CN102709180A - 一种铝薄膜的制备工艺 - Google Patents
一种铝薄膜的制备工艺 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102709180A CN102709180A CN2012101588276A CN201210158827A CN102709180A CN 102709180 A CN102709180 A CN 102709180A CN 2012101588276 A CN2012101588276 A CN 2012101588276A CN 201210158827 A CN201210158827 A CN 201210158827A CN 102709180 A CN102709180 A CN 102709180A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- aluminium
- thin film
- preparation process
- titanium
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
本发明涉及半导体集成电路的制造领域,尤其涉及一种铝薄膜的制备工艺。本发明提出一种铝薄膜的制备工艺,通过优化铝薄膜的沉积条件,改善了铝颗粒的成长过程,从而有效的减少晶须缺陷的产生,进而提高产品的良率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体集成电路的制造领域,尤其涉及一种铝薄膜的制备工艺。
背景技术
铝作为一种稳定的低电阻率的金属,被广泛用于芯片后段的金属互连线路或者与后续封装线连接的接触垫;其中,晶须是指在颗粒(grain)边缘由于应力效应凸起的须状的缺陷。
图1-3是本发明背景技术中传统铝沉积的工艺流程结构示意图;如图1-3所示,传统铝沉积工艺是在硅衬底11上低温沉积钛薄膜12后,沉积氮化钛薄膜13覆盖钛薄膜12,再高温沉积铝薄膜14后沉积保护层15覆盖铝薄膜14,保护层15的材质一般为氮化钛或钛和氮化钛。
虽然高温的铝颗粒(grain)大、电阻率低,且填充性能与可靠性好,但在沉积较厚(大于1000埃)的铝薄膜时,由于铝(Al)薄膜与SiO2层的热膨胀系数存在较大差异,而沉积过程中产生的热应力会随着膜厚的增加不断累积,当达到到一定程度时在铝颗粒边缘会有铝钻出来,形成晶须状的缺陷(晶须),从而造成产品良率的降低。
发明内容
本发明公开了一种铝薄膜制备工艺,其中,包括以下步骤:
步骤S1:在一硅衬底上,依次采用低温沉积第一钛薄膜和第一氮化钛薄膜覆盖所述硅衬底的上表面;
步骤S2:采用低温沉积第一铝薄膜后,采用高温沉积第二铝薄膜覆盖所述第一铝薄膜的上表面,形成铝层;
步骤S3:依次沉积保护层和抗反射层覆盖所述第二铝薄膜的上表面。
上述的铝薄膜制备工艺,其中,所述硅衬底为已形成金属互联线的硅片。
上述的铝薄膜制备工艺,其中,还包括在步骤S1和S2之间采用低温沉积第二钛薄膜,覆盖所述第一氮化钛薄膜的上表面。
上述的铝薄膜制备工艺,其中,采用小于100℃的温度进行第二钛薄膜的沉积工艺。
上述的铝薄膜制备工艺,其中,所述第二钛薄膜的厚度为50-300埃。
上述的铝薄膜制备工艺,其中,采用小于100℃的温度进行第一钛薄膜和第一氮化钛薄膜的沉积工艺。
上述的铝薄膜制备工艺,其中,采用100-250℃的温度进行第一铝薄膜的沉积工艺。
上述的铝薄膜制备工艺,其中,采用250-450℃的温度进行第二铝薄膜的沉积工艺。
上述的铝薄膜制备工艺,其中,所述铝层的厚度为10000-50000埃。
上述的铝薄膜制备工艺,其中,所述保护层的材质为氮化钛或钛和氮化钛。
综上所述,由于采用了上述技术方案,本发明提出一种铝薄膜制备工艺,通过优化铝薄膜的沉积条件,改善了铝颗粒(grain)的成长过程,从而有效的减少晶须缺陷的产生,进而提高产品的良率。
附图说明
图1-3是本发明背景技术中传统铝沉积的工艺流程结构示意图;
图4-9是本发明铝薄膜制备工艺流程结构结构示意图;
图10是本发明铝薄膜制备工艺与传统铝薄膜制备工艺的缺陷数据图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步的说明:
图4-9是本发明铝薄膜制备工艺流程结构结构示意图;如图4-9所示,一种铝薄膜制备工艺,包括以下步骤:
首先,在已形成金属互联线的硅片21上,采用低于100℃的温度进行第一钛薄膜22和第一氮化钛薄膜23的沉积;其中,第一钛薄膜22覆盖硅片21的上表面,第一氮化钛薄膜23覆盖第一钛薄膜22的上表面。
其次,采用低于100℃的温度沉积厚度为50-300埃的第二钛薄膜24,覆盖第一氮化钛薄膜23的上表面;其中,第二钛薄膜24作为粘附层吸附下层金属接触面上的养元素。
然后,采用100-250℃的温度沉积第一铝薄膜25覆盖第二钛薄膜24的上表面后,采用250-450℃的温度沉积第二铝薄膜26覆盖的第一铝薄膜25上表面,第一铝薄膜25和第二铝薄膜26形成10000-50000埃厚度的铝层;其中,通过分两步采用不同的温度(先低温后高温)沉积两层铝薄膜形成铝层,低温沉积形成的第一铝薄膜25的铝颗粒和应力比较小,不易产生晶须,而第二钛薄膜24与第一铝薄膜25的接触部分会反应生成均匀的钛铝合金层,能保证后续的第二铝薄膜26均匀沉积,而高温沉积的第二铝薄膜则满足了填充性能的需要。
最后,沉积保护层27覆盖第二铝薄膜26的上表面,并继续于保护层27上沉积抗反射层;其中,保护层27的材质为氮化钛或钛和氮化钛。
其中,也可以不制备在第一铝薄膜25与第一氮化钛薄膜23之间的第二钛薄膜24,但其效果不够理想;实验证明,在一个晶片上采用传统工艺制备的铝薄膜其缺陷总数达到21689个,而采用不包含第二钛薄膜24制备工艺的缺陷只有29个,而采用包含第二钛薄膜24制备工艺的缺陷只有18个。
图10是本发明铝薄膜制备工艺与传统铝薄膜制备工艺的缺陷数据图;其中,a表示传统工艺条件下APL-ADI的数目,b表示传统工艺条件下APL-ASI的数目,c表示本发明工艺条件下APL-ADI的数目,d表示本发明工艺条件下APL-ASI的数目。如图10所示,经过APL-ADI和APL-ASI两道工艺检验步骤后发现,在传统工艺条件下APL-ADI的数目为1617、APL-ASI的数目1514,而本发明工艺条件下APL-ADI的数目为48、APL-ASI的数目26;可知,相对采用传统工艺采用本发明工艺条件制备的产品的缺陷有了大幅度的提高,即本发明制备的铝薄膜的晶须缺陷从传统工艺条件下的数千甚至上万颗缺陷减至数十颗(晶圆级),基本上消除了晶须缺陷,有效的避免晶须缺陷对产品良率的影响。
综上所述,由于采用了上述技术方案,本发明提出一种铝薄膜制备工艺及其方法,通过采用常规的方法沉积钛和氮化钛薄膜后再沉积一层薄层钛,然后再采用不同温度(先低温后高温)进行两步铝薄膜的沉积,在不影响薄膜电性和可靠性的前提下,不仅与传统的工艺技术兼容,而且有效的减少甚至避免铝晶须缺陷的产生,从而大大提高产品的良率。
通过说明和附图,给出了具体实施方式的特定结构的典型实施例,基于本发明精神,还可作其他的转换。尽管上述发明提出了现有的较佳实施例,然而,这些内容并不作为局限。
对于本领域的技术人员而言,阅读上述说明后,各种变化和修正无疑将显而易见。因此,所附的权利要求书应看作是涵盖本发明的真实意图和范围的全部变化和修正。在权利要求书范围内任何和所有等价的范围与内容,都应认为仍属本发明的意图和范围内。
Claims (10)
1.一种铝薄膜制备工艺,其特征在于,包括以下步骤:
步骤S1:在一硅衬底上,依次采用低温沉积第一钛薄膜和第一氮化钛薄膜覆盖所述硅衬底的上表面;
步骤S2:采用低温沉积第一铝薄膜后,采用高温沉积第二铝薄膜覆盖所述第一铝薄膜的上表面,形成铝层;
步骤S3:依次沉积保护层和抗反射层覆盖所述第二铝薄膜的上表面。
2.根据权利要求1所述的铝薄膜制备工艺,其特征在于,所述硅衬底为已形成金属互联线的硅片。
3.根据权利要求2所述的铝薄膜制备工艺,其特征在于,还包括在步骤S1和S2之间采用低温沉积第二钛薄膜,覆盖所述第一氮化钛薄膜的上表面。
4.根据权利要求3所述的铝薄膜制备工艺,其特征在于,采用小于100℃的温度进行第二钛薄膜的沉积工艺。
5.根据权利要求4所述的铝薄膜制备工艺,其特征在于,所述第二钛薄膜的厚度为50-300埃。
6.根据权利要求1-5中任意一项所述的铝薄膜制备工艺,其特征在于,采用小于100℃的温度进行第一钛薄膜和第一氮化钛薄膜的沉积工艺。
7.根据权利要求6所述的铝薄膜制备工艺,其特征在于,采用100-250℃的温度进行第一铝薄膜的沉积工艺。
8.根据权利要求7所述的铝薄膜制备工艺,其特征在于,采用250-450℃的温度进行第二铝薄膜的沉积工艺。
9.根据权利要求8所述的铝薄膜制备工艺,其特征在于,所述铝层的厚度为10000-50000埃。
10.根据权利要求9所述的铝薄膜制备工艺,其特征在于,所述保护层的材质为氮化钛或钛和氮化钛。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2012101588276A CN102709180A (zh) | 2012-05-22 | 2012-05-22 | 一种铝薄膜的制备工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2012101588276A CN102709180A (zh) | 2012-05-22 | 2012-05-22 | 一种铝薄膜的制备工艺 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102709180A true CN102709180A (zh) | 2012-10-03 |
Family
ID=46901851
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2012101588276A Pending CN102709180A (zh) | 2012-05-22 | 2012-05-22 | 一种铝薄膜的制备工艺 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN102709180A (zh) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103646897A (zh) * | 2013-11-29 | 2014-03-19 | 上海华力微电子有限公司 | 铝薄膜工艺晶须缺陷的监控方法 |
CN104934332A (zh) * | 2015-04-29 | 2015-09-23 | 安徽松泰包装材料有限公司 | 一种铜铝复合薄膜生产工艺 |
CN105304510A (zh) * | 2014-07-22 | 2016-02-03 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 铝薄膜制备方法 |
CN105493249A (zh) * | 2013-09-27 | 2016-04-13 | 英特尔公司 | 用于后段(beol)互连的先前层自对准过孔及插塞图案化 |
CN105493250A (zh) * | 2013-09-27 | 2016-04-13 | 英特尔公司 | 用于后段(beol)互连的减数法自对准过孔和插塞图案化 |
CN105518837A (zh) * | 2013-09-27 | 2016-04-20 | 英特尔公司 | 用于后段(beol)互连的自对准过孔及插塞图案化 |
CN106531637A (zh) * | 2016-12-05 | 2017-03-22 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 一种改善铝膜缺陷的方法 |
CN105493244B (zh) * | 2013-09-27 | 2018-12-18 | 英特尔公司 | 通过双图案化和填充技术来形成不同金属材料的平行导线的方法 |
US10438813B2 (en) | 2017-11-13 | 2019-10-08 | Alpha And Omega Semiconductor (Cayman) Ltd. | Semiconductor device having one or more titanium interlayers and method of making the same |
CN112470263A (zh) * | 2018-05-04 | 2021-03-09 | 应用材料公司 | 用于高反射率铝层的方法和设备 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0838536A2 (en) * | 1996-10-24 | 1998-04-29 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for depositing highly oriented and reflective crystalline layers |
EP0877424A2 (en) * | 1997-04-16 | 1998-11-11 | STMicroelectronics, Inc. | Interconnect method and structure for semiconductor devices |
US20050142866A1 (en) * | 2003-12-31 | 2005-06-30 | Dongbuanam Semiconductor Inc. | Method for forming aluminum interconnect |
CN101882588A (zh) * | 2009-05-06 | 2010-11-10 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 减少铝衬垫表面须状缺陷的方法 |
-
2012
- 2012-05-22 CN CN2012101588276A patent/CN102709180A/zh active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0838536A2 (en) * | 1996-10-24 | 1998-04-29 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for depositing highly oriented and reflective crystalline layers |
EP0877424A2 (en) * | 1997-04-16 | 1998-11-11 | STMicroelectronics, Inc. | Interconnect method and structure for semiconductor devices |
US20050142866A1 (en) * | 2003-12-31 | 2005-06-30 | Dongbuanam Semiconductor Inc. | Method for forming aluminum interconnect |
CN101882588A (zh) * | 2009-05-06 | 2010-11-10 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 减少铝衬垫表面须状缺陷的方法 |
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105518837B (zh) * | 2013-09-27 | 2019-04-16 | 英特尔公司 | 用于后段(beol)互连的自对准过孔及插塞图案化 |
US10297467B2 (en) | 2013-09-27 | 2019-05-21 | Intel Corporation | Self-aligned via and plug patterning for back end of line (BEOL) interconnects |
CN105493244B (zh) * | 2013-09-27 | 2018-12-18 | 英特尔公司 | 通过双图案化和填充技术来形成不同金属材料的平行导线的方法 |
CN105493250B (zh) * | 2013-09-27 | 2018-12-18 | 英特尔公司 | 用于后段(beol)互连的减数法自对准过孔和插塞图案化 |
CN105493250A (zh) * | 2013-09-27 | 2016-04-13 | 英特尔公司 | 用于后段(beol)互连的减数法自对准过孔和插塞图案化 |
CN105518837A (zh) * | 2013-09-27 | 2016-04-20 | 英特尔公司 | 用于后段(beol)互连的自对准过孔及插塞图案化 |
CN105493249B (zh) * | 2013-09-27 | 2019-06-14 | 英特尔公司 | 用于后段(beol)互连的先前层自对准过孔及插塞图案化 |
US10204830B2 (en) | 2013-09-27 | 2019-02-12 | Intel Corporation | Previous layer self-aligned via and plug patterning for back end of line (BEOL) interconnects |
US10991599B2 (en) | 2013-09-27 | 2021-04-27 | Intel Corporation | Self-aligned via and plug patterning for back end of line (BEOL) interconnects |
CN105493249A (zh) * | 2013-09-27 | 2016-04-13 | 英特尔公司 | 用于后段(beol)互连的先前层自对准过孔及插塞图案化 |
CN103646897A (zh) * | 2013-11-29 | 2014-03-19 | 上海华力微电子有限公司 | 铝薄膜工艺晶须缺陷的监控方法 |
CN103646897B (zh) * | 2013-11-29 | 2016-09-07 | 上海华力微电子有限公司 | 铝薄膜工艺晶须缺陷的监控方法 |
CN105304510A (zh) * | 2014-07-22 | 2016-02-03 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 铝薄膜制备方法 |
CN105304510B (zh) * | 2014-07-22 | 2018-05-08 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 铝薄膜制备方法 |
CN104934332A (zh) * | 2015-04-29 | 2015-09-23 | 安徽松泰包装材料有限公司 | 一种铜铝复合薄膜生产工艺 |
CN106531637A (zh) * | 2016-12-05 | 2017-03-22 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 一种改善铝膜缺陷的方法 |
US10438813B2 (en) | 2017-11-13 | 2019-10-08 | Alpha And Omega Semiconductor (Cayman) Ltd. | Semiconductor device having one or more titanium interlayers and method of making the same |
CN112470263A (zh) * | 2018-05-04 | 2021-03-09 | 应用材料公司 | 用于高反射率铝层的方法和设备 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102709180A (zh) | 一种铝薄膜的制备工艺 | |
CN105514224B (zh) | 一种用于GaN生长的低应力状态复合衬底的制备方法 | |
JP2019524615A5 (zh) | ||
HRP20141036T1 (hr) | Metoda za proizvodnju solarne stanice s površinskim dielektriäśnim dvoslojem koji smanjuje reaktivnost, i odgovarajuä†e solarne stanice | |
CN105612610B (zh) | 结合负热膨胀材料的导电互连结构及相关系统、装置及方法 | |
WO2017004906A1 (zh) | 基于超薄膜的电容式压力传感器的制作方法 | |
CN102157442B (zh) | 一种形成微电子芯片间互连的方法 | |
Li et al. | Adhesion improvement and characterization of magnetron sputter deposited bilayer molybdenum thin films for rear contact application in CIGS solar cells | |
CN105932075A (zh) | 一种背结晶硅异质结太阳电池及其制备方法 | |
JP5705389B1 (ja) | 太陽電池およびその製造方法、ならびに太陽電池モジュールおよびその製造方法 | |
CN109830457B (zh) | 半导体器件及其形成方法 | |
JP6362932B2 (ja) | 太陽電池モジュール及びその製造方法 | |
CN102832138A (zh) | 具超薄种子层的封装基板形成方法 | |
CN101964394A (zh) | 一种制作相变存储单元相变单元的方法 | |
CN114843373A (zh) | 一种htj电池的制备方法 | |
CN103618035A (zh) | 一种具有应力调制层的氮化镓基led薄膜芯片及其制备方法 | |
CN102790098A (zh) | 背反射式太阳能电池及其制作方法 | |
CN208570640U (zh) | 一种铜铟镓硒太阳能电池组件 | |
CN102709435B (zh) | 一种取代二、三元系芯片的四元系芯片及其制作方法 | |
JP6557325B2 (ja) | 半導体構造物、その製造方法及び使用 | |
CN102447015B (zh) | 一种垂直结构发光二极管 | |
CN102832264A (zh) | 具有背电场结构的太阳能电池及其制造方法 | |
CN102856221A (zh) | Ic封装凸块的制造工艺 | |
CN103280411A (zh) | 铝衬垫形成方法 | |
CN202957233U (zh) | 半导体结构 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C12 | Rejection of a patent application after its publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20121003 |