CN102615588B - 磁盘用玻璃基板的制造方法及磁盘的制造方法 - Google Patents

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Abstract

在一边供给含大粒径研磨磨粒的研磨液、一边使玻璃基板与软质的研磨垫相对移动、进行研磨的先行研磨工序中，玻璃基板主表面的端部成为比中央部隆起的形状(滑行跳变)。在后续的研磨工序中，使用含有小粒径研磨磨粒的研磨液和硬度更高的研磨垫，进行这样的研磨：假设研磨具有平坦端部的玻璃基板，则能得到主表面的端部比中央部下降的形状(滑离)的玻璃基板。这样，使玻璃基板朝着抵消先行研磨工序中形成的滑行跳变的方向变化，使端部形状近于平坦。

Description

磁盘用玻璃基板的制造方法及磁盘的制造方法
本发明专利申请是申请号为200780001238.4、申请日为2007年9月11日、发明名称为“磁盘用玻璃基板的制造方法及磁盘制造方法”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及磁盘用玻璃基板的制造方法及磁盘制造方法，该磁盘作为计算机等的记录媒体而使用。
背景技术
近年来，对于磁记录媒体，有更加提高记录密度的要求。为了提高磁记录密度，例如必须减小记录头的上浮量。因为减小记录头的上浮量，可以降低净空损失，提高记录密度。
为了减小记录头的上浮量，不仅要减小作为记录媒体的磁盘的表面粗糙度，而且，为了使记录头的上浮稳定，磁盘的端部形状也必须要做成为与中央部分相比没有起伏的、基本上平坦的形状。为了将磁盘的端部形状做成为基本上平坦的形状，必须将磁盘用的玻璃基板的端部形状做成为基本上平坦的形状。关于该端部形状的含义，将在后面说明。
尤其是近年来，为了提高记录密度，开发出了垂直磁记录方式等，但是，如果不将磁盘用玻璃基板的端部形状保持为没有起伏的精密平坦形状，则不能采用垂直磁记录方式，不能提高记录密度。
已往，防止端部形状的紊乱等的磁盘用玻璃基板的制造方法，例如已由专利文献1提出。
专利文献1：日本特开2005-141852号公报
发明内容
但是，已往的、例如从10nm左右的上浮量，推进低上浮量化，使记录头上浮移动时，磁盘的上浮不稳定，产生记录头压碎的问题。本申请发明者们，研究了磁头压坏的原因，结果查明，玻璃基板的端部形状未做成所需的平坦形状，是磁头压碎的原因。
另外，本申请发明者研究了玻璃基板的研磨工序，结果查明，在已往的后研磨工序中，要使端部形状具有能避免上述磁头压碎那样的平坦度，是非常困难的事。因此，必须探求将端部形状做得比现状更好的平坦形状的方法。
但是，在磁盘用玻璃基板的制造方法中，包含以若干研磨工序为首的、使玻璃基板的端部形状变化的若干处理工序。如果仅改善这些若干处理工序中的一个处理工序来形成所需的端部形状，则由于其它补充要求(例如加工时间、加工条件等的制造条件·成本、作为玻璃基板所要求的表面形状的特性值)的原因，是有限度的。
本发明鉴于这一课题，改进以若干研磨工序为首的若干处理工序，提供具有所需端部形状的磁盘用玻璃基板。
本申请发明者，为了从若干研磨工序中的玻璃基板的端部形状变化而得到最终要求的端部形状，发现在先行研磨工序之前，预先掌握先行研磨工序中的端部形状的形状变化特性(形状变化量及变化形状)，决定后续研磨工序中的端部形状的形状变化特性，可得到能减低磁头上浮量的端部形状，据此，完成了本发明。另外，在先行研磨工序之前预先掌握的变化特性，也可以作为后续研磨工序中的端部形状的变化。这时，根据掌握的变化，设定先行研磨工序中的端部形状的形状变化特性即可。
下面，说明本发明的实施方式。
(第1方式)
磁盘用玻璃基板的制造方法，包含玻璃基板的端部形状变化的第1处理工序和第2处理工序，其特征在于，还包含在第1处理工序前、掌握第1处理工序后的玻璃基板的端部形状的掌握工序；在第2处理工序中，使上述玻璃基板朝着抵消掌握工序所掌握的端部形状的方向变化，将上述端部形状形成为所需形状。
上述的所需形状，可以是玻璃基板的端部形状为实质上平坦状；也可以是玻璃基板的端部形状为比中央部下降的形状。具体地说，例如，在进行了上述第1处理工序和第2处理工序后，例如还进行使端部形状变化为隆起形状的化学强化处理时，在结束上述第2处理工序的时刻，玻璃基板的端部最好形成为比中央部下降的形状。另外，进行了第2处理工序后、不进行使端部形状变化的处理时，在结束上述第2处理工序的时刻，玻璃基板的端部形状最好是实质上平坦的形状。
(第2方式)
磁盘用玻璃基板的制造方法，包括若干个把含有研磨磨粒的研磨液供给到玻璃基板与研磨该玻璃基板的研磨垫之间、使上述玻璃基板与上述研磨垫相对移动来研磨上述玻璃基板的研磨工序，其特征在于，上述若干个研磨工序，包含先行研磨工序和后续研磨工序；上述先行研磨工序中进行的研磨，使上述玻璃基板主表面的端部形状成为比主表面中央部隆起(或下降)的形状；上述后续研磨工序中进行的研磨，使上述玻璃基板朝着抵消在上述先行研磨工序中形成的隆起(或下降)的形状的方向变化、将上述端部形状形成为所需的形状。
(第3方式)
上述第2方式中，(1)在上述先行研磨工序，如果进行使上述玻璃基板的主表面端部形状成为隆起形状的研磨，则在上述后续研磨工序中，这样地进行研磨：在研磨上述端部形状平坦的玻璃基板时，使该端部形状成为比中央部下降的形状；(2)在上述先行研磨工序，如果进行使上述玻璃基板主表面的端部形状成为下降形状的研磨，则在上述后续研磨工序中，这样进行研磨：在研磨上述端部形状平坦的玻璃基板时，使该端部形状成为比中央部隆起的形状。
(第4方式)
上述第2方式中，在上述先行研磨工序，如果进行使上述玻璃基板主表面的端部形状成为隆起形状的研磨时，则在上述后续研磨工序中，使用硬度比上述先行研磨工序中用的研磨垫高的研磨垫；在上述先行研磨工序，如果进行使上述玻璃基板主表面的端部形状成为下降形状的研磨时，则在上述后续研磨工序中，使用硬度比上述先行研磨工序中用的研磨垫低的研磨垫。
(第5方式)
上述第2方式中，上述后续研磨工序进行的研磨，使进行了该后续研磨工序后的上述玻璃基板主表面的粗糙度(Ra)成为0.2nm以下。
(第6方式)
磁盘的制造方法，其特征在于，在用上述的磁盘用玻璃基板的制造方法得到的玻璃基板的表面，至少形成磁性层。
(第7方式)
磁盘用玻璃基板的制造方法，包括把含有研磨磨粒的研磨液供给到玻璃基板与研磨该玻璃基板主表面的研磨垫之间、使上述玻璃基板与上述研磨垫相对移动、研磨上述玻璃基板主表面的研磨工序，其特征在于，在上述研磨工序中，通过进行第1研磨工序和第2研磨工序，将上述玻璃基板的端部形状形成为平坦状；在第1研磨工序，这样地研磨上述玻璃基板的主表面：在研磨主表面的端部形状平坦的玻璃基板时，使该端部的形状成为比中央部形隆起或下降的形状；在第2研磨工序，这样地研磨上述玻璃基板的主表面：在研磨主表面的端部形状平坦的玻璃基板时，使该端部的形状成为比中央部下降或隆起的形状。
(第8方式)
磁盘用玻璃基板的制造方法，包含研磨工序和化学强化处理工序，在研磨工序中，把含有研磨磨粒的研磨液供给到玻璃基板与研磨该玻璃基板主表面的研磨垫之间，使上述玻璃基板与上述研磨垫相对移动，研磨上述玻璃基板的主表面；在化学强化处理工序中，使上述玻璃基板与化学强化处理液接触，使上述玻璃基板中含有的一部分离子与该化学强化处理液中的离子置换，使上述玻璃基板主表面的端部形状成为比中央部隆起的形状；其特征在于，上述研磨工序，包含第1研磨工序和第2研磨工序；在第1研磨工序，这样地研磨上述玻璃基板的主表面：在研磨主表面的端部形状平坦的玻璃基板时，使该端部的形状成为比中央部形隆起(或下降)的形状；在第2研磨工序，这样地研磨上述玻璃基板的主表面：在研磨主表面的端部形状平坦的玻璃基板时，使该端部的形状成为比中央部下降(或隆起)的形状；通过进行上述研磨工序和化学强化处理工序，将上述玻璃基板的端部形状形成为实质上平坦状。
上述第7和第8方式中也同样地，上述第2研磨工序进行的研磨，使进行了该第2研磨工序后的上述玻璃基板主表面的粗糙度(Ra)成为0.2nm以下。
(第9方式)
磁盘的制造方法，其特征在于，在用上述第7和第8方式的磁盘用玻璃基板的制造方法得到的玻璃基板的表面，至少形成磁性层。
本发明中使用的研磨装置，利用若干个的、由研磨液中所含的研磨磨粒和一边被供给研磨液一边与玻璃基板相对移动的研磨垫构成的组合，对玻璃基板的主表面进行若干次研磨，上述若干个组合包含进行先行研磨工序的第1组合、和进行后续研磨工序的第2组合。先行研磨工序，在后续研磨工序之前进行，使主表面的端部成为比中央部隆起(或下降)的形状。后续研磨工序使隆起(或下降)的形状朝抵消方向变化，使端部近于平坦。
另外，第2组合进行的后续研磨工序的结果，可以是使主表面的端部成为平坦状。或者，如果在后续研磨工序之后还进行上述化学强化处理时，该后续研磨工序的结果，也可以是使主表面的端部成为比中央部下降的形状。
上述第2组合的研磨垫的硬度比上述第1组合的研磨垫高，或者，也可以是第2组合的研磨垫的硬度比第1组合的研磨垫的低。
根据本发明，可用若干个处理工序间，抵消端部形态的变化，形成所需的端部形状。尤其是，在后续研磨工序中，使在先行研磨工序中形成的隆起形状朝抵消的方向变化，可使磁盘用玻璃基板的端部接近平坦。
根据本发明，可以使在后续研磨工序中得到的端部形状成为平坦状，另外，也可以预先留下下降的形状。该下降的形状，是为了抵消在后续研磨工序之后进行的化学强化处理工序中形成的隆起形状而预先留下的。经过化学强化处理工序，最终可以将玻璃基板的端部形成为平坦的形状。
附图说明
图1是说明本发明磁盘用玻璃基板的研磨装置的实施方式、即两面研磨装置的图。
图2是说明本发明采用的研磨垫构造的放大剖面图。
图3是说明用图1所示研磨装置来制造本发明第1实施例的磁盘用玻璃基板的制造方法的示意图。
图4是穿过圆板状玻璃基板的中心、用垂直于主表面的面切断玻璃基板时的剖面图。
图5(a)是表示本发明第1实施例中的研磨条件的图，(b)是表示与第1实施例比较的比较例中的研磨条件的图。
图6是说明用图1所示研磨装置来制造本发明第2实施例的磁盘用玻璃基板的制造方法的示意图。
图7(a)是表示本发明第2实施例中的研磨条件的图，(b)是表示与第2实施例比较的比较例中的研磨条件的图。
具体实施方式
首先，用图4说明本申请中表现端部形状的用语“隆起”(下面称为“滑行跳变”)、“下降”(下面称为“滑离”)、“平坦”的含义。所谓的“滑行跳变”，是表示在玻璃基板主表面的端部是比中央部隆起的形状。所谓的“滑离”，是表示玻璃基板主表面的端部是比中央部下降的形状。另外，所谓的“平坦”，是表示玻璃基板主表面的端部是与中央部大致相同的形状(与主表面直交方向的形状)。下面说明这些形状。
图4是通过圆板状玻璃基板1的中心、用垂直于主表面1a的面将基板1切断时的剖面图。图4(a)表示滑行跳变，图4(b)表示滑离。在图4(a)、图4(b)的平坦主表面1a的轮廓线上的记录区域M内，从靠中心侧起依次设定2个基准点R1、R2。另外，设定与主表面1a垂直的边界线R3(滑行区域G的外周端位置)，该边界线R3是从记录区域M的外周端部再往外周方向的一定距离的边缘。把边界线R3与玻璃基板1的轮廓线的交点，作为滑离点R。接着，绘出连接点R1与点R2的直线R4。图4中，以直线R4为基准(零值)，将上方向定为正方向，将下方向定为负方向。这时，从点R2到点R的区域中，把具有最大值的点、即从直线R4朝正方向位于最为背离位置的、玻璃基板1轮廓线上的点S，作为滑行跳变点。滑行跳变点S的值S5是滑行跳变值(距直线R4的正方向高度)。滑离点R的值是滑离值R5(距直线R4的负方向高度)。
更详细地说，从玻璃基板1的中心起，沿半径方向设定点R1、R2、R3。这些点之中，点R1和R2设定在玻璃基板1的中央部(玻璃基板1的半径方向上的中央附近的位置)。划出通过点R1和R2的直线R4时，测定点R2与R3之间的该直线R4与玻璃基板1表面的背离(垂直于基板面方向的背离)。然后，把该背离中的、正方向(隆起的方向)的背离最大的点，作为滑行跳变点(点S)，把这时的背离的大小作为滑行跳变值。另一方面，把负方向(下降的方向)的背离最大的点，作为滑离点(点R)，把这时的背离的大小作为滑离值。
图4(a)中，滑行跳变值S5是正，滑离值R5是负。图4(b)中，滑行跳变值S5是零，滑离值R5是负。本申请中，如图4(a)所示，把滑行跳变值S5为正的形状，称为滑行跳变(主表面1a的端部是比中央部隆起的形状)。如图4(b)所示，把滑行跳变值为零、滑离值R5为负的形状，称为滑离(主表面1a的端部是比中央部下降的形状)。滑行跳变值或滑离值的绝对值越小，端部形状越接近于平坦，所以，本申请中定义为，如果滑行跳变值和滑离值均为零，就是平坦形状。
根据玻璃基板1的尺寸，适当地选择上述点R1、R2、边界线R3。例如，当玻璃基板1是外径尺寸2.5英寸(外径65mm)的基板时，边界线R3定在从玻璃基板1的端面往内侧1mm的位置。另外，当玻璃基板1是外径尺寸2.5英寸的基板时，从基板1中心到点R1、点R2、边界线R3、端面的距离，例如可分别设定为23mm、27mm、31.5mm、32.5mm。换言之，从玻璃基板1的中心看，在距基板外径(端面)71％的位置设置点R1，在83％的位置设置点R2，在97％的位置设置点R3。
滑行跳变值和滑离值的绝对值过大时，由于端部形状恶化，所以磁头的上浮稳定性变差，另外，磁盘的旋转稳定性变差，严重时产生磁头压碎而不能装在磁盘驱动器上，所以该绝对值过大是不利的。滑行跳变值和滑离值，分别在±0.10μm的范围为宜，最好在±0.05μm的范围内。
是否产生滑行跳变或滑离取决于各种因素，例如，取决于研磨液中含有的研磨磨粒的粒径、研磨垫的硬度、研磨条件等。
另外，对于减小磁头的上浮量而言，上述玻璃基板主表面的端部形状固然是很重要的因素，但是，主表面整体的粗糙度及端部形状的粗糙度也是很重要的。由于磁头从主表面的内周端上浮地移动到外周端，所以，各位置处的粗糙度、尤其是旋转速度快的玻璃基板主表面端部的粗糙度是很重要的。
具体地说，玻璃基板的主表面，用AFM(原子间力显微镜)测定时的表面粗糙度Ra最好在0.2nm以下。另外，这时的Rmax最好在2nm以下。
另外，以从盘外周端朝着盘中心方向2.5mm处主表面上的点为中心的、3.8平方mm矩形区域中的表面形状中，抽出形状波长为16μm～1.9μm的带域表面形状，将该表面形状的二次方平均粗糙度Rq(RMS)作为微小起伏Rq时，该微小起伏Rq最好在0.5nm以下。
[第1实施方式]
下面，参照附图，详细说明本发明的磁盘用玻璃基板的制造方法、磁盘制造方法、及磁盘用玻璃基板的研磨装置的第1实施方式。
[磁盘用玻璃基板的研磨装置]
图1是说明本发明磁盘用玻璃基板的研磨装置的第1实施方式、即两面研磨装置的图。两研磨装置3，是采用研磨垫10并且使玻璃基板1和研磨垫10相对移动而进行研磨的装置。
图1(a)是两面研磨装置的驱动机构部说明图，图1(b)是具有上下压板的两面研磨装置的主要部剖面图。如图1(a)所示，两面研磨装置3，备有研磨用托架安装部、和夹着该研磨用托架安装部相互被逆旋转驱动的上压板31及下压板32。上述研磨用托架安装部具有分别以预定旋转比率被旋转驱动的内齿轮34和太阳齿轮35。上压板31和下压板32的、与玻璃基板1相向的面上，分别粘贴着后述的研磨垫10。与内齿轮34及太阳齿轮35啮合的若干个研磨用托架33作行星齿轮运动，一边自转一边绕太阳齿轮35公转。
在若干个研磨用托架33上，分别保持着若干个玻璃基板1。上压板31可朝上下方向移动，如图1(b)所示，将研磨垫10压在玻璃基板1正反面的主表面上。一边供给含有研磨磨粒的浆液，一边借助研磨用托架33的行星齿轮运动、以及上压板31及下压板32相互的逆旋转，玻璃基板1和研磨垫10相对地移动，这样，玻璃基板1正反面的主表面被研磨。
研磨液中含有的研磨磨粒、和一边被供给研磨液一边与玻璃基板1相对移动的研磨垫10构成一个组合，上述构造的两面研磨装置3采用若干个上述的组合，在玻璃基板的制造工序中，可阶段性地对玻璃基板1的主表面进行若干次的研磨。后述实施例中，作为研磨玻璃基板1主表面的工序，要实施预备研磨(1次研磨)工序和镜面研磨(2次研磨)工序这样2次的研磨工序。在这些研磨工序中，虽然两面研磨装置3的构造大致相同，但是所用的研磨液(浆液)中所含的研磨磨粒、以及研磨垫10的组成不同。一般的倾向是，越到后工序，则研磨磨粒的粒径越小，研磨垫10的硬度越软。
但是，如果在预备研磨工序之前进行的粗削工序中，能得到粗糙度比已往低的基板，则1次研磨(预备研磨)的垫，可以使用比已往要软的垫。因此，有时在1次研磨中，进行加工余量比已往少的研磨就能充分达到目的。但是，在1次研磨中，使用比已往软的研磨垫时，有时形成的基板端部的隆起(滑行跳变)更加显著。在这种情况下，在2次研磨中，不能抵消1次研磨形成的滑行跳变，基板端部有可能保留着滑行跳变的形状。作为解决该问题的一个方法，在本实施方式中，是在后工序即2次研磨中，变更研磨磨粒的粒径大小、研磨垫的材质·硬度等，使研磨条件变化，这样，在2次研磨中，使得在1次研磨中产生的滑行跳变朝着抵消的方向变化，使基板的端部形状近于平坦。
图2是说明本发明采用的研磨垫构造的放大剖面图。如图2所示，研磨垫10采用聚氨酯、聚酯等合成树脂的发泡体。尤其在目前，最好使用发泡聚氨酯。如图2所示，研磨垫10由无纺布等做成基层13、和叠置在该基层13表面的毛绒层14构成。在该毛绒层14中，若干气泡在毛绒层14的厚度方向形成为水滴形状。本实施方式中，把该气泡作为毛绒孔15。该发泡体的硬度可用混入的气泡(毛绒孔15)量进行调节。
[磁盘用玻璃基板的制造方法]
图3是表示使用图1所示研磨装置的、本发明磁盘用玻璃基板制造方法的实施方式的示意图。本方法包括图3(a)、图3(b)所示的若干个研磨工序。在这些研磨工序中，一边供给含有研磨磨粒40或50的研磨液，一边使玻璃基板1与研磨垫10或20相对移动，研磨玻璃基板1的主表面。图3(a)是先行研磨工序，在该先行研磨工序中，使主表面的端部成为比中央部隆起的形状(滑行跳变)地进行研磨，相当于后述实施例中的预备研磨工序。图3(b)是后续研磨工序，在该后续研磨工序，是使隆起的形状(滑行跳变)朝着抵消的方向变化、使端部接近于平坦的研磨。该后续研磨工序相当于后述实施例中的镜面研磨工序。先行研磨工序用由研磨磨粒40和研磨垫10构成的组合实现。后续研磨工序用由研磨磨粒50和研磨垫20构成的组合实现。
