CN102807391A - 多孔碳化硅陶瓷的制备方法 - Google Patents

多孔碳化硅陶瓷的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102807391A
CN102807391A CN2012103123432A CN201210312343A CN102807391A CN 102807391 A CN102807391 A CN 102807391A CN 2012103123432 A CN2012103123432 A CN 2012103123432A CN 201210312343 A CN201210312343 A CN 201210312343A CN 102807391 A CN102807391 A CN 102807391A
Authority
CN
China
Prior art keywords
silicon carbide
porous silicon
ceramic
hours
gel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2012103123432A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102807391B (zh
Inventor
叶枫
刘强
侯赵平
刘仕超
张海礁
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Harbin Institute of Technology
Original Assignee
Harbin Institute of Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Harbin Institute of Technology filed Critical Harbin Institute of Technology
Priority to CN 201210312343 priority Critical patent/CN102807391B/zh
Publication of CN102807391A publication Critical patent/CN102807391A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102807391B publication Critical patent/CN102807391B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Ceramic Products (AREA)

Abstract

多孔碳化硅陶瓷的制备方法,它涉及一种碳化硅陶瓷的制备方法。本发明为了解决现有方法制备的多孔碳化硅陶瓷力学性能低、孔隙率低的技术问题。本方法如下:一、制备浆料;二、制备多孔陶瓷生坯;三、制备预制体;四、制备碳凝胶;五、制备多孔碳化硅与碳凝胶的复合材料;六、制备多孔碳化硅和炭气凝胶的复合材料;七、将多孔碳化硅和炭气凝胶的复合材料与单质硅粉放入烧结炉中烧结,即得多孔碳化硅陶瓷。本发明制备的多孔碳化硅开口孔隙率为30~83%、孔径尺寸为0.3~100m,孔隙可以实现均匀分布或定向排列。通过三点弯曲试验测试,最终制得的孔隙率为47.8%的多孔碳化硅陶瓷材料的抗弯强度达164.62MPa。

Description

多孔碳化硅陶瓷的制备方法
技术领域
本发明涉及一种碳化硅陶瓷的制备方法。
背景技术
多孔碳化硅陶瓷由于具有低密度、耐高温、耐腐蚀、高渗透率以及抗氧化、抗热震性能好等优点,使其在高温气体过滤器材料、催化剂载体、气体燃烧室介质和耐火材料方面具有广泛的应用前景。目前,已经较多应用的多孔陶瓷多为氧化物陶瓷,但其存在高温性能不佳、耐腐蚀性能不足等缺点,而多孔碳化硅陶瓷正好能够弥补这些不足;此外,许多特殊领域对多孔陶瓷材料的性能提出了更高的要求,碳化硅材料本身的优点使其成为制备多孔陶瓷的理想材料之一,如在核能领域中用于高温气冷堆中过滤放射性废液和含石墨颗粒的高温氦气。因此,关于多孔碳化硅陶瓷的制备成为目前研究的热点之一。
目前,制备多孔碳化硅陶瓷的方法主要有:直接颗粒堆积形成孔隙,添加有机物造孔剂、发泡剂,或者采用木材、高固碳含量的树脂经高温裂解形成多孔坯体、有机泡沫塑料作为模板,或者选用聚碳硅烷作为前躯体等。现有的制备多孔碳化硅陶瓷材料方法,有的工艺较为简单,但孔隙尺寸及孔隙率不能有效进行控制,较难制备孔隙率高于80%以及孔隙定向排列的多孔陶瓷;有的工艺需在制备过程中排除有机物以形成孔隙结构,虽然孔隙率及孔径在一定范围内可控,但同样难于制备高孔隙率的多孔碳化硅陶瓷,此外,有机物的排除对环境不友好;利用聚碳硅烷作为前躯体能够在较低温度下制备多孔碳化硅陶瓷,但制备成本很高。另一方面,上述制备方法难以实现复杂形状的多孔碳化硅陶瓷的制备,若要制备形状复杂的零件,需要进行较大的后续机械加工,大大增加了生产成本。此外,由于碳化硅的烧结性能差,现有的方法制备的多孔碳化硅陶瓷的力学性能较低,在制成的成品中气孔率达到50%时,强度往往低于40MPa,严重限制了多孔碳化硅陶瓷的应用。鉴于此,改进制备多孔碳化硅陶瓷的方法,使之能够有效控制孔隙尺寸及孔隙率,并且能够制备出复杂形状、高性能的多孔碳化硅陶瓷,显得尤为必要。
反应烧结法制备碳化硅是指通过单质碳和硅在高温下发生反应生成碳化硅将已有的碳化硅颗粒连接起来得到碳化硅块体材料的方法,该工艺能够实现在较低温度下烧结碳化硅材料,然而,一般情况下单质碳或硅在反应结束后会有残留,严重影响所制备的材料性能。因此,改进反应烧结工艺,保留其低温可以实现烧结的优点、实现反应完全、无任何单质碳或硅的残留,将会促使该工艺获得更大的应用前景。
发明内容
本发明为了解决现有方法制备的多孔碳化硅陶瓷力学性能低、孔隙率低的技术问题,提供了一种多孔碳化硅陶瓷的制备方法。
多孔碳化硅陶瓷的制备方法按照以下方法进行:
一、将5~60质量份原料与40~95质量份去离子水混合,然后加入分散剂、粘结剂和消泡剂,再加入碳化硅球进行球磨24小时,得到浆料;
所述的原料为碳化硅粉体或者碳化硅粉体与烧结助剂组成的混合物,碳化硅粉体与烧结助剂组成的混合物中烧结助剂的质量分数为1~10%,其中碳化硅粉体与分散剂的质量比为1∶0.001~0.03,碳化硅粉体与粘结剂的质量比为1∶0.005~0.03,碳化硅粉体与消泡剂的质量比为1∶0.001~0.01;
步骤一中所述的烧结助剂为Al2O3、Y2O3及BaAl2Si2O8中的一种或其中几种的组合;
步骤一中所述的分散剂为四甲基氢氧化铵(TMAH)或柠檬酸铵;
步骤一中所述的粘结剂为聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯醇缩丁醛(PVB)或明胶;
步骤一中所述的消泡剂为正丁醇;
二、将浆料倒入模具中浇注成型,再脱气10分钟,得到样品,将样品在-196℃~-10℃凝固3~60分钟,然后在温度为-10℃~40℃、压力为1~100Pa的条件下冷冻干燥1~4天,即得多孔陶瓷生坯;
三、将多孔陶瓷生坯放置于无压烧结炉中,在真空度为1×10-3Pa~1×10-2Pa、升温速率为1℃/min~2℃/min的条件下加热到600℃并保温0.5~4小时,向无压烧结炉中充入高纯氮气或高纯氩气,然后以5~10℃/min的升温速率升温至1500~1800℃并保温0.5~4小时,随炉冷却,即得预制体;
四、将间苯二酚与甲醛按照0.3~3∶1的摩尔比溶于去离子水中,得到间苯二酚和甲醛总质量分数为20~60%的碳溶胶,按照间苯二酚与催化剂的摩尔比为200~1200∶1的比例加入催化剂,在室温下磁力搅拌10~30分钟,得混合物,将步骤三所得的预制体浸入混合物中10分钟~1小时,采用真空除泡10分钟,然后将真空除泡后的预制体密封后放入40~50℃的水浴锅中进行凝胶1天,然后再在80~90℃的水浴锅中反应3~5天,得到碳凝胶;
所述的催化剂为Na2CO3、NaHCO3、Ca(OH)2或MgCO3
五、按照将碳凝胶放置于丙酮中1~5小时再取出的顺序反复操作48小时,然后使碳凝胶在常压下完全干燥,得到多孔碳化硅与碳凝胶的复合材料;
六、将多孔碳化硅与碳凝胶的复合材料置于烧结炉中,在氮气或氩气保护的条件下,以1℃/min~5℃/min的升温速率升温到800~1000℃并保温2~4小时,得到多孔碳化硅和炭气凝胶的复合材料;
七、将多孔碳化硅和炭气凝胶的复合材料与单质硅粉按照1∶1~5的质量比放置于石墨坩埚中,然后将石墨坩埚放入烧结炉中,通入氩气或者氮气至烧结炉内压强为0.04~0.08MPa,以5~20℃/min的升温速率升温到1500~1700℃并保温2~4小时,然后随炉冷却,即得多孔碳化硅陶瓷。
本发明制备的多孔碳化硅陶瓷可以通过调节冷冻浇注过程中的浆料固相含量来实现材料气孔率的变化,随着浆料固相含量的增高,气孔率下降;同时可以通过不同的凝固方式及凝固速率得到不同孔结构的多孔陶瓷。本发明制备的多孔碳化硅开口孔隙率为30~83%、孔径尺寸为0.3~100m,孔隙可以实现均匀分布或定向排列。通过三点弯曲试验测试,最终制得的孔隙率为47.8%的多孔碳化硅陶瓷材料的抗弯强度达164.62MPa。
本发明方法具有以下优点:
(1)使用冷冻浇注工艺便于制备高孔隙率、孔径可控的多孔碳化硅陶瓷的坯体,采用水基浆料对环境友好。
(2)本方法可以大幅提高多孔碳化硅陶瓷材料的强度性能(抗弯强度高达164MPa),使得其能广泛应用于工业生产中。此外,通过本发明制备的多孔碳化硅材料能够实现近净成型(线性收缩率<1%)、制备复杂形状的多孔碳化硅产品,并节约成本。
(3)由于最终多孔碳化硅材料的物相组成为纯碳化硅或者碳化硅及少量的烧结助剂(质量分数<5%),因此能够将碳化硅的优异性能充分发挥出来,具有较低的热膨胀系数、良好的高温性能、耐热冲击、抗氧化、耐酸碱腐蚀及耐摩擦性能。
(4)本发明中烧结温度低,降低了设备要求,节约了能源。由于采用无压烧结,适合于大批量生产。
附图说明
图1是实验五制备的多孔碳化硅陶瓷的SEM显微结构照片;
图2是实验六中多孔碳化硅中形成炭气凝胶的SEM显微组织照片;
图3是实验六中得到的多孔碳化硅和炭气凝胶的复合材料的XRD衍射图谱;
图4是实验六制备的多孔碳化硅陶瓷的XRD衍射图谱;
图5是实验六制备的多孔碳化硅陶瓷的SEM显微结构照片;
图6是实验六制备的多孔碳化硅陶瓷局部放大的SEM显微结构照片。
具体实施方式
本发明技术方案不局限于以下所列举具体实施方式,还包括各具体实施方式间的任意组合。
具体实施方式一:本实施方式多孔碳化硅陶瓷的制备方法按照以下方法进行:
一、将5~60质量份原料与40~95质量份去离子水混合,然后加入分散剂、粘结剂和消泡剂,再加入碳化硅球进行球磨24小时(球料质量比为3∶1),得到浆料;
所述的原料为碳化硅粉体或者碳化硅粉体与烧结助剂组成的混合物,碳化硅粉体与烧结助剂组成的混合物中烧结助剂的质量分数为1~10%,其中碳化硅粉体与分散剂的质量比为1∶0.001~0.03,碳化硅粉体与粘结剂的质量比为1∶0.005~0.03,碳化硅粉体与消泡剂的质量比为1∶0.001~0.01;
步骤一中所述的烧结助剂为Al2O3、Y2O3及BaAl2Si2O8中的一种或其中几种的组合;
步骤一中所述的分散剂为四甲基氢氧化铵(TMAH)或柠檬酸铵;
步骤一中所述的粘结剂为聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯醇缩丁醛(PVB)或明胶;
步骤一中所述的消泡剂为正丁醇;
二、将浆料倒入模具中浇注成型,再脱气10分钟,得到样品,将样品在-196℃~-10℃凝固3~60分钟,然后在温度为-10℃~40℃、压力为1~100Pa的条件下冷冻干燥1~4天,即得多孔陶瓷生坯;
三、将多孔陶瓷生坯放置于无压烧结炉中,在真空度为1×10-3Pa~1×10-2Pa、升温速率为1℃/min~2℃/min的条件下加热到600℃并保温0.5~4小时,向无压烧结炉中充入高纯氮气或高纯氩气,然后以5℃/min~10℃/min的升温速率升温至1500℃~1800℃并保温0.5~4小时,随炉冷却,即得预制体;
四、将间苯二酚与甲醛按照0.3~3∶1的摩尔比溶于去离子水中,得到间苯二酚和甲醛总质量分数为20~60%的碳溶胶,按照间苯二酚与催化剂的摩尔比为200~1200∶1的比例加入催化剂,在室温下磁力搅拌10~30分钟,得混合物,将步骤三所得的预制体浸入混合物中10分钟~1小时,采用真空除泡10分钟,然后将真空除泡后的预制体密封后放入40~50℃的水浴锅中进行凝胶1天,然后再在80~90℃的水浴锅中反应3~5天,得到碳凝胶;
所述的催化剂为Na2CO3、NaHCO3、Ca(OH)2或MgCO3
五、按照将碳凝胶放置于丙酮中1~5小时再取出的顺序反复操作48小时,然后使碳凝胶在常压下完全干燥,得到多孔碳化硅与碳凝胶的复合材料;
六、将多孔碳化硅与碳凝胶的复合材料置于烧结炉中,在氮气或氩气保护的条件下,以1℃/min~5℃/min的升温速率升温到800~1000℃并保温2~4小时,得到多孔碳化硅和炭气凝胶的复合材料;
