CN102723266A - 太阳能电池扩散方法 - Google Patents
太阳能电池扩散方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102723266A CN102723266A CN2012102015360A CN201210201536A CN102723266A CN 102723266 A CN102723266 A CN 102723266A CN 2012102015360 A CN2012102015360 A CN 2012102015360A CN 201210201536 A CN201210201536 A CN 201210201536A CN 102723266 A CN102723266 A CN 102723266A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- diffusion
- time
- flow
- oxygen
- nitrogen
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 title claims abstract description 110
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 130
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 65
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 53
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 53
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 53
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 27
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 15
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims abstract description 14
- 239000003595 mist Substances 0.000 claims description 36
- XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N phosphoryl trichloride Chemical compound ClP(Cl)(Cl)=O XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910019213 POCl3 Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 abstract description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 abstract description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 abstract description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 17
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明涉及一种太阳能电池扩散方法，其特征在于它包括以下工艺步骤：步骤一、第一次氧化；步骤二、扩散；步骤三、第二次氧化。且步骤二扩散分为第一次扩散、第二次扩散以及第三次扩散。本发明太阳能电池扩散方法，以P型硅片为扩散源衬底，扩散阶段经过三步分步扩散，小氮和氧气的通入流量从大到小，通入时间从长到短，将三步的磷源浓度由高到低驱入衬底，使得表面浓度逐渐减少，降低表面复合及缺陷浓度，并形成梯度掺杂，拓宽P-N结区的宽度，提高开路电压；同时较深的结深，可以降低串联电阻，提升太阳电池转换效率。该太阳能电池扩散方法具有无需增加工序，成本较低，能够增加晶体硅太阳电池的转换效率的优点。
Description
技术领域
本发明涉及一种太阳能电池扩散方法，更具体涉及一种提高太阳能电池转换效率的扩散方法，该方法可广泛应用于晶体硅太阳能电池制造，属于晶体硅太阳电池制造领域。
背景技术
太阳电池经过十几年的产业化发展，其工艺逐渐成熟并优化，而扩散作为制作工艺的核心步骤，其工艺的改善直接影响到电池效率的提高。
目前晶体硅太阳能电池制造领域普遍采用管式扩散，操作简便易行；扩散方法大部分采用一步扩散形成P-N结，浓度梯度较小，难于实现N+-N-P结构。
扩散工艺目前普遍追求浅结，结深在200nm左右，主要原因为浅结可以更好的吸收太阳光，浅结对应的太阳光中的短波段光谱，此范围内的光谱中包含的光子数较多，可以获得更好的蓝波响应，从而提升短路电流，而浅结所带来的不足之处在于浅结使得太阳电池吸收光谱发生蓝移，PE段工艺需进行调节以匹配光谱的浅结吸收，组件封装由于光谱失配造成功率损失过大；同时浅结造成串阻增大，填充降低，影响电池效率，浅结并且易于烧穿，造成产线低效片增多。选择性发射极技术（Selective Emitter）的出现，解决了串阻偏大问题，不过选择性发射极技术的使用成本高于常规技术，还需增加一到两道工序，使得行业里面一直未进行大规模量产。
发明内容
本发明的目的在于克服上述不足，提供一种无需增加工序，成本较低，能够增加晶体硅太阳电池的转换效率的太阳能电池扩散方法。
本发明的目的是这样实现的：
一种太阳能电池扩散方法，它包括以下工艺步骤：
步骤一、第一次氧化
