CN102655185A - 异质接面太阳能电池 - Google Patents

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Abstract

一种异质接面太阳能电池，其在硅晶基板上镀制一层本质非晶硅薄膜，然后置于扩散炉内形成P-N接面，以制作具有异质接面的太阳能电池，其至少包括含有电性掺杂的硅晶基板、本质非晶硅薄膜、透明介电质层、前电极及背电极所构成；于另一较佳实施例，系先在硅晶基板上以化学溶液生成法生长一层二氧化硅薄膜，然后镀制一层本质非晶硅薄膜，其后置于扩散炉内形成P-N接面，以制作具有异质接面的太阳能电池，其至少包括含有电性掺杂的硅晶基板、二氧化硅薄膜、本质非晶硅薄膜、透明介电质层、前电极及背电极所构成。本发明不仅在制程设备上较为经济，且兼容于目前批量生产化制程而易于批量生产。

Description

异质接面太阳能电池
技术领域
本发明系有关于一种异质接面太阳能电池，尤指涉及一种在硅晶基板镀制非晶硅薄膜而形成具有简易制程特性的异质接面太阳能电池。
背景技术
一般具有P-N接面结构的硅太阳能电池，其内部吸收光能后所产生的自由载子（Free Carrier），即电子（Electron）与电洞（Hole），系由P-N接面处的内建电场（Built-in Electric Field）驱动，而分别向负极与正极聚集，遂于电池两端产生电压，从而向外部电路输出功率。此一传统的硅太阳能电池制作的一例，系以具有P型电性掺杂的硅基板（P-doped Silicon Wafer），使用碱溶液制作粗纹化表面（Textured Surface），然后以磷扩散（Phosphorous Diffusion）方法形成P-N接面。其后经过镀膜、电极印刷与烧结诸道程序完成P-N接面太阳能电池。为了提升太阳能电池光电转换效率，工业界提出一种使用非晶硅薄膜来降低载子的表面再结合速率（Surface Recombination Velocity），以提升开路电压（Open Circuit Voltage）与短路电流（Short Circuit Current），遂而增加光电转换效率，较知名的实例系由三洋电机公司（Sanyo Electric Co.,Ltd）所研发的异质接面（Heterojunction with Intrinsic Thin Layer, HIT）硅晶太阳能电池，其转换效率达到23%（如参考文献：E.Maruyama, et al., “Sanyo's challenges to the development of high-efficiency HIT solar cells and the expansion of HIT business,” Conference Record of the 4th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-4), Hawaii, May 2006；以及Photovoltaic Device ,US patent ,US 2006/0065297Al, 2006）。
其制程系在较低温，例如200°C的环境成长本质非晶硅层（Intrinsic Amorphous Silicon Layer）于N型硅晶基板的前、后表面，然后于前表面成长P型非晶硅薄膜，于背面成长N型非晶硅薄膜，致使太阳能电池照光侧形成PIN结构，且具异质接面（Heterojunction）；而在背光侧形成背表面场（Back Surface Field）结构，且具有异质接面。这些非晶硅薄膜的成长皆系以电浆化学气相沉积方式（Plasma Chemical Vapour Deposition Method）进行。由于非晶硅的导电率较结晶硅为差，上述HIT太阳能电池的前、后表面各自以溅镀（Sputter）方式镀制透明介电质层薄膜（Transparent Conductive Oxide Film）。此一透明介电质层一方面增加载子传导率，另一方面在前表面亦达到抗反射的功能。
前述HIT太阳能电池之所以达到高效率的因素系包括硅晶表面的清洗、本质非晶硅层对硅晶表面的钝化作用、非晶硅与结晶硅之间的异质接面形成较高开路电压、以及低温制程等。其中低温制程确保非晶硅不转变为结晶硅，以保持其宽能隙特性以及异质接面特性。由于在P型非晶硅与N型结晶硅间具有不连续的共价带能隙位阶差（Abrupt Covalence Band Offset），引起在界面（Interface）的高电位差，遂而减少在接口附近的多数载子数目以及产生较低的少数载子再结合速率，因而产生较高太阳能电池性能。然而，若以P型非晶硅直接与硅晶基板接触，则又会在接口附近生成较多的缺隙（Defect），从而致使太阳能电池性能降低，故目前研究人员皆建议成长本质非晶硅层于P型非晶硅与N型硅晶基板之间，达到钝化上述接口，而保有原有异质接面结构来提升太阳能电池的初衷。一般都认为本质非晶硅层系以本身具有的氢原子去修补结晶硅与非晶硅界面附近的缺隙，此即钝化作用。惟在高温下，例如300°C以上，氢原子即向P型非晶硅扩散移动，致使前述钝化功能消减。为了阻挡这种氢原子扩散移动，三洋电机公司亦提出在P型非晶硅与本质非晶硅层的界面处调整氢原子含量与硼原子含量的方法。其基本原理系在该接口处形成扩散阻碍区（Diffusion Reducing Area），以减少氢原子扩散（如前述参考文献：Photovoltaic Device ,US patent ,US 2006/0065297Al, 2006）。
为抑制非晶硅薄膜的结晶化而失去异质接面功效，例如非晶硅可钝化结晶硅与非晶硅接口，以及形成宽能隙薄膜等功效，应用材料公司（Applied Materials,Inc）提出在结晶硅与非晶硅间生长一层约1 奈米（nm）的二氧化硅层，之后再依序镀制本质非晶硅层与电性掺杂的非晶硅层（doped amorphous silicon layer）形成HIT太阳能电池（如参考文献：HIT Solar Cell Structure ,US patent ,US 2010/0186802A1 ,2010）。
于此大约同时亦有业界提出先于硅晶基板前表面以传统扩散方式先形成P-N接面，亦即先形成一层扩散层，然后再依序于前、后表面成长本质非晶硅与电性掺杂的非晶硅层，最后镀制透明介电质层层于前、后表面，接着在前、后表面印刷导电电极完成同时具有同质接面（Homojunction）与异质接面的硅太阳能电池（如参考文献：Solar Cell Having Crystalline Silicon P-N Homojunction and Amorphous Silicon Heterojunction for Surface Passivation ,US patent ,US 2009/0211627A1, 2009）。该方法亦包括先以热氧环境在硅晶基板表面成长一层二氧化硅层，随即以湿蚀刻法去除，以达到去除硅材料中的污染性杂质。有关此一已知技术所揭露的组件，如图３所示一种具有非晶硅薄膜的硅晶太阳能电池结构示意图，其具有同质接面与异质接面的硅晶基板太阳能电池２００，包含在具有电性掺杂的硅晶基板２１０上形成扩散层２２０。该扩散层２２０以扩散方式在该硅晶基板２１０表面区域形成具有与硅晶基板２１０电性相反的电性掺杂，而构成P-N同质接面。