七、将多孔碳化硅和炭气凝胶的复合材料与单质硅粉按照1∶1~5的质量比放置于石墨坩埚中,然后将石墨坩埚放入烧结炉中,通入氩气或者氮气至烧结炉内压强为0.04~0.08MPa,以5~20℃/min的升温速率升温到1500~1700℃并保温2~4小时,然后随炉冷却,即得多孔碳化硅陶瓷。
本实施方式步骤一中所述的烧结助剂为组合物时,各成分间为任意比。
具体实施方式二:本实施方式与具体实施方式一不同的是步骤一中所述碳化硅粉体与烧结助剂组成的混合物中烧结助剂的质量分数为5%。其它与具体实施方式一相同。
具体实施方式三:本实施方式与具体实施方式一不同的是步骤一中所述碳化硅粉体与分散剂的质量比为1∶0.02。其它与具体实施方式一相同。
具体实施方式四:本实施方式与具体实施方式一不同的是步骤一中所述碳化硅粉体与粘结剂的质量比为1∶0.02。其它与具体实施方式一相同。
具体实施方式五:本实施方式与具体实施方式一不同的是步骤一中所述碳化硅粉体与消泡剂的质量比为1∶0.005。其它与具体实施方式一相同。
具体实施方式六:本实施方式与具体实施方式一不同的是步骤二中所述在温度为20℃、压力为50Pa的条件下冷冻干燥2天,即得多孔陶瓷生坯。其它与具体实施方式一相同。
具体实施方式七:本实施方式与具体实施方式一不同的是步骤三中以8℃/min的升温速率升温至1600℃并保温3小时。其它与具体实施方式一相同。
具体实施方式八:本实施方式与具体实施方式一不同的步骤四中将间苯二酚与甲醛按照1∶1的摩尔比溶于去离子水中是。其它与具体实施方式一相同。
具体实施方式九:本实施方式与具体实施方式一不同的是步骤四中按照间苯二酚与催化剂的摩尔比为1000∶1的比例加入催化剂。其它与具体实施方式一相同。
具体实施方式十:本实施方式与具体实施方式一不同的是步骤七中将多孔碳化硅和炭气凝胶的复合材料与单质硅粉按照1∶4的质量比放置于石墨坩埚中。其它与具体实施方式一相同。
采用下述实验验证本发明效果:
实验一:
多孔碳化硅陶瓷的制备方法按照以下方法进行:
一、将10质量份原料与50质量份去离子水混合,然后加入分散剂、粘结剂和消泡剂,再加入碳化硅球进行球磨24小时(球料质量比为3∶1),得到浆料;
所述的原料为碳化硅粉体与烧结助剂组成的混合物,碳化硅粉体与烧结助剂组成的混合物中烧结助剂的质量分数为3%,其中碳化硅粉体与分散剂的质量比为1∶0.005,碳化硅粉体与粘结剂的质量比为1∶0.01,碳化硅粉体与消泡剂的质量比为1∶0.001;
步骤一中所述的烧结助剂为Al2O3和Y2O3按照5∶3的摩尔比组成;
步骤一中所述的分散剂为四甲基氢氧化铵;
步骤一中所述的粘结剂为聚乙烯醇;
步骤一中所述的消泡剂为正丁醇;
二、将浆料倒入聚四氟乙烯模具中浇注成型,再脱气10分钟,得到样品,将样品在-20℃凝固30分钟,然后在温度为-10℃、压力为1Pa的条件下冷冻干燥3天,即得多孔陶瓷生坯;
三、将多孔陶瓷生坯放置于无压烧结炉中,在真空度为1×10-3Pa、升温速率为1℃/min的条件下加热到600℃并保温2小时,向无压烧结炉中充入高纯氩气,然后以10℃/min的升温速率升温至1700℃并保温2小时,随炉冷却,即得预制体;
四、将间苯二酚与甲醛按照1∶1的摩尔比溶于去离子水中,得到间苯二酚和甲醛总质量分数为40%的碳溶胶,按照间苯二酚与Na2CO3的摩尔比为500∶1的比例加入催化剂,在室温下磁力搅拌20分钟,得混合物,将步骤三所得的预制体浸入混合物中10分钟,采用真空除泡10分钟,然后将真空除泡后的预制体密封后放入50℃的水浴锅中进行凝胶1天,然后再在85℃的水浴锅中反应3天,得到碳凝胶;
五、按照将碳凝胶放置于丙酮中4小时再取出的顺序反复操作48小时,然后使碳凝胶在常压下完全干燥,得到多孔碳化硅与碳凝胶的复合材料;
六、将多孔碳化硅与碳凝胶的复合材料置于烧结炉中,在氩气保护的条件下,以5℃/min的升温速率升温到800℃并保温2小时,得到多孔碳化硅和炭气凝胶的复合材料;
七、将多孔碳化硅和炭气凝胶的复合材料与单质硅粉按照1∶1的质量比放置于石墨坩埚中,然后将石墨坩埚放入烧结炉中,通入氩气至烧结炉内压强为0.08MPa,以10℃/min的升温速率升温到1600℃并保温4小时,然后随炉冷却,即得多孔碳化硅陶瓷。
实验二:
多孔碳化硅陶瓷的制备方法按照以下方法进行:
一、将20质量份原料与50质量份去离子水混合,然后加入分散剂、粘结剂和消泡剂,再加入碳化硅球进行球磨24小时(球料质量比为3∶1),得到浆料;
所述的原料为碳化硅粉体与烧结助剂组成的混合物,碳化硅粉体与烧结助剂组成的混合物中烧结助剂的质量分数为3%,其中碳化硅粉体与分散剂的质量比为1∶0.005,碳化硅粉体与粘结剂的质量比为1∶0.01,碳化硅粉体与消泡剂的质量比为1∶0.001;
步骤一中所述的烧结助剂为Al2O3和Y2O3按照5∶3的摩尔比组成;
步骤一中所述的分散剂为四甲基氢氧化铵;
步骤一中所述的粘结剂为聚乙烯醇;
步骤一中所述的消泡剂为正丁醇;
二、将浆料倒入聚四氟乙烯模具中浇注成型,再脱气10分钟,得到样品,将样品在-20℃凝固30分钟,然后在温度为-10℃、压力为1Pa的条件下冷冻干燥3天,即得多孔陶瓷生坯;
三、将多孔陶瓷生坯放置于无压烧结炉中,在真空度为1×10-3Pa、升温速率为1℃/min的条件下加热到600℃并保温2小时,向无压烧结炉中充入高纯氩气,然后以10℃/min的升温速率升温至1700℃并保温2小时,随炉冷却,即得预制体;
四、将间苯二酚与甲醛按照1∶1的摩尔比溶于去离子水中,得到间苯二酚和甲醛总质量分数为40%的碳溶胶,按照间苯二酚与Na2CO3的摩尔比为500∶1的比例加入催化剂,在室温下磁力搅拌20分钟,得混合物,将步骤三所得的预制体浸入混合物中10分钟,采用真空除泡10分钟,然后将真空除泡后的预制体密封后放入50℃的水浴锅中进行凝胶1天,然后再在85℃的水浴锅中反应3天,得到碳凝胶;
五、按照将碳凝胶放置于丙酮中4小时再取出的顺序反复操作48小时,然后使碳凝胶在常压下完全干燥,得到多孔碳化硅与碳凝胶的复合材料;
六、将多孔碳化硅与碳凝胶的复合材料置于烧结炉中,在氩气保护的条件下,以5℃/min的升温速率升温到800℃并保温2小时,得到多孔碳化硅和炭气凝胶的复合材料;
七、将多孔碳化硅和炭气凝胶的复合材料与单质硅粉按照1∶1的质量比放置于石墨坩埚中,然后将石墨坩埚放入烧结炉中,通入氩气至烧结炉内压强为0.08MPa,以10℃/min的升温速率升温到1600℃并保温4小时,然后随炉冷却,即得多孔碳化硅陶瓷。
实验三:
多孔碳化硅陶瓷的制备方法按照以下方法进行:
一、将30质量份原料与50质量份去离子水混合,然后加入分散剂、粘结剂和消泡剂,再加入碳化硅球进行球磨24小时(球料质量比为3∶1),得到浆料;
所述的原料为碳化硅粉体与烧结助剂组成的混合物,碳化硅粉体与烧结助剂组成的混合物中烧结助剂的质量分数为3%,其中碳化硅粉体与分散剂的质量比为1∶0.005,碳化硅粉体与粘结剂的质量比为1∶0.01,碳化硅粉体与消泡剂的质量比为1∶0.001;
步骤一中所述的烧结助剂为Al2O3和Y2O3按照5∶3的摩尔比组成;
步骤一中所述的分散剂为四甲基氢氧化铵;
步骤一中所述的粘结剂为聚乙烯醇;
步骤一中所述的消泡剂为正丁醇;
二、将浆料倒入聚四氟乙烯模具中浇注成型,再脱气10分钟,得到样品,将样品在-20℃凝固30分钟,然后在温度为-10℃、压力为1Pa的条件下冷冻干燥3天,即得多孔陶瓷生坯;
三、将多孔陶瓷生坯放置于无压烧结炉中,在真空度为1×10-3Pa、升温速率为1℃/min的条件下加热到600℃并保温2小时,向无压烧结炉中充入高纯氩气,然后以10℃/min的升温速率升温至1700℃并保温2小时,随炉冷却,即得预制体;
四、将间苯二酚与甲醛按照1∶1的摩尔比溶于去离子水中,得到间苯二酚和甲醛总质量分数为40%的碳溶胶,按照间苯二酚与Na2C03的摩尔比为500∶1的比例加入催化剂,在室温下磁力搅拌20分钟,得混合物,将步骤三所得的预制体浸入混合物中10分钟,采用真空除泡10分钟,然后将真空除泡后的预制体密封后放入50℃的水浴锅中进行凝胶1天,然后再在85℃的水浴锅中反应3天,得到碳凝胶;
五、按照将碳凝胶放置于丙酮中4小时再取出的顺序反复操作48小时,然后使碳凝胶在常压下完全干燥,得到多孔碳化硅与碳凝胶的复合材料;
六、将多孔碳化硅与碳凝胶的复合材料置于烧结炉中,在氩气保护的条件下,以5℃/min的升温速率升温到800℃并保温2小时,得到多孔碳化硅和炭气凝胶的复合材料;
七、将多孔碳化硅和炭气凝胶的复合材料与单质硅粉按照1∶1的质量比放置于石墨坩埚中,然后将石墨坩埚放入烧结炉中,通入氩气至烧结炉内压强为0.08MPa,以10℃/min的升温速率升温到1600℃并保温4小时,然后随炉冷却,即得多孔碳化硅陶瓷。
实验四:
多孔碳化硅陶瓷的制备方法按照以下方法进行:
一、将40质量份原料与50质量份去离子水混合,然后加入分散剂、粘结剂和消泡剂,再加入碳化硅球进行球磨24小时(球料质量比为3∶1),得到浆料;
所述的原料为碳化硅粉体与烧结助剂组成的混合物,碳化硅粉体与烧结助剂组成的混合物中烧结助剂的质量分数为3%,其中碳化硅粉体与分散剂的质量比为1∶0.005,碳化硅粉体与粘结剂的质量比为1∶0.01,碳化硅粉体与消泡剂的质量比为1∶0.001;
步骤一中所述的烧结助剂为Al2O3和Y2O3按照5∶3的摩尔比组成;
步骤一中所述的分散剂为四甲基氢氧化铵;
步骤一中所述的粘结剂为聚乙烯醇;
步骤一中所述的消泡剂为正丁醇;
二、将浆料倒入聚四氟乙烯模具中浇注成型,再脱气10分钟,得到样品,将样品在-20℃凝固30分钟,然后在温度为-10℃、压力为1Pa的条件下冷冻干燥3天,即得多孔陶瓷生坯;
三、将多孔陶瓷生坯放置于无压烧结炉中,在真空度为1×10-3Pa、升温速率为1℃/min的条件下加热到600℃并保温2小时,向无压烧结炉中充入高纯氩气,然后以10℃/min的升温速率升温至1700℃并保温2小时,随炉冷却,即得预制体;
四、将间苯二酚与甲醛按照1∶1的摩尔比溶于去离子水中,得到间苯二酚和甲醛总质量分数为40%的碳溶胶,按照间苯二酚与Na2CO3的摩尔比为500∶1的比例加入催化剂,在室温下磁力搅拌20分钟,得混合物,将步骤三所得的预制体浸入混合物中10分钟,采用真空除泡10分钟,然后将真空除泡后的预制体密封后放入50℃的水浴锅中进行凝胶1天,然后再在85℃的水浴锅中反应3天,得到碳凝胶;
五、按照将碳凝胶放置于丙酮中4小时再取出的顺序反复操作48小时,然后使碳凝胶在常压下完全干燥,得到多孔碳化硅与碳凝胶的复合材料;
六、将多孔碳化硅与碳凝胶的复合材料置于烧结炉中,在氩气保护的条件下,以5℃/min的升温速率升温到800℃并保温2小时,得到多孔碳化硅和炭气凝胶的复合材料;
七、将多孔碳化硅和炭气凝胶的复合材料与单质硅粉按照1∶1的质量比放置于石墨坩埚中,然后将石墨坩埚放入烧结炉中,通入氩气至烧结炉内压强为0.08MPa,以10℃/min的升温速率升温到1600℃并保温4小时,然后随炉冷却,即得多孔碳化硅陶瓷。
实验五:
多孔碳化硅陶瓷的制备方法按照以下方法进行:
一、将50质量份原料与50质量份去离子水混合,然后加入分散剂、粘结剂和消泡剂,再加入碳化硅球进行球磨24小时(球料质量比为3∶1),得到浆料;
所述的原料为碳化硅粉体与烧结助剂组成的混合物,碳化硅粉体与烧结助剂组成的混合物中烧结助剂的质量分数为3%,其中碳化硅粉体与分散剂的质量比为1∶0.005,碳化硅粉体与粘结剂的质量比为1∶0.01,碳化硅粉体与消泡剂的质量比为1∶0.001;
步骤一中所述的烧结助剂为Al2O3和Y2O3按照5∶3的摩尔比组成;
步骤一中所述的分散剂为四甲基氢氧化铵;
步骤一中所述的粘结剂为聚乙烯醇;
步骤一中所述的消泡剂为正丁醇;
二、将浆料倒入聚四氟乙烯模具中浇注成型,再脱气10分钟,得到样品,将样品在-20℃凝固30分钟,然后在温度为-10℃、压力为1Pa的条件下冷冻干燥3天,即得多孔陶瓷生坯;
三、将多孔陶瓷生坯放置于无压烧结炉中,在真空度为1×10-3Pa、升温速率为1℃/min的条件下加热到600℃并保温2小时,向无压烧结炉中充入高纯氩气,然后以10℃/min的升温速率升温至1700℃并保温2小时,随炉冷却,即得预制体;
四、将间苯二酚与甲醛按照1∶1的摩尔比溶于去离子水中,得到间苯二酚和甲醛总质量分数为40%的碳溶胶,按照间苯二酚与Na2CO3的摩尔比为500∶1的比例加入催化剂,在室温下磁力搅拌20分钟,得混合物,将步骤三所得的预制体浸入混合物中10分钟,采用真空除泡10分钟,然后将真空除泡后的预制体密封后放入50℃的水浴锅中进行凝胶1天,然后再在85℃的水浴锅中反应3天,得到碳凝胶;
五、按照将碳凝胶放置于丙酮中4小时再取出的顺序反复操作48小时,然后使碳凝胶在常压下完全干燥,得到多孔碳化硅与碳凝胶的复合材料;
六、将多孔碳化硅与碳凝胶的复合材料置于烧结炉中,在氩气保护的条件下,以5℃/min的升温速率升温到800℃并保温2小时,得到多孔碳化硅和炭气凝胶的复合材料;
七、将多孔碳化硅和炭气凝胶的复合材料与单质硅粉按照1∶1的质量比放置于石墨坩埚中,然后将石墨坩埚放入烧结炉中,通入氩气至烧结炉内压强为0.08MPa,以10℃/min的升温速率升温到1600℃并保温4小时,然后随炉冷却,即得多孔碳化硅陶瓷。
实验六:
多孔碳化硅陶瓷的制备方法按照以下方法进行:
一、将50质量份原料与50质量份去离子水混合,然后加入分散剂、粘结剂和消泡剂,再加入碳化硅球进行球磨24小时(球料质量比为3∶1),得到浆料;
所述的原料为碳化硅粉体,其中碳化硅粉体与分散剂的质量比为1∶0.005,碳化硅粉体与粘结剂的质量比为1∶0.01,碳化硅粉体与消泡剂的质量比为1∶0.001;
步骤一中所述的烧结助剂为Al2O3和Y2O3按照5∶3的摩尔比组成;
步骤一中所述的分散剂为四甲基氢氧化铵;
步骤一中所述的粘结剂为聚乙烯醇;
步骤一中所述的消泡剂为正丁醇;
二、将浆料倒入聚四氟乙烯模具中浇注成型,再脱气10分钟,得到样品,将样品在-20℃凝固30分钟,然后在温度为-10℃、压力为1Pa的条件下冷冻干燥3天,即得多孔陶瓷生坯;
三、将多孔陶瓷生坯放置于无压烧结炉中,在真空度为1×10-3Pa、升温速率为1℃/min的条件下加热到600℃并保温2小时,向无压烧结炉中充入高纯氩气,然后以10℃/min的升温速率升温至1700℃并保温2小时,随炉冷却,即得预制体;
四、将间苯二酚与甲醛按照1∶1的摩尔比溶于去离子水中,得到间苯二酚和甲醛总质量分数为40%的碳溶胶,按照间苯二酚与Na2CO3的摩尔比为500∶1的比例加入催化剂,在室温下磁力搅拌20分钟,得混合物,将步骤三所得的预制体浸入混合物中10分钟,采用真空除泡10分钟,然后将真空除泡后的预制体密封后放入50℃的水浴锅中进行凝胶1天,然后再在85℃的水浴锅中反应3天,得到碳凝胶;
五、按照将碳凝胶放置于丙酮中4小时再取出的顺序反复操作48小时,然后使碳凝胶在常压下完全干燥,得到多孔碳化硅与碳凝胶的复合材料;
六、将多孔碳化硅与碳凝胶的复合材料置于烧结炉中,在氩气保护的条件下,以5℃/min的升温速率升温到800℃并保温2小时,得到多孔碳化硅和炭气凝胶的复合材料;
七、将多孔碳化硅和炭气凝胶的复合材料与单质硅粉按照1∶1的质量比放置于石墨坩埚中,然后将石墨坩埚放入烧结炉中,通入氩气至烧结炉内压强为0.08MPa,以10℃/min的升温速率升温到1600℃并保温4小时,然后随炉冷却,即得多孔碳化硅陶瓷。
实验七:
多孔碳化硅陶瓷的制备方法按照以下方法进行:
一、将50质量份原料与50质量份去离子水混合,然后加入分散剂、粘结剂和消泡剂,再加入碳化硅球进行球磨24小时(球料质量比为3∶1),得到浆料;
所述的原料为碳化硅粉体,其中碳化硅粉体与分散剂的质量比为1∶0.005,碳化硅粉体与粘结剂的质量比为1∶0.01,碳化硅粉体与消泡剂的质量比为1∶0.001;
步骤一中所述的烧结助剂为Al2O3和Y2O3按照5∶3的摩尔比组成;
步骤一中所述的分散剂为四甲基氢氧化铵;
步骤一中所述的粘结剂为聚乙烯醇;
步骤一中所述的消泡剂为正丁醇;
二、将浆料倒入聚四氟乙烯模具中浇注成型,再脱气10分钟,得到样品,将样品在-20℃凝固30分钟,然后在温度为-10℃、压力为1Pa的条件下冷冻干燥3天,即得多孔陶瓷生坯;
三、将多孔陶瓷生坯放置于无压烧结炉中,在真空度为1×10-3Pa、升温速率为1℃/min的条件下加热到600℃并保温2小时,向无压烧结炉中充入高纯氩气,然后以10℃/min的升温速率升温至1700℃并保温2小时,随炉冷却,即得预制体;
四、将间苯二酚与甲醛按照0.5∶1的摩尔比溶于去离子水中,得到间苯二酚和甲醛总质量分数为40%的碳溶胶,按照间苯二酚与Na2CO3的摩尔比为500∶1的比例加入催化剂,在室温下磁力搅拌20分钟,得混合物,将步骤三所得的预制体浸入混合物中10分钟,采用真空除泡10分钟,然后将真空除泡后的预制体密封后放入50℃的水浴锅中进行凝胶1天,然后再在85℃的水浴锅中反应3天,得到碳凝胶;
五、按照将碳凝胶放置于丙酮中4小时再取出的顺序反复操作48小时,然后使碳凝胶在常压下完全干燥,得到多孔碳化硅与碳凝胶的复合材料;
六、将多孔碳化硅与碳凝胶的复合材料置于烧结炉中,在氩气保护的条件下,以5℃/min的升温速率升温到800℃并保温2小时,得到多孔碳化硅和炭气凝胶的复合材料;
七、将多孔碳化硅和炭气凝胶的复合材料与单质硅粉按照1∶1的质量比放置于石墨坩埚中,然后将石墨坩埚放入烧结炉中,通入氩气至烧结炉内压强为0.08MPa,以10℃/min的升温速率升温到1600℃并保温4小时,然后随炉冷却,即得多孔碳化硅陶瓷。
实验八:
多孔碳化硅陶瓷的制备方法按照以下方法进行:
一、将50质量份原料与50质量份去离子水混合,然后加入分散剂、粘结剂和消泡剂,再加入碳化硅球进行球磨24小时(球料质量比为3∶1),得到浆料;
所述的原料为碳化硅粉体,其中碳化硅粉体与分散剂的质量比为1∶0.005,碳化硅粉体与粘结剂的质量比为1∶0.01,碳化硅粉体与消泡剂的质量比为1∶0.001;
步骤一中所述的烧结助剂为Al2O3和Y2O3按照5∶3的摩尔比组成;
步骤一中所述的分散剂为四甲基氢氧化铵;
步骤一中所述的粘结剂为聚乙烯醇;
步骤一中所述的消泡剂为正丁醇;
二、将浆料倒入聚四氟乙烯模具中浇注成型,再脱气10分钟,得到样品,将样品在-20℃凝固30分钟,然后在温度为-10℃、压力为1Pa的条件下冷冻干燥3天,即得多孔陶瓷生坯;
三、将多孔陶瓷生坯放置于无压烧结炉中,在真空度为1×10-3Pa、升温速率为1℃/min的条件下加热到600℃并保温2小时,向无压烧结炉中充入高纯氩气,然后以10℃/min的升温速率升温至1700℃并保温2小时,随炉冷却,即得预制体;
四、将间苯二酚与甲醛按照0.5∶1的摩尔比溶于去离子水中,得到间苯二酚和甲醛总质量分数为30%的碳溶胶,按照间苯二酚与Na2CO3的摩尔比为500∶1的比例加入催化剂,在室温下磁力搅拌20分钟,得混合物,将步骤三所得的预制体浸入混合物中10分钟,采用真空除泡10分钟,然后将真空除泡后的预制体密封后放入50℃的水浴锅中进行凝胶1天,然后再在85℃的水浴锅中反应3天,得到碳凝胶;
五、按照将碳凝胶放置于丙酮中4小时再取出的顺序反复操作48小时,然后使碳凝胶在常压下完全干燥,得到多孔碳化硅与碳凝胶的复合材料;
六、将多孔碳化硅与碳凝胶的复合材料置于烧结炉中,在氩气保护的条件下,以5℃/min的升温速率升温到800℃并保温2小时,得到多孔碳化硅和炭气凝胶的复合材料;
