CN102714198A - 电力模块制造方法以及由之制造的电力模块 - Google Patents
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Abstract
提供了一种电力模块制造方法,其能够稳定地制造具有高可靠性的电力模块等等。电力模块制造方法通过堆叠冷却器5、绝缘树脂片4、散热器块3、半导体芯片2来制造电力模块1,其中,形成绝缘树脂片4的下表面的第一绝缘树脂片41首先通过热压接合到冷却器5。接着,在形成绝缘树脂片4的上层的第二绝缘树脂片42介于第一绝缘树脂片41和散热器块3之间的情况下,通过热压将第二绝缘树脂片42接合到第一绝缘树脂片41,通过热压将散热器块3接合到第二绝缘树脂片42。半导体芯片2于是被软钎焊到散热器块3。因此,防止了相应的接合界面的接合缺陷,防止了绝缘树脂片4的介质击穿。
Description
技术领域
本发明涉及用于这样的电力模块的电力模块制造方法:其包含半导体芯片、散热器块、绝缘树脂片、冷却器。本发明还涉及由这样的方法制造的电力模块。
背景技术
作为制造例如变换器装置等的电力模块的方法,已经知道这样的一种电力模块制造方法:其中,半导体芯片首先被软钎焊到散热器,接着,在绝缘树脂片插入散热器与冷却器之间的情况下,散热器和冷却器通过热压来接合(例如参见专利文献1)。
图3为一原理图,其示出了传统的电力模块制造方法。首先,如图3(a)所示,半导体芯片101被软钎焊到散热器块102(软钎焊步骤)。散热器块102包含板状元件,其大于半导体芯片,半导体芯片101被软钎焊在其一侧的大致为中心的位置。软钎焊通过例如回流焊(solder reflow)来进行,其中,半导体芯片101和散热器块102作为整体均匀地加热(全体加热)到回流焊炉内的焊剂的熔融温度。
接着,如图3(b)所示,在绝缘树脂片103插入散热器块102与冷却器104之间的情况下,进行通过热压(热压接合步骤)将散热器块102接合到冷却器104的步骤。绝缘树脂片103包含片状元件,其大于散热器块102,散热器块102通过热压接合在绝缘树脂片103的大致中心处。热压接合通过在加热条件下将从散热器块102侧方伸出的绝缘树脂片103的横向部分以及散热器块102按压为紧贴冷却器104来进行。
接着,如图3(c)所示,半导体芯片101以及端子与导线105连接(导线接合步骤),并进行借助封装材料106(浇铸步骤)将半导体芯片101埋藏在外壳107内的步骤。
引用列表
专利文献
PTL1:日本专利公开(Kokai)No.2003-153554A
发明内容
技术问题
在热压接合步骤中,如果半导体芯片101与散热器块102被压在一起,半导体芯片101可能被损坏。因此,在通过热压来接合散热器块102和冷却器104时,半导体芯片101不能被压,传统的实践已经部分地按压散热器块102的与半导体芯片101相比从侧方进一步伸出的边缘部分,以及与散热器块102相比从侧方进一步伸出的绝缘树脂片103的横向部分,如图3(b)中的箭头所示。
因此,不能用均匀的压力按压整个散热器块102,存在未接合部分或接合不均匀可能在散热器块102与绝缘树脂片103之间的接合界面或是绝缘树脂片103与冷却器104之间的接合界面上发生的风险,并存在这样的问题:电力模块100的例如介电强度、耐热(thermal resistance)等特性的可靠度被牺牲。
另外,在保持将半导体芯片101清除在外的同时部分地按压散热器块102的边缘部分以及绝缘树脂片103的横向部分在技术上是困难的,并需要为半导体芯片101以及散热器块102的形状剪裁的专用按压夹具,这带来了制造这种夹具的相应的成本增加。
图4为图3(b)中的部分A的放大图。由于成本考虑,散热器块102常常通过冲切(press-punching)来制造。通过冲切制造的散热器块102为:一侧的末端边不具有直角截面,而是具有有着弧形截面的弯曲表面102a,且其以有着特定曲率程度的凸面形状弯曲。另外,处于应力松弛目的,散热器块102具有这样的一面:其具有弯曲表面102a的末端边,以便布置为与绝缘树脂片103表面接触。
间隙因此在散热器块102的末端边和绝缘树脂片103之间形成。当散热器块102和绝缘树脂片103的横向部分使用专用按压夹具111同时被按压以便进行热压接合时,在绝缘树脂片103上沿着散热器块102的末端边局部地出现在物理上不能被按压的区域103a。
另外,为了排出通过按压施加的压力,位于绝缘树脂片103的区域103a附近的树脂将试图在区域103a中聚集,应力变得集中。因此,可能在绝缘树脂片103的区域103a中出现裂缝103b,存在可能由之发生介质击穿的风险,因此牺牲了电力模块100的绝缘可靠性。
另外,存在焊剂101a的耐热可靠性可能由于绝缘树脂片103的硬化以及热压接合而被牺牲的危险。例如,由于绝缘树脂片103的硬化和热压接合的温度落在150摄氏度和200摄氏度之间,其高于对于作为如今主流的硅半导体(半导体芯片)的150摄氏度的最大运行温度(焊剂在实际使用中受到的温度),存在焊剂101a的劣化可能迅速发展的风险。
鉴于以上讨论的各点,做出本发明。本发明的目的在于:提供一种电力模块制造方法,其能够稳定地制造具有高度可靠性能的电力模块;提供一种由这种方法制造的电力模块。
问题的解决方案
解决了上面提到的问题的本发明的电力模块制造方法是一种通过堆叠冷却器、绝缘树脂片、散热器块、半导体芯片来制造电力模块的电力模块制造方法,该方法包含:第一热压接合步骤,其中,构成绝缘树脂片的下层的第一绝缘树脂片通过热压而接合到冷却器;第二热压接合步骤,其中,构成绝缘树脂片的上层的第二绝缘树脂片被夹在第一绝缘树脂片和散热器块之间,第二绝缘树脂片通过热压而接合到第一绝缘树脂片,散热器块通过热压而接合到第二绝缘树脂片;软钎焊步骤,其中,半导体芯片被软钎焊到散热器块上。
根据本发明的电力模块制造方法,由于热压接合步骤被首先执行,软钎焊步骤在之后进行,可以在通过热压将第一绝缘树脂片接合到冷却器时均匀地按压整个第一绝缘树脂片。另外,可以在通过热压将第二绝缘树脂片接合到第一绝缘树脂片时以及在第二绝缘树脂片插在第一绝缘树脂片与散热器块之间的情况下通过热压将散热器块接合到第二绝缘树脂片时均匀地按压整个散热器块。
因此,可以防止由于不充分的压力导致的接合不均匀以及未接合部分在冷却器与第一绝缘树脂片之间、第一绝缘树脂片与第二绝缘树脂片之间、第二绝缘树脂片与散热器块之间的相应的接合界面上发生。
特别地,由于在第二热压接合步骤中可以在第一绝缘树脂片已经通过热压完全接合到冷却器的状态下按压散热器块,可以防止发生第一绝缘树脂片的边缘部分与冷却器的上表面分离的剥落(lifting),并防止发生由于散热器块的按压引起的第一绝缘树脂片中的裂缝。
另外,在第二热压接合步骤中,可以单独按压散热器块。因此,不像传统技术中所做的散热器块和绝缘树脂片的横向部分同时均被按压的情况下那样,可以防止绝缘树脂片中的应力沿着散热器块的末端边的局部集中。因此,可以防止裂缝在应力集中的位置发生以及可能由之发生的介质击穿,因此使得可以增强介电强度。另外,由于热压接合步骤在软钎焊步骤之前进行,可以防止由于来自热压接合的热造成的焊剂耐热可靠度的下降。因此,可以制造具有高度可靠性能的电力模块。
关于本发明的电力模块制造方法,优选为,第一绝缘树脂片和第二绝缘树脂片均包含热固性树脂材料,通过加热到第一绝缘树脂片热硬化的温度在第一热压接合步骤中执行热压接合,通过加热到第二绝缘树脂片热硬化的温度在第二热压接合步骤中进行热压接合。
另外,关于本发明的电力模块制造方法,优选为,第一绝缘树脂片具有大于散热器块尺寸的尺寸以及等于或大于第二绝缘树脂片厚度的厚度。
本发明的有益效果
根据本发明的电力模块制造方法,首先进行热压接合步骤,之后是软钎焊步骤。因此,在通过热压将第一绝缘树脂片接合到冷却器时,可以均匀地按压整个第一绝缘树脂片。另外,在通过热压将第二绝缘树脂片接合到第一绝缘树脂片以及在第二绝缘树脂片介于第一绝缘树脂片与散热器块之间的情况下通过热压将散热器块接合到第二绝缘树脂片时,可以均匀地按压整个散热器块。因此,可以防止由于压力不足而导致的接合不均匀以及未接合部分在冷却器与第一绝缘树脂片之间、第一绝缘树脂片与第二绝缘树脂片之间、第二绝缘树脂片与散热器块之间的相应的接合界面中发生的,并可以产生具有高可靠性的电力模块。
附图说明
图1示出了根据一实施例的电力模块制造方法;
图2以比较性表的形式示出了本发明的制品与现有技术制品的温度循环的测试结果;
图3示出了传统的电力模块制造方法;
图4为图3中的部分A的放大图。
具体实施方式
现在将参照图1介绍本发明一实施例。
图1示出了当前实施例的电力模块制造方法。
如图1(d)所示,电力模块1通过堆叠半导体芯片2、散热器块3、绝缘树脂片4、冷却器5来配置。半导体芯片2为在平面图中大约为矩形的薄板形状,预先在其下表面上设置焊剂2a。散热器块3包含平面元件,其尺寸大于半导体芯片2的尺寸。绝缘树脂片4包含:第一绝缘树脂片41,其构成绝缘树脂片4的下层;第二绝缘树脂片42,其构成绝缘树脂片4的上层。第一绝缘树脂片41包含片状元件,其尺寸大于散热器块3的尺寸,第二绝缘树脂片42包含片状元件,其尺寸等于或大于散热器块3的尺寸。冷却器5包含板状元件,其尺寸大于第一绝缘树脂片41的尺寸。
尽管散热器块3和冷却器5不限于任何特定材料,考虑成本、重量和热传导性,优选为,散热器块3为铜(Cu),冷却器5为铝合金(Al)。对于散热器块3,作为足够对来自半导体芯片2的热进行扩散并将之传导到绝缘树脂片4的厚度,1mm以上是优选的。另外,还可使用通过使散热器块3和冷却器5包含同样的材料、由此使得其线性膨胀系数相同而在软钎焊时减小热应力的配置。
绝缘树脂片4包含这样的材料:其中,例如,重量百分比10-70%的热塑性树脂或热固性树脂(环氧树脂,聚酰亚胺树脂,硅树脂等)用作接合剂,重量百分比30-90%的具有高热传导性的绝缘无机填料(氧化铝,氮化硼等)被包含为填料。另外,优选为,热传导性lambda为5W/mK以上,第一绝缘树脂片41和第二绝缘树脂片42的组合厚度从达到电气绝缘可靠性和低热阻的角度来看满足0.1-0.3mm的预定要求厚度。
接着,将介绍当前实施例中的电力模块1制造方法。电力模块1的制造方法包含,如图1所示,第一热压接合步骤(图1(a)),第二热压接合步骤(图1(b)),软钎焊步骤(图1(c))以及导线接合和模制步骤(图1(d))。
在第一热压接合步骤中,进行这样的操作:第一绝缘树脂片41通过热压接合到冷却器5。具体而言,第一绝缘树脂片41大约安装在冷却器5的上表面的中心处,冷却器5和第一绝缘树脂片41被加热到预定的温度(到第一绝缘树脂片41的热硬化温度,如果第一绝缘树脂片41为热固性树脂的话),第一绝缘树脂片41被按压为紧贴冷却器5,由此将第一绝缘树脂片41接合到冷却器5。在通过热压接合第一绝缘树脂片41时,对整个绝缘树脂片41进行均匀的按压。因此,可以防止由于不充分的压力导致的接合不均匀以及未接合的部分在冷却器5与第一绝缘树脂片41之间的接合界面上发生。
在第二热压接合步骤中,进行这样的操作:在第二绝缘树脂片41介于第一绝缘树脂片41与散热器块3之间的情况下,第二绝缘树脂片42通过热压而接合到第一绝缘树脂片41,同时,散热器块3通过热压接合到第二绝缘树脂片42。
具体而言,第二绝缘树脂片42大约安装在第一绝缘树脂片41的上表面的中心处,进一步地,散热器块3安装在第二绝缘树脂片42的上表面,由此,产生这样的状态:第二绝缘树脂片42介于第一绝缘树脂片41和散热器块3之间。
于是,将散热器块3按压为紧贴冷却器5,同时,冷却器5、第一绝缘树脂片41、第二绝缘树脂片42、散热器块3被加热到预定的温度(到第二绝缘树脂片42的热硬化温度,如果第二绝缘树脂片42为热固性树脂的话),由此,将第二绝缘树脂片42接合到第一绝缘树脂片41,并将散热器块3接合到第二绝缘树脂片42。
在通过热压接合散热器块3时,对整个散热器块3进行均匀的按压。因此,可以防止由于不充分的压力导致的接合不均匀以及未接合部分在第一绝缘树脂片41和第二绝缘树脂片41之间的接合界面以及第二绝缘树脂片42与散热器块3之间的接合界面上发生。分别在上面提到的图1(a)和(b)中的第一热压接合步骤和第二热压接合步骤借助热压接合装置(图中均未示出)进行,例如包含加热装置和按压装置等的按压机。
接着,在图1(c)所示的软钎焊步骤中,进行这样的操作:半导体芯片2被软钎焊到散热器块3。软钎焊借助回流焊来进行。在回流焊中,半导体芯片2首先安装在散热器块3的上表面的大致中心处,且其被放置在软钎焊装置(未示出)的回流焊炉中。于是,在回流焊炉中进行加热,以便熔融预先设置在半导体芯片2下表面的焊剂2a,由此将半导体芯片2软钎焊到散热器块3的上表面上。
在当前实施例的软钎焊步骤中,为了减小在软钎焊时绝缘树脂片4受到的热应力,代替均匀加热包含冷却器5、绝缘树脂片4、散热器块3和半导体芯片2的整个工件W的是,进行差别加热处理,其中,半导体芯片2的侧面被引入与冷却器5的侧面相比较高的温度。
在差别加热处理中,例如,半导体芯片2的侧面可在整个工件W被定位为半导体芯片2位于回流焊炉中的加热器侧面的情况下加热。或者,半导体芯片2也可通过高频感应加热等局部加热。另外,为了防止冷却器5的侧面的温度上升,例如,可提供与上面提到的加热器相比较低加热温度的低温加热器可被提供,或者,例如,具有高热容量的金属块等的冷却装置可被布置。
软钎焊温度(200摄氏度以上)高于绝缘树脂片4的热压接合温度,大致可与环氧树脂开始劣化的温度(大约为250到300摄氏度)相比,以及为高于玻璃态转变温度(其均为大约150到200摄氏度)的温度。因此,如果对整个工件W进行加热的整体加热处理将在软钎焊步骤中进行,由于散热器块3和冷却器5之间的线性膨胀差引起的应力将会迅速增大,由此可能导致冷却器5和第一绝缘树脂片41之间的接合界面上或第一绝缘树脂片41与第二绝缘树脂片42之间的接合界面上的分离。
因此,在当前实施例中,软钎焊通过差别热处理进行,由此,减小第一绝缘树脂片41和第二绝缘树脂片42在软钎焊时受到的热应力,并改进接合界面的可靠性。
另外,如果使用高可靠性无铅焊剂——其为如今的主流,由于无铅焊剂的熔融温度高于普通焊剂,不能像传统回流焊中所做的那样通过将整个工件W加热到软钎焊温度来进行生产。然而,在当前实施例中,通过差别热处理,可以防止绝缘树脂片4达到高温,可以适当地对半导体芯片2进行软钎焊。
另外,如果热压接合通过对整个工件W进行加热来进行,绝缘树脂片4中的树脂可能蒸发并附着到芯片的表面,由此可能导致作为下一步骤的导线接合步骤(图1(d))中的接合缺陷等等。然而,在当前实施例中,通过差别热处理,可以抑制绝缘树脂片4中的树脂的蒸发,并防止接合缺陷等等在导线接合步骤中发生。
于是,进行导线接合步骤和模制步骤(图1(d))。在导线接合步骤中,半导体芯片2和端子与导线6连接。在模制步骤中,半导体芯片2、散热器块3和绝缘树脂片4埋置在具有封装材料7的外壳8内。由于导线接合步骤和模塑步骤类似于已知技术中的,这里省略对其的详细介绍。
根据上面提到的本发明的电力模块制造方法,由于冷却器5和散热器块3首先通过热压来接合,且半导体芯片2在其后被软钎焊到散热器块3上,在通过热压将第一绝缘树脂片41接合到冷却器5时,可以均匀地按压整个第一绝缘树脂片41。另外,在使第二绝缘树脂片42介于第一绝缘树脂片41和散热器块3之间、通过热压将第二绝缘树脂片42接合到第一绝缘树脂片41、通过热压将散热器块3接合到第二绝缘树脂片42时,可以均匀地按压整个散热器块3。
因此,可以防止由于不充分的压力造成的接合不均匀以及未接合部分在冷却器5和第一绝缘树脂片41之间、第一绝缘树脂片41和第二绝缘树脂片42之间以及第二绝缘树脂片42和散热器块3之间的相应的接合界面上发生。
特别地,在第二接合步骤(图(b))中,由于可以在冷却器5和第一绝缘树脂片41完全接合的状态下按压散热器块3,可以防止由散热器块3的按压引起的第一绝缘树脂片41的裂纹和剥落——其中,第一绝缘树脂片41的边缘部分变得从冷却器5的上表面分离——的发生。
另外,在第二接合步骤中,可以单独按压散热器块3。因此,不像传统所做的那样散热器块和绝缘树脂片的横向部分同时均被按压的情况下那样,可以防止应力在绝缘树脂片中沿着散热器块的末端边缘局部地集中。因此,可以防止在应力集中的位置发生裂纹并由之导致介质击穿,改进介电强度。因此,可以制造具有高可靠性的电力模块。
另外,由于在软钎焊步骤(图(c))之前进行第一与第二热压接合步骤(图1(a)和(b)),可以防止焊剂的耐热可靠性由于来自热压接合的热而下降。
另外,在软钎焊步骤中,通过经由差别热处理而不是整体热处理进行软钎焊、由此降低软钎焊时绝缘树脂片4受到的热应力,可以防止接合界面的分离。因此,可以制造具有高可靠性的电力模块1。
根据上面提到的电力模块制造方法,传统存在的装置可用作用于热压接合的按压机、夹具,等等,因此提供容易的实现方式。
实例
现在将介绍本发明的实例。在当前实例中,电力模块1在下面的条件下制造。
(1)第一热压接合步骤
第一绝缘树脂片41在下面的条件下通过热压而接合到冷却器5:180摄氏度,5分钟,5MPa。对于第一绝缘树脂片41,使用这样的片:其包含热固性树脂,其各个侧面比散热器块3长4mm、以便固定与散热器块3相比侧方进一步突出2mm的横向部分,其厚度t为0.1mm。第一绝缘树脂片41具有绝缘树脂片4的要求的预定要求厚度的一半厚度。
(2)第二热压接合步骤
在第二绝缘树脂片42介于第一绝缘树脂片41和散热器块3之间的情况下,第二绝缘树脂片42通过热压而接合到第一绝缘树脂片41,散热器块3在下面的条件下通过热压而接合到第二绝缘树脂片42:180摄氏度,5分钟,5MPa。对于第二绝缘树脂片42,使用这样的片:其尺寸与散热器块3相同,其厚度为0.1mm。第二绝缘树脂片42具有绝缘树脂片4的要求的预定要求厚度的一半厚度。
注意,第二绝缘树脂片42仅仅需要等于或大于散热器块3的尺寸,不需要相等。另外,第一绝缘树脂片41和第二绝缘树脂片42的相应的厚度不限于预定要求厚度的一半,第一绝缘树脂片41的厚度仅需要等于或大于第二绝缘树脂片42的厚度。
(3)软钎焊步骤(回流焊步骤)
回流焊使用图中未示出的软钎焊装置来进行。
在这样的条件下,焊剂和装置安装在散热器块3上:与第一绝缘树脂片41以及第二绝缘树脂片42的相应的接合界面不分离(当前情况下,250摄氏度,3分钟)。
(4)导线接合步骤和模制步骤
外壳8用粘接剂接合到冷却器5上,在必要的地方,导线接合到装置等。另外,使用在电子装置中用作封装材料7的封装环氧树脂,半导体芯片2、散热器块3和绝缘树脂片4被埋置并封装在外壳8内。
用于电力装置1的几何构造的材料如下所示:
材料:散热器块-铜(Cu),冷却器-铜(Cu)。
厚度:散热器块-t 3mm,冷却器-t 3mm;第一绝缘树脂片-t 0.1mm,第二绝缘树脂片-t 0.1mm
绝缘树脂片:填剂-BN;接合剂-环氧树脂;热传导性-10W/mK
焊剂:无Pb焊剂(熔融点=大约230摄氏度)
外壳:用PPS树脂制造,母线棒用铜(Cu)制造
粘接剂:通用硅粘接剂
导线:铝(Al)
封装材料:用于电子装置的封装环氧树脂
在当前实例中,进行用于对本发明制品和现有技术制品的耐冷性/耐热性进行评估的温度循环。
图2在比较表中示出了本发明制品和现有技术制品的温度循环的结果。
本发明的制品为通过本发明的电力模块制造方法制造的电力模块,现有技术制品为通过图3所示传统方法制造的电力模块。温度循环通过重复特定循环(cyc)3000次来进行,其中,每个循环(cyc)包含:将本发明制品和现有技术制品浸在存储在液体槽中的-40摄氏度的液体中达5分钟的步骤,将它们保持在加热到105摄氏度的炉子内5分钟的步骤。在一开始以及在完成3000次循环时进行对接合界面的接合率、绝缘树脂片中的内部裂缝以及介质击穿电压的评估。
图2的表中所示的多种接合率通过关于冷却器5和第一绝缘树脂片41之间的接合界面以及第二绝缘树脂片42和散热器块3之间的接合界面进行超声波裂纹检测图像的图像分析来计算。
如图2所示,关于本发明的制品,即使在3000个循环(cyc)后,冷却器5和第一绝缘树脂片41之间的接合率以及第二绝缘树脂片42和散热器块3之间的接合率均为100%,结果因此证明了接合界面具有好的耐久性。
另一方面,对于现有技术的制品,尽管冷却器5和第一绝缘树脂片41之间的接合率以及第二绝缘树脂片42和散热器块3之间的接合率在一开始均为100%,冷却器5和第一绝缘树脂片41之间的接合率在3000次循环(cyc)后下降到93%,第二绝缘树脂片42和散热器块3之间的接合率下降到86%。由此可以明了,作为进行冷热处理的结果,应力由于散热器块4和冷却器5之间的线性膨胀差而产生,由此导致相应的接合界面的分离。因此,可以看到,本发明的制品具有相对于现有技术的制品改进的接合率。
另外,关于本发明的制品,在一开始或在3000次循环(cyc)后在绝缘树脂片4中均不存在(无)内部裂缝,因此,结果显示绝缘树脂片4具有好的耐久性。另一方面,对于现有技术的制品,在一开始和在3000次循环之后均发现(存在)绝缘树脂片4内的内部裂缝。由此可以明了,作为按压散热器块3和绝缘树脂片4的横向部分的结果,应力沿着散热器块3的末端边缘在绝缘树脂片4中局部集中,由此导致内部裂缝。
另外,关于本发明的制品,当施加AC 50Hz的介质击穿电压时,即使在超过5kV的电压下,在一开始或在3000次循环之后均不发生介质击穿。与此形成对比的是,采用现有技术的制品,在不足2kV电压下,在一开始和在3000次循环后均发生介质击穿。因此,可以看到,本发明的制品具有相对于现有技术制品的改进的介电强度。
参考标号列表
1 电力模块
2 半导体芯片
2a 焊剂部分
3 散热器块
4 绝缘树脂片
41 第一绝缘树脂片
42 第二绝缘树脂片
5 冷却器
W 工件
Claims (4)
1.一种通过堆叠冷却器、绝缘树脂片、散热器块、半导体芯片来制造电力模块的电力模块制造方法,所述电力模块制造方法包含:
第一热压接合步骤,其中,构成绝缘树脂片的下层的第一绝缘树脂片通过热压而被接合到冷却器;
第二热压接合步骤,其中,构成绝缘树脂片的上层的第二绝缘树脂片介于第一绝缘树脂片和散热器块之间,第二绝缘树脂片通过热压而被接合到第一绝缘树脂片,散热器块通过热压而被接合到第二绝缘树脂片;以及
软钎焊步骤,其中,半导体芯片被软钎焊在散热器块上。
2.权利要求1的电力模块制造方法,其中,第一绝缘树脂片和第二绝缘树脂片各自包含热硬化树脂材料,
在第一热压接合步骤中,进行加热以达到第一绝缘树脂片热硬化的温度,且
在第二热压接合步骤中,进行加热以达到第二绝缘树脂片热硬化的温度。
3.权利要求1或2的电力模块制造方法,其中,第一绝缘树脂片具有与散热器块尺寸相比较大的尺寸,并具有与第二绝缘树脂片厚度相比相等或较大的厚度。
4.一种电力模块,其由根据权利要求1-3中任意一项的电力模块制造方法制造。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104756250A (zh) * | 2012-11-20 | 2015-07-01 | 丰田自动车株式会社 | 半导体装置 |
CN107369660A (zh) * | 2016-05-12 | 2017-11-21 | 台达电子企业管理(上海)有限公司 | 功率模块及其制造方法 |
CN109314090A (zh) * | 2016-06-14 | 2019-02-05 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5542765B2 (ja) * | 2011-09-26 | 2014-07-09 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | パワーモジュール |
CZ306788B6 (cs) * | 2016-07-14 | 2017-07-07 | Západočeská Univerzita V Plzni | Mezivrstva pro pájené spojení |
US10074591B1 (en) * | 2017-03-02 | 2018-09-11 | Intel Corporation | System with provision of a thermal interface to a printed circuit board |
JP7322626B2 (ja) * | 2019-09-19 | 2023-08-08 | 株式会社レゾナック | 冷却装置の製造方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0537106A (ja) * | 1991-07-29 | 1993-02-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 混成集積回路 |
CN1499620A (zh) * | 2002-11-07 | 2004-05-26 | ��ʽ�������Ƹ��� | 散热器和使用了该散热器的半导体元件和半导体封装体 |
DE102005001148B3 (de) * | 2005-01-10 | 2006-05-18 | Siemens Ag | Elektronikeinheit mit EMV-Schirmung |
WO2006118211A1 (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Japan Gore-Tex Inc. | 回路基板およびその製造方法 |
CN101385142A (zh) * | 2006-02-17 | 2009-03-11 | 丰田自动车株式会社 | 半导体模组和具有半导体模组的混合动力车辆驱动装置 |
JP2009088330A (ja) * | 2007-10-01 | 2009-04-23 | Hitachi Metals Ltd | 半導体モジュール |
CN101472449A (zh) * | 2007-12-26 | 2009-07-01 | 华信精密股份有限公司 | 散热器与电路的结合结构及结合方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0790762B1 (en) | 1996-01-30 | 2003-10-08 | Parker Hannifin Corporation | Conductive cooling of a heat-generating electronic component |
JPH11204700A (ja) * | 1998-01-19 | 1999-07-30 | Hitachi Ltd | 放熱フィン一体型パワーモジュール |
JP3832102B2 (ja) * | 1998-08-10 | 2006-10-11 | ソニー株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP3641232B2 (ja) | 2001-11-13 | 2005-04-20 | 本田技研工業株式会社 | インバータ装置及びその製造方法 |
JP2005057108A (ja) * | 2003-08-06 | 2005-03-03 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体装置 |
-
2010
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0537106A (ja) * | 1991-07-29 | 1993-02-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 混成集積回路 |
CN1499620A (zh) * | 2002-11-07 | 2004-05-26 | ��ʽ�������Ƹ��� | 散热器和使用了该散热器的半导体元件和半导体封装体 |
DE102005001148B3 (de) * | 2005-01-10 | 2006-05-18 | Siemens Ag | Elektronikeinheit mit EMV-Schirmung |
WO2006118211A1 (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Japan Gore-Tex Inc. | 回路基板およびその製造方法 |
CN101385142A (zh) * | 2006-02-17 | 2009-03-11 | 丰田自动车株式会社 | 半导体模组和具有半导体模组的混合动力车辆驱动装置 |
JP2009088330A (ja) * | 2007-10-01 | 2009-04-23 | Hitachi Metals Ltd | 半導体モジュール |
CN101472449A (zh) * | 2007-12-26 | 2009-07-01 | 华信精密股份有限公司 | 散热器与电路的结合结构及结合方法 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104756250A (zh) * | 2012-11-20 | 2015-07-01 | 丰田自动车株式会社 | 半导体装置 |
CN104756250B (zh) * | 2012-11-20 | 2017-06-13 | 丰田自动车株式会社 | 半导体装置 |
CN107369660A (zh) * | 2016-05-12 | 2017-11-21 | 台达电子企业管理(上海)有限公司 | 功率模块及其制造方法 |
CN107369660B (zh) * | 2016-05-12 | 2019-11-05 | 台达电子企业管理(上海)有限公司 | 功率模块及其制造方法 |
CN109314090A (zh) * | 2016-06-14 | 2019-02-05 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置 |
CN109314090B (zh) * | 2016-06-14 | 2022-03-08 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2524393A1 (en) | 2012-11-21 |
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EP2524393B1 (en) | 2015-01-21 |
JP5407881B2 (ja) | 2014-02-05 |
WO2011086641A1 (en) | 2011-07-21 |
US8881386B2 (en) | 2014-11-11 |
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US20130027888A1 (en) | 2013-01-31 |
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