CN102696094B - 用于喷淋头清洁的方法和设备 - Google Patents
用于喷淋头清洁的方法和设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102696094B CN102696094B CN201080051753.5A CN201080051753A CN102696094B CN 102696094 B CN102696094 B CN 102696094B CN 201080051753 A CN201080051753 A CN 201080051753A CN 102696094 B CN102696094 B CN 102696094B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- cleaning
- cleaning fluid
- basin
- clean basin
- clean
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 292
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 148
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 25
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 11
- 238000002242 deionisation method Methods 0.000 claims description 9
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 9
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 7
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 5
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 3
- 238000011066 ex-situ storage Methods 0.000 abstract description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 38
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 4
- IRPGOXJVTQTAAN-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,3,3-pentafluoropropanal Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C=O IRPGOXJVTQTAAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K Aluminum fluoride Inorganic materials F[Al](F)F KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 1
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005202 decontamination Methods 0.000 description 1
- 230000003588 decontaminative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 239000003517 fume Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 150000002829 nitrogen Chemical class 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4407—Cleaning of reactor or reactor parts by using wet or mechanical methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
- H01L21/67724—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations by means of a cart or a vehicule
Abstract
本发明的实施例一般地涉及用于室部件部分的非原位清洁的方法和设备。在一个实施例中,提供了用于在清洁化学物质中对部件部分进行清洁的系统。该系统包括湿法工作台装置和可拆卸清洁车,湿法工作台装置包括清洁容器组件,清洁容器组件用于在清洁处理期间保持要被清洁的一个或多个部件部分,可拆卸清洁车可拆卸地连接到清洁容器组件,以用于在清洁处理期间向清洁容器组件供应一种或多种清洁化学物质。
Description
技术领域
本发明的实施例一般地涉及用于室部件的非原位清洁的方法和设备。更具体地,本发明的实施例一般地涉及用于用在半导体处理室中的室部件的非原位清洁的方法和设备。
背景技术
