CN204857709U - 一种高可靠性的铜镍金ic封装凸块 - Google Patents

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周义亮
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Abstract

本实用新型公开了一种高可靠性的铜镍金IC封装凸块,包括从下向上依次设置的载体、导电层、绝缘层、钛层、第一铜层、第二铜层、镍层和金层,所述绝缘层上设有孔,露出部分导电层,所述孔并排设有多道,相邻的两道孔之间为孔桥,所述钛层成波浪形贴合部分导电层、孔桥以及绝缘层的表面,所述第一铜层、第二铜层、镍层和金层也成波浪形。各金属层成波浪形,降低温度变化时各金属层的横向位移,从而减小相邻金属层之间的应力,进而削弱应力产生的负面影响,提高钯金IC封装凸块的可靠性;孔桥可以吸收钛层与部分导电层之间的应力,进一步提高钯金IC封装凸块的可靠性。

Description

一种高可靠性的铜镍金IC封装凸块
技术领域
本实用新型涉及IC封装领域,具体涉及一种高可靠性的铜镍金IC封装凸块。
背景技术
驱动IC封装上使用的凸块普遍为纯金,成本高,目前有一种采用铜镍金组合来代替纯金的IC封装凸块,可以有效降低成本,其结构包括从下向上依次设置的载体、导电层、绝缘层、钛层、第一铜层、第二铜层、镍层和金层,所述绝缘层上设有孔,露出部分导电层,所述钛层底面贴合部分导电层以及绝缘层的表面,但是由于不同金属的膨胀系数不一样,在温度变化时,各金属层之间产生应力,很容易引起基体变形或产生裂纹,甚至会剥离脱落,因此这种铜镍金IC封装凸块的可靠性差。
发明内容
本实用新型要解决的技术问题是提供一种高可靠性的铜镍金IC封装凸块,可以解决现有铜镍金IC封装凸块在温度变化时,各金属层之间产生应力,很容易引起基体变形或产生裂纹,甚至会剥离脱落,导致可靠性差的问题。
本实用新型通过以下技术方案实现:
一种高可靠性的铜镍金IC封装凸块,包括从下向上依次设置的载体、导电层、绝缘层、钛层、第一铜层、第二铜层、镍层和金层,所述绝缘层上设有孔,露出部分导电层,所述孔并排设有多道,相邻的两道孔之间为孔桥,所述钛层成波浪形贴合部分导电层、孔桥以及绝缘层的表面,所述第一铜层、第二铜层、镍层和金层也成波浪形。
本实用新型的进一步方案是,所述载体为硅片。
本实用新型的进一步方案是,所述导电层为铝垫。
本实用新型的进一步方案是,所述绝缘层为PSV绝缘材料。
本实用新型与现有技术相比的优点在于:
一、各金属层成波浪形,降低温度变化时各金属层的横向位移,从而减小相邻金属层之间的应力,进而削弱应力产生的负面影响,提高钯金IC封装凸块的可靠性;
二、孔桥可以吸收钛层与部分导电层之间的应力,进一步提高钯金IC封装凸块的可靠性。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
如图1所示的一种高可靠性的铜镍金IC封装凸块,包括从下向上依次设置的硅片载体1、铝垫导电层2、PSV绝缘层3、钛层4、第一铜层5、第二铜层6、镍层7和金层8,所述PSV绝缘层3上设有并排设有多道孔21,露出部分铝垫导电层2,相邻的两道孔21之间为孔桥9,所述钛层4成波浪形贴合部分导电层2、孔桥9以及绝缘层3的表面,所述第一铜层5、第二铜层6、镍层7和金层8也成波浪形。

Claims (4)

1.一种高可靠性的铜镍金IC封装凸块,包括从下向上依次设置的载体(1)、导电层(2)、绝缘层(3)、钛层(4)、第一铜层(5)、第二铜层(6)、镍层(7)和金层(8),所述绝缘层(3)上设有孔(21),露出部分导电层(2),其特征在于:所述孔(21)并排设有多道,相邻的两道孔(21)之间为孔桥(9),所述钛层(4)成波浪形贴合部分导电层(2)、孔桥(9)以及绝缘层(3)的表面,所述第一铜层(5)、第二铜层(6)、镍层(7)和金层(8)也成波浪形。
2.如权利要求1所述的一种高可靠性的铜镍金IC封装凸块,其特征在于:所述载体(1)为硅片。
3.如权利要求1所述的一种高可靠性的铜镍金IC封装凸块,其特征在于:所述导电层(2)为铝垫。
4.如权利要求1所述的一种高可靠性的铜镍金IC封装凸块,其特征在于:所述绝缘层(3)为PSV绝缘材料。
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