CN102732838A - 蒸镀方法及蒸镀装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及能缩短蒸发源的冷却时间的蒸镀方法及蒸镀装置。在蒸镀准备工序中，在真空腔内配置蒸发源(10)及被处理物，蒸发源(10)具备：收容蒸镀材料(30)的坩埚(13)、加热坩埚(13)的加热部(14)以及向被处理物放出在坩埚(13)内气化后的蒸镀材料(30)的喷嘴。然后，通过加热部(14)加热被收容在坩埚(13)的蒸镀材料(30)，使产生气化后的蒸镀材料气体，并在被处理物上形成蒸镀膜。然后，从蒸发源(10)的外侧经由喷嘴(12)向坩埚(13)内供给气体(26)，并且使加热部(14)停止，冷却坩埚(13)。
Description
技术领域
本发明涉及蒸镀技术及用于该技术的蒸镀装置的技术，特别涉及适用于在基板上形成蒸镀膜的成膜工序的有效技术。
背景技术
特开2008-115416号公报(专利文献1)公开了一种蒸镀方法，在成膜结束时使用于遮断来自坩埚的辐射热的反射器移动到上方，并停止用于加热坩埚的加热器，从而减少成膜结束后的坩埚的冷却时间。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：特开2008-115416号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
已知有在真空腔内配置作为被处理物的基板和蒸发源以在基板上形成蒸镀膜的技术。这样的成膜技术在例如有机EL(Electro Luminescence)显示器等平板显示器(FPD：Flat Panel Display)的制造方法中被应用于形成由金属膜制成电极的工序。在蒸镀方法中，通过加热使收容在具有蒸发源的坩埚内的蒸镀材料气化或升华(以下，将气化或升华称为气化)。然后，将气化后的蒸镀材料输送到设置在蒸发源外部的被处理物(例如基板的蒸镀膜形成区域)，使其在被处理物的表面固体化，从而形成蒸镀膜。
上述蒸镀方法中，在交换蒸镀材料时或维护蒸镀装置时，需要暂时冷却蒸发源，并在交换蒸镀材料等之后，再次升温至蒸镀温度(处理温度)。该蒸发源的冷却工序及升温工序一般各需要5小时～10小时左右的时间，通过减少冷却时间及升温时间能够高效地形成蒸镀膜。特别是，在冷却工序中，为了抑制在蒸发源(坩埚)的壁面、盖上附着蒸镀材料，在蒸镀材料的温度到达蒸发停止温度前，边继续用加热器进行蒸发源的加热边缓慢冷却，所谓的慢冷却工序，该慢冷却工序是使冷却时间变长的原因之一。
如上述专利文献1所记载，在使反射器移动以对坩埚的上方及盖部持续进行保温、并使设置有蒸镀材料的坩埚的下方从反射器露出的蒸镀方法中，可以缩短蒸镀材料的冷却时间。但是，如果使高温加热后的坩埚从反射器露出，则由于坩埚的热辐射使设置在坩埚周围的蒸镀装置的构成部件变形、熔化，成为蒸镀装置不合格的原因。特别是，在使用包含金属的蒸镀材料时，由于蒸镀温度(处理温度)为例如400℃～1000℃以上的高温，因此，坩埚的热辐射的影响变大。
本发明是鉴于上述课题完成的，其目的在于提供可以缩短蒸发源的冷却时间的技术。
本发明的上述以及其他目的和新特征将通过本说明书的记载及附图进行说明。
解决技术问题的手段
在本申请公开的发明中，对代表性内容的概要进行简单说明则如下。
即，本发明代表性实施方式中的蒸镀方法包括如下工序，(a)在真空腔内配置蒸发源及被处理物，所述蒸发源具备：收容蒸镀材料的坩埚、加热所述坩埚的加热部以及向被处理物放出在所述坩埚内气化后的所述蒸镀材料的喷嘴。(b)通过所述加热部加热被收容在所述坩埚的所述蒸镀材料，使产生气化后的蒸镀材料气体，并在所述被处理物上形成蒸镀膜。以及(c)在所述(b)工序之后，从所述蒸发源的外侧经由所述喷嘴向所述坩埚内供给气体，并且使所述加热部停止，冷却所述坩埚。
在本申请公开的发明中，对代表性内容带来的有益效果进行简单的说明，内容如下。
即，能够缩短蒸发源的冷却时间。
附图说明
图1是作为本发明第一实施方式的有机EL显示装置的制造流程的概要说明图。
图2是根据图1的流程制造的有机EL显示装置的有机EL元件的概要结构的放大截面图。
图3是作为本发明第一实施方式的真空蒸镀装置的整体构成的概要说明图。
图4是图3示出的成膜室内的整体构成的截面图。
图5是放大地示出图4所示的蒸发源的截面图。
图6是示出图3～图5所示的蒸镀装置及蒸发源的蒸镀方法的工序流程、各工序中坩埚的温度曲线、各工序中加热部的ON-OFF及各工序中有无气体供应的说明图。
图7是本发明的一实施方式及对应于实施方式的第1及第2比较例的冷却工序中的坩埚温度曲线的说明图。
图8是示出在图6所示的冷却中向图4所示的坩埚内供给惰性气体(不活性气体)的状态的截面图。
图9是将图4所示的坩埚的温度与蒸镀材料的饱和蒸汽压之间的关系的一例以单对数曲线图示出的说明图。
图10是示出作为对应于图6的变形例的蒸镀方法的工序流程、各工序中坩埚的温度曲线、各工序中加热部的ON-OFF及各工序中有无气体供给的说明图。
图11是示出作为对应于图4的变形例的成膜室内的整体构成的截面图。
图12是示出图8所示的成膜室的变形例的截面图。
图13是示出图8所示的气体供给部的变形例的截面图。
图14是图13所示的喷嘴周边的放大截面图。
图15是示出在使用了图13所示的气体供给部的蒸镀方法中，形成蒸镀膜的蒸镀工序时的气体供给部的布局的截面图。
图16是示出通过旋转运动使图13所示的气体供给部工作的状态的放大截面图。
图17是示出使图16所示的气体供给部进一步工作的各状态的放大截面图。
图18是示出用于在图7所示的作为第2比较例的冷却工序的蒸发源的结构的截面图。
具体实施方式
<本申请中的记载方式>
为方便说明，在以下实施方式中，分为多个部分或实施方式进行说明，但除非有特别说明，否则它们彼此之间并非没有关系，而是一者是另一者的一部分或全部的变形例、详细、补充说明等的关系。
还有，在以下的实施方式中，在提及要素的数量等(包括个数、数值、量、范围等)时，除非有特别明确的说明及原理上明确的限定为特定数量的情况，否则本发明不限于特定数量，可以是特定数量以上或以下。
而且，在以下实施方式中，除非有特别说明及原理上必须等情况，否则其构成要素(包括要素步骤等)不一定必须。
同样，在以下实施方式中，提及构成要素等的形状、位置关系等时，除非有特别说明及原理上明确不可以的情况等，否则包括实质上与其形状等近似或类似的情况。对于上述数值及范围，情况也相同。
还有，在用于说明实施方式的全部附图中，对于同一部件原则上标注相同符号，并省略了重复说明。而且，为了易于理解附图，即使是平面图有时也标注影线。
并且，在详细说明本申请的发明之前，对本申请的用语的意思进行说明，内容如下。
气化是指，通过加热使固相或液相的材料相转移为气相。虽然向气相进行的相转移包括气化(从液相向气相的相转移)及升华(从固相不经过液相而直接相转移成气相)，而在本申请中，记载为气化时，意味着气化或升华。并且，将通过气化进行气化的材料称为气化材料，将通过升华进行气化的材料称为升华材料。
蒸镀、蒸镀方法或蒸镀处理是指，将在加热容器内气化后的材料气体取出到加热容器外部，并使其在被处理物的表面固体化，成膜。并且，将通过蒸镀形成的膜称为蒸镀膜，将成为蒸镀膜的原材料的材料称为蒸镀材料，将气化后的蒸镀材料称为蒸镀材料气体。
并且，蒸发源是指，使蒸镀材料气化并取出蒸镀材料气体的装置。因此，蒸镀源中包含收容蒸镀材料的加热容器及取出蒸镀材料气体的取出口。
并且，蒸镀装置是指，对例如基板等被处理物实施蒸镀处理的装置。因此，蒸镀装置除上述蒸发源外，还包含保持被处理物的保持部及收容蒸发源及被处理物的真空腔等气密室。
并且，在以下实施方式中，作为蒸发源、具有蒸发源的蒸镀装置及使用了这些的蒸镀方法的应用例，以应用于本申请发明人具体研究的有机EL显示装置制造方法的电极形成工序的情况为例，进行具体说明。
<有机EL显示装置的制造方法>
图1是本发明的第一实施方式的有机EL显示装置的制造流程的概要说明图。并且，图2是通过图1所示的流程而制造的有机EL显示装置的有机EL元件的概要结构的放大截面图。
如图1所示，本实施方式的有机EL显示装置的制造方法具有基板准备工序及在基板上形成有机EL元件的有机EL元件形成工序。并且，有机EL元件形成工序中包含有机层形成工序及第2电极形成工序。使用图2进行简单说明的话，在基板准备工序(参考图1)中，准备具有位于显示面侧的表面1a及位于表面1a相反侧的背面1b的基板(玻璃基板)1。例如，在背面1b上矩阵状地形成有由TFT(Thin Film Transistor)等形成的多个有源元件(省略图示)。之后，在第1电极形成工序(参考图1)中，有机EL元件2a的例如作为阳极的电导膜3被形成在基板1的背面1b上(TFT等有源元件上)。在被称为底部发射的元件结构中，由于导电膜3形成在有机EL元件2a的显示面侧，因此，导电膜3由对可见光透明的例如ITO(Indium Tin Oxide)等材料形成。在被称为顶部发射的元件结构中，由于第2电极侧是显示面，因此导电膜3也可以由高反射率的铝合金膜和空穴注入性高的ITO膜的层积膜形成。接着，在有机层形成工序(参考图1)中，在导电膜3上形成有机层4。有机层4是依次层积了例如空穴输送层4a、发光层4b、电子输送层4c等不同功能的有机膜的层积膜。然后，在第2电极形成工序(参考图1)中，在有机层4上形成作为与电导膜3相反极性(例如阴性)电极的导电膜5。导电膜5例如在底部发射结构中由铝(A1)、在顶部发射中由银(Ag)·镁(Mg)合金等金属薄膜形成。
这样，有机EL元件2a包括在阳极(导电膜3)和阴极(导电膜5)之间隔着有机层4的结构，并通过在阴极及阳极流通电流，从各自向有机层4注入电子与空穴。被注入的电子与空穴分别通过空穴输送层4a或电子输送层4c并在发光层4b结合。并且，结合所产生的能量激发发光层4b的发光材料，并在从其激发状态再次回到基态时产生光。在基板1的背面1b上形成多个这样的有机EL元件2a，并由各个有机EL元件2a或多个有机EL元件2a的组合来构成作为显示装置的有机EL显示装置2的像素(pixel)。
此处，构成有机EL元件2a的层积膜中的有机层4和导电膜5是，在真空腔内配置作为被处理物的基板1和蒸发源，并在基板1上形成作为蒸镀膜的有机层4和导电膜5。即，有机层4和导电膜5通过所谓的真空蒸镀法(真空蒸镀方法)形成。
<真空蒸镀装置的整体构成>
然后，对在图1所示的有机层形成工序及第2电极形成工序中使用的真空蒸镀装置的整体构成及图2所示的有机层4、导电膜5的成膜工序的工艺流程进行说明。图3是示出本发明第一实施方式的真空蒸镀装置的整体构成的概要说明图。
图3所示的蒸镀装置(真空蒸镀装置)100具有进行基板1交换的交换室101、分别形成蒸镀膜的作为处理室的多个成膜室102、向多个成膜室分开传送基板1的传送室103。图3中示出包含多个成膜室102及传送室103的单元经由交换室101(图3中为3个)被连接的结构。这些交换室101、传送室103及成膜室102分别与真空泵等排气装置(省略图示)连接，形成可维持减压状态的气密室。特别是，进行真空蒸镀处理的成膜室102成为可将室内的压力维持在例如10-3Pa～10-5Pa左右的减压状态(所谓高真空状态)的真空腔。
多个交换室101中入口侧的交换室101是装载部101a，例如，图2所示的形成有导电膜3的基板1被传入到装载部101a。在传送室103中，例如设置遥控装置(robot)103a作为基板传送装置，并且基板1通过遥控装置103a从交换室101(装载部101a)分开传送到各成膜室102。在各成膜室102中分别配置有具备作为图2所示的有机层4或导电膜5原材料的蒸镀材料(在图3中省略图示)的蒸发源10，例如在10-3Pa～10-5Pa左右的真空条件下，依次层积蒸镀膜而成膜。具体而言，首先，在第1成膜室102中，如图2所示在作为阳极(第1电极)的导电膜3上形成构成空穴输送层4a的且作为蒸镀膜的有机层4。成膜后的基板1被遥控装置103a取出到传送室103，之后传送到第2成膜室102中。并且，在第2成膜室102中，在图2所示的空穴输送层4a上形成构成发光层4b的且作为蒸镀膜的有机层4。成膜后的基板1被遥控装置103a取出到传送室103，之后传送到第3成膜室102。并且，在第3成膜室102中，在图2所示的发光层4b上形成构成电子输送层4c且作为蒸镀膜的有机层4。成膜后的基板1被遥控装置103a取出到传送室103后，被传送到第4成膜室102。并且，在第4成膜室102中，在图2所示的电子输送层4c上形成构成阴极(第2电极)的且作为蒸镀膜的导电膜5。并且，成膜了导电膜5的基板1被遥控装置103a传送到作为卸载部101b的出口侧的交接室101中，并且进一步实施以保护不受大气中的水分和氧气的破坏为目的的密封处理，从而得到图2所示的有机EL显示装置2。在密封处理工序中，通过密封材(密封部件或密封材料)6在有机EL元件2a上配置密封用基板7。
<成膜室及蒸发源的构成>
下面，对图3所示的成膜室102及设置在成膜室102内的蒸发源10的构成进行说明。图4是示出图3所示的成膜室内的整体构成的截面图。图5是放大示出图4所示的蒸发源的截面图。
如图4所示，成膜室102连接有连接到真空泵VP并排出成膜室102内气体的排气路径(排气管)VL。在真空泵VP和成膜室102之间配置有阀V1，如果打开阀V1，能够将成膜室102内的压力降低到例如10-3Pa～10-5Pa左右的减压状态(所谓高真空状态)。即，成膜室102是真空腔。而且，在成膜室102内配置有向基板1放出气化后的蒸镀材料气体的蒸发源10、保持基板1的基板保持部21。并且，成膜室102配置有具备了从成膜室102的外部向成膜室102内导入的气体供给路径GL及连接到气体供给路径GL并向蒸发源10内供给惰性气体的气体放出口GN的气体供给部25。
从蒸发源10的壳体11的面11a，作为蒸镀材料气体30a的放出口的多个喷嘴12从壳体11露出。另外，基板保持部21保持有基板1及掩模(mask)(蒸镀掩模)22。基板1被配置为作为蒸镀膜的形成面的背面1b经由掩模22与作为蒸发源10的蒸镀材料气体放出口的配置面的面11a相对(对置)。并且，对应于图2所示的形成有机EL元件2a的位置，掩模22形成多个开口部22a，基板1的蒸镀膜形成区域在开口部22a分别从掩模22露出。另外，基板1与蒸发源10的位置关系，只要使基板1的背面1b经由掩模22与作为蒸发源10的蒸发材料气体放出口(喷嘴12)的配置面的面11a相对即可，不限于图4所示的方式。图4中，示出有在蒸发源10的上表面即面11a上配置多个喷嘴12的、被称为倒置(facedowndeposit)方式的方式。除图4所示的方式外，作为变形例也可适用于在蒸发源10的下面配置喷嘴的朝上放置方式或者在蒸发源10的侧面配置喷嘴的侧面放置方式等。
并且，蒸发源10具备作为加热蒸镀材料30的加热容器的坩埚13。而且，在坩埚13的周围具备配置在坩埚13的内部的加热蒸镀材料30的加热部(加热器)14。并且，在坩埚13的周围配置有提高坩埚13的保温效率的保温部(反射器)15。
如图5所示，具有蒸发源10的壳体11具备盖部11c和本体部11d。盖部11c和本体部11d被未图示的螺栓等紧固单元固定。坩埚13、加热部14及保温部15被收容于本体部11d内，如取下盖部11c，则可以将这些部件取到外部。而且，在本实施方式中，在壳体11的上表面侧配置图4所示的与基板1相对的面11a，因此，在盖部11c形成有开口部11e，在开口部11c中露出有喷嘴12。
并且，坩埚13具备盖部13c和本体部13d。盖部13c和本体部13d被未图示的螺钉等紧固单元固定。蒸镀材料30被收容于本体部13d的底部，例如，如果取下盖部13c，就可以将蒸镀材料30取出到坩埚13的外部进行交换。而且，如果在盖部13c和本体部13d重合的状态下进行固定，则坩埚13的内部除了作为蒸镀材料气体30a的取出口的开口部13e之外，成为密封空间。在本实施方式中，因为示出了从坩埚13的上方取出蒸镀材料气体30a的结构的例子，所以开口部13e形成于坩埚13的盖部13c。并且，在本实施方式中，示出了从坩埚13的开口部13e向基板1放出蒸镀材料气体30a的结构的例子，因此在开口部13e安装有作为蒸镀材料气体30a放出口的喷嘴12。喷嘴12配置在与形成在壳体11的盖部11c的开口部11e重叠的位置，并在开口部11e中露出喷嘴12。另外，蒸发源10的结构不限于图4及图5示出的方式，也可以应用各种变形例，但是为了易于理解后续的蒸镀方法的各工序中所起的作用，因此示出了简化的结构。
并且，对蒸镀材料30及坩埚13进行加热的加热部14被配置为围着坩埚13的周围。本实施方式中，加热部14是通过例如焦耳加热方式加热蒸镀材料30及坩埚13的加热器。并且，在图4及图5中，示出了沿坩埚13的侧面配置加热部14的例子，但是加热部14的配置不限于图4及图5示出的例子，例如也可以构成为在坩埚13的盖部13c上及坩埚13的下方也配置有加热器14的结构。而且，在图4及图5中，示例了使用线圈状加热器作为加热部14的例子，但是加热部14的结构不限于图4及图5示出的例子，例如也可以构成为将板状的加热器(板加热器)配置在坩埚13的周围。
并且，在坩埚13和加热部14的周围配置有使坩埚13的保温效率提高的保温部15。保温部15例如包含多片金属板，并配置为除开口部13e上之外，包围坩埚13的周围。而且，至少在各金属板的与坩埚13相对的面(里面)实施镜面加工。即，保温部15具有反射来自坩埚13和加热部14的辐射以提高配置在保温部15内侧的坩埚13的保温效率的功能。而且，保温部15反射来自坩埚13和加热部14的辐射，因此，对于保温部15外侧的部件(例如壳体11)具有抑制因辐射热而发生变形、熔化的作为保护部件的功能。
而且，在蒸发源10内配置有热电对TC。热电对TC被配置在例如坩埚13与保温部15之间，且以可测量坩埚13周围温度的状态被固定。热电对TC检出的温度信号被传送到成膜室102的外部，并根据该温度信号可以掌握坩埚13的温度及配置在坩埚13内的蒸镀材料30的温度。
而且，蒸镀材料30是形成在基板1上的蒸镀膜的原料，包括例如构成图2所示的有机层4的有机材料或者构成导电膜5的金属材料。用蒸发源10所具备的加热部14加热蒸镀材料30，则蒸镀材料30气化(气化或升华)，成为蒸镀材料气体30a。而且，如果蒸镀材料气化，则坩埚13内变为例如100Pa～101Pa左右的压力。因此，由于坩埚13内外的压力差，蒸镀材料气体30a经由形成于坩埚13的开口部11e及喷嘴12被取出到蒸发源10的外部，并向与喷嘴12相对配置的基板1放出。
<蒸镀方法>
接下来，对使用了图3～图5所示的蒸镀装置及蒸发源的本实施方式的蒸镀方法进行说明。图6是示出使用了图3～图5所示的蒸镀装置及蒸发源的蒸镀方法的工序流程、各工序中坩埚的温度曲线、各工序中加热部的ON-OFF及各工序中有无气体供应的说明图。另外，在本申请中，通过例如图4及图5所示的热电对TC测定坩埚13周围的温度，并将此作为坩埚13的温度。因此，例如图6所示的坩埚的温度严格来说是设置在蒸发源10内的热电对的温度，但在以下说明中，作为坩埚13的温度进行说明。
如图6所示，本实施方式的蒸镀方法包括进行图4所示的在基板1上形成蒸镀膜的准备的蒸镀准备工序、在基板1上形成蒸镀膜的蒸镀工序、形成蒸镀膜后冷却图4所示的坩埚13及蒸镀材料的冷却工序及在冷却工序后对蒸镀装置及蒸发源进行维护的维护工序。
首先，在蒸镀准备工序中，进行在图4所示的基板1上形成蒸镀膜的准备。具体为，如图4所示，在蒸发源10的坩埚13内收容蒸镀材料30后，喷嘴12以与作为被处理物的基板1的背面1b相对的方式被配置(固定)在作为真空腔的成膜室102内。然后，打开连接到排气路径VL的阀V1，并通过真空泵VP对成膜室102内的气体进行排气，进行减压直到成膜室102内的压力达到例如10-3Pa～10-5Pa左右的真空度。而且，从图2所示的传送室103向到成膜室102内传送基板1，并如图4所示通过基板保持部21以基板1的背面1b经由掩模22与喷嘴12相对的方式支撑基板1。而且，加热部14通电，对坩埚13及坩埚13内配置的蒸镀材料30进行加热。基于此，坩埚13的温度(蒸镀材料30的温度)如图6所示，从温度T1上升到在蒸镀工序中形成蒸镀膜时的温度(工艺温度)T2。这时，图4所示的气体供给部25的阀V2被关闭，不从气体供给部供给气体。而且，本工序中，将成膜室102内减压到指定真空度的减压工序及将坩埚13升温到温度T2的升温工序需要一些时间。例如，即使是减压工序和升温工序并行，到进入蒸镀工序为止的时间也需要5小时～10小时左右的时间。另外，升温工序所需要的时间根据作为工艺温度的温度T2而变化。例如，在形成由镁(Mg)等金属材料构成的蒸镀膜时，因为温度T2需要在500℃以上，因此，升温工序所需的时间变长。
然后，在图6所示的蒸镀工序中，在图4所示的基板1的背面1b形成蒸镀膜。具体为，通过在蒸发源10的内部加热蒸镀材料30，产生气化(气化或升华)后的蒸镀材料气体30a。并从蒸发源10的喷嘴12向基板1放出蒸镀材料气体30a。从喷嘴12放出的蒸镀材料气体30a喷向与喷嘴12相对的基板1的蒸镀膜形成区域周边。然后，使蒸镀材料气体30a在比蒸发源10内部的温度低的蒸镀膜形成区域的表面进行固体化(凝结、析出)，从而形成蒸镀膜。
然而，在上述蒸镀准备工序中，需要5小时～10小时左右的时间。因此，从蒸镀方法整体效率化的观点考虑，优选在维持图4所示的成膜室102内的压力及蒸镀材料30的温度的状态下，依次交换基板1，并连续形成蒸镀膜。换言之，优选在第1基板1上形成蒸镀膜后，在维持成膜室102内的压力及蒸镀材料30的温度的状态下交换为第2基板1，并接着在第2基板1上形成蒸镀膜。也就是说，优选尽量不停止蒸镀工序的情况下，对多个基板1连续形成蒸镀膜。
但是，可以连续进行处理的基板1的数量有界限，有停止蒸镀工序的情况。例如，随着图4所示的蒸镀材料30的气化进行，一旦余量不足，则需要交换新的蒸镀材料30。此时，需要打开图5所示的坩埚13的盖部13c以放入新的蒸镀材料30，因此难以维持成膜室102内的压力及蒸镀材料30的温度。而且，出现由于状况不佳而不得不停止蒸镀工序的情况。此时，状况不佳的原因导致难以维持成膜室102内的压力及蒸镀材料30的温度。而且，在进行成膜室102内的各部件的整修时也需要停止蒸镀工序。例如，如果蒸镀工序的时间长，则会出现在蒸发源10内或成膜室102内析出蒸镀材料气体30a并堆积的情况。如果蒸发源10内或成膜室102内附着的蒸镀材料30的堆积物变多，则成为形成蒸镀膜时的阻碍因素，因此需要定期进行清除堆积物的作业。在图6所示的维护工序中，停止蒸镀工序，进行上述作业(维护作业)。
在图6所示的维护工序中，如上所述需要进行难以维持图4所示的成膜室102内的压力及蒸镀材料30的温度的维护作业，因此，在维护工序前，进行使图4所示的坩埚13的温度降低的冷却工序(参照图6)。另外，在维护工序结束后，如图6所示需要再次进行蒸镀准备工序，进行在新基板1上形成蒸镀膜的准备。下面，针对用于在图6中示出的本实施方式的冷却工序中缩短冷却时间的具体实施方式进行说明。另外，在图6所示的蒸镀工序中形成了蒸镀膜的基板1(参照图4)，在冷却工序前，被从成膜室102(参照图4)取出到传送室103(参照图3)。下面，针对从成膜室取出基板1后的冷却工序进行详细说明。
<冷却工序的具体内容>
图7是示出本实施方式及对应于本实施方式的作为第1及第2比较例的冷却工序中的坩埚温度曲线的说明图。而且，图8是在图6所示的冷却工序中，向图4所示的坩埚内供给了惰性气体的状态的截面图。而且，图9是将图4所示的坩埚温度与蒸镀材料的饱和蒸汽压之间的关系的一例以单对数曲线图示出的说明图。
图18是示出图7所示的作为第2比较例的冷却工序中使用的蒸发源的结构的截面图。而且，由于图7所示的第1比较例中使用的蒸镀装置除了未配置图4所示的气体供给部25之外与本实施方式一样，因此对于蒸发源的结构将参照图5进行说明。
在图6所示的冷却工序中，停止图4所示的加热部14，并将坩埚13的温度从工艺温度的温度T2冷却到进行维护作业的温度T1。温度T1虽然可以与例如室温(蒸镀装置周围的空气温度)相同，但是只要可以抑制在进行维护作业时在蒸发源10(参照图5)等的各部件上形成酸化膜等杂质膜且可以进行作业，则不限于此。因此，在图6中，虽然在蒸镀准备工序中加热开始时的温度和冷却工序中冷却工序的终点的温度分别表示为温度T1，但是这个温度T1不需要严格相同的温度，可以有些余地。例如，可以比室温高，为30℃～60℃左右。温度T2虽然根据蒸镀材料30(参照图5)的气化温度而不同，但是例如从400℃左右到超出1000℃的情况也有。
此处，作为与本实施方式对应的第1比较例的冷却工序，考虑以下方式。即，在冷却工序开始后立刻停止加热部14(参照图5)，并通过自然冷却降低坩埚13(图5)的温度的方法。这时，如图7的冷却曲线P2所示，可以在例如4小时～8小时左右将坩埚13的温度冷却到温度T1。然而，在该第一比较例中，在冷却刚刚开始后的阶段内，因为图5所示的蒸镀材料30的气化未停止，且坩埚13的温度急剧降低，因此出现容易在坩埚13的壁面和盖部13c的内侧面上析出并附着蒸镀材料30的问题。这样，如果在坩埚13内的壁面和盖部13c的内侧面析出蒸镀材料30，则成为阻碍在图6所示的蒸镀工序中形成均匀膜质的蒸镀膜的因素。而且，如果在盖部13c和本体部13d的连接部析出蒸镀材料30，该析出物作为粘合材料而发挥作用，因此，很难将盖部13c从本体部13d取下。而且，清除析出物时，需要通过机械加工进行清除，因此，维护作业将变繁杂。因此，在冷却工序中，需要抑制在坩埚13内的壁面和盖部13c的内侧面析出并附着蒸镀材料30。
因此，在冷却工序中，作为抑制蒸镀材料30析出的实施方式，可以考虑作为与本实施方式对应的第2比较例的冷却工序。即，在第2比较例中，如图18所示，加热部14被分割为多个块，且被构成为各个块可以独立ON-OFF。在图18所示的例中，被分割成配置在坩埚13的盖部13c的周围的上部块14a和配置于在坩埚13内配置的蒸镀材料30的周围的下部块14b。而且，在作为第2比较例的冷却工序中，冷却工序开始后，加热部14的下部块14b停止，但是上部块14a不停止。即，在第2比较例中，在继续通过上部块14a加热的状态下，缓慢冷却坩埚13及蒸镀材料30，直到蒸镀材料30的温度到达蒸镀材料30的气化停止的温度T3(参照图7)。然后，上部块14a也停止，通过自然冷却进行冷却，直到坩埚13的整体温度到达温度T1。根据该第2比较例，在到蒸镀材料30气化停止为止的时间内，继续对盖部13c加热，因此，可以抑制蒸镀材料30附着于盖部13c。但是，如图7中冷却曲线P3所示，在从温度T2到温度T3的期间(慢冷却期间)冷却速度变慢(例如2小时～3小时左右)，因此，到达作为冷却工序的终点的温度T1为止需要例如5小时～10小时左右的时间。
而且，作为第3比较例(省略图示)，可以考虑以下结构：在冷却工序期间，使图5所示的保温部15向上方移动，使坩埚13的蒸镀材料30的周围从保温部15露出，盖部13c的周围由保温部15保温。但是，保温部15具有抑制保温部15外侧的部件(例如壳体11)由于辐射热发生变形及熔化的作为保护部件的功能，因此，在该第3比较例中，由于坩埚13的热放射损坏配置在坩埚13周边的壳体11等，且成为蒸镀装置状态不佳的原因。
本发明的发明人，根据上述各比较例的课题，对抑制冷却工序中蒸镀材料30的析出且缩短冷却时间的技术进行研究，找出了本实施方式中的结构。本发明的发明人着眼于蒸镀材料气体30a(参照图4)的发生与饱和蒸汽压的关系，通过在冷却工序中提高坩埚13内的压力，从而找到了减低乃至停止蒸镀材料30的气化的结构。即，如图8所示，在冷却工序中，从气体供给部25经由喷嘴12向坩埚13内供给气体(惰性气体)26，并使坩埚13内的压力比蒸镀材料30的饱和蒸气压高，从而可以使得蒸镀材料30的气化减低乃至停止。而且，作为气体26的供给方法，可以考虑向作为真空腔的成膜室102内的整体供给气体26的方法。但此时，残留在成膜室102内的异物被气体26带起恐怕会混入坩埚13内。因此，从防止异物混入的观点考虑，优选选择性地向坩埚13供给气体26，使坩埚13内的压力局部上升。本实施方式中，如图8所示，气体供给部25的气体放出口GN被配置在成膜室102内，并配置为朝向蒸发源10的喷嘴12。气体供给部25的气体供给路径GL被导出到成膜室102的外部，并连接到配置在成膜室102外部的气体供给源TG。气体供给部TG收容有例如氩(Ar)或氮(N2)等惰性气体源。而且，在气体供给源TG和气体放出口GN之间配置有调整气体供给的有无和流量的阀V2，并与气体供给路径GL连接。因此，冷却工序已开始时或开始后，打开阀V2，则从蒸发源10的外部经由喷嘴12向坩埚13内部供给气体26。而且，因为气体供给部25的气体放出口GN被配置在成膜室102内，并配置为朝向蒸发源10的喷嘴12，气体26选择性地供给到坩埚13内，并能够使坩埚13内的压力局部上升。而且，气体26的流量和气体26的供给压力能够通过例如阀V2的分叉角度(开闭程度)进行调整。
如图9所示，蒸镀材料30(参照图8)的饱和蒸气压与标准大气压(约101kPa)比较充分小，且开始冷却工序时坩埚13内的压力即使在例如坩埚温度为1100℃时也为100Pa以下。因此，供给的气体26(参照图8)的压力，即使是比标准大气压小的值，只要是比图6所示的蒸镀工序中的坩埚13内的压力高的压力，就可以对坩埚13内进行加压。而且，因为坩埚13内的压力比坩埚13外侧的空间的压力高，因此，供给到坩埚13内的气体26的一部分从喷嘴12放出到坩埚13的外部，但是通过连续地从气体供给部25向喷嘴12供给气体26，能够使得坩埚13内的压力维持在比蒸镀材料30的饱和蒸气压高的状态。即，根据本实施方式，在冷却工序中，通过从蒸发源10的外侧经由喷嘴12向坩埚13内供给气体，可以使得蒸镀材料30的气化停止乃至大幅减低。因此，即使在如图6所示在冷却工序开始时停止加热部14(参照图8)使坩埚13的温度急剧降低的情况下，也能够抑制蒸镀材料30(参照图8)的析出。而且，因为不需要如图7所示的第2比较例的冷却曲线P3那样设置慢冷却期间，因此可以大幅缩短(例如为第2比较例的一半以下)冷却时间。而且，根据本实施方式，在冷却工序中，因为不移动保温部15能够缩短冷却时间，因此，可以抑制保温部15外侧的部件(例如壳体11)由于辐射热发生变形、熔化。
而且，如本实施方式所示，如果向坩埚13内供给气体26，则可以比图7所示的第1比较例更加缩短冷却时间。供给到坩埚13内的气体26与坩埚13内的壁面和蒸镀材料30接触，进行热交换。通过热交换而温度上升的气体26向坩埚13的上部移动，其一部分被从喷嘴12放出到坩埚13的外部。另一方面，从气体供给部25的气体放出口GN新供给的气体26由于比从喷嘴放出的气体26温度低，因此容易进到坩埚13内部。这样，通过热交换而温度上升的气体26被放出到外部，相对温度低的气体26被供给到内部，从而可以持续热交换，促进坩埚13温度的降低。因此，如图7所示，本实施方式的冷却工序的冷却曲线P1与自然冷却情况下的冷却曲线P2相比，可以缩短冷却时间。例如，以如7中示出的冷却曲线P1为例，坩埚13的温度从温度T2降低到温度T1的时间(冷却时间)为2.5小时～5小时左右。
<优选方式>
下面，针对上述本实施方式的蒸镀装置及蒸镀方法中特别优选的方式，包括变形例，进行说明。图10是示出作为对应于图6的变形例的蒸镀方法的工序流程、各工序的坩埚温度曲线、各工序的加热部的ON-OFF及各工序的气体供给的有无的说明图。图11是对应于图4的变形例的成膜室内整体结构的截面图。而且，图12是图8所示的成膜室的变形例的截面图。
首先，从抑制与配置在坩埚13内的蒸镀材料30和坩埚13自身反应并生成杂质的观点考虑，图8所示的气体26优选使用惰性气体。此处，惰性气体是指，相对于配置在坩埚13内的蒸镀材料30和坩埚13自身，比作为真空腔的成膜室102的外部的氛围气体即空气难生成杂质的气体，除了所谓稀有气体之外还包括氮等。而且，根据坩埚13的构成材料和工艺温度(图6中示出的温度T2)，根据优选的气体种类而不同。例如，在温度T2超过800℃的情况下，如果坩埚13由钼(Mo)、钽(Ta)、钨(W)等金属材料形成，则因为容易生成杂质，因此气体26优选氩(Ar)气。另一方面，如果坩埚13由氧化铝和氮化硼等陶瓷或碳(C)形成，只要不与蒸镀材料30反应生成杂质，可以优选比氩气体价格更低的氮(N2)气。而且，在温度T2为比400℃低的温度下形成包含有机材料的蒸镀膜时，可以使用氮气或二氧化碳(CO2)气体。
而且，从缩短冷却时间的观点考虑，优选如图6所示继续供给气体26直到坩埚13的温度到达温度T1为止。在冷却工序途中停止气体26的供给，而通过自然冷却到达T1的情况下，如果氛围温度和坩埚13的温度接近，则冷却速度下降。但是，通过继续供给气体26，即使是氛围温度和坩埚13的温度相近也可以继续通过气体26进行热交换，因此可以比自然冷却的情况更加缩短冷却时间。但是，从减少冷却工序中使用的气体26的成本的观点考虑，优选在冷却工序的途中替换气体26。例如，如上所述，在温度T2超过800℃的情况下，如果坩埚13由钼、钽、钨等金属材料形成，在冷却工序开始时，供给氩气作为气体26。之后，在坩埚13的温度为例如400℃以下时，更换气体26的种类，例如使用比氩气价格更低的氮气、二氧化碳气体。此时，不仅可以缩短冷却时间，而且可以降低在形成蒸镀膜时的制造成本。
另一方面，从减低气体26的使用量的观点考虑，如图10的变形例所示，优选在冷却工序的途中停止气体26的供给，之后通过自然冷却使得坩埚13的温度到达温度T1。此时，优选在坩埚13的温度降低到即使停止气体26的供给、进行气化的蒸镀材料30的量也很少的阶段后，停止气体26的供给。作为可以实施如图10所示的蒸镀方法的实施方式，例如如图11所示在成膜室102内预先设置测量蒸镀材料气体30a的传感器27及测量坩埚13的温度的温度传感器(省略图示)。而且，在图10所示的蒸镀准备工序中，将传感器27检出蒸镀材料气体30a时的坩埚13的温度(气化温度)记录到与传感器27及温度传感器电连接的控制部28。而且，在冷却工序中，测量坩埚13的温度，并在该温度降低到气化温度以下的阶段，例如通过控制部28关闭阀V2来停止气体26的供给。而且，作为其他实施方式，在图10所示的蒸镀工序及冷却工序中，继续通过传感器27测量蒸镀材料气体30a的检出比例(在设定测定范围内的检出量)。而且，在冷却工序中检出的蒸镀材料气体30a的检出比例到达预先设定的基准值以下(例如，蒸镀工序中的检出比例为1/10～1/100以下)时，关闭阀V2停止气体26的供给。如果这样在冷却工序的途中停止气体26的供给，则与图6所示的例子比较，冷却时间变长，但是可以降低气体26的使用量。
而且，在本实施方式的冷却工序中，从气体供给部25供给气体26，且停止加热部14，从而对坩埚13及坩埚13内的蒸镀材料30进行冷却，但是优选在气体26的供给开始之后停止加热部14。如所述的图9所示，因为蒸镀材料30的饱和蒸汽压非常小，因此如果开始气体26的供给，则在短时间内，进行气化的蒸镀材料30的量会大幅减低。但是，从更可靠地抑制在坩埚13内的壁面和盖部13c的内侧面上析出蒸镀材料30的观点考虑，停止加热部14的时机优选在气体26的供给开始之后进行。而且，停止加热部14的时机例如可以通过气体26供给开始之后的经过时间来决定。而且，作为能更可靠地抑制蒸镀材料30的析出的方法，在使用上述图11所示的传感器27确认了蒸镀材料气体30a的检出量变得充分小之后、停止加热部14的方法是有效的。
而且，如图4所示，在蒸镀工序中，以避开蒸镀材料气体30a由喷嘴12向基板1放出的路径(放出路径)的方式配置气体供给部25。因此，优选，如图4所示，气体供给部25的气体放出口GN优选与喷嘴12分开配置，且配置为相对于从喷嘴12到基板1的蒸镀材料气体30a的放出路径的轴线(假想线)AL，气体放出口GN的放出角度进行倾斜。基于此，蒸镀工序时即使不进行退避气体放出口GN的作业，也可以在基板1上稳定地形成蒸镀膜。换言之，在图4所示的方式中，在从蒸镀工序进入冷却工序时，可以开始进行气体26(参照图8)的供给，而不使气体放出口GN的位置移动。而且，从蒸镀工序进入冷却工序时，不需要使气体放出口GN的位置移动，因此可以高精度地调整喷嘴12与气体放出口GN的位置及气体26的放出角度之间的关系。其结果，在冷却工序中可以可靠地向喷嘴12放出气体26。这样，在本实施方式中，从蒸镀工序进入冷却工序时，由于不需要使气体放出口GN的位置移动，因此，气体供给路径GL例如使用金属配管构成。
而且，优选在冷却工序中将连接在排气路径VL的阀V1关闭。如果在阀V1关闭的状态下进行冷却工序，则因为冷却工序可以在停止了成膜室102内的排气的状态下进行，因此，气体26在图8所示的成膜室102内对流。因此，可以促进坩埚13的冷却，并可以进一步缩短冷却时间。而且，作为可以进一步促进冷却工序中成膜室102内气体的对流的方式，可以构成为如图12所示的变形例，在成膜室102内配置与气体供给部25不同的、供给净化气体31的净化气体供给部32。根据图12所示的结构，可以通过调整阀V3的分叉角度，相对于从气体供给部25供给的气体26独立地控制从净化气体供给源TP供给的净化气体31的供给量，因此，在成膜室102内可以使净化气体31高效率地对流。净化气体31与气体26一样，从抑制杂质生成的观点考虑，优选惰性气体，特别是与气体26相同的气体。
<其他变形例>
下面，对上述变形例以外的变形例进行说明。图13是图8所示的气体供给部的变形例的截面图，图14是图13的喷嘴周边的放大截面图。图15是表示在使用了图13所示的气体供给部的蒸镀方法中，进行形成蒸镀膜的蒸镀工序时气体供给部的布局的截面图。而且，图16及图17是示出使图13～图15所示的气体供给部动作的各状态的放大截面图。
图8所示的气体供给部25和图13～17所示的气体供给部35有以下几点不同。首先，图13～18所示的气体供给部35中，气体供给路径GL在冷却工序中被连接到覆盖喷嘴12的开口部的栓部(喷嘴帽)NC。栓部NC形成有构成气体供给路径GL的一部分的贯通孔，并如图14所示该贯通孔的前端部成为向坩埚13内部放出气体26的气体放出口GN。
使用了气体供给部35的蒸镀方法中，在图6所示的冷却工序中，如图13所示用气体供给部35的栓部NC覆盖喷嘴12的开口部。这时，气体供给部35的气体放出口GN(参照图14)配置在喷嘴12的内部或坩埚13的内部。如果在该状态下打开图3所示的阀V2，则能够比图8所示的气体供给部25更可靠地向坩埚13内供给气体26。用气体供给部35的栓部NC覆盖喷嘴12的开口部时，可以使喷嘴12和栓部NC紧贴，完全塞住喷嘴12的开口部。但是，如图14所示，优选不使喷嘴12和栓部NC紧贴，并设置一定的间隙。如所述，在冷却工序中，在坩埚13内经热交换而温度上升的气体26聚集到上方。因此，通过在喷嘴12和栓部NC之间设置间隙，可以让温度上升后的气体26从间隙排出到蒸发源10的外部，因此，温度相对低的气体26被供给到内部，从而能够进行热交换，并促进坩埚13的温度降低。而且，在图14中，虽然示出了气体供给部35的气体放出口GN配置在喷嘴12的内部的例子，但是只要将气体放出口GN配置在喷嘴12的开口部上，就可以可靠地向坩埚13内供给气体26，因此，气体放出口GN可以配置在喷嘴12的外侧。但是，如果气体放出口GN与喷嘴12的开口部的距离比较远的话，会发生气体26的一部分扩散到喷嘴12的外侧的情况，因此，优选气体放出口GN配置在喷嘴12的开口部附近，特别优选配置在喷嘴12的开口部内或坩埚13内。
而且，在本变形例中，在冷却工序开始后，由于栓部NC配置在作为蒸镀材料气体30a(参照图15)放出口的喷嘴12上，因此，出现在栓部NC的表面析出蒸镀材料30(参照图13)的情况。这样，即使在栓部NC的表面析出了蒸镀材料30的情况下，通过在喷嘴12与栓部NC之间设置间隙，也可以抑制栓部NC和喷嘴12通过析出物粘合。而且，从可靠地抑制在栓部NC的表面析出蒸镀材料30的观点考虑，优选如图14所示在栓部NC上设置加热部36，并加热栓部NC。
但是，如图13所示，由于气体供给部35的栓部NC在冷却工序中设置为覆盖喷嘴12，因此在图6所示的蒸镀工序中，例如需要如图15所示使栓部NC从喷嘴12上移动。因此，在图13～图17所示的变形例中，在从图6所示的蒸镀工序进入冷却工序时及从冷却工序进入维护工序时，以可以移动栓部NC的位置的方式支撑栓部NC。例如，在图13～图17所示的例子中，栓部NC固定于支撑栓部NC及连接于栓部NC的气体供给路径GL的支撑部SB。另外，栓部NC的固定方法没有特别限定，例如可以一体地形成栓部NC和支撑部SB。支撑部SB可以在固定了栓部部NC的状态(支撑的状态)下移动，例如，在从蒸镀工序进入冷却工序时，如图16及图17所示地移动。首先，如图16所示，以支撑部SB的一部分为支点，通过回转运动进行动作，以使栓部NC位于喷嘴12上。之后，如图17所示，支撑部SB整体与栓部NC一起向下方移动，如图14所示用栓部进行覆盖喷嘴12的开口部。然后，在该状态下，打开图13所示的阀V2，开始气体26的供给。而且，在从图6所示的冷却工序进入维护工序时，进行图17及图16所示动作的逆动作。而且，气体供给路径GL在转换工序时连接于移动的栓部NC，因此，气体供给路径GL的至少一部分由可对应于栓部NC的移动而变形的配管构成。
而且，上述的变形例，除上述不同点之外，其他与图1～图9所示的实施方式相同，因此省略重复说明。而且，也可以将图13～图17所示的变形例与上述各种变形例组合后应用。
以上，基于实施方式对本发明人的发明进行了具体说明，但是本发明不限于所述实施方式，当然，在不脱离其主旨的范围内可进行各种变更。
例如，在所述的实施方式中，作为蒸发源的方式，例举了使用具有一个喷嘴12的蒸发源10形成蒸镀膜、即所谓点源方式的蒸镀方法进行了说明，但也可以是在一个成膜室102内并列配置多个蒸发源10的蒸镀方法。此时，因为蒸镀材料气体30a到达的范围变广，因此，可以提高蒸镀工序的效率。
而且，在所述实施方式中，作为蒸发源的方式，对从固定的蒸发源10放出蒸镀材料气体30a的方式进行了说明，但是作为变形例，也可以适用于蒸发源10和基板1边相对移动边在基板1上形成蒸镀膜的实施方式。这样蒸发源10和基板1边相对移动边形成蒸镀膜的方法，即使在作为被处理物的基板1的蒸镀膜形成面的面积宽的情况下，也可以兼顾蒸镀膜的膜厚和膜质，在这一点上是有利的。而且，在使用了使蒸发源和基板相对移动的蒸镀装置的蒸镀方法中，相对于如图4所示的从喷嘴12到基板1的蒸镀材料气体30a的放出路径的轴线(假想线)AL，气体放出口GN的放出角度也可以不配置为倾斜。此时，虽省略图示，但是在开始冷却工序时或之前，使蒸发源移动或与气体供给部的气体供给部相对移动，将气体供给部的气体放出口配置在与蒸发源喷嘴的开口部相对的位置。之后，只要从气体供给部向坩埚选择性的供给气体，就可以使坩埚内的压力局部地上升。
产业上的可利用性
本发明可以广泛用于例如有机EL显示及照明等形成蒸镀膜的制品(产品)和蒸镀装置。
符号说明
1基板、1a表面、1b背面、2有机EL显示装置(显示装置)、2a有机EL元件、3、5导电膜、6密封材、7密封基板、4有机层、4a空穴输送层、4b发光层、4c电子输送层、10、10A蒸发源、11壳体、11a面、11c盖部、11d本体部、11e开口部、12喷嘴、13坩埚、13c盖部、13d本体部、13e开口部、14加热部、14a上部块、14b下部块、15保温部(反射器)、21基板保持部、22掩模、22a开口部、25、35气体供给部、26气体、27传感器、28控制部、30蒸镀材料、30a蒸镀材料气体、31净化气体、32净化气体供给部、36加热部、100蒸镀装置、101交换室、101a装载部、101b卸载部、102成膜室、103传送室、103a遥控装置(基板传送装置)、GL气体供给路径、GN气体放出口、NC栓部、P1、P2、P3冷却曲线、SB支撑部、T1、T2、T3温度、TC热电对、TG气体供给源、TP净化气体供给源、V1、V2、V3阀、VL排气路径、VP真空泵
Claims (15)
1.一种蒸镀方法，其特征在于，包括以下工序：
(a)准备蒸发源，所述蒸发源具备：收容蒸镀材料的坩埚、加热所述坩埚的加热部以及向被处理物放出在所述坩埚内气化后的所述蒸镀材料的喷嘴；
(b)通过所述加热部加热被收容在所述坩埚的所述蒸镀材料，使产生气化后的蒸镀材料气体，并在所述被处理物上形成蒸镀膜；以及
(c)在所述(b)工序之后，从配置在所述蒸发源的外侧的气体供给部经由所述喷嘴向所述坩埚内选择性地供给气体，使所述坩埚内的压力局部上升，并且使所述加热部停止，冷却所述坩埚。
2.根据权利要求1所述的蒸镀方法，其特征在于：
在所述(c)工序中向所述坩埚内供给的气体为惰性气体。
3.根据权利要求1或2所述的蒸镀方法，其特征在于：
在所述(c)工序中，在开始所述坩埚的冷却之前，使所述蒸发源或所述气体供给部的气体放出口的位置相对移动，使所述气体供给部的所述气体放出口与所述喷嘴的开口部相对，以使从所述气体供给部经由所述喷嘴向所述坩埚内选择性地供给气体。
4.根据权利要求1或2所述的蒸镀方法，其特征在于：
所述(c)工序中向所述坩埚内供给所述气体的所述气体供给部的气体放出口与所述喷嘴分开配置，
使来自所述气体放出口的所述气体的放出角度相对于从所述喷嘴到所述被处理物的所述蒸镀材料气体的放出路径的轴线倾斜。
5.根据权利要求1或2所述的蒸镀方法，其特征在于：
所述(c)工序中向所述坩埚内供给所述气体的气体供给部具备在所述(c)工序中覆盖所述喷嘴的开口部的栓部，
所述气体供给部的气体供给路径连接到形成在所述栓部的贯通孔，并且所述气体供给部的气体放出口在所述(c)工序中被配置在所述喷嘴的所述开口部上、所述喷嘴的所述开口部内或所述坩埚内。
6.根据权利要求5所述的蒸镀方法，其特征在于：
在所述(c)工序中，加热所述栓部。
7.根据权利要求1或2所述的蒸镀方法，其特征在于：
在所述(c)工序中，继续供给所述气体直到所述坩埚的温度到达作为所述冷却的终点的温度为止。
8.根据权利要求7所述的蒸镀方法，其特征在于：
所述(c)工序中，在所述冷却的途中更换所述气体的种类进行供给。
9.根据权利要求1或2所述的蒸镀方法，其特征在于：
在所述(c)工序中，在所述坩埚的温度到达作为所述冷却的终点的温度之前，停止所述气体的供给。
10.根据权利要求9所述的蒸镀方法，其特征在于：
使用传感器检测停止所述气体的供给的时机。
11.一种蒸镀装置，其特征在于：
所述蒸镀装置具有真空腔、配置在所述真空腔内的蒸发源、向所述蒸发源内供给气体的气体供给部及在所述真空腔内保持被处理物的保持部，
所述蒸发源具备收容蒸镀材料的坩埚、加热所述坩埚的加热部以及向所述被处理物放出在所述坩埚内气化后的蒸镀材料气体的喷嘴，
所述气体供给部具备从所述真空腔的外侧向所述真空腔内导入所述气体的气体供给路径以及连接于所述气体供给路径并从所述蒸发源的所述喷嘴向所述坩埚内供给所述气体的气体放出口。
12.根据权利要求11所述的蒸镀装置，其特征在于：
所述气体供给部连接于惰性气体的供给源，并从所述气体放出口放出所述惰性气体。
13.根据权利要求11或12所述的蒸镀装置，其特征在于：
所述气体供给部的所述气体放出口与所述喷嘴分开配置，
来自所述气体放出口的所述气体的放出角度相对于从所述喷嘴到所述被处理物的所述蒸镀材料气体的放出路径的轴线倾斜。
14.根据权利要求11或12所述的蒸镀装置，其特征在于：
所述气体供给部具备覆盖所述喷嘴的开口部的栓部，
所述栓部固定在使所述栓部从所述喷嘴的开口部移动的支撑部，
所述气体供给路径连接于形成在所述栓部的贯通孔，
在所述栓部已配置在覆盖所述喷嘴的开口部的位置时，所述气体供给部的气体放出口被配置在所述喷嘴的所述开口部上、所述喷嘴的所述开口部内或所述坩埚内。
15.根据权利要求14所述的蒸镀装置，其特征在于：
所述栓部设置有加热所述栓部的加热部。
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