CN102758190A - 真空成膜方法和由该方法得到的层积体 - Google Patents

真空成膜方法和由该方法得到的层积体 Download PDF

Info

Publication number
CN102758190A
CN102758190A CN2012101321513A CN201210132151A CN102758190A CN 102758190 A CN102758190 A CN 102758190A CN 2012101321513 A CN2012101321513 A CN 2012101321513A CN 201210132151 A CN201210132151 A CN 201210132151A CN 102758190 A CN102758190 A CN 102758190A
Authority
CN
China
Prior art keywords
chamber
base material
film forming
mould material
filming
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2012101321513A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102758190B (zh
Inventor
梨木智刚
坂田义昌
菅原英男
家仓健吉
滨田明
伊藤喜久
石桥邦昭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Denko Corp filed Critical Nitto Denko Corp
Publication of CN102758190A publication Critical patent/CN102758190A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102758190B publication Critical patent/CN102758190B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/562—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C23C14/086—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31678—Of metal

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

提供一种真空成膜方法和由该方法得到的层积体，在卷对卷技术中进一步谋求作业的高效化或者改善。是对长形基材进行连续真空成膜的方法，具备：沿从第一辊室朝向第二辊室的第一方向将卷绕成卷筒状的长形基材从第一辊室抽出的阶段、将沿第一方向抽出的基材进行脱气的阶段、在第二成膜室将第二膜材料在被脱气的基材的面上进行成膜的阶段、将成膜有第二膜材料的基材在第二辊室进行卷绕的阶段、沿从第二辊室朝向第一辊室的第二方向将在第二辊室卷绕的基材从第二辊室抽出的阶段、在第一成膜室将第一膜材料在沿第二方向抽出的基材的面上进行成膜的阶段、将在第二膜材料上层积有第一膜材料的基材在第一辊室卷绕的阶段。

Description

真空成膜方法和由该方法得到的层积体
技术领域
本发明涉及成膜方法，特别是涉及在长形(長手)基材上进行连续真空成膜的成膜方法和由该方法得到的层积体。
背景技术
作为成膜方法，真空蒸镀法、溅射法、离子镀法等各种方法被开发出来。由这些成膜方法得到的层积体例如在液晶显示器、有机EL显示器等显示装置、半导体装置等的制造中被广泛地利用。层积体能够用作这些显示装置和半导体装置等的保护膜、光学膜、防止反射膜等各种功能膜。
近年来，液晶电视、手机、电视游戏机等需要使用这些功能膜的设备装置在急剧增加。随着需要的增加急需开发在短期间能够量产功能膜的技术。为了满足这种要求，开发出了卷对卷技术。卷对卷技术是将卷绕成卷筒状的长形基材在辊之间运送，并通过连续成膜来谋求作业的高效化。
但现有的单纯的卷对卷技术在量产方面还是存在极限。由于功能膜所要求的层结构随各个应用这些功能膜的装置而有所不同，而且随功能膜所要求的性能等也有所不同，所以希望开发能够短时间容易且便宜地制造各种层积体结构的灵活的成膜方法。
利用卷对卷技术的成膜方法的一例被专利4415584号(专利文献1)所公开。该成膜方法是在两个辊之间设置一个旋转鼓，对输送基板的一个旋转鼓能够进行多个标靶的连续成膜，以谋求作业的高效化。
在(日本)特开2010-236076号(专利文献2)、(日本)特开平07-098854号(专利文献3)中，公开有利用卷对卷技术能够进行两面成膜的成膜方法。为了能够进行两面成膜，在此，使用了两个旋转鼓和配置在它们之间的一个卷绕辊，使从抽出辊抽出的卷筒状基材在通过向彼此相反方向旋转中的两个旋转鼓进行成膜后，由卷绕辊进行卷绕。
专利文献1：(日本)专利4415584号
专利文献2：(日本)特开2010-236076号
专利文献3：(日本)特开平07-098854号
但这些实施现有成膜方法的装置中，将标靶相对旋转鼓隔开规定距离而固定，为了对这些由阴极电极支承的标靶等进行维修保养就需要中断成膜作业，其结果是存在使作业效率恶化的问题。
按照专利文献2和专利文献3的成膜方法，最多仅是能够在两面或单面制造膜，不能应对除此之外的多种层积体结构的制造，为了制造各种层积体就需要根据其情况而设置不同的生产线，这会招致成本增大。
这些现有的成膜方法还有可能在进行成膜后不会进行充分的加热处理，其结果是还有可能产生使成膜的膜材料不能被完全结晶化的问题。
发明内容
本发明是为了解决这些现有技术的问题而作出的，其目的在于提供一种在卷对卷技术中例如能够将需要进行维修保养的阴极电极从成膜室取出以谋求成膜作业高效化的成膜方法，另外，提供一种例如能够同时应对双层成膜和正反面成膜的成膜方法，谋求作业的高效化或改善。
为了实现上述目的，本发明提供的成膜方法是对长形基材进行连续真空成膜的方法，具备：(a)沿从第一辊室朝向第二辊室的第一方向将卷绕成卷筒状的长形基材从所述第一辊室抽出的阶段，(b)对沿所述第一方向抽出的所述基材进行脱气的阶段，(c)在第二成膜室，在被脱气的所述基材的面上将第二膜材料成膜的阶段，(d)在所述第二辊室，卷绕成膜有所述第二膜材料的所述基材的阶段，(e)沿从所述第二辊室朝向所述第一辊室的第二方向，将在所述第二辊室卷绕的所述基材从所述第二辊室抽出的阶段，(f)在第一成膜室，在沿所述第二方向抽出的所述基材的所述面上被成膜的第二膜材料上将第一膜材料成膜的阶段，(g)在所述第一辊室，卷绕在所述第二膜材料上层积有所述第一膜材料的所述基材的阶段。根据该结构，由于能够在将所述基材从第一辊室送到所述第二辊室的第一通路中将第二膜材料成膜，在使所述基材从第二辊室返回到第一辊室的第二通路中将第一膜材料成膜，所以能够通过使基材在第一辊室和第二辊室之间往复而以卷对卷方式连续地制造将第二膜材料和第一膜材料按顺序层积的层积体。
上述成膜方法中，也可以在从所述第一辊室抽出基材后而在所述第二膜材料成膜前对所述基材进行等离子处理，也可以在从所述第二辊室抽出基材后而在所述第一膜材料成膜前对所述基材进行等离子处理。由此，能够谋求等离子处理的强化。
上述成膜方法中，也可以在从所述第一辊室抽出基材后而在所述第二膜材料成膜前对所述基材进行脱气，也可以在从所述第二辊室抽出基材后而在所述第一膜材料成膜前对所述基材进行脱气。由此，能够在第二成膜室中在第二膜材料成膜前进行脱气。
进而上述成膜方法中，也可以在所述第一成膜室，对沿所述第一方向引导过程中的所述基材进行脱气。通过使第一旋转体具有加热功能来加热基材而能够将膜中的挥发成分取出(脱气)。
上述成膜方法中，也可以在第二成膜室，在沿所述第一方向抽出的所述基材的所述面上将第二膜材料成膜时，将支承所述第一膜材料标靶的所述第一成膜室的第一阴极电极从所述第一成膜室取出。同样地，也可以在第一成膜室，在沿所述第二方向抽出的所述基材的所述面上成膜了的所述第二膜材料上，将第一膜材料成膜时，将支承所述第二膜材料标靶的所述第二成膜室的第二阴极电极从所述第二成膜室取出。通过设定成这样的结构，能够一边在第一成膜室进行第一膜材料标靶的维修保养作业，一边在第二成膜室继续进行成膜作业，能够提高生产效率。
上述成膜方法中，也可以在所述第二膜材料成膜后而在所述第二辊室中卷绕基材前对所述基材进行退火。由此，能够在第二加热室对在第二成膜室成膜的第二膜材料进行退火处理。
上述成膜方法中，所述第一膜材料可以是金属，所述第二膜材料可以是透明导电膜，所述金属也可以是铜或铜合金，或者是银或银合金。
并且，为了达到上述目的而本发明提供的成膜方法是对长形基材进行连续真空成膜的方法，具备：(a)沿从第一辊室朝向第二辊室的第一方向将卷绕成卷筒状的长形基材从所述第一辊室抽出的阶段；(b)对沿所述第一方向抽出的所述基材进行脱气的阶段；(c-1)在第一运送路径具有沿所述第一方向将被脱气的所述基材向第二成膜室引导，在第二成膜室，在沿第一方向引导过程中的所述基材的第一面上将第二膜材料成膜，在所述第二辊室卷绕成膜有所述第二膜材料的所述基材，沿从所述第二辊室朝向所述第一辊室的第二方向，将在所述第二辊室卷绕的所述基材从所述第二辊室抽出，在第一成膜室，在沿所述第二方向抽出的所述基材的所述第一面上被成膜的第二膜材料上，将第一膜材料成膜，在所述第一辊室，卷绕在所述第二膜材料上层积有所述第一膜材料的所述基材的阶段；或者，(c-2)在第二运送路径具有沿所述第一方向将被脱气的所述基材向第一成膜室引导，在所述第一成膜室，在沿第一方向引导过程中的所述基材的所述第一面上将第三膜材料成膜，沿所述第二方向向所述第二成膜室引导成膜有所述第三膜材料的所述基材，在所述第二成膜室，在沿所述第二方向被引导过程中的所述基材的所述第一面的相反侧的第二面上，将第四膜材料成膜，在所述第三辊室卷绕在所述第一面成膜有所述第三膜材料且在所述第二面形成有所述第四膜材料的所述基材的阶段。根据该结构，通过在第一运送路径使基材在第一辊室与第二辊室之间往复，在沿第一方向引导过程中将第二膜材料在第一面成膜，在沿第二方向引导过程中将第一膜材料在第一面成膜，能够以卷对卷方式连续地制造将第二膜材料和第一膜材料按顺序在基材上层积的层积体。另一方面，在第二运送路径中，在沿第一方向引导过程中将第三膜材料在第一面成膜，在沿第二方向引导过程中将第四膜材料在第二面成膜，能够以卷对卷方式连续地制造分别在所述基材的所述第一面成膜有所述第三膜材料、在所述第二面形成有所述第四膜材料的层积体。
上述成膜方法中，也可以在所述第一运送路径中，在从所述第一辊室抽出基材后而在所述第二膜材料成膜前对所述基材进行等离子处理。通过该等离子处理能够在将第二膜材料成膜前将基材的表面激活，或者清洗。
上述成膜方法中，也可以在所述第一运送路径中，在从所述第一辊室抽出基材后而在所述第二辊室卷绕前对所述基材进行退火。根据该结构，能够在第二加热室对在第二成膜室成膜的第二膜材料进行退火处理。
上述成膜方法中，可以在所述第一运送路径中，在第二成膜室，在沿所述第一方向抽出的所述第一基材的所述第一面将第二膜材料成膜时，将支承所述第一膜材料标靶的所述第一成膜室的第一阴极电极从所述第一成膜室取出。也可以在所述第一运送路径中，在第一成膜室，在沿所述第二方向抽出的所述第一基材的所述第一面上将第一膜材料成膜时，将支承所述第二膜材料标靶的所述第二成膜室的第二阴极电极从所述第二成膜室取出。通过这些结构，能够一边在第一成膜室进行阴极电极的维修保养作业，一边在第二成膜室继续进行成膜作业，能够提高生产效率。
上述成膜方法中，所述第一膜材料可以是金属，所述第二膜材料可以是透明导电膜，所述金属也可以是铜或铜合金，或者是银或银合金。
上述成膜方法中，所述第三膜材料可以是透明导电膜，所述第四膜材料可以是透明导电膜。
根据本发明，能够一边使用卷对卷技术，一边谋求成膜的高效化或其改善。
附图说明
图1是表示能够实施本发明成膜方法的成膜装置一例的图；
图2(a)、(b)是表示本发明的成膜方法中阴极电极可能的配置的图；
图3是表示由本发明的成膜方法制造的层积体结构例的图；
图4是表示能够实施本发明成膜方法的其他成膜装置一例的图；
图5是表示由本发明的成膜方法制造的层积体结构例的图。
附图标记说明
1成膜装置    2成膜装置        10基材    29引导辊
31加热室     40等离子处理装置 41第一成膜室
42第二成膜室 51第一旋转鼓     52第二旋转鼓
83替换辊     W1第一辊室       W2第二辊室
W3第三辊室
具体实施方式
以下一边参照附图一边说明本发明的一个优选实施例。
图1表示能够实施本发明第一成膜方法的成膜装置1的一例。该成膜装置1例如包括：能够收容被卷绕成卷筒状的长形基材10的第一辊室W1和第二辊室W2、设置在该第一辊室W1和第二辊室W2之间的第一成膜室41和第二成膜室42、设置在第一辊室W1与第一成膜室41之间的加热室31、设置在第一加热室31与第一成膜室41之间的等离子处理装置40。
作为真空成膜方法已知有真空蒸镀法、溅射法、化学气相生长法(CVD)等。本装置1能够应用它们中的任一方法。特别是利用溅射法，能够大面积均匀地进行溅射，且连续生产性高、稳定性良好，能够形成致密的薄膜。在溅射法中特别是利用DC磁控溅射法能够在标靶表面形成磁场，通过关住电子而能够抑制基材损伤。
为了有效地保持真空状态，在本装置1的各室与室之间设置有分隔壁14。在各分隔壁14上设置有使基材10通过的间隙13。
本方法所使用的基材10，例如是PET膜等各种树脂膜、铝片等各种金属片，只要是由能够成膜的材质形成即可，其材质没有特别的限定。但基材10整体是长形，具有挠性且能够卷绕成卷筒状。在成膜时，利用配置为多个的引导辊29等而在第一辊室W1和第二辊室W2之间，按情况而在其他辊室之间，沿从第一辊室W1到第二辊室W2的第一方向A或从第二辊室W2向第一辊室W1的第二方向B，以卷对卷方式运送基材10。
由于基材10被卷绕成卷筒状，所以分别在第一辊室W1设置有第一抽出卷绕辊21，在第二辊室W2设置有第二抽出卷绕辊22。在将基材10沿第一方向A运送时，第一抽出卷绕辊21进行抽出动作而第二抽出卷绕辊22进行卷绕动作。另一方面，在将基材10沿第二方向B运送时，第二抽出卷绕辊22进行抽出动作而第一抽出卷绕辊21进行卷绕动作。
加热室31是为了加热基材10而使用的。设置加热室的位置没有特别的限定，但如以下说明的那样，由于它的设置位置、装置的使用方式不同而得到的效果就不同。
例如如图1所示，在将加热室31设置在第一辊室W1与第一成膜室41之间的情况下，基材10在第一成膜室41成膜之前就在加热室31被加热。在真空处理时等，有时从基材10产生水分，但该水分对被成膜的膜的组成有很大影响。通过在上述位置设置加热室31而在成膜前对基材10进行脱气并取出水分，能够减少影响。
没有特别图示，但例如也可以将加热室设置在第二成膜室42与第二辊室W2之间。通过将加热室设置在该位置，能够在第二成膜室42中，在基材10成膜后对基材10进行加热，由此，能够对在基材10上成膜的膜材料进行退火，使膜的原子配列成为有规则排列的晶粒。
根据需要例如也可以将加热室设置在第一成膜室41与第二成膜室42之间等。但加热室也并不一定是必须的，例如通过利用成膜室的加热功能，则不设置加热室也能够得到同样的效果。
等离子处理装置是为了将基材10进行等离子处理而使用的。通过实施等离子处理而能够将基材10的表面活化或清洗，由此而能够更有效地进行成膜。与加热室同样，设置等离子处理装置的位置没有特别的限定。
例如在图1的例中，将等离子处理装置40设置在第一加热室31与第一成膜室41之间。通过在上述位置设置等离子处理装置，能够在第一成膜室41的成膜前就对基材10进行等离子处理。且根据需要例如也能够将加热室设置在第一成膜室41与第二成膜室42之间。且等离子处理装置也并不一定是必须的，利用后述成膜室的旋转鼓加热功能等则也可以省略。
成膜装置1在第一辊室W1和第二辊室W2之间至少具有两个，在此是第一成膜室41和第二成膜室42。成膜室至少设置两个就足够了，但也可以设置追加的成膜室。追加成膜室的设置位置只要在第一辊室W1和第二辊室W2之间，则没有特别的限定，例如也可以设置在加热室31与第一成膜室41之间。且在这些成膜室成膜的膜材料也没有特别的限定，例如可以是铜和铜合金，或者是银和银合金这样的金属或透明导电膜。作为银合金例如也可以是向银(Ag)加入有钯(Pd)和铜(Cu)的被称为APC(Ag-Pd-Cu)的合金。这时，银作为APC的主要成分可以含有90％原子以上。
第一成膜室41具有第一旋转鼓51和第一阴极电极61。第一旋转鼓51自由旋转，以将基材10沿第一方向A或第二方向B运送，基材10经过它们的周围而被沿第一方向A和第二方向B运送。且第一旋转鼓51也可以具有加热基材10的功能。由第一旋转鼓10的加热功能所得到的效果认为与加热室相同。其结果是也可以由第一旋转鼓51来代替加热室的加热功能。相反地也可以由加热室的加热功能来代替第一旋转鼓51的加热功能。
第一阴极电极61相对第一旋转鼓51而设置有多个。这些多个第一阴极电极61各自在支承用于将规定的膜材料成膜的标靶的状态下与第一旋转鼓51相对地被配置成可动状态。应成膜的膜材料随着装置的使用方式而能够自由变更。例如基材10在第一旋转鼓51的周围沿第一方向通过时，可以是第一膜材料或第三膜材料等。这些第一膜材料和第三膜材料按照装置的使用方式而能够自由变更。在基材10通过第一旋转鼓51周围的期间，利用该第一阴极电极61将第一膜材料和第三膜材料等规定的膜材料在基材10上成膜。
