CN102649330A - 接合用层压体及接合体 - Google Patents

接合用层压体及接合体 Download PDF

Info

Publication number
CN102649330A
CN102649330A CN2012100407146A CN201210040714A CN102649330A CN 102649330 A CN102649330 A CN 102649330A CN 2012100407146 A CN2012100407146 A CN 2012100407146A CN 201210040714 A CN201210040714 A CN 201210040714A CN 102649330 A CN102649330 A CN 102649330A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
metal nanoparticle
sintered body
metal
nanoparticle sintered
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2012100407146A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102649330B (zh
Inventor
山崎和彦
马渡芙弓
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Materials Corp
Original Assignee
Mitsubishi Materials Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Materials Corp filed Critical Mitsubishi Materials Corp
Publication of CN102649330A publication Critical patent/CN102649330A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102649330B publication Critical patent/CN102649330B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B15/08—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8384—Sintering
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)

Abstract

本发明一实施方式的接合用层压体(1)具备金属纳米粒子烧结体层(11)和含有金属粒子或金属氧化物粒子的接合层(12)。在形成金属纳米粒子烧结体层(11)时，通过使用将金属粒子与溶剂作为主要成分的金属浆料等，使制造工序简便，可大幅改善运行成本，能够用于LED元件等的制造中。

Description

接合用层压体及接合体
技术领域
本发明涉及用于接合一对被接合体的接合用层压体及包含该接合用层压体的接合体。该接合用层压体和接合体特别适用于发光元件、太阳能电池。
背景技术
近年来，发光元件、其中的LED光源伴随高亮度化等，利用于各种领域中。特别是由于能够实现白色LED光源，因此被用于照明器具、液晶显示器的背光等用途中。
为了进一步提高LED光源的亮度等，对更有效地利用来自LED元件的发光进行了研究，公开了具有支撑基板、搭载在该支撑基板上的LED元件和含荧光剂的密封剂，在基板与LED元件之间具备反射LED元件的发光的镀Ag电极膜，在该镀Ag电极膜上具有钛薄膜的LED光源(专利文献1)。
该LED光源中，通过在支撑基板与LED元件之间设置导电性反射膜层，有效地反射来自发光体的光而增加发光强度。上述Ag薄膜和钛薄膜通过电镀法或溅射法等真空成膜法形成。
但是，对于电镀法，能预想到烦杂的工序、废液的产生，对于真空成膜法，则为了维护和运转大型的真空成膜装置，需要很大的成本。在上述LED光源中，由于仅有镀Ag电极膜，会产生热劣化、光劣化，因此需要钛薄膜，并需要并用电镀法和真空成膜法。
此外，在LED光源中，需要使基板与LED元件接合的结构，通常多使用金属浆料、焊料等进行接合。特别是，通过使用Au-Sn合金焊料等时能得到良好的放热特性(专利文献2)。
但是，在该方法中，为了防止LED元件电极的“焊料侵蚀”(solder leach)，且为了防止来自电极的金属的扩散，有必要通过电镀法或真空成膜法设置Ni、Ti等多个接合层，存在需要很大的成膜成本的缺点。而且，用于防止该焊料侵蚀的接合层在使用Au-Sn合金焊料以外的无铅焊料等的情况下也是必要的。
进一步地，有时在LED元件的背面使用现有的溅射法或真空成膜法，设置具有由多层透明膜构成的增反射结构的反射膜，并且设置放热特性高的金属接合结构时，由于所述透明膜与接合用的金属膜之间的接合不良，还存在不易提高密合性的问题。
而且，通过Au-Sn合金焊料进行的接合，由于通常在270～400℃、多数情况下在300～350℃的高温下进行，因此从抑制LED元件的劣化以及削减制造时的能量的观点考虑，要求在更低温下的接合。
专利文献1：日本特开2009-231568号公报
专利文献2：日本特开2008-10545号公报
发明内容
本发明的目的在于，提供替代通过电镀法或真空成膜法等成膜的昂贵的Ni接合层，使用以金属粒子与溶剂作为主要成分的金属浆料等，从而使制造工序简便，可以大幅改善运行成本，且可在低温下接合的接合用层压体，以及包含该接合用层压体的能够用于LED元件等发光元件的接合体。该接合用层压体还可以用于其它用途的接合体，特别是对于作为使用反射膜的太阳能电池使用的接合体也适合。
本发明涉及通过以下所示的技术方案解决上述课题的接合用层压体和接合体。
(1)一种接合用层压体，其中，具备：金属纳米粒子烧结体层；和接合层，层压在该金属纳米粒子烧结体层之上，含有金属粒子或金属氧化物粒子。
(2)根据上述(1)所述的接合用层压体，所述金属纳米粒子烧结体层在与所述接合层相反侧的面具备透明层。
(3)根据上述(1)或(2)所述的接合用层压体，在所述金属纳米粒子烧结体层与所述接合层之间还具备粘合剂层。
(4)根据上述(1)～(3)的任意一项所述的接合用层压体，所述金属纳米粒子烧结体层含有75质量％以上的银，且含有选自金、铜、锡、锌、钼和锰中的至少一种。
(5)根据上述(1)～(4)的任意一项所述的接合用层压体，所述金属纳米粒子烧结体层含有粘合剂。
(6)根据上述(1)～(5)的任意一项所述的接合用层压体，所述金属纳米粒子烧结体层的厚度为0.01μm～0.5μm。
(7)根据上述(1)～(6)的任意一项所述的接合用层压体，所述各层在利用湿式涂布法成膜后，在130℃～250℃下烧成而得到。
(8)根据上述(3)～(7)的任意一项所述的接合用层压体，所述透明层和所述粘合剂层包含通过加热固化的聚合物型粘合剂和非聚合物型粘合剂中的至少一种。
(9)根据上述(7)或(8)所述的接合用层压体，所述湿式涂布法为喷涂法、点胶机涂布法(デイスペンサ一コ一テイング法)、旋涂法、刮涂法、狭缝涂布法、喷墨涂布法、网版印刷法、胶版印刷法、转印法或铸模涂布法中的任意一种。
(10)一种接合体，其中，依次具备第一被接合体、上述(1)～(9)的任意一项所述的接合用层压体和第二被接合体。
(11)根据上述(10)所述的接合体，所述第一被接合体为能发光或能进行光电转换的元件，所述金属纳米粒子烧结体层能反射来自所述第一被接合体的光，所述第二被接合体为基板。
(12)根据上述(11)所述的接合体，所述第一被接合体为能发光的元件，被用作发光源。
(13)根据上述(11)所述的接合体，所述第一被接合体为能进行光电转换的元件，被用作太阳能电池。
根据本发明的方案(1)，可在低温下对被接合体进行接合，且得到高的接合可靠性。此外，成膜层的层数少，无需昂贵的成膜装置，可以实现大幅的低成本化。此外，本发明的方案(2)的透明层，与电镀法或真空成膜法相比，由于透明层中可以使用的材料的自由度高，因此可以任意地设定透明层的折射率，可以控制金属纳米粒子烧结体层带来的增反射效果。
根据本发明的方案(10)，可以容易地提供可在低温下对被接合体进行接合，且得到高的接合可靠性的接合体。此外，根据本发明的方案(12)，可以提供LED元件发出的光的利用效率高的发光源，根据本发明的方案(13)，可以提供光电转换效率高的太阳能电池。
附图说明
图1为本发明一实施方式的接合用层压体的剖面图。
图2为本发明的其他实施方式的包含透明层的接合用层压体的剖面图。
图3为本发明的其他实施方式的包含粘合剂层的接合用层压体的剖面图。
图4为本发明的其他实施方式的接合体的剖面图。
符号说明
1、2、3接合用层压体
4接合体
11、21、31、41金属纳米粒子烧结体层
12、22、32、42接合层
23、43透明层
34、44粘合剂层
45第一被接合体
46第二被接合体
具体实施方式
以下基于实施方式对本发明进行具体的说明。而且，若不特别限定，且除了数值固有的情况之外，“％”为“质量％”。
[接合用层压体]
本实施方式的接合用层压体具备金属纳米粒子烧结体层，和直接或间接层压在该金属纳米粒子烧结体层上的、含有金属粒子或金属氧化物粒子的接合层。以下依次对金属纳米粒子烧结体层、接合层进行说明。
《金属纳米粒子烧结体层》
金属纳米粒子烧结体层对接合层赋予导电性、反射性和密合性。金属纳米粒子烧结体层可以通过以下方法形成。将金属纳米粒子烧结体层用组合物利用湿式涂布法形成膜，干燥之后进行烧成。通过以上可以形成金属纳米粒子烧结体层。
优选金属纳米粒子烧结体层含有75质量％以上的银，且含有选自金、铂、钯、钌、镍、铜、锡、铟、锌、铁、铬、钼和锰中的至少一种的第二金属。若为上述组成，则具有优异的导电性、反射性。上述第二金属更优选为选自金、铜、锡、锌、钼和锰中的至少一种。特别优选为锡。
上述金属纳米粒子烧结体层中，邻接的金属纳米粒子相互扩散而粒子生长，粒子生长的粒子之间成为残留有孔隙的状态。由此，通过使用纳米粒子，可形成致密的膜。
从导电性的观点考虑，上述金属纳米粒子烧结体层的厚度优选为0.01～0.5μm。更优选的厚度为0.05～0.2μm。
上述金属纳米粒子烧结体层的孔隙率优选为1～20vol％，更优选1～10vol％。若为该范围，无论是否能在低温下形成，都可得到良好的导电性和反射率。
上述金属纳米粒子烧结体层用组合物含有金属纳米粒子，优选含有75质量％以上的上述金属纳米粒子、更优选含有80质量％以上的银纳米粒子。相对于金属纳米粒子烧结体层100质量％，优选银纳米粒子的含量为75质量％以上的理由是，银纳米粒子的含量小于75质量％时，使用该组合物形成的电极的导电率、反射率降低。
上述金属纳米粒子烧结体层用组合物中的金属纳米粒子优选被碳骨架是碳原子数1～3的有机分子主链的保护剂进行化学修饰。此时，为了形成金属纳米粒子烧结体层，在基材上涂布金属纳米粒子烧结体层用组合物之后进行烧结，则对金属纳米粒子的表面进行了保护的保护剂中的有机分子脱离或分解，或者脱离并分解。由此，是为了容易得到实质上不含有对电极的导电性和反射率有不良影响的有机物残渣，以金属作为主要成分的电极。对金属纳米粒子进行化学修饰的保护剂的有机分子主链的碳骨架的碳原子数设为1～3是因为，当碳原子数为4以上时，由于烧成时的热，保护剂不易脱离或分解(分离、燃烧)，在金属纳米粒子烧结体层内易残留大量的对金属纳米粒子烧结体层的导电性和反射率有不良影响的有机残渣。
进一步地，保护剂、即对金属纳米粒子表面进行化学修饰的保护分子更优选含有羟基(-OH)或羰基(-C＝O)中的任意一方或双方。羟基(-OH)若含有在对银纳米粒子等金属纳米粒子进行化学修饰的保护剂中，则组合物的分散稳定性优异，对涂膜的低温烧结也具有有效的作用，羰基(-C＝O)若含有在对银纳米粒子等金属纳米粒子进行化学修饰的保护剂中，则金属纳米粒子烧结体层用组合物的分散稳定性优异，对金属纳米粒子烧结体层的低温烧结也具有有效的作用。
关于上述金属纳米粒子烧结体层用组合物中的金属纳米粒子，优选将一次粒径10～50nm范围内的金属纳米粒子以数平均计含有70％以上，更优选含有75％以上。相对于全部金属纳米粒子100％，一次粒径为10～50nm范围内的金属纳米粒子的含量以数平均计优选为70％以上的理由如下。上述含量小于70％时，金属纳米粒子的比表面积增大，保护剂所占的比率增大，因此保护剂即使为由于烧成时的热而易脱离或分离(分离、燃烧)的有机分子，也在电极内残留大量的来自保护材的有机残渣。若该有机残渣变质或劣化，有可能电极的导电性和反射率降低。另外，金属纳米粒子的粒度分布过宽时，电极密度易降低，电极的导电性和反射率易降低。上述金属纳米粒子的一次粒径优选为10～50nm范围内是因为金属纳米粒子的经时稳定性(経年安定性)良好。在此，一次粒径通过利用堀场制作所制LB-550的动态光散射法来测定。以下，除了特别记载的情况，平均粒径为用同样地方法测定的平均粒径。
对于上述第二金属的金属纳米粒子，相对于包括银在内的全部金属纳米粒子100质量％，优选为0.02质量％以上且小于25质量％，更优选为0.03质量％～20质量％。相对于全部金属纳米粒子100质量％，优选上述第二金属的含量为0.02质量％以上且小于25质量％是因为，耐气候试验(温度100℃且湿度50％的恒温恒湿槽中保持1000小时的试验)后的金属纳米粒子烧结体层的导电性和反射率与耐气候试验前相比不会恶化。上述值为25质量％以上时，刚烧成后的金属纳米粒子烧结体层的导电性和反射率降低，而且耐气候试验后的金属纳米粒子烧结体层的导电性和反射率与耐气候试验前相比降低。
金属纳米粒子烧结体层用组合物可以进一步含有选自金属氧化物、金属氢氧化物、有机金属化合物和硅油中的一种或两种以上的添加物。通过金属纳米粒子烧结体层用组合物含有上述一种或两种以上的添加物，由于能进而抑制金属纳米粒子间的烧结引起的粒子生长，因此可以制作符合目的的表面形状。添加物的添加比率相对于金属纳米粒子烧结体层用组合物100质量％，优选为0.1～20质量％的范围内。其中，更优选为1～5质量％的范围内。
作为用作添加物的金属氧化物，优选为含有选自铝、硅、钛、铬、锰、铁、钴、镍、银、铜、锌、钼、锡、铟和锑中的至少一种的氧化物或复合氧化物。复合氧化物具体指的是，氧化铟-氧化锡类复合氧化物(Indium TinOxide：ITO)、氧化锑-氧化锡类复合氧化物(Antimony Tin Oxide：ATO)、氧化铟-氧化锌类复合氧化物(Indium Zinc Oxide：IZO)等。
作为用作添加物的金属氢氧化物，优选为含有选自铝、硅、钛、铬、锰、铁、钴、镍、银、铜、锌、钼、锡、铟和锑中的至少一种的氢氧化物。
作为用作添加物的有机金属化合物，优选为硅、钛、铬、锰、铁、钴、镍、银、铜、锌、钼和锡的金属皂、金属配合物或金属醇盐。例如，作为金属皂，可以举出乙酸铬、甲酸锰、柠檬酸铁、甲酸钴、乙酸镍、柠檬酸银、乙酸铜、柠檬酸铜、乙酸锡、乙酸锌、草酸锌、乙酸钼等。作为金属配合物，可以举出乙酰丙酮锌配合物、乙酰丙酮铬配合物、乙酰丙酮镍配合物等。作为金属醇盐，可以举出异丙醇钛、硅酸甲酯、异氰酸丙基三甲氧基硅烷、氨基丙基三甲氧基硅烷等。
作为用作添加物的硅油，可以使用纯硅油(Straight silicone oil)和改性硅油中的双方。作为改性硅油，可以进而使用在聚硅氧烷的侧链的一部分导入有机基团的硅油(侧链型)、在聚硅氧烷的两末端导入有机基团的硅油(两末端型)、在聚硅氧烷的两末端中的任意一方导入有机基团的硅油(单末端型)以及在聚硅氧烷的侧链的一部分和两末端导入有机基团的硅油(侧链两末端型)。改性硅油中有反应性硅油和非反应性硅油，可以同时使用该两种种类。而且，反应性硅油表示氨基改性硅油、环氧基改性硅油、羧基改性硅油、甲醇改性硅油、巯基改性硅油和异种官能团改性(环氧基、氨基、聚醚基)硅油，非反应性硅油表示聚醚改性硅油、甲基苯乙烯基改性硅油、烷基改性硅油、高级脂肪酸酯改性硅油、氟改性硅油和亲水特殊改性硅油。
金属纳米粒子烧结体层用组合物中的金属纳米粒子的含量相对于包含金属纳米粒子和分散介质的分散体100质量％，优选含有2.5～95.0质量％，更优选含有3.5～90.0质量％。相对于包含金属纳米粒子和分散介质的分散体100质量％，金属纳米粒子的含量小于2.5质量％时，对烧成后的电极的特性没有特别影响，但是不易得到所需厚度的电极。另一方面，超过95.0质量％时，在组合物的湿式涂布时丧失作为油墨或浆料的必要的流动性。
此外，关于构成金属纳米粒子烧结体层用组合物的分散介质，相对于全部分散介质100质量％，较佳地，含有1质量％以上、优选2质量％以上的水和2质量％以上、优选3质量％以上的醇类。例如，分散介质仅包含水和醇类时，含有2质量％的水时，含有98质量％的醇类，含有2质量％的醇类时，含有98质量％的水。相对于全部分散介质100质量％，水的含量小于1质量％时，通过湿式涂布法涂布组合物得到的膜不易在低温下烧结，此外，烧结后的金属纳米粒子烧结体层的导电性和反射率降低。另一方面，相对于全部分散介质100质量％，醇类的含量小于2质量％时，与上述同样地，通过湿式涂布法涂布组合物得到的膜不易在低温下烧结，此外，烧成后的电极的导电性和反射率降低。作为分散介质中使用的醇类，优选使用选自甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、乙二醇、丙二醇、二甘醇、甘油、异冰片基环己醇和赤藓醇中的一种或两种以上。
醇类的添加是为了改善与基材的润湿性，可以对应于基材的种类自由地改变水与醇类的混合比率。
上述金属纳米粒子烧结体层用组合物可以通过涂料搅拌器、球磨机、砂磨机、离心式研磨机、三辊磨等根据常用方法混合期望的成分，并分散金属纳米粒子等来制造。当然，也可以通过通常的搅拌操作来制造。
将金属纳米粒子烧结体层用组合物形成膜的湿式涂布法优选为喷涂法、点胶机涂布法、旋涂法、刮涂法、狭缝涂布法、喷墨涂布法、网版印刷法、胶版印刷法、转印法或铸模涂布法中的任意一种，但不限定于此，可利用所有的方法。
喷涂法是通过压缩空气使金属纳米粒子烧结体层用组合物成雾状并涂布于基材上或者对分散体本身进行加压而成雾状并涂布于基材上的方法。点胶机涂布法是例如通过将金属纳米粒子烧结体层用组合物注入至注射器中并按压该注射器的活塞来从注射器前端的微细喷嘴吐出分散体，涂布于基材上的方法。旋涂法是向旋转的基材上滴下金属纳米粒子烧结体层用组合物，通过其离心力向基材周边扩展该滴下的金属纳米粒子烧结体层用组合物的方法。刮涂法是在水平方向上可移动地设置与刮刀的前端隔开规定间隙的基材，向比该刮刀更靠近上游侧的基材上供给金属纳米粒子烧结体层用组合物，使基材朝向下游侧水平移动的方法。狭缝涂布法是使金属纳米粒子烧结体层用组合物从狭窄的狭缝流出并涂布于基材上的方法。喷墨涂布法是将金属纳米粒子烧结体层用组合物填充于市售的喷墨打印机的墨盒中，在基材上进行喷墨印刷的方法。网版印刷法是利用纱作为图案指示材料，通过在其上作成的版图像将金属纳米粒子烧结体层用组合物转移至基材的方法。胶版印刷法是不使附于版上的金属纳米粒子烧结体层用组合物直接附着于基材，而是进行一次从版至胶片的转印，并从胶片重新转移到基材上的利用金属纳米粒子烧结体层用组合物的防水性的印刷方法。铸模涂布法是通过歧管分配供给至模具内的金属纳米粒子烧结体层用组合物，通过狭缝挤出至薄膜上，对行进的基材的表面进行涂布的方法。铸模涂布法有狭槽式涂布方式或滑动式涂布方式、帘式涂布方式。转印法可举出针式转印法等。
成膜的金属纳米粒子烧结体层用组合物的涂膜的干燥温度优选为对作为被接合体的LED元件等不带来影响的温度以下，例如60℃以下。更优选为40～50℃。
干燥后的涂膜的烧成温度优选为130℃～250℃的范围。低于130℃时，在金属纳米粒子烧结体层中产生固化不充分的不良问题。此外，若超过250℃，则不会发挥所谓低温工艺的生产上的优点。即导致制造成本增大，生产率下降。并且，还因为作为被接合体的候补的LED元件、非晶硅、微晶硅或利用这些的混合型硅太阳能电池比较怕热，因烧成工序而导致转换效率下降。更优选为130～200℃。
涂膜的烧成时间优选为5～60分钟的范围。因为烧成时间低于下限值时，在金属纳米粒子烧结体层中产生烧成不充分的不良问题。若烧成时间超过上限值，则制造成本增大到必要以上且生产率下降，并且，发生LED元件的发光效率或太阳能电池单元的转换效率下降的不良问题。
《接合层》
上述接合层用于在介入上述金属纳米粒子烧结体层的状态下将被接合体之间在低温下接合。该接合层可以通过以下的方法形成。将接合层用组合物利用湿式涂布法来形成膜，干燥之后进行烧成。由此可以形成接合层。
从粘接强度、密合性的观点考虑，上述接合层的厚度优选为0.01～10μm。更优选为2～10μm。
作为接合层用组合物，可以使用金属纳米粒子基底的接合层用组合物或金属化合物基底的接合层用组合物中的任意一方或双方。以下，依次对(A)金属纳米粒子基底的接合层用组合物、(B)金属化合物基底的接合层用组合物进行说明。
(A)金属纳米粒子基底的接合层用组合物
(A)金属纳米粒子基底的接合层用组合物含有金属纳米粒子，作为构成该金属纳米粒子的金属，可以举出例如铁、镍、钴、钌、铑、钯、铱、铂等元素周期表第8族金属，钛、锆、铪等元素周期表第4A族金属，钒、铌、钽等元素周期表第5A族金属，铬、钼、钨等元素周期表第6A族元素，锰等元素周期表第7A族金属，铜、银、金等元素周期表第1B族金属，锌、镉等元素周期表第2B族金属，铝、镓、铟等元素周期表第3B族金属，锗、锡、铅等元素周期表第4B族金属，锑、铋等元素周期表第5B族金属等。作为金属纳米粒子，可以为这些金属单质、这些金属的混合物或这些金属的合金中的任意一种，但从接合强度的观点考虑，特别优选选自铁、镍、钴、钌、铑、钯、铱、铂等元素周期表第8族金属，铜、银、金等元素周期表第1B族金属中的一种或两种以上。可以根据接合温度、接合强度等从这些金属或合金中适当选择。例如用于低温接合时，优选银。金属纳米粒子可以单独或组合两种以上来使用。
金属纳米粒子为纳米级尺寸。例如，金属纳米粒子的平均粒径(平均一次粒径)优选为1～100nm，更优选为1.5～80nm，进一步优选为2～70nm，特别优选为3～50nm，通常使用1～40nm(例如2～30nm)左右的金属纳米粒子。
金属纳米粒子被保护胶体覆盖时，室温下的分散性、保存稳定性良好，因此优选，作为该保护胶体，可以举出有机化合物、高分子分散剂。
作为用作保护胶体的有机化合物，优选具有1～3个羧基的有机化合物，更优选为单羧酸、多元羧酸、羟基羧酸等羧酸。
作为用作保护胶体的高分子分散剂，可以举出含有由亲水性单体构成的亲水性单元(或亲水性嵌段)的树脂(或水溶性树脂、水分散性树脂)。作为亲水性单体，可以举出例如含有羧基或酸酐基的单体(丙烯酸、甲基丙烯酸等(甲基)丙烯酸类单体，马来酸等不饱和多元羧酸，马来酸酐等)、含有羟基的单体((甲基)丙烯酸2-羟基乙酯等(甲基)丙烯酸羟基烷基酯、乙烯基苯酚等)等的加聚类单体，烯化氧(环氧乙烷等)等缩合类单体等。
金属纳米粒子基底的接合层用组合物若含有分散介质，则从易通过湿式涂布法涂布的观点考虑优选。作为分散介质，只要为通过与金属纳米粒子、保护胶体组合而产生充分粘度的溶剂则不特别限定，可以使用通用的溶剂。作为溶剂，可以举出水、醇类。分散介质的比率可以根据湿式涂布法中的涂布容易性等适当选择。
金属纳米粒子相对于金属纳米粒子基底的接合层用组合物中的全部固体成分的比率，可以根据湿式涂布法中的涂布容易性、金属纳米粒子的烧结密度等适当选择，作为一例，优选为70～99质量％，更优选为85～99质量％，进一步优选为90～99质量％。
保护胶体的比率可以通过金属纳米粒子的分散性等适当选择，例如，相对于金属纳米粒子100质量份，保护胶体的比率优选为0.5～20质量份，更优选为1～15质量份。有机化合物与高分子分散剂的比率也可以根据金属纳米粒子的分散性等适当选择。
金属纳米粒子基底的接合层用组合物可以将利用公知的方法制备的金属纳米粒子等与金属纳米粒子烧结体层用组合物同样地分散而制备。
(B)金属化合物基底的接合层用组合物
接着，(B)金属化合物基底的接合层用组合物含有金属化合物。作为金属化合物，可以举出金属氧化物、金属氢氧化物、金属硫化物、金属碳化物、金属氮化物、金属硼化物等。作为构成金属化合物的金属，与构成上述(A)金属纳米粒子基底的金属的情况相同。这些金属化合物可以单独使用或组合两种以上来使用。构成金属化合物的金属优选为至少含有银等贵金属(特别是元素周期表第1B族金属)的金属(金属单质及金属合金)，特别优选为贵金属单质(例如银单质等)。以下，对银化合物的情况进行说明。
作为银化合物，可以举出氧化亚银、氧化银、碳酸银、乙酸银、乙酰丙酮银配合物等。这些银化合物可以单独使用或组合两种以上来使用。作为该银化合物，可以使用市售的银化合物。
银化合物的平均粒径优选为0.01～1μm，更优选为0.01～0.5μm的范围，可以根据还原反应条件、加热温度等适当选择。
金属化合物基底的接合层用组合物还含有分散介质。作为分散介质，可以使用水，乙醇、甲醇、丙醇等醇类，异佛尔酮、松油醇、三甘醇单丁醚、丁基溶纤剂乙酸酯等有机溶剂。分散介质的比率可以根据湿式涂布法中的涂布容易性等适当选择。
为了使银化合物良好地分散在分散介质中，优选加入分散剂。作为分散剂，使用羟丙基纤维素、聚乙烯基吡咯烷酮、聚乙烯醇等。其含量通常相对于银化合物100质量份为0～300质量份。
为了提高湿式涂布法中的涂布容易性，金属化合物基底的接合层用组合物还可以含有粘合剂树脂。作为粘合剂树脂，可以举出丙烯酸树脂、乙烯基树脂、聚酯树脂、聚氨酯树脂、酚醛树脂、环氧树脂等，还可以为它们的单体。
进一步地，金属化合物基底的接合层用组合物还可以含有可还原金属化合物的还原剂。作为还原剂，可以举出乙二醇、福尔马林、肼、抗坏血酸、各种醇等。
金属化合物基底的接合层用组合物可以将市售的金属化合物等通过与金属纳米粒子烧结体层用组合物同样地分散而制备。
(接合层)
将(A)金属纳米粒子基底的接合层用组合物、(B)金属化合物基底的接合层用组合物利用湿式涂布成膜的方法、干燥的方法以及烧成的方法与金属纳米粒子烧结体层用组合物相同。
《接合用层压体》
图1表示接合用层压体的剖面的示意图。由图1可知，接合用层压体1依次具备金属纳米粒子烧结体层10和接合层11。
接合用层压体若在金属纳米粒子烧结体层的与接合层的相反面具备透明层，则可以控制金属纳米粒子烧结体层带来的增反射效果，因此优选。从反射率提高的观点考虑，透明层的厚度优选为0.01～0.5μm。图2表示含有透明层的接合用层压体的剖面的示意图的一例。由图2可知，在金属纳米粒子烧结体层21上，与接合层22的相反面形成有透明层23。
另外，接合用层压体若在金属纳米粒子烧结体层与接合层之间进而具备粘合剂层，则可以提高金属纳米粒子烧结体层的粘接性，因此优选。从密合性提高的观点考虑，粘合剂层的厚度优选为0.001～1μm。图3表示含有粘合剂层的接合用层压体的剖面的示意图的一例。图3中，在金属纳米粒子烧结体层31与接合层32之间形成有粘合剂层34。
(透明层和粘合剂层)
透明层和粘合剂层通过将粘合剂组合物利用湿式涂布法成膜，干燥后进行烧成而形成。其中，透明层和粘合剂层含有粘合剂，若含有通过加热固化的聚合物型粘合剂和非聚合物型粘合剂中的至少一种，则可以通过湿式涂布法容易地制造，因此优选。
作为聚合物型粘合剂，可以举出丙烯酸树脂、聚碳酸酯、聚酯、醇酸树脂、聚氨酯、丙烯酸聚氨酯、聚苯乙烯、聚缩醛、聚酰胺、聚乙烯醇、聚乙酸乙烯酯、纤维素及硅氧烷聚合物。并且，聚合物型粘合剂优选包含选自铝、硅、钛、铬、锰、铁、钴、镍、银、铜、锌、钼和锡的金属皂、金属配合物、金属醇盐及金属醇盐的水解物中的至少一种。
作为非聚合物型粘合剂，可以举出金属皂、金属配合物、金属醇盐、烷氧基硅烷、卤代硅烷类、2-烷氧基乙醇、β-二酮及烷基乙酸酯等。并且，金属皂、金属配合物或金属醇盐中所含的金属优选为铝、硅、钛、铬、锰、铁、钴、镍、银、铜、锌、钼、锡、铟或锑，更优选为硅、钛的醇盐(例如四乙氧基硅烷、四甲氧基硅烷、丁氧基硅烷)。作为卤代硅烷类，可以举出三氯硅烷。这些聚合物型粘合剂、非聚合物型粘合剂通过加热而固化，由此可形成具有高密合性的防反射膜。
使金属醇盐固化时，优选与用于开始水解反应的水分一起含有作为催化剂的盐酸、硝酸、磷酸(H3PO4)、硫酸等酸或氨水、氢氧化钠等碱，从加热固化后催化剂容易挥发、不易残存、不残留卤素、不残留耐水性较弱的P等、固化后的密合性等观点考虑，更优选为硝酸。
粘合剂组合物中的粘合剂的含有比率相对于除分散介质之外的粘合剂组合物100质量份，优选为10～90质量份，更优选为30～80质量份。若为10质量份以上，则与透明导电膜的粘接力良好，若为90质量份以下则不易产生成膜时的膜不均。此外，作为粘合剂使用金属醇盐、作为催化剂使用硝酸时，相对于金属醇盐100质量份，若硝酸为1～10质量份，则从粘合剂的固化速度、硝酸的残存量观点考虑优选。
进一步地，若粘合剂组合物含有透明氧化物微粒，则可以调整透明层的折射率，可以控制金属纳米粒子烧结体层带来的增反射效果，因此优选。该透明氧化物微粒若为高折射率，则可以根据透明氧化物微粒的含量容易地调整烧成或固化后的透明膜的折射率，因此更优选。作为透明氧化物微粒，可以举出SiO2、TiO2、ZrO2、ITO(Indium Tin Oxide、铟锡氧化物)、ZnO、ATO(Antimony Tin Oxide、锑掺杂氧化锡)等的微粉末，从折射率的观点考虑，优选为ITO、TiO2。此外，透明氧化物微粒的平均粒径为了在分散介质中保持稳定性，优选为10～100nm的范围内，其中更优选为20～60nm的范围内。在此，平均粒径通过动态光散射法测定。而且，若预先使透明氧化物微粒分散在分散介质后，与粘合剂组合物的其它成分混合，则从透明氧化物微粒的均匀分散性的观点考虑优选。
透明氧化物微粒相对于除分散介质之外的粘合剂组合物100质量份，优选为10～90质量份，更优选为20～70质量份。若透明氧化物微粒的含量为10质量份以上，则可以期待来自透明导电膜的返光返回至透明导电膜侧的效果，若为90质量份以下，则可以维持透明层本身的强度、以及透明层与金属纳米粒子烧结体层的粘接力、透明层与被接合体的粘接力。
此外，粘合剂组合物优选根据所使用的其它成分加入偶联剂。由此，透明层的低雾度化、透明层与金属纳米粒子烧结体层的粘接力、透明层与被接合体的粘接力提高，进而在含有透明氧化物微粒时，透明氧化物微粒与透光性粘合剂的密合性也提高。作为偶联剂，可以举出硅烷偶联剂、铝偶联剂和钛偶联剂等。
作为硅烷偶联剂，可以举出乙烯基三乙氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷等。作为铝偶联剂，可以举出由下式(1)
Figure BDA0000137075130000161
所示的含有乙酰烷氧基的铝偶联剂。另外，作为钛偶联剂，可以举出下式(2)～(4)
Figure BDA0000137075130000162
所示的具有二烷基焦磷酸基的钛偶联剂，以及下式(5)
(C8H17O)4Ti[P(OC13H27)2OH]                       (5)
所示的具有二烷基磷酸基的钛偶联剂。
相对于粘合剂组合物100质量份，偶联剂优选为0.01～5质量份，更优选为0.1～2质量份。偶联剂的含量若为0.01质量份以上，则有透明层与金属纳米粒子烧结体层的粘接力、以及透明层与被接合体的粘接力提高，显著的粒子分散性的提高效果，偶联剂的含量多于5质量份时，易产生膜不均。
为了良好地成膜，粘合剂组合物为优选含有分散介质。作为分散介质，可以举出水，甲醇、乙醇、异丙醇、丁醇等醇类，丙酮、甲乙酮、环己酮、异佛尔酮等酮类，甲苯、二甲苯、己烷、环己烷等烃类，N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二甲基乙酰胺等酰胺类，二甲基亚砜等亚砜类，乙二醇等二醇类，乙基溶纤剂等乙二醇醚类等。为了得到良好的成膜性，分散介质的含量相对于粘合剂组合物100质量份优选为80～99质量份。
另外，根据所使用的成分，优选加入水溶性纤维素衍生物。水溶性纤维素衍生物为非离子化表面活性剂，即使添加少于其它表面活性剂的量，分散导电性氧化物粉末的能力也极高，另外，通过添加水溶性纤维素衍生物，还提高所形成的透明层的透明性。作为水溶性纤维素衍生物，可以举出羟丙基纤维素、羟丙甲基纤维素等。水溶性纤维素衍生物的添加量相对于粘合剂组合物100质量份优选为0.2～5质量份。
进一步地，还优选粘合剂组合物含有低电阻化剂(低抵抗化剤)。作为低电阻化剂，可以使用选自Co、Fe、In、Ni、Pb、Sn、Ti及Zn的无机酸盐和有机酸盐中的金属盐。作为无机酸盐，可以举出盐酸盐、硫酸盐、硝酸盐等，作为有机酸盐，可以举出乙酸盐、丙酸盐、丁酸盐、辛酸盐、乙酰乙酸盐、环烷酸盐、苯甲酸盐等。低电阻化剂的添加量相对于粘合剂组合物100质量份优选为0.5～10质量份。
制备粘合剂组合物的方法、将粘合剂组合物利用湿式涂布法成膜的方法、干燥的方法以及烧成的方法与金属纳米粒子烧结体层用组合物相同。
而且，金属纳米粒子烧结体层具有空孔的情况下，在金属纳米粒子烧结体层上涂布粘合剂组合物时，粘合剂组合物渗透到金属纳米粒子烧结体层的空孔中，粘合剂组合物固化后，金属纳米粒子烧结体层含有粘合剂。含有该粘合剂的金属纳米粒子烧结体层由于提高金属纳米粒子烧结体层本身的机械性强度、金属纳米粒子烧结体层的接合强度，所以优选。
[接合体]
本发明的接合体依次具备第一被接合体、上述接合用层压体和第二被接合体。
图4表示本发明的接合体的剖面的示意图的一例。而且，图4为具备透明层和粘合剂层的例子。由图4可知，接合体4依次具备第一被接合体45、接合用层压体40和第二被接合体46。接合用层压体40具备金属纳米粒子烧结体层41和接合层42，金属纳米烧结体层41在接合层42的相反面具备透明层43，进而，在金属纳米粒子烧结体层41与接合层42之间进一步具备粘合剂层44。
其中，第一被接合体为能发光或能进行光电转换的元件，金属纳米粒子烧结体层能够反射来自第一被接合体的光，第二被接合体为基板时，适合将接合体用于光学用途。具体地说，第一被接合体为能发光的元件时，适合作为用作LED等的发光源的接合体，第一被接合体为能进行光电转换的元件时，适合作为用作太阳能电池的接合体。
[实施例]
以下通过实施例对本发明进行具体说明，但是本发明不被它们所限定。
[材料1-1的制备]
将非聚合物型粘合剂：2-正丁氧基乙醇与3-异丙基-2，4-戊二酮的混合液(质量比5∶5)10质量份和作为分散介质的异丙醇90质量份混合，并在室温下通过转子以转速200rpm搅拌1小时，由此制备10g的材料1-1。
[材料1-2的制备]
将非聚合物型粘合剂：2-正丙氧基乙醇10质量份和作为分散介质的异丙醇与丁醇的混合液(质量比40∶60)90质量份混合，并在室温下通过转子以转速200rpm搅拌1小时，由此制备10g的材料1-2。
[材料1-3的制备]
将SiO2结合剂10质量份和作为分散介质的乙醇与丁醇的混合液(质量比98∶2)90质量份混合，由此制备10g的材料1-3。而且，利用以下方法制备用作粘合剂的SiO2结合剂。使用500cm3的玻璃制四颈烧瓶，加入140g的四乙氧基硅烷与240g的乙醇，搅拌的同时一次性加入将1.0g的12N-HCl溶解于25g的纯水而得到的溶液，然后，80℃下反应6小时，由此制备10g的材料1-3。
[材料4-1的制备]
作为(A)金属纳米粒子基底的接合层用组合物，将Ag80％、Au20％的混合金属纳米粒子分散液混合之后，将金属纳米粒子分散液离心分离。以相对于金属纳米粒子95质量份聚乙二醇为5质量份的方式，向离心分离后的沉淀物中加入聚乙二醇，用行星搅拌型混合机制备10g的材料4-1。其中，Ag80％、Au20％的混合金属纳米粒子分散液如下制作。
《银纳米粒子分散液的制作》
将硝酸银溶解在去离子水中，制备浓度为25质量％的金属盐水溶液。此外，将柠檬酸钠溶解在去离子水中，制备浓度为26质量％的柠檬酸钠水溶液。在保持为35℃的氮气气流中，向该柠檬酸钠水溶液中直接加入粒状的硫酸亚铁并使其溶解，制备以3∶2的摩尔比含有柠檬酸离子与亚铁离子的还原剂水溶液。
接着，将上述氮气气流保持在35℃的同时，向还原剂水溶液中放入磁力搅拌器的搅拌子，以搅拌子的转速100rpm搅拌的同时，向该还原剂水溶液中滴下上述金属盐水溶液，进行混合。在此，对各溶液的浓度进行调整以使金属盐水溶液向还原剂水溶液的添加量为还原剂水溶液的量的1/10以下，由此，即使滴下室温的金属盐水溶液，也能将反应温度保持在40℃。此外，对还原剂水溶液与金属盐水溶液的混合比进行调整以使还原剂水溶液的柠檬酸离子与亚铁离子的摩尔比相对金属盐水溶液中的金属离子的总原子价数均为3倍摩尔。金属盐水溶液向还原剂水溶液的滴下结束后，进而继续搅拌混合液15分钟，由此在混合液内部产生银纳米粒子，得到分散有银纳米粒子的银纳米粒子分散液100cm3。银纳米粒子分散液的pH为5.5，分散液中的银纳米粒子的化学计量生成量为5g/升。
得到的银纳米粒子分散液在室温下放置，由此使分散液中的银纳米粒子沉降，通过倾析对沉降了的银纳米粒子的凝聚物进行分离。向已分离的银纳米粒子凝聚物中加入去离子水形成分散体，通过超滤进行脱盐处理后，进而用甲醇进行置换洗涤，使银的含量为50质量％。然后，使用离心分离机，调整该离心分离机的离心力，对粒径超过100nm的比较大的银粒子进行分离，由此将一次粒径10～50nm范围内的银纳米粒子的含量调整为按照数平均计为71％。即，调整为以数平均计一次粒径10～50nm范围内的银纳米粒子相对于全部银纳米粒子100％所占的比率为71％，由此得到银纳米粒子分散液。得到的银纳米粒子被柠檬酸钠的保护剂进行化学修饰。
《金纳米粒子分散液的制作》
使用氯金酸来替代硝酸银，除此之外与银纳米粒子分散液的制作方法同样地进行，得到含有5质量％的平均粒径为10nm的金纳米粒子的金纳米粒子分散液100cm3。
《混合金属纳米粒子分散液的制作》
将得到的银纳米粒子分散液与金纳米粒子分散液混合以使按照质量比计为Ag80％、Au20％，得到混合金属纳米粒子分散液100cm3。
[材料4-2的制作]
作为(B)金属化合物基底的接合层用组合物，将Ag粒子(平均粒径0.1μm)70质量份、氧化亚银(平均粒径0.1μm)5质量份、碳酸银(平均粒径0.4μm)5质量份、松油醇20质量份混合。将各原料预混合后，用行星搅拌型混合机制备10g的材料4-2。
[金属纳米粒子烧结体层用组合物]
以表1所记载的组成混合材料，与材料4-1同样地制作金属纳米粒子烧结体层用组合物。其中，作为Au的原料使用氯金酸，作为Ag的原料使用硝酸银，作为Sn的原料使用氯化锡，作为Mn的原料使用硫酸锰。
[实施例1]
准备在长5mm、宽5mm、厚5mm的蓝宝石基板上形成有发光层的元件。对于支撑基板，准备以长20mm、宽20mm、厚0.5mm对表面进行了镀Ni/Au的Si制基板。首先，在元件的接合处理面上利用旋涂法涂布金属纳米粒子烧结体层用组合物，130℃下烧成10分钟，形成厚度为0.3μm的金属纳米粒子烧结体层。接着，在支撑基板侧用网版印刷法印刷材料4-1，设置蓝宝石基板，并在室温下以1MPa加压10秒，之后在炉内以200℃烧成20分钟。
[实施例2]
准备与实施例1相同的元件和基板。首先，在元件的接合处理面上利用铸模涂布法涂布材料1-1，130℃下烧成30分钟，形成厚度0.01μm的透明层。在该透明层上用网版印刷法涂布金属纳米粒子烧结体层用组合物，200℃下烧成20分钟，形成厚度0.5μm的金属纳米粒子烧结体层。接着，在支撑基板侧用针式转印法使材料4-1成膜，设置蓝宝石基板，并在室温下以1MPa加压10秒，之后在炉内以200℃烧成20分钟。
[实施例3]
以表1所记载的条件，与实施例1同样地制作实施例3。其中，粘合剂层用铸模涂布法涂布。
[实施例4、实施例5]
以表1记载的条件，与实施例2同样地制作实施例4、实施例5。其中，粘合剂层用铸模涂布法涂布。
[比较例1]
以表1记载的条件，不形成金属纳米粒子烧结体层，与实施例2同样地制作比较例1。
[比较例2]
以表1记载的条件，接合层使用信越化学制的Ag-硅酮树脂(产品名：SMP-2800)制作比较例2。
[接合强度的评价]
利用精密万能试验仪自动绘图仪AG-Xplus对实施例1～5、比较例1、比较例2的接合强度(切变强度)进行测定。测定条件根据JIS Z3198-5来进行。
[发光强度的评价]
利用Labsphere公司LSA-3000装置对实施例1～5、比较例1、比较例2的发光强度(相对强度)进行测定。
[表1]
由表1可知，在全部实施例1～5中，接合强度和发光强度高。特别在具备透明层的实施例2、4、5中，发光强度非常高，另外，具备透明层和粘合剂层的实施例4、5中，接合强度比其他实施例高。与此相对地，在未形成金属纳米粒子烧结体层的比较例1、比较例2中，发光强度低。
本发明的接合用层压体使用以金属粒子和溶剂作为主要成分的金属浆料等来替代以往的昂贵Ni接合层，因此使制造工序简便，可以大幅改善运行成本，且可在低温下接合。

Claims (17)

1.一种接合用层压体，其特征在于，具备：
金属纳米粒子烧结体层，使金属纳米粒子作为主要原料烧结而成；和
接合层，层压在所述金属纳米粒子烧结体层之上，含有金属粒子或金属氧化物粒子。
2.根据权利要求1所述的接合用层压体，所述金属纳米粒子烧结体层具备层压在所述接合层的相反侧的透明层。
3.根据权利要求1所述的接合用层压体，还具备形成在所述金属纳米粒子烧结体层与所述接合层之间的粘合剂层。
4.根据权利要求1所述的接合用层压体，所述金属纳米粒子烧结体层含有75质量％以上的银，且含有选自金、铜、锡、锌、钼和锰中的至少一种第二金属。
5.根据权利要求1所述的接合用层压体，所述金属纳米粒子烧结体层含有粘合剂。
6.根据权利要求1所述的接合用层压体，所述金属纳米粒子烧结体层的厚度为0.01μm～0.5μm。
7.根据权利要求1所述的接合用层压体，所述各层为利用湿式涂布法成膜后，在130℃～250℃下烧成而得到的层。
8.根据权利要求3所述的接合用层压体，所述透明层和所述粘合剂层包含通过加热固化的聚合物型粘合剂和非聚合物型粘合剂中的至少一种。
9.根据权利要求7所述的接合用层压体，所述湿式涂布法为喷涂法、点胶机涂布法、旋涂法、刮涂法、狭缝涂布法、喷墨涂布法、网版印刷法、胶版印刷法、转印法或铸模涂布法中的任意一种。
10.根据权利要求4所述的接合用层压体，相对于所述金属纳米粒子烧结体层中的全部金属的总量，所述金属纳米粒子烧结体层中的所述第二金属的含量为0.02质量％以上且小于25质量％。
11.一种接合体，其特征在于，具备第一被接合体、第二被接合体和设置在所述第一被接合体与第二被接合体之间的权利要求1～10的任意一项所述的接合用层压体。
12.根据权利要求11所述的接合体，所述第一被接合体为能发光或能进行光电转换的元件，所述金属纳米粒子烧结体层能反射来自所述第一被接合体的光，所述第二被接合体为基板。
13.根据权利要求12所述的接合体，所述第一被接合体为能发光的元件，被用作发光源。
14.根据权利要求12所述的接合体，所述第一被接合体为能进行光电转换的元件，被用作太阳能电池。
15.一种接合体的制造方法，为将第一被接合体与第二被接合体用接合用层压体接合而制造接合体的方法，具备：
在所述第一被接合体上涂布含有金属纳米粒子的金属纳米粒子烧结体层用组合物，并进行烧成而形成金属纳米粒子烧结体层的工序；
在所述第二被接合体上涂布含有金属粒子或金属化合物粒子的接合层用组合物的工序；
以所述金属纳米粒子烧结体层朝向所述被涂布的接合层用组合物的层的方式，重叠所述第一被接合体和所述第二被接合体的工序；和
通过加热所述被重叠的第一被接合体和第二被接合体，对所述被涂布的接合层用组合物的层进行烧成而形成接合层，从而接合第一被接合体和第二被接合体的工序。
16.根据权利要求15所述的接合体的制造方法，所述涂布方法为选自喷涂法、点胶机涂布法、旋涂法、刮涂法、狭缝涂布法、喷墨涂布法、网版印刷法、胶版印刷法、转印法或铸模涂布法中的任意一种的湿式涂布法。
17.根据权利要求15或16所述的接合体的制造方法，所述金属纳米粒子烧结体层用组合物和所述接合层用组合物的烧成温度均为130～250℃。
CN201210040714.6A 2011-02-28 2012-02-21 接合用层压体及接合体 Active CN102649330B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011041515A JP5810553B2 (ja) 2011-02-28 2011-02-28 接合用積層体および接合体
JP2011-041515 2011-02-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102649330A true CN102649330A (zh) 2012-08-29
CN102649330B CN102649330B (zh) 2015-10-14

Family

ID=46691521

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210040714.6A Active CN102649330B (zh) 2011-02-28 2012-02-21 接合用层压体及接合体

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP5810553B2 (zh)
KR (1) KR101752931B1 (zh)
CN (1) CN102649330B (zh)
TW (1) TWI556973B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104953019A (zh) * 2014-03-27 2015-09-30 精工爱普生株式会社 发光装置的制造方法、发光装置以及投影仪
CN110640354A (zh) * 2019-08-27 2020-01-03 北京康普锡威科技有限公司 一种预成型焊料及其制备方法
CN113453825A (zh) * 2019-03-18 2021-09-28 惠普发展公司，有限责任合伙企业 三维对象成型

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5830302B2 (ja) * 2011-08-11 2015-12-09 古河電気工業株式会社 加熱接合用材料、加熱接合用シート体、及び加熱接合用成形体
AT513747B1 (de) 2013-02-28 2014-07-15 Mikroelektronik Ges Mit Beschränkter Haftung Ab Bestückungsverfahren für Schaltungsträger und Schaltungsträger
TWI683322B (zh) * 2015-12-07 2020-01-21 日商哈利瑪化成股份有限公司 導電性糊劑之製造方法
JPWO2018042825A1 (ja) * 2016-08-30 2019-01-31 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 色変換素子
JP6815133B2 (ja) 2016-08-31 2021-01-20 日東電工株式会社 加熱接合用シート、及び、ダイシングテープ付き加熱接合用シート
JP2019065229A (ja) * 2017-10-04 2019-04-25 コニカミノルタ株式会社 混合液の製造方法、混合液を製造するシステム、インク組成物、画像形成方法および画像形成物
KR102046225B1 (ko) * 2017-11-20 2019-11-19 동국대학교 산학협력단 측면 광전달 시스템
WO2019198328A1 (ja) * 2018-04-12 2019-10-17 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 実装構造体およびナノ粒子実装材料
KR102243472B1 (ko) * 2018-12-17 2021-04-26 주식회사 경동원 전력반도체 접합용 소결 페이스트 조성물

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1564726A (zh) * 2002-09-18 2005-01-12 株式会社荏原制作所 接合材料和接合方法
JP2005205696A (ja) * 2004-01-21 2005-08-04 Ebara Corp 接合用品
JP2008311371A (ja) * 2007-06-13 2008-12-25 Denso Corp 接合方法及び接合体
CN101803037A (zh) * 2007-09-12 2010-08-11 三菱综合材料株式会社 超直型太阳能电池用复合膜及其制造方法、以及亚直型太阳能电池用复合膜及其制造方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5515499B2 (ja) * 2008-08-08 2014-06-11 三菱マテリアル株式会社 サブストレート型太陽電池用の複合膜及びその製造方法
EP2390903B1 (en) * 2009-01-23 2016-11-02 Nichia Corporation Method of producing a semiconductor device by bonding silver oxide or silver on a surface of a semiconductor element with silver oxide or silver on a surface of a lead frame or of a wiring substrate, at least one of said surfaces being provided with silver oxide

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1564726A (zh) * 2002-09-18 2005-01-12 株式会社荏原制作所 接合材料和接合方法
JP2005205696A (ja) * 2004-01-21 2005-08-04 Ebara Corp 接合用品
JP2008311371A (ja) * 2007-06-13 2008-12-25 Denso Corp 接合方法及び接合体
CN101803037A (zh) * 2007-09-12 2010-08-11 三菱综合材料株式会社 超直型太阳能电池用复合膜及其制造方法、以及亚直型太阳能电池用复合膜及其制造方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104953019A (zh) * 2014-03-27 2015-09-30 精工爱普生株式会社 发光装置的制造方法、发光装置以及投影仪
CN104953019B (zh) * 2014-03-27 2018-08-31 精工爱普生株式会社 发光装置的制造方法、发光装置以及投影仪
CN113453825A (zh) * 2019-03-18 2021-09-28 惠普发展公司，有限责任合伙企业 三维对象成型
CN113453825B (zh) * 2019-03-18 2023-10-31 惠普发展公司，有限责任合伙企业 三维对象成型
CN110640354A (zh) * 2019-08-27 2020-01-03 北京康普锡威科技有限公司 一种预成型焊料及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN102649330B (zh) 2015-10-14
KR20120098461A (ko) 2012-09-05
TW201247416A (en) 2012-12-01
JP2012178507A (ja) 2012-09-13
KR101752931B1 (ko) 2017-07-03
TWI556973B (zh) 2016-11-11
JP5810553B2 (ja) 2015-11-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102649330B (zh) 接合用层压体及接合体
CN102632651B (zh) 焊料接合用层压体及接合体
CN103180980B (zh) 使用反射膜用组合物的发光元件及其制造方法
TWI399759B (zh) 形成太陽電池之電極用組成物及該電極之形成方法以及使用依該形成方法所得電極之太陽電池
CN101803037B (zh) 超直型太阳能电池用复合膜及其制造方法、以及亚直型太阳能电池用复合膜及其制造方法
JP5309440B2 (ja) 太陽電池の電極形成用組成物及び該電極の形成方法並びに該形成方法により得られた電極を用いた太陽電池の製造方法
CN102649882B (zh) 增反射透明膜用组合物、发光元件及发光元件的制造方法
TW201922622A (zh) 表面處理紅外線吸收微粒子、表面處理紅外線吸收微粒子粉末、使用該表面處理紅外線吸收微粒子之紅外線吸收微粒子分散液、紅外線吸收微粒子分散體及該等之製造方法
KR20090063265A (ko) 전극 형성용 조성물 및 그 조성물을 사용한 전극의 형성 방법
JP5747941B2 (ja) 金属ナノ粒子の合成方法
TW202030152A (zh) 表面處理紅外線吸收微粒子、表面處理紅外線吸收微粒子粉末、使用該表面處理紅外線吸收微粒子之紅外線吸收微粒子分散液、紅外線吸收微粒子分散體及紅外線吸收基材
JP5493469B2 (ja) スーパーストレート型薄膜太陽電池用の複合膜及びその製造方法
JP5515499B2 (ja) サブストレート型太陽電池用の複合膜及びその製造方法
JP2011109069A (ja) 導電性反射膜及びその製造方法
CN102097513A (zh) 导电性反射膜及其制造方法
CN102651441A (zh) 用于发光元件的反射膜用组合物、发光元件及其制造方法
CN103296100A (zh) 太阳能电池用复合膜及其制造方法以及太阳能电池
CN103258864A (zh) 导电性反射膜及其制造方法
CN102464941A (zh) 太阳能电池用的透明导电膜用组合物及透明导电膜
CN102956835A (zh) 有机电致发光元件及其制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant