CN102660393A - Led芯片清洗液 - Google Patents

Led芯片清洗液 Download PDF

Info

Publication number
CN102660393A
CN102660393A CN2012101312849A CN201210131284A CN102660393A CN 102660393 A CN102660393 A CN 102660393A CN 2012101312849 A CN2012101312849 A CN 2012101312849A CN 201210131284 A CN201210131284 A CN 201210131284A CN 102660393 A CN102660393 A CN 102660393A
Authority
CN
China
Prior art keywords
led chip
scavenging solution
acid
ether
solution according
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2012101312849A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102660393B (zh
Inventor
侯军
崔京南
高远
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zhejiang aoshou Material Technology Co.,Ltd.
Original Assignee
CHANGSHU AOSHOU PHOTOELECTRIC MATERIALS Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by CHANGSHU AOSHOU PHOTOELECTRIC MATERIALS Co Ltd filed Critical CHANGSHU AOSHOU PHOTOELECTRIC MATERIALS Co Ltd
Priority to CN 201210131284 priority Critical patent/CN102660393B/zh
Publication of CN102660393A publication Critical patent/CN102660393A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102660393B publication Critical patent/CN102660393B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Detergent Compositions (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明公开一种制备方法简单、成本低、清洗效率高、对衬底材料及配线腐蚀率低的LED芯片清洗液，其由异构脂肪醇聚氧乙烯醚、有机胺、有机酰胺溶剂、醇醚溶剂、含氮羧酸类螯合剂、芳基羧酸及纯水组成，其重量百分比如下：异构脂肪醇聚氧乙烯醚1％～15％，有机胺1％～20％，有机酰胺溶剂1％～20％，醇醚溶剂1％～15％，含氮羧酸类螯合剂0.1％～5％，芳基羧酸0.01％～5％，纯水余量。

Description

LED芯片清洗液
技术领域
本发明涉及一种LED芯片清洗剂，尤其是一种制备方法简单、成本低、清洗效率高、对衬底材料及配线腐蚀率低的LED芯片清洗液。
背景技术
由于发光二极管(LED)具有高效节能、绿色环保等诸多优点，其在照明市场的前景备受世界各国瞩目。在LED芯片的制造过程中，除芯片制造技术、芯片封装技术和散热技术外，LED芯片的清洗技术对其发光效率、亮度以及使用寿命也产生显著影响。LED芯片制造过程中清洗芯片表面的蜡质、成膜剂、无机杂质、金属粒子等污染物是清洗的主要目的，清洗是整个制造工艺中重复率最高的步骤，占到30％。在诸多的清洗工序中，只要其中某一工序达不到要求，则将前功尽弃，导致整批芯片的报废，芯片表面状态及污染物的去除程度是影响芯片优良率和器件质量与可靠性的最重要的因素之一，其洁净度直接决定着LED芯片向高亮度、高可靠性、大功率方向发展。但是，国内到目前为止很少进行LED芯片清洗技术及产品的研发工作，导致我国在LED芯片制造工艺中的清洗液全部依赖从国外进口。因此，研制具有高去除效率的LED芯片清洗液并实现产业化，打破国外技术垄断，对促进我国LED芯片产业的发展具有十分重要的意义。
目前国外生产的LED芯片清洗液在实际使用中存在去除效率、及配线对衬底材料腐蚀严重的问题，因此，亟待开发高效率、低腐蚀的LED芯片清洗液。
发明内容
本发明是为了解决现有技术中LED芯片清洗剂存在去除效率低、腐蚀严重等问题，提供一种制备方法简单、成本低、清洗效率高、对衬底材料及配线腐蚀率低的LED芯片清洗液。
本发明的技术解决方案是：一种LED芯片清洗液，其特征在于由异构脂肪醇聚氧乙烯醚、有机胺、有机酰胺溶剂、醇醚溶剂、含氮羧酸类螯合剂、芳基羧酸及纯水组成，各原料的质量百分比为：
Figure BSA00000709878300011
Figure BSA00000709878300021
所述的异构脂肪醇聚氧乙烯醚的分子通式为CnH2n+1O(C2H4O)xH，n＝9～18，x＝5～20，优选n为10-13，x为7-13的异构脂肪醇聚氧乙烯醚的一种或几种。
所述的有机胺选自二乙胺、三乙胺、乙二胺、单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、异丙醇胺、二异丙醇胺或三异丙醇胺中的一种或几种。
所述的有机酰胺溶剂选自N-甲基吡咯烷酮、N，N-二甲基甲酰胺或N，N-二甲基乙酰胺中的一种或几种。
所述的醇醚溶剂选自乙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚、乙二醇单丁醚、乙二醇单苯醚、二乙二醇单丁醚、二乙二醇单乙醚、二丙二醇单甲醚或二丙二醇单乙醚中的一种或几种。
所述的含氮羧酸类螯合剂选自乙二胺四乙酸、二亚乙基三胺五乙酸、三亚乙基四胺六乙酸、次氮基三乙酸或其铵盐或钠盐中的一种或几种。
所述的芳基羧酸选自苯甲酸、苯乙酸、2-乙基苯甲酸、3-乙基苯甲酸、2-丙基苯甲酸、2-乙基苯乙酸、2-丙基苯乙酸或2，4-二乙基苯乙酸中的一种或几种。
所述的纯水是经过离子交换树脂过滤的水，其电阻至少是18MΩ。
本发明同现有技术相比，具有以下优点：
1.本发明含有的异构脂肪醇聚氧乙烯醚表面活性剂，能降低清洗剂的表面张力，可以快速润湿芯片表面，剥离掉表面污染物。
2.本发明含有的有机酰胺溶剂和醇醚溶剂，能够有效去除吸附在芯片片表面的有机污染物。
3.本发明含有的芳基羧酸，能有效降低减少芯片表面腐蚀；
具体实施方式
各原料在其质量范围内选择，总质量为100％。
清洗液制备方法：在机械搅拌作用下，常温条件下将各原料按比例混合均匀，得到LED芯片清洗液。
具体清洗方法为：
第一步：用去离子水将本发明清洗液配制成10％的清洗液放入清洗槽中，再将放有LED芯片的盒子浸泡其中，超声波作用下，70℃清洗5-10分钟；
第二步：用去离子水将本发明清洗液配制成5％的清洗液放入清洗槽中，再将放有LED芯片的盒子浸泡其中，超声波作用下，70℃清洗5-10分钟；
第三步：将去离子水放入第三槽中，将第二槽中的LED芯片盒取出放入第三槽，40℃超声漂洗3-5分钟；
第四步：将去离子水放入第四槽中，将第三槽中的LED芯片盒取出放入第四槽，40℃超声漂洗3-5分钟；
第五步：用热风进行烘干，时间为3-5分钟。
LED清洗后用400倍的显微镜观察表面污染物和腐蚀情况。
实施例1：
原料及重量百分比如下：异构脂肪醇聚氧乙烯醚C10H21O(C2H4O)7H 15％、单乙醇胺10％、N-甲基吡咯烷酮20％、乙二醇单丁醚15％、乙二胺四乙酸2％、苯甲酸0.05％、纯水余量。
清洗方法采用上述方式，与现有的清洗液比较，清洗LED芯片上的表面污染物后，在芯片表面没有残留，清洗效率高，对衬底材料和金属配线的腐蚀率很小。
实施例2：
原料及重量百分比如下：异构脂肪醇聚氧乙烯醚C10H21O(C2H4O)17H 5％、二乙醇胺10％、N-甲基吡咯烷酮5％、乙二醇单乙醚10％、乙二胺四乙酸钠盐1％、2-乙基苯甲酸1％、纯水余量。
清洗方法及清洗效果同实施例1。
实施例3：
原料及重量百分比如下：异构脂肪醇聚氧乙烯醚C10H21O(C2H4O)7H 1％、三乙胺10％、N，N-二甲基甲酰胺20％、二乙二醇单丁醚10％、次氮基三乙酸钠盐1％、3-乙基苯甲酸0.05％、纯水余量。
清洗方法及清洗效果同实施例1。
实施例4：
原料及重量百分比如下：异构脂肪醇聚氧乙烯醚C10H21O(C2H4O)13H 5％、二乙醇胺5％、N-甲基吡咯烷酮5％、二乙二醇单乙醚、10％、三亚乙基四胺六乙酸0.5％、2-丙基苯甲酸1％、纯水余量。
清洗方法及清洗效果同实施例1。
实施例5：
原料及重量百分比如下：异构脂肪醇聚氧乙烯醚C13H27O(C2H4O)10H 1％、异丙醇胺15％、N，N-二甲基甲酰胺15％、二丙二醇单甲醚10％、次氮基三乙酸1％、3-乙基苯甲酸0.05％、纯水余量。
清洗方法及清洗效果同实施例1。
实施例6：
原料及重量百分比如下：异构脂肪醇聚氧乙烯醚C13H27O(C2H4O)10H 5％、二乙醇胺10％、N-甲基吡咯烷酮5％、乙二醇单乙醚10％、二亚乙基三胺五乙酸1％、苯甲酸1％、纯水余量。
清洗方法及清洗效果同实施例1。
实施例7：
原料及重量百分比如下：异构脂肪醇聚氧乙烯醚C13H27O(C2H4O)10H 15％、二乙醇胺5％、N-甲基吡咯烷酮6％、乙二醇单乙醚5％、次氮基三乙酸钠盐1％、3-乙基苯甲酸0.05％、纯水余量。
清洗方法及清洗效果同实施例1。
实施例8：
原料及重量百分比如下：异构脂肪醇聚氧乙烯醚C13H27O(C2H4O)13H 15％、单乙醇胺15％、N，N-二甲基甲酰胺15％、二乙二醇单丁醚10％、三亚乙基四胺六乙酸1％、2-乙基苯乙酸0.05％、纯水余量。
清洗方法及清洗效果同实施例1。
实施例9：
原料及重量百分比如下：异构脂肪醇聚氧乙烯醚C12H25O(C2H4O)7H 8％、单乙醇胺10％、N，N-二甲基甲酰胺10％、二丙二醇单甲醚10％、次氮基三乙酸钠盐1％、苯甲酸1％、纯水余量。
清洗方法及清洗效果同实施例1。
实施例10：
原料及重量百分比如下：异构脂肪醇聚氧乙烯醚C12H25O(C2H4O)7H 1％、二乙醇胺20％、N，N-二甲基乙酰胺10％、乙二醇单苯醚10％、次氮基三乙酸钠盐0.5％、3-乙基苯甲酸0.1％、纯水余量。
清洗方法及清洗效果同实施例1。
实施例11：
原料及重量百分比如下：异构脂肪醇聚氧乙烯醚C12H25O(C2H4O)7H 15％、异丙醇胺10％、N，N-二甲基甲酰胺10％、二丙二醇单甲醚10％、次氮基三乙酸0.5％、2-丙基苯乙酸0.1％、纯水余量。
清洗方法及清洗效果同实施例1。

Claims (7)

1.一种LED芯片清洗液，其特征在于所述清洗液由异构脂肪醇聚氧乙烯醚、有机胺、有机酰胺溶剂、醇醚溶剂、含氮羧酸类螯合剂、芳基羧酸及纯水组成，各原料的质量百分比为：
Figure FSA00000709878200011
2.根据权利要求1所述的LED芯片清洗液，其特征在于所述的异构脂肪醇聚氧乙烯醚选自CnH2n+1O(C2H4O)xH中的一种或几种，n＝9～18，χ＝5～20，优选n为10-13，χ为7-13。
3.根据权利要求1所述的LED芯片清洗液，其特征在于所述的有机胺选自二乙胺、三乙胺、乙二胺、单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、异丙醇胺、二异丙醇胺或三异丙醇胺中的一种或几种。
4.根据权利要求1所述的LED芯片清洗液，其特征在于所述的有机酰胺溶剂选自N-甲基吡咯烷酮、N，N-二甲基甲酰胺或N，N-二甲基乙酰胺中的一种或几种。
5.根据权利要求1所述的LED芯片清洗液，其特征在于所述的醇醚溶剂选自乙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚、乙二醇单丁醚、乙二醇单苯醚、二乙二醇单丁醚、二乙二醇单乙醚、二丙二醇单甲醚或二丙二醇单乙醚中的一种或几种。
6.根据权利要求1所述的LED芯片清洗液，其特征在于所述的含氮羧酸类螯合剂选自乙二胺四乙酸、二亚乙基三胺五乙酸、三亚乙基四胺六乙酸、次氮基三乙酸或其铵盐或钠盐中的一种或几种。
7.根据权利要求1所述的LED芯片清洗液，其特征在于所述的芳基羧酸选自苯甲酸、苯乙酸、2-乙基苯甲酸、3-乙基苯甲酸、2-丙基苯甲酸、2-乙基苯乙酸、2-丙基苯乙酸或2，4-二乙基苯乙酸中的一种或几种。
CN 201210131284 2012-05-02 2012-05-02 Led芯片清洗液 Active CN102660393B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 201210131284 CN102660393B (zh) 2012-05-02 2012-05-02 Led芯片清洗液

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 201210131284 CN102660393B (zh) 2012-05-02 2012-05-02 Led芯片清洗液

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102660393A true CN102660393A (zh) 2012-09-12
CN102660393B CN102660393B (zh) 2013-07-24

Family

ID=46769976

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN 201210131284 Active CN102660393B (zh) 2012-05-02 2012-05-02 Led芯片清洗液

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102660393B (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103160398A (zh) * 2013-04-03 2013-06-19 东莞市剑鑫电子材料有限公司 一种红胶清洗剂
CN104450308A (zh) * 2014-12-11 2015-03-25 江门市江海区奥琪化工科技有限公司 一种led防火型清洗剂及其制备方法
CN105542990A (zh) * 2016-01-29 2016-05-04 苏州佳亿达电器有限公司 一种水基led芯片清洗剂
CN105779151A (zh) * 2016-04-06 2016-07-20 北京保利世达科技有限公司 一种去蜡清洗液及其制备方法与应用
CN106085647A (zh) * 2016-06-07 2016-11-09 中山市浩科化工科技有限公司 一种电子芯片专用清洗剂
CN106085622A (zh) * 2016-05-31 2016-11-09 安徽福恩光电科技有限公司 一种led芯片清洗液
CN106350296A (zh) * 2016-08-25 2017-01-25 大连奥首科技有限公司 一种高效环保led芯片清洗剂及使用方法
CN112266832A (zh) * 2020-09-21 2021-01-26 江苏奥首材料科技有限公司 一种半导体芯片清洗剂及制备方法与应用

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1151434A (zh) * 1995-12-05 1997-06-11 浏阳市七宝山铜锌矿精细化工厂 一种果蔬残留农药清洗剂
CN101440332A (zh) * 2008-12-30 2009-05-27 潘惠凯 一种环保高效水基型线路板清洗剂及其制备方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1151434A (zh) * 1995-12-05 1997-06-11 浏阳市七宝山铜锌矿精细化工厂 一种果蔬残留农药清洗剂
CN101440332A (zh) * 2008-12-30 2009-05-27 潘惠凯 一种环保高效水基型线路板清洗剂及其制备方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
肖潇: "工业清洗剂的研究现状与发展趋势", 《清洗世界》, vol. 27, no. 7, 31 July 2011 (2011-07-31), pages 22 - 28 *

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103160398A (zh) * 2013-04-03 2013-06-19 东莞市剑鑫电子材料有限公司 一种红胶清洗剂
CN103160398B (zh) * 2013-04-03 2014-08-06 东莞市剑鑫电子材料有限公司 一种红胶清洗剂
CN104450308A (zh) * 2014-12-11 2015-03-25 江门市江海区奥琪化工科技有限公司 一种led防火型清洗剂及其制备方法
CN105542990A (zh) * 2016-01-29 2016-05-04 苏州佳亿达电器有限公司 一种水基led芯片清洗剂
CN105779151A (zh) * 2016-04-06 2016-07-20 北京保利世达科技有限公司 一种去蜡清洗液及其制备方法与应用
CN106085622A (zh) * 2016-05-31 2016-11-09 安徽福恩光电科技有限公司 一种led芯片清洗液
CN106085647A (zh) * 2016-06-07 2016-11-09 中山市浩科化工科技有限公司 一种电子芯片专用清洗剂
CN106085647B (zh) * 2016-06-07 2018-08-17 中山市浩科化工科技有限公司 一种电子芯片专用清洗剂
CN106350296A (zh) * 2016-08-25 2017-01-25 大连奥首科技有限公司 一种高效环保led芯片清洗剂及使用方法
CN106350296B (zh) * 2016-08-25 2018-10-23 大连奥首科技有限公司 一种高效环保led芯片清洗剂及使用方法
CN112266832A (zh) * 2020-09-21 2021-01-26 江苏奥首材料科技有限公司 一种半导体芯片清洗剂及制备方法与应用
CN112266832B (zh) * 2020-09-21 2021-08-24 江苏奥首材料科技有限公司 一种半导体芯片清洗剂及制备方法与应用

Also Published As

Publication number Publication date
CN102660393B (zh) 2013-07-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102660393B (zh) Led芯片清洗液
JP5428859B2 (ja) 鉛フリーハンダフラックス除去用洗浄剤組成物、および鉛フリーハンダフラックスの除去方法
CN1947869A (zh) 一种硅料清洁方法
CN105039006B (zh) 一种用于太阳能级硅片的清洗剂及其制备方法
CN102010797B (zh) 硅料清洗剂及硅料清洗的方法
CN101295144A (zh) 光刻胶剥离液
CN102304444A (zh) 环保型太阳能级硅片水基清洗剂
CN102796625A (zh) 一种光学玻璃镀膜前的水基清洗剂
CN102296001B (zh) 一种平板显示用清洗液及其制备方法
CN106675811A (zh) 一种硅片清洗剂
CN106350296A (zh) 一种高效环保led芯片清洗剂及使用方法
CN101892489A (zh) 脱硫系统烟气换热器表面烟尘积垢清洗剂及其制备方法
CN101289641A (zh) 晶圆抛光用清洗剂
CN101561641A (zh) 一种等离子刻蚀残留物清洗液
CN101255386B (zh) 半导体硅片化学机械抛光用清洗液
CN101685273B (zh) 一种去除光阻层残留物的清洗液
CN105256320A (zh) 一种多晶硅设备的化学络合清洗方法
JP2012246474A (ja) 平板表示装置用洗浄剤組成物
CN106190615A (zh) 半导体硅片清洗液及生产方法
CN103242985B (zh) 一种有机发光微型显示器抗反射层清洗工艺
CN104238288A (zh) 一种用于去除光阻残留物的清洗液
CN103809393A (zh) 一种去除光阻残留物的清洗液
CN103014744B (zh) 一种工业用金属板清洗方法
CN106964593B (zh) 一种led灯硅片电路板的清洗方法
CN107300839B (zh) 一种含氟等离子刻蚀残留物清洗液、其制备方法和应用

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CP03 Change of name, title or address

Address after: No. 39, Vanward Road, bxi new area, Changshou City, Jiangsu

Patentee after: Jiangsu Austrian Mstar Technology Ltd

Address before: 215513 Jiangsu Changshou City Changshu economic and Technological Development Zone, Chuang Chuang yuan Research Institute 9

Patentee before: Changshu Aoshou Photoelectric Materials Co., Ltd.

CP03 Change of name, title or address
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20220107

Address after: 324012 No. 36, Dujuan Road, Quzhou City, Zhejiang Province

Patentee after: Zhejiang aoshou Material Technology Co.,Ltd.

Address before: No. 39, Vanward Road, bxi new area, Changshou City, Jiangsu

Patentee before: Jiangsu Austrian Mstar Technology Ltd.

TR01 Transfer of patent right