随后分别在硅晶基板２１０前、后表面镀制本质非晶硅２３０、２３５以及电性掺杂的非晶硅２４０、２４５。该扩散层２２０与该本质非晶硅２３０之间，以及该硅晶基板２１０与该本质非晶硅２３５间接形成异质接面。该本质非晶硅２３０、２３５的功能系作为钝化接口用；而电性掺杂的非晶硅２４０、２４５乃系提供加强性的内建电场来吸引载子，同时也因具有宽能隙特性，不仅大幅减少载子在接口区的再结合速率，亦增加开路电压与短路电流，换言之，即增加太阳能电池的转换效率。此结构亦包含透明导电氧化物２５０、２５５以及由网印方式涂布的前电极２６０与背电极２６５。
依前述结构形成异质接面太阳能电池的方法，需多层非晶硅薄膜，成本与制程时间皆花费较多。因此，已知组件的制程较复杂，有碍量产化，故，一般已用者无法符合使用者于实际使用时所需。
针对既有的缺失加以改良，发展一种能避免已知技术的方法与设备的缺点并且能够进行符合实用进步性与产业利用性的方法与设备有其必要。
发明内容
本发明主要目的在于，克服已知技艺所遭遇的上述问题并提供一种在硅晶基板镀制非晶硅薄膜而形成较具有简易制程特性的异质接面太阳能电池。
本发明次要目的在于，提供一种仅需镀制一层本质非晶硅薄膜，抑或增加一层以化学生成法生长的二氧化硅薄膜，并且，更以被覆本质非晶硅薄膜的硅晶基板进行电性掺杂的扩散，致使太阳能电池同时具有异质接面与同质接面，不仅在制程设备上较为经济，且因使用生产线扩散设备，故兼容于目前量产化制程的异质接面太阳能电池。
为达以上目的，本发明提供了一种异质接面太阳能电池，其特征在于至少包括：
一含有电性掺杂的硅晶基板，于其照光侧及背光侧表面分别具有一硅晶基板表面区域及一背表面场区域，且该硅晶基板的照光侧表面含有同质接面，而该硅晶基板原始掺杂浓度小于1019cm-3；
一本质非晶硅薄膜，覆盖在该硅晶基板照光侧表面的硅晶基板表面区域上，其电子能隙大于该硅晶基板电子能隙，且该本质非晶硅薄膜含有电性掺杂形成异质接面，并与该硅晶基板表面区域构成一扩散区域；
一透明介电质层，覆盖在该硅晶基板照光侧表面的本质非晶硅薄膜上；
一前电极，具有线条形态，覆盖在该透明介电质层上；
一背电极，覆盖在该硅晶基板背光侧表面的背表面场区域上；以及
上述该本质非晶硅薄膜与该硅晶基板的异质接面，以及该硅晶基板照光侧的同质接面由一次电性掺杂扩散形成。
所述异质接面太阳能电池优选实施方式之一为，该硅晶基板厚度介于50μm～660μm之间。
所述异质接面太阳能电池优选实施方式之一为，该硅晶基板的照光侧具有粗纹化表面。
所述异质接面太阳能电池优选实施方式之一为，该透明介电质层选自氮化硅、二氧化硅、铟锡氧化物、二氧化锡、氧化铝锌及氧化锌中之一。
所述异质接面太阳能电池优选实施方式之一为，该含有电性掺杂的非晶硅薄膜的电性掺杂元素与该硅晶基板表面区域的掺杂元素相同，而与该硅晶基板的掺杂元素不同。
所述异质接面太阳能电池优选实施方式之一为，该含有电性掺杂的非晶硅薄膜的电性掺杂元素与该硅晶基板表面区域的掺杂元素相同，并与该硅晶基板原始的掺杂元素亦相同，且该非晶硅薄膜掺杂浓度大于该硅晶基板原始掺杂浓度。
所述异质接面太阳能电池优选实施方式之一为，该硅晶基板照光侧表面的非晶硅薄膜下具有一层氧化铝薄膜，且其厚度不超过10 nm。
所述异质接面太阳能电池优选实施方式之一为，该透明介电质层在该背电极烧结完成后再镀制形成。
本发明还提供了另一种异质接面太阳能电池，其至少包括：
一含有电性掺杂的硅晶基板，于其照光侧及背光侧表面分别具有一硅晶基板表面区域及一背表面场区域，且该硅晶基板的照光侧表面含有同质接面，而该硅晶基板原始掺杂浓度小于1019cm-3；
一层二氧化硅薄膜，覆盖在该硅晶基板照光侧表面的硅晶基板表面区域上；
一本质非晶硅薄膜，覆盖在该硅晶基板照光侧表面的二氧化硅薄膜上，其电子能隙大于该硅晶基板电子能隙，且该本质非晶硅薄膜含有电性掺杂形成异质接面，并与该硅晶基板表面区域及该二氧化硅薄膜构成一扩散区域；
一透明介电质层，覆盖在该硅晶基板照光侧表面的本质非晶硅薄膜上；
一前电极，具有线条形态，覆盖在该透明介电质层上；
一背电极，覆盖在该硅晶基板背光侧表面的背表面场区域上；以及
其中，上述该本质非晶硅薄膜与该硅晶基板的异质接面，以及该硅晶基板照光侧的同质接面由一次电性掺杂扩散形成。
所述异质接面太阳能电池优选实施方式之一为，该二氧化硅薄膜厚度不超过10nm。
所述异质接面太阳能电池优选实施方式之一为，该二氧化硅薄膜浸泡该硅晶基板于化学溶液所生成。
所述异质接面太阳能电池优选实施方式之一为，该化学溶液至少含有硝酸、硫酸、盐酸、双氧水、氨水以及磷酸的一，且其重量百分比浓度至少为5%，并在至少4°C以上溶液温度中浸泡至少2分钟的时间。
所述异质接面太阳能电池优选实施方式之一为，浸泡该硅晶基板生成该二氧化硅薄膜完毕后，经过至少100°C温度退火且至少达3分钟。
所述异质接面太阳能电池优选实施方式之一为，该二氧化硅薄膜在介于700°C～1200°C高温通氧环境中生成。
所述异质接面太阳能电池优选实施方式之一为，该透明介电质层在该背电极烧结完成后再镀制形成。
与现有技术相比，本发明所具有的有益效果为：本发明制程简易，可有效改善已用的种种缺点，亦即不需要多层非晶硅薄膜，在制程上仅需成长一层非晶硅薄膜于硅晶基板前表面区域，抑或增加一层以化学生成法生长的二氧化硅薄膜，在制程设备上较为经济，且在量产化程度上亦较已知技术有优势。此外，本发明更以被覆非晶硅薄膜的硅晶基板进行电性掺杂的扩散，致使太阳能电池同时具有异质接面与同质接面，系一项创新的技术，且因使用生产线扩散设备，故兼容于目前批量化制程而易于批量化。
附图说明
图１系本发明一较佳实施例的结构示意图。
图２系本发明另一较佳实施例的结构示意图。
图３系现有一种具有非晶硅薄膜的硅晶太阳能电池的结构示意图。
标号说明：
硅晶基板表面区域３０５；
硅晶基板３１０；
本质非晶硅薄膜３３０；
扩散区域３４０；
透明介电质层３５０；
前电极３６０；
背电极３６５；
背表面场区域３７０；
硅晶基板表面区域４０５；
硅晶基板４１０；
二氧化硅薄膜４２０；
本质非晶硅薄膜４３０；
扩散区域４４０；
透明介电质层４５０；
前电极４６０；
背电极４６５；
背表面场区域４７０；
硅晶基板太阳能电池２００；
硅晶基板２１０；
扩散层２２０；
本质非晶硅２３０、２３５；
电性掺杂的非晶硅２４０、２４５；
透明导电氧化物２５０、２５５；
前电极２６０；
背电极２６５。
具体实施方式
请参阅图１所示，系本发明一较佳实施例结构示意图。如图所示：本发明系一种异质接面太阳能电池，至少包括一含有电性掺杂的硅晶基板３１０，于其照光侧及背光侧表面分别具有一硅晶基板表面区域３０５及一背表面场区域３７０，且该硅晶基板３１０的照光侧表面含有同质接面；一本质非晶硅薄膜３３０，覆盖在该硅晶基板３１０照光侧表面的硅晶基板表面区域３０５上，其电子能隙大于该硅晶基板３１０电子能隙，且该本质非晶硅薄膜３３０含有电性掺杂形成异质接面，并与该硅晶基板表面区域３０５构成一扩散区域３４０；一透明介电质层３５０，覆盖在该硅晶基板３１０照光侧表面的本质非晶硅薄膜３３０上；一前电极３６０，具线条形态，覆盖在该透明介电质层３５０之上；以及一背电极３６５，覆盖在该硅晶基板３１０背光侧表面的背表面场区域３７０上，其中，该硅晶基板３１０原始掺杂浓度小于1019cm-3，其照光侧具有粗纹化表面，且其厚度介于50μm~660μm之间；该本质非晶硅薄膜３３０的厚度在1nm至70nm之间；该透明介电质层３５０的厚度在250 