CN102693956A - 信号变压电路 - Google Patents

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Abstract

一种信号变压电路包含有：一第一几何主线圈，用来耦接一第一输入信号，其中该第一几何主线圈呈8字型；以及一几何副线圈，具有一第一信号端以及一第二信号端，该几何副线圈相邻于该第一几何主线圈以磁性耦合该第一几何主线圈来产生一输出信号于该第一信号端与该第二信号端，其中该几何副线圈呈8字型。本发明提供的信号变压电路可减少电磁干扰。

Description

信号变压电路
技术领域
本发明是关于一信号变压电路，特别是可以消除远场(Far-field)的一信号变压/合成电路。
背景技术
在无线通讯领域中，一手持式装置不只要便宜和轻薄短小，还得将多种功能整合入其中才能在市场中胜出。在电路设计方面，若可将更多电子元件整合入一集成电路内的话，则该手持式装置的整体制造成本就可以大幅降低。目前，利用半导体制程的方法来制造电感以将电感整合入一集成电路(例如一互补式金属氧化物半导体(CMOS)为基础射频电路)内已是业界普遍的做法。举例来说，该利用到电感的射频电路可以是一低杂讯放大器、压控振荡器、变压器、功率合成器以及功率放大器。然而，由于一电感是一被动元件，其功能是以磁场的方式来储存能量，并趋向于阻止改变流通该电感的电流。当一具有电感的元件(例如一功率合成器)与其他的功能性电路被整合为一单晶片时，该具有电感的元件就会产生电磁干扰的问题。进一步来说，例如两个具有电感的元件被整合为一单晶片时，该两个具有电感的元件就会因为电磁互感的现象而产生了不必要的反应。如此一来，一无线接收器与发送器就会接收到该信号而使得其频谱上出现不必要的频率信号。该主要产生电磁互感的现象通常系来自该两个具有电感的元件内分别的电感的基础电磁场的互感作用。换句话说，为了解决电磁干扰的问题，在该单晶片内，该两个具有电感元件分别的电感必须要隔离。因此，在一单晶片内，要如何将两个具有电感元件的分别的电感进行有效的隔离以减少电磁干扰的问题已成为无线通讯领域亟需解决的问题。
发明内容
为了解决减少上述问题，本发明之一目的在于提供减少电磁干扰的一信号变压电路。
依据本发明之一实施例，其系提供了一种信号变压电路。该信号变压电路包含有一第一几何主线圈以及一几何副线圈。该第一几何主线圈用来耦接一第一输入信号，其中该第一几何主线圈呈8字型。该几何副线圈具有一第一信号端以及一第二信号端，该几何副线圈相邻于该第一几何主线圈以磁性耦合该第一几何主线圈来产生一输出信号于该第一信号端与该第二信号端，其中该几何副线圈呈8字型。
本发明提供的信号变压电路可减少电磁干扰。
附图说明
图1为本发明一信号变压电路之一第一实施例示意图。
图2为本发明一信号变压电路之一第二实施例示意图。
图3A为本发明一信号变压电路之一第三实施例示意图。
图3B为本发明一放大器之一第一实施例示意图。
图3C为本发明一放大器之一第二实施例示意图。
图4为本发明之一信号变压电路之一第四实施例示意图。
图5为本发明之一信号变压电路之一第五实施例示意图。
图6为本发明之一信号变压电路之一第六实施例示意图。
具体实施方式
在说明书及权利要求当中使用了某些词汇来指称特定元件。所属技术领域的技术人员应可理解，制造商可能会用不同名词来称呼同一个元件。本说明书及权利要求并不以名称的差异作为区分元件的方式，而是以元件在功能上的差异作为区分准则。在通篇说明书及权利要求中所提及的“包含”为开放式用语，故应解释成“包含但不限定于”。此外，“耦接”一词在此包含任何直接及间接的电气连接手段。通过以下的实施例的叙述并配合全文的图1至图3说明本发明，但以下叙述中的装置、元件与方法、步骤乃用以解释本发明，而不应当用来限制本发明
请参考图1。图1所示是依据本发明一信号变压电路100之一第一实施例示意图。信号变压电路100可以用来将具有一输入功率的一输入信号Si1转换为具有一输出功率的一输出信号So1，因此信号变压电路100亦可以被称为一变压器。信号变压电路100包含有一大致上呈8字型的几何主线圈102以及一大致上呈8字型的几何副线圈104。大致上呈8字型的几何主线圈102具有一第一信号端1022以及一第二信号端1024，用来耦接输入信号Si，而大致上呈8字型的几何副线圈104具有一第一信号端1042以及一第二信号端1044，用来依据输入信号Si1来产生输出信号So1。进一步来说，大致上呈8字型的几何副线圈104相邻于大致上呈8字型的几何主线圈102以磁性耦合大致上呈8字型的几何主线圈102来产生输出信号So1于第一信号端1042与第二信号端1044。
如图1所示，大致上呈8字型的几何主线圈102另包含有一环状的几何线圈1026以及一环状的几何线圈1028。该所述的“环状的几何线圈”是指一个回圈的几何图形，其中该回圈可以是圆形、正方形、长方形或其他的多边形。此外，环状的几何线圈1026具有以一第一轴线1030为中心的一形状，而环状的几何线圈1028具有以一第二轴线1032为中心的一形状。举例来说，环状的几何线圈1026对称地环绕于第一轴线1030，而环状的几何线圈1028对称地环绕于第二轴线1032。
在此较佳实施例中，环状的几何线圈1026与环状的几何线圈1028是用来构成大致上呈8字型的几何主线圈102，以使得从环状的几何线圈1026放射出来的一磁场与从环状的几何线圈1028放射出来的一磁场可以互相电磁耦合。此外，大致上呈8字型的几何副线圈104包含有一环状的几何线圈1046以及一环状的几何线圈1048。环状的几何线圈1046具有以第二轴线1032为中心的一形状，而环状的几何线圈1048具有以第一轴线1030为中心的一形状，其中环状的几何线圈1046与环状的几何线圈1048是用来构成大致上呈8字型的几何副线圈104。此外，第一轴线1030相异于第二轴线1032，其中第一轴线1030的位置是大致上位于环状的几何线圈1026与环状的几何线圈1048的中心，而第二轴线1032的位置是大致上位于环状的几何线圈1028与环状的几何线圈1046的中心，如图1所示。请注意，图1中的第一轴线1030与第二轴线1032仅为说明用的符号而已，其是用来方便描述信号变压电路100的结构，而不是信号变压电路100内的真正元件。
此外，当输入信号Si1输入第一信号端1022与第二信号端1024时，一电流A1会流经大致上呈8字型的几何主线圈102，举例来说，电流A1会从第一信号端1022流至第二信号端1024。由电流A1所造成的电磁场成分会感应出一电流A2，电流A2会流经大致上呈8字型的几何副线圈104，如图1中所示的箭头。由于电流A1流经环状的几何线圈1026的方向为反时钟方向，而电流A1流经环状的几何线圈1028的方向为顺时钟方向，因此从环状的几何线圈1026的圈内放射出来的电磁场成分的方向会大致上朝图1的平面的外部射出，而从环状的几何线圈1028的圈内放射出来的电磁场成分的方向会大致上朝图1的平面的内部射入，如图1中环状的几何线圈1026与环状的几何线圈1028分别的中心所绘示的传统标示符号(亦即第一轴线1030与第二轴线1032)。换句话说，从环状的几何线圈1026的圈内放射出来的电磁场成分的方向会大致上相反于从环状的几何线圈1028的圈内放射出来的电磁场成分的方向。此外，从环状的几何线圈1026与环状的几何线圈1028所射出电磁场成分在离环状的几何线圈1026与环状的几何线圈1028一段距离的地方会由于方向相反而互相抵消。因此，若将环状的几何线圈1026与环状的几何线圈1028设计得大致上对称的话，则由大致上呈8字型的几何主线圈102所产生的远场会自我抵消，同时大致上呈8字型的几何主线圈102仍然会感应出电流A2以流经大致上呈8字型的几何副线圈104来将输入信号Si1转换为输出信号So1。
请注意，在一集成电路中，用来制作大致上呈8字型的几何主线圈102的金属层可以相同或不同于用来制作大致上呈8字型的几何副线圈104的金属层。在此较佳实施例中，用来制作大致上呈8字型的几何主线圈102与大致上呈8字型的几何副线圈104的金属都是在同一金属层上。但是，环状的几何线圈1026与环状的几何线圈1028之间的交叉处部分与环状的几何线圈1026与环状的几何线圈1028之间的交叉处部分(亦即图1上所标示的106部分)，以及图1上所标示的108的交叉处部分可以用不同层的金属来加以实作以避免两个不同线圈的误触。简言之，大致上呈8字型的几何主线圈102与大致上呈8字型的几何副线圈104所使用的金属层可以随着设计所需而调整的。此外，图1所示的布局图仅为一说明用的例子，而不作为本发明之限制所在。换句话说，任何利用本发明所提出的精神所设计的电路布局图均落入本发明申请专利范围所保护的范围。
另一方面，大致上呈8字型的几何主线圈102与大致上呈8字型的几何副线圈104的中心抽头系分别标示为CT1a与CT1b，如图1所示。然而，请注意，对信号变压电路100而言，中心抽头CT1a、CT1b并非必须的。当一中心抽头置入信号变压电路100时，一供应电压Vdd、一接地电压Vgnd、一共模电压或其他的直流电压都可以经由该中心抽头耦接至信号变压电路100以提供其电压给信号变压电路100。此外，当中心抽头CT1a的位置位于大致上呈8字型的几何主线圈102的中心，且中心抽头CT1a系耦接于一共模电压时，大致上呈8字型的几何主线圈102就可以被当成两个电感。这是由于该共模电压系从大致上呈8字型的几何主线圈102的中心位置供给电压，其中一个电感可以看成由中心抽头CT1a与第一信号端1022之间的部分传导路径所构成，而另一个电感可以看成由中心抽头CT1a与第二信号端1024之间的部分传导路径所构成。如此一来，依据上述关于中心抽头的应用说明可以得知，一个传导路径就可以等效上被视为两个电感元件。
请参考图2。图2所示是依据本发明一信号变压电路200之一第二实施例示意图。信号变压电路200可以用来将具有一输入功率的一输入信号Si2转换为具有一输出功率的一输出信号So2，因此信号变压电路200亦可以被称为一分布式主动变压器的功率放大器(Distributed Active Transformer(DAT)PowerAmplifier)。信号变压电路200包含有一大致上呈8字型的几何主线圈202、一大致上呈8字型的几何副线圈204以及多个用来接收输入信号Si2的放大器206_1-206_4。
大致上呈8字型的几何主线圈202包含有一第一环状的几何线圈2022以及一第二环状的几何线圈2024，其中第一环状的几何线圈2022与第二环状的几何线圈2024都包含有多个电感元件202a-202d。电感元件202a与电感元件202b会耦接于放大器206_1的一输出端。电感元件202a与电感元件202d会耦接于放大器206_2的一输出端。电感元件202c与电感元件202d会耦接于放大器206_3的一输出端。电感元件202c与电感元件202b会耦接于放大器206_4的一输出端。
如图2所示，第一环状的几何线圈2022由一电感元件202a、一部分电感元件202b以及一部分电感元件202d所组成，第一环状的几何线圈2022并具有以一第一轴线2030为中心的一形状。第一环状的几何线圈2024由一电感元件202c、一部分电感元件202d以及一部分电感元件202b所组成，第一环状的几何线圈2024并具有以一第二轴线2032为中心的一形状。此外，第一环状的几何线圈2022与第二环状的几何线圈2024是用来构成大致上呈8字型的几何主线圈202，以使得从第一环状的几何线圈2022放射出来的一磁场与从第二环状的几何线圈2024放射出来的一磁场可以互相电磁耦合。
此外，大致上呈8字型的几何副线圈204包含有一第一环状的几何线圈2042以及一第二环状的几何线圈2044。如图2所示，第一环状的几何线圈2042具有以第一轴线2030为中心的一形状，而第二环状的几何线圈2044具有以一第二轴线2032为中心的一形状。此外，第一环状的几何线圈2042与第二环状的几何线圈2044是用来构成大致上呈8字型的几何副线圈204。此外，大致上呈8字型的几何副线圈204另包含有一第一信号端2082以及一第二信号端2084，用来依据输入信号Si2来产生输出信号So2。进一步来说，大致上呈8字型的几何副线圈204相邻于大致上呈8字型的几何主线圈202以磁性耦合大致上呈8字型的几何主线圈202来产生输出信号So2于第一信号端2082与第二信号端2084。
此外，该些放大器多个放大器206_1-206_4中的每一个放大器都是一个推挽式放大器(push-pull amplifier)，该推挽式放大器会具有一正输出端(+)与一负输出端(-)，其中该正输出端(+)与负输出端(-)会耦接到其对应的电感元件，如图2所示。此外，该些放大器多个放大器206_1-206_4中的每一个放大器会具有一输入端以接收输入信号Si2。请注意，输入信号Si2是一差动输入信号，故每一个输入端均是一差动输入端，其会具有一正输入端与一负输入端(未绘示)。因此，该些放大器206_1-206_4中的每一个放大器都会具有一共模端点耦接于接地电压Vgnd。一供应电压Vdd会耦接于该些电感元件202a-202d中的每一个电感元件的大致上中间的位置(亦即中心抽头)，如图2所示。请注意，本实施例可提供另一些中心抽头(未绘示)耦接于大致上呈8字型的几何副线圈204的大致上中间的位置以提供一直流电压。
依据上述大致上呈8字型的几何主线圈202的架构可以得知，当输入信号Si2被输入多个放大器206_1-206_4时，每一个分布放大器都可以用来产生一射频功率输出。因此，经由适当地微调每一个放大器的输出端与其对应的电感元件之间的阻抗匹配条件以及输入信号Si2的相位，该些分布放大器所产生的功率输出就可以合成为一单一的输出信号，该单一的输出信号的功率实质上为该些个别的功率输出之总和。进一步来说，多个放大器206_1-206_4与多个电感元件202a-202d会构成该大致上呈8字型的几何线圈，其是用来作为一磁性耦合的主动变压器的主线圈，以合成该四个放大器206_1-206_4所产生的输出功率。接着，环绕着该大致上呈8字型的几何线圈的一致的线圈电流A3(亦即图2中所示的箭头)就会被产生了，该一致的线圈电流A3会具有该基础频率，且该一致的线圈电流A3会在该大致上呈8字型的几何线圈周围造成一较强的磁通量。
接着，电流A3所产生的电磁场成分就会感应出一电流A4(即图2中所示的箭头)，电流A4会流经大致上呈8字型的几何副线圈204。由于第一环状的几何线圈2022内电流A3的方向系反时钟方向，而第二环状的几何线圈2024内电流A3的方向系顺时钟方向，因此从第一环状的几何线圈2022的圈内放射出来的电磁场成分的方向会大致上朝图2的平面的外部射出，而从第二环状的几何线圈2024的圈内放射出来的电磁场成分的方向会大致上朝图2的平面的内部射入，如图2中第一环状的几何线圈2022与第二环状的几何线圈2024分别的中心所绘示的传统标示符号(亦即第一轴线2030与第二轴线2032)。换句话说，从第一环状的几何线圈2022的圈内放射出来的电磁场成分的方向会大致上相反于从第二环状的几何线圈2024的圈内放射出来的电磁场成分的方向。此外，从第一环状的几何线圈2022与第二环状的几何线圈2024所射出电磁场成分在离第一环状的几何线圈2022与第二环状的几何线圈2024一段距离的地方会由于方向相反而互相抵消。因此，若将第一环状的几何线圈2022与第二环状的几何线圈2024设计得大致上对称的话，则由大致上呈8字型的几何主线圈202所产生的远场会自我抵消，同时大致上呈8字型的几何主线圈202仍然会感应出电流A4以流经大致上呈8字型的几何副线圈204来将输入信号Si2转换为输出信号So2。
请注意，在此较佳实施例的晶片中，用来制作大致上呈8字型的几何主线圈202与大致上呈8字型的几何副线圈204的金属都是在同一金属层上。但是，第一环状的几何线圈2022与第二环状的几何线圈2024之间的交叉处部分与第一环状的几何线圈2042与第二环状的几何线圈2044之间的交叉处部分(亦即图2上所标示的2091部分)，以及图2上所标示的2092的交叉处部分可以用不同层的金属来加以实作以避免两个不同线圈的误触。简言之，大致上呈8字型的几何主线圈202与大致上呈8字型的几何副线圈204所使用的金属层可以随着设计所需而调整的。此外，图2所示的布局图仅为一说明用的例子，而不作为本发明之限制所在。换句话说，任何利用本发明所提出的精神所设计的电路布局图均落入本发明申请专利范围所保护的范围。
请参考图3A。图3A所示是依据本发明一信号变压电路300之一实施例示意图。信号变压电路300可以用来将具有一输入功率的一输入信号Si3转换为具有一输出功率的一输出信号So3，因此信号变压电路300亦可以被称为一分布式主动变压器的功率放大器。信号变压电路300包含有一第一大致上呈8字型的几何主线圈302、一第二大致上呈8字型的几何主线圈304、一大致上呈8字型的几何副线圈306以及多个用来接收输入信号Si3的放大器308_1-308_8。
第一大致上呈8字型的几何主线圈302包含有一第一环状的几何线圈3022以及一第二环状的几何线圈3024，其中第一环状的几何线圈3022与第二环状的几何线圈3024都包含有多个电感元件302a-302d。电感元件302a与电感元件302b会耦接于放大器308_1的一输出端。电感元件302a与电感元件302d会耦接于放大器308_4的一输出端。电感元件302c与电感元件302d会耦接于放大器308_5的一输出端。电感元件302c与电感元件302b会耦接于放大器308_8的一输出端。
第二大致上呈8字型的几何主线圈304包含有一第一环状的几何线圈3042以及一第二环状的几何线圈3044，其中第一环状的几何线圈3042与第二环状的几何线圈3044都包含有多个电感元件304a-304d。电感元件304a与电感元件304b会耦接于放大器308_2的一输出端。电感元件304a与电感元件304d会耦接于放大器308_3的一输出端。电感元件304c与电感元件304d会耦接于放大器308_6的一输出端。电感元件304c与电感元件304b会耦接于放大器308_7的一输出端。
如图3A所示，第一环状的几何线圈3022由一电感元件302a、一部分电感元件302b以及一部分电感元件302d所组成，第一环状的几何线圈3022并具有以一第一轴线3030为中心的一形状。第二环状的几何线圈3024由一电感元件302c、一部分电感元件302d以及一部分电感元件302b所组成，第二环状的几何线圈3024并具有以一第二轴线3032为中心的一形状。此外，第一环状的几何线圈3022与第二环状的几何线圈3024是用来构成第一大致上呈8字型的几何主线圈302，以使得从第一环状的几何线圈3022放射出来的一磁场与从第二环状的几何线圈3024放射出来的一磁场可以互相电磁耦合。
第一环状的几何线圈3042由一电感元件304a、一部分电感元件304b以及一部分电感元件304d所组成，第一环状的几何线圈3042并具有以一第一轴线3030为中心的一形状。第二环状的几何线圈3044由一电感元件304c、一部分电感元件304d以及一部分电感元件304b所组成，第二环状的几何线圈3044并具有以第二轴线3032为中心的一形状。此外，第一环状的几何线圈3042与第二环状的几何线圈3044是用来构成第二大致上呈8字型的几何主线圈304，以使得从第一环状的几何线圈3042放射出来的一磁场与从第二环状的几何线圈3044放射出来的一磁场可以互相电磁耦合。
此外，大致上呈8字型的几何副线圈306包含有一第一环状的几何线圈3062以及一第二环状的几何线圈3064。如图3A所示，第一环状的几何线圈3062具有以第一轴线3030为中心的一形状，而第二环状的几何线圈3064具有以第二轴线3032为中心的一形状。此外，第一环状的几何线圈3062与第二环状的几何线圈3064是用来构成大致上呈8字型的几何副线圈306。此外，大致上呈8字型的几何副线圈306另包含有一第一信号端3082以及一第二信号端3084，用来依据输入信号Si3来产生输出信号So3。进一步来说，大致上呈8字型的几何副线圈306相邻于第一大致上呈8字型的几何主线圈302与第二大致上呈8字型的几何主线圈304以磁性耦合第一大致上呈8字型的几何主线圈302与第二大致上呈8字型的几何主线圈304来产生输出信号So3于第一信号端3082与第二信号端3084。另一方面，多个中心抽头CT3a-CT3h会分别加在多个电感元件304a、302b、302c、302d、304a、304b、304c、304d上，如图3A所示，而该多个中心抽头的功用已教导于上述实施例中，故在此不另赘述。请注意，本实施例可提供另一些中心抽头(未绘示)耦接于大致上呈8字型的几何副线圈306的大致上中间的位置以提供一直流电压。
此外，该些放大器多个放大器308_1-308_8中的每一个放大器都是一个推挽式放大器，该推挽式放大器会具有一正输出端(+)与一负输出端(-)，其中该正输出端(+)与负输出端(-)会耦接到其对应的电感元件，如图3A所示。此外，该些放大器多个放大器308_1-308_8中的每一个放大器会具有一输入端以接收输入信号Si3。请注意，输入信号Si3系一差动输入信号，故每一个输入端均是一差动输入端，其会具有一正输入端与一负输入端(未绘示)。因此，该些放大器308_1、308_4、308_5、308_8中的每一个放大器都会具有一共模端点耦接于供应电压Vdd，而该些放大器308_2、308_3、308_6、308_7中的每一个放大器都会具有一共模端点耦接于接地电压Vgnd，如图3B与图3C所示。图3B所示是依据本发明放大器308_1之一实施例示意图。图3C所示是依据本发明放大器308_2之一实施例示意图。请注意，其他放大电路对(例如放大器308_3-308_4、308_5-308_6、308_7-308_8)的架构系相同于放大器308_1-308_2，故该其他的放大电路对在此不另赘述。放大器308_1系一P型互补式放大器，该P型互补式放大器会具有一P型电晶体以接收输入信号Si3。放大器308_2系一N型互补式放大器，该N型互补式放大器会具有一N型电晶体以接收输入信号Si3。经由利用一连接至供应电压Vdd的P型电路来当成放大电路，以及利用一连接至接地电压Vgnd的N型电路来当成放大电路，则该放大电路的偏压与控制信号就会介于供应电压Vdd与接地电压Vgnd之间。因此，这种电路结构大大简化了供给偏压与控制信号的复杂度。
此外，在此较佳实施例中，放大器308_1的正输出端(+)系耦接于放大器308_2的正输出端(+)，而放大器308_1的负输出端(-)系耦接于放大器308_2的负输出端(-)。放大器308_3的正输出端(+)系耦接于放大器308_4的正输出端(+)，而放大器308_3的负输出端(-)系耦接于放大器308_4的负输出端(-)。放大器308_5的正输出端(+)系耦接于放大器308_6的正输出端(+)，而放大器308_5的负输出端(-)系耦接于放大器308_6的负输出端(-)。放大器308_7的正输出端(+)系耦接于放大器308_8的正输出端(+)，而放大器308_7的负输出端(-)系耦接于放大器308_8的负输出端(-)。因此，信号变压电路300另包含有多个连接元件3091(+)、3091(-)、3094(+)、3094(-)，其中连接元件3091(+)、3091(-)是用来耦接于放大器308_1与放大器308_2之间输出端，连接元件3092(+)、3092(-)是用来耦接于放大器308_3与放大器308_4之间输出端，连接元件3093(+)、3093(-)是用来耦接于放大器308_5与放大器308_6之间输出端，以及连接元件3094(+)、3094(-)是用来耦接于放大器308_7与放大器308_8之间输出端。进一步来说，连接元件3091(+)、3091(-)可以用来将一直流电流从放大器308_1的供应电压Vdd导通至放大器308_2的接地电压Vgnd，连接元件3092(+)、3092(-)可以用来将一直流电流从放大器308_3的供应电压Vdd导通至放大器308_4的接地电压Vgnd，连接元件3093(+)、3093(-)可以用来将一直流电流从放大器308_5的供应电压Vdd导通至放大器308_6的接地电压Vgnd，以及连接元件3094(+)、3094(-)可以用来将一直流电流从放大器308_7的供应电压Vdd导通至放大器308_8的接地电压Vgnd。因此，该些放大电路对(例如放大器308_1与放大器308_2)会以串连的方式分成两条路径接收该直流的供应电流。
依据上述第一大致上呈8字型的几何主线圈302以及第二大致上呈8字型的几何主线圈304的架构可以得知，当输入信号Si3被输入多个放大器308_1-308_8时，每一个分布放大器都可以用来产生一射频功率输出。因此，经由适当地微调每一个放大器的输出端与其对应的电感元件之间的阻抗匹配条件以及输入信号Si3的相位，该些分布放大器所产生的功率输出就可以合成为一单一的输出信号，该单一的输出信号的功率实质上为该些个别的功率输出之总和。进一步来说，多个放大器308_1、308_4、308_5、308_8与多个电感元件302a-302d会构成该大致上呈8字型的几何线圈，其是用来作为一磁性耦合的主动变压器的第一主线圈，以合成该四个放大器308_1、308_4、308_5、308_8所产生的输出功率。多个放大器308_2、308_3、308_6、308_7与多个电感元件304a-304d会构成该大致上呈8字型的几何线圈，其是用来作为一磁性耦合的主动变压器的第二主线圈，以合成该四个放大器308_2、308_3、308_6、308_7所产生的输出功率。接着，环绕着该第一大致上呈8字型的几何线圈的一致的线圈电流A5(亦即图3A中所示的箭头)就会被产生了，该一致的线圈电流A5会具有该基础频率，且该一致的线圈电流A5会在该第一大致上呈8字型的几何线圈周围造成一较强的磁通量；而环绕着该第二大致上呈8字型的几何线圈的一致的线圈电流A6(亦即图3A中所示的箭头)就会被产生了，该一致的线圈电流A6会具有该基础频率，且该一致的线圈电流A6会在该第二大致上呈8字型的几何线圈周围造成一较强的磁通量。
接着，电流A5与电流A6所产生的电磁场成分就会感应出一电流A7(亦即图3A中所示的箭头)，电流A7会流经大致上呈8字型的几何副线圈306。由于第一环状的几何线圈3022、3042内分别电流A5、A6的方向系反时钟方向，而第二环状的几何线圈3024、3044内分别电流A5、A6的方向系顺时钟方向，因此从第一环状的几何线圈3022、3042的圈内放射出来的电磁场成分的方向会大致上朝图3A的平面的外部射出，而从第二环状的几何线圈3024、3044的圈内放射出来的电磁场成分的方向会大致上朝图3A的平面的内部射入，如图3A中第一环状的几何线圈3022与第二环状的几何线圈3024分别的中心所绘示的传统标示符号(亦即第一轴线3030与第二轴线3032)。换句话说，从第一环状的几何线圈3022的圈内放射出来的电磁场成分的方向会大致上相反于从第二环状的几何线圈3024的圈内放射出来的电磁场成分的方向。此外，从第一环状的几何线圈3022与第二环状的几何线圈3024所射出电磁场成分在离第一环状的几何线圈3022与第二环状的几何线圈3024一段距离的地方会由于方向相反而互相抵消。因此，若将第一环状的几何线圈3022与第二环状的几何线圈3024设计得大致上对称的话，以及将第一环状的几何线圈3042与第二环状的几何线圈3044设计得大致上对称的话，则由第一大致上呈8字型的几何主线圈302与第二大致上呈8字型的几何主线圈304所产生的远场会自我抵消，同时第一大致上呈8字型的几何主线圈302与第二大致上呈8字型的几何主线圈304仍然会感应出电流A7以流经大致上呈8字型的几何副线圈306来将输入信号Si3转换为输出信号So3。
请注意，在此较佳实施例的晶片中，用来制作第一大致上呈8字型的几何主线圈302、第二大致上呈8字型的几何主线圈304与大致上呈8字型的几何副线圈306的金属都是在同一金属层上。但是，第一环状的几何线圈3022与第二环状的几何线圈3024之间的交叉处部分、第一环状的几何线圈3042与第二环状的几何线圈3044之间的交叉处部分、第一环状的几何线圈3062与第二环状的几何线圈3064之间的交叉处部分(亦即图3A上所标示的3095部分)，以及图3A上所标示的3096的交叉处部分可以用不同层的金属来加以实作以避免两个不同线圈的误触。简言之，第一大致上呈8字型的几何主线圈302、第二大致上呈8字型的几何主线圈304以及大致上呈8字型的几何副线圈306所使用的金属层可以随着设计所需而调整的。此外，图3A所示的布局图仅为一说明用的例子，而不作为本发明之限制所在。换句话说，任何利用本发明所提出的精神所设计的电路布局图均落入本发明申请专利范围所保护的范围。
请参考图4。图4所示是依据本发明之一信号变压电路400之一第四实施例示意图。信号变压电路400可以用来将具有一输入功率的一输入信号Si4转换为具有一输出功率的一输出信号So4，因此信号变压电路400亦可以被称为一分布式主动变压器的功率放大器。信号变压电路400包含有一第一大致上呈8字型的几何主线圈402、一第二大致上呈8字型的几何主线圈404、一大致上呈8字型的几何副线圈406以及多个用来接收输入信号Si4的放大器408_1-408_8。请注意，放大电路对(例如放大器408_1-408_2、408_3-408_4、408_5-408_6、408_7-408_8)的架构系相同于图3B与图3C所示的放大器308_1-308_2，故其细部运作在此不另赘述。
第一大致上呈8字型的几何主线圈402包含有一第一环状的几何线圈4022以及一第二环状的几何线圈4024，其中第一环状的几何线圈4022与第二环状的几何线圈4024都包含有多个电感元件402a-402d。电感元件402a与电感元件402b会耦接于放大器408_1的一输出端。电感元件402a与电感元件402d会耦接于放大器408_4的一输出端。电感元件402c与电感元件402d会耦接于放大器408_5的一输出端。电感元件402c与电感元件402b会耦接于放大器408_8的一输出端。
第二大致上呈8字型的几何主线圈404包含有一第一环状的几何线圈4042以及一第二环状的几何线圈4044，其中第一环状的几何线圈4042与第二环状的几何线圈4044都包含有多个电感元件404a-404d。电感元件404a与电感元件404b会耦接于放大器408_2的一输出端。电感元件404a与电感元件404d会耦接于放大器408_3的一输出端。电感元件404c与电感元件404d会耦接于放大器408_6的一输出端。电感元件404c与电感元件404b会耦接于放大器408_7的一输出端。
如图4所示，第一环状的几何线圈4022由一电感元件402a、一部分电感元件402b以及一部分电感元件402d所组成，第一环状的几何线圈4022并具有以一第一轴线4030为中心的一形状。第二环状的几何线圈4024由一电感元件402c、一部分电感元件402d以及一部分电感元件402b所组成，第二环状的几何线圈4024并具有以一第二轴线4032为中心的一形状。此外，第一环状的几何线圈4022与第二环状的几何线圈4024是用来构成第一大致上呈8字型的几何主线圈402，以使得从第一环状的几何线圈4022放射出来的一磁场与从第二环状的几何线圈4024放射出来的一磁场可以互相电磁耦合。
第一环状的几何线圈4042由一电感元件404a、一部分电感元件404b以及一部分电感元件404d所组成，第一环状的几何线圈4042并具有以一第一轴线4030为中心的一形状。第二环状的几何线圈4044由一电感元件404c、一部分电感元件404d以及一部分电感元件404b所组成，第二环状的几何线圈4044并具有以第二轴线4032为中心的一形状。此外，第一环状的几何线圈4042与第二环状的几何线圈4044是用来构成第二大致上呈8字型的几何主线圈404，以使得从第一环状的几何线圈4042放射出来的一磁场与从第二环状的几何线圈4044放射出来的一磁场可以互相电磁耦合。
此外，大致上呈8字型的几何副线圈406包含有一第一环状的几何线圈4062以及一第二环状的几何线圈4064。如图4所示，第一环状的几何线圈4062具有以第一轴线4030为中心的一形状，而第二环状的几何线圈4064具有以第二轴线4032为中心的一形状。此外，第一环状的几何线圈4062与第二环状的几何线圈4064是用来构成大致上呈8字型的几何副线圈406。此外，大致上呈8字型的几何副线圈406另包含有一第一信号端4082以及一第二信号端4084，用来依据输入信号Si4来产生输出信号So4。进一步来说，大致上呈8字型的几何副线圈406相邻于第一大致上呈8字型的几何主线圈402与第二大致上呈8字型的几何主线圈404以磁性耦合第一大致上呈8字型的几何主线圈402与第二大致上呈8字型的几何主线圈404来产生输出信号So4于第一信号端4082与第二信号端4084。
此外，该些放大器多个放大器408_1-408_8中的每一个放大器都是一个推挽式放大器，该推挽式放大器会具有一正输出端(+)与一负输出端(-)，其中该正输出端(+)与负输出端(-)会耦接到其对应的电感元件，如图4所示。此外，该些放大器多个放大器408_1-408_8中的每一个放大器会具有一输入端以接收输入信号Si4。请注意，输入信号Si4系一差动输入信号，故每一个输入端均是一差动输入端，其会具有一正输入端与一负输入端(未绘示)。因此，该些放大器408_1、408_4、408_5、408_8中的每一个放大器都会具有一共模端点耦接于供应电压Vdd，而该些放大器408_2、408_3、408_6、408_7中的每一个放大器都会具有一共模端点耦接于接地电压Vgnd，如图4。
此外，信号变压电路400另包含了多个连接元件4091-4094(亦即图4的斜线部分的电感元件)。进一步来说，连接元件4091的一第一端连接于电感元件402a的一位置，而该位置在第一环状的几何线圈4022上对应一基础振荡频率的一电压波形会处于一最小的值(例如一虚拟的接地电压)；以及连接元件4091的一第二端连接于电感元件404a的一位置，而该位置在第一环状的几何线圈4042上对应一基础振荡频率的一电压波形会处于一最小的值(例如一虚拟的接地电压)。连接元件4092的一第一端连接于电感元件402b的一位置，而该位置在第一环状的几何线圈4022上对应一基础振荡频率的一电压波形会处于一最小的值；以及连接元件4092的一第二端连接于电感元件404b的一位置，而该位置在第一环状的几何线圈4042上对应一基础振荡频率的一电压波形会处于一最小的值。连接元件4093的一第一端连接于电感元件402d的一位置，而该位置在第二环状的几何线圈4024上对应一基础振荡频率的一电压波形会处于一最小的值；以及连接元件4093的一第二端连接于电感元件404d的一位置，而该位置在第二环状的几何线圈4044上对应一基础振荡频率的一电压波形会处于一最小的值。连接元件4094的一第一端连接于电感元件402c的一位置，而该位置在第二环状的几何线圈4024上对应一基础振荡频率的一电压波形会处于一最小的值；以及连接元件4094的一第二端连接于电感元件404c的一位置，而该位置在第二环状的几何线圈4044上对应一基础振荡频率的一电压波形会处于一最小的值。进一步来说，连接元件4091是用来将一直流电流从放大器408_1的供应电压Vdd传导至放大器408_2的接地电压Vgnd，以及将一直流电流从放大器408_4的供应电压Vdd传导至放大器408_3的接地电压Vgnd。连接元件4092是用来将一直流电流从放大器408_1的供应电压Vdd传导至放大器408_2的接地电压Vgnd，以及将一直流电流从放大器408_8的供应电压Vdd传导至放大器408_7的接地电压Vgnd。连接元件4093是用来将一直流电流从放大器408_5的供应电压Vdd传导至放大器408_6的接地电压Vgnd，以及将一直流电流从放大器408_8的供应电压Vdd传导至放大器408_7的接地电压Vgnd。连接元件4094是用来将一直流电流从放大器408_5的供应电压Vdd传导至放大器408_6的接地电压Vgnd，以及将一直流电流从放大器408_4的供应电压Vdd传导至放大器408_3的接地电压Vgnd。因此，透过上述多个连接元件的耦接方式，提供给第一大致上呈8字型的几何主线圈402上的放大器的直流电流亦会流经第二大致上呈8字型的几何主线圈404上的放大器。换句话说，第一大致上呈8字型的几何主线圈402上的放大器与第二大致上呈8字型的几何主线圈404上的放大器会分享同样的直流电流。
依据上述第一大致上呈8字型的几何主线圈402以及第二大致上呈8字型的几何主线圈404的架构可以得知，当输入信号Si4被输入多个放大器408_1-408_8时，每一个分布放大器都可以用来产生一射频功率输出。因此，经由适当地微调每一个放大器的输出端与其对应的电感元件之间的阻抗匹配条件以及输入信号Si4的相位，该些分布放大器所产生的功率输出就可以合成为一单一的输出信号，该单一的输出信号的功率实质上为该些个别的功率输出之总和。进一步来说，多个放大器408_1、408_4、408_5、408_8与多个电感元件402a-402d会构成该大致上呈8字型的几何线圈，其是用来作为一磁性耦合的主动变压器的第一主线圈，以合成该四个放大器408_1、408_4、408_5、408_8所产生的输出功率。多个放大器408_2、408_3、408_6、408_7与多个电感元件404a-404d会构成该大致上呈8字型的几何线圈，其是用来作为一磁性耦合的主动变压器的第二主线圈，以合成该四个放大器408_2、408_3、408_6、408_7所产生的输出功率。接着，环绕着该第一大致上呈8字型的几何线圈的一致的线圈电流A8(亦即图4中所示的箭头)就会被产生了，该一致的线圈电流A8会具有该基础频率，且该一致的线圈电流A8会在该第一大致上呈8字型的几何线圈周围造成一较强的磁通量；而环绕着该第二大致上呈8字型的几何线圈的一致的线圈电流A9(亦即图4中所示的箭头)就会被产生了，该一致的线圈电流A9会具有该基础频率，且该一致的线圈电流A9会在该第二大致上呈8字型的几何线圈周围造成一较强的磁通量。
接着，电流A8与电流A9所产生的电磁场成分就会感应出一电流A10(亦即图4中所示的箭头)，电流A7会流经大致上呈8字型的几何副线圈406。由于第一环状的几何线圈4022、4042内分别电流A8、A9的方向系反时钟方向，而第二环状的几何线圈4024、4044内分别电流A8、A9的方向系顺时钟方向，因此从第一环状的几何线圈4022、4042的圈内放射出来的电磁场成分的方向会大致上朝图4的平面的外部射出，而从第二环状的几何线圈4024、4044的圈内放射出来的电磁场成分的方向会大致上朝图4的平面的内部射入，如图4中第一环状的几何线圈4022与第二环状的几何线圈4024分别的中心所绘示的传统标示符号(亦即第一轴线4030与第二轴线4032)。换句话说，从第一环状的几何线圈4022的圈内放射出来的电磁场成分的方向会大致上相反于从第二环状的几何线圈4024的圈内放射出来的电磁场成分的方向。此外，从第一环状的几何线圈4022与第二环状的几何线圈4024所射出电磁场成分在离第一环状的几何线圈4022与第二环状的几何线圈4024一段距离的地方会由于方向相反而互相抵消。因此，若将第一环状的几何线圈4022与第二环状的几何线圈4024设计得大致上对称的话，以及将第一环状的几何线圈4042与第二环状的几何线圈4044设计得大致上对称的话，则由第一大致上呈8字型的几何主线圈402与第二大致上呈8字型的几何主线圈404所产生的远场会自我抵消，同时第一大致上呈8字型的几何主线圈402与第二大致上呈8字型的几何主线圈404仍然会感应出电流A10以流经大致上呈8字型的几何副线圈406来将输入信号Si4转换为输出信号So4。
请注意，在此较佳实施例的晶片中，用来制作第一大致上呈8字型的几何主线圈402、第二大致上呈8字型的几何主线圈404与大致上呈8字型的几何副线圈406的金属都是在同一金属层上。但是，第一环状的几何线圈4022与第二环状的几何线圈4024之间的交叉处部分、第一环状的几何线圈4042与第二环状的几何线圈4044之间的交叉处部分、第一环状的几何线圈4062与第二环状的几何线圈4064之间的交叉处部分(亦即图4上所标示的4095部分)，以及图4上所标示的4096、4097的交叉处部分可以用不同层的金属来加以实作以避免两个不同线圈的误触。简言之，第一大致上呈8字型的几何主线圈402、第二大致上呈8字型的几何主线圈404以及大致上呈8字型的几何副线圈406所使用的金属层可以随着设计所需而调整的。此外，图4所示的布局图仅为一说明用的例子，而不作为本发明之限制所在。换句话说，任何利用本发明所提出的精神所设计的电路布局图均落入本发明申请专利范围所保护的范围。另一方面，多个中心抽头CT4a-CT4d会分别加在多个电感元件4091-4094上，如图4所示，而该多个中心抽头的功用已教导于上述实施例中，故在此不另赘述。请注意，本实施例可提供另一些中心抽头(未绘示)耦接于大致上呈8字型的几何副线圈406的大致上中间的位置以提供一直流电压。
请参考图5。图5所示是依据本发明之一信号变压电路500之一第五实施例示意图。信号变压电路500可以用来将具有一输入功率的一输入信号Si5转换为具有一输出功率的一输出信号So5，因此信号变压电路500亦可以被称为一分布式主动变压器的功率放大器。信号变压电路500包含有一第一大致上呈8字型的几何主线圈502、一第二大致上呈8字型的几何主线圈504、一大致上呈8字型的几何副线圈506以及多个用来接收输入信号Si5的放大器508_1-508_8。请注意，放大电路对(例如放大器508_1-508_2、508_3-508_4、508_5-508_6、508_7-508_8)的架构系相同于图3B与图3C所示的放大器308_1-308_2，故其细部运作在此不另赘述。
第一大致上呈8字型的几何主线圈502包含有一第一环状的几何线圈5022以及一第二环状的几何线圈5024，其中第一环状的几何线圈5022与第二环状的几何线圈5024都包含有多个电感元件502a-502d。电感元件502a与电感元件502b会耦接于放大器508_1的一输出端。电感元件502a与电感元件502d会耦接于放大器508_4的一输出端。电感元件502c与电感元件502d会耦接于放大器508_5的一输出端。电感元件502c与电感元件502b会耦接于放大器508_8的一输出端。
第二大致上呈8字型的几何主线圈504包含有一第一环状的几何线圈5042以及一第二环状的几何线圈5044，其中第一环状的几何线圈5042与第二环状的几何线圈5044都包含有多个电感元件504a-504d。电感元件504a与电感元件504b会耦接于放大器508_2的一输出端。电感元件504a与电感元件504d会耦接于放大器508_3的一输出端。电感元件504c与电感元件504d会耦接于放大器508_6的一输出端。电感元件504c与电感元件504b会耦接于放大器508_7的一输出端。
如图5所示，第一环状的几何线圈5022由一电感元件502a、一部分电感元件502b以及一部分电感元件502d所组成，第一环状的几何线圈5022并具有以一第一轴线5030为中心的一形状。第二环状的几何线圈5024由一电感元件502c、一部分电感元件502d以及一部分电感元件502b所组成，第二环状的几何线圈5024并具有以一第二轴线5032为中心的一形状。此外，第一环状的几何线圈5022与第二环状的几何线圈5024是用来构成第一大致上呈8字型的几何主线圈502，以使得从第一环状的几何线圈5022放射出来的一磁场与从第二环状的几何线圈5024放射出来的一磁场可以互相电磁耦合。
第一环状的几何线圈5042由一电感元件504a、一部分电感元件504b以及一部分电感元件504d所组成，第一环状的几何线圈5042并具有以第一轴线5030为中心的一形状。第二环状的几何线圈5044由电感元件504c、一部分电感元件504d以及一部分电感元件504b所组成，第二环状的几何线圈5044并具有以第二轴线5032为中心的一形状。此外，第一环状的几何线圈5042与第二环状的几何线圈5044是用来构成第二大致上呈8字型的几何主线圈504，以使得从第一环状的几何线圈5042放射出来的一磁场与从第二环状的几何线圈5044放射出来的一磁场可以互相电磁耦合。
此外，大致上呈8字型的几何副线圈506包含有一第一环状的几何线圈5062以及一第二环状的几何线圈5064。如图5所示，第一环状的几何线圈5062具有以第一轴线5030为中心的一形状，而第二环状的几何线圈5064具有以第二轴线5032为中心的一形状。此外，第一环状的几何线圈5062与第二环状的几何线圈5064是用来构成大致上呈8字型的几何副线圈506。此外，大致上呈8字型的几何副线圈506另包含有一第一信号端5082以及一第二信号端5084，用来依据输入信号Si5来产生输出信号So5。进一步来说，大致上呈8字型的几何副线圈506相邻于第一大致上呈8字型的几何主线圈502与第二大致上呈8字型的几何主线圈504以磁性耦合第一大致上呈8字型的几何主线圈502与第二大致上呈8字型的几何主线圈504来产生输出信号So5于第一信号端5082与第二信号端5084。
此外，该些放大器多个放大器508_1-508_8中的每一个放大器都是一个推挽式放大器，该推挽式放大器会具有一正输出端(+)与一负输出端(-)，其中该正输出端(+)与负输出端(-)会耦接到其对应的电感元件，如图5所示。另一方面，该些放大器多个放大器508_1-508_8中的每一个放大器会具有一输入端以接收输入信号Si5。请注意，输入信号Si5系一差动输入信号，故每一个输入端均是一差动输入端，其会具有一正输入端与一负输入端(未绘示)。因此，该些放大器508_1、508_4、508_5、508_8中的每一个放大器都会具有一共模端点耦接于供应电压Vdd，而该些放大器508_2、508_3、508_6、508_7中的每一个放大器都会具有一共模端点耦接于接地电压Vgnd，如图5。
此外，信号变压电路500另包含了多个连接元件5091-5098(亦即图5的斜线部分的电感元件)。进一步来说，连接元件5091与连接元件5092分别的一第一端连接于电感元件502a分别的两个位置，而连接元件5091与连接元件5092分别的一第二端连接于电感元件504a分别的两个位置，其中连接元件5091的第一端与连接元件5092的第一端在第一环状的几何线圈5022上的位置会使得连接元件5091的第一端与连接元件5092的第一端离一个点的距离呈现互相对称的，其中在该点上对应一基础振荡频率的一电压波形会处于或接近一最小的值(例如一虚拟接地电压)；而连接元件5091的第二端与连接元件5092的第二端在第一环状的几何线圈5022上的位置会使得连接元件5091的第二端与连接元件5092的第二端离一个点的距离呈现互相对称的，其中在该点上对应一基础振荡频率的一电压波形会处于或接近一最小的值(例如一虚拟接地电压)。
连接元件5093与连接元件5094分别的一第一端连接于电感元件502b分别的两个位置，而连接元件5093与连接元件5094分别的一第二端连接于电感元件504b分别的两个位置，其中连接元件5093的第一端与连接元件5094的第一端在第一环状的几何线圈5022上的位置会使得连接元件5093的第一端与连接元件5094的第一端离一个点的距离呈现互相对称的，其中在该点上对应一基础振荡频率的一电压波形会处于或接近一最小的值(例如一虚拟接地电压)；而连接元件5093的第二端与连接元件5094的第二端在第一环状的几何线圈5022上的位置会使得连接元件5093的第二端与连接元件5094的第二端离一个点的距离呈现互相对称的，其中在该点上对应一基础振荡频率的一电压波形会处于或接近一最小的值(例如一虚拟接地电压)。
连接元件5095与连接元件5096分别的一第一端连接于电感元件502d分别的两个位置，而连接元件5095与连接元件5096分别的一第二端连接于电感元件504d分别的两个位置，其中连接元件5095的第一端与连接元件5096的第一端在第二环状的几何线圈5024上的位置会使得连接元件5095的第一端与连接元件5096的第一端离一个点的距离呈现互相对称的，其中在该点上对应一基础振荡频率的一电压波形会处于或接近一最小的值(例如一虚拟接地电压)；而连接元件5095的第二端与连接元件5096的第二端在第二环状的几何线圈5024上的位置会使得连接元件5095的第二端与连接元件5096的第二端离一个点的距离呈现互相对称的，其中在该点上对应一基础振荡频率的一电压波形会处于或接近一最小的值(例如一虚拟接地电压)。
连接元件5097与连接元件5098分别的一第一端连接于电感元件502c分别的两个位置，而连接元件5097与连接元件5098分别的一第二端连接于电感元件504c分别的两个位置，其中连接元件5097的第一端与连接元件5098的第一端在第二环状的几何线圈5024上的位置会使得连接元件5097的第一端与连接元件5098的第一端离一个点的距离呈现互相对称的，其中在该点上对应一基础振荡频率的一电压波形会处于或接近一最小的值(例如一虚拟接地电压)；而连接元件5097的第二端与连接元件5098的第二端在第二环状的几何线圈5024上的位置会使得连接元件5097的第二端与连接元件5098的第二端离一个点的距离呈现互相对称的，其中在该点上对应一基础振荡频率的一电压波形会处于或接近一最小的值(例如一虚拟接地电压)。
进一步来说，连接元件5091是用来将一直流电流从放大器508_1的供应电压Vdd传导至放大器508_2的接地电压Vgnd。连接元件5092是用来将一直流电流从放大器5084的供应电压Vdd传导至放大器5083的接地电压Vgnd。连接元件5093是用来将一直流电流从放大器508_1的供应电压Vdd传导至放大器5082的接地电压Vgnd。连接元件5094是用来将一直流电流从放大器508_4的供应电压Vdd传导至放大器508_3的接地电压Vgnd。连接元件5095是用来将一直流电流从放大器508_5的供应电压Vdd传导至放大器508_6的接地电压Vgnd。连接元件5096是用来将一直流电流从放大器508_8的供应电压Vdd传导至放大器508_7的接地电压Vgnd。连接元件5097是用来将一直流电流从放大器508_5的供应电压Vdd传导至放大器508_6的接地电压Vgnd。连接元件5098是用来将一直流电流从放大器508_8的供应电压Vdd传导至放大器508_7的接地电压Vgnd。因此，透过上述多个连接元件的耦接方式，提供给第一大致上呈8字型的几何主线圈502上的放大器的直流电流亦会流经第二大致上呈8字型的几何主线圈504上的放大器。
依据上述第一大致上呈8字型的几何主线圈502以及第二大致上呈8字型的几何主线圈504的架构可以得知，当输入信号Si5被输入多个放大器508_1-508_8时，每一个分布放大器都可以用来产生一射频功率输出。因此，经由适当地微调每一个放大器的输出端与其对应的电感元件之间的阻抗匹配条件以及输入信号Si5的相位，该些分布放大器所产生的功率输出就可以合成为一单一的输出信号，该单一的输出信号的功率实质上为该些个别的功率输出之总和。进一步来说，多个放大器508_1、508_4、508_5、508_8与多个电感元件502a-502d会构成该大致上呈8字型的几何线圈，其是用来作为一磁性耦合的主动变压器的第一主线圈，以合成该四个放大器508_1、508_4、508_5、508_8所产生的输出功率。多个放大器508_2、508_3、508_6、508_7与多个电感元件504a-504d会构成该大致上呈8字型的几何线圈，其是用来作为一磁性耦合的主动变压器的第二主线圈，以合成该四个放大器508_2、508_3、508_6、508_7所产生的输出功率。接着，环绕着该第一大致上呈8字型的几何线圈502的一致的线圈电流A11(亦即图5中所示的箭头)就会被产生了，该一致的线圈电流A11会具有该基础频率，且该一致的线圈电流A11会在该第一大致上呈8字型的几何线圈502周围造成一较强的磁通量；而环绕着该第二大致上呈8字型的几何线圈504的一致的线圈电流A12(亦即图5中所示的箭头)就会被产生了，该一致的线圈电流A12会具有该基础频率，且该一致的线圈电流A12会在该第二大致上呈8字型的几何线圈504周围造成一较强的磁通量。
接着，电流A11与电流A12所产生的电磁场成分就会感应出一电流A13(亦即图5中所示的箭头)，电流A13会流经大致上呈8字型的几何副线圈506。由于第一环状的几何线圈5022、5042内分别电流A11、A12的方向系反时钟方向，而第二环状的几何线圈5024、5044内分别电流A11、A12的方向系顺时钟方向，因此从第一环状的几何线圈5022、5042的圈内放射出来的电磁场成分的方向会大致上朝图5的平面的外部射出，而从第二环状的几何线圈5024、5044的圈内放射出来的电磁场成分的方向会大致上朝图5的平面的内部射入，如图5中第一环状的几何线圈5022与第二环状的几何线圈5024分别的中心所绘示的传统标示符号(亦即第一轴线5030与第二轴线5032)。换句话说，从第一环状的几何线圈5022的圈内放射出来的电磁场成分的方向会大致上相反于从第二环状的几何线圈5024的圈内放射出来的电磁场成分的方向。此外，从第一环状的几何线圈5022与第二环状的几何线圈5024所射出电磁场成分在离第一环状的几何线圈5022与第二环状的几何线圈5024一段距离的地方会由于方向相反而互相抵消。因此，若将第一环状的几何线圈5022与第二环状的几何线圈5024设计得大致上对称的话，以及将第一环状的几何线圈5042与第二环状的几何线圈5044设计得大致上对称的话，则由第一大致上呈8字型的几何主线圈502与第二大致上呈8字型的几何主线圈504所产生的远场会自我抵消，同时第一大致上呈8字型的几何主线圈502与第二大致上呈8字型的几何主线圈504仍然会感应出电流A13以流经大致上呈8字型的几何副线圈506来将输入信号Si5转换为输出信号So5。
请注意，在此较佳实施例的晶片中，用来制作第一大致上呈8字型的几何主线圈502、第二大致上呈8字型的几何主线圈504与大致上呈8字型的几何副线圈506的金属都是在同一金属层上。但是，第一环状的几何线圈5022与第二环状的几何线圈5024之间的交叉处部分、第一环状的几何线圈5042与第二环状的几何线圈5044之间的交叉处部分、第一环状的几何线圈5062与第二环状的几何线圈5064之间的交叉处部分(亦即图5上所标示的5101部分)，以及图5上所标示的5102、5103的交叉处部分可以用不同层的金属来加以实作以避免两个不同线圈的误触。简言之，第一大致上呈8字型的几何主线圈502、第二大致上呈8字型的几何主线圈504以及大致上呈8字型的几何副线圈506所使用的金属层可以随着设计所需而调整的。此外，图5所示的布局图仅为一说明用的例子，而不作为本发明之限制所在。换句话说，任何利用本发明所提出的精神所设计的电路布局图均落入本发明申请专利范围所保护的范围。另一方面，多个中心抽头CT5a-CT5h会分别加在多个电感元件5091-5098上，如图5所示，而该多个中心抽头的功用已教导于上述实施例中，故在此不另赘述。请注意，本实施例可提供另一些中心抽头(未绘示)耦接于大致上呈8字型的几何副线圈506的大致上中间的位置以提供一直流电压。
请参考图6。图6所示是依据本发明之一信号变压电路600之一第六实施例示意图。信号变压电路600可以用来将具有一输入功率的一输入信号Si6转换为具有一输出功率的一输出信号So6，因此信号变压电路600亦可以被称为一分布式主动变压器的功率放大器。信号变压电路600包含有一第一大致上呈8字型的几何主线圈602、一第二大致上呈8字型的几何主线圈604、一大致上呈8字型的几何副线圈606以及多个用来接收输入信号Si6的放大器608_1-608_8。请注意，放大器(例如放大器608_1、608_2、608_5、608_6)的架构系相同于图3B所示的放大器308_1，而放大器(例如放大器608_3、608_4、608_7、608_8)的架构系相同于图3C所示的放大器308_2，故其细部运作在此不另赘述。换句话说，放大器608_1、608_2、608_5、608_6为具有用来接收输入信号Si6的P型电晶体对所构成的P型互补式放大器，而放大器608_3、608_4、608_7、608_8为具有用来接收输入信号Si6的N型电晶体对所构成的N型互补式放大器。
第一大致上呈8字型的几何主线圈602包含有一第一环状的几何线圈6022以及一第二环状的几何线圈6024，其中第一环状的几何线圈6022与第二环状的几何线圈6024都包含有多个电感元件602a-602d。电感元件602a与电感元件602b会耦接于放大器608_1的一输出端。电感元件602a与电感元件602d会耦接于放大器608_2的一输出端。电感元件602c与电感元件602d会耦接于放大器608_5的一输出端。电感元件602c与电感元件602b会耦接于放大器608_6的一输出端。
第二大致上呈8字型的几何主线圈604包含有一第一环状的几何线圈6042以及一第二环状的几何线圈6044，其中第一环状的几何线圈6042与第二环状的几何线圈6044都包含有多个电感元件604a-604d。电感元件604a与电感元件604b会耦接于放大器608_3的一输出端。电感元件604a与电感元件604d会耦接于放大器608_3的一输出端。电感元件604c与电感元件604b会耦接于放大器608_7的一输出端。电感元件604c与电感元件604b会耦接于放大器608_8的一输出端。
如图6所示，第一环状的几何线圈6022由一电感元件602a、一部分电感元件602b以及一部分电感元件602d所组成，第一环状的几何线圈6022并具有以一第一轴线6030为中心的一形状。第二环状的几何线圈6024由一电感元件602c、一部分电感元件602d以及一部分电感元件602b所组成，第二环状的几何线圈6024并具有以一第二轴线6032为中心的一形状。此外，第一环状的几何线圈6022与第二环状的几何线圈6024是用来构成第一大致上呈8字型的几何主线圈602，以使得从第一环状的几何线圈6022放射出来的一磁场与从第二环状的几何线圈6024放射出来的一磁场可以互相电磁耦合。
第一环状的几何线圈6042由一电感元件604a以及一部分电感元件604d所组成，第一环状的几何线圈6042并具有以第一轴线6030为中心的一形状。第二环状的几何线圈6044由电感元件604c以及一部分电感元件604b所组成，第二环状的几何线圈6044并具有以第二轴线6032为中心的一形状。此外，第一环状的几何线圈6042与第二环状的几何线圈6044是用来构成第二大致上呈8字型的几何主线圈604，以使得从第一环状的几何线圈6042放射出来的一磁场与从第二环状的几何线圈6044放射出来的一磁场可以互相电磁耦合。
此外，大致上呈8字型的几何副线圈606包含有一第一环状的几何线圈6062以及一第二环状的几何线圈6064。如图6所示，第一环状的几何线圈6062具有以第一轴线6030为中心的一形状，而第二环状的几何线圈6064具有以第二轴线6032为中心的一形状。此外，第一环状的几何线圈6062与第二环状的几何线圈6064是用来构成大致上呈8字型的几何副线圈606。此外，大致上呈8字型的几何副线圈606另包含有一第一信号端6082以及一第二信号端6084，用来依据输入信号Si6来产生输出信号So6。进一步来说，大致上呈8字型的几何副线圈606相邻于第一大致上呈8字型的几何主线圈602与第二大致上呈8字型的几何主线圈604以磁性耦合第一大致上呈8字型的几何主线圈602与第二大致上呈8字型的几何主线圈604来产生输出信号So6于第一信号端6082与第二信号端6084。
此外，该些放大器多个放大器608_1-608_8中的每一个放大器都是一个推挽式放大器(如图3B与图3C所示)，该推挽式放大器会具有一正输出端(+)与一负输出端(-)，其中该正输出端(+)与负输出端(-)会耦接到其对应的电感元件，如图6所示。此外，该些放大器多个放大器608_1-608_8中的每一个放大器会具有一输入端以接收输入信号Si6。请注意，输入信号Si6系一差动输入信号，故每一个输入端均是一差动输入端，其会具有一正输入端与一负输入端(未绘示)。再者，供应电压Vdd会连接至电感元件602a、602b、602c、602d分别的大致上中心的位置(亦即中心抽头)。该些放大器608_3、608_4、608_7、608_8中的每一个放大器都会具有一共模端点耦接于接地电压Vgnd，如图6所示。请注意，本实施例可提供另一些中心抽头(未绘示)耦接于大致上呈8字型的几何副线圈606的大致上中间的位置以提供一直流电压。
此外，信号变压电路600另包含了多个连接元件6091-6098。进一步来说，连接元件6091连接于放大器608_1的共模电压与第一环状的几何线圈6042之间，而连接元件6091在第一环状的几何线圈6042上的位置，在对应一基础振荡频率下，一电压波形会处于或接近一最小的值。连接元件6092连接于放大器608_2的共模电压与第一环状的几何线圈6042之间，而连接元件6092在第一环状的几何线圈6042上的位置，在对应一基础振荡频率下，一电压波形会处于或接近一最小的值。连接元件6093连接于放大器6085的共模电压与第二环状的几何线圈6044之间，而连接元件6093在第二环状的几何线圈6044上的位置，在对应一基础振荡频率下，一电压波形会处于或接近一最小的值。连接元件6094连接于放大器608_6的共模电压与第二环状的几何线圈6044之间，而连接元件6094在第二环状的几何线圈6044上的位置，在对应一基础振荡频率下，一电压波形会处于或接近一最小的值。
进一步来说，当信号变压电路600处于正常操作时，连接元件6091是用来将一直流电流(亦即虚线的箭头6095)从电感元件602a的供应电压Vdd传导至放大器608_2的接地电压Vgnd，以及将一直流电流(亦即虚线的箭头6096)从电感元件602b的供应电压Vdd传导至放大器608_4的接地电压Vgnd。连接元件6092是用来将一直流电流(亦即虚线的箭头6097)从电感元件602a的供应电压Vdd传导至放大器608_3的接地电压Vgnd，以及将一直流电流(亦即虚线的箭头6098)从电感元件602d的供应电压Vdd传导至放大器608_4的接地电压Vgnd。连接元件6093是用来将一直流电流(亦即虚线的箭头6099)从电感元件602c的供应电压Vdd传导至放大器608_8的接地电压Vgnd，以及将一直流电流(亦即虚线的箭头6070)从电感元件602d的供应电压Vdd传导至放大器608_7的接地电压Vgnd。连接元件6094是用来将一直流电流(亦即虚线的箭头6071)从电感元件602c的供应电压Vdd传导至放大器608_8的接地电压Vgnd，以及将一直流电流(亦即虚线的箭头6072)从电感元件602b的供应电压Vdd传导至放大器608_7的接地电压Vgnd。因此，透过上述多个连接元件的耦接方式，提供给第一大致上呈8字型的几何主线圈602上的放大器的直流电流亦会流经第二大致上呈8字型的几何主线圈604上的放大器。
依据上述第一大致上呈8字型的几何主线圈602以及第二大致上呈8字型的几何主线圈604的架构可以得知，当输入信号Si6被输入多个放大器608_1-608_8时，每一个分布放大器都可以用来产生一射频功率输出。因此，经由适当地微调每一个放大器的输出端与其对应的电感元件之间的阻抗匹配条件以及输入信号Si6的相位，该些分布放大器所产生的功率输出就可以合成为一单一的输出信号，该单一的输出信号的功率实质上为该些个别的功率输出之总和。进一步来说，多个放大器608_1、608_2、608_5、608_6与多个电感元件602a-602d会构成该大致上呈8字型的几何线圈，其是用来作为一磁性耦合的主动变压器的第一主线圈，以合成该四个放大器608_1、608_2、608_5、608_6所产生的输出功率。多个放大器608_3、608_4、608_7、608_8与多个电感元件604a-604d会构成该大致上呈8字型的几何线圈，其是用来作为一磁性耦合的主动变压器的第二主线圈，以合成该四个放大器608_3、608_4、608_7、608_8所产生的输出功率。接着，环绕着该第一大致上呈8字型的几何线圈602的一致的线圈电流A14(亦即图6中所示的箭头)就会被产生了，该一致的线圈电流A14会具有该基础频率，且该一致的线圈电流A14会在该第一大致上呈8字型的几何线圈602周围造成一较强的磁通量；而环绕着该第二大致上呈8字型的几何线圈604的一致的线圈电流A15(亦即图6中所示的箭头)就会被产生了，该一致的线圈电流A15会具有该基础频率，且该一致的线圈电流A15会在该第二大致上呈8字型的几何线圈604周围造成一较强的磁通量。
接着，电流A14与电流A15所产生的电磁场成分就会感应出一电流A16(亦即图6中所示的箭头)，电流A16会流经大致上呈8字型的几何副线圈606。由于第一环状的几何线圈6022、6042内分别电流A14、A15的方向系反时钟方向，而第二环状的几何线圈6024、6044内分别电流A14、A15的方向系顺时钟方向，因此从第一环状的几何线圈6022、6042的圈内放射出来的电磁场成分的方向会大致上朝图6的平面的外部射出，而从第二环状的几何线圈6024、6044的圈内放射出来的电磁场成分的方向会大致上朝图6的平面的内部射入，如图6中第一环状的几何线圈6022与第二环状的几何线圈6024分别的中心所绘示的传统标示符号(亦即第一轴线6030与第二轴线6032)。换句话说，从第一环状的几何线圈6022的圈内放射出来的电磁场成分的方向会大致上相反于从第二环状的几何线圈6024的圈内放射出来的电磁场成分的方向。此外，从第一环状的几何线圈6022与第二环状的几何线圈6024所射出电磁场成分在离第一环状的几何线圈6022与第二环状的几何线圈6024一段距离的地方会由于方向相反而互相抵消。因此，若将第一环状的几何线圈6022与第二环状的几何线圈6024设计得大致上对称的话，以及将第一环状的几何线圈6042与第二环状的几何线圈6044设计得大致上对称的话，则由第一大致上呈8字型的几何主线圈602与第二大致上呈8字型的几何主线圈604所产生的远场会自我抵消，同时第一大致上呈8字型的几何主线圈602与第二大致上呈8字型的几何主线圈604仍然会感应出电流A16以流经大致上呈8字型的几何副线圈606来将输入信号Si6转换为输出信号So6。
请注意，在此较佳实施例的晶片中，用来制作第一大致上呈8字型的几何主线圈602、第二大致上呈8字型的几何主线圈604与大致上呈8字型的几何副线圈606的金属都是在同一金属层上。但是，第一环状的几何线圈6022与第二环状的几何线圈6024之间的交叉处部分、第一环状的几何线圈6042与第二环状的几何线圈6044之间的交叉处部分、第一环状的几何线圈6062与第二环状的几何线圈6064之间的交叉处部分以及其他的交叉处部分(亦即图6上所标示的6101、6102部分)可以用不同层的金属来加以实作以避免两个不同线圈的误触。简言之，第一大致上呈8字型的几何主线圈602、第二大致上呈8字型的几何主线圈604以及大致上呈8字型的几何副线圈606所使用的金属层可以随着设计所需而调整的。此外，图6所示的布局图仅为一说明用的例子，而不作为本发明之限制所在。换句话说，任何利用本发明所提出的精神所设计的电路布局图均落入本发明申请专利范围所保护的范围。
综上所述，本发明实施例透过利用(一个或多个)该主线圈以及该副线圈来组成上述信号变压电路中的大致上呈8字型的几何线圈，如此一来，由该主线圈所产生的远场就会自我抵消而大幅度减少，同时该主线圈仍然会感应出该输出电流以流经相邻的该副线圈来将该输入信号转换/放大为该输出信号。且本发明说明书中描述的大致上呈8字型的几何线圈也可以描述成呈8字型的几何线圈，因此些描述均不是严格限制几何线圈的形状，而是描述电路布局图中线圈的大致外型。仅为一说明用的例子，而不作为本发明之限制所在。
上述的实施例仅用来列举本发明的实施方式，以及阐释本发明的技术特征，并非用来限制本发明的范畴。任何所属技术领域的技术人员根据本发明的精神而轻易完成的改变或均等性安排均属于本发明所主张的范围，本发明的权利范围应以权利要求为准。

Claims (23)

1.一种信号变压电路，包含有：
一第一几何主线圈，用来耦接一第一输入信号，其中，该第一几何主线圈呈8字型；以及
一几何副线圈，具有一第一信号端以及一第二信号端，该几何副线圈相邻于该第一几何主线圈以磁性耦合该第一几何主线圈来产生一输出信号于该第一信号端与该第二信号端，其中，该几何副线圈呈8字型。
2.如权利要求1所述的信号变压电路，其特征在于，该信号变压电路另包含有：
一第一中心抽头，用来耦接至该第一几何主线圈以提供一直流电压至该第一几何主线圈。
3.如权利要求1所述的信号变压电路，其特征在于，该信号变压电路另包含有：
一第二中心抽头，用来耦接至该几何副线圈以提供一直流电压至该几何副线圈。
4.如权利要求1所述的信号变压电路，其特征在于，该第一几何主线圈包含有：
一第一信号端；
一第二信号端，其中该第一几何主线圈的该第一信号端与该第二信号端系耦接该第一输入信号；
一第一环状的几何线圈，其具有以一第一轴线为中心的一形状；以及
一第二环状的几何线圈，其具有以一第二轴线为中心的一形状，其中该第一环状的几何线圈与该第二环状的几何线圈是用来构成该第一几何主线圈，以使得从该第一环状的几何线圈放射出来的一磁场与从该第二环状的几何线圈放射出来的一磁场可以互相电磁耦合；以及
该几何副线圈包含有：
一第三环状的几何线圈，其具有以一第一轴线为中心的一形状；以及
一第四环状的几何线圈，其具有以一第二轴线为中心的一形状，其中该第三环状的几何线圈与该第四环状的几何线圈是用来构成该几何副线圈。
5.如权利要求4所述的信号变压电路，其特征在于，该第一轴线相异于该第二轴线。
6.如权利要求1所述的信号变压电路，其特征在于，该信号变压电路另包含有：
一第二几何主线圈，用来耦接一第二输入信号，其中，该第二几何主线圈大致上呈8字型；
其中该几何副线圈相邻于该第二几何主线圈以磁性耦合该第二几何主线圈来产生该输出信号于该几何副线圈的该第一信号端与该第二信号端。
7.如权利要求6所述的信号变压电路，其特征在于，该信号变压电路另包含有：
一第三中心抽头，用来耦接至该第二几何主线圈以提供一直流电压至该第二几何主线圈。
8.如权利要求6所述的信号变压电路，其特征在于，该第一输入信号的一相位系实质上相同于该第二输入信号的一相位。
9.如权利要求1所述的信号变压电路，其特征在于，该信号变压电路另包含有：
至少一第一放大器，用来接收该第一输入信号；以及
至少一第二放大器，用来接收该第一输入信号；
其中该第一几何主线圈包含有：
一第一环状的几何线圈，具有至少一第一电感元件串接于该第一放大器的一输出端，该第一环状的几何线圈具有以一第一轴线为中心的一形状；以及
一第二环状的几何线圈，具有至少一第二电感元件串接于该第二放大器的一输出端，该第二环状的几何线圈具有以一第二轴线为中心的一形状，该第一环状的几何线圈与该第二环状的几何线圈是用来构成该第一几何主线圈，以使得从该第一环状的几何线圈放射出来的一磁场与从该第二环状的几何线圈放射出来的一磁场可以互相电磁耦合；以及
该几何副线圈包含有：
一第三环状的几何线圈，其具有以该第一轴线为中心的一形状；以及
一第四环状的几何线圈，其具有以该第二轴线为中心的一形状，其中该第三环状的几何线圈与该第四环状的几何线圈是用来构成该几何副线圈。
10.如权利要求9所述的信号变压电路，其特征在于，该第一轴线相异于该第二轴线。
11.如权利要求9所述的信号变压电路，其特征在于，该信号变压电路另包含有：
一第二几何主线圈，用来耦接一第二输入信号，其中，该第二几何主线圈大致上呈8字型；
其中该几何副线圈相邻于该第二几何主线圈以磁性耦合该第二几何主线圈来产生该输出信号于该几何副线圈的该第一信号端与该第二信号端。
12.如权利要求1所述的信号变压电路，其特征在于，该第一几何主线圈包含有一第一环状的几何线圈与一第二环状的几何线圈以耦接该第一输入信号，该信号变压电路另包含有：
一第二几何主线圈，包含有一第三环状的几何线圈与一第四环状的几何线圈以耦接一第二输入信号，其中，该第二几何主线圈大致上呈8字型；
至少一第一连接元件，用来耦接于该第一环状的几何线圈与该第三环状的几何线圈之间；以及
至少一第二连接元件，用来耦接于该第二环状的几何线圈与该第四环状的几何线圈之间。
13.如权利要求12所述的信号变压电路，其特征在于，该几何副线圈是用来磁性耦合该第一几何主线圈与该第二几何主线圈以产生该输出信号。
14.如权利要求12或13所述的信号变压电路，其特征在于，该信号变压电路另包含有：
一第一中心抽头，用来耦接至该第一连接元件以提供一直流电压至该第一连接元件。
15.如权利要求12或13所述的信号变压电路，其特征在于，该信号变压电路另包含有：
一第二中心抽头，用来耦接至该第二连接元件以提供一直流电压至该第二连接元件。
16.如权利要求12或13所述的信号变压电路，其特征在于，该第一几何主线圈另包含有：
至少一第一放大器与至少一第二放大器，用来接收该第一输入信号；以及
该第一环状的几何线圈具有至少一第一电感元件串接于该第一放大器的一输出端，该第二环状的几何线圈具有至少一第二电感元件串接于该第二放大器的一输出端。
17.如权利要求16所述的信号变压电路，其特征在于，该第二几何主线圈另包含有：
至少一第三放大器与至少一第四放大器，用来接收该第二输入信号；以及
该第三环状的几何线圈具有至少一第三电感元件串接于该第三放大器的一输出端，该第四环状的几何线圈具有一第四电感元件串接于该第四放大器的一输出端。
18.如权利要求17所述的信号变压电路，其特征在于，该第一连接元件连接于该第一环状的几何线圈的该第一电感元件的一位置，该第一电感元件的该位置上对应一基础振荡频率的一电压波形会系一最小值，以及该第二连接元件连接于该第二环状的几何线圈的该第二电感元件的一位置，该第二电感元件的该位置上对应该基础振荡频率的该电压波形会系一最小值。
19.如权利要求18所述的信号变压电路，其特征在于，该第一连接元件连接于该第三环状的几何线圈的该第三电感元件的一位置，该第三电感元件的该位置上对应该基础振荡频率的该电压波形会系一最小值，以及该第二连接元件连接于该第四环状的几何线圈的该第四电感元件的一位置，该第四电感元件的该位置上对应该基础振荡频率的该电压波形会系一最小值。
20.如权利要求17所述的信号变压电路，其特征在于，该第一连接元件中的一第一特定连接元件与一第二特定连接元件连接于该第一电感元件，而该第一特定连接元件与该第二特定连接元件的每一个特定连接元件系分别位于该第一环状的几何线圈上的一个位置，以使得该第一特定连接元件与该第二特定连接元件离一第一点的距离系互相对称的，其中该第一点上对应一基础振荡频率的一电压波形会处于或接近一最小的值；以及该第二连接元件的一第三特定连接元件与一第四特定连接元件连接于该第二电感元件，而该第三特定连接元件与该第四特定连接元件的每一个特定连接元件系分别位于该第四环状的几何线圈上的一个位置，以使得该第三特定连接元件与该第四特定连接元件离一第二点的距离系互相对称的，其中该第二点上对应该基础振荡频率的该电压波形会处于或接近一最小的值。
21.如权利要求20所述的信号变压电路，其特征在于，该第一特定连接元件与该第二特定连接元件连接于该第三电感元件，以及该第一特定连接元件与该第二特定连接元件的每一个特定连接元件系分别位于该第三环状的几何线圈上的一个位置，以使得该第一特定连接元件与该第二特定连接元件离一第三点的距离系互相对称的，其中该第三点上对应该基础振荡频率的一电压波形会处于或接近一最小的值；以及该第三特定连接元件与该第四特定连接元件连接于该第四电感元件，以及该第三特定连接元件与该第四特定连接元件的每一个特定连接元件系分别位于该第四环状的几何线圈上的一个位置，以使得该第三特定连接元件与该第四特定连接元件离一第四点的距离系互相对称的，其中该第四点上对应该基础振荡频率的该电压波形会处于或接近一最小的值。
22.如权利要求17所述的信号变压电路，其特征在于，该第一连接元件会将一直流电流从该第一放大器导通至该第三放大器，以及该第二连接元件会将一直流电流从该第二放大器导通至该第四放大器。
23.如权利要求17所述的信号变压电路，其特征在于，该第一连接元件连接于该第一放大器与该第三环状的几何线圈之间，而该第一连接元件位于该第三环状的几何线圈上对应一基础振荡频率的一电压波形会处于或接近一最小的值的位置；以及该第二连接元件连接于该第二放大器与该第四环状的几何线圈之间，而该第二连接元件位于该第四环状的几何线圈上对应该基础振荡频率的该电压波形会处于或接近一最小的值的位置。
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