CN202957233U - 半导体结构 - Google Patents

半导体结构 Download PDF

Info

Publication number
CN202957233U
CN202957233U CN 201220526059 CN201220526059U CN202957233U CN 202957233 U CN202957233 U CN 202957233U CN 201220526059 CN201220526059 CN 201220526059 CN 201220526059 U CN201220526059 U CN 201220526059U CN 202957233 U CN202957233 U CN 202957233U
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
semiconductor structure
titanium
utility
thickness
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN 201220526059
Other languages
English (en)
Inventor
邱祥清
吴声明
杨光浩
林恭安
王晨聿
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Chipbond Technology Corp
Original Assignee
Chipbond Technology Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Chipbond Technology Corp filed Critical Chipbond Technology Corp
Priority to CN 201220526059 priority Critical patent/CN202957233U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN202957233U publication Critical patent/CN202957233U/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Die Bonding (AREA)

Abstract

本实用新型是有关于一种半导体结构，其包含硅基板、钛层、镍层、银层以及金属材质黏着层，该硅基板具有背面，该钛层形成于该背面，该钛层具有上表面，该镍层形成于该上表面，该银层形成于该镍层上，该金属材质黏着层形成于该镍层及该银层之间。

Description

半导体结构
技术领域
本实用新型涉及一种半导体结构，特别是涉及一种可降低电阻的半导体结构。
背景技术
现有习知的半导体制造工艺中，为了改善高功率IC散热问题而开发出晶背金属化制造工艺(Back Side Metal Process)，其是在晶圆背面蒸镀或溅镀一层或多层可做为接合/导热用的金属层，该金属层亦可再接合基材(例如：散热片/Lead frame)，以达到较佳的散热及导电效果，目前一般蒸镀或溅镀于晶圆背面的金属层大多选用金或银，但目前金价居高不下，因此基于成本考虑下，银层为较佳选择，然银层与硅晶圆之间必须以钛层作为黏着层，但后端封装制造工艺中温度过高而钛层厚度薄时，银层会融化而扩散至硅-钛层，造成硅晶圆与银层剥离，反之，温度过高而钛层厚度厚时，钛-银层会产生接口合金共化物，因而导致电阻抗上升。
有鉴于上述现有的半导体结构存在的缺陷，本发明人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学理的运用，积极加以研究创新，以期创设一种新型结构的半导体结构，能够改进一般现有的半导体结构，使其更具有实用性。经过不断的研究、设计,并经反复试作样品及改进后，终于创设出确具实用价值的本实用新型。
发明内容
本实用新型的目的在于，克服现有的半导体结构存在的缺陷，而提供一种新型结构的半导体结构，所要解决的技术问题是使半导体结构能达到最佳的散热及导电效果，并可降低封装后的电阻抗，从而更加适于实用。
本实用新型的目的及解决其技术问题是采用以下的技术方案来实现的。依据本实用新型提出的半导体结构，其至少包含：硅基板，其具有主动面及背面；钛层，其形成于该背面，该钛层具有上表面；镍层，其形成于该钛层的该上表面；银层，其形成于该镍层上；以及金属材质黏着层，其形成于该镍层及该银层之间。
本实用新型的目的以及解决其技术问题还可以采用以下的技术措施来进一步实现。
前述的半导体结构，其中该金属材质黏着层的材质选自于钛。
前述的半导体结构，其中该钛层的厚度范围介于
Figure BDA00002258159700011
前述的半导体结构，其中该镍层的厚度范围介于
Figure BDA00002258159700021
前述的半导体结构，其中该银层的厚度范围介于
Figure BDA00002258159700022
前述的半导体结构，其中该金属材质黏着层的厚度范围介于
前述的半导体结构，其中该金属材质黏着层具有第一厚度，该钛层具有第二厚度，该第一厚度不大于该第二厚度。
本实用新型与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。借由上述技术方案,本实用新型半导体结构可达到相当的技术进步性及实用性，并具有产业上的广泛利用价值，其至少具有下列优点：借由该金属材质黏着层使该镍层与该银层具有良好的结合强度，且该镍层可作为良好的阻障层，进而使该半导体结构达到最佳的散热及导电效果，并降低封装后的电阻抗。
上述说明仅是本实用新型技术方案的概述，为了能更清楚了解本实用新型的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为让本实用新型的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例,并配合附图，详细说明如下。
附图说明
图1是依据本实用新型的一较佳实施例，一种半导体结构示意图。
图2是依据本实用新型的一较佳实施例，该半导体结构的电子显微镜拍摄的照片图。
【主要元件符号说明】
100：半导体结构
110：硅基板   111：主动面
112：背面
120：钛层     121：上表面
130：镍层     140：银层
150：金属材质黏着层
T1：第一厚度   T2：第二厚度
具体实施方式
为更进一步阐述本实用新型为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本实用新型提出的半导体结构其具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。
请参阅图1及图2，其是本实用新型的一较佳实施例，一种半导体结构100包含硅基板110、钛层120、镍层130、银层140以及金属材质黏着层150，该硅基板110具有主动面111及背面112，该硅基板110的该主动面111可形成有多个线路及多个电连接元件（图未绘出），该钛层120形成于该背面112，该钛层120具有上表面121，该钛层120的厚度范围介于
Figure BDA00002258159700031
其中该钛层120形成于该硅基板110的该背面112之前，必须先经过下列步骤：首先，贴设保护胶带（图未绘出）于该硅基板110的该主动面111上，接着，研磨该硅基板110的该背面112以薄化该硅基板110，之后，蚀刻该硅基板110的该背面112以增加该背面112的粗糙度，进而提高该钛层120及该硅基板110的结合强度，接着，利用蒸镀或溅镀方法使该钛层120形成于该硅基板110的该背面112，之后，该镍层130形成于该钛层120的该上表面121，该镍层130的厚度范围介于
Figure BDA00002258159700032
该银层140形成于该镍层130上，该银层140的厚度范围介于
Figure BDA00002258159700033
该金属材质黏着层150形成于该镍层130及该银层140之间，在本实施例中，该金属材质黏着层150的材质选自于钛，该金属材质黏着层150的厚度范围介于
Figure BDA00002258159700034
且该金属材质黏着层150具有第一厚度T1，该钛层120具有第二厚度T2，该第一厚度T1不大于该第二厚度T2。由于钛对于金属材质而言为良好的黏着剂，因此该金属材质黏着层150的材质选自于钛且将该金属材质黏着层150的厚度控制于使得该半导体结构100中该镍层130与该银层140可借由该金属材质黏着层150达到良好的结合强度，且该金属材质黏着层150与该银层140之间不会产生接口合金共化物，此外，由于该镍层130位于该银层140及该钛层120之间，因此可作为良好的阻障层，进而使该半导体结构100达到最佳的散热及导电效果，并降低封装后的电阻抗。
以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型作任何形式上的限制，虽然本实用新型已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本实用新型,任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本实用新型技术方案范围内,当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例,但凡是未脱离本实用新型技术方案的内容，依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰,均仍属于本实用新型技术方案的范围内。

Claims (7)

1.一种半导体结构，其特征在于其至少包含： 
硅基板，其具有主动面及背面； 
钛层，其形成于该背面，该钛层具有上表面； 
镍层，其形成于该钛层的该上表面； 
银层，其形成于该镍层上；以及 
金属材质黏着层，其形成于该镍层及该银层之间。 
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于该金属材质黏着层的材质选自于钛。 
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于该钛层的厚度范围介于
Figure 20122052605901000011
。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于该镍层的厚度范围介于
Figure 20122052605901000012
。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于该银层的厚度范围介于
Figure 3
。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于该金属材质黏着层的厚度范围介于
Figure 4
。
7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于该金属材质黏着层具有第一厚度，该钛层具有第二厚度，该第一厚度不大于该第二厚度。 
CN 201220526059 2012-10-15 2012-10-15 半导体结构 Expired - Fee Related CN202957233U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 201220526059 CN202957233U (zh) 2012-10-15 2012-10-15 半导体结构

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 201220526059 CN202957233U (zh) 2012-10-15 2012-10-15 半导体结构

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN202957233U true CN202957233U (zh) 2013-05-29

Family

ID=48462792

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN 201220526059 Expired - Fee Related CN202957233U (zh) 2012-10-15 2012-10-15 半导体结构

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN202957233U (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103730437A (zh) * 2012-10-15 2014-04-16 颀邦科技股份有限公司 半导体结构

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103730437A (zh) * 2012-10-15 2014-04-16 颀邦科技股份有限公司 半导体结构

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101814446B (zh) 基岛露出及多凸点基岛露出引线框结构及其先刻后镀方法
CN104854708A (zh) 太阳能电池及其制造方法和太阳能电池模块
CN202957233U (zh) 半导体结构
CN104253087B (zh) 铝金属工艺接触孔的填充方法
CN204885142U (zh) 一种钯金ic封装凸块
CN103730437A (zh) 半导体结构
CN204834607U (zh) 一种铜镍金ic封装凸块结构
CN206697449U (zh) 一种显示用电子器件高导电联耦合电极
CN112185803A (zh) 一种功率器件衬底背面处理方法及功率器件制备方法
CN206546818U (zh) 砷化镓芯片的背面金属结构
CN201681903U (zh) 基岛露出型及下沉基岛露出型无源器件封装结构
CN201681873U (zh) 多个基岛露出型单圈引脚封装结构
CN204885141U (zh) 一种铜镍金ic封装凸块
CN219658717U (zh) 一种新型免封装二极管
TWI708395B (zh) 背晶薄膜結構、包含其之半導體裝置、及背晶薄膜結構的製造方法
CN203826396U (zh) 双极型功率晶体管基片
TWI555148B (zh) 半導體結構
CN105140120B (zh) 一种igbt的制备方法
CN201681835U (zh) 多凸点多基岛露出型单圈引脚引线框结构
CN201681834U (zh) 多凸点单基岛露出型多圈引脚引线框结构
CN204857709U (zh) 一种高可靠性的铜镍金ic封装凸块
CN201681878U (zh) 基岛露出型及多凸点基岛露出型引线框结构
CN201681884U (zh) 埋入型基岛及多凸点基岛引线框结构
CN206293427U (zh) 可缩减厚度提升合格率的晶圆封装结构
CN201681887U (zh) 下沉基岛露出型及多凸点基岛露出型多圈引脚引线框结构

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20130529

Termination date: 20141015

EXPY Termination of patent right or utility model