nm以下，其组成系自氮化硅（SiNx）、二氧化硅（SiO2）、铟锡氧化物（ITO）、氧化锡（SnO2）、氧化铝锌（AZO）或氧化锌（ZnO）中择其一，且该透明介电质层３５０可以透明介电质层取代之；该前、背电极３６０、３６５的组成系自铝浆、银浆或银铝浆混合的印刷材料中择其一；以及，该本质非晶硅薄膜３３０与该硅晶基板３１０的异质接面，与该硅晶基板３１０照光侧的同质接面由一次电性掺杂扩散形成。
于制备本发明时，首先系在具有电性掺杂的硅晶基板３１０上以电浆辅助化学气相沉积（PECVD）方式成长一层本质非晶硅薄膜３３０。该沉积方式具有低温特性，使该本质非晶硅薄膜３３０薄膜维持宽能隙特性。然而，该本质非晶硅薄膜３３０将会承受之后在制作掺杂扩散时的高温，而转化为微晶硅，故此时沉积的方式使用较高温的低压化学气相沉积（Low-Pressure Chemical Vapor Deposition, LPCVD）方式亦为适当，其温度在700°C以下。
接着，进行电性掺杂的扩散。掺杂元素(dopant)的选择系使扩散区域340具有与硅晶基板310相反的掺杂电性(doping)。该扩散区域340包含本质非晶硅薄膜330以及硅晶基板表面区域305。举一例来说，如果硅晶基板310为P型硅，则扩散区域340为N型硅，且本质非晶硅330的掺杂浓度(doping concentration)高于硅晶基板表面区域305的掺杂浓度。之后，在本质非晶硅薄膜330上镀制一层透明介电质层350。然后，在透明介电质层350上涂布栅状电极线型态的前电极360，以及在硅晶基板310的背面涂布背电极365。前、背电极360、365涂布完成后，进行共烧，使前电极360与透明介电质层350具有良好电性接触，且在硅晶基板310的背面形成背表面场区域370。由于透明介电质层350在前、背电极360、365共烧时可能降低其导电度，本发明揭露的另一方法即是在电性掺杂的扩散程序完成之后，首先涂布背电极365，然后进行650                                                
Figure DEST_PATH_IMAGE001
至850
Figure 712669DEST_PATH_IMAGE001
之间温度的烧结，使硅晶基板310的背面形成背表面场区域370。此后才镀制透明介电质层350以及涂布前电极360，并进行前电极360的烧结，此时的烧结温度仅在于300
Figure 597448DEST_PATH_IMAGE001
至700
Figure 864482DEST_PATH_IMAGE001
之间即可，既不影响透明介电质层350的导电特性，亦使前电极360具有良好电性接触。
本实施例的该硅晶基板３１０照光侧表面的本质非晶硅薄膜３３０下可进一步具有一层氧化铝薄膜（图中未示），且其厚度不超过10nm。
请参阅图2所示，系本发明另一较佳实施例的结构示意图。如图所示，本发明系一种异质接面太阳能电池，至少包括一含有电性掺杂的硅晶基板４１０，于其照光侧及背光侧表面分别具有一硅晶基板表面区域４０５及一背表面场区域４７０，且该硅晶基板４１０的照光侧表面含有同质接面；一层二氧化硅薄膜４２０，覆盖在该硅晶基板４１０照光侧表面的硅晶基板表面区域４０５上；一本质非晶硅薄膜４３０，覆盖在该硅晶基板４１０照光侧表面的二氧化硅薄膜４２０上，其电子能隙大于该硅晶基板４１０电子能隙，且该本质非晶硅薄膜４３０含有电性掺杂形成异质接面，并与该硅晶基板表面区域４０５及该二氧化硅薄膜４２０构成一扩散区域４４０；一透明介电质层４５０，覆盖在该硅晶基板４１０照光侧表面的本质非晶硅薄膜４３０上；一前电极４６０，具线条形态，覆盖在该透明介电质层４５０之上；以及，一背电极４６５，覆盖在该硅晶基板４１０背光侧表面的背表面场区域４７０上，其中，该硅晶基板原始掺杂浓度小于1019cm-3，该二氧化硅薄膜厚度不超过10nm；该化学溶液至少含有硝酸、硫酸、盐酸、双氧水、氨水以及磷酸之一，且其重量百分比浓度至少为5%。
本实施例的组件结构与上述图1所不同者，仅是增加了一层二氧化硅薄膜４２０于具电性掺杂的硅晶基板４１０上。此二氧化硅薄膜４２０的形成系以化学生成法，亦即将该硅晶基板４１０浸泡于化学溶液中致使在该硅晶基板４１０表面生长之，其厚度依浸泡时间长短而定。当浸泡时，该硅晶基板４１０在至少4°C以上溶液温度中浸泡至少2分钟时间，待浸泡至生成该二氧化硅薄膜４２０完毕后，在介于100°C~1200°C高温通氧环境中，经高温退火至少达3分钟。本发明成长二氧化硅薄膜４２０的目的，一方面是以其修补硅晶表面的断键（dangling bond），一方面则是抑制本质非晶硅薄膜４３０在高温环境中的结晶化。在浸泡时，硅晶基板的背面亦生长二氧化硅层，因为其厚度不大，故不影响载子穿透。二氧化硅薄膜４２０生长之后，以PECVD或LPCVD成长本质非晶硅薄膜４３０，随即进行电性掺杂元素的扩散，其扩散区域４４０包括本质非晶硅薄膜４３０、二氧化硅薄膜４２０以及硅晶基板表面区域４０５诸区域，其中本质非晶硅薄膜４３０的掺杂浓度高于硅晶基板表面区域４０５的掺杂浓度。其后续制程则进行透明介电质层４５０的镀膜、前电极４６０以及背电极４６５的涂布，经烧结后在硅晶基板４１０的背面形成背表面场区域４７０。
本发明本质非晶硅薄膜的电性掺杂元素可与该硅晶基板表面区域的掺杂元素相同，而与该硅晶基板的掺杂元素不同；亦或，本发明本质非晶硅薄膜的电性掺杂元素可与该硅晶基板表面区域的掺杂元素相同，并与该硅晶基板原始的掺杂元素亦相同，且该本质非晶硅薄膜掺杂浓度大于该硅晶基板原始掺杂浓度。
综上所述，本发明系一种异质接面太阳能电池，可有效改善已用的种种缺点，具有简易制程特性，不需要多层本质非晶硅薄膜，在制程上仅需成长一层本质非晶硅薄膜于硅晶基板前表面区域，抑或增加一层以化学生成法生长的二氧化硅薄膜，在制程设备上较为经济，且在量产化程度上亦有优势，此外，更以被覆本质非晶硅薄膜的硅晶基板进行电性掺杂的扩散，使太阳能电池同时具有异质接面与同质接面，且兼容于目前批量生产化制程而易于批量生产。

Claims (20)

1.一种异质接面太阳能电池，其特征在于至少包括：
一含有电性掺杂的硅晶基板，于其照光侧及背光侧表面分别具有一硅晶基板表面区域及一背表面场区域，且该硅晶基板的照光侧表面含有同质接面，而该硅晶基板原始掺杂浓度小于1019cm-3；
一本质非晶硅薄膜，覆盖在该硅晶基板照光侧表面的硅晶基板表面区域上，其电子能隙大于该硅晶基板电子能隙，且该本质非晶硅薄膜含有电性掺杂形成异质接面，并与该硅晶基板表面区域构成一扩散区域；
一透明介电质层，覆盖在该硅晶基板照光侧表面的本质非晶硅薄膜上；
一前电极，具有线条形态，覆盖在该透明介电质层上；
一背电极，覆盖在该硅晶基板背光侧表面的背表面场区域上；以及
上述该本质非晶硅薄膜与该硅晶基板的异质接面，以及该硅晶基板照光侧的同质接面由一次电性掺杂扩散形成。
2.根据权利要求１所述的异质接面太阳能电池，其特征在于，该硅晶基板厚度介于50μm～660μm之间。
3.根据权利要求１所述的异质接面太阳能电池，其特征在于，该硅晶基板的照光侧具有粗纹化表面。
4.根据权利要求１所述的异质接面太阳能电池，其特征在于，该透明介电质层选自氮化硅、二氧化硅、铟锡氧化物、二氧化锡、氧化铝锌及氧化锌中之一。
5.根据权利要求１所述的异质接面太阳能电池，其特征在于，含有电性掺杂的本质非晶硅薄膜的电性掺杂元素与该硅晶基板表面区域的掺杂元素相同，而与该硅晶基板的掺杂元素不同。
6.根据权利要求１所述的异质接面太阳能电池，其特征在于，含有电性掺杂的非晶硅薄膜的电性掺杂元素与该硅晶基板表面区域的掺杂元素相同，并与该硅晶基板原始的掺杂元素亦相同，且该非晶硅薄膜掺杂浓度大于该硅晶基板原始掺杂浓度。
7.根据权利要求１所述的异质接面太阳能电池，其特征在于，该硅晶基板照光侧表面的非晶硅薄膜下具有一层氧化铝薄膜，且其厚度不超过10 nm。
8.根据权利要求１所述的异质接面太阳能电池，其特征在于，该透明介电质层在该背电极烧结完成后再镀制形成。
9.一种异质接面太阳能电池，其特征在于至少包括：
一含有电性掺杂的硅晶基板，于其照光侧及背光侧表面分别具有一硅晶基板表面区域及一背表面场区域，且该硅晶基板的照光侧表面含有同质接面，而该硅晶基板原始掺杂浓度小于1019cm-3；
一层二氧化硅薄膜，覆盖在该硅晶基板照光侧表面的硅晶基板表面区域上；
一本质非晶硅薄膜，覆盖在该硅晶基板照光侧表面的二氧化硅薄膜上，其电子能隙大于该硅晶基板电子能隙，且该本质非晶硅薄膜含有电性掺杂形成异质接面，并与该硅晶基板表面区域及该二氧化硅薄膜构成一扩散区域；
一透明介电质层，覆盖在该硅晶基板照光侧表面的本质非晶硅薄膜上；
一前电极，具有线条形态，覆盖在该透明介电质层上；
一背电极，覆盖在该硅晶基板背光侧表面的背表面场区域上；以及
其中，上述该本质非晶硅薄膜与该硅晶基板的异质接面，以及该硅晶基板照光侧的同质接面由一次电性掺杂扩散形成。
10.根据权利要求9所述的异质接面太阳能电池，其特征在于，该硅晶基板厚度介于50μm～660μm之间。
11.根据权利要求9所述的异质接面太阳能电池，其特征在于，该硅晶基板的照光侧具有粗纹化表面。
12.根据权利要求9所述的异质接面太阳能电池，其特征在于，该透明介电质层选自氮化硅、二氧化硅、铟锡氧化物、二氧化锡、氧化铝锌及氧化锌中之一。
13.根据权利要求9所述的异质接面太阳能电池，其特征在于，含有电性掺杂的本质非晶硅薄膜的电性掺杂元素与该硅晶基板表面区域的掺杂元素相同，而与该硅晶基板的掺杂元素不同。
14.根据权利要求9所述的异质接面太阳能电池，其特征在于，含有电性掺杂的本质非晶硅薄膜的电性掺杂元素与该硅晶基板表面区域的掺杂元素相同，并与该硅晶基板原始的掺杂元素亦相同，且该本质非晶硅薄膜掺杂浓度大于该硅晶基板原始的掺杂浓度。
15.根据权利要求9所述的异质接面太阳能电池，其特征在于，该二氧化硅薄膜厚度不超过10nm。
16.根据权利要求9所述的异质接面太阳能电池，其特征在于，该二氧化硅薄膜浸泡该硅晶基板于化学溶液所生成。
17.根据权利要求16所述的异质接面太阳能电池，其特征在于，该化学溶液至少含有硝酸、硫酸、盐酸、双氧水、氨水以及磷酸之一，且其重量百分比浓度至少为5%，并在至少4°C以上溶液温度中浸泡至少2分钟的时间。
18.根据权利要求16所述的异质接面太阳能电池，其特征在于，系浸泡该硅晶基板生成该二氧化硅薄膜完毕后，经过至少100°C温度退火且至少达3分钟。
19.根据权利要求9所述的异质接面太阳能电池，其特征在于，该二氧化硅薄膜在介于700°C～1200°C高温通氧环境中生成。
20.根据权利要求9所述的异质接面太阳能电池，其特征在于，该透明介电质层在该背电极烧结完成后再镀制形成。
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