七、将多孔碳化硅和炭气凝胶的复合材料与单质硅粉按照1∶1的质量比放置于石墨坩埚中,然后将石墨坩埚放入烧结炉中,通入氩气至烧结炉内压强为0.08MPa,以10℃/min的升温速率升温到1600℃并保温4小时,然后随炉冷却,即得多孔碳化硅陶瓷。
实验九:
多孔碳化硅陶瓷的制备方法按照以下方法进行:
一、将50质量份原料与50质量份去离子水混合,然后加入分散剂、粘结剂和消泡剂,再加入碳化硅球进行球磨24小时(球料质量比为3∶1),得到浆料;
所述的原料为碳化硅粉体,其中碳化硅粉体与分散剂的质量比为1∶0.005,碳化硅粉体与粘结剂的质量比为1∶0.01,碳化硅粉体与消泡剂的质量比为1∶0.001;
步骤一中所述的烧结助剂为Al2O3和Y2O3按照5∶3的摩尔比组成;
步骤一中所述的分散剂为四甲基氢氧化铵;
步骤一中所述的粘结剂为聚乙烯醇;
步骤一中所述的消泡剂为正丁醇;
二、将浆料倒入聚四氟乙烯模具中浇注成型,再脱气10分钟,得到样品,将样品在-20℃凝固30分钟,然后在温度为-10℃、压力为1Pa的条件下冷冻干燥3天,即得多孔陶瓷生坯;
三、将多孔陶瓷生坯放置于无压烧结炉中,在真空度为1×10-3Pa、升温速率为1℃/min的条件下加热到600℃并保温2小时,向无压烧结炉中充入高纯氩气,然后以10℃/min的升温速率升温至1700℃并保温2小时,随炉冷却,即得预制体;
四、将间苯二酚与甲醛按照0.5∶1的摩尔比溶于去离子水中,得到间苯二酚和甲醛总质量分数为30%的碳溶胶,按照间苯二酚与Na2CO3的摩尔比为1000∶1的比例加入催化剂,在室温下磁力搅拌20分钟,得混合物,将步骤三所得的预制体浸入混合物中10分钟,采用真空除泡10分钟,然后将真空除泡后的预制体密封后放入50℃的水浴锅中进行凝胶1天,然后再在85℃的水浴锅中反应3天,得到碳凝胶;
五、按照将碳凝胶放置于丙酮中4小时再取出的顺序反复操作48小时,然后使碳凝胶在常压下完全干燥,得到多孔碳化硅与碳凝胶的复合材料;
六、将多孔碳化硅与碳凝胶的复合材料置于烧结炉中,在氩气保护的条件下,以5℃/min的升温速率升温到800℃并保温2小时,得到多孔碳化硅和炭气凝胶的复合材料;
七、将多孔碳化硅和炭气凝胶的复合材料与单质硅粉按照1∶1的质量比放置于石墨坩埚中,然后将石墨坩埚放入烧结炉中,通入氩气至烧结炉内压强为0.08MPa,以10℃/min的升温速率升温到1600℃并保温4小时,然后随炉冷却,即得多孔碳化硅陶瓷。
实验十:
多孔碳化硅陶瓷的制备方法按照以下方法进行:
一、将50质量份原料与50质量份去离子水混合,然后加入分散剂、粘结剂和消泡剂,再加入碳化硅球进行球磨24小时(球料质量比为3∶1),得到浆料;
所述的原料为碳化硅粉体,其中碳化硅粉体与分散剂的质量比为1∶0.005,碳化硅粉体与粘结剂的质量比为1∶0.01,碳化硅粉体与消泡剂的质量比为1∶0.001;
步骤一中所述的烧结助剂为Al2O3和Y2O3按照5∶3的摩尔比组成;
步骤一中所述的分散剂为四甲基氢氧化铵;
步骤一中所述的粘结剂为聚乙烯醇;
步骤一中所述的消泡剂为正丁醇;
二、将浆料倒入聚四氟乙烯模具中浇注成型,再脱气10分钟,得到样品,将样品在-20℃凝固30分钟,然后在温度为-10℃、压力为1Pa的条件下冷冻干燥3天,即得多孔陶瓷生坯;
三、将多孔陶瓷生坯放置于无压烧结炉中,在真空度为1×10-3Pa、升温速率为1℃/min的条件下加热到600℃并保温2小时,向无压烧结炉中充入高纯氩气,然后以10℃/min的升温速率升温至1700℃并保温2小时,随炉冷却,即得预制体;
四、将间苯二酚与甲醛按照0.5∶1的摩尔比溶于去离子水中,得到间苯二酚和甲醛总质量分数为30%的碳溶胶,按照间苯二酚与Na2CO3的摩尔比为1000∶1的比例加入催化剂,在室温下磁力搅拌20分钟,得混合物,将步骤三所得的预制体浸入混合物中10分钟,采用真空除泡10分钟,然后将真空除泡后的预制体密封后放入50℃的水浴锅中进行凝胶1天,然后再在85℃的水浴锅中反应3天,得到碳凝胶;
五、按照将碳凝胶放置于丙酮中4小时再取出的顺序反复操作48小时,然后使碳凝胶在常压下完全干燥,得到多孔碳化硅与碳凝胶的复合材料;
六、将多孔碳化硅与碳凝胶的复合材料置于烧结炉中,在氩气保护的条件下,以5℃/min的升温速率升温到800℃并保温2小时,得到多孔碳化硅和炭气凝胶的复合材料;
七、将多孔碳化硅和炭气凝胶的复合材料与单质硅粉按照1∶1的质量比放置于石墨坩埚中,然后将石墨坩埚放入烧结炉中,通入氩气至烧结炉内压强为0.08MPa,以10℃/min的升温速率升温到1650℃并保温4小时,然后随炉冷却,即得多孔碳化硅陶瓷。
实验十一:
多孔碳化硅陶瓷的制备方法按照以下方法进行:
一、将50质量份原料与50质量份去离子水混合,然后加入分散剂、粘结剂和消泡剂,再加入碳化硅球进行球磨24小时(球料质量比为3∶1),得到浆料;
所述的原料为碳化硅粉体,其中碳化硅粉体与分散剂的质量比为1∶0.005,碳化硅粉体与粘结剂的质量比为1∶0.01,碳化硅粉体与消泡剂的质量比为1∶0.001;
步骤一中所述的烧结助剂为Al2O3和Y2O3按照5∶3的摩尔比组成;
步骤一中所述的分散剂为四甲基氢氧化铵;
步骤一中所述的粘结剂为聚乙烯醇;
步骤一中所述的消泡剂为正丁醇;
二、将浆料倒入聚四氟乙烯模具中浇注成型,再脱气10分钟,得到样品,将样品在-20℃凝固30分钟,然后在温度为-10℃、压力为1Pa的条件下冷冻干燥3天,即得多孔陶瓷生坯;
三、将多孔陶瓷生坯放置于无压烧结炉中,在真空度为1×10-3Pa、升温速率为1℃/min的条件下加热到600℃并保温0.5小时,向无压烧结炉中充入高纯氩气,然后以10℃/min的升温速率升温至1700℃并保温2小时,随炉冷却,即得预制体;
四、将间苯二酚与甲醛按照0.5∶1的摩尔比溶于去离子水中,得到间苯二酚和甲醛总质量分数为30%的碳溶胶,按照间苯二酚与Na2CO3的摩尔比为1000∶1的比例加入催化剂,在室温下磁力搅拌20分钟,得混合物,将步骤三所得的预制体浸入混合物中10分钟,采用真空除泡10分钟,然后将真空除泡后的预制体密封后放入50℃的水浴锅中进行凝胶1天,然后再在85℃的水浴锅中反应3天,得到碳凝胶;
五、按照将碳凝胶放置于丙酮中4小时再取出的顺序反复操作48小时,然后使碳凝胶在常压下完全干燥,得到多孔碳化硅与碳凝胶的复合材料;
六、将多孔碳化硅与碳凝胶的复合材料置于烧结炉中,在氩气保护的条件下,以5℃/min的升温速率升温到800℃并保温2小时,得到多孔碳化硅和炭气凝胶的复合材料;
七、将多孔碳化硅和炭气凝胶的复合材料与单质硅粉按照1∶1的质量比放置于石墨坩埚中,然后将石墨坩埚放入烧结炉中,通入氩气至烧结炉内压强为0.08MPa,以10℃/min的升温速率升温到1650℃并保温4小时,然后随炉冷却,即得多孔碳化硅陶瓷。
实验十二:
多孔碳化硅陶瓷的制备方法按照以下方法进行:
一、将50质量份原料与50质量份去离子水混合,然后加入分散剂、粘结剂和消泡剂,再加入碳化硅球进行球磨24小时(球料质量比为3∶1),得到浆料;
所述的原料为碳化硅粉体,其中碳化硅粉体与分散剂的质量比为1∶0.005,碳化硅粉体与粘结剂的质量比为1∶0.01,碳化硅粉体与消泡剂的质量比为1∶0.001;
步骤一中所述的烧结助剂为Al2O3和Y2O3按照5∶3的摩尔比组成;
步骤一中所述的分散剂为四甲基氢氧化铵;
步骤一中所述的粘结剂为聚乙烯醇;
步骤一中所述的消泡剂为正丁醇;
二、将浆料倒入聚四氟乙烯模具中浇注成型,再脱气10分钟,得到样品,将样品在-20℃凝固30分钟,然后在温度为-10℃、压力为1Pa的条件下冷冻干燥3天,即得多孔陶瓷生坯;
三、将多孔陶瓷生坯放置于无压烧结炉中,在真空度为1×10-3Pa、升温速率为1℃/min的条件下加热到600℃并保温0.5小时,向无压烧结炉中充入高纯氮气,然后以10℃/min的升温速率升温至1700℃并保温2小时,随炉冷却,即得预制体;
四、将间苯二酚与甲醛按照0.5∶1的摩尔比溶于去离子水中,得到间苯二酚和甲醛总质量分数为30%的碳溶胶,按照间苯二酚与Na2CO3的摩尔比为1000∶1的比例加入催化剂,在室温下磁力搅拌20分钟,得混合物,将步骤三所得的预制体浸入混合物中10分钟,采用真空除泡10分钟,然后将真空除泡后的预制体密封后放入50℃的水浴锅中进行凝胶1天,然后再在85℃的水浴锅中反应3天,得到碳凝胶;
五、按照将碳凝胶放置于丙酮中4小时再取出的顺序反复操作48小时,然后使碳凝胶在常压下完全干燥,得到多孔碳化硅与碳凝胶的复合材料;
六、将多孔碳化硅与碳凝胶的复合材料置于烧结炉中,在氮气保护的条件下,以5℃/min的升温速率升温到800℃并保温2小时,得到多孔碳化硅和炭气凝胶的复合材料;
七、将多孔碳化硅和炭气凝胶的复合材料与单质硅粉按照1∶1的质量比放置于石墨坩埚中,然后将石墨坩埚放入烧结炉中,通入氮气至烧结炉内压强为0.08MPa,以10℃/min的升温速率升温到1650℃并保温4小时,然后随炉冷却,即得多孔碳化硅陶瓷。
实验一至实验十二制备的多孔碳化硅陶瓷的性能如下表:
表1
  实验序号   气孔率%   线性收缩率%   抗弯强度MPa
  1   80.3   0.9   26.3
  2   73.7   0.8   62.6
  3   64.2   0.8   92.7
  4   56.3   0.5   132.9
  5   47.8   0.4   158.4
  6   47.1   0.4   164.6
  7   48.1   0.4   143.4
  8   48.6   0.4   127.2
  9   48.7   0.4   122.4
  10   48.3   0.4   133.8
  11   48.5   0.4   125.6
  12   47.3   0.4   134.7

Claims (10)

1.多孔碳化硅陶瓷的制备方法,其特征在于多孔碳化硅陶瓷的制备方法按照以下方法进行:
一、将5~60质量份原料与40~95质量份去离子水混合,然后加入分散剂、粘结剂和消泡剂,再加入碳化硅球进行球磨24小时,得到浆料;
所述的原料为碳化硅粉体或者碳化硅粉体与烧结助剂组成的混合物,碳化硅粉体与烧结助剂组成的混合物中烧结助剂的质量分数为1~10%,其中碳化硅粉体与分散剂的质量比为1∶0.001~0.03,碳化硅粉体与粘结剂的质量比为1∶0.005~0.03,碳化硅粉体与消泡剂的质量比为1∶0.001~0.01;
步骤一中所述的烧结助剂为Al2O3、Y2O3及BaAl2Si2O8中的一种或其中几种的组合;
步骤一中所述的分散剂为四甲基氢氧化铵或柠檬酸铵;
步骤一中所述的粘结剂为聚乙烯醇、聚乙烯醇缩丁醛或明胶;
步骤一中所述的消泡剂为正丁醇;
二、将浆料倒入模具中浇注成型,再脱气10分钟,得到样品,将样品在-196℃~-10℃凝固3~60分钟,然后在温度为-10℃~40℃、压力为1~100Pa的条件下冷冻干燥1~4天,即得多孔陶瓷生坯;
三、将多孔陶瓷生坯放置于无压烧结炉中,在真空度为1×10-3Pa~1×10-2Pa、升温速率为1℃/min~2℃/min的条件下加热到600℃并保温0.5~4小时,向无压烧结炉中充入高纯氮气或高纯氩气,然后以5~10℃/min的升温速率升温至1500~1800℃并保温0.5~4小时,随炉冷却,即得预制体;
四、将间苯二酚与甲醛按照0.3~3∶1的摩尔比溶于去离子水中,得到间苯二酚和甲醛总质量分数为20~60%的碳溶胶,按照间苯二酚与催化剂的摩尔比为200~1200∶1的比例加入催化剂,在室温下磁力搅拌10~30分钟,得混合物,将步骤三所得的预制体浸入混合物中10分钟~1小时,采用真空除泡10分钟,然后将真空除泡后的预制体密封后放入40~50℃的水浴锅中进行凝胶1天,然后再在80~90℃的水浴锅中反应3~5天,得到碳凝胶;
所述的催化剂为Na2CO3、NaHCO3、Ca(OH)2或MgCO3
五、按照将碳凝胶放置于丙酮中1~5小时再取出的顺序反复操作48小时,然后使碳凝胶在常压下完全干燥,得到多孔碳化硅与碳凝胶的复合材料;
六、将多孔碳化硅与碳凝胶的复合材料置于烧结炉中,在氮气或氩气保护的条件下,以1℃/min~5℃/min的升温速率升温到800~1000℃并保温2~4小时,得到多孔碳化硅和炭气凝胶的复合材料;
七、将多孔碳化硅和炭气凝胶的复合材料与单质硅粉按照1∶1~5的质量比放置于石墨坩埚中,然后将石墨坩埚放入烧结炉中,通入氩气或者氮气至烧结炉内压强为0.04~0.08MPa,以5~20℃/min的升温速率升温到1500~1700℃并保温2~4小时,然后随炉冷却,即得多孔碳化硅陶瓷。
2.根据权利要求1所述多孔碳化硅陶瓷的制备方法,其特征在于步骤一中所述碳化硅粉体与烧结助剂组成的混合物中烧结助剂的质量分数为5%。
3.根据权利要求1所述多孔碳化硅陶瓷的制备方法,其特征在于步骤一中所述碳化硅粉体与分散剂的质量比为1∶0.02。
4.根据权利要求1所述多孔碳化硅陶瓷的制备方法,其特征在于步骤一中所述碳化硅粉体与粘结剂的质量比为1∶0.02。
5.根据权利要求1所述多孔碳化硅陶瓷的制备方法,其特征在于步骤一中所述碳化硅粉体与消泡剂的质量比为1∶0.005。
6.根据权利要求1所述多孔碳化硅陶瓷的制备方法,其特征在于步骤二中所述在温度为20℃、压力为50Pa的条件下冷冻干燥2天,即得多孔陶瓷生坯。
7.根据权利要求1所述多孔碳化硅陶瓷的制备方法,其特征在于步骤三中以8℃/min的升温速率升温至1600℃并保温3小时。
8.根据权利要求1所述多孔碳化硅陶瓷的制备方法,其特征在于步骤四中将间苯二酚与甲醛按照1∶1的摩尔比溶于去离子水中。
9.根据权利要求1所述多孔碳化硅陶瓷的制备方法,其特征在于步骤四中按照间苯二酚与催化剂的摩尔比为1000∶1的比例加入催化剂。
10.根据权利要求1所述多孔碳化硅陶瓷的制备方法,其特征在于步骤七中将多孔碳化硅和炭气凝胶的复合材料与单质硅粉按照1∶4的质量比放置于石墨坩埚中。
CN 201210312343 2012-08-29 2012-08-29 多孔碳化硅陶瓷的制备方法 Active CN102807391B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 201210312343 CN102807391B (zh) 2012-08-29 2012-08-29 多孔碳化硅陶瓷的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 201210312343 CN102807391B (zh) 2012-08-29 2012-08-29 多孔碳化硅陶瓷的制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102807391A true CN102807391A (zh) 2012-12-05
CN102807391B CN102807391B (zh) 2013-09-25

Family

ID=47231281

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN 201210312343 Active CN102807391B (zh) 2012-08-29 2012-08-29 多孔碳化硅陶瓷的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102807391B (zh)

Cited By (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103274693A (zh) * 2013-06-06 2013-09-04 哈尔滨工业大学 一种具有新型孔壁结构的多孔碳化硅陶瓷及其制备方法
CN103304252A (zh) * 2013-06-13 2013-09-18 哈尔滨工业大学 一种SiO2气凝胶/多孔Si3N4复合材料的制备方法
CN103319182A (zh) * 2013-07-04 2013-09-25 清华大学 一种高性能固体氧化物电解池支撑体
CN104030721A (zh) * 2014-06-27 2014-09-10 武汉工程大学 一种低温烧结的多孔碳化硅陶瓷的制备方法
CN104291825A (zh) * 2014-09-04 2015-01-21 合肥工业大学 一种以合成钡长石为烧结助剂的SiC陶瓷低温烧结制备方法
CN104326752A (zh) * 2014-09-28 2015-02-04 安徽德润工业设备有限公司 一种SiC陶瓷的低温常压液相烧结制备方法
CN107098352A (zh) * 2016-02-20 2017-08-29 金承黎 一种耐高温气凝胶及气凝胶型多孔陶瓷的制备方法
CN107244920A (zh) * 2017-07-04 2017-10-13 黑龙江科技大学 碳化硅注浆成型烧结方法
CN107324808A (zh) * 2017-07-01 2017-11-07 朱胜利 无机非金属材料的增强方法及用于增强碳化硅陶瓷的方法
CN107434417A (zh) * 2016-05-26 2017-12-05 苏州拜博机电科技有限公司 使坯体保形的陶瓷粉体浆料及直写成型三维结构制备方法
CN107540385A (zh) * 2017-09-01 2018-01-05 安徽青花坊瓷业股份有限公司 一种提高陶瓷强度的生坯浸取液
CN107698276A (zh) * 2017-09-19 2018-02-16 常州朋悦纺织品有限公司 一种多孔碳化硅陶瓷及其制备方法
CN107827466A (zh) * 2017-11-27 2018-03-23 朱胜利 采用渗入法制作反应烧结碳化硅陶瓷的成型方法及模具
CN107935598A (zh) * 2017-12-05 2018-04-20 郑州搜趣信息技术有限公司 一种高性能的碳化硅陶瓷材料低温烧结方法
CN107963907A (zh) * 2017-11-21 2018-04-27 浙江师范大学 一种污水处理用烧结多孔陶瓷片及其制备方法
CN108503343A (zh) * 2018-04-10 2018-09-07 北京英华高科技有限公司 一种新型多孔陶瓷气体分布器及其制备方法
CN109317063A (zh) * 2018-12-13 2019-02-12 黑龙江科技大学 一种炭气凝胶及其制备方法
CN109336610A (zh) * 2018-11-16 2019-02-15 南京工业大学 碳化硅多孔陶瓷及其低温烧成方法
CN109482882A (zh) * 2018-10-22 2019-03-19 中国科学院金属研究所 具有微观定向孔结构的泡沫金属及其制备方法
CN109824362A (zh) * 2019-03-28 2019-05-31 武汉科技大学 一步烧成的生物质碳化硅/碳复合材料及其制备方法
CN109970388A (zh) * 2019-03-19 2019-07-05 宿迁市南京工业大学新材料研究院 一种发泡型可瓷化聚烯烃复合材料及其制备方法
CN111842853A (zh) * 2020-07-30 2020-10-30 南昌工程学院 制备自润滑轴承用多孔金属陶瓷基复合材料及其制备方法
CN111848173A (zh) * 2020-07-28 2020-10-30 郑州大学 一种三维多孔碳化硅陶瓷气凝胶及其制备方法
CN113264780A (zh) * 2021-07-07 2021-08-17 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 一种多孔碳化硅原料的制备方法
CN114478055A (zh) * 2022-03-02 2022-05-13 苏州思萃热控材料科技有限公司 一种具有可受控孔隙率的多孔碳化硅预制体及其制备方法
CN115724681A (zh) * 2021-09-01 2023-03-03 中国科学院金属研究所 一种具有规则孔隙结构多孔碳化硅陶瓷的制备方法及应用

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107182139B (zh) * 2016-03-11 2020-06-09 周宏明 一种金属膜多孔陶瓷发热体及其应用

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009215154A (ja) * 2008-02-13 2009-09-24 Ngk Insulators Ltd 酸化イットリウム材料、半導体製造装置用部材及び酸化イットリウム材料の製造方法
CN101913905A (zh) * 2010-08-31 2010-12-15 麦乔智 一种多孔性陶瓷组成物及其制备方法与应用

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009215154A (ja) * 2008-02-13 2009-09-24 Ngk Insulators Ltd 酸化イットリウム材料、半導体製造装置用部材及び酸化イットリウム材料の製造方法
CN101913905A (zh) * 2010-08-31 2010-12-15 麦乔智 一种多孔性陶瓷组成物及其制备方法与应用

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
《材料研究学报》 20060425 曹小明等 "泡沫碳化硅陶瓷的导电性能" 第20卷, 第2期 *
曹小明等: ""泡沫碳化硅陶瓷的导电性能"", 《材料研究学报》 *

Cited By (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103274693A (zh) * 2013-06-06 2013-09-04 哈尔滨工业大学 一种具有新型孔壁结构的多孔碳化硅陶瓷及其制备方法
CN103304252A (zh) * 2013-06-13 2013-09-18 哈尔滨工业大学 一种SiO2气凝胶/多孔Si3N4复合材料的制备方法
CN103304252B (zh) * 2013-06-13 2014-04-23 哈尔滨工业大学 一种SiO2气凝胶/多孔Si3N4复合材料的制备方法
CN103319182A (zh) * 2013-07-04 2013-09-25 清华大学 一种高性能固体氧化物电解池支撑体
CN103319182B (zh) * 2013-07-04 2014-12-24 清华大学 一种高性能固体氧化物电解池支撑体
CN104030721A (zh) * 2014-06-27 2014-09-10 武汉工程大学 一种低温烧结的多孔碳化硅陶瓷的制备方法
CN104291825B (zh) * 2014-09-04 2016-01-20 合肥工业大学 一种以合成钡长石为烧结助剂的SiC陶瓷低温烧结制备方法
CN104291825A (zh) * 2014-09-04 2015-01-21 合肥工业大学 一种以合成钡长石为烧结助剂的SiC陶瓷低温烧结制备方法
CN104326752A (zh) * 2014-09-28 2015-02-04 安徽德润工业设备有限公司 一种SiC陶瓷的低温常压液相烧结制备方法
CN104326752B (zh) * 2014-09-28 2016-04-06 安徽德润工业设备有限公司 一种SiC陶瓷的低温常压液相烧结制备方法
CN107098352A (zh) * 2016-02-20 2017-08-29 金承黎 一种耐高温气凝胶及气凝胶型多孔陶瓷的制备方法
CN107434417A (zh) * 2016-05-26 2017-12-05 苏州拜博机电科技有限公司 使坯体保形的陶瓷粉体浆料及直写成型三维结构制备方法
CN107324808A (zh) * 2017-07-01 2017-11-07 朱胜利 无机非金属材料的增强方法及用于增强碳化硅陶瓷的方法
CN107244920A (zh) * 2017-07-04 2017-10-13 黑龙江科技大学 碳化硅注浆成型烧结方法
CN107540385A (zh) * 2017-09-01 2018-01-05 安徽青花坊瓷业股份有限公司 一种提高陶瓷强度的生坯浸取液
CN107698276A (zh) * 2017-09-19 2018-02-16 常州朋悦纺织品有限公司 一种多孔碳化硅陶瓷及其制备方法
CN107963907A (zh) * 2017-11-21 2018-04-27 浙江师范大学 一种污水处理用烧结多孔陶瓷片及其制备方法
CN107827466A (zh) * 2017-11-27 2018-03-23 朱胜利 采用渗入法制作反应烧结碳化硅陶瓷的成型方法及模具
CN107935598A (zh) * 2017-12-05 2018-04-20 郑州搜趣信息技术有限公司 一种高性能的碳化硅陶瓷材料低温烧结方法
CN107935598B (zh) * 2017-12-05 2021-03-19 山东圣诺实业有限公司 一种高性能的碳化硅陶瓷材料低温烧结方法
CN108503343A (zh) * 2018-04-10 2018-09-07 北京英华高科技有限公司 一种新型多孔陶瓷气体分布器及其制备方法
CN109482882A (zh) * 2018-10-22 2019-03-19 中国科学院金属研究所 具有微观定向孔结构的泡沫金属及其制备方法
CN109336610A (zh) * 2018-11-16 2019-02-15 南京工业大学 碳化硅多孔陶瓷及其低温烧成方法
CN109336610B (zh) * 2018-11-16 2020-08-25 南京工业大学 碳化硅多孔陶瓷及其低温烧成方法
CN109317063A (zh) * 2018-12-13 2019-02-12 黑龙江科技大学 一种炭气凝胶及其制备方法
CN109970388A (zh) * 2019-03-19 2019-07-05 宿迁市南京工业大学新材料研究院 一种发泡型可瓷化聚烯烃复合材料及其制备方法
CN109824362A (zh) * 2019-03-28 2019-05-31 武汉科技大学 一步烧成的生物质碳化硅/碳复合材料及其制备方法
CN111848173B (zh) * 2020-07-28 2022-09-30 郑州大学 一种三维多孔碳化硅陶瓷气凝胶及其制备方法
CN111848173A (zh) * 2020-07-28 2020-10-30 郑州大学 一种三维多孔碳化硅陶瓷气凝胶及其制备方法
CN111842853A (zh) * 2020-07-30 2020-10-30 南昌工程学院 制备自润滑轴承用多孔金属陶瓷基复合材料及其制备方法
CN111842853B (zh) * 2020-07-30 2022-02-01 南昌工程学院 制备自润滑轴承用多孔金属陶瓷基复合材料及其制备方法
CN113264780A (zh) * 2021-07-07 2021-08-17 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 一种多孔碳化硅原料的制备方法
CN115724681A (zh) * 2021-09-01 2023-03-03 中国科学院金属研究所 一种具有规则孔隙结构多孔碳化硅陶瓷的制备方法及应用
CN115724681B (zh) * 2021-09-01 2024-04-12 中国科学院金属研究所 一种具有规则孔隙结构多孔碳化硅陶瓷的制备方法及应用
CN114478055A (zh) * 2022-03-02 2022-05-13 苏州思萃热控材料科技有限公司 一种具有可受控孔隙率的多孔碳化硅预制体及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN102807391B (zh) 2013-09-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102807391B (zh) 多孔碳化硅陶瓷的制备方法
Yuan et al. Preparation and properties of mullite-bonded porous fibrous mullite ceramics by an epoxy resin gel-casting process
CN103922746B (zh) 一种水基流延成型制备致密氮化硅陶瓷材料及致密异形氮化硅陶瓷材料的方法
CN106518089A (zh) 一种高性能大尺寸氮化硅陶瓷材料的制备方法
CN102432332B (zh) 一种利用凝胶—发泡法制备氧化铝多孔陶瓷的方法
CN101955371B (zh) 一种闭合气孔泡沫陶瓷的制备方法
CN103274693A (zh) 一种具有新型孔壁结构的多孔碳化硅陶瓷及其制备方法
CN103588482B (zh) 一种高孔隙率及高强度钇硅氧多孔陶瓷的制备方法
CN104387073B (zh) 基于反应烧结法制造超细高韧性碳化硅陶瓷材料的方法
CN104261868B (zh) 一种氮化硅结合碳化硅多孔陶瓷膜的制备方法
CN106830942B (zh) 一种多孔b4c陶瓷骨架及其冷冻注模工艺
CN105272229A (zh) 含烧绿石相锆酸钆粉体的陶瓷及其制备方法
CN107573079B (zh) 薄带连铸用氮化硼基陶瓷侧封板材料及其制备方法和应用
CN105294160A (zh) 一种凝胶注模、微波烧结制备多孔氮化硅陶瓷的方法
CN104529522A (zh) 一种基于尼龙纤维为造孔剂制备定向多孔氮化硅陶瓷的方法
CN110483023B (zh) 一种微孔化刚玉砖及其制备方法
CN104131208A (zh) 一种氧化铝-碳化钛微米复合陶瓷刀具材料及其微波烧结方法
CN105084364B (zh) 一种多孔碳化硅球形粉末的制备工艺
CN104072190B (zh) 一种SiC多孔陶瓷的制备方法
CN101805201B (zh) 一种高抗热震性多孔碳化硅陶瓷的制备方法
CN104326752A (zh) 一种SiC陶瓷的低温常压液相烧结制备方法
CN114315408A (zh) 透水多孔陶瓷材料及其制备方法
CN104630635A (zh) 一种铁铬铝基多孔金属材料及其制备方法
CN104529523A (zh) 一种基于碳纤维为造孔剂制备定向多孔氮化硅陶瓷的方法
CN106495703B (zh) 一种氮化硅密封环的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant