有均具有透光区域的像素11的显示器1中的可视性得以增强（例如，在黑暗的环境中实现了光反射状态，从而包括朝向后表面侧的发射光Lout的光在前表面侧上被提取，这就改善了可视性）。因此，例如，在该显示器1用作用于AR的显示器时，临场感得以改善。
[第三实施方式]
[显示板10B的构造]
图13示意性地示出了根据第三实施方式的显示板（显示板10B）的截面构造示例。通过设置密封基板55和透射率控制器件16以代替第一实施方式的显示板10的透射率控制器件15，其他的则类似于第一实施方式的构造，而构成了本实施方式的显示板10B。
透射率控制器件16按从显示器1的正面侧到背面侧的顺序包括透明电极161A、疏水绝缘膜162与隔壁（partition）165、非极性液体163、极性液体164以及透明电极161B。
通过具有这样的构造，如后面将要描述的，本实施方式的透射率控制器件16用作不同于透射率控制器件15和15A的、能够在入射光的透射操作和入射光的吸收操作之间切换操作的电润湿器件。，在有机EL器件12发光和非发光的各个时候，该透射率控制器件16能够在透射操作和吸收操作之间切换操作。
透明电极161A和161B各自用作电润湿器件的驱动电极，并且例如由光透射材料（诸如上述透明氧化物半导体和透明碳）制成。应注意，透明电极161A和161B各自形成例如彼此正交的梳状。
隔壁165是被设置为将各子像素11R、11G和11B中的疏水绝缘膜162、非极性液体163以及极性液体164分离的壁部。165例如由诸如聚酰亚胺和丙烯酸树脂的有机绝缘材料制成。
疏水绝缘膜162由对极性液体164表现出疏水性（抗水性）（严格意义上，在没有电场的情况下，对非极性液体163表现出亲和性）的材料制成，并且在电绝缘方面具有优越的性能。材料的具体示例包括氟类的聚合物聚偏二氟乙烯（PVdF）和聚四氟乙烯（PTFE），以及硅树脂。
非极性液体163是几乎不具有极性、表现出电绝缘的液体材料，并且表现出非透明性（不表现出光学透明性）。除诸如癸烷、十二烷、十六烷以及十一烷的烃类的材料之外，适合于非极性液体163的示例还包括着色油（硅油等）。
极性液体164是具有极性的液体材料，并且表现出透明性（光学透明性）。适合于极性液体164的示例包括水，以及溶解了诸如氯化钾和氯化钠的电解质的溶液。这里，当将电压施加至极性液体164时，与非极性液体163相比，对疏水绝缘膜162（隔壁165的内表面）的可润湿性（极性液体164与内表面之间的接触角）大大地改变。
密封基板55是被设置为密封整个显示板10B的基板（覆盖玻璃等），并且由透明基板制成。
[显示板10B的功能和效果]
如图14所示，在该透射率控制器件16中，当在透明电极161A和161B之间不施加驱动电压Vd3时，非极性液体163与极性液体164之间的界面是平坦的。，在各子像素11R、11G和11B的全部上设置表现出非透明性的非极性液体163。因此，透射率控制器件16总体上不表现出光学透明性，使得包括发射光Lout2和外部光的光不能够从其中通过（着色（光吸收）状态）。
另一方面，如图15所示，当在透明电极161A和161B之间施加驱动电压Vd3时，与如上所述的非极性液体163相比，极性液体164的可润湿性大大地改变，并且非极性液体163与极性液体164之间的界面形成向背面侧凸起的形状。，仅仅在各子像素11R、11G和11B的一部分上设置表现出非透明性的非极性液体163（参见图15中虚线表示的箭头）。因此，透射率控制器件16总体上表现出光学透明性，并且包括发射光Lout2和外部光的光能够从其中通过（透明（光透射）状态）。
以这种方式，透射率控制器件16能够根据驱动电压Vd3的施加的存在与否在入射光（光包括发射光Lout2和外部光）的透射操作和入射光的吸收操作之间切换操作。因此在本实施方式中，在有机EL器件12的发光和非发光的各个时候，执行透射操作和吸收操作之间的切换控制。
因此，在本实施方式中，在像素11中的各子像素11R、11G和11B（有机EL器件12）发光时和非发光时，根据在上述透射率控制器件16中光透射状态和光吸收状态的组合，例如，各自的可视识别状态成为类似于第一实施方式中图9A到图9D中示出的那样。
因此，在本实施方式中也获得了与第一实施方式的类似功能所得到的类似效果。，具有均具有透光区域的像素的显示器1中的可视性得以增强（例如，增强了显示信息的可视性，同时确保了后表面侧的可视性）。因此，例如，在该显示器1用作用于AR的显示器时，临场感得以改善。
此外，在本实施方式中，透射率控制器件16使用电润湿器件构成，因此响应速度变得较高。
应注意，虽然对于能够在入射光的透射操作和入射光的吸收操作之间切换操作的电润湿器件用作透射率控制器件16的情况描述了本实施方式，但是其并不局限于此。可选地，例如，可以使用能够在入射光的透射操作和入射光的反射操作之间切换操作的电润湿器件作为透射率控制器件。
[变形例]
接下来，将描述为第一至第三实施方式所共用的变形例（变形例1到变形例4）。应注意，将对各实施方式中相同的元件提供与各实施方式同样的符号，并且适当地省略描述。
[变形例1]
图16A示出了根据变形例1的各子像素（子像素11R、11G和11B）的内部构造示例（电路构成示例），以及透光率控制器件15（或透光率控制器件15A或16）。在本变形例中，不同于各实施方式，透光率控制器件15设置为对于每多个像素11设置一个。这里，特别地，为每个水平线都设置透光率控制器件15。
具体地，这里，在透射率控制器件15和有机EL器件12之间，形成其所共用的至少一个电极（这里，形成阴极电极的固定电位线VSS）。然而，在对每个水平线都设置透射率控制器件15时，透射率控制器件15和有机EL器件12之间的电极可以不设置为共用电极。应注意，图中的DL表示透射率控制器件15的驱动配线。
在本变形例中，例如，如图17A所示，根据在AR用途中的应用，这样的构造使得在显示板10、10A或10B中形成了对于每个水平线的透明区域（透光区域）10-1和非透明区域（非透光区域）10-2。此外，使用阴极配线作为透射率控制器件15的电极减少了配线数，从而简化驱动电路。应注意，例如，可以对每个垂直线而不是每个水平线设置透射率控制器件15。
[变形例2]
图16B示出了根据变形例2的各子像素（子像素11R、11G和11B）的内部构造示例（电路构造示例），以及透射率控制器件15。在本变形例中，不同于各实施方式和变形例1，对每个子像素（像素）都设置透射率控制器件15。
具体地，这里，在透射率控制器件15和有机EL器件12之间，形成其所共用的至少一个电极（这里，形成阴极电极的固定电位线VSS）。然而，在对每个子像素都设置透射率控制器件15时，透射率控制器件15和有机EL器件12之间的电极可以不设置为共用电极。此外，这里，晶体管（选择晶体管）Tr3和扫描线WSL2被设置为对各子像素11R、11G和11B选择性地驱动透射率控制器件15。此外，保持电容元件Cs2被设置为保持透射率控制器件15的两端之间的电位。应注意，图16B中的VSS 1和VSS2均是固定电位线。
因此，例如如图17B所示，在本变形例中，例如根据AR用途中的应用，透明区域10-1和非透明区域10-2通过显示板10、10A或10B中的子像素（像素）实现。具体地，例如，能够显示增强的字符轮廓区域。此外，通过使用阴极配线作为与透射率控制器件15共用的电极而减少了配线数，从而简化了驱动电路。
[变形例3和变形例4]
图18A和图18B分别是示意性地示出了分别根据变形例3和变形例4的各像素（像素11-1和11-2）的内部构造（子像素构造）示例的平面图。在变形例3和变形例4各自的各像素11-1和11-2中，不同于实施方式的像素11和像素11A，透射率控制器件15与子像素11R、11G和11B并排地设置。
具体地，在图18A中示出的变形例3的像素11-1中，在各像素11-1中，三个子像素11R、11G和11B和透射率控制器件15被设置为矩阵（2×2行列状）。
在图18B示出的变形例4的像素11-2中，三个子像素11R、11G和11B和透射率控制器件15在各像素11-2中沿着水平线方向排列。
应注意，子像素11R、11G和11B和透射率控制器件15能够共用部分电极，并且使用喷墨印刷、柔性版（flexographic）印刷等形成。
在这些变形例3和变形例4中，例如，如图19A至图19D示出的变形例3所表示的，上述的构造使得能够获得在像素11-1和11-2的发光和非发光的各个时候的可视识别状态。，在像素11-1中的各子像素11R、11G和11B（有机EL器件12）发光和非发光的各个时候，根据透射率控制器件15中光透射状态和光吸收状态（或光反射状态）的组合，实现了类似于实施方式中的那些可视识别状态。
因此，在变形例3和变形例4中也获得了通过与实施方式类似的功能得到的类似效果。，在具有均具有透光区域的像素的显示器1中的可视性得以增强。因此，例如，在该显示器1用作用于AR的显示器时，临场感得以改善。
[模块和应用例]
参考图20到图25G，各实施方式和变形例中的显示器1的应用例将描述如下。各实施方式和变形例中的显示器1可以应用于所有领域的电子单元，其将外部输入的图像信号或内部产生的图像信号显示为静态或运动图像。电子单元包括电视接收器、数码相机、笔记本计算机、诸如移动电话的便携式终端、视频摄像机等。
（模块）
例如，显示器1作为图20中示出的模块被集成到诸如后面将描述的应用例1到应用例5的各种电子单元中。该模块例如通过设置在基板31的一边从密封基板32露出的区域210而形成。在该露出区域210中，外部连接端子（未示出）由驱动电路20的延伸配线形成。该外部连接端子可设置有柔性印刷电路（FPC）220以用于信号的输入和输出。
（应用例1）
图21示出了应用显示器1的电视接收器的外观。例如，该电视接收器具有包括前面板310和滤光玻璃320的图像显示屏幕部300。图像显示屏幕部300使用显示器1构成。
（应用例2）
图22A和图22B分别示出了应用显示器1的数码相机的外观。例如，该数码相机包括闪光发光部410、显示部420、菜单开关430以及快门按钮440。显示部420使用显示器1构成。
（应用例3）
图23示出了应用显示器1的笔记本计算机的外观。例如，该笔记本计算机包括主体部510、用于输入字符等的键盘520、以及显示图像的显示部530。显示部530使用显示器1构成。
（应用例4）
图24示出了应用显示器1的视频摄像机的外观。例如，该视频摄像机包括主体部610、在主体610的正面上设置的用于拍摄目标图像的镜头620、拍摄开始/停止开关630以及显示部640。显示部640使用显示器1构成。
（应用例5）
图25A到图25G示出了应用显示器1的移动电话的外观。例如，该移动电话是这样一个单元，其中上壳体710和下壳体720通过连接部（铰接部）730连接，并且包括显示器740、副显示器750、图片灯760和相机770。显示器740或副显示器750使用显示器1构成。
虽然本发明的技术已经参考实施方式、变形例和应用例进行了描述，但是其并不局限于这些实施方式、变形例和应用例，并且可以进行各种变形。
例如，在实施方式、变形例和应用例中，虽然已经参考将电致变色器件或电润湿器件用作透射率控制器件的示例的情况进行了描述，但是其并不局限于此。透射率控制器件可以使用其他类型的器件构成。此外，在实施方式、变形例和应用例中，将有机EL器件用作发光器件的示例，但是也可以使用除有机EL器件以外的发光器件（例如无机EL器件、LED（发光二极管）等）。
此外，在实施方式、变形例和应用例中，虽然已经以所谓底发光类型的显示板为例进行了描述，但是其并不限于此。显示板可以是所谓顶发光类型。
此外，在实施方式、变形例和应用例中，虽然已经参考以透射率控制器件的两个阶段（透射或非透射）控制（在其之间切换）光透射率的情况进行了描述，但是其并不限于此。可以以多个阶段控制（在其之间切换）光透射率。
此外，在实施方式、变形例和应用例中，已经参考显示器1为有源矩阵类型的情况进行了描述。然而，被设置用于有源矩阵驱动的像素电路14的构造并不局限于实施方式、变形例和应用例所描述的。，像素电路14的构造不局限于实施方式、变形例和应用例的描述所用的“2Tr1C”电路构造。例如，根据需要，电容元件、晶体管等可以添加到像素电路14，或设置为替代。在该情况下，可以根据像素电路14的改变增加除扫描线驱动电路23、信号线驱动电路24以及电力线驱动电路25之外的所需的驱动电路。
此外，在实施方式、变形例和应用例中，已经参考定时发生电路22控制扫描线驱动电路23、信号线驱动电路24、电力线驱动电路25以及控制器件驱动电路26中的驱动操作的情况进行了描述。然而，可以通过其他电路控制这些电路的驱动操作。此外，扫描线驱动电路23、信号线驱动电路24、电力线驱动电路25以及控制器件驱动电路26的控制可以通过硬件（电路）或软件（程序）执行。
此外，在实施方式、变形例和应用例中，虽然已经参考写入晶体管Tr1、驱动晶体管Tr2等均由n沟道晶体管（例如n沟道MOS类型的TFT）形成的情况进行了描述，但是其并不限于此。，写入晶体管Tr1、驱动晶体管Tr2等均可以由p沟道晶体管（例如p沟道MOS类型的TFT）形成。
本技术可以由如下构成。
（1）一种显示器，包括：
多个像素，每个都包括发光器件，并且在其至少一部分中具有透光区域；以及
一个或多个透射率控制器件，能够控制入射光的透射率。
（2）根据（1）所述的显示器，其中，透射率控制器件能够进行入射光的透射操作与入射光的吸收操作或反射操作之间的切换操作。
（3）根据（2）所述的显示器，其中，透射率控制器件能够在发光器件发光时和非发光时的各个时候进行透射操作与吸收操作或反射操作之间的切换操作。
（4）根据（1）至（3）中的任一项所述的显示器，其中，一个或多个透射率控制器件被设置为面向发光器件。
（5）根据（1）至（3）中的任一项所述的显示器，其中，一个或多个透射率控制器件与发光器件并排地设置。
（6）根据（1）至（5）中的任一项所述的显示器，其中，对每多个像素设置透射率控制器件。
（7）根据（6）所述的显示器，其中，透射率控制器件被设置为被所有像素所共用。
（8）根据（6）所述的显示器，其中，对每个水平线或每个垂直线设置透射率控制器件。
（9）根据（1）至（5）中的任一项所述的显示器，其中，对各像素设置透射率控制器件。
（10）根据（1）至（9）中的任一项所述的显示器，其中，一个或多个电极在透射率控制器件和发光器件之间共用。
（11）根据（1）至（10）中的任一项所述的显示器，其中，透射率控制器件是电致变色器件或电润湿器件。
（12）根据（1）至（11）中的任一项所述的显示器，其中，
像素各自包括像素电路，像素电路包括发光器件和驱动器件，以及
在像素电路中，驱动器件的半导体层和电极层以及配线层的至少一部分被配置为使用光透射材料构造。
（13）根据（1）至（12）中的任一项所述的显示器，其中，发光器件是有机EL器件。
（14）一种电子单元，包括显示器，显示器包括：
多个像素，每个都包括发光器件，并且在其至少一部分中具有透光区域；以及
一个或多个透射率控制器件，能够控制入射光的透射率。
本发明包括于2011年6月21日向日本专利局提交的日本在先专利申请JP2011-136929中公开的相关主题，将其全部内容被结合于此作为参考。
本领域的技术人员应当理解，根据设计要求和其他因素，可以进行各种修改、组合、子组合和变形，均应包含在所附权利要求或其等同物的范围之内。

Claims (10)

1.一种显示器，包括：
多个像素，每个都包括发光器件，并且在其至少一部分中具有透光区域；以及
一个或多个透射率控制器件，位于所述显示器的后表面侧，所述一个或多个透射率控制器件能够控制外部光以及来自所述发光器件的发射光的透射率，
其中，在所述一个或多个透射率控制器件处于入射光的吸收操作或入射光的反射操作时，所述一个或多个透射率控制器件阻止所述外部光以及所述发射光通过所述一个或多个透射率控制器件，
其中，在所述一个或多个透射率控制器件处于入射光的透射操作时，所述一个或多个透射率控制器件使所述外部光以及所述发射光通过，并且
对各子像素设置所述透射率控制器件。
2.根据权利要求1所述的显示器，其中，所述透射率控制器件能够进行入射光的透射操作与入射光的吸收操作或反射操作之间的切换操作。
3.根据权利要求2所述的显示器，其中，所述透射率控制器件能够在所述发光器件发光时和非发光时的各个时候进行所述透射操作与所述吸收操作或所述反射操作之间的切换操作。
4.根据权利要求1所述的显示器，其中，所述一个或多个透射率控制器件被设置为面向所述发光器件。
5.一种显示器，包括：
多个像素，每个都包括发光器件，并且在其至少一部分中具有透光区域；以及
一个或多个透射率控制器件，所述一个或多个透射率控制器件能够控制外部光以及来自所述发光器件的发射光的透射率，
其中，在所述一个或多个透射率控制器件处于入射光的吸收操作或入射光的反射操作时，所述一个或多个透射率控制器件阻止所述外部光以及所述发射光通过所述一个或多个透射率控制器件，
其中，在所述一个或多个透射率控制器件处于入射光的透射操作时，所述一个或多个透射率控制器件使所述外部光以及所述发射光通过，并且
其中，所述一个或多个透射率控制器件与所述发光器件并排地设置。
6.根据权利要求1所述的显示器，其中，一个或多个电极在所述透射率控制器件和所述发光器件之间共用。
7.根据权利要求1所述的显示器，其中，所述透射率控制器件是电致变色器件或电润湿器件。
8.根据权利要求1所述的显示器，其中，
所述像素各自包括像素电路，所述像素电路包括所述发光器件和驱动器件，以及
在所述像素电路中，所述驱动器件的半导体层和电极层以及配线层的至少一部分被配置为使用光透射材料构造。
9.根据权利要求1所述的显示器，其中，所述发光器件是有机EL器件。
10.一种电子单元，包括显示器，所述显示器包括：
多个像素，每个都包括发光器件，并且在其至少一部分中具有透光区域；以及
一个或多个透射率控制器件，位于所述显示器的后表面侧，所述一个或多个透射率控制器件能够控制外部光以及来自所述发光器件的发射光的透射率，
其中，在所述一个或多个透射率控制器件处于入射光的吸收操作或入射光的反射操作时，所述一个或多个透射率控制器件阻止所述外部光以及所述发射光通过所述一个或多个透射率控制器件，
其中，在所述一个或多个透射率控制器件处于入射光的透射操作时，所述一个或多个透射率控制器件使所述外部光以及所述发射光通过，并且
对各子像素设置所述透射率控制器件。
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