CN104183670A - 一种太阳能电池钝化膜的制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种太阳能电池钝化膜的制作方法，(1)将P型多晶硅片完成酸制绒、磷扩散、刻蚀清洗工序后采用臭氧对硅片表面进行氧化钝化，生成一层二氧化硅薄层，所述臭氧浓度为10～40mg/L，流量为2～10slm，反应时间为2～10分钟；(2)将氧化钝化后的硅片送入镀膜设备中，在二氧化硅薄层表面沉积一层均匀的氮化硅薄层。本发明可有效提升短路电流和开路电压，电池效率将有0.1%左右的提升，同时成本低廉，且该技术与传统镀膜工艺兼容，适合于大批量生产。
Description
技术领域
本发明涉及一种太阳能电池制作方法，具体涉及一种太阳能电池钝化膜的制作方法。
背景技术
目前，随着太阳能电池片生产技术不断进步，生产成本不断降低，转换效率不断提高，使光伏发电的应用日益普及并迅猛发展，逐渐成为电力供应的重要来源。太阳能电池片是一种能量转换的光电元件，它可以在太阳光的照射下，把光的能量转换成电能，从而实现光伏发电。生产电池片的工艺比较复杂，一般要经过硅片检测、表面制绒、扩散制结、去磷硅玻璃、等离子刻蚀、镀减反射膜、丝网印刷、快速烧结和检测分装等主要步骤。常规硅电池的钝化一般集成在镀膜步骤中，在镀膜过程中，反应气体的氢键与硅片表面的缺陷键位结合，形成氢钝化。但是，氢钝化形成的键位在后续烧结步骤中容易断开，导致钝化效果降低，影响最终电池的效率。如何更进一步提高电池转换效率，降低成本成为现在重要课题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种太阳能电池钝化膜的制作方法，可有效提升短路电流和开路电压，电池效率将有0.1%左右的提升，同时成本低廉，且该技术与传统镀膜工艺兼容，适合于大批量生产。
本发明解决技术问题所采用的技术方案是：一种太阳能电池钝化膜的制作方法，
(1)将P型多晶硅片完成酸制绒、磷扩散、刻蚀清洗工序后采用臭氧对硅片表面进行氧化钝化，生成一层二氧化硅薄层，所述臭氧浓度为10～40mg/L，流量为2～10slm，反应时间为2～10分钟；
(2)将氧化钝化后的硅片送入镀膜设备中，在二氧化硅薄层表面沉积一层均匀的氮化硅薄层。
作为一种优选，步骤（1）中所述的二氧化硅薄层厚度为5～10nm。
本发明的有益效果是: 本发明通过优化镀膜的膜层形式，使太阳能电池效率有0.1%左右的提升，节约生产成本，且与传统太阳能电池生产线兼容，适合于大规模生产。
附图说明
图1为本发明实施例太阳能电池表面钝化后结构示意图。
附图说明：1、太阳能电池硅片；2、二氧化硅薄层；3、氮化硅薄层。
下面结合附图对本发明做进一步说明。
具体实施方式
实施例1：结合附图，一种太阳能电池钝化膜的制作方法，步骤如下：
(1)将P型多晶硅片完成酸制绒、磷扩散、刻蚀清洗工序后采用臭氧对硅片1表面进行氧化钝化，生成一层二氧化硅薄层2，所述臭氧浓度为10mg/L，流量为10slm，反应时间为10分钟；
(2)将氧化钝化后的硅片送入镀膜设备中，在二氧化硅薄层表面沉积一层均匀的氮化硅薄层3，该二氧化硅薄层厚度为10nm。
实施例2：另一种太阳能电池钝化膜的制作方法，步骤如下：
(1)将P型多晶硅片完成酸制绒、磷扩散、刻蚀清洗工序后采用臭氧对硅片表面进行氧化钝化，生成一层二氧化硅薄层，所述臭氧浓度为40mg/L，流量为2slm，反应时间为2分钟；
(2)将氧化钝化后的硅片送入镀膜设备中，在二氧化硅薄层表面沉积一层均匀的氮化硅薄层，该二氧化硅薄层厚度为5nm。
Claims (2)
1.一种太阳能电池钝化膜的制作方法，其特征在于：
(1)将P型多晶硅片完成酸制绒、磷扩散、刻蚀清洗工序后采用臭氧对硅片表面进行氧化钝化，生成一层二氧化硅薄层，所述臭氧浓度为10～40mg/L，流量为2～10slm，反应时间为2～10分钟；
(2)将氧化钝化后的硅片送入镀膜设备中，在二氧化硅薄层表面沉积一层均匀的氮化硅薄层。
2.如权利要求1所述的太阳能电池钝化膜的制作方法，其特征在于：步骤（1）中所述的二氧化硅薄层厚度为5～10nm。
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