微电子集成电路的制造中的半导体晶片的等离子体处理被用在电介质蚀刻、金属蚀刻、化学气相沉积和其他处理中。在半导体衬底处理中,特征尺寸和线宽越来越小的趋势使得在半导体衬底上以更高的精确度进行遮掩、蚀刻和沉积材料的能力受到重视。
通常,通过将射频(RF)功率施加到被供应到在衬底上方的低压处理区域的工作气体来进行蚀刻,衬底由支撑构件支撑。所产生的电场在处理区域中产生反应区,反应区将工作气体激发为等离子体。支撑构件被加偏压以将等离子体中的离子朝向支撑于支撑构件上的衬底吸引。离子朝向等离子体的与衬底相邻的边界层迁移并且在离开边界层之后加速。经加速的离子产生从衬底的表面移除或蚀刻材料所需的能量。因为经加速的离子可以蚀刻处理室内的其他部件,所以将等离子体限制在衬底上方的处理区域中是很重要的。蚀刻气体通常被通过位于室顶部附近的喷淋头导入。通常在蚀刻处理期间使用氟基化学物质。
然而,氟的使用虽然有利于蚀刻处理,但是进行反应以在喷淋头的窄通道内以及在由铝(铝是通常用在蚀刻室中的材料)制成的其他表面上形成沉积物。以此方式形成的氟化铝沉积物具有大致粗糙的表面形貌。氟化铝沉积物的粗糙表面经常阻塞喷淋头的通道。此外,气体通道内的氟化铝沉积物变成颗粒污染物的来源。目前的清洁方法不能充分地清洁喷淋头上的沉积物或者要求较长的系统停工期,进一步导致整体制造成本增加。
因此,需要对于室维护和清洁提供显著减小的停工期的改善的设备和处理,以清洁诸如喷淋头的室部件。
发明内容
本发明的实施例一般地涉及用于室部件部分的非原位清洁的方法和设备。在一个实施例中,提供了用于在清洁化学物质中对部件部分进行清洁的系统。该系统包括湿法工作台装置和可拆卸清洁车,湿法工作台装置包括清洁容器组件,清洁容器组件用于在清洁处理期间保持要被清洁的一个或多个部件部分,可拆卸清洁车可拆卸地连接到清洁容器组件,以用于在清洁处理期间向清洁容器组件供应一种或多种清洁化学物质。
在另一个实施例中,提供了用于在清洁化学物质中对部件部分进行清洁的系统。该系统包括湿法工作台装置和可拆卸清洁车。湿法工作台装置包括清洁容器组件,清洁容器组件用于在清洁处理期间保持要被清洁的一个或多个部件部分,清洁容器组件包括外清洁盆、由外清洁盆围绕的第一清洁盆、和由外清洁盆围绕的第二清洁盆。可拆卸清洁车被可拆卸地连接到清洁容器组件,以用于在清洁处理期间向清洁容器组件供应一种或多种清洁化学物质。
在另一个实施例中,提供了用于在清洁化学物质中对部件部分进行清洁的方法。该方法包括:提供清洁容器组件,清洁容器组件用于在清洁处理期间保持要被清洁的一个或多个部件部分;和提供可拆卸清洁车,可拆卸清洁车可拆卸地连接到清洁容器组件,以用于在清洁处理期间向清洁容器组件供应一种或多种清洁化学物质。清洁容器组件包括外清洁盆、由外清洁盆围绕的第一清洁盆、由外清洁盆围绕的第二清洁盆、以及换能器,换能器在外清洁盆内定位在第一清洁盆和第二清洁盆下方。可拆卸清洁车包括:惰性气体模块,其用于在清洁处理期间供应可以被用作为净化气体的惰性气体(例如氮气(N2));去离子(DI)水供应模块,其用于在清洁处理器期间供应去离子水;用于向第一清洁盆供应第一清洁流体的第一清洁流体供应槽;以及用于向第二清洁盆供应第二清洁流体的第二清洁流体供应槽。第一部件部分被定位在第一清洁盆中。第二部件部分被定位在第二清洁盆中。使得第一清洁流体从第一清洁流体供应槽流动进入第一清洁盆。使得第二清洁流体从第二清洁流体供应槽流动进入第二清洁盆。使得换能器循环打开和关闭以搅动第一清洁流体和第二清洁流体来清洁部件部分,使得DI水从DI水供应模块流动进入第一清洁盆和第二清洁盆,以从第一清洁盆驱除第一清洁流体和从第二清洁盆驱除第二清洁流体。
附图说明
作为具体理解本发明的上述特征的方式,可以通过参照实施例获得对上面简要概述的本发明的更加具体的描述,一些实施例在附图中示出。然而,注意附图仅示出了本发明的典型实施例并且因此不应被认为是对本发明范围的限制,因为本发明可以允许有其他等效实施例。
图1是根据本文描述的实施例的清洁系统的一个实施例的示意侧视图;
图2是根据本文描述的实施例的湿法工作台装置的一个实施例的示意侧视图;
图3是根据本文描述的实施例的可拆卸清洁车的一个实施例的示意侧视图;并且
图4是根据本文描述的实施例的清洁系统的另一个实施例的示意侧视图。
为了清楚起见,使用了相同的附图标记来在可以应用的情况下表示在附图之间共用的相同元件。可以预料到一个实施例的特征可以被结合到其他实施例中而不用进一步说明。
具体实施方式
本文描述的实施例一般地涉及用于室部件部分的非原位清洁的方法和设备。
图1是根据本文描述的实施例的用于室部件部分的非原位清洁的清洁系统100的示意侧视图。在一个实施例中,一个或多个室部件部分被用在半导体处理室中。在一个实施例中,室部件部分包括一个或多个喷淋头。室部件可以包括碳化硅面板和铝基部。在一个实施例中,室部件部分包括铜。在一个实施例中,清洁系统100包括湿法工作台装置200和可拆卸清洁车300,湿法工作台装置200包括用于在清洁处理期间保持要被清洁的部件部分的清洁容器组件210,并且可拆卸清洁车300可拆卸地连接到湿法工作台装置,以用于在清洁处理期间将所选择的清洁化学物质供应到清洁容器组件210。可拆卸清洁车300可移动,并且可以在清洁处理之前和期间被可拆卸地连接到清洁容器组件210,并且在不进行清洁时可以从清洁容器组件210移除。因此可拆卸清洁车300可以被用来为在不同位置处的不同清洁容器服务。参照图2和图3更详细地描述可拆卸清洁车300和湿法工作台装置200。
图2是根据本文描述的实施例的湿法工作台装置200的一个实施例的示意侧视图。湿法工作台装置200包括湿法工作台202和清洁容器组件210。湿法工作台202对于清洁容器组件210提供支持。湿法工作台202也可以作为用于溢出清洁容器组件210的任何清洁化学物质的溢出盆。湿法工作台202也可以当被用在产生气体和/或颗粒的清洁处理中时作为通风橱。虽然由湿法工作台202一起示出,但是在某些实施例中,清洁容器组件210在不具有湿法工作台202的状态下以独立方式使用。例如,在通风良好的区域中不那么担心烟雾的聚集。
湿法工作台202包括框架204,框架204形成溢出盆206,溢出盆206既用于保持清洁容器组件210又用于获得在处理期间溢出清洁容器组件210的任何流体。溢出盆206与池排水管208流体连接,该池排水管208用于在清洁期间移除由溢出盆206获得的任何流体。
清洁容器组件210包括外清洁盆214、换能器216和支撑件218,外清洁盆214围绕保持将被清洁的部件部分的清洁盆215,换能器216定位在外清洁盆214内,并且支撑件218定位在外清洁盆214内以用于支撑清洁盆215。
虽然在图2中示出为圆柱形,但是应当理解外清洁盆214和/或清洁盆215可以具有任何形状,例如,方形或三角形。在一个实施例中,外清洁盆214和/或清洁盆215可以包括诸如聚二氟乙烯(PVDF)的材料或与处理和清洁化学物质兼容的任何其他材料。
换能器216构造成向清洁盆215内的定位了部件部分220的清洁区域提供超声波或兆频超声波能量。换能器216可以例如使用压电致动器或能够在期望幅度的超声波或兆频超声波频率下产生振动的任何其他合适的机构。换能器216可以包括如图2所示的单个换能器,或者指向为将超声波能量引导到定位了部件部分的清洁区域的多个换能器的阵列。当换能器216将能量引导到清洁盆215中的清洁流体中时,可以引起在清洁流体内的声流(即,微气泡流)。声流帮助从正被处理的部件部分220移除污染物并且保持被移除的颗粒在清洁流体内运动,由此避免所移除的颗粒再次附着到部件部分表面。换能器216可以构造成将超声波或兆频超声波能量沿着与部件部分220的边缘垂直的方向或以与法线成角度的方向引导。在一个实施例中,换能器216的尺寸被确定为在长度上近似等于要被清洁的部件部分220的直径。换能器216可以被联接到RF电源222。
虽然仅示出了一个换能器216,但是可以在某些实施例中使用多个换能器。例如,附加的换能器可以被布置为沿着部件部分220的边的竖直方向,以从该边朝向部件部分220引导超声波或兆频超声波能量。换能器216可以被定位在外清洁盆214的外部。在一个实施例中,换能器216可以被定位在溢出盆206中,以将超声波或兆频超声波能量朝向部件部分220引导。虽然换能器216被示出为圆柱形,但是可以理解任何形状的换能器都可以被用于本文描述的实施例。
湿法工作台装置200还包括一个或多个流体输送管线382a、384、386a和388a,以用于将清洁流体输送到湿法工作台装置并且将已使用的清洁流体返回到可拆卸清洁车300以进行循环和重新使用。使用例如示出为“快速连接”390的连接配合件和断开连接件,流体输送管线被构造为与可拆卸清洁车300上的相应的流体输送管线382b、386b和388b相配合。
图3是根据本文描述的实施例的可拆卸清洁车300的示意侧视图,示出了流体流动线路示意图。在一个实施例中,可拆卸清洁车300包括用于控制清洁处理的系统控制器310、以及用于供应并循环清洁流体的清洁流体供应模块320。在一个实施例中,系统控制器310与可拆卸清洁车300分离。
一般来说,系统控制器310可以被用于控制清洁系统100中存在的一个或多个控制器部件。系统控制器310一般被设计为有助于整体清洁系统100的控制和自动化,并且系统控制器310通常包括中央处理器(CPU)(未示出)、存储器(未示出)和支持电路(或I/O)(未示出)。CPU可以是被用在用于控制各种系统功能、衬底移动、室处理和支持硬件(例如,传感器、机器人、电动机、灯等)和监视处理(例如,衬底支持温度、电源变量、室处理时间、处理温度、I/O信号、换能器功率等)的工业环境中的任何形式的计算机处理器中的一者。存储器被连接到CPU并且可以是一个或多个容易获得的存储器,例如随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、软盘、硬盘或任何其他形式的本地或远程的数字存储器。软件指令和数据可以被编码和存储在存储器中,以用于指示CPU。支持电路也连接到CPU,以用于以传统方式支持处理器。支持电路可以包括缓存、电源、时钟电路、输入/输出电路、子系统等。系统控制器310可读的程序(或计算机指令)确定可以在衬底上执行哪个任务。优选地,程序是系统控制器310可读的软件,该软件包括代码来与在清洁系统100中执行的各种处理配方任务和各种室处理配方步骤一同执行与监视、移动的执行和控制、衬底的支持和/或定位有关的任务。在一个实施例中,系统控制器310还包括被用来在本地控制清洁系统100中的一个或多个模块的多个可编程逻辑控制器(PLC)。
在一个实施例中,清洁控制器310包括从以下至少一者选择的控制器部件:PhotoMeghelic计312、用于检测可拆卸清洁车内的泄露的泄露警报器314、用于控制整体清洁系统100的可编程逻辑控制器316、以及内嵌热控制器318。在一个实施例中,泄露警报器314被电连接到用于检测车300的底部中的流体的存在的车充满泄露传感器。在一个实施例中,系统控制器310被经由通信线路380连接到换能器216并且控制供应给换能器216的功率。
在一个实施例中,清洁流体供应模块320包括惰性气体模块324、DI(去离子)水供应模块326和清洁流体供应模块328,惰性气体模块324用于供应惰性气体(例如氮气(N2)),惰性气体可以在清洁处理期间用作净化气体,DI水供应模块326用于在清洁处理期间供应去离子水,清洁流体供应模块328用于供应清洁流体和循环已使用的清洁流体。
关于惰性气体模块324,如上所述,使用氮气是示例性的,并且任何合适的载气/净化气体可以被用于本系统。在一个实施例中,惰性气体被从氮气源330供应到主氮气供应管线332。在一个实施例中,氮气源包括设备氮气供应。在一个实施例中,氮气源可以是与可拆卸的清洁车300连接的便携式源。在一个实施例中,氮气供应管线332包括手动的截止阀(未示出)和用于过滤来自氮气的污染物的过滤器(未示出)。可以作为气动阀的双通阀334也连接到氮气供应管线332。当双通阀被打开时,氮气流动通过供应管线324并且进入外清洁盆214。氮气可以被用在清洁系统内的多个不同的应用中。例如,第一氮气管线336将氮气供应到第一IPA蒸汽发生器,该氮气可以被用来在蒸气产生阶段将加热的氮气流动通过液体IPA。氮气供应管线332还可以包括为了简要起见而未具体描述的附加的阀、压力调节器、压力换能器和压力指示器。在一个实施例中,氮气可以被经由流体供应管线384供应到外清洁盆214。
关于DI水供应模块326,使用DI水是示意性的,并且适合于清洁的任何流体可以被用于本清洁系统100。在一个实施例中,DI水被从DI水供应模块326供应到主DI水供应管线339。在一个实施例中,DI水源包括设备DI供应器。在一个实施例中,DI水源可以是与可拆卸清洁车300连接的便携式源。在一个实施例中,DI水供应管线339包括手动截止阀340和用于将DI水加热到期望温度以辅助清洁处理的加热器342。加热器342可以与热控制器318电连通,以控制温度。DI水供应管线339还包括双通阀344,双通阀344可以作为用于控制DI水流动到外清洁盆214中的气动阀。当双通阀344打开时,DI水流动进入外清洁盆214。当双通阀344关闭并且双通阀334打开时,氮气净化气体流动进入外清洁盆214。DI水供应管线339还可以包括为了简要起见而未具体描述的附加的阀、压力调节器、压力换能器和压力指示器。在一个实施例中,DI水可以经由供应管线386流动进入外清洁盆214。
清洁流体供应模块328包括用于存储清洁流体的清洁流体供应槽346、以及用于将清洁流体泵进和泵出清洁流体供应模块328的泵系统350。清洁流体可以包括去离子水(DIW)、一种或多种溶剂、清洁化学物质(诸如标准清洁剂1(SC1)、选择性沉积移除试剂(SDR)、表面活性剂、酸、碱)或用于从部件部分移除污染物和/或颗粒的任何其他化学物质。
在一个实施例中,清洁流体供应槽346被经由供应管线360连接到清洁流体供应器358。在一个实施例中,清洁流体供应管线360包括用于控制清洁流体流动到清洁流体供应槽346中的手动截止阀362。清洁流体供应管线360还可以包括为了简要起见而未具体描述的附加的阀、压力调节器、压力换能器和压力指示器。在一个实施例中,清洁流体供应槽346被经由供应管线388连接到外清洁盆214。
在一个实施例中,清洁流体供应槽346被连接到用于从清洁流体供应槽346移除清洁流体的清洁流体供应排出部366。经过清洁流体供应排出部366的清洁流体的流动由手动截止阀368控制。
清洁流体供应槽346还可以包括多个流体水平传感器,流体水平传感器用于检测在清洁流体供应槽346内的处理流体的水平。在一个实施例中,多个流体传感器可以包括第一流体传感器352,第一流体传感器352表示流体供应何时较低并且泵系统350应当被关闭。当清洁流体的水平较低时,第一流体水平传感器352可以被用在反馈回路中,以通知清洁流体供应器358来输送更多清洁流体到清洁流体供应槽346。第二流体水平传感器354表示清洁流体供应槽346充满并且泵350应当被打开。第三流体传感器356表示清洁流体供应槽346已经装得溢出并且泵350应当被关闭。虽然在图2的实施例中示出了一个流体水平传感器234,但是在外清洁盆214上可以包括任何数量的流体水平传感器234。
已使用的流体可以从外清洁盆214返回到过滤器系统348,在过滤器系统348处颗粒和其他污染物可以被从已使用的清洁流体移除以产生更新的清洁流体。在一个实施例中,已使用的清洁流体可以从溢出盆经由流体循环管线382返回。循环管线382还可以包括为了简要起见而未具体描述的附加的阀、压力调节器、压力换能器和压力指示器。在过滤之后,更新的清洁流体可以经由三通阀370再循环返回到清洁流体供应槽346。在一个实施例中,三通阀370还可以结合泵系统350一起使用,以使得流体再循环经过清洁系统,以冲刷清洁系统100。在一个实施例中,双通阀372(双通阀372可以是气动阀)可以被用来将DI水通过泵系统350的输入吸入。在一个实施例中,双通阀374可以被用来泵出DI水以进行排水。
在一个实施例中,部件部分220被布置在定位于清洁盆215内的支撑件218上。通过将清洁流体流动进入清洁盆215来开始清洁循环。在清洁流体处于清洁盆215中时,换能器216被循环打开/关闭以搅动清洁流体。可以通过将DI水流动进入清洁流体供应槽而从清洁盆215驱除清洁流体。在净化处理期间还可以使用氮气。在一个实施例中,清洁/净化循环重复十六次或者直到喷淋头已经实现了期望的清洁度。
图4是根据本文描述的实施例的清洁系统400的另一个实施例的示意侧视图。清洁系统400与清洁系统100类似,除了清洁系统400适合于同时或连续地清洁不同清洁盆中的多个部件部分之外。清洁系统400还具有将不同清洁化学物质供应到每个清洁盆的能力。在一个实施例中,这可以通过在清洁流体供应模块320中将流体输送系统加倍来实现。附加的清洁流体供应模块可以被增加到清洁流体供应模块,以将清洁流体供应到附加清洁盆。附加硬件可以按照与图3中示出的硬件相同的构造来设置,然而,附加的清洁流体输送系统基本与清洁流体供应模块320的初始流体输送系统并行。通过这种构造,可以将不同的清洁化学物质供应到清洁系统400的任意一个或多个清洁盆。
在一个实施例中,清洁系统400包括与湿法工作台装置200类似的湿法工作台装置404,湿法工作台装置404包括与清洁容器组件210类似的清洁容器组件410、以及可拆卸清洁车430,清洁容器组件410用于在清洁处理期间保持将被清洁的多个部件部分420a、420b,可拆卸清洁车430用于在清洁处理期间将所选择的清洁化学物质供应给清洁容器组件410。可拆卸清洁车430可移动,并且可以在清洁处理之前和期间被可拆卸地连接到清洁容器组件410,并且在不进行清洁时可以从清洁容器组件410移除。因此可拆卸清洁车430可以被用来为在不同位置处的不同清洁容器服务。
清洁容器组件410包括与外清洁盆214类似的外清洁盆414、定位在外清洁盆414内的与换能器216类似的换能器416、以及第一清洁盆415a和第二清洁盆415b,清洁盆415a和415b定位在外清洁盆414内以用于在各个清洁盆415a、415b中支撑要被清洁的第一部件部分420a和第二部件部分420b。
湿法工作台装置404还包括一个或多个流体输送管线440a、442a、444a、446a和448a,以用于将清洁流体输送到清洁容器组件410并且将已使用的清洁流体返回到可拆卸清洁车430,以进行循环和重新使用。流体输送管线构造成使用例如连接配合件及断开连接件来与可拆卸清洁车430上的相应的流体输送管线440b、442b、444b、446b和448b相配合。流体输送管线440a、442a、444a、446a、448a、440b、442b、444b、446b和448b与上述流体输送管线382a、384、386a、388a、382b、386b和388b类似。虽然示出了五个流体输送管线,但是可以使用任何数量的流体输送管线。
可拆卸清洁车430包括用于控制清洁处理的系统控制器310、以及用于将清洁流体供应到清洁容器组件410并且循环从清洁容器组件410输送的已使用清洁流体的清洁流体供应模块450。清洁流体供应模块450与清洁流体供应模块320类似。
清洁流体供应模块450包括用于将清洁流体供应到第一清洁盆415a的第一清洁流体供应槽452a、以及用于将清洁流体供应到第二清洁盆415b的第二清洁流体供应槽452b。每个清洁流体供应槽452a、452b中的清洁流体可以包括去离子水(DIW)、一种或多种溶剂、清洁化学物质(例如标准清洁剂1(SC1)、选择性沉积移除试剂(SDR)、表面活性剂、酸、碱)或用于从部件部分移除污染物和/或颗粒的任何其他化学物质。在特定实施例中,相同的清洁流体可以被同时供应给清洁盆415a、415b中的每一者。
清洁流体供应模块450还可以包括加热的DI水供应槽456,加热的DI水供应槽456用于将加热的DI水供应到第一清洁盆415a和第二清洁盆415b中的每一者。清洁流体供应模块450还包括用于控制可以由系统控制器310监视的各种清洁流体的流动的泵460a、460b、460c和460d。
应当理解,清洁系统100和清洁系统400还可以包括为了简要起见而未具体描述的压力调节器、压力换能器、压力指示器、阀、泵和供应管线。
单个清洁平台的多重清洁化学物质能力在半导体处理领域和期望清洁的其他处理领域具有多个优点。例如,使用单个可拆卸清洁车来同时供应不同化学物质的能力允许同时清洁包括不同材料的部件部分。可拆卸清洁车的便携性提供了使用单个可拆卸清洁车为在不同位置处的不同清洁容器服务的能力。同时处理多个部件部分的能力引起减小室停工期和相应的降低拥有成本。
虽然前述内容涉及本发明的实施例,但是可以在不超出基本范围的情况下得到本发明的其他和进一步的特征,该范围由权利要求确定。
Claims (8)
1.一种用于在清洁化学物质中对部件部分进行清洁的系统,其包括:
湿法工作台装置,其包括:
清洁容器组件,其用于在清洁处理期间保持要被清洁的一个或多个部件部分,所述清洁容器组件包括:第一清洁盆,其用于支撑要被清洁的第一部件部分;换能器,其定位在所述第一清洁盆下方;支撑件,其定位在所述清洁盆内,以用于支撑要被清洁的所述部件部分;和第二清洁盆,其用于支撑要被清洁的第二部件部分;
框架,其形成溢出盆,所述溢出盆用于保持所述清洁容器组件并且获得在处理期间可能从所述清洁容器组件溢出的任何流体;以及
池排水管,其用于在清洁期间移除由所述溢出盆获得的任何流体;以及
可拆卸清洁车,其可拆卸地连接到所述清洁容器组件,以用于在所述清洁处理期间向所述清洁容器组件供应一种或多种清洁化学物质,所述可拆卸的清洁车包括:系统控制器,其用于控制所述清洁处理;以及清洁流体供应模块,其用于向所述清洁容器组件供应和循环清洁流体,所述清洁流体供应模块包括:
惰性气体模块,其用于在所述清洁处理期间供应可以被用作为净化气体的惰性气体;
去离子(DI)水供应模块,其用于在所述清洁处理期间供应去离子水;
第一清洁流体供应槽,其用于向所述第一清洁盆供应清洁流体;以及
第二清洁流体供应槽,其用于将清洁流体供应到所述第二清洁盆。
2.根据权利要求1所述的系统,其中,所述部件部分是喷淋头。
3.根据权利要求1所述的系统,其中,所述系统控制器包括以下至少一者:PhotoMeghelic计、用于检测所述可拆卸清洁车内的泄露的泄露警报器、用于整体控制所述清洁系统的可编程逻辑控制器、以及内嵌热控制器。
4.一种用于在清洁化学物质中对部件部分进行清洁的方法,其包括如下步骤:
提供清洁容器组件,所述清洁容器组件用于在清洁处理期间保持要被清洁的一个或多个部件部分,所述清洁容器组件包括:
外清洁盆;
由所述外清洁盆围绕的第一清洁盆;
由所述外清洁盆围绕的第二清洁盆;以及
换能器,其在所述外清洁盆内定位在所述第一清洁盆和所述第二清洁盆下方;
提供可拆卸清洁车,所述可拆卸清洁车可拆卸地连接到所述清洁容器组件,以用于在所述清洁处理期间向所述清洁容器组件供应一种或多种清洁化学物质,所述可拆卸清洁车包括:
惰性气体模块,其用于在所述清洁处理期间供应可以被用作为净化气体的惰性气体;
去离子(DI)水供应模块;
用于所述第一清洁盆的第一清洁流体供应槽;以及
用于所述第二清洁盆的第二清洁流体供应槽;
将第一部件部分定位在所述第一清洁盆中;
将第二部件部分定位在所述第二清洁盆中;
使得第一清洁流体从所述第一清洁流体供应槽流动进入所述第一清洁盆;
使得第二清洁流体从所述第二清洁流体供应槽流动进入所述第二清洁盆;
使得所述换能器循环打开和关闭以搅动所述第一清洁流体和所述第二清洁流体;以及
使得DI水从所述DI水供应模块流动进入所述第一清洁盆和所述第二清洁盆,以从所述第一清洁盆驱除所述第一清洁流体和从所述第二清洁盆驱除所述第二清洁流体。
5.根据权利要求4所述的方法,其中,使得第一清洁流体从所述第一清洁流体供应槽流动进入所述第一清洁盆与使得第二清洁流体从所述第二清洁流体供应槽流动进入所述第二清洁盆同时发生。
6.根据权利要求4所述的方法,其中,使得第一清洁流体从所述第一清洁流体供应槽流动进入所述第一清洁盆与使得第二清洁流体从所述第二清洁流体供应槽流动进入所述第二清洁盆顺序发生。
7.根据权利要求4所述的方法,其中,所述第一清洁流体和所述第二清洁流体是不同的化学物质。
8.根据权利要求4所述的方法,还包括如下步骤:
从所述清洁容器组件分离所述清洁车;
将所述清洁车移动到第二清洁容器组件;以及
将所述清洁车连接到所述第二清洁容器组件。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US24273809P | 2009-09-15 | 2009-09-15 | |
US61/242,738 | 2009-09-15 | ||
PCT/US2010/048732 WO2011034841A2 (en) | 2009-09-15 | 2010-09-14 | Method and apparatus for showerhead cleaning |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102696094A CN102696094A (zh) | 2012-09-26 |
CN102696094B true CN102696094B (zh) | 2015-03-25 |
Family
ID=43729270
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201080051753.5A Active CN102696094B (zh) | 2009-09-15 | 2010-09-14 | 用于喷淋头清洁的方法和设备 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8372211B2 (zh) |
JP (1) | JP5778156B2 (zh) |
KR (1) | KR101700260B1 (zh) |
CN (1) | CN102696094B (zh) |
MY (1) | MY160167A (zh) |
SG (2) | SG179155A1 (zh) |
TW (1) | TWI533946B (zh) |
WO (1) | WO2011034841A2 (zh) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101257482B1 (ko) * | 2011-10-05 | 2013-04-24 | 주식회사 싸이노스 | 반도체 제조공정에 사용하는 샤워헤드의 세정장치 |
KR101365245B1 (ko) * | 2012-05-21 | 2014-02-19 | (주)아인스 | 샤워헤드 세척 및 포장 장치 |
US9999907B2 (en) | 2016-04-01 | 2018-06-19 | Applied Materials, Inc. | Cleaning process that precipitates yttrium oxy-flouride |
WO2018148062A1 (en) | 2017-02-09 | 2018-08-16 | Applied Materials, Inc. | Plasma abatement technology utilizing water vapor and oxygen reagent |
TWI690430B (zh) * | 2017-08-17 | 2020-04-11 | 三緯國際立體列印科技股份有限公司 | 噴頭清潔模組 |
US20190070639A1 (en) * | 2017-09-07 | 2019-03-07 | Applied Materials, Inc. | Automatic cleaning machine for cleaning process kits |
US20210265137A1 (en) * | 2020-02-26 | 2021-08-26 | Intel Corporation | Reconditioning of reactive process chamber components for reduced surface oxidation |
TWI783407B (zh) * | 2021-03-15 | 2022-11-11 | 楊智仁 | 濕製程清洗設備及濕製程清洗方法 |
KR102642992B1 (ko) * | 2021-04-29 | 2024-03-04 | (주)펨토사이언스 | 플라즈마 생성장치 |
KR102654366B1 (ko) | 2024-03-06 | 2024-04-03 | 주식회사 디에프텍 | 반도체 제조공정에 사용되는 샤워헤드 세정 방법 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1550516A1 (en) * | 2003-12-30 | 2005-07-06 | Paolo Debolini | A system for washing driers with shelves |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4778532A (en) * | 1985-06-24 | 1988-10-18 | Cfm Technologies Limited Partnership | Process and apparatus for treating wafers with process fluids |
JPH05217988A (ja) * | 1992-01-09 | 1993-08-27 | Nec Corp | 洗浄装置 |
KR100596822B1 (ko) * | 1999-03-30 | 2006-07-03 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 플라즈마 처리 장치, 그 보수 방법 및 그 시공 방법 |
JP4615649B2 (ja) * | 1999-10-06 | 2011-01-19 | 株式会社カネカ | 半導体成膜装置の洗浄方法及び洗浄装置 |
US6431959B1 (en) * | 1999-12-20 | 2002-08-13 | Lam Research Corporation | System and method of defect optimization for chemical mechanical planarization of polysilicon |
US6688344B2 (en) * | 2002-05-30 | 2004-02-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Container flush and gas charge system and method |
KR101082561B1 (ko) * | 2004-04-14 | 2011-11-10 | 엘지전자 주식회사 | 세탁기의 세제 공급장치 |
US20060218680A1 (en) * | 2005-03-28 | 2006-09-28 | Bailey Andrew D Iii | Apparatus for servicing a plasma processing system with a robot |
DE102005058269B4 (de) * | 2005-12-06 | 2011-12-01 | Stangl Semiconductor Equipment Ag | Vorrichtung zum Reinigen eines gesägten Waferblocks |
US8327861B2 (en) * | 2006-12-19 | 2012-12-11 | Lam Research Corporation | Megasonic precision cleaning of semiconductor process equipment components and parts |
JP2009136754A (ja) * | 2007-12-05 | 2009-06-25 | Nidec Sankyo Corp | 洗浄槽および洗浄装置 |
-
2010
- 2010-09-14 US US12/881,503 patent/US8372211B2/en active Active
- 2010-09-14 MY MYPI2012001198A patent/MY160167A/en unknown
- 2010-09-14 SG SG2012018347A patent/SG179155A1/en unknown
- 2010-09-14 SG SG10201405733WA patent/SG10201405733WA/en unknown
- 2010-09-14 WO PCT/US2010/048732 patent/WO2011034841A2/en active Application Filing
- 2010-09-14 CN CN201080051753.5A patent/CN102696094B/zh active Active
- 2010-09-14 JP JP2012529843A patent/JP5778156B2/ja active Active
- 2010-09-14 KR KR1020127009775A patent/KR101700260B1/ko active IP Right Grant
- 2010-09-15 TW TW099131264A patent/TWI533946B/zh active
-
2013
- 2013-01-24 US US13/748,709 patent/US8714166B2/en active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1550516A1 (en) * | 2003-12-30 | 2005-07-06 | Paolo Debolini | A system for washing driers with shelves |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102696094A (zh) | 2012-09-26 |
MY160167A (en) | 2017-02-28 |
SG10201405733WA (en) | 2014-11-27 |
US8372211B2 (en) | 2013-02-12 |
KR101700260B1 (ko) | 2017-01-26 |
US8714166B2 (en) | 2014-05-06 |
JP5778156B2 (ja) | 2015-09-16 |
JP2013504694A (ja) | 2013-02-07 |
WO2011034841A3 (en) | 2011-06-16 |
KR20120073278A (ko) | 2012-07-04 |
US20130167885A1 (en) | 2013-07-04 |
WO2011034841A2 (en) | 2011-03-24 |
TWI533946B (zh) | 2016-05-21 |
TW201119761A (en) | 2011-06-16 |
SG179155A1 (en) | 2012-04-27 |
US20110061685A1 (en) | 2011-03-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102696094B (zh) | 用于喷淋头清洁的方法和设备 | |
JP4494840B2 (ja) | 異物除去装置、基板処理装置および基板処理方法 | |
US20160056061A1 (en) | Real time liquid particle counter (lpc) end point detection system | |
JP2007123393A (ja) | 基板処理装置 | |
WO2006033186A1 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2007149891A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP7220537B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
CN112736018B (zh) | 一种单晶圆清洗系统 | |
JPH1126430A (ja) | 半導体装置製造用ウエットエッチング装置及びウエットエッチング装置内のエッチング液循環方法 | |
US20020144709A1 (en) | Nextgen wet process tank | |
KR101395220B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
KR101021544B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 그의 기판 처리 방법 | |
KR101395248B1 (ko) | 노즐 유닛 | |
KR20100046793A (ko) | 매엽식 기판 처리 장치 및 방법 | |
JP2007149890A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
CN112530790A (zh) | 晶圆清洗装置和晶圆清洗方法 | |
JP2005166847A (ja) | 基板処理法及び基板処理装置 | |
JP2020155649A (ja) | 基板処理装置、及び基板処理装置の配管洗浄方法 | |
JP2005175036A (ja) | 基板処理装置 | |
KR102569360B1 (ko) | 반도체 세정 공정에서 발생한 슬러지 제거 장치 | |
US20220199432A1 (en) | Apparatus and method for supplying processing liquid | |
KR101374298B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
KR101503445B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
KR20210086893A (ko) | 액 공급 유닛, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
KR20000005969U (ko) | 반도체 제조용 튜브세정장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |