CN204885142U - 一种钯金ic封装凸块 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种钯金IC封装凸块,包括从下向上依次设置的载体、导电层、绝缘层、钛钨层、第一金层、钯层和金层,所述绝缘层上设有孔,露出部分导电层,所述部分导电层的表面至少设有一个应力缓冲块,所述应力缓冲块为聚乙烯制品,所述钛钨层贴合部分导电层、应力缓冲块以及绝缘层的表面成波浪形,所述第一金层、钯层和金层也成波浪形。应力缓冲块一方面可以吸收钛钨层与部分导电层之间的应力,另一方面使各金属层成波浪形,降低温度变化时各金属层的横向位移,从而减小相邻金属层之间的应力,进而削弱应力产生的负面影响,提高钯金IC封装凸块的可靠性。
Description
技术领域
本实用新型涉及IC封装领域,具体涉及一种钯金IC封装凸块。
背景技术
驱动IC封装上使用的凸块普遍为纯金,成本高,目前有一种采用铜镍金组合来代替纯金的IC封装凸块,可以有效降低成本,鉴于黄金的成本,在镍层上的金层有3um厚,短时间内溅渡的连接性尚好,如在潮湿环境中过久,透过金层的疏孔,会使镍层氧化腐蚀,进而导致金层表面渐渐失去连接性,而且镍层中常含有的还原剂磷、硼将造成镍层与金层的粘结力下降,性能可靠性低;钯金IC封装凸块是一种利用钯耐蚀、耐磨、耐变色性好、化学稳定性高的优点,确保与金层之间粘结力,以克服铜镍金IC封装凸块的缺陷,但是由于不同金属的膨胀系数不一样,在温度变化时,各金属层之间产生应力,很容易引起基体变形或产生裂纹,甚至会剥离脱落,因此这种钯金IC封装凸块也存在可靠性低的问题。
发明内容
本实用新型要解决的技术问题是提供一种钯金IC封装凸块,可以解决现有钯金IC封装凸块在温度变化时,各金属层之间产生应力,很容易引起基体变形或产生裂纹,甚至会剥离脱落,导致可靠性差的问题。
本实用新型通过以下技术方案实现:
一种钯金IC封装凸块,包括从下向上依次设置的载体、导电层、绝缘层、钛钨层、第一金层、钯层和第二金层,所述绝缘层上设有孔,露出部分导电层,所述部分导电层的表面至少设有一个应力缓冲块,所述应力缓冲块为聚乙烯制品,所述钛钨层贴合部分导电层、应力缓冲块以及绝缘层的表面成波浪形,所述第一金层、钯层和第二金层也成波浪形。
本实用新型的进一步方案是,所述载体为硅片。
本实用新型的进一步方案是,所述导电层为铝垫。
本实用新型的进一步方案是,所述绝缘层为PSV绝缘材料。
本实用新型的进一步方案是,所述应力缓冲块均匀分布于部分导电层的表面。
本实用新型与现有技术相比的优点在于:
应力缓冲块一方面可以吸收钛钨层与部分导电层之间的应力,另一方面使各金属层成波浪形,降低温度变化时各金属层的横向位移,从而减小相邻金属层之间的应力,进而削弱应力产生的负面影响,提高钯金IC封装凸块的可靠性。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
如图1所示的一种钯金IC封装凸块,包括从下向上依次设置的硅片载体1、铝垫导电层2、PSV绝缘层3、钛钨层4、第一金层5、钯层6和第二金层7,所述绝缘层3上设有孔,露出部分导电层21,所述部分导电层21的表面均匀溅镀有至少一个聚乙烯应力缓冲块9,所述聚乙烯应力缓冲块9的横断面可以是矩形、三角形或弧形,所述钛钨层4贴合部分导电层21、应力缓冲块9以及绝缘层3的表面成波浪形,所述第一金层5、钯层6和第二金层7也成波浪形。
Claims (5)
1.一种钯金IC封装凸块,包括从下向上依次设置的载体(1)、导电层(2)、绝缘层(3)、钛钨层(4)、第一金层(5)、钯层(6)和第二金层(7),所述绝缘层(3)上设有孔,露出部分导电层(21),其特征在于:所述部分导电层(21)的表面至少设有一个应力缓冲块(9),所述应力缓冲块(9)为聚乙烯制品,所述钛钨层(4)贴合部分导电层(21)、应力缓冲块(9)以及绝缘层(3)的表面成波浪形,所述第一金层(5)、钯层(6)和第二金层(7)也成波浪形。
2.如权利要求1所述的一种钯金IC封装凸块,其特征在于:所述载体(1)为硅片。
3.如权利要求1所述的一种钯金IC封装凸块,其特征在于:所述导电层(2)为铝垫。
4.如权利要求1所述的一种钯金IC封装凸块,其特征在于:所述绝缘层(3)为PSV绝缘材料。
5.如权利要求1所述的一种钯金IC封装凸块,其特征在于:所述应力缓冲块(9)均匀分布于部分导电层(21)的表面。
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