将硅片放入扩散炉中，扩散炉升温到800~820℃，向扩散炉内通入氧气，氧气流量为10~12slm，通入氧气的时间为13~15min，对硅片表面进行第一次氧化反应；
步骤二、扩散
2.1、第一次扩散
扩散炉升温到835~845℃，向扩散炉内通入携三氯氧磷的小氮、大氮以及氧气组成的混合气体，所述小氮的流量为1.0~1.2slm，所述大氮的流量为8 ~10 slm，所述氧气的流量为1.2~1.5slm，通入混合气体的时间为5~7min，在硅片表面进行第一次扩散反应；
2.2、第二次扩散
扩散炉升温到845~855℃，向扩散炉内通入携三氯氧磷的小氮、大氮以及氧气组成的混合气体，所述小氮的流量为0.8~1.0 slm，所述大氮的流量为8 ~10 slm，所述氧气的流量为1.0~1.2slm，通入混合气体的时间为4~6min，在硅片表面进行第二次扩散反应；
2.3、第三次扩散
扩散炉升温到855~865℃，向扩散炉内通入携三氯氧磷的小氮、大氮以及氧气组成的混合气体，所述小氮的流量为0.6~0.8 slm，所述大氮的流量为8 ~10 slm，所述氧气的流量为0.8~1.0slm，通入混合气体的时间为3~5min，在硅片表面进行第三次扩散反应；
步骤三、第二次氧化
扩散炉升温到860~880℃，向扩散炉内通入大氮以及氧气组成的混合气体，所述大氮的流量为8 ~12slm，所述氧气的流量为10~13slm，通入混合气体的时间为3~5min，在硅片表面进行第二次氧化反应。
作为一种优选，该太阳能电池扩散方法的工艺参数如下：
步骤一、第一次氧化
扩散炉升温到820℃，通入氧气的流量为10slm，通入氧气的时间为15min；
步骤二、扩散
2.1、第一次扩散
扩散炉升温到840℃，所述小氮的流量为1.2slm，所述大氮的流量为9slm，所述氧气的流量为1.3slm，通入混合气体的时间为6min；
2.2、第二次扩散
扩散炉升温到850℃，所述小氮的流量为1.0 slm，所述大氮的流量为9slm，所述氧气的流量为1.2slm，通入混合气体的时间为5min；
2.3、第三次扩散
扩散炉升温到860℃，所述小氮的流量为0.8 slm，所述大氮的流量为9slm，所述氧气的流量为1.0slm，通入混合气体的时间为4min；
步骤三、第二次氧化
扩散炉升温到870℃，所述大氮的流量为12 slm，所述氧气的流量为10slm，通入混合气体的时间为5min。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
本发明太阳能电池扩散方法，以P型硅片为扩散源衬底，扩散阶段经过三步分步扩散，小氮和氧气的通入流量从大到小，通入时间从长到短，将三步的磷源浓度由高到低驱入衬底，使得表面浓度逐渐减少，降低表面复合及缺陷浓度，并形成梯度掺杂，拓宽P-N结区的宽度，提高开路电压；同时较深的结深，可以降低串联电阻，提升太阳电池转换效率。该太阳能电池扩散方法具有无需增加工序，成本较低，能够增加晶体硅太阳电池的转换效率的优点。
具体实施方式
本发明涉及的一种太阳能电池扩散方法，它包括以下工艺步骤：
步骤一、第一次氧化
将硅片放入扩散炉中，扩散炉升温到800~820℃，向扩散炉内通入氧气，氧气流量为10~12slm，通入氧气的时间为13~15min，对硅片表面进行第一次氧化反应，硅片表面形成18~22nm的氧化层。
步骤二、扩散
2.1、第一次扩散
扩散炉升温到835~845℃，向扩散炉内通入携三氯氧磷的小氮、大氮以及氧气组成的混合气体，所述小氮的流量为1.0~1.2slm，所述大氮的流量为8 ~10 slm，所述氧气的流量为1.2~1.5slm，通入混合气体的时间为5~7min，在硅片表面进行第一次扩散反应。
2.2、第二次扩散
扩散炉升温到845~855℃，向扩散炉内通入携三氯氧磷的小氮、大氮以及氧气组成的混合气体，所述小氮的流量为0.8~1.0 slm，所述大氮的流量为8 ~10 slm，所述氧气的流量为1.0~1.2slm，通入混合气体的时间为4~6min，在硅片表面进行第二次扩散反应。
2.3、第三次扩散
扩散炉升温到855~865℃，向扩散炉内通入携三氯氧磷的小氮、大氮以及氧气组成的混合气体，所述小氮的流量为0.6~0.8 slm，所述大氮的流量为8 ~10 slm，所述氧气的流量为0.8~1.0slm，通入混合气体的时间为3~5min，在硅片表面进行第三次扩散反应。
步骤三、第二次氧化
扩散炉升温到860~880℃，向扩散炉内通入大氮以及氧气组成的混合气体，所述大氮的流量为8 ~12slm，所述氧气的流量为10~13slm，通入混合气体的时间为3~5min，在硅片表面进行第二次氧化反应。
实施例1：
采用原料为P型单晶硅片，厚度为200±20um，电阻率为0.5-6W.cm，经过表面清洗和、表面织构化处理，在表面形成2-5nm的正金字塔绒面，将硅片放入扩散炉中。
步骤一、第一次氧化
扩散炉升温到820℃，通入氧气的流量为10slm，通入氧气的时间为15min，形成20nm的氧化层；
步骤二、扩散
2.1、第一次扩散
扩散炉升温到840℃，所述小氮的流量为1.2slm，所述大氮的流量为9slm，所述氧气的流量为1.3slm，通入混合气体的时间为6min；
2.2、第二次扩散
扩散炉升温到850℃，所述小氮的流量为1.0 slm，所述大氮的流量为9slm，所述氧气的流量为1.2slm，通入混合气体的时间为5min；
2.3、第三次扩散
扩散炉升温到860℃，所述小氮的流量为0.8 slm，所述大氮的流量为9slm，所述氧气的流量为1.0slm，通入混合气体的时间为4min；
步骤三、第二次氧化
扩散炉升温到870℃，所述大氮的流量为12 slm，所述氧气的流量为10slm，通入混合气体的时间为5min。
传统方法与本发明方法制成的太阳能电池的参数对照如下表：
上表可以看出，使用本发明方法使得太阳能电池表面形成低的表面浓度和较深的结深，可有效提高开路电压，降低串联串阻，电池片效率明显提升。
Claims (2)
1.一种太阳能电池扩散方法，其特征在于它包括以下工艺步骤：
步骤一、第一次氧化
将硅片放入扩散炉中，扩散炉升温到800~820℃，向扩散炉内通入氧气，氧气流量为10~12slm，通入氧气的时间为13~15min，对硅片表面进行第一次氧化反应；
步骤二、扩散
2.1、第一次扩散
扩散炉升温到835~845℃，向扩散炉内通入携三氯氧磷的小氮、大氮以及氧气组成的混合气体，所述小氮的流量为1.0~1.2slm，所述大氮的流量为8 ~10 slm，所述氧气的流量为1.2~1.5slm，通入混合气体的时间为5~7min，在硅片表面进行第一次扩散反应；
2.2、第二次扩散
扩散炉升温到845~855℃，向扩散炉内通入携三氯氧磷的小氮、大氮以及氧气组成的混合气体，所述小氮的流量为0.8~1.0 slm，所述大氮的流量为8 ~10 slm，所述氧气的流量为1.0~1.2slm，通入混合气体的时间为4~6min，在硅片表面进行第二次扩散反应；
2.3、第三次扩散
扩散炉升温到855~865℃，向扩散炉内通入携三氯氧磷的小氮、大氮以及氧气组成的混合气体，所述小氮的流量为0.6~0.8 slm，所述大氮的流量为8 ~10 slm，所述氧气的流量为0.8~1.0slm，通入混合气体的时间为3~5min，在硅片表面进行第三次扩散反应；
步骤三、第二次氧化
扩散炉升温到860~880℃，向扩散炉内通入大氮以及氧气组成的混合气体，所述大氮的流量为8 ~12slm，所述氧气的流量为10~13slm，通入混合气体的时间为3~5min，在硅片表面进行第二次氧化反应。
2.根据权利要求1所述的一种太阳能电池扩散方法，其特征在于它的工艺参数如下：
步骤一、第一次氧化
扩散炉升温到820℃，通入氧气的流量为10slm，通入氧气的时间为15min；
步骤二、扩散
2.1、第一次扩散
扩散炉升温到840℃，所述小氮的流量为1.2slm，所述大氮的流量为9slm，所述氧气的流量为1.3slm，通入混合气体的时间为6min；
2.2、第二次扩散
扩散炉升温到850℃，所述小氮的流量为1.0 slm，所述大氮的流量为9slm，所述氧气的流量为1.2slm，通入混合气体的时间为5min；
2.3、第三次扩散
扩散炉升温到860℃，所述小氮的流量为0.8 slm，所述大氮的流量为9slm，所述氧气的流量为1.0slm，通入混合气体的时间为4min；
步骤三、第二次氧化
扩散炉升温到870℃，所述大氮的流量为12 slm，所述氧气的流量为10slm，通入混合气体的时间为5min。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210201536.0A CN102723266B (zh) | 2012-06-19 | 2012-06-19 | 太阳能电池扩散方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210201536.0A CN102723266B (zh) | 2012-06-19 | 2012-06-19 | 太阳能电池扩散方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102723266A true CN102723266A (zh) | 2012-10-10 |
| CN102723266B CN102723266B (zh) | 2014-04-16 |
Family
ID=46948992
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201210201536.0A Active CN102723266B (zh) | 2012-06-19 | 2012-06-19 | 太阳能电池扩散方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102723266B (zh) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102903619A (zh) * | 2012-10-31 | 2013-01-30 | 湖南红太阳光电科技有限公司 | 一种实现深结低表面浓度的晶体硅扩散工艺 |
| CN103227245A (zh) * | 2013-05-13 | 2013-07-31 | 浙江昱辉阳光能源江苏有限公司 | 一种p型准单晶硅太能阳电池pn结的制造方法 |
| CN104241450A (zh) * | 2014-09-29 | 2014-12-24 | 白茹 | 一种晶体硅太阳能电池的扩散制结方法 |
| CN104409557A (zh) * | 2014-09-01 | 2015-03-11 | 苏州矽美仕绿色新能源有限公司 | 一种用于加深硅片pn结深度的扩散方法及硅片 |
| CN105070787A (zh) * | 2015-08-18 | 2015-11-18 | 东莞南玻光伏科技有限公司 | 晶体硅太阳能电池及其扩散方法 |
| CN105679864A (zh) * | 2016-03-21 | 2016-06-15 | 中国科学院半导体研究所 | 硅电池与片式反向二极管集成的太阳电池组件及制备方法 |
| CN107093551A (zh) * | 2017-04-28 | 2017-08-25 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种太阳能电池片的扩散方法及得到的太阳能电池片 |
| CN107785245A (zh) * | 2016-08-31 | 2018-03-09 | 泰州德通电气有限公司 | 一种提高太阳能电池转换效率梯度扩散法 |
| CN113871292A (zh) * | 2021-12-02 | 2021-12-31 | 南京日托光伏新能源有限公司 | 基于加大pn结结深的低压扩散工艺 |
| CN114709288A (zh) * | 2022-04-06 | 2022-07-05 | 通威太阳能(眉山)有限公司 | 一种太阳能电池及其扩散方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100221903A1 (en) * | 2008-03-18 | 2010-09-02 | Innovalight, Inc. | Methods of forming a low resistance silicon-metal contact |
| CN102148284A (zh) * | 2010-12-13 | 2011-08-10 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种制备多晶硅太阳能电池发射极的扩散方法 |
| CN102280373A (zh) * | 2011-09-13 | 2011-12-14 | 江阴鑫辉太阳能有限公司 | 一种制备多晶硅太阳能电池发射极的扩散方法 |
-
2012
- 2012-06-19 CN CN201210201536.0A patent/CN102723266B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100221903A1 (en) * | 2008-03-18 | 2010-09-02 | Innovalight, Inc. | Methods of forming a low resistance silicon-metal contact |
| CN102148284A (zh) * | 2010-12-13 | 2011-08-10 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种制备多晶硅太阳能电池发射极的扩散方法 |
| CN102280373A (zh) * | 2011-09-13 | 2011-12-14 | 江阴鑫辉太阳能有限公司 | 一种制备多晶硅太阳能电池发射极的扩散方法 |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102903619B (zh) * | 2012-10-31 | 2014-11-19 | 湖南红太阳光电科技有限公司 | 一种实现深结低表面浓度的晶体硅扩散工艺 |
| CN102903619A (zh) * | 2012-10-31 | 2013-01-30 | 湖南红太阳光电科技有限公司 | 一种实现深结低表面浓度的晶体硅扩散工艺 |
| CN103227245B (zh) * | 2013-05-13 | 2015-12-09 | 浙江昱辉阳光能源江苏有限公司 | 一种p型准单晶硅太能阳电池pn结的制造方法 |
| CN103227245A (zh) * | 2013-05-13 | 2013-07-31 | 浙江昱辉阳光能源江苏有限公司 | 一种p型准单晶硅太能阳电池pn结的制造方法 |
| CN104409557A (zh) * | 2014-09-01 | 2015-03-11 | 苏州矽美仕绿色新能源有限公司 | 一种用于加深硅片pn结深度的扩散方法及硅片 |
| CN104241450A (zh) * | 2014-09-29 | 2014-12-24 | 白茹 | 一种晶体硅太阳能电池的扩散制结方法 |
| CN104241450B (zh) * | 2014-09-29 | 2016-08-17 | 白茹 | 一种晶体硅太阳能电池的扩散制结方法 |
| CN105070787A (zh) * | 2015-08-18 | 2015-11-18 | 东莞南玻光伏科技有限公司 | 晶体硅太阳能电池及其扩散方法 |
| CN105679864A (zh) * | 2016-03-21 | 2016-06-15 | 中国科学院半导体研究所 | 硅电池与片式反向二极管集成的太阳电池组件及制备方法 |
| CN107785245A (zh) * | 2016-08-31 | 2018-03-09 | 泰州德通电气有限公司 | 一种提高太阳能电池转换效率梯度扩散法 |
| CN107093551A (zh) * | 2017-04-28 | 2017-08-25 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种太阳能电池片的扩散方法及得到的太阳能电池片 |
| CN107093551B (zh) * | 2017-04-28 | 2020-02-14 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种太阳能电池片的扩散方法及得到的太阳能电池片 |
| CN113871292A (zh) * | 2021-12-02 | 2021-12-31 | 南京日托光伏新能源有限公司 | 基于加大pn结结深的低压扩散工艺 |
| CN114709288A (zh) * | 2022-04-06 | 2022-07-05 | 通威太阳能(眉山)有限公司 | 一种太阳能电池及其扩散方法 |
| CN114709288B (zh) * | 2022-04-06 | 2023-08-22 | 通威太阳能(眉山)有限公司 | 一种太阳能电池及其扩散方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102723266B (zh) | 2014-04-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102723266B (zh) | 太阳能电池扩散方法 | |
| CN102097524B (zh) | 太阳能电池高方阻扩散方法 | |
| CN101937940B (zh) | 印刷磷源单步扩散法制作选择性发射结太阳电池工艺 | |
| CN105895738A (zh) | 一种钝化接触n型太阳能电池及制备方法和组件、系统 | |
| CN105280484B (zh) | 一种晶硅高效高方阻电池片的扩散工艺 | |
| NL2022765A (en) | Step-by-Step Doping Method of Phosphorous for High-efficiency and Low-cost Crystalline Silicon Cell | |
| CN106711239A (zh) | Perc太阳能电池的制备方法及其perc太阳能电池 | |
| CN109411341B (zh) | 一种改善se电池扩散方阻均匀性的方法 | |
| CN102637778A (zh) | 一种pn结的扩散方法 | |
| CN102130211B (zh) | 一种改善太阳能电池表面扩散的方法 | |
| CN109786511B (zh) | 一种适用于选择性发射极的扩散方法 | |
| CN113066894B (zh) | 一种适用于hbc电池的硼扩散方法 | |
| CN103050581A (zh) | 一种激光掺杂选择性发射结的扩散工艺 | |
| CN102341919A (zh) | 太阳能电池 | |
| CN107871660B (zh) | 一种晶体硅太阳能电池发射极磷掺杂控制方法 | |
| Multone et al. | Triple-junction amorphous/microcrystalline silicon solar cells: Towards industrially viable thin film solar technology | |
| CN101980381B (zh) | 一种晶体硅太阳能电池双扩散工艺 | |
| CN103094417A (zh) | 低高低掺杂浓度的发射极结构的太阳能电池制作方法 | |
| CN105070654B (zh) | 一种提高晶体硅太阳能电池效率的扩散工艺 | |
| CN112466984B (zh) | 太阳能单晶高效perc+se电池片的低压扩散工艺 | |
| CN102270701A (zh) | 选择性发射极晶硅太阳能电池的一次性扩散工艺 | |
| KR101383426B1 (ko) | 양면수광형 태양전지의 제조방법 | |
| CN107768482A (zh) | 一种晶体硅太阳能电池热氧工艺 | |
| CN113555468A (zh) | 一种提升n型硅片硼扩散方阻均匀性的工艺 | |
| CN104183670A (zh) | 一种太阳能电池钝化膜的制作方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C53 | Correction of patent of invention or patent application | ||
| CB03 | Change of inventor or designer information |
Inventor after: Yan Xunlei Inventor after: Yang Guizhong Inventor before: Yan Xunlei Inventor before: Yang Guizhong Inventor before: Xu Qian |
|
| COR | Change of bibliographic data |
Free format text: CORRECT: INVENTOR; FROM: YAN XUNLEI YANG GUIZHONG XU QIAN TO: YAN XUNLEI YANG GUIZHONG |
|
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| CB02 | Change of applicant information |
Address after: Shen Gang street of Jiangyin city in Jiangsu province 214443 Wuxi city Shen Zhuang Road No. 5 Applicant after: JIANGSU HOYI TECHNOLOGY CO., LTD. Address before: Shen Gang street of Jiangyin city in Jiangsu province 214443 Wuxi city Shen Zhuang Road No. 5 Applicant before: Jiangsu Hongyuan Innovative Technology Co., Ltd. |
|
| CB02 | Change of applicant information | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C56 | Change in the name or address of the patentee | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: Shen Gang street of Jiangyin city in Jiangsu province 214443 Wuxi city Shen Zhuang Road No. 5 Patentee after: Jiangsu sinocera Hongyuan Photoelectric Technology Co. Ltd. Address before: Shen Gang street of Jiangyin city in Jiangsu province 214443 Wuxi city Shen Zhuang Road No. 5 Patentee before: JIANGSU HOYI TECHNOLOGY CO., LTD. |