第二成膜室42具有与第一成膜室41相同或类似的结构和功能，至少具备第二旋转鼓52和第二阴极电极62。第二旋转鼓52能够将基材10经过其周围而沿第一方向A和第二方向B连续运送，还能够加热基材10。在第二旋转鼓52的周围与第二旋转鼓52相对地配置有多个第二阴极电极62，第二阴极电极62的膜材料，例如也可以在基材10沿第一方向通过第二旋转鼓52的周围时是第二膜材料，在基材10沿第二方向通过第二旋转鼓52的周围时是第四膜材料。这些第二膜材料和第四膜材料按照装置的使用方式而能够自由变更。在基材10通过第二旋转鼓52周围期间，利用第二阴极电极62将规定的膜材料在基材10上成膜。
第一旋转鼓51和第二旋转鼓52的加热处理和成膜处理是相互独立的功能，例如也可以在第一成膜室41仅进行加热处理，在第二成膜室42仅进行成膜处理。为了使加热处理充分进行，也可以将第一旋转鼓51和第二旋转鼓52的直径设定得比较大，以延长运送时间。
与图1一起参照图2，说明利用成膜装置1的本发明第一成膜方法的一个使用方式。图2是在该使用方式下表示可能的阴极电极配置的图。根据该使用方式，能够在从第一辊室W1朝向第二辊室W2的第一方向A制造将第二膜材料成膜的基材(为了方便而在此称为“第一基材”)，且在从第二辊室W2朝向第一辊室W1的第二方向B上制造将第一膜材料成膜的基材(为了方便而在此称为“第二基材”)。
如图1所示，首先将第一基材从第一辊室W1沿第一方向A抽出。使用第一加热室31、第一成膜室41的第一旋转鼓51的加热功能对抽出的第一基材进行脱气。使用第二成膜室42的第二阴极电极62将第二膜材料在被脱气的第一基材上成膜，然后在第二辊室W2进行卷绕。而且将与第一基材不同的第二基材从第二辊室W2沿第二方向B抽出。将抽出的第二基材在第二成膜室42进行脱气，且使用第一成膜室41的第一阴极电极61来将第一膜材料在被脱气的第二基材上成膜，然后在第一辊室W1进行卷绕。
图2(a)是表示在第一方向A进行第一基材成膜时第一成膜室41的第一阴极电极61和第二成膜室42的第二阴极电极62可能的配置状态的概略俯视图，图2(b)是表示在第二方向B进行第二基材成膜时第一成膜室41的第一阴极电极61和第二成膜室42的第二阴极电极62可能的配置状态的概略俯视图。
在该使用方式下，例如由于生成第二膜材料成膜的第一基材时，在第一成膜室41中只要由第一成膜室41的第一旋转鼓51进行加热处理(脱气)就足够了，不需要进行使用第一阴极电极61的成膜处理，所以如图2(a)所示，能够通过使支承第一阴极电极61的本体60移动而在将第一成膜室41的第一阴极电极61从第一成膜室41取出的状态下进行脱气等。其结果是能够对被从第一成膜室41取出的第一阴极电极61进行更换等维修保养，在该维修保养作业中还能够在第二成膜室42继续进行成膜。由于将第一阴极电极61从第一成膜室41取出而在第一成膜室41产生的开口，如果需要可以利用临时盖等来封闭。
同样地，在该使用方式下，例如在生成第一膜材料成膜的第二基材时，在第二成膜室42中只要由第二成膜室42的第二旋转鼓52进行加热处理(脱气)就足够了，不需要进行使用第二阴极电极62的成膜处理，所以如图2(b)所示，能够在将第二成膜室42的第二阴极电极62从第二成膜室42取出的状态下进行脱气等。其结果是能够对被从第二成膜室42取出的第二阴极电极62进行更换等维修保养，在该维修保养作业中还能够在第一成膜室41继续进行成膜。且如上面说明的那样，由于将第二阴极电极62从第二成膜室42取出而在第二成膜室42产生的开口，如果需要可以利用临时盖等来封闭。
根据这样第一成膜方法的一个使用方式，由于能够对第一成膜室41或第二成膜室42中的一个进行第一阴极电极61或第二阴极电极62的维修保养作业，而使第一成膜室41或第二成膜室42中的另一个继续进行成膜作业，所以能够提高基材的生产效率。
且在该使用方式中，例如也可以使用设置在第一加热室31与第一成膜室41之间的等离子处理装置40和设置在第一成膜室41与第二成膜室42之间的等离子处理装置(未图示)，在从第一辊室W1抽出基材后而在第二成膜室42将第二膜材料成膜前来对第一基材进行等离子处理。且例如也可以使用设置在第二辊室W2与第二成膜室42之间的等离子处理装置(未图示)或设置在第二成膜室42与第一成膜室41之间的等离子处理装置(未图示)，在从第二辊室W2抽出基材后而在第一成膜室41将第一膜材料成膜前来对第二基材进行等离子处理。通过实施等离子处理而能够更有效地进行成膜。
例如也可以使用设置在第一辊室W1与第一成膜室41之间的加热室31而在从第一辊室W1抽出基材后并在利用第一成膜室41的加热功能(51)进行脱气前来将第一基材脱气。且例如也可以使用设置在第二辊室W2与第二成膜室42之间的加热室(未图示)而在从第二辊室W2抽出基材后并在利用第二成膜室42的加热功能(52)进行脱气前来将第二基材脱气。
且例如也可以使用设置在第一成膜室41与第一辊室W1之间的加热室31而在第一膜材料成膜后并在第一辊室W1卷绕前来将第二基材退火。且例如也可以使用设置在第二成膜室42与第二辊室W2之间的加热室(未图示)而在第二膜材料成膜后并在第二辊室W2卷绕前来将第一基材退火。
再次参照图1，说明利用上述成膜装置1的本发明第一成膜方法的其他使用方式。
在该使用方式中，首先，在将基材10从第一辊室W1送到第二辊室W2的第一通路中，在第一方向A上将基材10从第一辊室W1抽出，利用第一加热室31和第一成膜室41的第一旋转鼓51的加热功能对抽出的基材10进行脱气。进而使用第二成膜室42的第二阴极电极62来使第二膜材料在被脱气的基材10的面上成膜，然后，将成膜有第二膜材料的基材10在第二辊室W2临时卷绕。接着，在使基材10从第二辊室W2返回第一辊室W1的第二通路中，在第二方向B上将基材10从第二辊室W2抽出，使用第一成膜室41的第一阴极电极61来使第一膜材料在被抽出的基材10的面上成膜，最后，将在第二膜材料上层积有第一膜材料的基材10在第一辊室W1卷绕。
很明显，根据该使用方式，通过使基材10在第一辊室W1和第二辊室W2之间往复而能够以卷对卷方式连续地制造将第二膜材料和第一膜材料按顺序层积的一个层积体。图3表示由该使用方式制造的层积体的结构例。层积体结构为在基材10上按顺序具有第二膜材料10-2和第一膜材料10-1。例如作为第一膜材料10-1可以使用铜(Cu)或铜合金，或者银(Ag)或银合金(APC等)这样的金属，作为第二膜材料10-2可以使用非晶体或晶体ITO这样的透明导电膜。但这些膜材料没有特别的限定。
且在该使用方式中，例如也可以使用设置在第一加热室31与第一成膜室41之间的等离子处理装置40或设置在第一成膜室41与第二成膜室42之间的等离子处理装置(未图示)，在从第一辊室W1抽出基材后而在第二成膜室42将第二膜材料成膜前来对基材10进行等离子处理。且例如也可以使用设置在第二辊室W2与第二成膜室42之间的等离子处理装置(未图示)和设置在第二成膜室42与第一成膜室41之间的等离子处理装置(未图示)在从第二辊室W2抽出基材后而在第一成膜室41将第一膜材料成膜前来对基材10进行等离子处理。
例如也可以使用设置在第一辊室W1与第一成膜室41之间的加热室31、设置在第一成膜室41与第二成膜室42之间的加热室(未图示)，进而使用第一成膜室41的第一旋转鼓51的加热功能，而在从第一辊室W1抽出基材后并在第二成膜室42将第二膜材料成膜前对基材10进行脱气。且例如也可以使用设置在第二辊室W2与第二成膜室42之间的加热室(未图示)或设置在第二成膜室42与第一成膜室41之间的加热室(未图示)，或使用第二成膜室42的第二旋转鼓52的加热功能，而在从第二辊室W2抽出基材后并在第一成膜室41将第一膜材料成膜前对基材10进行脱气。
进而例如也可以使用设置在第二成膜室42与第二辊室W2之间的加热室(未图示)而在第二膜材料成膜后并在第二辊室W2卷绕前来将基材10退火。
且在该使用方式中例如也是在第一通路将第二膜材料成膜时，由于在第一成膜室41不需要进行使用第一阴极电极61的成膜处理，所以能够在将第一成膜室41的第一阴极电极61从第一成膜室41取出的状态下进行脱气等。其结果是能够对从第一成膜室41取出的第一阴极电极61进行更换等维修保养，在该维修保养作业中还能够在第二成膜室42继续进行成膜。
同样地，例如在第二通路将第一膜材料在第二膜材料上成膜时，由于在第二成膜室42不需要进行使用第二阴极电极62的成膜处理，所以能够在将第二成膜室42的第二阴极电极62从第二成膜室42取出的状态下进行脱气等。其结果是能够对被从第二成膜室42取出的第二阴极电极62进行更换等维修保养，在该维修保养作业中还能够在第一成膜室41继续进行成膜。
图4表示能够实施本发明第二成膜方法的成膜装置的结构例。图4中，对于与图1所示成膜装置1同样的部件付与与图1同样的附图标记。该成膜装置2主要是用于实施第二成膜方法的成膜装置，如从以下的记载明知的那样，不仅是第二成膜方法，而且上面说明的第一成膜方法的使用方式也能够实施。
成膜装置2具有与图1的成膜装置1类似的结构，是在成膜装置1的结构的基础上，成膜装置2还具有第三辊室W3和替换辊83、83′，以及利用这些替换辊83、83′形成的两种引导辊配列。在此，为了方便而将沿组装有替换辊83的引导辊配列的基材运送路径称为第一运送路径，将沿组装有替换辊83′的引导辊配列的基材运送路径称为第二运送路径。
在将基材10从第一辊室W1抽出而在第一方向运送时，在第一运送路径和第二运送路径中基材10在到达替换辊83之前是沿相同的路径移动。在到达替换辊83后，基材10在第一运送路径是如实线所示那样按照第一方向A通过第二成膜室42，在第二运送路径通过使替换辊83′反转而如虚线所示那样按照第二方向B通过第二成膜室42。
以下，更详细地说明第二成膜方法。首先，基材10在第一方向A被从第一辊室W1抽出，然后，使用第一加热室31或第一成膜室41的第一旋转鼓51的加热功能而进行脱气。然后，使用替换辊83、83′而沿第一运送路径或第二运送路径移动被脱气的基材10。
在第一运送路径，被脱气的基材10在第一方向A被向第二成膜室42引导，使用第二成膜室42的第二阴极电极62来将第二膜材料向被引导过程中的基材10的第一面成膜，然后，将成膜有第二膜材料的基材10在第二辊室W2临时卷绕。接着，在第二方向B将该基材10从第二辊室W2抽出，使用第一成膜室41的第一阴极电极61来将第一膜材料向被抽出的基材10的面成膜，最后，将在第二膜材料上层积有第一膜材料的基材10在第一辊室W1卷绕。第一运送路径是使基材10这样地与上面说明的使用方式相同地移动的路径，通过使基材10在第一辊室W1和第二辊室W2之间往复而在第一方向A的引导过程中将第二膜材料向第一面成膜，在第二方向的引导过程中将第一膜材料向第一面成膜，能够以卷对卷方式连续地制造将第二膜材料和第一膜材料按顺序层积在基材上的层积体。
另一方面在第二运送路径中，使用第一成膜室41的第一阴极电极61来将第三膜材料向在第一加热室31被脱气的或使用第一成膜室41的第一旋转鼓51脱气过程中的基材10的第一面a成膜，接着，将成膜有第三膜材料的基材10利用替换辊83′而在第二方向B向第二成膜室42引导，使用第二成膜室42的第二阴极电极62来将与第三膜材料不同的第四膜材料向被在第二方向引导过程中的基材10的第一面a的相反侧即第二面b成膜，然后，在第三辊室W3卷绕。由于第二运送路径中这样在第一方向引导过程中将第三膜材料向第一面成膜，在第二方向的引导过程中将第四膜材料向第二面成膜，所以能够以卷对卷方式连续地制造将第三膜材料和第四膜材料分别各别地形成在正反面的层积体。
如所知的那样，经由第一运送路径得到的层积体与图3的层积体相同。与图3的层积体同样地，例如作为第一膜材料而能够使用铜(Cu)或铜合金，或者银(Ag)或银合金(APC等)这样的金属，作为第二膜材料而能够使用非晶体或晶体ITO这样的透明导电膜，膜材料没有特别的限定。
图5表示经由第二运送路径得到的层积体的结构例。分别在基材10的第一面a层积有第三膜材料10-3，在第二面b层积有第四膜材料10-4。例如如图示的例那样，作为第三膜材料10-3和第四膜材料10-4也能够使用非晶体或晶体ITO这样的透明导电膜。但膜材料没有特别的限定。
且在该第二成膜方法中，例如也可以使用设置在第一加热室31与第一成膜室41之间的等离子处理装置40、设置在第一成膜室41与第三辊室W3之间或者设置在第三辊室W3与第二成膜室42之间的等离子处理装置(未图示)，例如在从第一辊室W1抽出基材后而在第二膜材料成膜前来对基材10进行等离子处理。
例如也可以使用设置在第二成膜室42与第二辊室W2之间的加热室(未图示)而在从第一辊室W1抽出基材后并在第二辊室W2卷绕前对基材10进行退火。
且在该第二成膜方法中，例如也是在第一运送路径中在第二成膜室42将第二膜材料成膜时，由于在第一成膜室41不需要进行使用第一阴极电极61的成膜处理，所以能够在将第一成膜室41的第一阴极电极61从第一成膜室41取出的状态下进行脱气等。其结果是能够对被从第一成膜室41取出的第一阴极电极61进行更换等维修保养，在该维修保养作业中还能够在第二成膜室42继续进行成膜。
同样地，例如在第一运送路径上在第二成膜室42将第二膜材料在成膜时，由于在第二成膜室42不需要进行使用第二阴极电极62的成膜处理，所以能够在将第二成膜室42的第二阴极电极62从第二成膜室42取出的状态下进行脱气等。其结果是能够对被从第二成膜室42取出的第二阴极电极62进行更换等维修保养，在该维修保养作业中还能够在第一成膜室41继续进行成膜。
以上，说明了将成膜室仅设置为两个的例子，但当然将成膜室设定成三个以上的情况也能够得到同样的效果。如在装置结构的说明中也叙述的那样，也可以将加热室、等离子处理装置适当地设置在合适的位置，组成本发明的成膜方法。
本发明包括被其技术思想所包含的各种变形例。
本发明的方法能够广泛地被利用在各种成膜装置。

Claims (15)

1.一种成膜方法，是对长形基材进行连续真空成膜的方法，其特征在于，具备：
(a)沿从第一辊室朝向第二辊室的第一方向将卷绕成卷筒状的长形基材从所述第一辊室抽出的阶段，
(b)对沿所述第一方向抽出的所述基材进行脱气的阶段，
(c)在第二成膜室，在被脱气的所述基材的面上将第二膜材料成膜的阶段，
(d)在所述第二辊室，卷绕成膜有所述第二膜材料的所述基材的阶段，
(e)沿从所述第二辊室朝向所述第一辊室的第二方向，将在所述第二辊室卷绕的所述基材从所述第二辊室抽出的阶段，
(f)在第一成膜室，在沿所述第二方向抽出的所述基材的所述面上被成膜的第二膜材料上将第一膜材料成膜的阶段，
(g)在所述第一辊室，卷绕在所述第二膜材料上层积有所述第一膜材料的所述基材的阶段。
2.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，在所述第一成膜室，对沿所述第一方向引导过程中的所述基材进行脱气。
3.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，在第二成膜室，在沿所述第一方向抽出的所述基材的所述面上将第二膜材料成膜时，将支承所述第一膜材料标靶的所述第一成膜室的第一阴极电极从所述第一成膜室取出。
4.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，在第一成膜室，在沿所述第二方向抽出的所述基材的所述面上成膜了的所述第二膜材料上，将第一膜材料成膜时，将支承所述第二膜材料标靶的所述第二成膜室的第二阴极电极从所述第二成膜室取出。
5.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，所述第一膜材料是金属，所述第二膜材料是透明导电膜。
6.一种层积体，其特征在于，是由权利要求1所述的成膜方法得到的、将所述第二膜材料和所述第一膜材料按顺序在所述基材上层积的层积体。
7.如权利要求6所述的层积体，其特征在于，所述第一膜材料是金属，所述第二膜材料是透明导电膜。
8.一种成膜方法，是对长形基材进行连续真空成膜的方法，其特征在于，具备：
(a)沿从第一辊室朝向第二辊室的第一方向将卷绕成卷筒状的长形基材从所述第一辊室抽出的阶段；
(b)对沿所述第一方向抽出的所述基材进行脱气的阶段；
(c-1)在第一运送路径具有
沿所述第一方向将被脱气的所述基材向第二成膜室引导，
在第二成膜室，在沿第一方向引导过程中的所述基材的第一面上将第二膜材料成膜，
在所述第二辊室卷绕成膜有所述第二膜材料的所述基材，
沿从所述第二辊室朝向所述第一辊室的第二方向，将在所述第二辊室卷绕的所述基材从所述第二辊室抽出，
在第一成膜室，在沿所述第二方向抽出的所述基材的所述第一面上被成膜的第二膜材料上，将第一膜材料成膜，
在所述第一辊室，卷绕在所述第二膜材料上层积有所述第一膜材料的所述基材的阶段；
或者，
(c-2)在第二运送路径具有
沿所述第一方向将被脱气的所述基材向第一成膜室引导，
在所述第一成膜室，在沿第一方向引导过程中的所述基材的所述第一面上将第三膜材料成膜，
沿所述第二方向向所述第二成膜室引导成膜有所述第三膜材料的所述基材，
在所述第二成膜室，在沿所述第二方向被引导过程中的所述基材的所述第一面的相反侧的第二面上，将第四膜材料成膜，
在所述第三辊室卷绕在所述第一面成膜有所述第三膜材料且在所述第二面形成有所述第四膜材料的所述基材的阶段。
9.如权利要求8所述的成膜方法，其特征在于，在所述第一运送路径中，在第二成膜室，在沿所述第一方向抽出的所述第一基材的所述第一面将第二膜材料成膜时，将支承所述第一膜材料标靶的所述第一成膜室的第一阴极电极从所述第一成膜室取出。
10.如权利要求8所述的成膜方法，其特征在于，在所述第一运送路径中，在第一成膜室，在沿所述第二方向抽出的所述第一基材的所述第一面上将第一膜材料成膜时，将支承所述第二膜材料标靶的所述第二成膜室的第二阴极电极从所述第二成膜室取出。
11.如权利要求8所述的成膜方法，其特征在于，所述第一膜材料是金属，所述第二膜材料是透明导电膜。
12.如权利要求8所述的成膜方法，其特征在于，所述第三膜材料是透明导电膜，所述第四膜材料是透明导电膜。
13.一种层积体，其特征在于，是在权利要求8所述的成膜方法中由所述第一运送路径得到的、将所述第二膜材料和所述第一膜材料按顺序在所述基材上层积的层积体。
14.如权利要求13所述的层积体，其特征在于，所述第一膜材料是金属，所述第二膜材料是透明导电膜。
15.一种层积体，其特征在于，是在权利要求8所述的成膜方法中由所述第二运送路径得到的、分别在所述基材的所述第一面成膜有所述第三膜材料、在所述第二面成膜有所述第四膜材料的层积体。
CN201210132151.3A 2011-04-28 2012-04-28 真空成膜方法和由该方法得到的层积体 Active CN102758190B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011100509 2011-04-28
JP2011-100509 2011-04-28
JP2012068801A JP5930791B2 (ja) 2011-04-28 2012-03-26 真空成膜方法、及び該方法によって得られる積層体
JP2012-068801 2012-03-26

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102758190A true CN102758190A (zh) 2012-10-31
CN102758190B CN102758190B (zh) 2017-07-25

Family

ID=46125167

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210132151.3A Active CN102758190B (zh) 2011-04-28 2012-04-28 真空成膜方法和由该方法得到的层积体

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9523147B2 (zh)
EP (1) EP2518762B1 (zh)
JP (1) JP5930791B2 (zh)
KR (1) KR102001044B1 (zh)
CN (1) CN102758190B (zh)
TW (1) TWI527917B (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105039925A (zh) * 2015-07-21 2015-11-11 赛柏利安工业技术（苏州）有限公司 独立可整体行走立式多层ito柔性基材自控卷绕系统
CN105593402A (zh) * 2013-10-10 2016-05-18 日东电工株式会社 溅射装置以及溅射装置的膜卷的更换方法
CN108118313A (zh) * 2016-11-28 2018-06-05 乐金显示有限公司 辊到辊制造设备和处理柔性膜的方法
CN115124031A (zh) * 2021-03-25 2022-09-30 电子科技大学 卷对卷制备系统及卷对卷制备方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6249606B2 (ja) * 2013-02-01 2017-12-20 東レエンジニアリング株式会社 薄膜形成装置
JPWO2014189094A1 (ja) * 2013-05-24 2017-02-23 コニカミノルタ株式会社 透明電極の製造装置、及び、電子デバイスの製造装置
JP2016166378A (ja) * 2013-07-11 2016-09-15 日産自動車株式会社 表面処理装置および表面処理方法
WO2017181096A1 (en) 2016-04-15 2017-10-19 Ebay Inc. Adopting data across different sites
JP2024005997A (ja) * 2022-06-30 2024-01-17 日東電工株式会社 透明導電性フィルムの製造方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3933644A (en) * 1972-03-23 1976-01-20 Varian Associates Sputter coating apparatus having improved target electrode structure
JPS62294174A (ja) * 1986-06-12 1987-12-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光デイスク製造装置
CN1349566A (zh) * 1999-03-04 2002-05-15 能源变换设备有限公司 用于通过物理汽相沉积和化学汽相沉积同时沉积的设备及其方法
CN101555589A (zh) * 2009-05-20 2009-10-14 哈尔滨商业大学 连续卷绕式磁控溅射双面陶瓷高阻隔膜装置
US20100261008A1 (en) * 2009-04-10 2010-10-14 Fujifilm Corporation Gas barrier film and method of producing the same
WO2011013939A2 (ko) * 2009-07-30 2011-02-03 지.텍(주) 연속 스퍼터링을 구현하는 롤투롤 스퍼터 장치 및 연속 스퍼터링 방법
CN101982031A (zh) * 2008-03-27 2011-02-23 株式会社普利司通 显示器用光学滤波器、其制造方法、具备显示器用光学滤波器的显示器以及等离子体显示面板
US20110171395A1 (en) * 2009-04-13 2011-07-14 Miasole Method of forming a sputtering target

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5421308A (en) * 1977-07-18 1979-02-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd Production of magnetic recording media
US4489124A (en) * 1981-04-06 1984-12-18 Olympus Optical Co Process for forming thin film, heat treatment process of thin film sheet, and heat treatment apparatus therefor
JPS57167137A (en) * 1981-04-06 1982-10-14 Olympus Optical Co Ltd Formation for thin film
EP0428358B1 (en) * 1989-11-13 1996-05-15 Optical Coating Laboratory, Inc. Geometries and configurations for magnetron sputtering apparatus
JPH0798854A (ja) 1993-09-30 1995-04-11 Kao Corp 磁気記録媒体の製造装置
JP4430165B2 (ja) * 1999-09-02 2010-03-10 日東電工株式会社 真空薄膜形成装置および真空薄膜形成方法
DE10157186C1 (de) * 2001-11-22 2003-01-16 Ardenne Anlagentech Gmbh Vakuumbeschichtungsanlage zum Beschichten von bandförmigen Material
EP1556902A4 (en) 2002-09-30 2009-07-29 Miasole MANUFACTURING DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING THIN FILM SOLAR CELLS IN A LARGE SCALE
IN266855B (zh) 2002-12-26 2015-06-09 Toppan Printing Co Ltd
JP4415584B2 (ja) 2003-03-14 2010-02-17 住友ベークライト株式会社 フィルム用真空成膜装置及びそれを用いたプラスチックフィルム
JP2005320599A (ja) * 2004-05-11 2005-11-17 Sumitomo Metal Mining Co Ltd カソード取付構造体、カソード取付構造体を用いた薄膜形成装置および薄膜形成方法
JP2005353191A (ja) * 2004-06-11 2005-12-22 Fuji Photo Film Co Ltd 磁気記録媒体の製造方法
JP4667471B2 (ja) 2007-01-18 2011-04-13 日東電工株式会社 透明導電性フィルム、その製造方法及びそれを備えたタッチパネル
US20090223551A1 (en) * 2008-03-04 2009-09-10 Solexant Corp. Process for making solar cells
KR20090120034A (ko) * 2008-05-19 2009-11-24 주식회사 디알테크넷 필름상 박막형성장치 및 방법
EP2216831A1 (en) * 2009-02-05 2010-08-11 Applied Materials, Inc. Modular PVD system for flex PV
JP2010236076A (ja) * 2009-03-31 2010-10-21 Fujifilm Corp 蒸着装置
CN101696487A (zh) * 2009-09-04 2010-04-21 中山市万丰胶粘电子有限公司 卷绕镀膜前处理工艺及装置
WO2011046050A1 (ja) * 2009-10-16 2011-04-21 東洋紡績株式会社 透明導電性フィルムの製造装置及び製造方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3933644A (en) * 1972-03-23 1976-01-20 Varian Associates Sputter coating apparatus having improved target electrode structure
JPS62294174A (ja) * 1986-06-12 1987-12-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光デイスク製造装置
CN1349566A (zh) * 1999-03-04 2002-05-15 能源变换设备有限公司 用于通过物理汽相沉积和化学汽相沉积同时沉积的设备及其方法
CN101982031A (zh) * 2008-03-27 2011-02-23 株式会社普利司通 显示器用光学滤波器、其制造方法、具备显示器用光学滤波器的显示器以及等离子体显示面板
US20100261008A1 (en) * 2009-04-10 2010-10-14 Fujifilm Corporation Gas barrier film and method of producing the same
US20110171395A1 (en) * 2009-04-13 2011-07-14 Miasole Method of forming a sputtering target
CN101555589A (zh) * 2009-05-20 2009-10-14 哈尔滨商业大学 连续卷绕式磁控溅射双面陶瓷高阻隔膜装置
WO2011013939A2 (ko) * 2009-07-30 2011-02-03 지.텍(주) 연속 스퍼터링을 구현하는 롤투롤 스퍼터 장치 및 연속 스퍼터링 방법

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
黄守伦: "《实用化学热处理与表面强化新技术》", 30 June 2002, 机械工业出版社 *

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105593402A (zh) * 2013-10-10 2016-05-18 日东电工株式会社 溅射装置以及溅射装置的膜卷的更换方法
CN105039925A (zh) * 2015-07-21 2015-11-11 赛柏利安工业技术（苏州）有限公司 独立可整体行走立式多层ito柔性基材自控卷绕系统
CN108118313A (zh) * 2016-11-28 2018-06-05 乐金显示有限公司 辊到辊制造设备和处理柔性膜的方法
US11008656B2 (en) 2016-11-28 2021-05-18 Lg Display Co., Ltd. Roll to roll fabrication apparatus for preventing thermal impact
CN108118313B (zh) * 2016-11-28 2021-07-23 乐金显示有限公司 辊到辊制造设备和处理柔性膜的方法
CN115124031A (zh) * 2021-03-25 2022-09-30 电子科技大学 卷对卷制备系统及卷对卷制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI527917B (zh) 2016-04-01
US9523147B2 (en) 2016-12-20
EP2518762A1 (en) 2012-10-31
CN102758190B (zh) 2017-07-25
KR20120122966A (ko) 2012-11-07
EP2518762B1 (en) 2016-08-10
US20120276396A1 (en) 2012-11-01
JP2012237057A (ja) 2012-12-06
TW201305359A (zh) 2013-02-01
JP5930791B2 (ja) 2016-06-08
KR102001044B1 (ko) 2019-07-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102758190A (zh) 真空成膜方法和由该方法得到的层积体
KR102048864B1 (ko) 양면 진공 성막 방법 및 이 방법에 의해 얻을 수 있는 적층체
CN102758189B (zh) 真空成膜方法及通过该方法得到的层叠体
KR102014932B1 (ko) 양면 진공 성막 방법 및 이 방법에 의해 얻을 수 있는 적층체
CN102899629B (zh) 双面真空成膜方法及利用该方法获得的层积体
US8623182B2 (en) Continuous vacuum deposition method
JP7324028B2 (ja) ガラス基材の搬送装置、積層ガラスの製造装置、および、積層ガラスの製造方法
KR20120122965A (ko) 진공성막 방법 및 이 방법에 따라 얻을 수 있는 적층체
JP6992213B2 (ja) 積層体、タッチセンサ、調光素子、光電変換素子、熱線制御部材、アンテナ、電磁波シールド部材および画像表示装置
CN112299091A (zh) 玻璃基材的输送装置、层叠玻璃的制造装置以及制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant