CN102749532A - 老化试验方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的老化试验方法构成为将多个光源元件和用于对来自多个光源元件的每一个的光输出进行监测的多个光检测器装入夹具台，在至少将多个光源元件和多个光检测器浸渍在绝缘性的液体中的状态下对多个光源元件进行通电来进行，因此能够在短时间保持稳定的温度，能够维持相对于通常的负载条件不乖离的温度，不对元件造成损伤来进行光源单元芯片的合格品和不合格品的分选试验。

Description

老化试验方法
技术领域
本发明涉及实施作为对元件的筛选是有效的通电试验的老化试验（burn-in test）的方法。特别是本发明涉及具备热辅助磁记录用光源的光源单元的老化试验方法。
背景技术
在使用磁头和介质的磁记录的领域中，伴随着磁盘装置的高记录密度化，要求薄膜磁头和磁记录介质的进一步提高。作为薄膜磁头，现在广泛使用由读出用的磁阻（MR）元件和写入用的电磁变换元件层叠起来的结构构成的复合型薄膜磁头。
另一方面，磁记录介质是可以说是磁性微粒子集合起来的不连续体，各个磁性微粒子成为单磁区结构。在这里，1个记录位由多个磁性微粒子构成。因此，为了提高记录密度，必须缩小磁性微粒子，使记录位的边界的凹凸减少。可是，当缩小磁性微粒子时，伴随体积减少的磁化的热稳定性下降成为问题。
作为该问题的对策，考虑增大磁性微粒子的磁各向异性能量Ku。可是，该Ku的增加导致磁记录介质的各向异性磁场（矫顽磁力）增加。相对于此，通过薄膜磁头进行的写入磁场强度的上限，被构成磁头内的磁芯的软磁性材料的饱和磁通密度大致决定。因此，当磁记录介质的各向异性磁场超过根据该写入磁场强度的上限决定的容许值时，不能进行写入。现在，作为解决这样的热稳定性问题的1个方法，提出了所谓热辅助磁记录方式，其使用Ku大的磁性材料，另一方面通过在施加写入磁场稍前对磁记录介质赋予热，从而减小各向异性磁场来进行写入。
在该热辅助磁记录方式中，使用作为从通过照射的激光而激励的等离子体激元（plasmon）来生成Near-Field的金属片的Near-Field探针、即所谓的等离子体激元天线的方法是通常为人所知的。
在该热辅助磁记录方式中，为了稳定地对所希望的位置供给充分高强度的光，关键是在磁头内的何处且以什么方式设置高输出的光源。
关于该光源的设置，例如在美国专利第7538978号说明书（US Patent No.7,538,978 B2）中，公开了将包含激光二极管的激光单元搭载在滑橇（slider）的背面的结构，此外，在美国专利申请公开第2008/0056073号说明书（UP Patent Publication No.2008/0056073 A1）中，公开了将在激光二极管元件单片地集成有反射镜的结构体搭载在滑橇的背面的结构。
进而，本申请发明者们提出了将具备光源的光源单元连接在具备磁头元件的滑橇的介质相向面的相反面的端面（背面）而构成的所谓“复合滑橇构造”的热辅助磁记录头。
这样的“复合滑橇构造”例如在美国专利申请公开第2008/043360号说明书（UP Patent Publication No.2008/043360 A1）和美国专利申请公开第2009/052078号说明书（UP Patent Publication No.2009/052078 A1）中公开。
而且，在“复合滑橇构造”的热辅助磁记录头中，存在以下的（1）~（4）所示的优点。
（1）因为在滑橇中介质相向面与集成面垂直，所以与现有的薄膜磁头的制造工序的亲和性良好，
（2）能够使光源远离介质相向面，能够回避在工作中对光源直接造成机械的冲击的事态，
（3）在磁头内，因为不需要设置光拾取透镜（optical pickup lens）等的要求非常高精度的光学部件，以及为了光纤等的连接而要求特别构造的光学部件，所以能够减少制造工时，是低成本的，
（4）关于制造工序中的特性评价和可靠性评价，例如能够分别个别地评价作为光源的激光二极管和磁头元件，结果，能够避免将光源和磁头元件全部设置在滑橇内的情况下的、光源的成品率与滑橇的成品率乘积地造成影响导致磁头整体的成品率显著降低的事态。
在这里，考察进行光源特别是具备激光二极管的光源单元的可靠性评价。作为这样的光源的可靠性评价，进行老化试验是有效的。在这里，老化试验是用于对实验对象（在这里是光源单元具备的激光二极管）通电，在通电的状态下对试验对象的1个特性在高温下（例如80℃的加热条件下）的经时变化进行计测、评价，进行试验对象的筛选的试验。
可是，这样的老化试验为了对1个激光二极管进行评价，需要例如数小时~数十小时的非常长的时间。
因此，作为其对策，以在光源的制造工序中切断分离成各个光源芯片之前的条（bar）的状态并行地评价多个激光二极管是非常有效的。通过进行这样的并行处理，能够一次实施大量的激光二极管的老化试验，能够实现评价工序的工时和时间的大幅缩短。
可是，在切断分割为各个光源芯片之前的条的状态下，将供电用的探针同时接触到在该条设置的多个激光二极管用的大量的电极是非常困难的。此外，假使即使对条等的结构进行设计，能够将供电用的探针同时接触到上述多个激光二极管用的大量的电极，也产生以下的问题。
即，例如在将条的长度设为80mm的情况下，在1个条中可能存在例如100~200个激光二极管（LD芯片）。
激光二极管典型地使用具有100mW左右的光输出的类型。在这里，通常的是投入功率相对于光输出为3倍左右的激光二极管，在该情况下，200mW变换为焦耳热。假设在同时使100个元件发光的情况下，相当于20W的热量集中在搭载LD芯片的体积小的条中。
在这样的热不能对与条相接的夹具有效地散热的情况下，LD芯片的温度相对于实验环境温度的乖离变得剧烈，产生不能正确地评价的问题。在最坏的情况下，对LD芯片施加巨大的热应力，芯片自身有可能被破坏。
因此，考虑对与条相接的夹具施加用于散热的结构上的设计，但组装条等的夹具的结构变得复杂。
发明内容
本发明正是基于这样的实际情况而提出的，其目的在于提出一种原样维持简易的装置结构，能够在短时间保持稳定的温度，维持相对于通常的负荷条件不乖离的温度，不对元件造成损害而能够进行光源单元芯片的合格品和不合格品的分选试验的老化试验方法和试验装置。
在构思本发明时，本发明者们考虑到为了将供电用的探针同时接触到大量的电极，预先准备努力设计而形成的光源元件配置用条，在该光源元件配置用条上，将从上述条的状态切断成各个光源单元芯片的光源单元芯片依次排列，如果能够将供电用的探针接触到在光源元件配置用条上设置的多个激光二极管用的大量的电极的话是极有意义的。而且，考虑到通过像这样进行多个光源单元芯片的并行处理，能够容易地一次实施大量的激光二极管的老化试验，能够大幅缩短评价工序的工时和时间，从而提出了US Seria1.No.12/958,692的申请（申请日：2010.08.10）。
本发明是进一步发展了上述已申请发明的发明，提出了能够避免上述那样大量的热量集中于搭载LD芯片的体积小的光源元件配置用条，在短时间保持稳定的温度，维持相对于通常的负荷条件不乖离的温度，不对元件造成损害而能够进行光源单元芯片的合格品和不合格品的分选试验的老化试验方法。
即，本发明的老化试验方法构成为以如下方式进行，将多个光源元件和用于对来自多个光源元件的每一个的光输出进行监测的多个光检测器装入夹具台，在至少使所述多个光源元件和所述多个光检测器浸渍在绝缘性的液体中的状态下，对所述多个光源元件通电。
此外，作为本发明的老化试验方法的优选方式，构成为所述绝缘性的液体，是具备相对于600~1000nm波长的光，每1mm厚度具有99.9%以上的透射率的物理性质的液体。
此外，作为本发明的老化试验方法的优选方式，构成为所述绝缘性的液体受到搅拌作用。
此外，作为本发明的老化试验方法的优选方式，构成为所述多个光源元件成列配置在作为基板的光源元件配置用条上，各光检测器相对于各光源元件的发光面相向配置。
此外，作为本发明的老化试验方法的优选方式，构成为成列配置在所述光源元件配置用条上的多个光源元件通过分割成包含1个光源元件的1个单元，从而构成为具备设置在单元基板的作为光源元件的激光二极管的热辅助磁记录用的光源单元。
此外，作为本发明的老化试验方法的优选方式，构成为所述光源元件是激光二极管，所述光检测器是光电二极管。
此外，作为本发明的老化试验方法的优选方式，构成为所述激光二极管具有上电极和下电极，所述光源元件配置用条具备与激光二极管的下电极电连接的引出下电极，使上电极用的片状探针和下电极用的片状探针分别接触于上电极及引出下电极，经由上电极用的片状探针及上电极与下电极用的片状探针及引出下电极，对激光二极管进行通电。
此外，作为本发明的老化试验方法的优选方式，构成为对所述激光二极管进行通电，对从该激光二极管获得规定的光输出所需要对该激光二极管供给的电流的时间变化进行计测。
用于实施上述的老化试验方法的一种试验装置，构成为具备：夹具台，构成为以对于光源元件的发光面相向配置的方式固定光检测器；片状探针组，交替地配置有上电极用的片状探针和下电极用的片状探针；控制器，接受来自光检测器的测定输出，控制对光检测器供给的电流，控制并计测电流；以及容器主体，构成为能够收容夹具台，并且贮存绝缘性的液体，所述夹具台构成为能够以可拆装的方式对配置有光源元件的光源元件配置用条进行固定，通过在所述容器主体中贮存绝缘性的液体，从而将在所述夹具台安装的光源元件和光检测器浸渍在绝缘性的液体中。
附图说明
图1是表示本发明的热辅助磁记录头的一个实施方式的立体图。
图2是概略地表示热辅助磁记录头中的滑橇的磁头元件部、光源单元的激光二极管以及其周围的结构的图，是根据图1的A-A面的剖面图。
图3是概略地表示波导、近场光发生元件和主磁极的结构的立体图。
图4是概略地表示本发明的磁盘装置的一个实施方式的要部的结构的立体图。
图5是概略地表示本发明的磁头悬架组件（HGA）的一个实施方式的要部的结构的立体图。
图6A至图6C是概略地表示在汇总多个与热辅助磁记录头接合使用的光源单元进行老化试验时，要筛选的被检查对象的制造方法的一个实施方式的立体图。
图7是用于说明本发明的老化试验方法的要部的图，是老化试验装置的立体图。
图8是图7的正面图，是观察X-Z平面的图。
图9A和图9B是用于说明老化试验后的光源单元的处理的立体图。
图10A和图10B分别是在老化试验中使用的片状探针的结构的剖面图和下表面图。
图11是用于说明在老化试验中使用的片状探针与各电极的接触状态的概略图。
具体实施方式
以下，针对用于实施本发明的方式，参照附图详细地进行说明。
在针对本发明的老化试验方法进行说明之前，针对将作为老化试验的对象的光源元件适宜地使用的热辅助磁记录头的构造进行说明。
本发明的磁记录头的滑橇基板的集成面或单元基板的光源设置面形成的层叠构造或元件构造中，从成为基准的层或元件来看，将基板侧设为“下方”，将其相反侧设为“上方”。此外，在本发明的光源单元及磁记录头的实施方式中，根据需要，在数个图中规定了“X、Y及Z轴方向”。在这里，Z轴方向是上述的“上下方向”，+Z侧相当于尾端（trailing）侧，-Z相当于前端（leading）侧。此外，将Y轴方向设为磁道宽度方向。
再有，在各附图中，同一要素使用同一参照符号来表示。此外，为了附图的可观看性，附图中的结构要素以及结构要素间的尺寸比分别是任意的。
图1是表示适宜地使用作为本发明的老化试验的对象的光源元件的热辅助磁记录头的一个实施方式的立体图。
如图1所示，热辅助磁记录头21通过将光源单元23和滑橇22位置对准并连接而构成，光源单元23具备作为成为热辅助用光源的光源元件的激光二极管40，滑橇22具备光学系统31。
滑橇22具备：具有作为以获得适当的浮起量的方式加工的介质相向面的浮起面（ABS）2200的滑橇基板220；在与ABS2200垂直并与ABS2200相邻的集成面2202上形成的包含光学系统31的磁头元件部221。
光源单元23具备：具有粘接面2300的单元基板230；在与粘接面2300垂直并与粘接面2300相邻的光源设置面2302上设置的作为光源元件的激光二极管40。
这些滑橇22和光源单元23以使滑橇基板220的ABS2200的相反侧的背面2201与单元基板230的粘接面2300相向，在其间夹着作为粘接层的焊料层58的方式而相互粘接。
（针对光源单元23的说明）
在图1所示的光源单元23中，作为光源元件的激光二极管40并不限定于该元件形态，但优选采用端面发光型的半导体激光二极管。端面发光型的半导体激光二极管40具有辐射热辅助用的激光的发光中心4000，发光中心4000以与光点尺寸变换元件43的受光端面430相向的方式设置在单元基板230的光源设置面2302。
此外，优选激光二极管40将p电极40i（参照图2）作为底（朝向光源设置面2302）粘接于单元基板230。通常，在端面发光型的半导体激光二极管中，最发热的活性层（发光中心）附近偏向p电极侧存在。因此，通过将p电极40i作为底，从而活性层更接近单元基板230，结果能够将单元基板230作为热沉而更有效地使其发挥功能。
像这样，在以p电极40i为底来设置激光二极管40的情况下，激光二极管40的上表面成为作为上电极的n电极40a（参照图2）的表面。在这里，在后面详述的激光二极管40的老化试验中，优选使片状探针与该n电极40a抵接。
进而，优选如图1所示那样，构成为在光源单元23的光源设置面2302设置有光源电极410和引出电极411。光源电极410是与激光二极管40的p电极40i（参照图2）直接电连接的电极。
引出电极411是从光源电极410引出的下电极，在后面详述的激光二极管40的老化试验中，是片状探针接触的电极。作为下电极的引出电极411的表面粗糙度Ra的优选方式如后面说明的那样，优选以成为比作为上电极的n电极40a的表面粗糙度Ra小的值的方式来设定。
引出电极411和激光二极管40的n电极40a构成为通过引线键合、焊料球键合（SBB）等的方法而电连接于磁头悬架组件（HGA）17（参照图5）的布线构件203的连接焊盘，由此电力被供给到激光二极管40。
再有优选这些光源电极410和引出电极411设置在绝缘层56上，与单元基板230电绝缘，该绝缘层56设置在光源设置面2302上并由Al2O3（氧化铝）、SiO2等的绝缘材料形成。
这样的光源电极410和引出电极411优选构成为包括：例如使用溅射法或蒸镀法等形成的厚度10nm（纳米）左右的Ta、Ti等构成的基底层，以及在该基底层上例如使用溅射法、电镀法或蒸镀法等形成的例如厚度1~5μm（微米）左右的Au、Cu、Au合金等的导电材料构成的导电层。
进而，如图1所示，单元基板230优选以AlTiC（Al2O3-TiC）、SiO2等的陶瓷材料形成，或者以Si、GaAs、SiC等的半导体材料形成。在单元基板230以这些半导体材料形成的情况下，在以焊料层58（参照图2）粘接光源单元23和滑橇22时，能够将Nd-YAG激光等的光以透射光源单元23的方式照射焊料层58来使焊料层58熔融。
此外，单元基板230具有比滑橇基板220小一圈的大小。但是，单元基板230的磁道宽度方向（Y轴方向）的宽度WUN比激光二极管40的磁道宽度方向（Y轴方向）的宽度WLA大，即使在光源电极410上设置激光二极管40，引出电极411也以在光源设置面2302上露出的方式而设置。
例如，在滑橇基板220中使用飞米滑橇（femto slider）的情况下，作为单元基板230，能够使用（X轴方向的）厚度TUN是320μm，磁道宽度方向的宽度WUN是350μm，（Z轴方向的）长度LUN是250μm尺寸的结构。
（针对滑橇的说明）
接着，针对滑橇的结构进行说明。
在图1所示的滑橇22中，在集成面2202上形成的磁头元件部221构成为具有：磁头元件32，其构成为具有用于从磁盘10（参照图4）读出数据的MR元件33和用于对磁盘10写入数据的电磁变换元件34；光点尺寸变换元件43，接收从激光二极管40的发光中心4000辐射的激光，对该激光的光点尺寸进行变换（以变小的方式变换）后将该激光导向波导35；波导35，将光点尺寸被变换了的激光引导至作为介质相向面的磁头端面2210或其附近；近场光发生元件36，与在波导35中传播的激光耦合，使热辅助用的近场光产生；以及保护层38，以覆盖磁头元件32、光点尺寸变换元件43、波导35和近场光发生元件36的方式形成在集成面2202上。
在这样的结构中，磁头21（磁头元件部221）内的近场光生成用的光学系统31构成为具有：光点尺寸变换元件43、波导35、近场光发生元件36。
再有，光点尺寸变换元件43和波导35的 周围被保护层38覆盖，在光的传播中发挥作为核芯的功能。另一方面，覆盖周围的保护层38部分发挥作为包覆层的功能。
MR元件33、电磁变换元件34以及近场光发生元件36的一端达到作为介质相向面的磁头端面2210。在这里，该磁头端面2210和ABS2200形成热辅助磁记录头21整体的介质相向面。
在实际的写入或读出时，热辅助磁记录头21构成为在旋转的磁盘10的表面上浮起流体力学的规定的浮起量。这时，MR元件33和电磁变换元件34各自的一端构成为与磁盘10的磁记录层的表面隔着适当的磁间距（magnetic spacing）而相向。而且，在这样的状态下，MR元件33以感测来自磁记录层的数据信号磁场进行读出的方式而发挥作用，电磁变换元件34以对磁记录层施加数据信号磁场来进行写入的方式而发挥作用。
在这里，在写入时，从光源单元23的激光二极管40通过光点尺寸变换元件43和波导35传播来的激光，在近场光发生元件36变换成近场光62（参照图3）。该近场光62被照射到磁记录层的进行写入的部分，以对该磁记录层的部分进行加热的方式而发挥作用。通过该加热，该部分的各向异性磁场（磁矫顽力）降低到能够进行写入的值，通过对该下降的部分利用电磁变换元件34施加写入磁场，从而能够进行热辅助磁记录。
此外，如图1所示，光点尺寸变换元件43是能够以具有磁道宽度方向（Y轴方向）的宽度WSC的受光端面430来接收从激光二极管40辐射的激光，并且在尽可能地低损失地变换成更小的光点直径的激光后，引导至波导35的受光端面352的光学元件。
光点尺寸变换元件43在本实施方式中例如构成为具有：下部传播层431，沿着从受光端面430入射的激光的行进方向（-X方向），磁道宽度方向（Y轴方向）的宽度从宽度WSC起渐渐地变狭窄；以及上部传播层432，同样地沿着激光的行进方向（-X方向），与下部传播层431相比磁道宽度方向（Y轴方向）的宽度从宽度WSC起更急剧地变小。
而且，构成为从受光端面430入射的激光伴随着在这样的层叠构造中传播而渐渐地使其光电尺寸变小，而到达波导35的受光端面352。
再有，光点尺寸变换元件43的受光端面430的位置的宽度WSC例如能够采用1~10μm左右。此外，受光端面430位置的（Z轴方向的）厚度TSC例如能够采用1~10μm左右。进而，光点尺寸变换元件43由具有比覆盖周围的保护层38的构成材料的折射率noc更高的折射率的材料构成，能够以与构成后述的波导35的电介质材料相同的材料来形成。在该情况下，这些光点尺寸变换元件43和波导35是不同体的也可，也可以整体形成。
此外，波导35在本实施方式中优选从接收从光点尺寸变换元件43辐射的激光的受光端面352到磁头端面2210侧的端面350为止与集成面2202平行地伸长。在这里，端面350成为磁头端面2210的一部分也可，或从磁头端面2210后退规定的距离也可。此外，如图3所示，波导35的一侧面的端面350附近部分与近场光发生元件36相向。而且，从受光端面352入射并在波导35中传播的激光（波导光）到达与该近场光发生元件36相向的部分，能够与近场光发生元件36耦合。
进而，如图1所示，在滑橇22的保护层38的上表面上，设置有作为磁头元件32用的一对端子电极370和一对端子电极371。而且，这些端子电极370和371通过引线键合、SBB等的方法与设置在HGA17（参照图5）的布线构件203的连接焊盘电连接。
此外，滑橇基板220例如能够采用作为（X轴方向的）厚度TSL是230μm，磁道宽度方向（Y轴方向）的宽度WSL是700μm，（Z轴方向的）长度LSL是850μm的所谓飞米滑橇。
飞米滑橇通常作为能够应对高记录密度的薄膜磁头的基板而采用，具有现在使用的滑橇中的最小的尺寸规格。再有，滑橇基板220能够以AlTiC（Al2O3-TiC）、SiO2等的陶瓷材料来形成。
(针对热辅助磁记录头的说明)
上述那样的热辅助磁记录头21作为优选例具有将滑橇22和光源单元23相互连接并粘接的结构。因此，通过分别个别地制造滑橇22和光源单元23，将它们组合，从而制造磁头21。
结果，例如预先进行光源单元23的特性评价、可靠性评价，仅将合格品搭载在磁头使用即可。通过这样的操作，避免磁头制造工序中的磁头21自身的制造成品率由于光源单元23的不合格品率而受到严重的影响。
在这里，作为较大地影响光源单元23的评价的事项，举出激光二极管40的发光工作特性，特别是该发光工作特性的经时稳定性。通过在制造工序的上游检查这样的对制造成品率可能造成较大影响的事项，对光源单元23进行筛选、分选，从而能够避免磁头21自身的制造成品率的降低。
根据后面详细叙述的本发明的老化试验，能够稳定地一次性大量地（经济地）实施对于进行包含光源元件（激光二极管40）的光源单元23的筛选、分选来说是重要的可靠性评价，特别是激光二极管40的发光工作特性的经时稳定性评价。特别是在本发明中，能够在短时间保持稳定的温度，维持相对于通常的负载条件不乖离的温度（尽力抑制温度上升），不对元件造成损伤来进行光源单元芯片的合格品和不合格品的分选试验。
（针对作为光源的激光二极管40的说明）
图2是概略地表示热辅助磁记录头21中的滑橇22的磁头元件部221、光源单元23的激光二极管40、以及其周围的结构的图，是图1的A-A剖面图。
在图2中作为优选例示出的激光二极管40是端面发光型的激光二极管40。作为端面发光型的激光二极管40，例如能够使用InP类、GaAs类、GaN类等的通信用、光学类盘存储用或材料分析用等通常使用的激光二极管。
此外，辐射的激光波长λL例如能够设定为375nm~1.7μm的范围内的值。图2所示的激光二极管40例如具有从上表面侧起依次层叠有n电极40a、n-GaAs基板40b、n-InGaAlP包覆层40c、第1的InGaAlP引导层40d、多重量子阱（InGaP/InGaAlP）等构成的活性层40e、第2的InGaAlP引导层40f、p-InGaAlP包覆层40g、p电极基底层40h、以及p电极40i的结构。
进而，在该激光二极管40的多层结构的劈开面的前后，形成有用于通过全反射激励振荡的反射层510和511。在这里，发光中心4000存在于反射层510的活性层40e的位置。此外，在本实施方式中，n电极40a优选采用在N-GaAs基板40b上形成的厚度例如是0.1μm左右的Au或Au合金层。
激光二极管40的结构并不限定于上述的结构，可以是各种各样的方式。可是，在任何情况下都优选在激光二极管40的设置中，将p电极40i作为底面并与光源电极410粘接。在端面发光型的激光二极管中，通常活性层40e（发光中心4000）在层叠方向（Z轴方向）位于比n电极40a接近p电极40i的位置。因此，通过将更接近于在工作时发热量最多的活性层40e的p电极40i作为底面来设置激光二极管40，从而能够使单元基板230作为光源的热沉更有效地发挥功能。实际上，激光二极管40产生的热量的适当的处理，对于为了正常地维持激光二极管40、其它的磁头内的元件的工作是非常重要的。
此外，在该激光二极管40的驱动中，能够使用磁盘装置内的电源。磁盘装置通常例如具备2~5V左右的电源，具有对于激光振荡工作是充分的电压。
再有，优选激光二极管40的宽度WLA（参照图1）例如设为150~250μm左右。此外，激光二极管40的长度LLA优选与作为反射层510和511之间的距离的谐振器长度大致相当，例如设定为300μm或其以上。
此外，优选激光二极管40的高度HLA（参照图2）设定为40~100μm的范围内的值。该高度HLA相当于n电极40a与引出电极411的（Z轴方向的）高低差（Z方向的距离）。在后述的老化试验中，在电极具有该范围内的高低差的情况下，优选相对地调整接触片状探针的电极的表面粗糙度Ra。通过调整电极的表面粗糙度Ra，从而能够使片状探针与电极的接触状态稳定，能够实施更良好的老化试验，因此优选。
进而，如图2所示，优选激光二极管40的p电极40i与单元基板230上的光源电极410的粘接例如通过作为无铅焊料的1种的AuSn合金等的焊接来实施。进而，滑橇22和光源单元23以使滑橇基板220的背面2201与单元基板230的粘接面2300相向、在其间夹着作为粘接层的焊料层58的方式而相互粘接。
例如，在单元基板230以Si、GaAs、SiC等的半导体材料形成的情况下，在以例如由AuSn合金构成的焊料层58粘接光源单元23和滑橇22时，能够使Nd-YAG激光透射单元基板230来照射焊料层58，使焊料层58熔融来进行粘接。
（针对磁头元件部的说明）
如图1、图2所示，磁头元件部221具备MR元件33、电磁变换元件34以及光学系统31。
MR元件33如图2所示，构成为包含：MR层叠体332；以及成对地配置在夹持MR层叠体332及绝缘层381的位置，由软磁性材料形成的下部屏蔽层330和上部屏蔽层334。而且，MR元件33在集成面2202上形成的由Al2O3（氧化铝）等的绝缘材料构成的基底层380上形成。
MR层叠体332是利用MR效应来感测信号磁场的感磁部，例如能够作为面内通电性巨磁阻（CIP-GMR）层叠体、垂直通电性巨磁阻（CPP-GMR）层叠体、或隧道磁阻（TMR）层叠体而构成。
此外，电磁变换元件34优选是垂直磁记录用，构成为具备上部磁轭层340、主磁极3400、写入线圈层343、线圈绝缘层344、下部磁轭层345、下部屏蔽层3450。
上部磁轭层340以覆盖线圈绝缘层344的方式形成，主磁极3400在由Al2O3（氧化铝）等的绝缘材料构成的绝缘层385上形成。这些上部磁轭层340和主磁极3400相互磁连接，构成为用于将通过对写入线圈层343施加写入电流而产生的磁通一边收敛一边引导至进行写入的磁盘10（图4）的磁记录层（垂直磁化层）的导磁通路。
主磁极3400具有：到达磁头端面2210并具有磁道宽度方向的小的宽度Wp（参照图3）的第1主磁极部3400a；以及位于该第1主磁极部3400a上且第1主磁极部3400a的后方（+X侧）的第2主磁极部3400b。在这里，上述的宽度Wp是该主磁极3400的磁头端面2210上的端面3400e（参照图3）中的磁道宽度方向（Y轴方向）的边的长度，规定写入磁场的磁道宽度方向（Y轴方向）的分布的宽度，例如能够设为0.05~0.5μm左右。主磁极3400优选由具有比上部磁轭层340高的饱和磁通密度的软磁性材料形成，例如优选由将Fe作为主成分的铁类合金的软磁性材料形成。
如图2所示，写入线圈层343在绝缘层385上形成的由Al2O3（氧化铝）等的绝缘材料构成的绝缘层3421上，以在1圈中至少通过下部磁轭层345和上部磁轭层340之间的方式而形成，具有将后触点（back contact）3402作为中心卷绕的螺旋构造。
这样的写入线圈层343优选例如由Cu（铜）等的导电材料形成。写入线圈层343例如被热固化了的光致抗蚀剂等的绝缘材料覆盖，对写入线圈层343和上部磁轭层340之间进行电绝缘。写入线圈层343在本实施方式中是1层，但也可以是2层以上，或者也可以是螺旋形线圈。进而，卷绕数并不限定于图2记载的数量，例如能够设定为2~7圈。
再有，在后触点部3402设置有在X轴方向伸长的贯通孔，波导35和覆盖波导35的绝缘层穿过该贯通孔中。在该贯通孔内，后触点部3402的内壁与波导35离开规定的距离，例如至少1μm。由此，防止后触点部3402对波导光的吸收。
图2所示的下部磁轭层345例如在由Al2O3（氧化铝）等的绝缘材料构成的绝缘层383上形成，发挥作为对从磁盘10的磁记录层（垂直磁化层）下设置的软磁性衬里层返回的磁通进行引导的导磁通路的作用。下部磁轭层345由软磁性材料形成。此外，下部屏蔽层3450与下部磁轭层345磁连接，构成为到达磁头端面2210的导磁通路的一部分。下部屏蔽层3450隔着近场光发生元件36与主磁极3400相向，发挥吸收从主磁极3400射出并扩散的磁通的作用。下部屏蔽层3450优选由具有高饱和磁通密度的NiFe（坡莫合金）或与主磁极3400同样的铁类合金材料等形成。
如图1和图2所示，光学系统31具备光点尺寸变换元件43、波导35、以及近场光发生元件36。
通过光点尺寸变换元件43而光点尺寸变换小了的激光35a入射到波导35的受光端面352，在波导35中传播。波导35从受光端面352通过设置在后触点部3402中的X轴方向的贯通孔中，伸长到磁头端面2210侧的端面350。近场光发生元件36是将在波导35中传播来的激光（波导光）变换为近场光的近场光发生元件。
波导35的磁头端面2210侧的部分以及近场光发生元件36设置在下部屏蔽层3450（下部磁轭层345）和主磁极3400（上部磁轭层）340之间。此外，波导35的磁头端面2210侧的上表面（侧面）的一部分与近场光发生元件36的下表面的一部分隔开规定间隔而相向，被该一部分夹着的部分成为具有比波导35的折射率低的折射率的缓冲部50（特别参照图3）。
缓冲部50发挥使在波导35中传播的激光（波导光）与近场光发生元件36耦合的作用。针对以上所述的波导35、缓冲部50以及近场光发生元件36，在以后使用图3详细地进行说明。
进而，如图2所示，在MR元件33与电磁变换元件34（下部磁轭层345）之间，设置有被绝缘层382和383夹着的元件间屏蔽层39也是优选的方式。
该元件间屏蔽层39能够以软磁性材料形成，发挥从电磁变换元件34产生的磁场对MR元件33进行屏蔽的作用。再有，以上所述的绝缘层381、382、383、384、385以及386构成保护层38。
图3是概略地表示波导35、近场光发生元件36和主磁极3400的结构的立体图。在图3中，包含将写入磁场和近场光向磁记录介质辐射的位置的磁头端面2210位于图的左侧。
如图3所示，设置有用于将用于使近场光发生的激光（波导光）35a朝向端面350传播的波导35，和接收激光（波导光）35a来使近场光63发生的近场光发生元件36。此外，在波导35的侧面354的一部分和近场光发生元件36的下表面362的一部分之间夹着的部分成为缓冲部50。该缓冲部50例如由绝缘材料形成，发挥使波导光53b与近场光发生元件36耦合的作用。再有，在图1~图3所示的光源和光学系统中，优选从激光二极管40的发光中心4000辐射的激光具有电场的振动方向是Z轴方向的TM模的偏振光。
如图3所示，近场光发生元件36在本实施方式中例如由Au、Ag或包含Au或Ag的合金等的金属材料形成，具有三角形状的YZ面的剖面。而且，特别是到达磁头端面2210的端面36a具有二等边三角形的形状，该形状在前侧（-Z侧）具有与底边相向的顶点。近场光发生元件36从波导35经由缓冲部50接收激光（波导光）35a，从端面36a使近场光62发生。该近场光62被朝向磁盘10（参照图4）的磁记录层照射，到达磁盘10的表面，加热磁盘10的磁记录层部分。由此，该部分的各向异性磁场（矫顽磁力）下降到能够进行写入的值。在此稍后，能够对该部分施加从主磁极3400发生的写入磁场63来进行写入，进行所谓的热辅助磁记录。
再有，设置在磁头元件部221的用于使热辅助用的光发生的光学系统不限于以上叙述的光学系统。例如，也能够使用利用具有其它形状、结构的近场光发生元件的光学系统，或将由金属片构成的等离子体激元天线配置在波导端的光学系统。
（磁盘装置的说明）
图4是概略地表示磁盘装置的优选的一个方式的要部结构的立体图。此外，图5是概略地表示磁头悬架组件（HGA）的优选的一个方式的要部结构的立体图。在图5中，将HGA的与磁盘表面相向的一侧朝上表示。
在图4所示的作为磁记录装置的磁盘装置具备：主轴电动机11；围绕该旋转轴旋转的作为磁记录介质的多个磁盘10；设置有多个驱动臂14的支架组件装置12；设置在各驱动臂14的顶端部并具备热辅助磁记录头21的HGA17；以及用于控制热辅助磁记录头21的写入和读出工作，进而控制作为使热辅助磁记录用的激光产生的光源的激光二极管40的发光工作的记录再生/发光控制电路13。
磁盘10在本实施方式中优选是垂直磁记录用，例如具有在磁盘基板依次层叠了软磁性衬里层、中间层和磁记录层（垂直磁化层）的构造。
支架组件装置12是用于将热辅助磁记录头21定位在磁盘10的磁道上的装置。在支架组件装置12内，驱动臂14沿着枢轴承轴16的方向叠积（stack），通过音圈电动机（VCM）15，能够以轴16为中心进行角摆动。再有，本发明的磁盘装置的构造并不限于以上叙述的构造。磁盘10、驱动臂14、HGA17和磁头21也可以是单数。
在图5所示的磁头悬架组件17（HGA17）中，悬架（suspension）20具备：负载杆（load beam）200，固接在该负载杆200并具有弹性的挠性件（flexure）201，设置在负载杆200的基部的底座202，设置在挠性件201上由引线导体和电连接于其两端的连接焊盘构成的布线构件203。
热辅助磁记录头21以对各磁盘10的表面离开规定的间隔（浮起量）而相向的方式固接在悬架20的顶端部的挠性件201。
在挠性件201例如设置有开口2010，热辅助磁记录头21以光源单元23例如通过该开口2010从挠性件201的相反侧露出的方式而粘接。
进而，形成布线构件203的一端的连接焊盘通过引线键合、SBB等的方法而电连接于热辅助磁记录头21的磁头元件32用的端子电极370和371（参照图1）。进而通过引线键合、SBB等的方法而电连接于光源单元23的引出电极411和激光二极管40的n电极40a（参照图1）。由此，能够对MR元件33、电磁变换元件和激光二极管40通电，驱动这些元件。悬架20的构造也不限定于上述构造。虽然没有图示，但也可以在悬架20的中途安装有磁头驱动用IC芯片。
（在进行老化试验时准备的被检查对象的制造例的说明）
图6A~图6C是概略地表示在汇总多个与上述的热辅助磁记录头21接合使用的光源单元23进行老化试验时，要筛选的被检查对象的制造方法的一个实施方式的立体图。
此外，图9A和图9B是表示在老化试验中使用的、作为一个优选例的片状探针的结构的剖面图和下表面图。图11是用于说明在老化试验中适宜地使用的一个方式的片状探针与各电极的接触状态的概略图。但是，探针的构造不限于图示例的构造，可以是各种各样的方式。即，探针的构造只要是能够对光源单元23的激光二极管40通电的方式即可，不被特别限制。
根据图6A所示的优选实施方式，最初，在光源元件配置用条70的光源设置面702，例如使用溅射法、电镀法或蒸镀法、光刻法、铣削法（milling）等形成光源电极410和引出电极411的多个组。这时，在光源设置面702上设置有绝缘层56，在该绝缘层56上形成这些电极也是优选的方式。
这样的形成有光源电极410和引出电极411的多个组的光源元件配置用条70，例如能够通过在盘状的晶片上排列形成光源电极410和引出电极411的多个组，将该晶片切断分离成多个的条状态来获得。再有，光源元件配置用条70是通过进一步切断分离而分别成为单元基板230的构件。
作为更优选的方式，设置的引出电极411在后面的老化试验工序中与片状探针接触。该引出电极411的表面优选例如以表面粗糙度Ra成为0.005μm以上0.5μm以下的方式设定。例如，通过选择形成引出电极411时的成膜方法，进而通过调整成膜方法中的成膜条件，从而能够控制表面粗糙度Ra。进而，通过进行引出电极411的金属表面的精密研磨，也能够将其表面粗糙度Ra调整为例如0.1μm左右。
在这里，表面粗糙度Ra是在JIS（日本工业标准）B 0601:2001中规定的算术平均粗糙度Ra。该算术平均粗糙度Ra是将粗糙度曲线（f（x））从中心线（x轴）折返，微米单位表示将通过折返的粗糙曲线和中心线获得的面积除以测定部分的长度（L）后的值。即、Ra＝L-1∫0 L|f（x）|dx。
接着，同样如图6A所示，在光源元件配置用条70的用于与滑橇22连接的粘接面700，例如通过溅射法、蒸镀法等形成例如由AuSn合金构成的焊料层58。
通过使用这样的由金属材料构成的焊料层58，能够在之后使用Nd-YAG激光等的激光使焊料层58熔融，粘接光源单元23和滑橇22。
接着，如图6B所示，将多个激光二极管40的每一个以激光二极管40的p电极40i为底而载置在各光源电极410上，粘接到光源电极410。
由此，获得在光源元件配置用条70设置有多个光源的光源单元条71。通过切断分离该光源单元条71，各个芯片成为光源单元23。再有，激光二极管40向光源元件配置用条70的粘接例如能够通过预先在光源电极410上成膜AuSn合金等的蒸镀膜，在将激光二极管40载置在该蒸镀膜（光源电极410）上后，在热鼓风机下使用热板等加热到200~300℃左右来实施。
在这里，优选成为搭载的激光二极管40的上表面的n电极40a构成为在后面的老化试验中与片状探针接触。因此，如在后面详述的那样，优选该n电极40a的表面以表面粗糙度Ra成为0.5μm以上10μm以下的方式设定。进而，优选作为上电极的n电极40a的表面粗糙度Ra以成为比上述的作为下电极的引出电极411的表面粗糙度Ra大的方式设定。
成为激光二极管40的上表面的n电极40a的表面粗糙度Ra的调整例如能够以如下方式实施。即，在激光二极管40中，n-GaAs基板40b（参照图2）的形成n电极40a侧的表面通常被实施规定的研磨处理，通过将在进行该研磨处理时使用的磨石的眼的粗糙度设定为更大的粗糙度，对该n-GaAs基板40b的表面赋予比通常大的规定的粗糙度，然后形成n电极40a的方法，能够调整n电极40a的表面粗糙度Ra。通常，激光二极管40的n电极40a为了能够稳定地实施在向保护用的罐装的封装件的CAN封装件的搭载时所需要的引线键合而多被赋予高平滑性，例如存在其表面粗糙度Ra不足0.5μm的情况。即使在这样的情况下，通过预先实施上述的处理，也能够将n电极40a的表面粗糙度Ra的值设定得较大。
此外，优选将搭载的激光二极管40的高度HLA（参照图2）设定为40μm以上100μm以下。该高度HLA的范围包含通常通用地使用的端面发光型激光二极管芯片的高度。
接着，如图6C所示，将如上述那样设定、调整的光源单元条71设置在老化试验装置72的夹具台720。在老化试验装置72中，作为向激光二极管40进行通电的探针的规格，优选使用将n电极40a用的长条形的片状探针730和引出电极411用的长条形的片状探针731交替地配置的片状探针组73。但是，探针的规格并不限定于此。
如图6C所示，使片状探针730接触被设置的光源单元条71的n电极40a，使片状探针731接触引出电极411。之后，经由这些片状探针730及n电极40a与片状探针731及引出电极411，对各激光二极管40进行通电，进行老化试验。
片状探针730（731）如图10A和图10B所示，具备：例如由不锈钢等的弹性材料构成的厚度例如是20μm左右的基体7300（7310）；在基体7300（7310）上形成的例如由聚酰亚胺等的绝缘材料构成的厚度例如是10μm左右的绝缘层7301（7311）；在绝缘层7301（7311）上形成的例如由Cu等的导电材料构成的厚度例如是20μm左右的导电层7302（7312）；覆盖导电层7302（7312）的例如以电镀法形成的由Au、Au合金等构成的厚度例如是10μm左右的导电覆盖层7303（7313）。
导电层7302（7312）在与n电极40a（引出电极411）接触的一侧从基体7300（7310）伸出。该伸出的导电层7302（7312）部分的宽度WCON例如能够设为30μm左右。此外，导电覆盖层7303（7313）覆盖该导电层7302的至少与n电极40a（引出电极411）接触的部分。再有，片状探针730和731不限于上述叙述的方式，例如也可以具有能够弯曲的导电层适宜地与电极接触的其它结构。
图11中示出了使优选方式的片状探针730和731分别与n电极40a和引出电极411接触的状态。根据图11，片状探针730与n电极40a接触。n电极40a存在于比引出电极411高出高度HLA的高的位置（level）。在这里，电极位置的“高度”在本实施方式中是电极的Z轴方向的位置的尺度，电极越处于+Z侧，被认为处于越“高”的位置。
因此，片状探针730的顶端部的导电层7302（导电覆盖层7303）与片状探针731的顶端部的导电层7312（导电覆盖层7313）相比，以更小的角度与n电极40a抵接。在这里，通过实验和经验可知，通常片状探针与电极的接触状态较大地依赖于片状探针的端部抵接于电极的角度。实际上，因为在导电层7302（导电覆盖层7303）与n电极40a中抵接的角度变得更浅，所以两者间的接触区域变大，相应地按压两者的压力分散，此外，接触点也难以固定。结果，根据该角度，成为容易产生两者的接触状态不稳定的问题的状态。
因此，在图示的实施方式中，作为优选方式，n电极40a的表面粗糙度Ra1以成为比上述的引出电极411的表面粗糙度Ra2大的方式来设定。两电极的高低差HLA（参照图2）是40~100μm的范围内，在表面粗糙度Ra2采用0.005~0.5μm的范围内的值的情况下，优选将表面粗糙度Ra1设定为0.5~10μm的范围内的值。由此，接触角度浅、接触状态难以稳定的片状探针730的导电层7302（导电覆盖层7303）与n电极40a能够更稳定地接触。
（作为本发明的要部的老化试验方法的说明）
接着，使用图7所示的老化试验装置72，进行设置的光源单元条71的老化试验。
在本发明的老化试验方法中，将多个例如由激光二极管40等构成的光源元件，和用于对来自多个光源元件的各个光输出进行监测的多个例如由光电二极管等构成的光检测器安装在夹具台，在至少将所述多个光源元件和所述多个光检测器浸渍在绝缘性的液体中的状态下，对多个光源元件进行通电。
在图7中，以两点划线描绘的框体是用于贮存绝缘性的液体90并且将安装有光源元件和光检测器的夹具台720浸渍在绝缘性的液体90中的容器主体80。
容器主体80可以是上部成为开口的开口容器，也可以是具备能够堵塞上部的开口的盖体的容器。能够从设置在容器主体80的开口注入绝缘性的液体90，或插入夹具台720。此外，也可以经由阀门设置用于注入或排出绝缘性的液体90的配管系统。
在本发明的老化试验方法中使用的绝缘性的液体90优选是电阻率高无色透明且加热传导性良好，在80℃以上安全性也优越的溶液。特别是优选使用具备相对于600~1000nm波长的光，每1mm厚度具有99.9%以上的透射率的物理性质的液体。通过具有这样的透射率的物理性质，从激光二极管40等构成的光源元件发出的光能够可靠地被由光电二极管74等构成的光检测器检测。
再有，本发明中所述的“绝缘性”指的是在常温（25℃）的体积电阻率（比电阻）是108[Ω・cm]以上。在本发明中，特别优选1012～1014[Ω・cm]的范围。
作为这样的绝缘性的液体，例如优选使用萘类的油，异链烷烃类的油，氢氟类的油等。这样的油例如能够作为放电加工液、润滑油、冷却剂等使用。此外，优选使用折射率为1.25~1.9左右的液体。特别是在使用折射率大的绝缘性的液体的情况下，由于从激光二极管40射出的光的扩散角度变小，所以能够减小光电二极管74的受光面。由此，能够减小多个光电二极管74的排列间距，配合其能够减小激光二极管40在条上的排列间距，能够增加可一次检查的激光二极管40的数量，作业效率大幅提高。
在容器主体80中贮存的绝缘性的液体90优选在老化试验中被搅拌。作为搅拌机构不被特别限定，只要以将板状的搅拌板浸入绝缘性的液体90的上部的方式安装搅拌板（未图示），例如在长尺寸方向使搅拌板缓慢地往复移动，从上部搅拌液体即可。通过搅拌，夹具台的温度下降，但在搅拌不充分的情况下，产生温度的偏差。此外，通过实验确认了在以充分的搅拌速度搅拌的情况下，在夹具台的温度下降的同时，也消除了位置上的温度偏差。
老化试验装置72在图7和图8所示的优选例中，具备：夹具台720、片状探针组73、固定在夹具台720的多个光电二极管74、控制器75。
光电二极管74是以受光面740接收从经由片状探针组73被供给电流的激光二极管40产生的激光，对激光二极管40的各个光输出进行测定的光检测器。光电二极管74以沿着并靠在作为夹具台720的垂直面的壁部7202的方式被固定，在图中的纵深方向的Y方向依次排列有多个。在图中，由于纸张关系仅描绘了4个光电二极管74，但实际上例如是数百个的单位。关于激光二极管40也是同样的。
在光电二极管74的上部固接有具备控制电路的印刷基板79，光电二极管74经由该印刷基板79连接于控制器75。再有，光电二极管74在Y方向的排列间距通常设为与激光二极管40在Y方向的排列间距相同的间距。
夹具台720的导热度大，例如优选以Cu材料或Cu合金材料形成，但并不特别限定于这些材料。
夹具台720如图8所示，具备：用于载置被设置的光源单元条71的载置部7201；以及用于以与光源单元条71的激光二极管40的发光面4000相向的方式将多个光电二极管74以竖立设置状态进行固定的上述壁部7202。
这样的载置部7201和壁部7202之间形成有凹部7203，做成不妨碍要测定的光输出的构造。通常，在载置部7201的下部附近埋设有温度传感器。再有，用于载置所述光源单元条71的载置部7201以能够装卸的方式对配置有光源元件的光源单元条71进行固定。由此，能够容易地拆下成为检查对象的光源单元条71，能够使操作性提高。
控制器75是接收来自光电二极管74的测定输出，控制并计测对激光二极管40供给的电流的装置，作为该装置，能够使用具备控制软件的计算机。
在老化试验中，最初，控制器75经由片状探针组73对搭载于光源单元条71的各激光二极管40进行通电，决定为了从各激光二极管40获得规定的光输出PLA0、例如数十mW所需要的供给电流IOP的值IOP0。作为值IOP0例如是数十mA。在这里，各激光二极管40的光输出基于来自受光面740与成为对象的激光二极管40的发光中心4000相向的光电二极管74的测定输出进行求取。
接着，控制器75以来自各激光二极管40的光输出PLA不断获得规定值PLA0的方式，将电流IOP对激光二极管40一边常时控制一边持续供给。在该情况下，供给电流IOP的试验开始时的值成为IOP0。
之后，控制器75以固定时间对来自各激光二极管40的光输出保持固定值PLA0的状态下的向各激光二极管40的供给电流IOP的变化进行计测。控制器75在该固定时间经过后，将供给电流IOP的值超过规定的上限值IMAX的激光二极管40判断为不合格，形成不合格的激光二极管40的名单。
在本发明中，在至少将由激光二极管40等构成的光源元件和用于对来自多个光源元件每一个的光输出进行监测的多个例如由光电二极管等构成的光检测器浸渍在绝缘性的液体中的状态下，对所述多个光源元件进行通电来进行老化试验，因此能够在短时间保持稳定的温度，能够维持相对于通常的负载条件不乖离的温度，不对元件造成损伤来进行光源单元芯片的合格品和不合格品的分选试验。
进而，在切断分离成各个光源单元芯片之前的光源单元条71的状态下，能够并行地评价多个激光二极管40。通过进行这样的并行处理，能够一次实施大量的激光二极管40的老化试验，能够大幅缩短可靠性评价工序的工时和时间。
这样在光源单元条71的老化试验后，如图9A和图9B所示那样，从装置取出的光源单元条71被切断而分离成多个光源单元芯片。在这里分离的芯片中，去除具备不合格的激光二极管的光源单元芯片，如图9B所示那样获得被判断为是合格品的光源单元芯片来做成光源单元。这时，不合格的激光二极管40能够参照控制器75具有的判定为不合格的激光二极管的名单来确定。
[实施例]
以下，举出具体的实施例来更详细地说明本发明。
制作成为试验对象的排列有81个端面发光型的激光二极管的光源单元条71。
将这样的作为试验对象的光源单元条71装入图7所示那样的老化试验装置，进行老化试验。在光源单元条71的载置部的下方的夹具台中插入温度传感器，测定了夹具台的温度。
作为绝缘性的液体，使用萘类的油（商品名：EXXSOL）。81个激光二极管和81个光电二极管为浸渍在绝缘性的液体中的状态。因为是用于确认温度上升的实验，所以为了容易明白其效果，初始设定为较低的30℃。在对81个激光二极管持续通电18分钟时，温度变为33℃，确认了大约3℃的稍微的上升。
相对于此，在不使用绝缘性的液体的比较例（大气中）的情况下，温度变为70℃，是大约40℃的大幅度的温度上升。
根据以上的实验结果，本发明的效果是明显的。
即，在本发明中，在至少将由激光二极管等构成的光源元件和用于对来自多个光源元件每一个的光输出进行检测的多个例如由光电二极管等构成的光检测器浸渍在绝缘性的液体中的状态下，对所述多个光源元件进行通电来进行老化试验，因此能够在短时间保持稳定的温度，能够维持相对于通常的负载条件不乖离的温度，不对元件造成损伤来进行光源单元芯片的合格品和不合格品的分选试验。

Claims (9)

1.一种老化试验方法，其中，以如下方式进行，
将多个光源元件和用于对来自多个光源元件的每一个的光输出进行监测的多个光检测器装入夹具台，
在至少使所述多个光源元件和所述多个光检测器浸渍在绝缘性的液体中的状态下，对所述多个光源元件通电。
2.根据权利要求1所述的老化试验方法，其中，所述绝缘性的液体，是具备相对于600~1000nm波长的光，每1mm厚度具有99.9%以上的透射率的物理性质的液体。
3.根据权利要求1所述的老化试验方法，其中，所述绝缘性的液体受到搅拌作用。
4.根据权利要求1所述老化试验方法，其中，
所述多个光源元件成列配置在作为基板的光源元件配置用条上，
各光检测器相对于各光源元件的发光面相向配置。
5.根据权利要求4所述的老化试验方法，其中，成列配置在所述光源元件配置用条上的多个光源元件通过分割成包含1个光源元件的1个单元，从而构成为具备设置在单元基板的作为光源元件的激光二极管的热辅助磁记录用的光源单元。
6.根据权利要求1所述的老化试验方法，其中，所述光源元件是激光二极管，所述光检测器是光电二极管。
7.根据权利要求5所述的老化试验方法，其中，
所述激光二极管具有上电极和下电极，
所述光源元件配置用条具备与激光二极管的下电极电连接的引出下电极，
使上电极用的片状探针和下电极用的片状探针分别接触于上电极及引出下电极，经由上电极用的片状探针及上电极与下电极用的片状探针及引出下电极，对激光二极管进行通电。
8.根据权利要求5所述的老化试验方法，其中，对所述激光二极管进行通电，对从该激光二极管获得规定的光输出所需要对该激光二极管供给的电流的时间变化进行计测。
9.一种试验装置，用于实施权利要求5所述的老化试验方法，其中，构成为具备：
夹具台，构成为以对于光源元件的发光面相向配置的方式固定光检测器；
片状探针组，交替地配置有上电极用的片状探针和下电极用的片状探针；
控制器，接受来自光检测器的测定输出，控制对光检测器供给的电流，控制并计测电流；以及
容器主体，构成为能够收容夹具台，并且贮存绝缘性的液体，
所述夹具台构成为能够以可拆装的方式对配置有光源元件的光源元件配置用条进行固定，
通过在所述容器主体中贮存绝缘性的液体，从而将在所述夹具台安装的光源元件和光检测器浸渍在绝缘性的液体中。
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