另外，上述的“中央部”，是指用磁盘用玻璃基板制造磁盘时、写入信息的信息记录区域中的、半径方向中包含中心的区域，相当于图4所示滑行区域G的至少一部分区域。
在本实施方式中，还可以包含掌握工序，该掌握工序，在图3(a)的先行研磨工序之前，预先掌握该工序形成的、端部比中央部隆起的滑行跳变的形状，决定图3(b)的后续研磨工序中使用的研磨垫20的硬度和研磨磨粒50的粒径。该掌握工序，例如，可以在先行研磨工序后，预先测定玻璃基板的端部形状，决定后续研磨工序的处理条件。
借助该掌握工序，可以使图3(b)的后续研磨工序中使用的研磨垫20的硬度比图3(a)的先行研磨工序中使用的研磨垫10高。研磨垫10、20的硬度，如上所述，可以用混入这些垫中的气泡量进行调节。另外，借助上述的掌握工序，可以使图3(b)的后续研磨工序中使用的研磨磨粒的粒径比图3(a)的先行研磨工序中使用的研磨磨粒小。即，本发明包含掌握工序和决定工序。在掌握工序中，预先掌握在先行研磨工序中得到的玻璃基板的端部形状。在决定工序中，决定后续研磨工序中使用的研磨垫的硬度和研磨磨粒的粒径。
如上所述，在研磨垫硬度更高、和/或研磨磨粒粒径更小的图3(b)所示的后续研磨工序中，这样地进行研磨：假设研磨端部平坦的玻璃基板时，使该玻璃基板如玻璃基板100那样，其端部成为比中央部下降的形状(滑离)。
把上述的研磨方法，用于端部已经是滑行跳变形状的玻璃基板1时，结果，如图3(c)所示，可以将主表面的端部形成为实质上平坦状。或者，图3(b)的后续研磨工序的结果，也可以是使主表面的端部比中央部下降的形状(滑离)。该研磨方法，是预先估计在后续研磨工序之后进行的化学强化处理工序中产生的端部形状变化(滑行跳变)，在后续研磨工序中预先形成滑离的研磨方法。虽说是形成滑离，但该滑离是比预备研磨工序形成的滑行跳变接近于平坦的滑离。
下面，分别说明上述的先行研磨工序(1次研磨工序、预备研磨工序)、和后续研磨工序(2次研磨工序、镜面研磨工序)。
在本实施方式的先行研磨工序中，使得进行了后述后续研磨工序后的玻璃基板的端部形状能成为平坦状地做出玻璃基板的端部形状。具体地说，在先行研磨工序中，这样地研磨玻璃基板的主表面：在研磨主表面的端部平坦的玻璃基板时，使该端部的形状成为比中央部隆起的形状。
另外，在本实施方式的后续研磨工序中，将玻璃基板的端部形状成为平坦状。具体地说，在后续研磨工序中，这样地研磨玻璃基板的主表面：在研磨主表面的端部平坦的玻璃基板时，使该端部的形状成为比中央部下降的形状。
另外，在上述的后续研磨工序中，将玻璃基板的表面形成为镜面。后续研磨工序中使用的研磨磨粒，最好采用胶态硅石粒子。另外，研磨液中的胶态硅石粒子的含量，最好在5重量％以上、40重量％以下。
另外，胶态硅石粒子的粒径最好在80nm以下，在50nm以下则更好。采用该微细的研磨磨粒，可得到作为磁盘用玻璃基板所希望的光滑镜面。另外，粒径的下限值最好根据后续研磨工序中的研磨加工速度决定，例如可以是20nm以上。
后续研磨工序中进行的研磨，使玻璃基板10的表面粗糙度、例如算术平均粗糙度(Ra)成为0.2nm以下、最高点高度(Rp)成为2nm以下。这里所说的最高点高度(Rp)，是指测定玻璃基板表面的预定区域的表面形状，求出该表面形状的平均面，以该平均面为基准时的、最高点距该平均面的高度。另外，这些值是用AFM(原子间力显微镜)测定的值。
[磁盘的制造方法]
在用上述磁盘用玻璃基板制造方法得到的玻璃基板的表面至少形成磁性层、制造磁盘，就可以得到端部实质上平坦的磁盘等、具有所需端部形状的磁盘。
[磁盘用玻璃基板的制造方法]
更概括地说，本发明的实施方式包含第1处理工序和第2处理工序。在第1处理工序中，对玻璃基板1进行处理。在第2处理工序中，使基板1朝着抵消第1处理工序所形成的玻璃基板1端部形状变化的方向变化、形成所需的端部形状。使玻璃基板1的端部形状朝着相互抵消的方向变化的第1·第2处理工序，不限定于若干研磨工序。即，只要是在后续的工序中、使先行工序中的端部形状变化朝抵消的方向变化的技术思想，都作为本发明的实施方式。
例如例举有以下(A)(B)(C)等，
(A)第1处理工序：LAP(研削)，第2处理工序：研磨
(B)第1处理工序：化学强化，第2处理工序：研磨
(C)第1处理工序：预备研磨(1次研磨)，第2处理工序：镜面研磨(2次研磨)
用图1至图3说明的内容是上述(C)例。
这样，在研磨、化学强化等的处理工序中，由于端部形状产生了变化，所以，可在第1处理工序之前，预先掌握在该工序产生的端部形状的变化，决定第2处理工序的处理条件。为了预先掌握玻璃基板端部形状的变化，例如可在第1处理工序后，测定玻璃基板的端部形状。
另外，处理工序的数目不限定于2个。例如，也可以是(D)1次研磨→2次研磨→化学强化的工序，或者是(E)1次研磨→2次研磨→化学强化→研磨的工序，或者是(F)化学强化→1次研磨→2次研磨的工序等各种形式。无论哪种形式都可以，只要在各个工序后，玻璃基板的端部形状成为所需形状即可。
不进行化学强化的情况下，只要在最后的研磨工序中将端部形状形成为平坦状即可。但是，如前例(D)所示，在2次研磨后进行化学强化工序、而此后不进行研磨的情况下，要预先掌握化学强化所形成的端部形状的隆起程度，使化学强化后的端部形状能成为平坦状地、把2次研磨后的端部形状做成为滑离形状。另一方面，如上述(E)、(F)例所示，在化学强化后再进行研磨的情况(希望在保留强化层的状态，进行粗糙度及端部形状的改进时)下，为了用尽可能少的加工余量进行研磨，要预先掌握用化学强化条件得到的端部形状，进行只使该端部形状朝着抵消方向变化的研磨。这样，可以保留着强化层(具有充分的强度)地进行端部形状及粗糙度的改进。通过该研磨，将端部形状形成为实质上平坦状。
上述概括的磁盘用玻璃基板的制造方法，也适用于后述的第2实施方式。
[第1实施例]
在第1实施例中，经过以下(1)～(11)的工序，制造了磁盘用玻璃基板和垂直磁记录盘。
(1)形状加工工序
首先，准备好非晶态玻璃构成的多成分系玻璃基板。玻璃的种类(硝種)是铝硅酸盐玻璃，具体的化学成分是，63.5重量％的SiO2、14.2重量％的Al2O3、10.4重量％的Na2O、5.4％的Li2O、6.0重量％的ZRO2、0.4重量％的Sb2O3、0.1重量％的As2O3。
该玻璃基板用直接加压法成形，形成为盘状的玻璃基板。再用磨石在玻璃基板的中央部分开孔，形成为中心部具有圆孔的盘状玻璃基板1。然后，对外周端面和内周端面实施倒角加工。
(2)端面研磨工序
接着，一边使玻璃基板1旋转，一边用刷研磨将玻璃基板1端面(内周、外周)的表面粗糙度研磨成最大高度(Rmax)为1.0μm的程度、算术平均粗糙度(Ra)为0.3μm的程度。
(3)研削工序
接着，用#1000粒度的磨粒，将玻璃基板主表面研磨成主表面的平坦度为3μm、Rmax为2μm的程度、Ra为0.2μm的程度。这里所说的平坦度，是基板表面的最高部分与最低部分在上下方向(垂直于表面的方向)的距离(高低差)，是用平坦度测定装置测定的。另外，Rmax和Ra，是用原子间力显微镜(AFM)(デジタルインスツルメンツ社制的纳秒示波器)测定的。
(4)预备研磨工序
预备研磨工序，是首次用研磨垫，对在上述研削工序(3)中被研削后又被粗削的玻璃基板进行研磨的工序。用能一次研磨100片～200片玻璃基板两主表面的研磨装置3，实施预备研磨工序。研磨垫是采用聚氨酯类软质抛光件。另外，研磨垫是采用预含有氧化锆和氧化铈的研磨垫。
图5(a)表示实施例1的研磨条件。预备研磨(1次研磨)工序中的研磨液，是把平均粒径为1.2μm的氧化铈研磨磨粒40与水混合而制成的。研磨磨粒40的粒径最好在1.0～1.4μm的范围内。另外，预先把粒径超过4μm的研磨磨粒除去。测定研磨液时，研磨液含有的研磨磨粒的最大值为3.5μm、平均值为1.2μm、D50值为1.1μm。另外，施加在玻璃基板1上的荷载是80～100g/cm2，玻璃基板1的表面部除去厚度是20～40μm。
图5表中的“端部形状”，是表示只单独进行了该研磨工序时的端部形状。具体地说，表示用具有平坦端部的玻璃基板、进行了该研磨工序时形成的端部形状。另外，图5表中的“结果”，是指连续的1次·2次研磨工序分别结束后的玻璃基板的端部形状。
对进行了该(4)预备研磨工序后的端部形状进行了观测，如图3(a)所示，端部形状是滑行跳变形状。
(5)镜面研磨工序
镜面研磨工序，是对经过了预备研磨的玻璃基板进一步进行研磨，将玻璃基板的主表面研磨成镜面的工序。用能一次研磨100片～200片玻璃基板两主表面的研磨装置3，实施镜面研磨(2次研磨)工序。研磨垫是采用聚氨酯类软质抛光件。镜面研磨工序中的研磨液，是在超纯水中加入粒径为40nm的胶态硅石粒子而制成的。该胶态硅石粒子的粒径，最好在20～60nm范围内。对进行了该(5)镜面研磨工序后的端部形状进行了观测，如图3(c)所示，端部形状是实质上平坦的形状。
另外，用在进行(5)镜面研磨工序前、端部形状为平坦状的玻璃基板，进行(5)的镜面研磨工序后，端部形状如图3(b)所示的玻璃基板100那样，成为滑离形状。
即，本发明中，在预备研磨工序中，是使端部形状成为滑行跳变形状的研磨。在后续的镜面研磨工序中，进行把原先的平坦端部形状形成为滑离形状的研磨。这样，可以将最终得到的玻璃基板的端部形状控制为所需的平坦状。
(6)镜面研磨处理后的清洗工序
接着，把玻璃基板1浸渍到浓度3～5wt％的NaOH水溶液中，进行碱清洗。清洗是施加超声波进行的。再依次浸入中性洗涤剂、纯水、纯水、异丙醇、异丙醇(蒸气干燥)的各清洗槽内，进行清洗。用AFM(デジタルインスツルメンツ社制的纳秒示波器)观察清洗后的玻璃基板1的表面，未发现胶态硅石研磨磨粒的附着。另外，也未发现不锈钢、铁等的异物。
(7)化学强化处理工序
接着，把预热到300℃的清洗后的玻璃基板1，在将硝酸钾(60％)和硝酸钠(40％)混合并加热到375℃的化学强化盐中浸渍约3小时，进行化学强化处理。通过该处理，玻璃基板1表面的锂离子、钠离子分别与化学强化盐中的钠离子、钾离子置换(离子交换)，玻璃基板1被化学地强化。另外，形成在玻璃基板1表面的压缩应力层的厚度约为100～200μm。实施了化学强化后，将玻璃基板1浸渍到20℃的水槽中、进行急冷，保持约10分钟。
该化学强化处理工序的结果，玻璃基板1的端部，因基板表面产生的压缩应力而膨胀隆起，有时产生滑行跳变。该情况下，在先行的镜面研磨工序结束时，也可以不成为完全的平坦状，而稍稍残留一些滑离形状。即，也可以在进行了化学强化处理工序后，使端部成为平坦状地、调节2次研磨工序(镜面研磨工序)后的端部形状和/或1次研磨(预备研磨工序)后的端部形状。
(8)化学强化后的清洗工序
接着，把上述急冷后的玻璃基板1浸渍到加热至约40℃的硫酸内，一边施加超声波，一边清洗，完成了磁盘用玻璃基板的制造。
(9)磁盘用玻璃基板的检查工序
接着，对磁盘用玻璃基板进行检查。用AFM(原子间力显微镜)测定磁盘用玻璃基板的表面粗糙度，最高点高度(Ra)是1.8nm，算术平均粗糙度(Ra)是0.25nm。另外，表面是清洁的镜面状态，不存在妨碍磁头上浮的异物、引起热不平度(热アスペリテイ)故障的异物。
(10)磁盘制造工序
接着，对上述磁盘用玻璃基板，在玻璃基板的表面依次成膜由Cr合金构成的附着层、由CoTaZr基合金构成的软磁性层、由Ru构成的基底层、由CoCrPt基合金构成的垂直磁记录层、由氢化碳构成的保护层、由全氟聚醚构成的润滑层，制成了垂直磁记录盘。
(11)磁盘的检查工序
接着，对上述制造的磁盘进行检查。先用上浮量为8nm的检查用头，实施在磁盘上移动的头压碎试验。结果，磁头未接触异物等，不产生压碎问题。
接着，采用再生元件部是磁阻效果型元件、记录元件部是单磁极型元件、上浮量为8nm的磁头，进行了垂直记录方式的记录再生试验。结果确认信息被正常地记录、再生。这时，在再生信号中，未检测到热不平度信号，可用每平方英寸100吉比特进行记录再生。
然后，进行了磁盘的滑行高度试验。该试验是使检查用头的上浮量渐渐降低、确认检查用头与磁盘的接触产生的上浮量的试验。结果，在本实施例的磁盘中，从磁盘内缘部分到外缘部分，即使上浮量为4nm也不产生接触。在磁盘的外缘部分，滑行高度是3.7nm。
图5(b)是表示与本实施例作比较的比较例中的研磨条件的表。用比较例得到的玻璃基板，与上述同样地制作磁盘，实施头压碎试验，结果，磁头与异物等接触，产生了压碎问题。
将图5(a)与图5(b)比较，1次·2次研磨中的粒子直径都大致相同，但是1次研磨所用的研磨垫的材质各不相同。将研磨垫进行比较时，比较例即图5(b)的研磨垫的硬度，在1次研磨中是93C硬度，2次研磨中是84C硬度，2次研磨的研磨垫硬度比1次研磨的低。另一方面，本发明的实施例即图5(a)中的研磨垫硬度，在1次研磨中是80C硬度，在2次研磨中是84C硬度，2次研磨的研磨垫硬度比1次研磨中的高。
另外，除了要得到所需的端部形状外，从加工速度(研磨速度)、基板的表面粗糙度等方面考虑，图5(a)的研磨垫硬度，在1次研磨中最好在78～82C硬度(阿斯卡C硬度)的范围内，在2次研磨中最好在82～86C硬度的范围内。换言之，对于本发明中使用的研磨垫的硬度(阿斯卡C硬度)，在2次研磨中使用的研磨垫最好比在1次研磨中使用的研磨垫高。
在本发明的第1实施例中，在2次研磨中，使得在1次研磨中形成为滑行跳变的玻璃基板端部的形状朝抵消的方向变化，形成滑离值为-0.046μm的滑离。另一方面，比较例中，在2次研磨中，不仅不抵消1次研磨中形成为滑离的玻璃基板的端部形状，而且还形成了绝对值增加的、滑离值为0.173μm的滑离。从该结果可知，根据本发明实施例，由于使前后研磨工序形成的端部形状变化相互抵消，所以，可以使端部形状更接近于平坦。换言之，为了最终地制造平坦的端部形状、并且主表面平滑的磁盘用玻璃基板，仅分别地调节各个工序是非常困难的，连续地在若干工序中控制端部形状是很重要的。即，预先掌握由2次研磨工序变化的端部形状的变化量，使2次研磨工序后的端部形状成为平坦地、调节1次研磨工序中的端部形状，这样，可制造出具有平坦端部形状的磁盘用玻璃基板。
[第2实施方式]
下面，详细说明本发明磁盘用玻璃基板的制造方法、磁盘制造方法及磁盘用玻璃基板的研磨装置的第2实施方式。
[磁盘用玻璃基板的研磨装置]
对于研磨装置，由于使用在第1实施方式中参照图1说明的两面研磨装置3、参照图2说明的研磨垫10，所以，它们的详细说明从略。
在后述的第2实施例中，也同样地，作为研磨玻璃基板主表面的工序，要实施预备研磨(1次研磨)工序、和镜面研磨(2次研磨)工序这样2次研磨工序。在这些研磨工序中，虽然两面研磨装置3的构造是大致相同的，但是所用的研磨液(浆液)中所含的研磨磨粒、以及研磨垫10的组成不同。一般的倾向是，越到后工序，研磨磨粒的粒径越小，研磨垫10的硬度越软。
但是，用1次研磨中采用的研磨垫的硬度、材质、研磨磨粒的粒径等诸条件，有时产生的端部的下降(滑离)更加显著。这种情况时，在2次研磨中，不能抵消1次研磨产生的滑离，基板端部有可能保留着滑离的形状。作为解决该问题的一个方法，在第2实施方式中，是在后工序即2次研磨中，变更研磨磨粒的粒径大小、研磨垫的材质·硬度等，使研磨条件变化，这样，在2次研磨中，使得在1次研磨中形成的滑离朝着抵消的方向变化，使基板的端部近于平坦。
[磁盘用玻璃基板的制造方法]
图6是表示使用图1所示两面研磨装置3来制造本发明磁盘用玻璃基板的制造方法的第2实施方式的示意图。本方法也与第1实施方式同样地，包括图6(a)、图6(b)所示的若干个研磨工序。在这些研磨工序中，一边供给含有研磨磨粒40或50的研磨液，一边使玻璃基板1与研磨垫10或20相对移动，研磨玻璃基板1的主表面。图6(a)是先行研磨工序，该先行研磨工序中进行的研磨，使主表面的端部成为比中央部下降的形状(滑行跳变)，相当于后述第2实施例中的预备研磨工序。图6(b)是后续研磨工序，该后续研磨工序进行的研磨，使下降的形状(滑离)朝着抵消的方向变化，使玻璃基板1的端部接近于平坦，该后续研磨工序相当于后述第2实施例中的镜面研磨工序。先行研磨工序用由研磨磨粒40和研磨垫10构成的组合实现。后续研磨工序用由研磨磨粒50和研磨垫20构成的组合实现。
在第2实施方式中，还可以包含掌握工序，该掌握工序，在图6(a)的先行研磨工序之前，预先掌握该工序形成的、端部比中央部下降的滑离的形状，决定图6(b)的后续研磨工序中使用的研磨垫20的硬度和研磨磨粒50的粒径。该掌握工序，例如，可以在先行研磨工序后，预先测定玻璃基板的端部形状，决定后续研磨工序的处理条件。
借助该掌握工序，可以使图6(b)的后续研磨工序中使用的研磨垫20的硬度比图6(a)的先行研磨工序中使用的研磨垫10低。研磨垫10、20的硬度，如上所述，可以用混入这些垫中的气泡量调节。另外，借助上述的掌握工序，可以使图6(b)的后续研磨工序中使用的研磨磨粒的粒径比图6(a)的先行研磨工序中使用的研磨磨粒小。即，本第2实施方式也包含掌握工序和决定工序。在掌握工序中，预先掌握用先行研磨工序得到的玻璃基板的端部形状。在决定工序中，决定后续研磨工序中使用的研磨垫的硬度和研磨磨粒的粒径。
如上所述，在研磨垫硬度更低、和/或研磨磨粒粒径更大的图6(b)所示的后续研磨工序中，这样地进行研磨：假设研磨端部平坦的玻璃基板时，如玻璃基板100那样，使端部成为比中央部隆起的形状(滑行跳变)。
把上述的研磨方法用于端部已经是滑离形状的玻璃基板1时，结果，如图6(c)所示，可以将主表面的端部形成为实质上平坦状。或者，图6(b)的后续研磨工序的结果，也可以是使主表面的端部成为比中央部下降的形状(滑离)。该研磨方法，是预先估计在后续研磨工序之后进行的化学强化处理工序中产生的端部形状变化(滑行跳变)，在后续研磨工序中预先形成滑离的研磨方法。虽说是形成滑离，但该滑离是比预备研磨工序形成的滑离接近于平坦的滑离。
[磁盘制造方法]
如第1实施方式所述，在用上述磁盘用玻璃基板制造方法得到的玻璃基板的表面至少形成磁性层、制造磁盘，就可以得到端部实质上平坦的磁盘等、具有所需端部形状的磁盘。
[第2实施例]
在第2实施例中，也经过以下(1)～(11)的工序，制造了磁盘用玻璃基板、和垂直磁记录盘。
(1)形状加工工序
首先，准备好非晶态玻璃构成的多成分系玻璃基板。玻璃的种类是铝硅酸盐玻璃，具体的化学成分是，63.5重量％的SiO2，14.2重量％的Al2O3，10.4重量％的Na2O，5.4重量％的Li2O，6.0重量％的ZRO2，0.4重量％的Sb2O3，0.1重量％的As2O3。
该玻璃基板用直接加压法成形，成为盘状的玻璃基板。再用磨石在玻璃基板的中央部分开孔，形成为中心部具有圆孔的盘状玻璃基板1。然后，对外周端面和内周端面实施倒角加工。
(2)端面研磨工序
接着，一边使玻璃基板1旋转，一边用刷研磨将玻璃基板1端面(内周、外周)的表面粗糙度研磨成最大高度(Rmax)为1.0μm的程度、算术平均粗糙度(Ra)为0.3μm的程度。
(3)研削工序
接着，用#1000粒度的磨粒，将玻璃基板表面研削成主表面的平坦度为3μm、Rmax为2μm的程度、Ra为0.2μm的程度。这里所说的平坦度，是基板表面的最高部分与最低部分在上下方向(垂直于表面的方向)的距离(高低差)，是用平坦度测定装置测定的。另外，Rmax和Ra，是用原子间力显微镜(AFM)(デジタルインスツルメンツ社制的纳秒示波器)测定的。
(4)预备研磨工序
预备研磨工序，是首次用研磨垫对在上述研削工序(3)中被研削后又被粗削的基板进行研磨的工序。用能一次研磨100片～200片玻璃基板两主表面的研磨装置3，实施预备研磨工序。研磨垫是采用聚氨酯类软质抛光件。另外，研磨垫是采用预含有氧化锆和氧化铈的研磨垫。
图7(a)表示第2实施例的研磨条件的表。预备研磨(1次研磨)工序中的研磨液，是把平均粒径为1.2μm的氧化铈研磨磨粒40与水混合而制成的。研磨磨粒40的粒径最好在1.0～1.4μm的范围内。施加在玻璃基板1上的荷载是80～100g/cm2，玻璃基板1的表面部除去厚度是20～40μm。
图7表中的“端部形状”，是表示只单独进行了该研磨工序的端部形状。具体地说，表示用具有平坦端部的玻璃基板、进行了该研磨工序时形成的端部形状。另外，图7表中的“结果”，是指连续的1次·2次研磨工序分别结束后的基板的端部形状。
对进行了该(4)预备研磨工序后的端部形状进行了观测，如图6(a)所示，端部形状是滑离形状。
(5)镜面研磨工序
镜面研磨工序，是对经过预备研磨的玻璃基板，进一步进行研磨，将玻璃基板的主表面研磨成镜面的工序。用能一次研磨100片～200片玻璃基板两主表面的研磨装置3，实施了镜面研磨(2次研磨)工序。研磨垫是采用聚氨酯类硬质抛光件。镜面研磨工序中的研磨液，是在超纯水中加入粒径为0.5μm的氧化铈粒子而制成的。该镜面研磨工序(2次研磨)工序中，为了形成滑行跳变形状，使用的研磨材料的粒子直径最好在0.3μm以上。考虑到最终得到的镜面质量，粒子直径最好在0.3～0.6μm的范围内。
对进行了该(5)镜面研磨工序后的端部形状进行了观测，端部形状是实质上平坦的形状。
另外，用在进行(5)镜面研磨工序前、端部形状为平坦状的玻璃基板，进行(5)的镜面研磨工序后，端部形状成为滑行跳变形状。
即，在本第2实施例中，在预备研磨工序进行的研磨，使端部形状成为滑离形状。在后续的镜面研磨工序进行的研磨，把原先的平坦端部形状形成为滑行跳变形状。这样，可以将最终得到的玻璃基板的端部形状控制为所需的平坦状。
(6)镜面研磨处理后的清洗工序
接着，与第1实施例同样地，把玻璃基板1浸渍到浓度3～5wt％的NaOH水溶液中，进行碱清洗。清洗是施加超声波进行的。再依次浸入中性洗涤剂、纯水、纯水、异丙醇、异丙醇(蒸气干燥)的各清洗槽内，进行清洗。用AFM(デジタルインスツルメンツ社制的纳秒示波器)观察清洗后的玻璃基板1的表面，未发现氧化铈研磨磨粒的附着。另外，也未发现不锈钢、铁等的异物。
(7)化学强化处理工序
接着，与第1实施例同样地，把预热到300℃的清洗后的玻璃基板1，在将硝酸钾(60％)和硝酸钠(40％)混合并加热到375℃的化学强化盐中浸渍约3小时，进行化学强化处理。通过该处理，玻璃基板1表面的锂离子、钠离子分别与化学强化盐中的钠离子、钾离子置换(离子交换)，玻璃基板1被化学地强化。另外，形成在玻璃基板1表面的压缩应力层的厚度约为100～200μm。实施了化学强化后，将玻璃基板1浸渍到20℃的水槽中、进行急冷，保持约10分钟。
该化学强化处理工序的结果，基板1的表面膨胀隆起，有时产生滑行跳变。该情况下，在先行的镜面研磨工序结束时，也可以不形成完全的平坦状，而稍稍残留一些滑离形状。
(8)化学强化后的清洗工序
接着，与第1实施例同样地，把上述急冷后的玻璃基板1浸渍到加热至约40℃的硫酸内，一边施加超声波，一边清洗，完成了磁盘用玻璃基板的制造。
(9)磁盘用玻璃基板的检查工序
接着，对磁盘用玻璃基板进行了检查。表面是清洁的镜面状态，不存在妨碍磁头上浮的异物、引起热不平度故障的异物。
(10)磁盘制造工序
接着，与第1实施例同样地，对上述磁盘用玻璃基板，在玻璃基板的表面上依次成膜由Cr合金构成的附着层、由CoTaZr基合金构成的软磁性层、由Ru构成的基底层、由CoCrPt基合金构成的垂直磁记录层、由氢化碳构成的保护层、由全氟聚醚构成的润滑层，制成了垂直磁记录盘。
(11)磁盘的检查工序
接着，对上述制造的磁盘进行检查。先用上浮量为8nm的检查用头，实施在磁盘上移动的头压碎试验。结果，磁头未接触异物等，不产生压碎问题。
接着，采用再生元件部是磁阻效果型元件、记录元件部是单磁极型元件、上浮量为8nm的磁头，进行了垂直记录方式的记录再生试验。结果确认信息正常地被记录、再生。这时，在再生信号中，未检测到热不平度信号，可用每平方英寸100吉比特进行记录再生。
然后，进行了磁盘的滑行高度试验。该试验是使检查用头的上浮量渐渐降低、确认检查用头与磁盘的接触产生的上浮量的试验。结果，在本实施例的磁盘中，从磁盘内缘部分到外缘部分，即使上浮量为4nm也不产生接触。在磁盘的外缘部分，滑行高度是3.7nm。
用与本发明这样使端部形状朝着抵消方向变化的方法不同的、已往技术的比较例得到的玻璃基板，与上述同样地制作磁盘，实施头压碎试验，结果，磁头与异物等接触，产生压碎问题。
图7(b)是表示与本第2实施例作比较的比较例中的研磨条件的表。用比较例得到的玻璃基板，与上述同样地制作磁盘，实施头压碎试验。结果，磁头与异物等接触，产生了压碎问题。
将图7(a)与图7(b)比较，1次·2次研磨中粒子直径都相同，但是1次研磨所用的研磨垫的材质各不相同。将研磨垫进行比较时，比较例即图7(b)的研磨垫的硬度，在1次研磨中是93C硬度，在2次研磨中是84C硬度，2次研磨的研磨垫硬度比1次研磨中的低。另一方面，本发明第2实施例即图7(a)的研磨垫硬度也同样地，在1次研磨中是90C硬度，在2次研磨中是72C硬度，2次研磨的研磨垫硬度比1次研磨中的低，但硬度值与图7(b)不同。
另外，图7(a)的研磨垫硬度，在1次研磨中最好在90～96C硬度(阿斯卡C硬度)的范围内，2次研磨中最好在70～86C硬度范围内。
在本发明的第2实施例中，在2次研磨中，使得在1次研磨中形成为滑离的玻璃基板端部的形状朝抵消的方向变化，形成滑行跳变值为0.034μm的滑行跳变。另一方面，在比较例中，在2次研磨中，不仅不抵消1次研磨中形成为滑离的玻璃基板端部形状，而且还形成了绝对值增加了的滑离值为-0.173μm的滑离。从该结果可知，根据本发明第2实施例，由于使前后研磨工序形成的端部形状变化相互抵消，所以，可以使端部形状更接近于平坦。
本发明可用于作为计算机等记录媒体使用的磁盘用玻璃基板的制造方法、以及磁盘制造方法。

Claims (14)

1.一种磁盘用玻璃基板的制造方法，包括若干个把含有研磨磨粒的研磨液供给到玻璃基板与研磨该玻璃基板的主表面的研磨垫之间、使上述玻璃基板与研磨垫相对移动来研磨上述玻璃基板的主表面的研磨工序，其特征在于，上述若干个研磨工序包含先行研磨工序和后续研磨工序；
上述先行研磨工序使用由第1研磨磨粒和第1研磨垫组成的第1组合来进行研磨；
上述后续研磨工序使用由第2研磨磨粒和第2研磨垫组成的第2组合来进行研磨；
按照由上述先行研磨工序得到的上述玻璃基板的主表面的端部形状在后续研磨工序中朝着被抵消的方向变化的方式，选择第1组合以及/或者第2组合。
2.如权利要求1所述的磁盘用玻璃基板的制造方法，其特征在于，具有掌握工序和决定工序，
上述掌握工序预先掌握由上述先行研磨工序得到的上述端部形状；
上述决定工序基于由该掌握工序掌握的上述端部形状，决定上述第2研磨垫的硬度以及上述第2研磨磨粒的粒径。
3.如权利要求1所述的磁盘用玻璃基板的制造方法，其特征在于，由上述先行研磨工序得到的上述端部形状是比中央部隆起的形状，上述第2研磨垫使用硬度比上述第1研磨垫高的研磨垫。
4.如权利要求3所述的磁盘用玻璃基板的制造方法，其特征在于，上述第1研磨垫的硬度按照阿斯卡C硬度在78～82C硬度的范围内，上述第2研磨垫的硬度按照阿斯卡C硬度在82～86C硬度的范围内。
5.如权利要求1至4中任一项所述的磁盘用玻璃基板的制造方法，其特征在于，作为上述第1研磨磨粒使用氧化铈，作为上述第2研磨磨粒使用胶态硅石粒子。
6.如权利要求5所述的磁盘用玻璃基板的制造方法，其特征在于，上述氧化铈的粒径在1.0～1.4μm的范围内，上述胶态硅石粒子的粒径在20～60nm的范围内。
7.如权利要求1所述的磁盘用玻璃基板的制造方法，其特征在于，由上述先行研磨工序得到的上述端部形状是比中央部下降的形状，上述第2研磨垫使用硬度比上述第1研磨垫低的研磨垫。
8.如权利要求7所述的磁盘用玻璃基板的制造方法，其特征在于，上述第1研磨垫的硬度按照阿斯卡C硬度在90～96C硬度的范围内，上述第2研磨垫的硬度按照阿斯卡C硬度在70～86C硬度的范围内。
9.如权利要求7或8所述的磁盘用玻璃基板的制造方法，其特征在于，作为上述第1研磨磨粒以及第2研磨磨粒使用氧化铈。
10.如权利要求9所述的磁盘用玻璃基板的制造方法，其特征在于，作为上述第1研磨磨粒的氧化铈的粒径在1.0～1.4μm的范围内，作为上述第2研磨磨粒的氧化铈的粒径在0.3～0.6μm的范围内。
11.一种磁盘用玻璃基板的制造方法，包括若干个把含有研磨磨粒的研磨液供给到玻璃基板与研磨该玻璃基板的主表面的研磨垫之间、使上述玻璃基板与研磨垫相对移动来研磨上述玻璃基板的主表面的研磨工序，其特征在于，上述若干个研磨工序包含先行研磨工序和后续研磨工序；
上述先行研磨工序进行的研磨，使上述玻璃基板的主表面的端部形状成为比中央部隆起的形状；
上述后续研磨工序进行的研磨，通过使由上述先行研磨工序得到的上述端部形状朝着抵消的方向变化，使上述端部形状成为所需形状；
在上述先行研磨工序中使用氧化铈作为研磨磨粒，在上述后续研磨工序中使用胶态硅石粒子作为研磨磨粒。
12.一种磁盘用玻璃基板的制造方法，包括若干个把含有研磨磨粒的研磨液供给到玻璃基板与研磨该玻璃基板的主表面的研磨垫之间、使上述玻璃基板与研磨垫相对移动来研磨上述玻璃基板的主表面的研磨工序，其特征在于，上述若干个研磨工序包含先行研磨工序和后续研磨工序；
上述先行研磨工序进行的研磨，使上述玻璃基板的主表面的端部形状成为比中央部隆起的形状；
上述后续研磨工序进行的研磨，通过使由上述先行研磨工序得到的上述端部形状朝着抵消的方向变化，使上述端部形状成为所需形状；
在上述后续研磨工序中使用的研磨垫的硬度比在上述先行研磨工序中使用的研磨垫的硬度高。
13.如权利要求12所述的磁盘用玻璃基板的制造方法，其特征在于，上述后续研磨工序后的玻璃基板的主表面的端部形状是比中央部下降的形状；
在上述后续研磨工序后实施化学强化处理工序，在该化学强化处理工序中，通过使上述玻璃基板与化学强化处理液接触，使上述玻璃基板中含有的一部分离子与该化学强化处理液中的离子置换。
14.一种磁盘的制造方法，其特征在于，在用权利要求1-4、7、8、11至13中任一项所述的磁盘用玻璃基板的制造方法得到的玻璃基板的表面，至少形成磁性层。
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