JP2016166378A - 表面処理装置および表面処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】１つのラインで複数の表面処理が可能な上、ラインの小型化を図り得る表面処理装置および表面処理方法を提供する。
【解決手段】表面処理装置１０は、長手方向に沿う一の搬送方向または一の搬送方向と逆方向に搬送されるシート状の長尺な基材１００と、搬送される基材に対し複数の表面処理を行う表面処理部１２０と、を有する。表面処理部は、一の搬送方向とこれと逆の搬送方向とで基材に対し異なる表面処理を行う。
【選択図】図１

Description

本発明は、表面処理装置および表面処理方法に関する。

固体高分子形燃料電池の主要部品である膜電極接合体について、量産に適した生産方法の検討がなされている。膜電極接合体は、高分子電解質膜およびこの両面に形成された触媒層、ならびにこれらを厚み方向から挟むガス拡散層を有する。

ガス拡散層は、概して、薄板形状を有する基材に対し成膜等の複数の表面処理を行うことによって作製される。例えば特許文献１に開示されているように、薄板形状を有する長尺な基材をロールトゥロール方式で搬送しつつ連続的に表面処理することによって、ガス拡散層の効率的な作製が期待できる。

特開２００４−２７２７２号公報

しかしながら、上で挙げた従来技術では基材が搬送される１つのラインで１つの表面処理だけしか行われず、ガス拡散層を作製する場合のように基材に対し複数の表面処理が行われない。

また、１つのラインで一方向だけに基材を一定速度で移動させ、その間に複数の表面処理を全て行おうとすると、複数の表面処理で共通して基材の搬送速度が一定となるため、それぞれ所望の表面処理を行うためにはその搬送速度に合わせた装置構成が必要になる。例えば一定速度で搬送される基材に対しスパッタリングによって成膜する場合、膜厚を厚くするためには基材の搬送方向に沿って長いターゲットを設けなければならない。

また、同時に行われる一の表面処理と他の表面処理とが互いに影響を及ぼし合わないようにするために、それぞれの表面処理を基材の搬送方向に離れた位置で行う必要があり、そのため基材の搬送距離が伸びる。

これらのことからラインが大型化し、その結果、設備投資やメンテナンス性悪化によってコストが増加する虞がある。

本発明は、このような課題に鑑みてなされたものであり、１つのラインで複数の表面処理が可能な上、ラインの小型化を図り得る表面処理装置および表面処理方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するための本発明の表面処理装置は、長手方向に沿う一の搬送方向またはこれと逆方向に搬送されるシート状の長尺な基材と、搬送される基材に対し複数の表面処理を行う表面処理部と、を有する。表面処理部は、一の搬送方向とこれと逆の搬送方向とで基材に対し異なる表面処理を行う。

上記目的を達成するための本発明の表面処理装置は、シート状の長尺な基材が巻回されて形成される、正逆両方向に回転可能な一のロールと、一のロールから引き出された基材が巻回されて形成される、正逆両方向に回転可能な他のロールと、を有する。表面処理装置は、これらのロール間で搬送される基材に対し複数の表面処理を行う表面処理部と、ロールの回転を制御する制御部と、を有する。制御部は、それらのロールの回転方向を切り替えることによって、基材の搬送方向を逆方向に切り替え、表面処理部は、搬送方向の切り替えの前後で基材に対し異なる表面処理を行う。

上記目的を達成するための本発明の表面処理方法は、シート状の長尺な基材を長手方向に搬送しつつ表面処理する表面処理工程を複数有する。一の表面処理工程の後、他の表面処理工程では、一の表面処理工程と逆方向に基材が搬送されつつ、基材に対し前記一の表面処理工程とは異なる表面処理が行われる。

本発明は、基材が搬送される１つのラインにおいて一の搬送方向に基材が搬送されるときとこれと逆方向に基材が搬送されるときとで異なる表面処理を別々に行う。このため、これら別々に行われる表面処理のそれぞれで所望の速度で基材を搬送でき、基材が一定速度で搬送されつつ全ての表面処理が同時に行われる場合のような搬送速度に合わせた装置構成が不要になる。また、別々に行われる表面処理について、それらの互いの影響を考慮して基材の搬送距離を長くしなくてもよい。

従って、本発明によれば、１つのラインで複数の表面処理が可能な上、ラインの小型化を図り得る。

第１実施形態の表面処理装置の概略構成を示す図である。 基材としての金網、ならびにその表面に形成される中間層および被覆層を模式的に示す断面図である。 第１実施形態の表面処理方法の概要を示すフローチャートである。 酸化膜を除去するとともに中間層を形成するときの第１実施形態の表面処理装置の動作を示す図である。 被覆層を形成するときの第１実施形態の表面処理装置の動作を示す図である。 第２実施形態の表面処理装置の概略構成を示す図である。 第２実施形態の表面処理方法の概要を示すフローチャートである。 酸化膜を除去するときの第２実施形態の表面処理装置の動作を示す図である。 中間層を形成するときの第２実施形態の表面処理装置の動作を示す図である。 被覆層を形成するときの第２実施形態の表面処理装置の動作を示す図である。

以下、添付した図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。なお、図面の寸法比率は、説明の都合上誇張されており、実際の比率と異なる。

＜第１実施形態＞
図１に示すように、第１実施形態の表面処理装置１０は、シート状の長尺な金網１００（基材）が巻回されて形成されるロール１０１（一のロール）と、ロール１０１から引き出された金網１００が巻回されて形成されるロール１０２（他のロール）と、を有する。金網１００は、例えば、ステンレス、アルミニウム、またはアルミニウム合金によって形成される。表面処理装置１０は、ロール１０１、ロール１０２、および金網１００が収容される真空炉１０３を有する。

表面処理装置１０は、ロール１０１、１０２に回転動力を与える駆動部１０４、１０５を有する。表面処理装置１０は、ロール１０１、１０２の間で搬送される金網１００を支持するサポートロール１０６を有する。表面処理装置１０は、金網１００を表面処理する表面処理部１２０を有する。表面処理装置１０は、金網１００を加熱するとともにバイアス電圧を印加するメインロール１０７（加熱部、電圧印加部）を有する。表面処理装置１０は、構成要素の動作を制御するコントローラ１０８（制御部）を有する。

真空炉１０３は、内部を排気する真空ポンプに接続している。アルゴン（Ａｒ）ガス等の不活性ガスが真空炉１０３内に導入される。

コントローラ１０８は、ロール１０１、１０２の回転を制御する。コントローラ１０８は、表面処理部１２０による金網１００の表面処理を制御する。コントローラ１０８は、メインロール１０７から金網１００に印加されるバイアス電圧、およびメインロール１０７によって加熱される金網１００の温度を制御する。

コントローラ１０８は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）およびメモリを主たる構成として含む。コントローラ１０８は、例えば、パーソナルコンピュータ、エンジニアリングワークステーション等である。

駆動部１０４、１０５は、モータである。駆動部１０４、１０５は、コントローラ１０８と電気的に接続している。コトローラ１０８は、駆動部１０４、１０５を制御することによって、ロール１０１、１０２の回転を制御する。ロール１０１、１０２はそれぞれ正逆両方向に回転可能である。金網１００は、ロール１０１、１０２が回転することよって、ロール１０１からロール１０２へ、またはその逆方向に搬送される。

サポートロール１０６およびメインロール１０７は、金網１００の搬送に従って回転する。サポートロール１０６およびメインロール１０７は、正逆両方向に回転可能である。金網１００はメインロール１０７に押し付けられるように接しつつ搬送される。

メインロール１０７は、電熱線を有するヒータを内部に有する。コントローラ１０８は、メインロール１０７の内部に備えられるヒータに電力を供給する電源１０９と電気的に接続する。コントローラ１０８は、電源１０９の出力を制御し、メインロール１０７に内蔵されるヒータの発熱量を制御する。これによって、メインロール１０７、ひいてはこれに接する金網１００の温度が調整される。金網１００の温度を測定する温度センサ（不図示）が、例えばメインロール１０７の近傍に設けられ、測定された温度に基づき金網１００の温度が調整されてもよい。

メインロール１０７は、バイアス電圧を生成する電源１１０に電気的に接続したブラシ１１１と摺接する。メインロール１０７の表面は導電性を有し、メインロール１０７とブラシ１１１とは電気的に接続する。金網１００がメインロール１０７と接することによって、バイアス電圧がメインロール１０７から金網１００に印加される。金網１００が搬送されメインロール１０７から離れると、金網１００へのバイアス電圧の印加が停止する。コントローラ１０８は電源１１０に電気的に接続している。コントローラ１０８は、電源１１０の出力を調整することによって、メインロール１０７から金網１００に印加されるバイアス電圧を調整する。

表面処理部１２０は、金網１００の表面の酸化膜を除去する酸化膜除去部１２１、ならびに金網１００に被膜を形成する成膜部１２４および成膜部１２７を含む。

酸化膜除去部１２１は、ボンバード処理によって金網１００の表面の酸化膜を除去する。酸化膜除去部１２１は、金網１００に向かってイオンビームを照射するイオンガン１２２と、イオンガン１２２と電気的に接続した電源１２３と、を有する。コントローラ１０８は電源１２３と電気的に接続している。コントローラ１０８は、イオンガン１２２から照射されるイオンの加速電圧を制御する。

酸化膜除去部１２１は、イオンガン１２２に代えて金網１００に対向する電極を備えてもよい。この場合、酸化膜除去部１２１は、電極と金網１００との間で高周波プラズマによって不活性ガスをイオン化し、それを金網１００の表面に当てることによって酸化膜を除去する。

成膜部１２４および成膜部１２７は、スパッタリング法によって金網１００に成膜する。

成膜部１２４は、金網１００に対向するターゲット１２５と、ターゲット１２５に電気的に接続した電源１２６と、を有する。ターゲット１２５は、クロム（Ｃｒ）によって形成される。コントローラ１０８は電源１２６と電気的に接続している。コントローラ１０８は、電源１２６からターゲット１２５に印加される電圧を制御する。

成膜部１２７は、金網１００に対向するターゲット１２８と、ターゲット１２８に電気的に接続した電源１２９と、を有する。ターゲット１２８は、炭素（Ｃ）によって形成される。コントローラ１０８は電源１２９と電気的に接続している。コントローラ１０８は、電源１２９からターゲット１２８に印加される電圧を制御する。

実施形態の表面処理方法を述べる。

図２に示すように、実施形態の表面処理によれば、金網１００の表面に中間層１３０が形成され、その上に被覆層１３１が形成される。中間層１３０はクロムからなる。被覆層１３１はダイヤモンドライクカーボン（以下、単にＤＬＣと称す）からなる。金網１００の表面の酸化膜は除去されている。金網１００は、中間層１３０および被覆層１３１が形成されて固体高分子形燃料電池のガス拡散層として用いられる。

図３に示すように、実施形態の表面処理方法は、金網１００の表面の酸化膜を除去するとともに中間層１３０を形成する第１の表面処理工程Ｓ１０と、その後、中間層１３０の上に被覆層１３１を形成する第２の表面処理工程Ｓ１１と、を有する。

図４に示すように、第１の表面処理工程Ｓ１０では、金網１００がロール１０１からロール１０２に搬送されつつ、酸化膜除去部１２１が金網１００の表面の酸化膜を連続的に除去する。また、第１の表面処理工程Ｓ１０では、成膜部１２４が、中間層１３０を金網１００に連続的に形成する。第１の表面処理工程Ｓ１０において、コントローラ１０８は成膜部１２７の動作を停止させている。

図５に示すように、第２の表面処理工程Ｓ１１では、金網１００の搬送方向が逆方向に切り替えられる。コントローラ１０８は、駆動部１０４、１０５を制御しロール１０１、１０２を逆回転させることによって、金網１００の搬送方向を逆方向に切り替える。

第２の表面処理工程Ｓ１１では、金網１００がロール１０２からロール１０１に搬送されつつ、成膜部１２７が被覆層１３１を連続的に形成する。このとき、コントローラ１０８が電源１０９、１１０の出力を制御することによって、メインロール１０７から金網１００に印加されるバイアス電圧および金網１００の温度が調整される。第２の表面処理工程Ｓ１１において、コントローラ１０８は、酸化膜除去部１２１および成膜部１２４の動作を停止させている。

第２の表面処理工程Ｓ１１における金網１００の搬送速度は、第１の表面処理工程Ｓ１０における搬送速度よりも大きい。コントローラ１０８がロール１０１、１０２の回転速度を上げることによって、金網１００の搬送速度が増加する。

金網１００の一方の面に中間層１３０および被覆層１３１が形成された後、作業者は、成膜されていない他方の面が表面処理部１２０と対向するようにロール１０１、１０２をセットし直す。成膜されていない他方の面に対し一方の面と同様の表面処理が行われることによって、金網１００の両面に中間層１３０および被覆層１３１が形成される。

本実施形態の作用効果を述べる。

本実施形態の比較例として、本実施形態と異なり第１の表面処理工程Ｓ１０および第２の表面処理工程Ｓ１１が同時に行われるとすると、全ての表面処理において金網１００が一定速度で搬送され、表面処理のそれぞれに適した速度で金網１００が搬送されない。その結果、例えば所望の膜厚を有する中間層１３０および被覆層１３１を形成するために金網１００の搬送方向に沿ってターゲット１２５、１２８の長さを長く設定する等、金網１００の搬送速度に合わせた装置構成が必要になる。また、本実施形態と異なり成膜部１２４による中間層１３０の形成および成膜部１２７による被覆層１３１の形成が同時に行われると、これらが互いに影響を及ぼし合わないようにするために、成膜部１２４、１２７を離隔させ、離れた位置で表面処理が行われるようにしなければならない。このため金網１００の搬送距離が伸びる。これらのことからラインが大型化し、その結果、設備投資やメンテナンス性悪化によってコストが増加する虞がある。

一方、本実施形態では、金網１００が一の搬送方向に搬送されるときとこれと逆方向に搬送されるときとで、第１の表面処理工程Ｓ１０と第２の表面処理工程Ｓ１１とが別々に行われる。このため、第１の表面処理工程Ｓ１０と第２の表面処理工程Ｓ１１とで、それぞれに適した速度で金網１００を搬送でき、金網１００が一定速度で搬送されつつ全ての表面処理が同時に行われる場合のような搬送速度に合わせた装置構成が不要になる。また、第１の表面処理工程Ｓ１０で行われる表面処理および第２の表面処理工程Ｓ１１で行われる表面処理について、それらの互いの影響を考慮して金網１００の搬送距離を長くしなくてもよい。従って、本実施形態によれば１つのラインで複数の表面処理が可能な上、ラインの小型化を図り得る。

本実施形態では表面処理が真空炉１０３内で行われ、真空引きに時間を要するが、ラインの小型化によって真空炉１０３の容積が抑えられる。その結果、真空引きの時間が短縮されるため、作業効率が向上する。

中間層１３０の上に被覆層１３１が形成されるため、金網１００と被覆層１３１との密着性が良好で、被覆層１３１が剥がれ難い。また、被覆層１３１が形成されるため、接触抵抗が低減する。

金網１００の表面の酸化膜が除去されるため、接触抵抗が低減する。

メインロール１０７から金網１００に印加されるバイアス電圧が調整されるため、所望の特性を有する被覆層１３１を形成するのに好適なバイアス電圧を印加できる。本実施形態では被覆層１３１がＤＬＣからなり、バイアス電圧が調整されることによってＤ／Ｇ比の高いＤＬＣが形成される。高いＤ／Ｇ比を有するＤＬＣは導電性に優れる。Ｄ／Ｇ比とは、炭素材料をラマン分光法によって分析したとき１３５０ｃｍ^-1付近で観察されるピーク（Ｄバンド）の強度と１５８４ｃｍ^-1付近で観察されるピーク（Ｇバンド）の強度との比である。被覆層１３１を形成するＤＬＣのＤ／Ｇ比は、例えば１．３以上である。

メインロール１０７によって金網１００の温度が調整されるため、所望の特性を有する被覆層１３１を形成するのに適した温度で成膜できる。本実施形態では被覆層１３１がＤＬＣからなり、このため、成膜の際に金網１００の温度が調整されることによって、Ｄ／Ｇ比が高く良好な導電性を有するＤＬＣが形成される。

中間層１３０がクロムによって形成されるため、ＳＵＳによって形成される金網１００とＤＬＣによって形成される被覆層１３１との密着性が良好で、ＤＬＣからなる被覆層１３１が剥がれ難い。

被覆層１３１がＤＬＣによって形成されるため、例えば被覆層１３１が金または白金等によって形成される場合に比べ、低コストで導電性および耐食性を確保できる。

基材として金網１００が用いられるため、固体高分子形燃料電池のガス拡散層に必要な導電性および多孔質性を確保できる。

＜第２実施形態＞
図６において概説すると、第２実施形態の表面処理装置２０は、第１実施形態において同時に行っていた酸化膜除去部１２１による酸化膜の除去および成膜部１２４による中間層１３０の形成を別々に行う点で、第１実施形態と異なる。

第２実施形態では第１実施形態に比べ酸化膜除去部１２１が成膜部１２４、１２７の近くに配置される。酸化膜除去部１２１自体の構成は第１実施形態と同様である。第２実施形態では第１実施形態に比べロール１０１とメインロール１０７との間の金網１００の搬送距離が短い。第２実施形態の真空炉２０３は第１実施形態に比べ小さい容積を有する。他の構成については、第２実施形態は、第１実施形態と略同様である。第１実施形態と同一の機能を有する構成要素に図中で同一の符号を付し、重複する説明を省略する。

図７に示すように、第２実施形態の表面処理方法は、金網１００の表面の酸化膜を除去する第１の表面処理工程Ｓ２０と、その後、中間層１３０を形成する第２の表面処理工程Ｓ２１と、その後、被覆層１３１を形成する第３の表面処理工程Ｓ２２と、を有する。

図８に示すように、第１の表面処理工程Ｓ２０では、金網１００がロール１０１からロール１０２に搬送されつつ、酸化膜除去部１２１が金網１００の表面の酸化膜を連続的に除去する。このとき、コントローラ１０８は、成膜部１２４、１２７の動作を停止させている。

図９に示すように、第２の表面処理工程Ｓ２１では、金網１００の搬送方向が第１の表面処理工程Ｓ２０と逆方向に切り替えられる。第２の表面処理工程Ｓ２１における金網１００の搬送速度は、第１の表面処理工程Ｓ２０よりも小さい。コントローラ１０８がロール１０１、１０２の回転速度を下げることによって、金網１００の搬送速度が低下する。

第２の表面処理工程Ｓ２１では、金網１００がロール１０２からロール１０１に搬送されつつ、成膜部１２４が中間層１３０を金網１００に連続的に形成する。第２の表面処理工程Ｓ２１において、コントローラ１０８は、酸化膜除去部１２１および成膜部１２７の動作を停止させている。

図１０に示すように、第３の表面処理工程Ｓ２２では、金網１００の搬送方向が第２の表面処理工程Ｓ２１と逆方向に切り替えられる。第３の表面処理工程Ｓ２２における金網１００の搬送速度は、第２の表面処理工程Ｓ２１よりも大きい。

第３の表面処理工程Ｓ２２では、金網１００がロール１０１からロール１０２に搬送されつつ、成膜部１２７が被覆層１３１を金網１００に連続的に形成する。このとき、コントローラ１０８が電源１０９、１１０の出力を制御することによってメインロール１０７から金網１００に印加されるバイアス電圧および金網１００の温度が調整される。第３の表面処理工程Ｓ２２において、コントローラ１０８は、酸化膜除去部１２１および成膜部１２４の動作を停止させている。

本実施形態では、第１実施形態と異なり、金網１００の酸化膜除去と中間層１３０の形成とが、金網１００が互いに逆の搬送方向に搬送されて別々に行われる。このため、それぞれの表面処理に好適な速度で金網１００を搬送でき、例えばターゲット１２５の長さを長く設定する等、搬送速度に合わせた装置構成が不要である。また、表面処理同士が互いに影響を及ぼし合わないので、酸化膜除去部１２１および成膜部１２４、１２７が近くに配置され、金網１００の搬送距離が短縮される。従って、本実施形態は、第１実施形態の効果に加え、ラインをより小型化できるという効果を奏する。

またラインの小型化によって真空炉２０３の容積がさらに抑えられるため、真空引きの時間が短縮されて作業効率が向上する。

本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲の範囲内で種々改変できる。

例えば、被覆層１３１を形成する材料は、ダイヤモンドライクカーボンに限定されず、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｎｂ等であってもよい。また、中間層１３０を形成する材料は、Ｃｒに限定されず、例えばＴｉ、またはこれらの炭化物もしくは窒化物であってもよい。

被覆層１３１および中間層１３０の形成方法は、スパッタリング法に限定されず、イオンプレーティング法等の他のＰＶＤ法（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；物理気相成長法または物理的蒸着法）であってもよい。

基材は、金網１００に限定されず、例えば、パンチングメタル、エッチングメタル、およびエキスパンドメタル等であってもよい。

上記実施形態では、被覆層１３１が形成される際に金網１００に印加されるバイアス電圧および金網１００の温度の両方が調整されたが、本発明は、これに限定されず、これらのうちの一方だけが調整される形態を含む。

１０、２０ 表面処理装置、
１００ 金網（基材）、
１０１ ロール（一のロール）、
１０２ ロール（他のロール）、
１０３、２０３ 真空炉、
１０４、１０５ 駆動部、
１０６ サポートロール、
１０７ メインロール（電圧印加部、加熱部）、
１０８ コントローラ（制御部）、
１０９ 電源、
１１０ 電源、
１１１ ブラシ、
１２０ 表面処理部、
１２１ 酸化膜除去部、
１２２ イオンガン、
１２３ 電源、
１２４ 成膜部、
１２５ ターゲット、
１２６ 電源、
１２７ 成膜部、
１２８ ターゲット、
１２９ 電源、
１３０ 中間層、
１３１ 被覆層。

Claims (13)

1. 長手方向に沿う一の搬送方向または当該一の搬送方向と逆方向に搬送されるシート状の長尺な基材と、
   搬送される前記基材に対し複数の表面処理を行う表面処理部と、を有し、
   当該表面処理部は、前記一の搬送方向と前記逆方向とで前記基材に対し異なる表面処理を行う、表面処理装置。
2. シート状の長尺な基材が巻回されて形成される、正逆両方向に回転可能な一のロールと、
   前記一のロールから引き出された前記基材が巻回されて形成される、正逆両方向に回転可能な他のロールと、
   前記一のロールおよび前記他のロールの間で搬送される前記基材に対し複数の表面処理を行う表面処理部と、
   前記一のロールおよび前記他のロールの回転を制御する制御部と、を有し、
   当該制御部は、前記一のロールおよび前記他のロールの回転方向を切り替えることによって、前記基材の搬送方向を逆方向に切り替え、
   前記表面処理部は、当該切り替えの前後で前記基材に対し異なる表面処理を行う、表面処理装置。
3. 前記表面処理部は、一の前記搬送方向に搬送される前記基材の表面に中間層を形成し、その後、前記一の搬送方向と逆方向に搬送される前記基材に対し、前記中間層の上に被覆層を形成する、請求項１または請求項２に記載の表面処理装置。
4. 前記表面処理部は、前記中間層を形成する前、前記一の搬送方向と逆方向に搬送される前記基材の表面の酸化膜を除去する、請求項３に記載の表面処理装置。
5. 前記基材にバイアス電圧を印加する電圧印加部、および前記基材を加熱する加熱部のうちの少なくとも一方を有し、
   前記電圧印加部および前記加熱部のうちの少なくとも一方からの出力が制御されることによって、前記基材に印加される前記バイアス電圧および前記基材の温度のうちの少なくとも一方が調整される、請求項３または請求項４に記載の表面処理装置。
6. 前記加熱部を有し、前記基材の温度が調整される、請求項５に記載の表面処理装置。
7. 前記中間層はクロムからなる、請求項３〜請求項６のうちのいずれか１つに記載の表面処理装置。
8. 前記被覆層はダイヤモンドライクカーボンからなる、請求項３〜請求項７のうちのいずれか１つに記載の表面処理装置。
9. 前記基材は金網からなる、請求項１〜請求項８のうちのいずれか１つに記載の表面処理装置。
10. シート状の長尺な基材を長手方向に搬送しつつ表面処理する表面処理工程を複数有し、
    一の前記表面処理工程の後、他の前記表面処理工程において、前記一の表面処理工程と逆方向に前記基材を搬送しつつ、前記基材に対し前記一の表面処理工程と異なる表面処理を行う、表面処理方法。
11. 一の前記表面処理工程において前記基材の表面に中間層を形成し、その後、他の前記表面処理工程において前記中間層の上に被覆層を形成する、請求項１０に記載の表面処理方法。
12. 前記中間層を形成する前記表面処理工程の前、当該表面処理工程と逆方向に前記基材を搬送しつつ前記基材の表面の酸化膜を除去する表面処理工程を有する、請求項１１に記載の表面処理方法。
13. 前記表面処理工程において、前記基材に印加されるバイアス電圧および前記基材の温度のうちの少なくとも一方を調整する、請求項１１または請求項１２に記載の表面処理方法。