CN104241450B - 一种晶体硅太阳能电池的扩散制结方法 - Google Patents
一种晶体硅太阳能电池的扩散制结方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104241450B CN104241450B CN201410514827.4A CN201410514827A CN104241450B CN 104241450 B CN104241450 B CN 104241450B CN 201410514827 A CN201410514827 A CN 201410514827A CN 104241450 B CN104241450 B CN 104241450B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- diffusion
- silicon chip
- sccm
- nitrogen
- flow
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 title claims abstract description 55
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 45
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 45
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 45
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 13
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 54
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 39
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims abstract description 8
- XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N phosphoryl trichloride Chemical group ClP(Cl)(Cl)=O XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 8
- 235000008216 herbs Nutrition 0.000 claims description 5
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 claims description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 2
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
- H01L21/2225—Diffusion sources
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Hybrid Cells (AREA)
Abstract
本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的扩散制结方法，包括如下步骤：(1)将待处理的硅片放入扩散炉内进行氧化处理；(2)调温至820~830℃，通源进行扩散，携源氮气采用脉冲式供气；(3)降温至780~800℃，停止脉冲供气，采用均一流量通入氮气和氧气，进行推进处理；(4)降温出舟，完成扩散过程。本发明开发了一种新的晶体硅太阳能电池的扩散制结方法，提高了扩散后方块电阻的均匀性；实验证明，由本发明的方法制得的硅片的均匀性极好，不均匀度为1.06~1.85%，且其片内和片间的均匀性均较好，效果非常显著。
Description
技术领域
本发明涉及一种晶体硅太阳能电池的扩散制结方法，属于太阳能电池技术领域。
背景技术
随着常规能源的逐步枯竭和对能源需求的的日益剧增，人类面临的越来越严重的能源危机，而发展太阳能电池是解决上述问题的途经之一。目前，晶体硅太阳电池作为主要的光伏材料占市场份额的80~90%。现有技术中，晶体硅太阳电池的制造流程如下：表面清洗及织构化、扩散制结、清洗刻蚀去边、镀减反射膜、丝网印刷、烧结形成欧姆接触、测试。上述这种商业化的晶体硅电池制造技术相对简单、成本较低，适合工业化、自动化生产，因而得到了广泛应用。其中，扩散制结工艺作为晶体硅太阳电池的核心技术，其目的是形成与基体导电类型相反的发射区，从而形成PN结。
众所周知，方块电阻的均匀性是扩散制PN结工艺追求的首要目标，方块电阻均匀性的好坏严重影响着太阳电池效率的高低，尤其对于方块电阻日益提高的太阳能电池而言，方块电阻的均匀性的重要性更加明显。例如，中国发明专利申请CN102005502A公开了一种改善太阳能电池磷扩散均匀性的方法，其主要通过采用扩散炉内各温区温度一致，且保持均匀气体环境，从而大大提高扩散均匀性、一致性及工艺重复性与稳定性。其最终得到的扩散后方块电阻的平均不均匀度为3.6%，且片间的均匀性较差，可参见其说明书[0036]段。此外，中国实用新型专利CN203270093U公开了一种扩散炉及其扩散炉用尾气管，其从扩散炉尾气管的设计上进行了提高方阻均匀性阐述。其虽然取得了一定的效果，但仍有进一步提升的必要。因此，开发一种高均匀度的PN结制造方法具有现实的积极意义。
发明内容
本发明的发明目的是提供一种晶体硅太阳能电池的扩散制结方法。
为达到上述发明目的，本发明采用的技术方案是：一种晶体硅太阳能电池的扩散制结方法，包括如下步骤：
(1) 将待处理的硅片放入扩散炉内进行氧化处理；
(2) 调温至820~830℃，通源进行扩散，携源氮气采用脉冲式供气，每个脉冲的时间为15~30秒，在高供气点氮气流量为30000~40000 sccm，在低供气点氮气流量为10000~20000 sccm；扩散时间为15~30分钟；
(3) 降温至780~800℃，停止脉冲供气，采用均一流量通入氮气和氧气，进行推进处理；
所述氮气和氧气的流量分别为15000~25000 sccm和1000~2000 sccm；
(4) 降温出舟，完成扩散过程。
上述技术方案中，所述步骤(1)中待处理的硅片位制绒清洗完毕后的硅片。
上述技术方案中，所述步骤(1)中，氧化处理的温度为750~850℃，氧化时间为5~15分钟；氧气流量为2000~3000 sccm。
上述技术方案中，所述步骤(2)中，干氧的通气方式为均一流量，其流量为500~1000 sccm。
优选的，所述步骤(1)中的硅片为P型硅片，所述步骤(2)中的源为磷源。
上述技术方案中，所述磷源为三氯氧磷，温度为30~35℃。
上述技术方案中，所述完成扩散过程之后的硅片的目标方块电阻值大于85欧姆。
本发明同时请求保护由上述扩散制结方法获得的硅片。
由于上述技术方案运用，本发明与现有技术相比具有下列优点：
1、本发明开发了一种新的晶体硅太阳能电池的扩散制结方法，提高了扩散后方块电阻的均匀性；实验证明，由本发明的方法制得的硅片的均匀性极好，不均匀度为1.06~1.85%，且其片内和片间的均匀性均较好，效果非常显著；
2、本发明无须增添任何设备工装，利用现有设备即可完成扩散制结工艺，适应性较好；
3、本发明的制备方法简单易行，成本较低，适于推广应用。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明进一步描述。
实施例一：
一种晶体硅太阳能电池的扩散制结方法，包括如下步骤：
(1) 将制绒清洗过后的一组单晶P型硅片（400片）放入扩散炉内，在750度下进行氧化处理；氧气流量为2000 sccm，时间为15min；
(2) 升温至820℃，通三氯氧磷扩散源进行扩散（磷源温度为30℃），携源氮气采用脉冲式供气，每个脉冲的时间为15秒，在高供气点氮气流量为30000 sccm，在低供气点氮气流量为20000 sccm；扩散时间为15分钟；
(3) 降温至780℃，停止脉冲供气，采用均一流量通入氮气和氧气，进行推进处理；
所述氮气和氧气的流量分别为15000 sccm和1000 sccm；保持15分钟；
(4) 降温出舟，完成扩散过程。
所述步骤(2)中，干氧的通气方式为均一流量，其流量为500 sccm。
所述完成扩散过程之后的硅片的目标方块电阻值为90欧姆。
对比例一
采用与实施例相同的一组单晶P型硅片（400片），按照中国发明专利申请CN102005502A的方法进行扩散制结。
PN结制造过程完毕后，从上述实施例和对比例得到的硅片中每组各均匀位置抽取5片硅片进行方块电阻的测试，得到如下数据：
实施例一
| 位置 | 中心 | 角1 | 角2 | 角3 | 角4 | 不均匀度 |
| 35 | 90.6 | 88.6 | 89.4 | 87.7 | 88.6 | 1.63% |
| 115 | 91.4 | 89.5 | 88.2 | 88.1 | 89.4 | 1.85% |
| 195 | 89.6 | 88.7 | 90.5 | 87.9 | 87.9 | 1.46% |
| 275 | 89.9 | 87.1 | 88.4 | 88.9 | 90.1 | 1.69% |
| 355 | 89.2 | 89.1 | 87.6 | 87.1 | 86.9 | 1.31% |
对比例一
| 位置 | 中心 | 角1 | 角2 | 角3 | 角4 | 不均匀度 |
| 35 | 57.2 | 61.2 | 58.1 | 62.1 | 59.1 | 4.11% |
| 115 | 59.0 | 63.1 | 62.3 | 55.6 | 59.1 | 6.27% |
| 195 | 56.0 | 62.4 | 60.1 | 64.1 | 54.9 | 7.73% |
| 275 | 55.0 | 61.5 | 61.1 | 62.1 | 59.9 | 5.92% |
| 355 | 52.5 | 61.9 | 59.1 | 54.3 | 56.1 | 8.28% |
由上述2个表格可见，采用现有技术的工艺得到的扩散后硅片不均匀度在4.11~8.28%，而采用本发明实施例一的制备方法，不均匀度在1.31~1.85%，其方块电阻的均匀性较好。
然后，对实施例和对比例的硅片在AM1.5、光强1000W，温度25℃条件下测量其电性能参数，结果如下：
| Voc | Isc | FF | EFF | |
| 实施例一 | 0.631 | 8.67 | 78.74% | 17．71% |
| 对比例一 | 0.630 | 8.66 | 78.55% | 17.61% |
由上表可见，本发明实施例的光电转换效率比对比例的提高约0.1%，可见本发明的扩散工艺可以大幅度提高扩散的均匀性，一定程度上提升太阳能电池的光电转换效率。
实施例二
一种晶体硅太阳能电池的扩散制结方法，包括如下步骤：
(1) 将制绒清洗过后的一组单晶P型硅片（400片）放入扩散炉内，在800度下进行氧化处理；氧气流量为2000 sccm，时间为10 min；
(2) 升温至820℃，通三氯氧磷扩散源进行扩散（磷源温度为30℃），携源氮气采用脉冲式供气，每个脉冲的时间为20秒，在高供气点氮气流量为35000 sccm，在低供气点氮气流量为15000 sccm；扩散时间为20分钟；
(3) 降温至790℃，停止脉冲供气，采用均一流量通入氮气和氧气，进行推进处理；
所述氮气和氧气的流量分别为20000 sccm和1500 sccm；保持15分钟；
(4) 降温出舟，完成扩散过程。
所述步骤(2)中，干氧的流量的通气方式为均一流量，流量为800 sccm。
所述完成扩散过程之后的硅片的目标方块电阻值为100欧姆。
PN结制造过程完毕后，从上述实施例得到的硅片中每组各均匀位置抽取5片硅片进行方块电阻的测试，得到如下数据：
| 位置 | 中心 | 角1 | 角2 | 角3 | 角4 | 不均匀度 |
| 35 | 90.5 | 88.4 | 89.1 | 88.8 | 90.4 | 1.17% |
| 115 | 88.7 | 89.1 | 89.7 | 89.2 | 90.6 | 1.06% |
| 195 | 89.3 | 88.1 | 90.6 | 88.8 | 88.6 | 1.40% |
| 275 | 89.9 | 88.6 | 87.8 | 89.4 | 90.2 | 1.35% |
| 355 | 91.2 | 88.1 | 89.4 | 88.5 | 89.8 | 1.73% |
实施例三
一种晶体硅太阳能电池的扩散制结方法，包括如下步骤：
(1) 将制绒清洗过后的一组单晶P型硅片（400片）放入扩散炉内，在850度下进行氧化处理；氧气流量为1500 sccm，时间为6 min；
(2) 降温至820℃，通三氯氧磷扩散源进行扩散（磷源温度为30℃），携源氮气采用脉冲式供气，每个脉冲的时间为25秒，在高供气点氮气流量为40000 sccm，在低供气点氮气流量为20000 sccm；扩散时间为25分钟；
(3) 降温至800℃，停止脉冲供气，采用均一流量通入氮气和氧气，进行推进处理；
所述氮气和氧气的流量分别为25000 sccm和2000 sccm；保持15分钟；
(4) 降温出舟，完成扩散过程。
所述步骤(2)中，干氧的流量的通气方式为均一流量，流量为900 sccm。
所述完成扩散过程之后的硅片的目标方块电阻值为110欧姆。
PN结制造过程完毕后，从上述实施例得到的硅片中每组各均匀位置抽取5片硅片进行方块电阻的测试，得到如下数据：
| 位置 | 中心 | 角1 | 角2 | 角3 | 角4 | 不均匀度 |
| 35 | 89.4 | 88.7 | 88.5 | 89.1 | 90.6 | 1.18% |
| 115 | 88.5 | 87 | 89 | 88.3 | 89.1 | 1.19% |
| 195 | 87.9 | 88.9 | 90.2 | 87.7 | 89.1 | 1.41% |
| 275 | 89.1 | 88.3 | 88.7 | 87.7 | 90 | 1.30% |
| 355 | 91.2 | 89.3 | 88.1 | 89.8 | 88.4 | 1.73% |
由上述表格可见，从实施例一至三可知，采用本发明的制备方法得到的方块电阻的不均匀度在1.06~1.85%之间，其方块电阻的均匀性较好，有利于太阳电池效率的提升。
Claims (7)
1.一种晶体硅太阳能电池的扩散制结方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1) 将待处理的硅片放入扩散炉内进行氧化处理；
(2) 调温至820~830℃，通源进行扩散，携源氮气采用脉冲式供气，每个脉冲的时间为15~30秒，在高供气点氮气流量为30000~40000 sccm，在低供气点氮气流量为10000~20000 sccm；扩散时间为15~30分钟；
(3) 降温至780~800℃，停止脉冲供气，采用均一流量通入氮气和氧气，进行推进处理；
所述氮气和氧气的流量分别为15000~25000 sccm和1000~2000 sccm；
(4) 降温出舟，完成扩散过程。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤(1)中待处理的硅片为制绒清洗完毕后的硅片。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤(1)中，氧化处理的温度为750~850度，氧化时间为5~15分钟；氧气流量为2000~3000 sccm。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤(1)中的硅片为P型硅片，所述步骤(2)中的源为磷源。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：所述磷源为三氯氧磷，温度为30~35℃。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述完成扩散过程之后的硅片的目标方块电阻值大于85欧姆。
7.根据权利要求1至6任一项所述的扩散制结方法获得的硅片。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410514827.4A CN104241450B (zh) | 2014-09-29 | 2014-09-29 | 一种晶体硅太阳能电池的扩散制结方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410514827.4A CN104241450B (zh) | 2014-09-29 | 2014-09-29 | 一种晶体硅太阳能电池的扩散制结方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104241450A CN104241450A (zh) | 2014-12-24 |
| CN104241450B true CN104241450B (zh) | 2016-08-17 |
Family
ID=52229188
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410514827.4A Expired - Fee Related CN104241450B (zh) | 2014-09-29 | 2014-09-29 | 一种晶体硅太阳能电池的扩散制结方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104241450B (zh) |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006106779A1 (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 不純物導入装置及び不純物導入方法 |
| CN1870219A (zh) * | 2006-06-09 | 2006-11-29 | 河北工业大学 | 提高p型硅外延电阻率一致性的控制方法 |
| CN101775591A (zh) * | 2010-03-23 | 2010-07-14 | 福建钧石能源有限公司 | 沉积薄膜的方法 |
| CN102714148A (zh) * | 2010-01-25 | 2012-10-03 | 英诺瓦莱特公司 | 形成具有含硅颗粒的多掺杂结的方法 |
| CN102723266A (zh) * | 2012-06-19 | 2012-10-10 | 江苏泓源光电科技有限公司 | 太阳能电池扩散方法 |
| CN103066150A (zh) * | 2012-09-27 | 2013-04-24 | 东方电气集团(宜兴)迈吉太阳能科技有限公司 | 一次扩散法制备选择性发射极电池的方法 |
| CN103237918A (zh) * | 2010-11-30 | 2013-08-07 | 德国罗特·劳股份有限公司 | 用于离子注入的方法和装置 |
-
2014
- 2014-09-29 CN CN201410514827.4A patent/CN104241450B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006106779A1 (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 不純物導入装置及び不純物導入方法 |
| CN1870219A (zh) * | 2006-06-09 | 2006-11-29 | 河北工业大学 | 提高p型硅外延电阻率一致性的控制方法 |
| CN102714148A (zh) * | 2010-01-25 | 2012-10-03 | 英诺瓦莱特公司 | 形成具有含硅颗粒的多掺杂结的方法 |
| CN101775591A (zh) * | 2010-03-23 | 2010-07-14 | 福建钧石能源有限公司 | 沉积薄膜的方法 |
| CN103237918A (zh) * | 2010-11-30 | 2013-08-07 | 德国罗特·劳股份有限公司 | 用于离子注入的方法和装置 |
| CN102723266A (zh) * | 2012-06-19 | 2012-10-10 | 江苏泓源光电科技有限公司 | 太阳能电池扩散方法 |
| CN103066150A (zh) * | 2012-09-27 | 2013-04-24 | 东方电气集团(宜兴)迈吉太阳能科技有限公司 | 一次扩散法制备选择性发射极电池的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104241450A (zh) | 2014-12-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106057980B (zh) | 一种晶体硅太阳能电池的磷扩散方法 | |
| CN103618023B (zh) | 一种高方阻扩散工艺 | |
| CN105895738A (zh) | 一种钝化接触n型太阳能电池及制备方法和组件、系统 | |
| CN104404626B (zh) | 物理冶金多晶硅太阳能电池的磷扩散方法 | |
| CN104393107A (zh) | 一种高方阻晶体硅电池低压扩散工艺 | |
| CN103681976A (zh) | 一种高效低成本太阳电池扩散工艺 | |
| CN102522449A (zh) | 一种制备硅太阳能电池的磷扩散方法 | |
| CN102005502A (zh) | 一种改善太阳能电池磷扩散均匀性的方法 | |
| CN103715308A (zh) | 一种多晶硅太阳能电池低温变温扩散工艺 | |
| CN106856215A (zh) | 太阳能电池片扩散方法 | |
| CN102709389B (zh) | 一种双面背接触太阳能电池的制备方法 | |
| CN110323304A (zh) | 低压扩散低温氧化吸杂工艺 | |
| CN103904141A (zh) | 低表面浓度轻掺杂区选择性发射极结构的制备方法 | |
| CN102881767B (zh) | 一种用于太阳能电池的链式扩散工艺 | |
| CN108110090B (zh) | 一种n型双面电池制备方法 | |
| CN204668282U (zh) | 一种高温低压扩散装置 | |
| CN103178157B (zh) | 一种选择性发射极多晶硅太阳电池的制备方法 | |
| CN102969402A (zh) | 一种浅结太阳能电池的制备工艺 | |
| CN101339965A (zh) | 晶体硅太阳能电池的选择性一次扩散方法 | |
| CN104241450B (zh) | 一种晶体硅太阳能电池的扩散制结方法 | |
| CN102593244B (zh) | 一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法 | |
| CN105957904B (zh) | 改进的太阳能电池片的扩散工艺 | |
| CN105870217B (zh) | 改进的多晶太阳电池的扩散工艺 | |
| CN103018564B (zh) | 一种测试成品电池片扩散层电阻的方法 | |
| CN103441190A (zh) | 一种太阳能电池中pn结制作方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20160817 Termination date: 20180929 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |